JPH07218352A - Ｏｔｄｒによる計測方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 構成機器の制約が少なく、安価で高精度に計
測することを可能にしたＯＴＤＲによる計測方法。 【構成】 被測定領域に敷設された光導波部に疑似ラン
ダム信号により変調された光信号を入射する工程と、光
導波部に発生する散乱光を受光する工程と、受光された
散乱光を電気信号に変換する工程と、その電気信号に基
づき疑似ランダム信号の自己相関関数を求める工程とを
有し、その自己相関関数に基いて光導波部に発生する後
方散乱光の位置及び強度を求めるＯＴＤＲによる計測方
法において、各工程における信号の周波数帯域を、疑似
ランダム信号の最小パルス幅ｌ／ｆ（ｓｅｃ）に対し
て、０．００１ｆ（Ｈｚ）〜ｆ（Ｈｚ）とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバ、光導波管
等の光導波部にレーザ光を入射し、光導波管部に伝送す
る光信号の反射散乱光を検出することにより温度分布の
計測、光導波部の特性検査、欠陥検出等を行うＯＴＤＲ
（Optical Time Domain Reflectmetry）による計測方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光ファイバ障害点検出装置及び光ファイ
バ分布型温度センサは、光導波部として光ファイバを使
用し、その光ファイバの端部から光ファイバ中にパルス
幅数〜数十ｎｓｅｃ、ピークパワー数百ｍＷ〜数Ｗの短
パルス光信号を入力することによって反射光及び後方散
乱光を発生させ、光ファイバの各点における散乱光強度
が光ファイバの状態や温度により変化することを利用し
て、光ファイバの長手方向に沿った光ファイバの欠陥や
温度情報を得るものであり、レイリー散乱光やラマン散
乱光を利用するものが広く知られている。このうちレイ
リー散乱光は大きな信号強度が得られることから光ファ
イバの障害点検知に、また、ラマン散乱光は信号は微弱
であるものの温度変化に対する信号変化量が大きく温度
分布センサとして有望な方式と考えられている。特に、
ラマン散乱光を利用した光ファイバ分布型温度センサは
従来の熱電対温度計のような点計測でなく、光ファイバ
を敷設した箇所全体の温度情報が得られることから、電
力ケーブル、各種プラント、ビルやトンネルの温度管
理、火災検知等に利用することが有望視されている。し
かし、従来の短パルス光信号を入力する方式では距離分
離能、測定温度範囲、測定可能距離、計測処理時間、装
置寸法、価格などに課題が残されており、実用範囲は限
定されている。

【０００３】そこで、本出願人は装置の小型化、Ｓ／Ｎ
の改善、距離分解能・距離読み取り分解能向上、価格の
低減、計算時間の短縮等を目的として疑似ランダム信号
を用いた光ファイバセンサを発明を特開平５−４５２５
０号公報において提案した。この疑似ランダム信号を採
用した方式は、出力の比較的小さな半導体レーザが使用
できること、容易に高速変調がかけられること、装置が
コンパクトになること等の優れた効果が得られており、
現在の単一パルスを入射する方式に代わる計測方式とし
て期待されている。更に、上記公報の方式は、周波数の
僅かに異なる２つの疑似ランダム信号を使用したことに
より、読み取り分解能が高く、構成が単純でかつ高感度
な計測が可能となっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】図４は疑似ランダム信
号の一つであるＭ系信号の一例を示したタイミングチャ
ートである。図４（ａ）は２値のＭ系列信号の例を示し
ており、図４（ｂ）は３値のＭ系列信号の例を示してい
る。図４（ａ）の２値のＭ系列信号の最小パルス幅はク
ロック周波数の逆数に等しく、図４（ｂ）３値のＭ系列
信号のパルス幅は図４（ａ）の最小パルス幅の半分であ
りクロック周波数の２倍の逆数に等しい。このような信
号のパワースペクトル最小パルス幅を１／ｆ（ｓｅｃ）
とした時図５に示される特性をもっている。

【０００５】図２は上記のようなＭ系列信号を用いた光
ファイバ分布型温度センサの構成例を示したものである
（詳細は後述する実施例において説明する）。このよう
な構成により計測を行う際には、光源から受光部及び信
号処理部に至るまでの構成機器はＭ系列信号の最小パル
ス幅をｌ／ｆ（ｓｅｃ）とした時、ＤＣからｆ（Ｈｚ）
までの帯域が必要となる。従って、高い距離分解能が要
求される計測においては、広帯域の周波数帯域を有する
光源、受光素子、変調器、増幅器等が必要となる。しか
し、例えば距離分解能１０ｃｍを実現しようとした場
合、最小パルス幅は１ｎｓｅｃ以下となり、構成機器の
周波数帯域はすべてＤＣ〜１ＧＨｚ以上のものが要求さ
れる。また、パルス幅が狭くなるほど検出される散乱光
は微弱になるため、光源の出力は誘導ラマン散乱の発生
しない範囲においてできるだけ大きく、また、受光部の
感度はできるだけ高い測定が要求される。当然のことな
がら光源を駆動する変調器や増幅器なども、高速で高出
力のものが要求される。このような条件を満足する構成
機器は技術的に困難でかつ高価であり実用的な計測器と
しては不適当であることから、これまで疑似ランダム信
号を用いた光ファイバに関する計測器は殆ど実用化され
ることがなかった。

【０００６】一方、疑似ランダム信号の相関処理を用い
た計測例として、マイクロ波や光距離計などが報告され
ている。これら距離計測を目的とした計測器では計測対
象からの反射信号の伝搬時間の情報のみが得られればよ
いので、必ずしも高価な広帯域の構成機器を使用する必
要はなく、例えば０．１ｆ〜ｆ（Ｈｚ）程度の狭帯域の
増幅器を用いても１点だけの正確な距離情報を得ること
は可能である。しかしながら、光ファイバ分布型温度セ
ンサのように光ファイバ全長にわたる、連続的な散乱光
の時間情報のみならず強度情報も必要とするセンサにお
いては、サイドローブ等が隣接するデータに影響を及ぼ
してしまうので計測器としての機能を果たすことができ
ない。従って、精度のよい計測を行うためには、周波数
特性の良好な構成機器が必要となる。

【０００７】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであり、構成機器の制約が少なく、安価で高精度
な装置を実現することを可能にしたＯＴＤＲによる計測
方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

（１）本発明の一つの態様に係るＯＴＤＲによる計測方
法は、被測定領域に敷設された光導波部に疑似ランダム
信号により変調された光信号を入射する工程と、光導波
部に発生する散乱光を受光する工程と、受光された散乱
光を電気信号に変換する工程と、電気信号に基づき疑似
ランダム信号の自己相関関数を求める工程とを有し、自
己相関関数に基いて光導波部に発生する後方散乱光の位
置及び強度を求めるＯＴＤＲによる計測方法において、
各工程における信号の周波数帯域を、疑似ランダム信号
の最小パルス幅ｌ／ｆ（ｓｅｃ）に対して、０．００１
ｆ（Ｈｚ）〜ｆ（Ｈｚ）とする。そして、例えば疑似ラ
ンダム信号としてＭ系列信号を使用し、Ｍ系列信号がＲ
Ｚ波形（３値）の場合には、信号発生のクロック周波数
をｆとしたとき、光信号を発生してから受光するまでの
間（又は自己相関演算を行うまで）の周波数帯域を０．
００２ｆ〜２ｆとする。また、Ｍ系列信号がＮＲＺ波形
（２値）の場合は、その周波数帯域を０．００１ｆ〜ｆ
とする。 （２）本発明の他の態様に係るＯＴＤＲによる温度分布
の計測方法は、第１のクロック信号に基づいた第１の疑
似ランダム信号を発生する工程と、第１のクロック信号
と周波数が僅かに異なる第２のクロック信号に基づいた
第２の疑似ランダム信号を発生する工程と、第１の疑似
ランダム信号により振幅変調されたレーザ光を発生し、
被測定領域に敷設された光導波部に入射する工程と、光
導波部に発生した散乱光からラマン散乱光を分離抽出し
て電気信号へ変換する工程と、変換された電気信号と第
２の疑似ランダム信号とを乗算する工程と、乗算された
信号の帯域制限を行う工程と、帯域制限を受けた信号に
基いて被測定領域の温度分布を計測する工程とを有し、
疑似ランダム信号を発生する工程、レーザー光を変調す
る工程、散乱光を電気信号に変換する工程及び乗算工程
の周波数帯域を、疑似ランダム信号の最小パルス幅ｌ／
ｆに対して０．００１ｆ〜ｆとする。 （３）本発明の他の態様に係るＯＴＤＲによる光導波部
の障害点の計測方法は、第１のクロック信号に基づいた
第１の疑似ランダム信号を発生する工程と、第１のクロ
ック信号と周波数が僅かに異なる第２のクロック信号に
基づいた第２の疑似ランダム信号を発生する工程と、第
１の疑似ランダム信号により変調されたレーザ光を発生
し、敷設された光導波部に入射する工程と、光導波部に
発生した散乱光からレイリー散乱光を分離抽出して電気
信号へ変換する工程と、変換された電気信号と第２の疑
似ランダム信号とを乗算する工程と、乗算された信号の
帯域制限を行う工程と、帯域制限を受けた信号に基いて
光導波部の障害点、欠陥、伝送損失等を計測する工程と
を有し、疑似ランダム信号を発生する工程、レーザー光
を変調する工程、散乱光を電気信号に変換する工程及び
乗算工程の周波数帯域を、疑似ランダム信号の最小パル
ス幅ｌ／ｆに対して０．００１ｆ〜ｆとする。

【０００９】

【作用】本発明における作用を図６に基いて説明する。
図６（ａ）は疑似ランダム信号の自己相関関数によって
得られる光導波部例えば光ファイバからの後方散乱光の
内、温度依存性の大きいアンチ・ストークス光の一例を
示すタイミングチャートである。この光ファイバの中間
部を加熱すると加熱部分の信号強度が増加し、図６
（ｂ）の様な信号が得られる。ストークス光はアンチ・
ストークス光に比べて強い信号強度が得られるが、温度
依存性は小さい。温度情報はこれらストークス光とアン
チ・ストークス光の強度より求めることができる。とこ
ろが、広帯域の構成機器である光源、変調器、光／電変
換器、増幅器、乗算器、分波器等のいずれかの周波数帯
域が不十分な場合には図６のような波形が得られなくな
る。低周波数帯域がカットされているときには信号の変
化した位置は識別できるものの光ファイバ全長にわたっ
て図６の波形の微分信号の様な波形が得られる。また、
高周波数帯域がカットされている場合には信号の変化が
なだらかになり温度変化の立ち上がり、立ち下がり位置
が識別不可能になる。従って低周波、高周波いずれの帯
域がカットされていても温度分布を精度よく計測するこ
とは不可能である。

【００１０】しかしながら、低周波域及び高周波域が共
にカットされる周波数帯域が僅かであれば計測上影響は
少ないので、適正な周波数帯域を選択することにより実
用上問題のない範囲で安価な装置を得ることができる。
高周波側は高い距離分解能を得るためには十分伸びてい
る必要があるが、低周波側は温度精度に影響を及ぼすも
のの距離分解能に及ぼす影響は比較的小さい。疑似ラン
ダム信号を用いた計測装置においては、Ｓ／Ｎが優れて
いること、高距離分解能が得られることがその特徴とな
ることから、低周波域を多少犠牲にした広帯域の周波数
特性が得られる構成機器を用いることが実用的である。
具体的には疑似ランダム信号を構成する最小の単位とな
るパルス幅をｌ／ｆ（ｓｅｃ）とするならば、０．００
１ｆ〜ｆ（Ｈｚ）の周波数帯域を有していれば実用上の
測定にはほとんど支障ないことが確認されている。

【００１１】

【実施例】図２は本発明の一実施例に係る方法が適用さ
れたＯＴＤＲによる温度分布計測装置即ち光ファイバ分
布型温度センサの構成を示すブロック図である。図にお
いて、１は分岐分光器、１１はセンサ用グレーデッド・
インデックス光ファイバ（以下、光ファイバという）、
１５，１６はクロック信号発生器、１７，１８は疑似ラ
ンダム信号発生器である。２は半導体レーザとレーザド
ライバとからなるレーザ光源であり、外部変調がかけら
れる構造になっている。変調周波数帯域は、１００ｋＨ
ｚ〜１ＧＨｚであり、図１（ａ）に示すような特性を有
している。半導体レーザには、波長λ₀ ＝８００ｎｍ
で、光ファイバ端出力Ｐ＝７００ｍＷの高出力半導体レ
ーザを使用し、更に反射光の影響を避けるためのアイソ
レータを付加している。更に、温度による波長の変化を
防止するために電子冷却素子（クーラ）及びサーミスタ
を内蔵したものを使用し、一定温度で動作させることを
可能にしている。１２，１３は光／電変換器であり、検
出素子にはシリコン・アバランシエ・フォトダイオード
を使用している。光／電変換器１２の周波数帯域もレー
ザ光源２と同様に１００ｋＨｚ〜１ＧＨｚのものを使用
している。

【００１２】分岐分光器１の入出力ポートはそれぞれ光
ファイバで接続されるよう光ファイバコネクタ（図示せ
ず）が設けられており、分岐分光器１内ではコリメータ
レンズ（図示せず）により平行光束の形成及び集光を行
い、誘電体多層膜フィルタ（図示せず）により波長の分
離抽出及び反射を行っている。分岐分光器１内における
光ファイバの種類や配置方法には種々の方法が考えられ
るが、本実施例においては光ファイバ１１で発生した後
方散乱光を、７７０、８３０ｎｍに透過波長のピークを
有する誘電体多層膜フィルタを用いてラマン散乱光を選
択抽出する構造になっている。また、レーザ光源２より
入射した光は損失が最小となるように光ファイバ１１に
入射されるように設計されている。

【００１３】本実施例においては、クロック信号発生器
１５，１６により周波数がそれぞれｆ₁ ＝５００．００
０ＭＨｚ、ｆ₂ ＝５００．００１ＭＨｚの二つのクロッ
ク信号を発生し、疑似ランダム信号発生器１７，１８を
駆動する。疑似ランダム信号発生器１７，１８は、フィ
ードバックループを有するシフトレジスタにより構成さ
れるＭ系列信号発生器から構成され、符号長１２７の同
一パターンの３値のＭ系列信号を発生する。従って、疑
似ランダム信号発生器１７，１８を以下Ｍ系列信号発生
器１７，１８と称するものとする。

【００１４】レーザ光源２は、Ｍ系列信号発生器１７の
出力であるＭ系列信号を入力し、Ｍ系列信号により強度
変調されたレーザ光を発生する。レーザ光源２からの変
調光は分岐分光器１に入射する。分岐分光器１の内部に
おいては、入射光はコリメータレンズにより平行光束が
形成され、２種類の誘電体多層膜フィルタを反射した後
再びコリメータレンズで集光され、光ファイバ１１に入
射する。光ファイバ１１にはコア径２００μｍ、長さ２
０ｍのものを用いている。センサ用光ファイバ１１に入
射した光信号は、光ファイバ１１中の各位置で散乱する
が、散乱光の一部は入射端方向へ戻り、再び分岐分光器
１へ入射する。分岐分光器１に入射した散乱光は誘電体
多層膜フィルタによってストークス光及びアンチ・スト
ークス光のみを分離抽出し、それぞれ光／電変換器１
２，１３へ入射する。光／電変換器１２，１３に入射し
た光信号はラマン散乱光強度に比例した電気信号に変換
される。乗算器１９，２０はダブルバランスドミキサか
ら構成され、光／電変換器１２，１３の出力信号とＭ系
列信号発生器１８の出力であるＭ系列信号とを入力して
二つの信号の乗算を行い、その乗算結果の信号はローパ
スフィルタ２２，２３に入力し、そこで帯域制限され、
光ファイバ１１からの散乱信号が検知される。そして、
検知信号はデータ処理装置（計算機）２５によりＡ／Ｄ
変換され、サンプリングされる。この時、乗算器１９，
２０の周波数帯域は１００ｋＨｚ〜１ＧＨｚのものを使
用している。

【００１５】また、Ｍ系列信号発生器１７，１８にそれ
ぞれ発生したＭ系列信号は乗算器２１に入力して二つの
信号を乗算した後にローパスフィルタ２４に入力して帯
域制限された基準信号を別途形成し、同様にＡ／Ｄ変換
され、サンプリングされて基準信号としてデータ処理装
置２５に入力される。この基準信号に対する検知信号の
時間遅れとラマン散乱光強度に比例した検知信号強度か
ら光ファイバ１１内における温度分布が精度よく求めら
れる。

【００１６】このようにして構成された計測装置を用い
て次の条件下において温度分布計測を行った。即ち、光
ファイバ１１の中間部１箇所を約３ｍ程９０℃のお湯に
浸し、他の部分は大気中に放置した。気温は約２５℃で
あった。得られたラマン散乱光のストークス光及びアン
チ・ストークス光の一例を図７に示す。これら二つの信
号から温度を計算した結果、温度精度±３℃の計測結果
が得られた。

【００１７】次に、レーザ光源２の変調ヘッド部の増幅
器を交換し、周波数帯域を図１（ｂ）に示すように１Ｍ
Ｈｚ〜１ＧＨｚにしたところ、温度精度は±１０℃と低
下した。更に、レーザ光源２の変調ヘッド部の増幅器を
変換し、周波数帯域を図１（ｃ）に示すように１０ＭＨ
ｚ〜１ＧＨｚにしたところ、図８に示すようなラマン散
乱光の信号が得られ、図７の微分信号のような波形が得
られた。測定温度も加熱箇所において均一な温度が得ら
れず分布温度センサとして全く機能しないことが分かっ
た。このように、構成機器の周波数帯域が狭くなると本
来得られるべき信号が得られなくなりセンサとしての機
能を果たせなくなってしまう。しかし、広帯域の構成機
器を使用することは著しい装置コストの増大を招き実用
的計測は不可能である。本発明のように適正な周波数帯
域を選択することにより、従来の単一パルスによる計測
方式と同等の性能が得られ、更に、高距離分解能、計測
時間の短縮が実現される。

【００１８】図３は本発明の他の実施例に係る方法を適
用したＯＴＤＲによる障害点検知装置即ち光ファイバ障
害点検知装置の構成を示すブロック図である。温度分布
を計測する場合と異なり、検出する信号はレイリー散乱
光なので、分岐結合器として光カプラ３が用いられてい
る。また、検出信号も１種類のみでよいので、図２の実
施例の光／電変換器１３、乗算器２０及びローパスフィ
ルタ２３が省略された構成になっている。

【００１９】本発明は、上述の実施例に示されるよう
に、温度分布センサのみならず、光導波部の欠陥検出や
特性検査を行うＯＴＤＲの手法を用いるものであれば如
何なる計測装置にも適用可能である。また、本実施例で
はＭ系列信号を用いているが、この限りではなく、Ｍ系
列信号と同等のスペクトルを有するあらゆる相関処理に
用いられる符号も対象となる。更に、本実施例では二つ
の僅かに異なる周波数のＭ系列信号を用いているが、一
般的に用いられる同一周波数のＭ系列信号を用いる方法
等自己相関、相互相関により計測するあらゆる手法につ
いて成り立つものである。

【００２０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、構成機器
の周波数を上述のように適正に選択しているので以下の
ような効果がある。 構成機器の制約が少なく安価で高精度な計測装置を実
現することができる。 従来のＯＴＤＲによる計測測定方法に比べて高距離分
解能、Ｓ／Ｎの向上が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る周波数帯域の特性図で
ある。

【図２】本発明の一実施例に係る方法を適用した光ファ
イバ分布型温度センサの構成を示すブロック図である。

【図３】本発明の他の実施例に係る方法を適用した光フ
ァイバ障害点検知装置の構成を示すブロック図である。

【図４】Ｍ系列信号波形を示すタイミングチャートであ
る。

【図５】Ｍ系列信号のパワースペクトルを示す特性図で
ある。

【図６】疑似ランダム信号の自己相関関数によって得ら
れる信号波形のタイミングチャートである。

【図７】上記実施例の図１（ａ）の周波数特性の構成機
器により計測された光ファイバのアンチ・ストークス光
波形の一例を示すタイミングチャートである。

【図８】上記実施例の図１（ｃ）の周波数特性の構成機
器により得られたアンチ・ストークス光波形の一例を示
すタイミングチャートである。

【符号の説明】

１ 分岐分光器 ２ 光カプラ １１ センサ用光フィルタ １２ 光／電変換器（光検出器） １５，１６ クロック発生器 １７，１８ 疑似ランダム信号発生器 １９，２０，２１ 乗算器 ２２，２３，２４ ローパスフィルタ ２５ データ処理装置（計算機）

フロントページの続き (72)発明者 長棟 章生 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被測定領域に敷設された光導波部に疑似
   ランダム信号により変調された光信号を入射する工程
   と、 前記光導波部に発生する散乱光を受光する工程と、 前記受光された散乱光を電気信号に変換する工程と、 前記電気信号に基づき疑似ランダム信号の自己相関関数
   を求める工程とを有し、前記自己相関関数に基いて光導
   波部に発生する後方散乱光の位置及び強度を求めるＯＴ
   ＤＲによる計測方法において、 前記各工程における信号の周波数帯域を、前記疑似ラン
   ダム信号の最小パルス幅ｌ／ｆ（ｓｅｃ）に対して、
   ０．００１ｆ（Ｈｚ）〜ｆ（Ｈｚ）とすることを特徴と
   するＯＴＤＲによる計測方法。
2. 【請求項２】 疑似ランダム信号としてＭ系列信号を使
   用し、Ｍ系列信号がＲＺ波形（３値）の場合は、クロッ
   ク周波数をｆとしたとき、光信号を発生してから受光す
   るまでの間の周波数帯域を０．００２ｆ〜２ｆとするこ
   とを特徴とする請求項１記載のＯＴＤＲによる計測方
   法。
3. 【請求項３】 疑似ランダム信号としてＭ系列信号を使
   用し、Ｍ系列信号をＮＲＺ波形（２値）の場合は、クロ
   ック周波数をｆとしたとき、光信号を発生してから受光
   するまでの間の周波数帯域を０．００１ｆ〜ｆとするこ
   とを特徴とする請求項１記載のＯＴＤＲによる計測方
   法。
4. 【請求項４】 第１のクロック信号に基づいた第１の疑
   似ランダム信号を発生する工程と、 前記第１のクロック信号と周波数が僅かに異なる第２の
   クロック信号に基づいた第２の疑似ランダム信号を発生
   する工程と、 前記第１の疑似ランダム信号により振幅変調されたレー
   ザ光を発生し、被測定領域に敷設された光導波部に入射
   する工程と、 光導波部に発生した散乱光からラマン散乱光を分離抽出
   して電気信号へ変換する工程と、 前記変換された電気信号と前記第２の疑似ランダム信号
   とを乗算する工程と、 乗算された信号の帯域制限を行う工程と、 前記帯域制限を受けた信号に基いて被測定領域の温度分
   布を計測する工程とを有し、 前記疑似ランダム信号を発生する工程、レーザー光を変
   調する工程、散乱光を電気信号に変換する工程及び乗算
   工程の周波数帯域を、疑似ランダム信号の最小パルス幅
   ｌ／ｆに対して０．００１ｆ〜ｆとすることを特徴とす
   るＯＴＤＲによる温度分布の計測方法。
5. 【請求項５】 第１のクロック信号に基づいた第１の疑
   似ランダム信号を発生する工程と、 前記第１のクロック信号と周波数が僅かに異なる第２の
   クロック信号に基づいた第２の疑似ランダム信号を発生
   する工程と、 前記第１の疑似ランダム信号により変調されたレーザ光
   を発生し、敷設された光導波部に入射する工程と、 光導波部に発生した散乱光からレイリー散乱光を分離抽
   出して電気信号へ変換する工程と、 前記変換された電気信号と前記第２の疑似ランダム信号
   とを乗算する工程と、 乗算された信号の帯域制限を行う工程と、 前記帯域制限を受けた信号に基いて光導波部の障害点、
   欠陥、伝送損失等を計測する工程とを有し、 前記疑似ランダム信号を発生する工程、レーザー光を変
   調する工程、散乱光を電気信号に変換する工程及び乗算
   工程の周波数帯域を、疑似ランダム信号の最小パルス幅
   ｌ／ｆに対して０．００１ｆ〜ｆとすることを特徴とす
   るＯＴＤＲによる光導波部の障害点の計測方法。