JPH0722699A - 立体共振器型面発光レーザ - Google Patents
立体共振器型面発光レーザInfo
- Publication number
- JPH0722699A JPH0722699A JP16537893A JP16537893A JPH0722699A JP H0722699 A JPH0722699 A JP H0722699A JP 16537893 A JP16537893 A JP 16537893A JP 16537893 A JP16537893 A JP 16537893A JP H0722699 A JPH0722699 A JP H0722699A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- emitting laser
- surface emitting
- grown
- reflecting mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18322—Position of the structure
- H01S5/18327—Structure being part of a DBR
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
- H01S5/2224—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties semi-insulating semiconductors
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 波長程度の微小領域に電流および光を閉じ込
めることにより、低閾値の面発光レーザあるいは高効率
の面発光ＬＥＤを作成する。 【構成】 下部多層膜反射鏡１０と活性層を含む媒質内
波長厚の中間層をＭＢＥにより形成し、中間層のみをウ
エットエッチングによって錐状にエッチングする。この
上に再度ＭＢＥにより上部多層膜反射鏡１を成長する
が、最初のｉ−ＧａＡｓ層６のみ斜面上には堆積しない
ような成長条件にしておく。その後のｐ層は斜面上にも
成長する条件とし、０．４２λ厚の位相補正層１２まで
成長する。発光部を含む数１０μｍの領域を残して下部
多層膜反射鏡までエッチングにより除去する。メサ上に
は金メッキにより反射補強とヒートシンクを兼ねたｐ側
電極３を作成し、メッキ外部の下部多層膜反射鏡上には
ｎ側電極９を作成する。
めることにより、低閾値の面発光レーザあるいは高効率
の面発光ＬＥＤを作成する。 【構成】 下部多層膜反射鏡１０と活性層を含む媒質内
波長厚の中間層をＭＢＥにより形成し、中間層のみをウ
エットエッチングによって錐状にエッチングする。この
上に再度ＭＢＥにより上部多層膜反射鏡１を成長する
が、最初のｉ−ＧａＡｓ層６のみ斜面上には堆積しない
ような成長条件にしておく。その後のｐ層は斜面上にも
成長する条件とし、０．４２λ厚の位相補正層１２まで
成長する。発光部を含む数１０μｍの領域を残して下部
多層膜反射鏡までエッチングにより除去する。メサ上に
は金メッキにより反射補強とヒートシンクを兼ねたｐ側
電極３を作成し、メッキ外部の下部多層膜反射鏡上には
ｎ側電極９を作成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高並列な光伝送や光情
報処理に用いられる光集積素子、特に立体共振器型面発
光レーザに関する。
報処理に用いられる光集積素子、特に立体共振器型面発
光レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザは、半導体ウェハー
を壁開することにより端面方向にレーザ発振する立体共
振器型端面レーザと、ウェハー面に垂直方向に多層膜反
射鏡を形成し、垂直方向にレーザ発振する垂直共振器型
面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）とがある。ＶＣＳＥＬはウ
ェハーに垂直方向にレーザ出力が得られるため、高並列
な光伝送等の実現のためには、その２次元アレイ化の利
点が生かせる。
を壁開することにより端面方向にレーザ発振する立体共
振器型端面レーザと、ウェハー面に垂直方向に多層膜反
射鏡を形成し、垂直方向にレーザ発振する垂直共振器型
面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）とがある。ＶＣＳＥＬはウ
ェハーに垂直方向にレーザ出力が得られるため、高並列
な光伝送等の実現のためには、その２次元アレイ化の利
点が生かせる。
【０００３】ＶＣＳＥＬの従来例としては、例えば図３
に示した特願平４−２２０３８号明細書の面発光半導体
レーザがある。図中、１は上部多層膜反射鏡、２はメサ
ガイド層、３は電極、４はコンタクト層、５はクラッド
層、６は高抵抗領域、７は活性層、８はクラッド層、９
は電極、１０は下部多層膜反射鏡、１１は基板である。
に示した特願平４−２２０３８号明細書の面発光半導体
レーザがある。図中、１は上部多層膜反射鏡、２はメサ
ガイド層、３は電極、４はコンタクト層、５はクラッド
層、６は高抵抗領域、７は活性層、８はクラッド層、９
は電極、１０は下部多層膜反射鏡、１１は基板である。
【０００４】この構造で、上部多層膜反射鏡１だけをエ
ッチングにより微細化していくと、図４に示すようにエ
ッチングしない上部多層膜反射鏡１の層数を６，３，０
対と減少させても横方向の光閉じ込めは劣化し、その結
果図５に示すように残り層数０対の時でもサイズ５μｍ
以下では閾値利得が急激に上昇してしまうという問題が
ある。なお図５においては、電極３に金を用いた場合
に、金の吸収損失大の影響で、閾値利得が上がることを
示している。
ッチングにより微細化していくと、図４に示すようにエ
ッチングしない上部多層膜反射鏡１の層数を６，３，０
対と減少させても横方向の光閉じ込めは劣化し、その結
果図５に示すように残り層数０対の時でもサイズ５μｍ
以下では閾値利得が急激に上昇してしまうという問題が
ある。なお図５においては、電極３に金を用いた場合
に、金の吸収損失大の影響で、閾値利得が上がることを
示している。
【０００５】上記特許出願明細書では、上部多層膜反射
鏡１のみならずメサガイド層２にまでエッチングを深め
ることによって光を閉じ込める効果を大きくすることを
提案しているが、その深さ制御は困難で、高抵抗領域６
の形成に用いているイオン注入の深さ制御や、イオン通
過後の電流注入域の高抵抗化等の問題もある。
鏡１のみならずメサガイド層２にまでエッチングを深め
ることによって光を閉じ込める効果を大きくすることを
提案しているが、その深さ制御は困難で、高抵抗領域６
の形成に用いているイオン注入の深さ制御や、イオン通
過後の電流注入域の高抵抗化等の問題もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、現状の
面発光レーザでは、光の閉じ込めは面に垂直な方向で強
く、面に水平な方向では弱くなっている。これでは、素
子を波長程度まで微細化したとき、横方向への光の漏れ
が大きくなり、発振閾値の上昇や発光効率の上昇が生じ
る。
面発光レーザでは、光の閉じ込めは面に垂直な方向で強
く、面に水平な方向では弱くなっている。これでは、素
子を波長程度まで微細化したとき、横方向への光の漏れ
が大きくなり、発振閾値の上昇や発光効率の上昇が生じ
る。
【０００７】本発明の目的は、上記の理由で不可能であ
った５μｍ以下の微小サイズの面発光レーザにおいても
充分な光閉じ込めを達成し、また高精度の制御を必要と
するイオン注入工程を使用しないで、微小なサイズの素
子に充分な電流狭窄を施すことにある。
った５μｍ以下の微小サイズの面発光レーザにおいても
充分な光閉じ込めを達成し、また高精度の制御を必要と
するイオン注入工程を使用しないで、微小なサイズの素
子に充分な電流狭窄を施すことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明になる立体共振器
型面発光レーザは、上部多層膜反射鏡を活性層の上面の
みならず側面にも形成してあり、しかも活性層周囲に選
択的にセルフアライン形成された高抵抗領域によって電
流狭窄されている。
型面発光レーザは、上部多層膜反射鏡を活性層の上面の
みならず側面にも形成してあり、しかも活性層周囲に選
択的にセルフアライン形成された高抵抗領域によって電
流狭窄されている。
【０００９】
【実施例】実施例１ 図１は本発明を適用した立体共振器型面発光レーザの第
１の実施例の断面図である。この立体共振器型面発光レ
ーザは、基板１１上に、ｎ型の多層膜反射鏡１０と、ｎ
型のクラッド層８と、活性層７と、ｐ型のクラッド層５
と、ｐ型の多層膜反射鏡１とが順に形成され、多層膜反
射鏡１は垂直方向のみならず斜め方向にも形成されてい
る。
１の実施例の断面図である。この立体共振器型面発光レ
ーザは、基板１１上に、ｎ型の多層膜反射鏡１０と、ｎ
型のクラッド層８と、活性層７と、ｐ型のクラッド層５
と、ｐ型の多層膜反射鏡１とが順に形成され、多層膜反
射鏡１は垂直方向のみならず斜め方向にも形成されてい
る。
【００１０】この立体共振器型面発光レーザの構造を、
その製造方法と共にさらに詳細に説明する。
その製造方法と共にさらに詳細に説明する。
【００１１】まず、セミインシュレータのＧａＡｓから
なる基板１１の上に、下部多層膜反射鏡（ｎ−ＡｌＡｓ
／ｎ−ＧａＡｓ，ドーピング濃度２×１０18ｃｍ-3）１
０，下部クラッド層（ｎ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ，ドー
ピング濃度２×１０18ｃｍ-3）８，活性層（ノンドープ
Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ）７，上部クラッド層（ｐ−Ａｌ
0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ，ドーピング濃度３×１０18ｃｍ-3）
５を、分子線ビームエピタキシー（ＭＢＥ）法により形
成する。
なる基板１１の上に、下部多層膜反射鏡（ｎ−ＡｌＡｓ
／ｎ−ＧａＡｓ，ドーピング濃度２×１０18ｃｍ-3）１
０，下部クラッド層（ｎ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ，ドー
ピング濃度２×１０18ｃｍ-3）８，活性層（ノンドープ
Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ）７，上部クラッド層（ｐ−Ａｌ
0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ，ドーピング濃度３×１０18ｃｍ-3）
５を、分子線ビームエピタキシー（ＭＢＥ）法により形
成する。
【００１２】次に、下部多層膜反射鏡１０の上面までウ
エットエッチングによって錐状にエッチングする。
エットエッチングによって錐状にエッチングする。
【００１３】この上に再度ＭＢＥ法により高抵抗領域
（ノンドープ，ＧａＡｓ）６および上部多層膜反射鏡
（ｐ−ＡｌＡｓ／ｐ−ＧａＡｓ，ドーピング濃度３×１
０18ｃｍ-3）１を成長するが、最初の高抵抗領域６のみ
成長温度７２５〜７５０℃の高温で成長することにより
斜面上には堆積しないような成長条件にしておく。その
後の多層膜反射鏡１は再び７００℃以下の温度で斜面上
にも成長する条件とし、０．４２λ厚の位相補正層１２
まで成長する。
（ノンドープ，ＧａＡｓ）６および上部多層膜反射鏡
（ｐ−ＡｌＡｓ／ｐ−ＧａＡｓ，ドーピング濃度３×１
０18ｃｍ-3）１を成長するが、最初の高抵抗領域６のみ
成長温度７２５〜７５０℃の高温で成長することにより
斜面上には堆積しないような成長条件にしておく。その
後の多層膜反射鏡１は再び７００℃以下の温度で斜面上
にも成長する条件とし、０．４２λ厚の位相補正層１２
まで成長する。
【００１４】さらに発光部を含む数１０μｍの領域を残
して下部多層膜反射鏡１０までエッチングにより除去
し、メサ上には金メッキにより反射補強とヒートシンク
を兼ねたｐ側電極３を作成し、メサ外部の下部多層膜反
射鏡１０上にはｎ側電極９を作成する。
して下部多層膜反射鏡１０までエッチングにより除去
し、メサ上には金メッキにより反射補強とヒートシンク
を兼ねたｐ側電極３を作成し、メサ外部の下部多層膜反
射鏡１０上にはｎ側電極９を作成する。
【００１５】実施例２ 図２は本発明を適用した立体共振器型面発光レーザの第
２の実施例の断面図である。図１と同一の要素には、同
一の参照番号を付して示してある。
２の実施例の断面図である。図１と同一の要素には、同
一の参照番号を付して示してある。
【００１６】本実施例の立体共振器型面発光レーザは、
次のようにして製造される。
次のようにして製造される。
【００１７】まず、基板１１上に、下部多層膜反射鏡１
０および１００ｎｍ程度の下部クラッド層８を作成し、
その後、発光部となる部分のみをマスクして他の部分の
下部クラッド層８をエッチングにより除去する。
０および１００ｎｍ程度の下部クラッド層８を作成し、
その後、発光部となる部分のみをマスクして他の部分の
下部クラッド層８をエッチングにより除去する。
【００１８】マスクを除去して全体に残りの下部クラッ
ド層８，活性層７，上部クラッド層５，上部多層膜反射
鏡１を成長する。
ド層８，活性層７，上部クラッド層５，上部多層膜反射
鏡１を成長する。
【００１９】発光部のみ残して活性層７の周囲にイオン
注入を行い、高抵抗領域６を作成する。
注入を行い、高抵抗領域６を作成する。
【００２０】さらに発光部を含む数１０μｍの領域を残
して下部多層膜反射鏡１０までエッチングにより除去
し、メサ上には金メッキにより反射補強とヒートシンク
を兼ねたｐ側電極３を作成し、メサ外部の下部多層膜反
射鏡上にはｎ側電極９を作成する。
して下部多層膜反射鏡１０までエッチングにより除去
し、メサ上には金メッキにより反射補強とヒートシンク
を兼ねたｐ側電極３を作成し、メサ外部の下部多層膜反
射鏡上にはｎ側電極９を作成する。
【００２１】以上説明した２つの実施例において、活性
層７のサイズを１μｍまで微細化すると、１０μＡ以下
に発振閾値を低減できる。
層７のサイズを１μｍまで微細化すると、１０μＡ以下
に発振閾値を低減できる。
【００２２】また以上の実施例では、ＧａＡｓ系の材料
を用いたが、本発明はＩｎＰ系等の他の材料についても
適用できる。
を用いたが、本発明はＩｎＰ系等の他の材料についても
適用できる。
【００２３】
【発明の効果】従来のエッチングのみによるメサ作成で
は、上部多層膜反射鏡を深く除去しなくてはならなかっ
たため、その微小化は数μｍ程度が実用上の限界であ
る。ところが本発明の構造では、中間層のみをエッチン
グするため、光の波長程度にまで微小化できる。
は、上部多層膜反射鏡を深く除去しなくてはならなかっ
たため、その微小化は数μｍ程度が実用上の限界であ
る。ところが本発明の構造では、中間層のみをエッチン
グするため、光の波長程度にまで微小化できる。
【００２４】また、電流ブロックのための高抵抗層をセ
ルフアラインで作成できるため、作成工程が単純化でき
る。
ルフアラインで作成できるため、作成工程が単純化でき
る。
【００２５】さらに、錐状の中間層上部への多層膜反射
鏡成長により、凸面状の多層膜反射鏡が形成され、光の
横方向への閉じ込めが大きくできるため、発振閾値の低
減や発光効率の向上が図れる。
鏡成長により、凸面状の多層膜反射鏡が形成され、光の
横方向への閉じ込めが大きくできるため、発振閾値の低
減や発光効率の向上が図れる。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための立体共
振器型面発光レーザの断面概略図である。
振器型面発光レーザの断面概略図である。
【図２】本発明の第２の実施例を説明するための立体共
振器型面発光レーザの断面概略図である。
振器型面発光レーザの断面概略図である。
【図３】従来例を説明するための垂直共振器型面発光レ
ーザの断面概略図である。
ーザの断面概略図である。
【図４】従来例の垂直共振器型面発光レーザの横サイズ
と横光閉じ込め係数との関係を示すグラフである。
と横光閉じ込め係数との関係を示すグラフである。
【図５】従来例の垂直共振器型面発光レーザの横サイズ
と発振閾値利得との関係を示すグラフである。
と発振閾値利得との関係を示すグラフである。
１ 上部多層膜反射鏡 ２ メサガイド層 ３ 電極 ４ コンタクト層 ５ クラッド層 ６ 高抵抗領域 ７ 活性層 ８ クラッド層 ９ 電極 １０ 下部多層膜反射鏡 １１ 基板 １２ 位相補正層
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に、第一導伝型の第１の多層膜反射
鏡と、第一導伝型の第１の層と、活性層となる第２の層
と、第二導伝型の第３の層と、第二導伝型の第２の多層
膜反射鏡とが順に形成され、形成面に垂直方向にレーザ
光を出力する面発光レーザにおいて、 第２の多層膜反射膜が垂直方向のみならず斜め方向にも
形成してあることを特徴とする立体共振器型面発光レー
ザ。 - 【請求項２】請求項１記載の立体共振器型面発光レーザ
において、 第１，２および３の層の周辺に選択的に高抵抗層を成長
してあることによってセルフアラインで電流狭窄が行え
ることを特徴とする立体共振器型面発光レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5165378A JP2546150B2 (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 立体共振器型面発光レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5165378A JP2546150B2 (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 立体共振器型面発光レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722699A true JPH0722699A (ja) | 1995-01-24 |
| JP2546150B2 JP2546150B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=15811243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5165378A Expired - Fee Related JP2546150B2 (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 立体共振器型面発光レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546150B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227861A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Sony Corp | 半導体発光素子 |
| CN106099641A (zh) * | 2016-07-08 | 2016-11-09 | 燕山大学 | 一种半导体激光器的制备方法 |
| US9834806B2 (en) | 2008-06-27 | 2017-12-05 | Hitachi Plant Services Co., Ltd. | Microbe-collecting carrier cartridge, carrier treating apparatus, and method of measuring microbes |
| US10465168B2 (en) | 2014-11-20 | 2019-11-05 | Unist (Ulsan National Institute Of Science And Technology) | Particle filtering device and method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01308091A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-12 | Canon Inc | 面発光型半導体レーザ装置 |
-
1993
- 1993-07-05 JP JP5165378A patent/JP2546150B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01308091A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-12 | Canon Inc | 面発光型半導体レーザ装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227861A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Sony Corp | 半導体発光素子 |
| US9834806B2 (en) | 2008-06-27 | 2017-12-05 | Hitachi Plant Services Co., Ltd. | Microbe-collecting carrier cartridge, carrier treating apparatus, and method of measuring microbes |
| US10465168B2 (en) | 2014-11-20 | 2019-11-05 | Unist (Ulsan National Institute Of Science And Technology) | Particle filtering device and method |
| CN106099641A (zh) * | 2016-07-08 | 2016-11-09 | 燕山大学 | 一种半导体激光器的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2546150B2 (ja) | 1996-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6222866B1 (en) | Surface emitting semiconductor laser, its producing method and surface emitting semiconductor laser array | |
| US4956844A (en) | Two-dimensional surface-emitting laser array | |
| US5637511A (en) | Vertical-to-surface transmission electro-photonic device and method for fabricating the same | |
| EP0858137A2 (en) | Surface emitting laser devices and method of manufacture | |
| US5159603A (en) | Quantum well, beam deflecting surface emitting lasers | |
| JPH09107153A (ja) | アルミニウムのない活性領域を有する短波長ｖｃｓｅｌ | |
| US5084892A (en) | Wide gain region laser diode | |
| JP2000196189A (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
| JPH06112594A (ja) | 面発光型半導体発光装置およびその製造方法 | |
| US6846685B2 (en) | Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser | |
| JPS5940592A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS63188983A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH0728104B2 (ja) | 半導体レーザ・ダイオード | |
| JP2546150B2 (ja) | 立体共振器型面発光レーザ | |
| US7672347B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP4876428B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2855934B2 (ja) | 面発光半導体レーザ | |
| JPH0156547B2 (ja) | ||
| JPH0671121B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05145170A (ja) | 面発光レーザ | |
| KR100394095B1 (ko) | 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JP2001257424A (ja) | 垂直共振器型面発光素子 | |
| JPH0437598B2 (ja) | ||
| JP2000294877A (ja) | 高出力半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2973215B2 (ja) | 半導体レーザ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070808 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080808 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |