JPH07210824A - Magnetic head and its production - Google Patents
Magnetic head and its productionInfo
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- JPH07210824A JPH07210824A JP1703194A JP1703194A JPH07210824A JP H07210824 A JPH07210824 A JP H07210824A JP 1703194 A JP1703194 A JP 1703194A JP 1703194 A JP1703194 A JP 1703194A JP H07210824 A JPH07210824 A JP H07210824A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド及びその製
造方法に関し、例えば、ビデオテープレコーダや磁気デ
ィスク装置に好適な磁気ヘッド及びその製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic head and a method of manufacturing the same, for example, a magnetic head suitable for a video tape recorder and a magnetic disk device and a method of manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】例えばビデオテープレコーダ(VTR)
等の磁気記録再生装置においては、画質等を向上させる
ために信号をデジタル化して記録するデジタル記録が進
められており、これに対応して記録の高密度化、記録周
波数の高周波化がなされている。2. Description of the Related Art For example, a video tape recorder (VTR)
In such magnetic recording / reproducing devices, digital recording for digitizing and recording signals is being advanced in order to improve image quality and the like, and correspondingly, high density recording and high frequency recording have been performed. There is.
【0003】磁気記録の高密度化、高周波化が進むにつ
れ、記録再生に使用する磁気ヘッドには、高周波で出力
が高く、ノイズの少ないことが要求される。例えば、従
来VTR用磁気ヘッドとして多用されるフェライト材に
金属磁性膜を成膜し、巻き線を施した所謂複合型メタル
・イン・ギャップヘッドでは、インダクタンスが大き
く、インダクタンス当たりの出力低下のため、高周波領
域で出力が低く、高周波、高密度が必要とされるデジタ
ル画像記録に充分対処することが難しい。As the density and frequency of magnetic recording have increased, magnetic heads used for recording and reproduction are required to have high output at high frequencies and low noise. For example, in a so-called composite type metal-in-gap head in which a metal magnetic film is formed on a ferrite material that is often used as a magnetic head for a VTR and winding is performed, the inductance is large and the output per inductance is reduced. The output is low in the high frequency region, and it is difficult to sufficiently deal with digital image recording that requires high frequency and high density.
【0004】このような状況から、磁気ヘッドを薄膜形
成工程で作製する所謂薄膜磁気ヘッドが、高周波対応の
磁気ヘッドとして検討されている。Under these circumstances, a so-called thin film magnetic head which is manufactured by a thin film forming process has been considered as a high frequency compatible magnetic head.
【0005】薄膜磁気ヘッドは、一対のセラミック基板
の夫々にフォトリソグラフィ等の薄膜形成手法によって
渦巻き状にコイルを形成しておいて、一対の基体を接合
して磁気ヘッドとする。この接合時に、渦巻き状薄膜コ
イルの先端部を電気的に互いに接続させて1個のコイル
とする。In a thin film magnetic head, a spiral coil is formed on each of a pair of ceramic substrates by a thin film forming method such as photolithography, and a pair of bases are joined to form a magnetic head. At the time of this joining, the tips of the spiral thin film coils are electrically connected to each other to form one coil.
【0006】ところが、基板上の導電膜をパターニング
して薄膜コイルを形成するに際し、基板までもがエッチ
ング液によって侵蝕され、その結果、薄膜コイルの性
状、例えば寸法精度を悪くするという問題が起こる。こ
れを防止するには、パターニング時のエッチング速度を
シビヤに管理せねばならず、生産性の観点から甚だ不都
合である。However, when the thin film coil is formed by patterning the conductive film on the substrate, the substrate is also corroded by the etching solution, resulting in a problem that the property of the thin film coil, for example, the dimensional accuracy is deteriorated. In order to prevent this, the etching rate during patterning must be carefully controlled, which is very inconvenient from the viewpoint of productivity.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたものであって、薄膜コイル形成のパタ
ーニングに際し、基体を侵蝕するおそれがなく、従っ
て、基体侵蝕防止のためにパターニングに工程上のシビ
ヤな管理を必要とせず、薄膜コイルが容易に形成できる
磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とし
ている。The present invention has been made in view of the above circumstances, and there is no fear of eroding the substrate during patterning of the thin film coil formation. Therefore, patterning is performed to prevent substrate erosion. Another object of the present invention is to provide a magnetic head which can easily form a thin-film coil without requiring any severe management in the process, and a manufacturing method thereof.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、互いに対向す
る一対の基体を有し、これら基体の少なくとも一方に薄
膜コイルが形成され、この薄膜コイルが、薄膜コイル形
成側の基体上に絶縁保護膜を介して形成されている磁気
ヘッドに係る。The present invention has a pair of bases facing each other, and a thin film coil is formed on at least one of the bases, and the thin film coil is insulated and protected on the base on which the thin film coil is formed. The present invention relates to a magnetic head formed via a film.
【0009】上記基体とは、表面層(例えばガラスから
なる表面層)を有する基体にあっては、この表面層を含
めた基体を意味するものである。In the case of a substrate having a surface layer (for example, a surface layer made of glass), the above-mentioned substrate means a substrate including this surface layer.
【0010】本発明において、絶縁保護膜が、1〜500n
m の厚さで形成されていることが好ましい。In the present invention, the insulating protective film has a thickness of 1 to 500 n.
It is preferably formed with a thickness of m 3.
【0011】また、本発明において、絶縁保護膜が、化
学的に安定な酸化物からなることが好ましい。Further, in the present invention, it is preferable that the insulating protective film is made of a chemically stable oxide.
【0012】上記酸化物からなる絶縁保護膜は、Al2
O3 、SiO2 又はTa2 O5 で構成することができ
る。The insulating protective film made of the above oxide is Al 2
It can be composed of O 3 , SiO 2 or Ta 2 O 5 .
【0013】また、本発明において、絶縁保護膜が、化
学的に安定な窒化物からなることが好ましい。Further, in the present invention, the insulating protective film is preferably made of a chemically stable nitride.
【0014】上記窒化物からなる絶縁保護膜は、窒化珪
素で構成することができる。The insulating protective film made of the nitride can be made of silicon nitride.
【0015】また、本発明において、絶縁保護膜が、化
学的に安定な有機物からなることが好ましい。In the present invention, the insulating protective film is preferably made of a chemically stable organic material.
【0016】上記有機物からなる絶縁保護は、フォトレ
ジスト材で構成することができる。The insulation protection made of the above organic material can be made of a photoresist material.
【0017】また、本発明において、薄膜コイルが、基
体に設けられた窪み内に形成されていることが薄膜コイ
ルの短絡防止の上で好ましい。Further, in the present invention, it is preferable that the thin film coil is formed in a recess provided in the base body in order to prevent short circuit of the thin film coil.
【0018】更に本発明において、薄膜コイルが一対の
基体の双方に形成され、これら薄膜コイル同士が電気的
に接続して1個のコイルが構成されることが好ましい。Further, in the present invention, it is preferable that the thin film coils are formed on both of the pair of bases, and the thin film coils are electrically connected to each other to form one coil.
【0019】本発明はまた、上記磁気ヘッドを製造する
に際し、基体上に絶縁保護膜を形成する工程と、この絶
縁保護膜上に形成した導電膜のパターニングを経て薄膜
コイルを形成する工程とを有する、磁気ヘッドの製造方
法に係る。The present invention also includes a step of forming an insulating protective film on the substrate and a step of forming a thin film coil through patterning of the conductive film formed on the insulating protective film when manufacturing the magnetic head. The present invention relates to a method of manufacturing a magnetic head.
【0020】本発明において、絶縁保護膜上に第一の導
電膜を形成し、この第一の導電膜上に第二の導電膜を電
気めっき等により所定パターンに形成し、然る後にこの
第二の導電膜をマスクにして前記第一の導電膜を所定パ
ターンにパターニングして薄膜コイルを形成するのが、
パターニングを容易にする上で好ましい。In the present invention, the first conductive film is formed on the insulating protective film, the second conductive film is formed on the first conductive film in a predetermined pattern by electroplating or the like, and then the first conductive film is formed. Patterning the first conductive film into a predetermined pattern using the second conductive film as a mask forms a thin film coil.
It is preferable for facilitating patterning.
【0021】本発明において、絶縁保護膜を1〜500nm
の厚さに形成するのが好ましい。In the present invention, the insulating protective film has a thickness of 1 to 500 nm.
Is preferably formed to a thickness of.
【0022】また、本発明において、絶縁保護膜の材料
として、化学的に安定な酸化物を用いるのが好ましい。In the present invention, it is preferable to use a chemically stable oxide as the material of the insulating protective film.
【0023】上記酸化物からなる絶縁保護膜の材料とし
て、Al2 O3 、SiO2 又はTa2 O5 を用いること
ができる。Al 2 O 3 , SiO 2 or Ta 2 O 5 can be used as the material of the insulating protective film made of the above oxide.
【0024】また本発明において、絶縁保護膜の材料と
して、化学的に安定な窒化物を用いるのが好ましい。In the present invention, it is preferable to use a chemically stable nitride as the material of the insulating protective film.
【0025】上記窒化物からなる絶縁保護膜の材料とし
て、窒化珪素を用いることができる。Silicon nitride can be used as a material for the insulating protective film made of the above nitride.
【0026】また、本発明において、絶縁保護膜の材料
として、化学的に安定な有機物を用いるのが好ましい。In the present invention, it is preferable to use a chemically stable organic material as the material of the insulating protective film.
【0027】上記有機物からなる絶縁保護膜の材料とし
て、フォトレジスト材を用いることができる。A photoresist material can be used as a material for the insulating protective film made of the above organic material.
【0028】また、本発明において、基体に窪みを設
け、この窪み内に絶縁保護膜を形成することが、この絶
縁保護膜上の薄膜コイルの短絡防止の上で好ましい。Further, in the present invention, it is preferable to provide a recess in the substrate and form an insulating protective film in the recess in order to prevent short circuit of the thin film coil on the insulating protective film.
【0029】更に本発明において、一対の基体の双方に
薄膜コイルを形成し、前記一対の基体を接合し、前記薄
膜コイル同士を電気的に接続させて1個のコイルを構成
させることが好ましい。Further, in the present invention, it is preferable that a thin film coil is formed on both of the pair of bases, the pair of bases is joined, and the thin film coils are electrically connected to each other to form one coil.
【0030】[0030]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.
【0031】この例による磁気ヘッドは、一対の基板の
夫々に、薄膜形成手法によって渦巻き状にコイルパター
ンを形成してなる一対のヘッド半体を貼り合わせて構成
される。図2はこれらヘッド半体の拡大平面図、図1
(a)は図2のIa −Ia 線断面図、図1(b)は図2
のIb −Ib 線断面図である。矢印で示すように、一方
のヘッド半体9に、略同様の形状を呈する他方のヘッド
半体39が貼り合わされ、磁気ヘッドが構成される。The magnetic head according to this example is constructed by bonding a pair of head halves each having a spiral coil pattern formed by a thin film forming method to each of a pair of substrates. 2 is an enlarged plan view of these head halves, FIG.
2A is a sectional view taken along the line Ia- Ia of FIG. 2, and FIG.
It is I b -I b line cross-sectional view of. As indicated by the arrow, the other head half body 39 having substantially the same shape is attached to one head half body 9 to form a magnetic head.
【0032】ヘッド半体9は、次のように構成されてい
る。セラミックスの基体1上のガラス4の表面に窪み10
が設けられ、窪み10の底面に薄膜形成手法によってコイ
ルパターン11が形成されている。コイルパターン11の内
側先端部11aの近傍には窪みを設けていない部分が在
り、この部分に金属磁性膜3のバックギャップ3bとな
る部分がガラス4上に露呈している。金属磁性膜3は、
バックギャップ3bとなる部分から基板の一方の端面側
に亘ってガラス4に埋設され、基体のこの端面側がフロ
ントギャップ3aとなる部分になる。The head half body 9 is constructed as follows. Dimples 10 on the surface of the glass 4 on the ceramic substrate 1
And the coil pattern 11 is formed on the bottom surface of the depression 10 by a thin film forming method. In the vicinity of the inner tip portion 11a of the coil pattern 11, there is a recessed portion, and a portion which will be the back gap 3b of the metal magnetic film 3 is exposed on the glass 4 in this portion. The metal magnetic film 3 is
The back gap 3b is embedded in the glass 4 from one end face side of the substrate to the one end face side, and this end face side of the base body becomes the front gap 3a.
【0033】コイルパターン11の外側先端部には基板1
の他方の端面側に至る一方の端子部12が延設され、コイ
ルパターン11とは離間した他方の端子部13が端子部12と
平行に設けられている。金属磁性膜3は、後述する基板
に設けられた溝の傾斜面上に形成される。The substrate 1 is provided on the outer tip of the coil pattern 11.
One terminal portion 12 extending to the other end surface side of the other is provided, and the other terminal portion 13 separated from the coil pattern 11 is provided in parallel with the terminal portion 12. The metal magnetic film 3 is formed on the inclined surface of the groove provided on the substrate described later.
【0034】窪み10の外側ガラス上には金の膜14が、金
属磁性膜3のバックギャップ部分3b上には金の膜15
が、コイルパターン11の内側先端部11a上には金の膜16
が、コイルパターン11の端子部12との接続部分上には金
の膜17が、端子部13の内側先端部上には金の膜18が夫々
被着している。そして、窪み10内で、コイルパターン11
の隙間には絶縁材23が充填されている。A gold film 14 is formed on the outer glass of the recess 10 and a gold film 15 is formed on the back gap portion 3b of the metal magnetic film 3.
However, a gold film 16 is formed on the inner end 11a of the coil pattern 11.
However, a gold film 17 is deposited on the connection portion of the coil pattern 11 with the terminal portion 12, and a gold film 18 is deposited on the inner end portion of the terminal portion 13. Then, in the depression 10, the coil pattern 11
The gap 23 is filled with the insulating material 23.
【0035】ヘッド半体39は、ヘッド半体9の端子部1
2、13に替えて、端子部12、13に接続させるための接続
部42、43(端子部12、13より短い)が設けられており、
ヘッド半体9よりも短くなっている。ヘッド半体39のそ
の他は、ヘッド半体9と同じ構造としてある。なお、ヘ
ッド半体39を構成する各部分には、ヘッド半体9のこれ
らと対応する部分の符号に「30」をプラスした符号を付
して表してある。The head half 39 is the terminal portion 1 of the head half 9.
In place of 2, 13, connecting portions 42, 43 (shorter than the terminal portions 12, 13) for connecting to the terminal portions 12, 13 are provided,
It is shorter than the head half 9. The other structure of the head half body 39 is the same as that of the head half body 9. It should be noted that the respective parts constituting the head half body 39 are represented by adding reference numerals of "30" to the reference numerals of the parts of the head half body 9 corresponding thereto.
【0036】図1、図2から解るように、ヘッド半体
9、39を貼り合わせると、金属磁性膜3、33が閉磁路を
形成し、金の膜14、44によってフロントギャップが、金
の膜15、45によってバックギャップが夫々形成される。
そして、金の膜16、46を介してコイルパターン11、41が
接続し、1個のコイルを構成する。As can be seen from FIGS. 1 and 2, when the head halves 9 and 39 are bonded together, the metal magnetic films 3 and 33 form a closed magnetic circuit, and the gold films 14 and 44 cause the front gap to be A back gap is formed by the films 15 and 45, respectively.
Then, the coil patterns 11 and 41 are connected through the gold films 16 and 46 to form one coil.
【0037】かくして、端子部12から入力された電流
は、コイルパターン11、金の膜16、46、コイルパターン
41、接続部42の金の膜47を順次経由し、端子部13へと流
れる。また、この逆方向に流れる。金の膜17、48は、コ
イルパターンの電気的接続に必要なものではないが、ヘ
ッド半体9、39の貼り合わせの際にがたつきを防止する
のに役立つ。Thus, the current input from the terminal portion 12 is applied to the coil pattern 11, the gold films 16 and 46, the coil pattern.
41 and the gold film 47 of the connecting portion 42 in order and flow to the terminal portion 13. Also, it flows in the opposite direction. The gold films 17 and 48 are not necessary for the electrical connection of the coil pattern, but they help prevent rattling when the head halves 9 and 39 are bonded together.
【0038】窪み10、40を設けてその底面上にコイルパ
ターン11、41を形成することにより、コイルパターンの
接続部11a、41a以外の領域は、金の膜によって形成さ
れる磁気ギャップの寸法だけ離れて互いに接触せず、短
絡を起こすことがなくなる。また、この短絡防止が容易
になされる。By providing the depressions 10 and 40 and forming the coil patterns 11 and 41 on the bottom surfaces thereof, the area of the coil pattern other than the connecting portions 11a and 41a is equal to the size of the magnetic gap formed by the gold film. They do not come into contact with each other apart and no short circuit occurs. Further, this short circuit is easily prevented.
【0039】この例において注目すべきことは、コイル
パターン形成に先立って、窪み10、40の底面上に絶縁保
護膜21、51を成膜し、その上にコイルパターン11、41を
形成していることである。絶縁保護膜21、51は、後述す
るコイルパターン形成のためのパターニングやコイルパ
ターンを構成する導電性の不要部分を化学エッチングに
よって除去する際、ガラス層4、34の表面の侵蝕を防止
し、コイルパターンの寸法精度等の性状の劣化を防止す
る役割を果たす。In this example, it should be noted that the insulating protective films 21 and 51 are formed on the bottom surfaces of the depressions 10 and 40 and the coil patterns 11 and 41 are formed thereon before the coil patterns are formed. It is that you are. The insulating protective films 21 and 51 prevent erosion of the surfaces of the glass layers 4 and 34 when patterning for forming a coil pattern, which will be described later, or a conductive unnecessary portion forming the coil pattern is removed by chemical etching. It plays a role of preventing deterioration of properties such as pattern dimensional accuracy.
【0040】次に、この例による磁気ヘッドの製造工程
について説明する。Next, the manufacturing process of the magnetic head according to this example will be described.
【0041】先ず、図3に示すように、平板状の基板1
を用意する。基板1は、フェライト等の磁性材料よりな
るものであっても良いが、例えばマルチチャンネル化し
たときのクロストークの防止を図るという点や、磁気ヘ
ッドのインピーダンスを下げるという点から、チタン酸
カリウム等の非磁性材料であることが好ましい。First, as shown in FIG. 3, a flat plate-shaped substrate 1
To prepare. The substrate 1 may be made of a magnetic material such as ferrite. For example, potassium titanate or the like is used in order to prevent crosstalk when a multichannel structure is used and to reduce the impedance of the magnetic head. It is preferable that the non-magnetic material of
【0042】勿論、前記チタン酸カリウムに限らず、各
種非磁性材料が使用可能であり、例示するならば、チタ
ン酸カルシウム、チタン酸バリウム、酸化ジルコニウム
(ジルコニア)、アルミナ、アルミナチタンカーバイ
ド、SiO2 、MnO−NiO混合焼結材、Znフェラ
イト、結晶化ガラス、高硬度ガラス等が挙げられる。Of course, not only the above-mentioned potassium titanate but also various non-magnetic materials can be used. For example, calcium titanate, barium titanate, zirconium oxide (zirconia), alumina, alumina titanium carbide, SiO 2 can be used. , MnO-NiO mixed sintered material, Zn ferrite, crystallized glass, high hardness glass and the like.
【0043】次に、図4に示すように、基板1の主面1
a上に対して第一の溝加工を施す。この溝加工は、後の
工程で成膜される金属磁性膜が基板1の磁気ギャップ形
成面である主面1aに対して斜めに成膜されるように設
けられるものである。従って、各第一の溝2は、所定の
傾斜面2aを以てデプス方向に平行に形成される。Next, as shown in FIG. 4, the main surface 1 of the substrate 1 is
The first groove processing is performed on a. This groove processing is provided such that a metal magnetic film formed in a later step is formed obliquely with respect to the main surface 1a which is the magnetic gap forming surface of the substrate 1. Therefore, each first groove 2 is formed parallel to the depth direction with a predetermined inclined surface 2a.
【0044】前述の溝加工を施した後、図5に示すよう
に、金属磁性膜3を溝2内(特に前記傾斜面2a上)を
含めて基板1の主面1a上全面に成膜する。金属磁性膜
3の成膜方法としては、真空蒸着やスパッタリング等、
各種薄膜形成プロセスが採用可能である。After performing the above-described groove processing, as shown in FIG. 5, a metal magnetic film 3 is formed on the entire main surface 1a of the substrate 1 including the inside of the groove 2 (particularly on the inclined surface 2a). . The method for forming the metal magnetic film 3 includes vacuum deposition, sputtering, and the like.
Various thin film forming processes can be adopted.
【0045】また、金属磁性膜3の材質としては、高飽
和磁束密度を有し、良好な軟磁気特性を有するものであ
れば如何なるものであっても良く、例えば、Fe−Al
−Si系合金(特にセンダスト)、Fe−Al系合金、
Fe−Si−Co系合金、Fe−Ga−Si系合金、F
e−Ga−Si−Ru系合金、Fe−Al−Ga系合
金、Fe−Ga−Ge系合金、Fe−Si−Ge系合
金、Fe−Co−Si−Al系合金、Fe−Ni系合金
等の結晶質合金等が挙げられる。The metal magnetic film 3 may be made of any material as long as it has a high saturation magnetic flux density and good soft magnetic characteristics, for example, Fe-Al.
-Si based alloy (especially sendust), Fe-Al based alloy,
Fe-Si-Co based alloy, Fe-Ga-Si based alloy, F
e-Ga-Si-Ru alloy, Fe-Al-Ga alloy, Fe-Ga-Ge alloy, Fe-Si-Ge alloy, Fe-Co-Si-Al alloy, Fe-Ni alloy, etc. And the crystalline alloys thereof.
【0046】或いは、Fe、Co、Niのうちの1以上
の元素とP、C、B、Siのうちの1以上の元素とから
なる合金、またはこれを主成分としAl、Ge、Be、
Sn、In、Mo、W、Ti、Mn、Cr、Zr、H
f、Nb等を含んだ合金等に代表されるメタル−メタロ
イド系アモルファス合金や、Co、Hf、Zr等の遷移
金属と希土類元素を主成分とするメタル−メタル系アモ
ルファス合金等の非晶質合金も使用可能である。Alternatively, an alloy composed of one or more elements of Fe, Co, and Ni and one or more elements of P, C, B, or Si, or containing Al, Ge, Be, or
Sn, In, Mo, W, Ti, Mn, Cr, Zr, H
Amorphous alloys such as metal-metalloid amorphous alloys represented by alloys containing f, Nb, etc., and metal-metal amorphous alloys containing transition metals such as Co, Hf, Zr and rare earth elements as main components. Can also be used.
【0047】次いで、図6に示すように、基板1に形成
された第一の溝2内にガラス4を充填し、表面を平坦化
した後、図7に示すように、第一の溝2とは直交する方
向に第二の溝5及び第三の溝6を切削加工によって設け
る。Next, as shown in FIG. 6, the glass 4 is filled in the first groove 2 formed in the substrate 1 to flatten the surface, and then the first groove 2 is formed as shown in FIG. The second groove 5 and the third groove 6 are provided by cutting in a direction orthogonal to.
【0048】第二の溝5は、いわば通常のバルク型の磁
気ヘッドの巻線溝に相当するものであって、先に成膜し
た金属磁性膜3のフロントデプス及びバックデプスを規
定し、金属磁性膜3によって構成される磁路を閉ループ
とするために形成されるものである。他方、第三の溝6
は、最終的に磁気ヘッドを組み立てたときに不要となる
金属磁性膜3を除去するために設けられるものである。The second groove 5 corresponds to, so to speak, a winding groove of a normal bulk type magnetic head, and defines the front depth and the back depth of the metal magnetic film 3 previously formed. The magnetic path formed by the magnetic film 3 is formed so as to form a closed loop. On the other hand, the third groove 6
Is provided in order to remove the metal magnetic film 3 which becomes unnecessary when the magnetic head is finally assembled.
【0049】次に、図8に示すように、第二の溝5及び
第三の溝6に再びガラス4を充填して、主面1aに対し
て平坦化加工を施す。Next, as shown in FIG. 8, the second groove 5 and the third groove 6 are filled with the glass 4 again, and the main surface 1a is flattened.
【0050】次に、図9に示すように、第一の溝2と平
行に第四の溝7及び第五の溝8を切削加工によって設け
る。ここで、第四の溝7は、溝傾斜面2a上に成膜され
た金属磁性膜3の一端縁と接するように形成され、金属
磁性膜3の突き合わせ幅、即ちトラック幅を規制する。
また、第五の溝8は、第一の溝2内の金属磁性薄膜3の
うち、溝2の底面に存在する不要な金属磁性膜3を除去
するために設けられる。Next, as shown in FIG. 9, a fourth groove 7 and a fifth groove 8 are provided in parallel with the first groove 2 by cutting. Here, the fourth groove 7 is formed so as to be in contact with one end edge of the metal magnetic film 3 formed on the groove inclined surface 2a, and regulates the abutting width of the metal magnetic film 3, that is, the track width.
Further, the fifth groove 8 is provided for removing the unnecessary metal magnetic film 3 existing on the bottom surface of the groove 2 of the metal magnetic thin film 3 in the first groove 2.
【0051】次に、図10に示すように、再びガラス4を
第四の溝7及び第五の溝8内に充填し、表面を平坦化す
る。Next, as shown in FIG. 10, the glass 4 is filled in the fourth groove 7 and the fifth groove 8 again to flatten the surface.
【0052】以上の工程により、金属磁性膜3による磁
路部分が形成される。図11は、図10の個々の磁気ヘッド
に対応する部分(仮想線で示すXIの部分)を取り出して
拡大図示する(方向を変えてある)ものである。以下、
図11に示す領域内でのコイルの形成方法について説明す
る。Through the above steps, the magnetic path portion is formed by the metal magnetic film 3. FIG. 11 shows a portion (portion XI shown by a virtual line) corresponding to each magnetic head in FIG. 10 taken out and enlarged (the direction is changed). Less than,
A method of forming the coil in the area shown in FIG. 11 will be described.
【0053】図12は、図11と同様、個々の磁気ヘッドに
対応して基板1を部分的に拡大して示すものであり、図
12(a)は図11中の仮想線で示すXII の矩形領域をさら
に拡大して示す平面図、図12(b)は同図(a)の仮想
線位置での断面図である(以下の図面でも同様)。Similar to FIG. 11, FIG. 12 is a partially enlarged view of the substrate 1 corresponding to each magnetic head.
12 (a) is a plan view further enlarging a rectangular area of XII indicated by an imaginary line in FIG. 11, and FIG. 12 (b) is a sectional view taken along the imaginary line position in FIG. Also in the drawing).
【0054】図12(a)に示すように、磁気ギャップ形
成面には、金属磁性膜3が分断された形で臨んでおり、
中央に位置する部分がバックギャップ部3bであり、溝
5によりこのバックギャップ部から分断された部分がフ
ロントギャップ部3aである。いずれの部分も、図12
(b)に示すように、基板1上に斜めに成膜されてい
る。また、バックギャップ部3bの周囲には、各溝に充
填したガラス4が露呈している。As shown in FIG. 12A, the metal magnetic film 3 faces the magnetic gap forming surface in a divided form.
The portion located at the center is the back gap portion 3b, and the portion divided from the back gap portion by the groove 5 is the front gap portion 3a. Both parts are shown in Figure 12.
As shown in (b), the film is obliquely formed on the substrate 1. Further, the glass 4 filled in each groove is exposed around the back gap portion 3b.
【0055】そこで、先ず、図13に示すように、概ねコ
イルの外形形状に対応して、レジスト層61をフォトリソ
グラフ技術により形成する。Therefore, first, as shown in FIG. 13, a resist layer 61 is formed by a photolithographic technique so as to roughly correspond to the outer shape of the coil.
【0056】然る後、図14に示すように、イオンミリン
グの手法により選択的にエッチングを行い、コイルの外
形形状に対応する窪み10を形成した後、フォトレジスト
61を洗浄除去する。After that, as shown in FIG. 14, etching is selectively performed by a method of ion milling to form a recess 10 corresponding to the outer shape of the coil, and then a photoresist is used.
Wash away 61.
【0057】ここで、前記イオンミリングによるエッチ
ングが施されるのは、ガラス4であるため、下記表に示
すように窪み10は精度良く形成される。Here, since the glass to be etched by the ion milling is the glass 4, the recesses 10 are accurately formed as shown in the table below.
【0058】 [0058]
【0059】上記表から、コイル部分の窪み10を深く精
度良く形成するには、ガラスを使用するのが良いことが
解る。From the above table, it is understood that glass is preferably used in order to form the recess 10 in the coil portion deeply and accurately.
【0060】なお、窪み10を形成する手法としては、前
記イオンミリングの他、化学エッチング法、反応性イオ
ンエッチング、パウダビームエッチング等が挙げられ
る。これらの手法は、被エッチング部の原子を物理的、
化学的に剥離するもので、被エッチング部が多結晶であ
る場合には、結晶粒の違いによって剥離速度が異なり、
平坦に窪み10を形成するのは難しいが、ガラス等の非晶
質であれば、平坦な窪み10を形成することができる。機
械的な加工では、必要な部分だけに空間(窪み)を形成
するのは難しい。As a method of forming the depression 10, besides the above-mentioned ion milling, a chemical etching method, a reactive ion etching, a powder beam etching and the like can be mentioned. These methods physically remove the atoms in the etched area,
It is chemically peeled off, and when the etched part is polycrystalline, the peeling speed differs due to the difference in crystal grains,
Although it is difficult to form the flat depressions 10, if the material is amorphous such as glass, the flat depressions 10 can be formed. It is difficult to form a space (recess) only in a necessary portion by mechanical processing.
【0061】次に、図15に示すように、ガラス層4上に
アルミナ膜(絶縁保護膜)21をスパッタリングによって
0.2μm厚に全面に成膜し、次いでその上に、コイルパ
ターンを構成する銅めっき層の下地となる下地膜20をス
パッタリングによって全面に成膜する。下地膜20は、下
からクロム膜(0.01μm厚)、銅膜(0.2μm厚)の順に
積層されたものであるが、これら層構成は図示省略して
ある。Next, as shown in FIG. 15, an alumina film (insulating protection film) 21 is sputtered on the glass layer 4.
A film having a thickness of 0.2 μm is formed on the entire surface, and then a base film 20 serving as a base of the copper plating layer forming the coil pattern is formed on the entire surface by sputtering. The base film 20 is formed by stacking a chromium film (0.01 μm thick) and a copper film (0.2 μm thick) in this order from the bottom, but these layer configurations are not shown.
【0062】次に、フォトレジストを塗布し、形成しよ
うとするコイルパターンに応じてこれを図16に示すよう
にパターニングする。図中、62はパターニングされたフ
ォトレジストである。Next, photoresist is applied and patterned according to the coil pattern to be formed as shown in FIG. In the figure, 62 is a patterned photoresist.
【0063】次に、フォトレジスト62をマスクにして銅
めっきを施し、図17に示すように厚さ約 3.5μmの銅め
っき層19を形成し、次いで図18に示すようにフォトレジ
スト62を洗浄除去する。Next, copper plating is performed using the photoresist 62 as a mask to form a copper plating layer 19 having a thickness of about 3.5 μm as shown in FIG. 17, and then the photoresist 62 is washed as shown in FIG. Remove.
【0064】次に、図19に示すように、銅めっき層19が
存在しない部分の下地膜20をイオンミリングによって除
去し、コイルパターン11を形成する。このとき、銅めっ
き層19がマスクになると共に、絶縁保護膜21がガラス層
4を保護してその侵蝕を防止する。Next, as shown in FIG. 19, the underlying film 20 where the copper plating layer 19 is not present is removed by ion milling to form the coil pattern 11. At this time, the copper plating layer 19 serves as a mask, and the insulating protective film 21 protects the glass layer 4 to prevent its corrosion.
【0065】次に、図20に示すように、フォトレジスト
63を塗布し、エッチングしない領域を残すようにこれを
パターニングする。Next, as shown in FIG.
Apply 63 and pattern it to leave unetched areas.
【0066】次に、塩化第二鉄溶液に浸漬し、図21に示
すように不要な銅を化学エッチングにより除去し、銅め
っき層19及び下地膜20からなるコイルパターン11を残
す。銅の不要部分の除去は、化学的エッチングのほか、
イオンミリング、反応性イオンエッチング、パウダビー
ムエッチング等によることもできる。この工程で、絶縁
保護膜21がガラス層4を保護してエッチング液による侵
蝕を防いでいる。Next, it is immersed in a ferric chloride solution, and unnecessary copper is removed by chemical etching, as shown in FIG. 21, to leave the coil pattern 11 consisting of the copper plating layer 19 and the base film 20. The unnecessary parts of copper are removed by chemical etching,
Ion milling, reactive ion etching, powder beam etching or the like can also be used. In this step, the insulating protective film 21 protects the glass layer 4 and prevents corrosion by the etching solution.
【0067】次に、絶縁材を塗布し、図22に示すよう
に、これを窪み10内に残すようにパターニングして絶縁
材23によってコイルパターン11を保護する。絶縁材とし
ては、この例にあっては、フォトレジストを使用し、 2
00〜400 ℃に加熱して硬化させ、これを絶縁材23として
いる。Next, an insulating material is applied, and as shown in FIG. 22, the insulating material 23 is patterned so as to leave the insulating material in the depressions 10 to protect the coil pattern 11. As the insulating material, photoresist is used in this example.
It is heated to 00 to 400 ° C. and cured, and this is used as the insulating material 23.
【0068】次に、表面平坦化の研磨仕上げを施し、図
23に示すように、コイルパターン11の銅めっき層19を露
呈させる。Next, a polishing finish for surface flattening is applied, and
As shown in 23, the copper plating layer 19 of the coil pattern 11 is exposed.
【0069】次に、図24に示すように、磁気ギャップ形
成用の非磁性膜74をギャップ長の半分の厚さになるよう
にスパッタリングによって成膜する。非磁性膜74は、チ
タン、金の順に合計 0.1μmの厚さに成膜する。Next, as shown in FIG. 24, a nonmagnetic film 74 for forming a magnetic gap is formed by sputtering so as to have a thickness half the gap length. The non-magnetic film 74 is formed in the order of titanium and gold to a total thickness of 0.1 μm.
【0070】次に、非磁性膜74上にフォトレジストを塗
布し、図25に示すように、コイルパターンの内側先端部
11a上、磁性膜3のバックギャップ部3b上及び窪み10
の外側領域(フロントギャップ形成用の領域)にフォト
レジスト65を残すようにパターニングする。Next, a photoresist is applied on the non-magnetic film 74, and as shown in FIG. 25, the inner tip portion of the coil pattern is formed.
11a, the back gap 3b of the magnetic film 3 and the recess 10
Patterning so that the photoresist 65 is left in the outer region (region for forming the front gap).
【0071】次に、フォトレジスト65をマスクにしてイ
オンミリングを行い、金の膜(非磁性膜)の不要部分を
除去する。かくして、図26に示すように、窪み10の外側
の領域(フロントギャップ形成領域を含む)に金の膜14
が、バックギャップ形成部分に金の膜15が、コイルパタ
ーン11の内側先端部11aに金の膜16が、端子部12上の一
部に金の膜17が、端子部13上の一部に金の膜18が夫々残
存する。Next, ion milling is performed using the photoresist 65 as a mask to remove unnecessary portions of the gold film (nonmagnetic film). Thus, as shown in FIG. 26, the gold film 14 is formed in the region outside the depression 10 (including the front gap forming region).
However, the gold film 15 is formed on the back gap forming portion, the gold film 16 is formed on the inner tip portion 11a of the coil pattern 11, the gold film 17 is formed on part of the terminal portion 12, and the gold film 17 is formed on part of the terminal portion 13. Each gold film 18 remains.
【0072】次に、図27に示すように、以上のようにし
て作製されたヘッド半体9及び同様のプロセスを経て作
製されたヘッド半体39を、夫々A−A線、B−B線及び
C−C線、D−D線で示す位置で切断する。この切断に
当たっては、先に図2で説明したように、ヘッド半体39
の接続部42、43がヘッド半体9の端子部12、13よりも短
くなるように切断する。Next, as shown in FIG. 27, the head halves 9 manufactured as described above and the head halves 39 manufactured through the same process are taken along the lines AA and BB, respectively. And cut at the positions indicated by lines C-C and D-D. At the time of this cutting, as described above with reference to FIG.
The connecting portions 42 and 43 are cut so as to be shorter than the terminal portions 12 and 13 of the head half body 9.
【0073】次に、図27で所定寸法に切断されたヘッド
半体9、39を図28に示すように貼り合わせて図29に示す
磁気ヘッド素材とする。図29(a)は磁気ヘッド素材の
斜視図、同図(b)は同コイルパターン内側先端部を通
る断面図である。上記貼り合わせは、先に説明したよう
に、 200〜400 ℃での加熱圧着による。Next, the head halves 9 and 39 cut into a predetermined size in FIG. 27 are bonded as shown in FIG. 28 to obtain the magnetic head material shown in FIG. FIG. 29 (a) is a perspective view of the magnetic head material, and FIG. 29 (b) is a sectional view passing through the inner end of the coil pattern. The above-mentioned bonding is performed by thermocompression bonding at 200 to 400 ° C., as described above.
【0074】次に、磁気ヘッド素材の不要な両側縁部を
切断、除去し、図30に示す磁気ヘッドとする。Next, unnecessary side edges of the magnetic head material are cut and removed to obtain the magnetic head shown in FIG.
【0075】なお、図12〜図29による説明では、1個の
ヘッド半体について説明したが、実際には、図10に示し
たような多数のヘッド半体の集合体としての板状素材に
ついて前述の加工を施し、最後に個々のヘッド半体素材
を切断によって採取する。In the description with reference to FIGS. 12 to 29, one head half is explained, but in reality, a plate-shaped material as an assembly of many head halves as shown in FIG. The above-mentioned processing is performed, and finally, individual head half materials are collected by cutting.
【0076】以上説明したように、この例による磁気ヘ
ッドは、前述したようにガラス層上に絶縁保護膜を成膜
し、その上にコイルパターンを形成しているので、コイ
ルパターンのパターニングやコイルパターンを構成する
導電材の不要部分のエッチング除去の際、基体のガラス
層の侵蝕が防止される。その結果、コイルパターンは高
い寸法精度が保証され、更に上記の際のエッチング速度
のシビヤな管理が不要となり、高い生産性と共に高い信
頼性が保証される。As described above, in the magnetic head according to this example, since the insulating protective film is formed on the glass layer and the coil pattern is formed thereon as described above, patterning of the coil pattern and the coil pattern are performed. When the unnecessary portion of the conductive material forming the pattern is removed by etching, the glass layer of the substrate is prevented from being corroded. As a result, the coil pattern is assured of high dimensional accuracy, and the etching rate in the above case is not required to be strictly controlled, so that high productivity and high reliability are assured.
【0077】また、この磁気ヘッドにおいては、コイル
パターンの形状に応じた形状の窪みがバックギャップの
周囲に形成され、この窪み内にコイルパターンが形成さ
れているので、磁気記録媒体摺動面に不要な開口部
(孔)が形成されることがなく、ガラスを充填する必要
がない。従って、ガラスの充填による薄膜コイルパター
ンの断線や短絡等が解消される。Further, in this magnetic head, a recess having a shape corresponding to the shape of the coil pattern is formed around the back gap, and the coil pattern is formed in this recess, so that the sliding surface on the magnetic recording medium is formed. No unnecessary openings (holes) are formed and there is no need to fill the glass. Therefore, the disconnection or short circuit of the thin film coil pattern due to the filling of glass is eliminated.
【0078】また、この磁気ヘッドの製造プロセスにお
いては、予めイオンミリングによって形成した窪み内に
コイルパターンを形成した後、突き合わせ面(即ち磁気
ギャップ形成面)を平坦化しているので、ギャップ精度
が充分に確保される。Further, in the manufacturing process of this magnetic head, since the abutting surface (that is, the magnetic gap forming surface) is flattened after forming the coil pattern in the recess previously formed by ion milling, the gap accuracy is sufficient. Secured in.
【0079】絶縁材としては、フォトレジストのほか、
ガラス、アルミナやシリカ等の酸化物又は窒化珪素等の
窒化物のような安定な絶縁材料が使用できる。これらの
場合、スパッタリングによって厚さ6〜8μmに成膜
し、次いで表面を平坦化する。As the insulating material, in addition to photoresist,
Stable insulating materials such as glass, oxides such as alumina and silica, or nitrides such as silicon nitride can be used. In these cases, a film having a thickness of 6 to 8 μm is formed by sputtering, and then the surface is flattened.
【0080】上記の例における絶縁保護膜21の材料とし
て、アルミナに替えてSiO2 、Ta2 O5 、Si3 N
4 、絶縁材23と同様の熱硬化したフォトレジスト材(い
ずれも化学的に安定な酸化物、窒化物又は有機物)を使
用したところ、上記の例におけると同様の効果が奏せら
れた。As the material of the insulating protective film 21 in the above example, SiO 2 , Ta 2 O 5 , Si 3 N were used instead of alumina.
4. When the same thermosetting photoresist material as the insulating material 23 (each of which is a chemically stable oxide, nitride or organic material) was used, the same effect as in the above example was obtained.
【0081】比較のため、絶縁保護膜21を設けないで次
のような実験を行った。即ち、ガラス層4に窪み10を設
けた基体(図14に示した基体)を塩化第二鉄溶液に約10
分間浸漬し、ガラス層4が侵蝕されたか否かを調べた。For comparison, the following experiment was conducted without providing the insulating protective film 21. That is, the substrate (the substrate shown in FIG. 14) in which the glass layer 4 has the depression 10 is applied to the ferric chloride solution by about 10 times.
After immersion for a minute, it was examined whether or not the glass layer 4 was eroded.
【0082】上記時間経過した時点で、基体を塩化第二
鉄溶液から取り出し、水洗後、磁性膜3付近を特に注目
して顕微鏡で観察したところ、ガラス層4が部分的に侵
蝕されていた。また、基体を塩化第二鉄溶液に浸漬した
直後から、ガラス部分の表面が白濁するのが観察され
た。これは、ガラスが塩化第二鉄と反応して変質した為
である。After the lapse of the above time, the substrate was taken out from the ferric chloride solution, washed with water, and observed under a microscope with special attention paid to the vicinity of the magnetic film 3. As a result, the glass layer 4 was partially eroded. Immediately after immersing the substrate in the ferric chloride solution, it was observed that the surface of the glass portion became cloudy. This is because the glass reacted with ferric chloride and was altered.
【0083】これに対し、絶縁保護膜21を設けた前記実
施例による基体では、塩化第二鉄溶液に約10時間浸漬し
ても、変化が全く認められなかった。以上の結果から、
絶縁保護膜がエッチングされず、エッチング停止層とし
て機能していることが明らかである。On the other hand, in the substrate according to the above-mentioned embodiment provided with the insulating protective film 21, no change was observed even after soaking in the ferric chloride solution for about 10 hours. From the above results,
It is clear that the insulating protective film is not etched and functions as an etching stop layer.
【0084】前記の実施例は、一対の基体の双方に、薄
膜によるコイルパターンを形成しているが、一方の基体
にのみコイルパターンを設け、他方の基体に配線を設け
ることができる。即ち、コイルパターンの内側先端部と
この基体に設けられた端子部(基体上ではコイルパター
ンと接続していない方の端子部)とを他方の基体に設け
られた配線によって電気的に接続する。In the above-mentioned embodiment, the coil pattern made of the thin film is formed on both of the pair of substrates, but the coil pattern can be provided only on one substrate and the wiring can be provided on the other substrate. That is, the inner tip portion of the coil pattern and the terminal portion provided on the base body (the terminal portion on the base body that is not connected to the coil pattern) are electrically connected by the wiring provided on the other base body.
【0085】図31はこのようにしたヘッド半体を示す図
2と同様の平面図、図32は両ヘッド半体を貼り合わせた
後の図31のE−E線に沿う拡大断面図である。FIG. 31 is a plan view similar to FIG. 2 showing the head half thus constructed, and FIG. 32 is an enlarged sectional view taken along the line EE of FIG. 31 after the two head halves are bonded together. .
【0086】この例では、一方のヘッド半体には前記実
施例に使用したヘッド半体9を使用し、他方のヘッド半
体には符号「101 」で示すヘッド半体を使用している。In this example, one head half is the head half 9 used in the above embodiment, and the other head half is the head half indicated by reference numeral "101".
【0087】ヘッド半体101 にはガラス層102 の窪み10
3 内の絶縁保護膜121 上に電気めっきによりL字形の銅
配線104 を設け、金の膜105 、106 によってヘッド半体
9の金の膜16、18に接続させ、銅配線104 を介してコイ
ルパターン11の内側先端部11aを端子部13に接続させて
いる。図中、107 は金の膜14と共に磁気ギャップを形成
する金の膜、108 は絶縁材、120 は銅の配線104 の下地
膜、121 は絶縁保護膜である。In the head half 101, the recess 10 of the glass layer 102 is formed.
An L-shaped copper wiring 104 is provided by electroplating on the insulating protective film 121 in 3 and is connected to the gold films 16 and 18 of the head half body 9 by the gold films 105 and 106, and a coil is formed through the copper wiring 104. The inner tip portion 11 a of the pattern 11 is connected to the terminal portion 13. In the figure, 107 is a gold film that forms a magnetic gap together with the gold film 14, 108 is an insulating material, 120 is a base film of the copper wiring 104, and 121 is an insulating protective film.
【0088】図31、図32の例では、薄膜コイルのターン
数が少なくて良い場合に、一方のヘッド半体の構造が簡
単になるという利点がある。The examples of FIGS. 31 and 32 have the advantage that the structure of one of the head halves is simplified when the number of turns of the thin film coil is small.
【0089】以上、本発明の実施例を説明したが、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形を前記実施例に加え
ることができる。Although the embodiments of the present invention have been described above, various modifications can be added to the embodiments based on the technical idea of the present invention.
【0090】例えば、コイルパターンは、面状に成膜し
た導電性下地膜とその上の銅めっき層との両者を一緒に
パターニングして形成して良く、スパッタリング等で形
成した単層の銅の層をパターニングして形成することも
できる。また、下地膜20上にフォトレジストを塗布しこ
れをパターニングしておいて、例えば塩化第二鉄溶液を
用いての化学エッチングにより下地膜20をパターニング
し、下地膜20の残存している部分の上に銅めっき層19を
電気めっきによって形成することもできる。For example, the coil pattern may be formed by patterning both the conductive underlayer film formed in a planar shape and the copper plating layer thereon, and may be formed of a single layer of copper formed by sputtering or the like. It is also possible to form the layer by patterning. Further, a photoresist is applied on the underlayer film 20 and patterned, and then the underlayer film 20 is patterned by, for example, chemical etching using a ferric chloride solution to remove the remaining portion of the underlayer film 20. It is also possible to form the copper plating layer 19 thereon by electroplating.
【0091】上記いずれの方法でも、基体のガラス層4
は、絶縁保護膜21で被覆されているので、侵蝕されるこ
とがない。これらの方法では、前述したように、後の銅
めっき層の不要部分の除去(図21の工程)でも同様であ
るので、絶縁保護膜21を設けることによる効果は顕著で
ある。In any of the above methods, the glass layer 4 of the substrate is
Since is covered with the insulating protective film 21, it is not corroded. As described above, these methods are the same in the subsequent removal of unnecessary portions of the copper plating layer (step of FIG. 21), and therefore the effect of providing the insulating protective film 21 is remarkable.
【0092】また、ガラス層及びこのガラス層に設けた
窪みは、前述したメリットがあるので設けることが望ま
しいが、これらは、本発明に必須不可欠なものではな
く、省略が可能である。The glass layer and the depression provided in the glass layer are desirable because they have the above-mentioned merits, but these are not essential to the present invention and can be omitted.
【0093】更に、磁気ヘッドを構成する各部分の材
料、形状は、前記以外の適宜の材料、形状とすることが
できる。また、本発明は、VTR用磁気ヘッド以外に
も、オーディオ用その他の磁気ヘッドに適用可能であ
る。Further, the material and shape of each part constituting the magnetic head may be an appropriate material and shape other than the above. The present invention can be applied to other magnetic heads for audio as well as VTR magnetic heads.
【0094】[0094]
【発明の作用効果】本発明は、互いに対向する一対の基
体の少なくとも一方に、絶縁保護膜を介して薄膜コイル
が形成されているので、薄膜コイル形成の工程や薄膜コ
イル構成材料の不要部分を除去する工程で、絶縁保護膜
が基体を保護して基体の侵蝕を防止する。According to the present invention, since the thin film coil is formed on at least one of the pair of bases facing each other through the insulating protective film, the process of forming the thin film coil and the unnecessary portion of the thin film coil constituent material are eliminated. In the removing step, the insulating protective film protects the substrate and prevents the substrate from being corroded.
【0095】その結果、薄膜コイルは、基体侵蝕の影響
を受けることがなく、高精度に形成されて高品質が保証
されるのみならず、前記工程で加工(例えばドライエッ
チング又はウエットエッチング)の速度をシビヤに管理
する必要がなく、高い生産性を以て磁気ヘッドが製造さ
れる。As a result, the thin-film coil is not affected by the erosion of the substrate, is formed with high accuracy and guarantees high quality, and the speed of processing (for example, dry etching or wet etching) in the above process is not limited. The magnetic head can be manufactured with high productivity without the need to manage it.
【図1】実施例による一対のヘッド半体の断面構造を示
し、図1(a)は図2のIa −Ia 線断面図、図1
(b)は図2のIb −Ib 線断面図である。1 shows a cross-sectional structure of a pair of head halves according to an embodiment, FIG. 1 (a) is a cross-sectional view taken along line Ia- Ia of FIG.
(B) is I b -I b line cross-sectional view of FIG.
【図2】同一対のヘッド半体の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the same pair of head halves.
【図3】同ヘッド半体製造工程における基板の斜視図で
ある。FIG. 3 is a perspective view of a substrate in the same head half manufacturing process.
【図4】同基板への第一の溝加工工程を示す概略斜視図
である。FIG. 4 is a schematic perspective view showing a first groove processing step on the same substrate.
【図5】同金属磁性膜の成膜工程を示す概略斜視図であ
る。FIG. 5 is a schematic perspective view showing a film forming process of the metal magnetic film.
【図6】同ガラス充填工程を示す概略斜視図である。FIG. 6 is a schematic perspective view showing the glass filling step.
【図7】同基板への第二、第三の溝加工工程を示す概略
斜視図である。FIG. 7 is a schematic perspective view showing second and third groove processing steps on the same substrate.
【図8】同ガラス充填工程を示す概略斜視図である。FIG. 8 is a schematic perspective view showing the glass filling step.
【図9】同基板への第四、第五の溝加工工程を示す概略
斜視図である。FIG. 9 is a schematic perspective view showing fourth and fifth groove processing steps on the same substrate.
【図10】同ガラス充填及び平坦化工程を示す概略斜視図
である。FIG. 10 is a schematic perspective view showing the glass filling and flattening step.
【図11】同図10のXI部分(ヘッド半体素材)の拡大図で
ある。FIG. 11 is an enlarged view of a portion XI (head half body material) in FIG.
【図12】同図11のヘッド半体素材の平面図(同図
(a))及び断面図(同図(b))である。FIG. 12 is a plan view (FIG. 12A) and a cross-sectional view (FIG. 11B) of the head half body material of FIG.
【図13】同ガラス層上にフォトレジストを設けたヘッド
半体素材の平面図(同図(a))及び断面図(同図
(b))である。13A and 13B are a plan view (the same figure (a)) and a cross-sectional view (the same figure (b)) of a head half material in which a photoresist is provided on the glass layer.
【図14】同ガラス層に窪みを設けたヘッド半体素材の平
面図(同図(a))及び断面図(同図(b))である。14A and 14B are a plan view (the same figure (a)) and a cross-sectional view (the same figure (b)) of the head half material in which the glass layer is provided with a depression.
【図15】同絶縁保護膜及び銅めっき下地膜を設けたヘッ
ド半体素材の平面図(同図(a))及び断面図(同図
(b))である。15A and 15B are a plan view (the same figure (a)) and a cross-sectional view (the same figure (b)) of the head half body material provided with the same insulating protective film and the copper plating base film.
【図16】同下地膜上にフォトレジストを設けたヘッド半
体素材の平面図(同図(a))及び断面図(同図
(b))である。16A and 16B are a plan view (the same figure (a)) and a cross-sectional view (the same figure (b)) of a head half material in which a photoresist is provided on the underlying film.
【図17】同銅めっき層を設けたヘッド半体素材の平面図
(同図(a))及び断面図(同図(b))である。FIG. 17 is a plan view (FIG. (A)) and a cross-sectional view (FIG. (B)) of the head half body material provided with the copper plating layer.
【図18】同フォトレジストを除去したヘッド半体素材の
平面図(同図(a))及び断面図(同図(b))であ
る。FIG. 18 is a plan view (FIG. (A)) and a cross-sectional view (FIG. (B)) of the head half material from which the photoresist has been removed.
【図19】同銅めっき層の無い箇所の下地膜を除去してコ
イルパターンを形成したヘッド半体素材の平面図(同図
(a))及び断面図(同図(b))である。FIG. 19 is a plan view (FIG. (A)) and a cross-sectional view (FIG. (B)) of a head half body material in which a coil pattern is formed by removing a base film in a portion without the copper plating layer.
【図20】同銅めっき層の上にフォトレジストを設けたヘ
ッド半体素材の平面図(同図(a))及び断面図(同図
(b))である。FIG. 20 is a plan view (FIG. (A)) and a cross-sectional view (FIG. (B)) of a head half material in which a photoresist is provided on the copper plating layer.
【図21】同銅めっき層の不要部分を除去したヘッド半体
素材の平面図(同図(a))及び断面図(同図(b))
である。FIG. 21 is a plan view (FIG. (A)) and a sectional view (FIG. (B)) of the head half body material from which unnecessary portions of the copper plating layer are removed.
Is.
【図22】同窪み内に絶縁材を充填したヘッド半体素材の
平面図(同図(a))及び断面図(同図(b))であ
る。FIG. 22 is a plan view (FIG. (A)) and a cross-sectional view (FIG. (B)) of the head half body material in which the recess is filled with an insulating material.
【図23】同表面を平坦化したヘッド半体素材の平面図
(同図(a))及び断面図(同図(b))である。FIG. 23 is a plan view (FIG. (A)) and a cross-sectional view (FIG. (B)) of the head half body material whose surface is flattened.
【図24】同表面に金の膜を形成したヘッド半体素材の平
面図(同図(a))及び断面図(同図(b))である。FIG. 24 is a plan view (FIG. (A)) and a cross-sectional view (FIG. (B)) of a head half body material having a gold film formed on the same surface.
【図25】同金の膜上にフォトレジストを設けたヘッド半
体素材の平面図(同図(a))及び断面図(同図
(b))である。FIG. 25 is a plan view (FIG. (A)) and a cross-sectional view (FIG. (B)) of a head half material in which a photoresist is provided on the gold film.
【図26】同金の膜をパターニングしたヘッド半体素材の
平面図(同図(a))及び断面図(同図(b))であ
る。FIG. 26 is a plan view (FIG. (A)) and a cross-sectional view (FIG. (B)) of the head half body material in which the gold film is patterned.
【図27】同一対のヘッド半体素材の切断位置を示す斜視
図である。FIG. 27 is a perspective view showing cutting positions of the same pair of half head materials.
【図28】同一対のヘッド半体を貼り合わせる要領を示す
斜視図である。FIG. 28 is a perspective view showing how to bond the same pair of head halves together.
【図29】同互いに貼り合わされた一対のヘッド半体を示
し、同図(a)は斜視図、同図(b)は断面図である。29A and 29B show a pair of head halves that are bonded together, FIG. 29A being a perspective view and FIG. 29B being a sectional view.
【図30】同不要部分を切断除去してなる磁気ヘッドの斜
視図である。FIG. 30 is a perspective view of a magnetic head obtained by cutting and removing the unnecessary portion.
【図31】他の実施例による一対のヘッド半体の平面図で
ある。FIG. 31 is a plan view of a pair of head halves according to another embodiment.
【図32】同互いに貼り合わされた一対のヘッド半体の図
31のE−E線に沿う拡大断面図である。FIG. 32 is a diagram of a pair of head halves that are attached to each other.
It is an expanded sectional view which follows the EE line of 31.
1、31・・・基板 3、33・・・金属磁性膜 4、34・・・ガラス層 4a、34a・・・突起 4b、34b・・・傾斜面 9、39・・・ヘッド半体 10、40・・・窪み 10a、40a・・・窪みの底面 11、41・・・コイルパターン 11a、41a・・・コイルパターンの内側先端部 12、13・・・端子部 14、15、16、17、18、44、45、46、47、48・・・金の膜 19、49・・・銅めっき層 20、50、120 ・・・銅めっきの下地膜 21、51・・・絶縁保護膜 23、53、121 ・・・絶縁材 42、43・・・端子部との接続部 62、63、64、65・・・フォトレジスト 1, 31 ... Substrate 3, 33 ... Metal magnetic film 4, 34 ... Glass layer 4a, 34a ... Protrusions 4b, 34b ... Inclined surface 9, 39 ... Head half body 10, 40 ... Dimple 10a, 40a ... Bottom face of dimple 11, 41 ... Coil pattern 11a, 41a ... Inner end of coil pattern 12, 13 ... Terminal portion 14, 15, 16, 17, 18, 44, 45, 46, 47, 48 ... Gold film 19, 49 ... Copper plating layer 20, 50, 120 ... Copper plating base film 21, 51 ... Insulating protection film 23, 53, 121 ・ ・ ・ Insulating material 42, 43 ・ ・ ・ Connection part with terminal part 62, 63, 64, 65 ・ ・ ・ Photoresist
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 庄子 光治 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Koji Shoko 6-735 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation
Claims (21)
ら基体の少なくとも一方に薄膜コイルが形成され、この
薄膜コイルが、薄膜コイル形成側の基体上に絶縁保護膜
を介して形成されている磁気ヘッド。1. A pair of bases facing each other, a thin film coil is formed on at least one of the bases, and the thin film coil is formed on the base on the thin film coil formation side via an insulating protective film. Magnetic head.
されている、請求項1に記載された磁気ヘッド。2. The magnetic head according to claim 1, wherein the insulating protective film is formed with a thickness of 1 to 500 nm.
らなる、請求項1又は2に記載された磁気ヘッド。3. The magnetic head according to claim 1, wherein the insulating protective film is made of a chemically stable oxide.
はTa2 O5 からなる、請求項3に記載された磁気ヘッ
ド。4. The magnetic head according to claim 3 , wherein the insulating protective film is made of Al 2 O 3 , SiO 2 or Ta 2 O 5 .
らなる、請求項1又は2に記載された磁気ヘッド。5. The magnetic head according to claim 1, wherein the insulating protective film is made of a chemically stable nitride.
項5に記載された磁気ヘッド。6. The magnetic head according to claim 5, wherein the insulating protective film is made of silicon nitride.
らなる、請求項1又は2に記載された磁気ヘッド。7. The magnetic head according to claim 1, wherein the insulating protective film is made of a chemically stable organic material.
る、請求項7に記載された磁気ヘッド。8. The magnetic head according to claim 7, wherein the insulating protective film is made of a photoresist material.
に形成されている、請求項1〜8のいずれか1項に記載
された磁気ヘッド。9. The magnetic head according to claim 1, wherein the thin-film coil is formed in a recess provided in the base body.
れ、これら薄膜コイル同士が電気的に接続して1個のコ
イルが構成される、請求項1〜9のいずれか1項に記載
された磁気ヘッド。10. The thin film coil according to claim 1, wherein the thin film coil is formed on both of the pair of bases, and the thin film coils are electrically connected to each other to form one coil. Magnetic head.
するに際し、 基体上に絶縁保護膜を形成する工程と、 この絶縁保護膜上に形成した導電膜のパターニングを経
て薄膜コイルを形成する工程とを有する、磁気ヘッドの
製造方法。11. When manufacturing the magnetic head according to claim 1, a thin film coil is formed through a step of forming an insulating protective film on a substrate and patterning of a conductive film formed on this insulating protective film. A method of manufacturing a magnetic head, comprising:
この第一の導電膜上に第二の導電膜を所定パターンに形
成し、然る後にこの第二の導電膜をマスクにして前記第
一の導電膜をパターニングして薄膜コイルを形成する、
請求項11に記載された方法。12. A first conductive film is formed on the insulating protective film,
A second conductive film is formed in a predetermined pattern on the first conductive film, and then the first conductive film is patterned using the second conductive film as a mask to form a thin film coil,
The method according to claim 11.
する、請求項11又は12に記載された方法。13. The method according to claim 11, wherein the insulating protective film is formed to a thickness of 1 to 500 nm.
な酸化物を用いる、請求項11、12又は13に記載された方
法。14. The method according to claim 11, 12 or 13, wherein a chemically stable oxide is used as a material of the insulating protective film.
SiO2 又はTa2O5 を用いる、請求項14に記載され
た方法。15. The material of the insulating protective film is Al 2 O 3 ,
The method according to claim 14, wherein SiO 2 or Ta 2 O 5 is used.
な窒化物を用いる、請求項11、12又は13に記載された方
法。16. The method according to claim 11, 12 or 13, wherein a chemically stable nitride is used as a material of the insulating protective film.
いる、請求項16に記載された製造方法。17. The manufacturing method according to claim 16, wherein silicon nitride is used as a material of the insulating protective film.
な有機物を用いる、請求項11、12又は13に記載された方
法。18. The method according to claim 11, 12 or 13, wherein a chemically stable organic substance is used as a material of the insulating protective film.
ト材を用いる、請求項18に記載された磁気ヘッド。19. The magnetic head according to claim 18, wherein a photoresist material is used as a material of the insulating protective film.
護膜を形成する、請求項11〜19のいずれか1項に記載さ
れた方法。20. The method according to claim 11, wherein the substrate is provided with a recess and an insulating protective film is formed in the recess.
し、前記一対の基体を接合し、前記薄膜コイル同士を電
気的に接続させて1個のコイルを構成させる、請求項11
〜20のいずれか1項に記載された方法。21. A thin-film coil is formed on both of a pair of bases, the pair of bases is joined, and the thin-film coils are electrically connected to each other to form one coil.
20. The method according to any one of 20 to 20.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1703194A JPH07210824A (en) | 1994-01-17 | 1994-01-17 | Magnetic head and its production |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP1703194A JPH07210824A (en) | 1994-01-17 | 1994-01-17 | Magnetic head and its production |
Publications (1)
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JPH07210824A true JPH07210824A (en) | 1995-08-11 |
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ID=11932638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1703194A Pending JPH07210824A (en) | 1994-01-17 | 1994-01-17 | Magnetic head and its production |
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Country | Link |
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JP (1) | JPH07210824A (en) |
-
1994
- 1994-01-17 JP JP1703194A patent/JPH07210824A/en active Pending
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