[go: up one dir, main page]

JPH07209674A - Production of liquid crystal display device - Google Patents

Production of liquid crystal display device

Info

Publication number
JPH07209674A
JPH07209674A JP225294A JP225294A JPH07209674A JP H07209674 A JPH07209674 A JP H07209674A JP 225294 A JP225294 A JP 225294A JP 225294 A JP225294 A JP 225294A JP H07209674 A JPH07209674 A JP H07209674A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring electrode
wiring
electrodes
metal layer
liquid crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP225294A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Taku Nakamura
卓 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP225294A priority Critical patent/JPH07209674A/en
Publication of JPH07209674A publication Critical patent/JPH07209674A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a liquid crystal display device which has a high contrast ratio, and good visibility and is easily formable by decreasing the reflection of external light on the surface of wiring electrodes without addition of stages. CONSTITUTION:A thin film of tantalum is formed by using a sputtering method on a glass substrate 11. Lower patterns 15 of wiring electrodes in a square shape sized 2mum square for lower electrodes 13 and wiring electrodes 14 of nonlinear resistance elements 12 are formed. An oxidized film is formed on the surface of a first metallic layer by using an anodic oxidation method and is patterned with the nonlinear resistance elements 12 in an island shape which are made electrically independent to form the insulating films of the nonlinear resistance elements 12. A thin film of chromium is formed by using a sputtering method and the wiring electrode patterns of the upper electrodes and wiring electrodes 14 of the nonlinear resistance elements 12 are formed. The wiring electrode patterns are formed on the lower patterns 15 of the wiring electrodes and the surfaces of the wiring electrodes 14 becomes rugged. A thin film of ITO is formed by using a sputtering method and the display pixel electrodes are formed, by which an active matrix array substrate is completed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、金属層−絶縁層−金属
層(MIM)からなる非線形抵抗素子をスイッチング素
子としてガラス基板に設けた液晶表示装置の製造方法に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device in which a non-linear resistance element composed of a metal layer-insulating layer-metal layer (MIM) is provided as a switching element on a glass substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、液晶表示器を用いた表示装置は、
時計、電卓または計測機器などの比較的簡単なものか
ら、パーソナル・コンピュータ、ワード・プロセッサ、
さらには、オフィス・オートメーション用の端末機器、
テレビ画像表示などの大容量情報表示用として使用され
てきている。そして、このような大容量の液晶表示装置
においては、マトリクス表示のマルチプレックス駆動方
式が一般に採用されている。
2. Description of the Related Art In recent years, a display device using a liquid crystal display has been
From relatively simple things such as clocks, calculators or measuring instruments to personal computers, word processors,
Furthermore, terminal equipment for office automation,
It has been used for displaying large-capacity information such as television image display. In such a large-capacity liquid crystal display device, a multiplex drive system of matrix display is generally adopted.

【0003】ところが、このマルチプレックス駆動方式
は、液晶自体の本質的な特性により、表示部分であるオ
ン画素と、非表示部分であるオフ画素とのコントラスト
比の点では、200本程度の走査線を有する場合でも不
十分となり、さらに走査線が500本以上程度の大規模
なマトリクス駆動を行なう場合には、コントラスト比の
低下が著しく不十分となる。
However, in this multiplex drive system, due to the essential characteristics of the liquid crystal itself, in terms of the contrast ratio between the ON pixel which is the display portion and the OFF pixel which is the non-display portion, there are about 200 scanning lines. Is insufficient, and when a large-scale matrix drive with about 500 or more scanning lines is performed, the reduction of the contrast ratio becomes extremely insufficient.

【0004】そこで、この液晶表示装置の持つコントラ
スト比の低下を防止するための開発が行なわれている。
その一つの方向としては、個々の画素を直接スイッチ駆
動するものがあり、スイッチング素子に薄膜トランジス
タや非線形抵抗素子を用いている。このうち非線形抵抗
素子は基本的に二端子であるため、薄膜トランジスタに
比べて構造が簡単であり、製造が容易である。したがっ
て、製造歩留りの向上が期待でき、コスト低下の利点が
ある。
Therefore, development has been carried out to prevent a reduction in the contrast ratio of the liquid crystal display device.
As one of the directions, there is one in which individual pixels are directly switch-driven, and a thin film transistor or a non-linear resistance element is used as a switching element. Of these, the non-linear resistance element basically has two terminals, and therefore has a simpler structure and is easier to manufacture than a thin film transistor. Therefore, improvement in manufacturing yield can be expected, and there is an advantage of cost reduction.

【0005】さらに、非線形抵抗素子は、薄膜トランジ
スタと同様の材料を用いて接合形成したダイオード型、
酸化亜鉛を用いたバリスタ型、電極間に絶縁物を挟んだ
金属−絶縁層−金属(MIM)型、さらには、金属電極
間に半導電性の層を用いた型などが開発されている。こ
のうち、MIM型は構造がもっとも簡単なものの一つ
で、現在すでに実用化されている。
Further, the non-linear resistance element is a diode type formed by junction using the same material as the thin film transistor,
A varistor type using zinc oxide, a metal-insulating layer-metal (MIM) type in which an insulator is sandwiched between electrodes, and a type using a semiconductive layer between metal electrodes have been developed. Of these, the MIM type has one of the simplest structures and is already in practical use at present.

【0006】そして、MIM型の非線形抵抗素子を用い
るアクティブマトリクスアレイ基板は、通常、第1の金
属層、第2の金属層および表示画素電極の3回のフォト
リソグラフィ工程によって形成される。
The active matrix array substrate using the MIM type non-linear resistance element is usually formed by three photolithography steps of the first metal layer, the second metal layer and the display pixel electrode.

【0007】しかしながら、このようにして得られたア
クティブマトリクスアレイ基板においては、MIM素子
の構造が非対称であるために電流−電圧特性も正極性と
負極性とで完全には対称とならず、電流−電圧特性の非
対称性によりフリッカーや焼き付きといった表示品位の
劣化を引き起こす原因となる。
However, in the active matrix array substrate thus obtained, the current-voltage characteristics are not completely symmetrical between the positive polarity and the negative polarity due to the asymmetric structure of the MIM element, and the current -Asymmetry of voltage characteristics causes deterioration of display quality such as flicker and burn-in.

【0008】こうした電流−電圧特性の非対称性を解決
するために、たとえば特開昭57−144584号公報
に記載されている構成が知られている。
In order to solve such an asymmetry of the current-voltage characteristic, for example, a structure disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 157484/1982 is known.

【0009】この特開昭57−144584号公報に記
載のものを、図6ないし図10を参照して製造工程に従
って説明する。
The device described in Japanese Patent Laid-Open No. 144544/1982 will be described according to the manufacturing process with reference to FIGS.

【0010】まず、平板状のガラス基板1上にタンタル
(Ta)からなる第1の金属層をスパッタリング法を用
いて3000オングストロームの厚さで薄膜形成し、第
1回目のフォトリソグラフィ工程を用いて、図6に示す
ように非線形抵抗素子2となる下部金属3を形成する。
First, a thin film of a first metal layer made of tantalum (Ta) having a thickness of 3000 angstroms is formed on a flat glass substrate 1 by a sputtering method, and a first photolithography process is used. As shown in FIG. 6, a lower metal 3 to be the non-linear resistance element 2 is formed.

【0011】次に、陽極酸化法を用いて第1の金属層の
表面に300〜500オングストローム程度の酸化膜を
形成し、非線形抵抗素子2の下部電極3上に絶縁膜4を
形成し、図7に示すように、2回目のフォトリソグラフ
ィ工程を用いて個々の非線形抵抗素子2を島状にパター
ニングすることにより電気的に独立させる。
Next, an oxide film of about 300 to 500 angstroms is formed on the surface of the first metal layer by anodization, and an insulating film 4 is formed on the lower electrode 3 of the non-linear resistance element 2. As shown in FIG. 7, by using the second photolithography process, the individual nonlinear resistance elements 2 are patterned into island shapes to be electrically independent.

【0012】そして、クロム(Cr)などからなる第2
の金属層をスパッタリング法を用いて1500オングス
トロームの厚さで薄膜形成し、第3回目のフォトリソグ
ラフィ工程を用いて、図8および図10に示すように、
非線形抵抗素子2の上部電極5および配線電極6を形成
する。
A second layer made of chromium (Cr), etc.
Thin film of the metal layer of 1500 angstrom is formed by using the sputtering method, and the third photolithography process is used, as shown in FIGS. 8 and 10.
The upper electrode 5 and the wiring electrode 6 of the nonlinear resistance element 2 are formed.

【0013】さらに、ITO(Indium Tin Oxide)から
なる透明導電膜をスパッタリング法を用いて1000オ
ングストロームの厚さで薄膜形成し、第4回目のフォト
リソグラフィ工程を用いて、図9に示すように、表示画
素電極7のパターニングをすることにより、対称な構造
である、下部電極3−絶縁膜4−上部電極5−上部電極
5−絶縁膜4−下部電極3のMIM構造を持つ非線形抵
抗素子2を有するアクティブマトリクスアレイ基板の工
程が終了する。
Further, a transparent conductive film made of ITO (Indium Tin Oxide) is formed into a thin film with a thickness of 1000 angstrom by the sputtering method, and the fourth photolithography process is used, as shown in FIG. By patterning the display pixel electrode 7, the nonlinear resistance element 2 having a symmetrical structure, that is, the MIM structure of the lower electrode 3-insulating film 4-upper electrode 5-upper electrode 5-insulating film 4-lower electrode 3 is formed. The process of forming the active matrix array substrate is completed.

【0014】このようにして得られたアクティブマトリ
クスアレイ基板を、ITOからなる透明導電膜をストラ
イプ状にパターニングした図示しない対向基板と対向さ
せて組み合わせ、配向処理を施した後に貼り合わせ液晶
を注入挟持することによって所望の液晶表示装置を得て
いる。
The active matrix array substrate thus obtained is combined with a counter substrate (not shown) in which a transparent conductive film made of ITO is patterned in a stripe pattern so as to face it, and after alignment treatment, a bonded liquid crystal is injected and sandwiched. By doing so, a desired liquid crystal display device is obtained.

【0015】ところが、このような構造の液晶表示装置
では配線電極が表面の平滑な金属で形成されるため、配
線電極6の表面での外光反射が生じ、黒色の部分すなわ
ちオフ部分の表示画素電極7の輝度を上昇させ、結果的
にコントラスト比を低下させ、視認性を悪化させてしま
う。
However, in the liquid crystal display device having such a structure, since the wiring electrode is formed of a metal having a smooth surface, external light is reflected on the surface of the wiring electrode 6, and a black portion, that is, an off portion of the display pixel is displayed. The brightness of the electrode 7 is increased, the contrast ratio is consequently lowered, and the visibility is deteriorated.

【0016】また、コントラスト比を向上させる構成と
して、たとえば特開昭60−156051号公報に記載
の構成が知られている。この特開昭60−156051
号公報には、配線電極に遮光用のアルミニウムを用い、
このアルミニウムにより光源からの光を遮光するもので
ある。
As a structure for improving the contrast ratio, for example, a structure described in Japanese Patent Laid-Open No. 60-156051 is known. This JP-A-60-156051
In the publication, aluminum for light shielding is used for the wiring electrodes,
This aluminum shields the light from the light source.

【0017】ところが、この場合にも光源からの光は遮
光するものの、光源と反対側から視認する場合、視認す
る側の光も反射するため、コントラスト比を十分に向上
できない。
However, even in this case, although the light from the light source is blocked, when viewed from the side opposite to the light source, the light on the viewed side is also reflected, and therefore the contrast ratio cannot be sufficiently improved.

【0018】さらに、同様にコントラスト比を向上させ
るものとして、たとえば米国特許4804953号明細
書に記載の構成が知られている。
Further, as a means for similarly improving the contrast ratio, for example, a structure described in US Pat. No. 4,804,953 is known.

【0019】この米国特許4804953号明細書に記
載のものは、下部金属および上部金属により絶縁体の全
体を被覆し、上部金属の上面を円弧状に湾曲させたもの
である。
According to the specification of US Pat. No. 4,804,953, the entire insulator is covered with a lower metal and an upper metal, and the upper surface of the upper metal is curved in an arc shape.

【0020】ところが、上部金属の上面を湾曲させるに
は複雑な工程が必要となり、また、上面が円弧状の場合
には線状の反射光が生ずるおそれがある。
However, a complicated process is required to bend the upper surface of the upper metal, and if the upper surface has an arc shape, linear reflected light may be generated.

【0021】[0021]

【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
液晶表示装置の場合には、コントラスト比を十分に向上
させることができないとともに、複雑な工程が必要にな
る問題を有している。
As described above, the conventional liquid crystal display device has a problem that the contrast ratio cannot be sufficiently improved and a complicated process is required.

【0022】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、工程を追加せずに配線電極の表面での外光反射を軽
減したコントラスト比が高く、視認性が良好で、簡単に
形成できる液晶表示装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems and has a high contrast ratio in which the reflection of external light on the surface of the wiring electrode is reduced without adding a step, has a high visibility, and can be easily formed. An object is to provide a liquid crystal display device.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス基板上
に、第1の金属層、絶縁層および第2の金属層を積層
し、前記第2の金属層からなる上部電極−前記絶縁層か
らなる絶縁体−前記第1の金属層からなる下部電極−前
記絶縁層からなる絶縁体−前記第2の金属層からなる上
部金属の直列MIM構造の非線形抵抗素子を形成し、こ
の非線形抵抗素子はこの非線形抵抗素子の上部金属をな
す第2の金属層により形成された配線電極により接続さ
れた液晶表示装置の製造方法において、前記ガラス基板
上に前記第1の金属層により配線電極下部パターンを形
成し、この配線電極下部パターンの上面に前記第2の金
属層の配線電極パターンを形成し、これら配線電極下部
パターンおよび配線電極パターンにて形成される前記配
線電極の表面に凹凸を形成するものである。
According to the present invention, a first metal layer, an insulating layer and a second metal layer are laminated on a glass substrate, and an upper electrode composed of the second metal layer-the insulating layer. A non-linear resistance element having a series MIM structure of an insulator consisting of-a lower electrode consisting of the first metal layer-an insulator consisting of the insulating layer-an upper metal consisting of the second metal layer, and the non-linear resistance element. In a method of manufacturing a liquid crystal display device connected by a wiring electrode formed by a second metal layer which is an upper metal of the nonlinear resistance element, a wiring electrode lower pattern is formed on the glass substrate by the first metal layer. Forming a wiring electrode pattern of the second metal layer on the upper surface of the wiring electrode lower pattern, and forming irregularities on the surface of the wiring electrode formed by the wiring electrode lower pattern and the wiring electrode pattern. It is intended to be formed.

【0024】[0024]

【作用】本発明は、ガラス基板上に第1の金属層により
配線電極下部パターンを形成し、この配線電極下部パタ
ーンの上面に第2の金属層の配線電極パターンを形成
し、配線電極の表面に凹凸を形成するため、配線電極の
表面を簡単に凹凸にすることができ、また、この配線電
極の表面の凹凸により外光の反射方向が散乱され、黒色
となる表示画素の輝度上昇を防止し、コントラスト比を
向上できる。
According to the present invention, the wiring electrode lower pattern is formed by the first metal layer on the glass substrate, and the wiring electrode pattern of the second metal layer is formed on the upper surface of the wiring electrode lower pattern. Since the unevenness is formed on the wiring electrode, the surface of the wiring electrode can be easily made uneven, and the unevenness of the surface of the wiring electrode scatters the reflection direction of external light to prevent an increase in the brightness of the display pixel which becomes black. The contrast ratio can be improved.

【0025】[0025]

【実施例】以下、本発明の液晶表示装置の製造方法の一
実施例を製造工程に従い、図面を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention will be described below according to manufacturing steps with reference to the drawings.

【0026】まず、平板状のガラス基板11上にタンタル
(Ta)からなる第1の金属層をスパッタリング法を用
いて厚さ3000オングストロームで薄膜形成し、第1
回目のフォトリソグラフィ工程を用いて、図1に示すよ
うに、非線形抵抗素子12の下部電極13および配線電極14
の配線電極下部パターン15を形成する。なお、この配線
電極下部パターン15は2μm角の正方形状のドットパタ
ーンとする。
First, a thin film of a first metal layer made of tantalum (Ta) having a thickness of 3000 angstrom is formed on a flat glass substrate 11 by a sputtering method.
As shown in FIG. 1, the lower electrode 13 and the wiring electrode 14 of the non-linear resistance element 12 are formed by using the photolithography process of the first time.
The wiring electrode lower pattern 15 is formed. The wiring electrode lower pattern 15 is a square dot pattern of 2 μm square.

【0027】次に、陽極酸化法を用いて、第1の金属層
の表面に厚さ500オングストローム以下の酸化膜を形
成し、2回目のフォトリソグラフィ工程により、図2に
示すように、個々の非線形抵抗素子12を島状にパターニ
ングすることにより、電気的に独立させて非線形抵抗素
子12の絶縁体としての絶縁膜16とする。
Next, an oxide film having a thickness of 500 angstroms or less is formed on the surface of the first metal layer by anodization, and a second photolithography process is performed to form individual oxide films as shown in FIG. By patterning the non-linear resistance element 12 in an island shape, the non-linear resistance element 12 is electrically isolated to form the insulating film 16 as an insulator of the non-linear resistance element 12.

【0028】さらに、クロム(Cr)などからなる第2
の金属層をスパッタリング法を用いて厚さ1500オン
グストロームで薄膜形成し、第3回目のフォトリソグラ
フィ工程により、図3に示すように、非線形抵抗素子12
の上部電極17および配線電極14の配線電極パターン18を
形成する。また、配線電極下部パターン15上に配線電極
パターン18を形成することにより、配線電極14の表面が
凹凸になる。
Further, a second layer made of chromium (Cr) or the like
Thin film of the metal layer of 1500 angstrom is formed by the sputtering method, and the nonlinear resistance element 12 is formed by the third photolithography process as shown in FIG.
The upper electrode 17 and the wiring electrode pattern 18 of the wiring electrode 14 are formed. Further, by forming the wiring electrode pattern 18 on the wiring electrode lower pattern 15, the surface of the wiring electrode 14 becomes uneven.

【0029】そして、ITO(Indium Tin Oxide)から
なる透明導電膜をスパッタリング法を用いて厚さ100
0オングストロームで薄膜形成し、第4回目のフォトリ
ソグラフィ工程により、図4に示すように、表示画素電
極19を形成してアクティブマトリクスアレイ基板が完成
する。
A transparent conductive film made of ITO (Indium Tin Oxide) having a thickness of 100 is formed by a sputtering method.
A thin film is formed with a thickness of 0 Å, and a display pixel electrode 19 is formed as shown in FIG. 4 by the fourth photolithography process to complete the active matrix array substrate.

【0030】さらに、このアクティブマトリクスアレイ
基板に、ITOからなる対向電極が配線電極14と直交す
るようにストライプ状にパターニングされた図示しない
対向基板を平行に対向させる。そして、アクティブマト
リクスアレイ基板を対向基板と組み合わせ、互いに配向
処理を行なった後に所定の間隙を保ち貼り合わせ、アク
ティブマトリクスアレイ基板および対向基板間の間隙に
液晶を注入して挟持する。
Further, a counter substrate (not shown) in which a counter electrode made of ITO is patterned in a stripe pattern so as to be orthogonal to the wiring electrode 14 is opposed to the active matrix array substrate in parallel. Then, the active matrix array substrate is combined with the counter substrate, and after performing alignment treatment with each other, they are bonded together with a predetermined gap therebetween, and liquid crystal is injected and sandwiched in the gap between the active matrix array substrate and the counter substrate.

【0031】そうして、反射板−偏光板−アレイ基板−
偏光板の順となるよう反射板、偏光板を貼り合わせるこ
とにより、反射型の液晶表示装置が完成する。
Then, the reflecting plate-polarizing plate-array substrate-
A reflective liquid crystal display device is completed by laminating a reflective plate and a polarizing plate in the order of the polarizing plate.

【0032】上述のように形成された反射型の液晶表示
装置は、図5に示すように、配線電極14の表面が凹凸に
なるため、表面の反射が一様でなくなるので、従来の反
射型の液晶表示装置に比べて黒色の表示画素電極19の輝
度が低く、コントラスト比が向上する。
In the reflection type liquid crystal display device formed as described above, the surface of the wiring electrode 14 becomes uneven as shown in FIG. The brightness of the black display pixel electrode 19 is lower than that of the liquid crystal display device described above, and the contrast ratio is improved.

【0033】なお、反射型の液晶表示装置について説明
したが、透過型の液晶表示装置に適用した場合にも、外
光下で配線電極が外光を反射し、黒の輝度を上昇させ、
コントラスト比を低下させるのを防止する効果がある。
Although the reflective liquid crystal display device has been described, when applied to a transmissive liquid crystal display device, the wiring electrode reflects the external light under the external light and raises the brightness of black.
It has an effect of preventing the contrast ratio from being lowered.

【0034】また、配線電極下部パターン15の形は正方
形ドットパターンに限定するものではなく、三角ドッ
ト、円形ドット、ランダムドットパターン、連続的パタ
ーン、または、周期的パターンなど任意の形状とするこ
とができる。
The shape of the wiring electrode lower pattern 15 is not limited to the square dot pattern, but may be any shape such as a triangular dot, a circular dot, a random dot pattern, a continuous pattern, or a periodic pattern. it can.

【0035】さらに、配線電極下部パターン15を第1の
金属層で形成するため、フォトリソグラフィ工程などの
工程追加の必要がなく、製造過程が煩雑にならない。
Further, since the wiring electrode lower pattern 15 is formed of the first metal layer, it is not necessary to add a step such as a photolithography step and the manufacturing process is not complicated.

【0036】[0036]

【発明の効果】本発明の液晶表示装置の製造方法によれ
ば、ガラス基板上に第1の金属層により配線電極下部パ
ターンを形成し、この配線電極下部パターンの上面に第
2の金属層の配線電極パターンを形成し、配線電極の表
面に凹凸を形成するため、配線電極の表面を簡単に凹凸
にすることができ、また、この配線電極の表面の凹凸に
より外光の反射方向が散乱され、黒色となる表示画素電
極の輝度上昇を防止し、簡単な製造方法でコントラスト
比を向上できる。
According to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, the wiring electrode lower pattern is formed on the glass substrate by the first metal layer, and the second metal layer is formed on the upper surface of the wiring electrode lower pattern. Since the wiring electrode pattern is formed and unevenness is formed on the surface of the wiring electrode, the surface of the wiring electrode can be easily made uneven, and the unevenness of the surface of the wiring electrode scatters the reflection direction of external light. It is possible to prevent an increase in the brightness of the display pixel electrode that becomes black and improve the contrast ratio with a simple manufacturing method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の液晶表示装置の製造方法の一実施例の
一製造工程を示す正面図である。
FIG. 1 is a front view showing a manufacturing process of an embodiment of a method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention.

【図2】同上図1に示す次の製造工程を示す正面図であ
る。
FIG. 2 is a front view showing the next manufacturing step shown in FIG. 1 above.

【図3】同上図2に示す次の製造工程を示す正面図であ
る。
FIG. 3 is a front view showing the next manufacturing step shown in FIG. 2 above.

【図4】同上図3に示す次の製造工程を示す正面図であ
る。
FIG. 4 is a front view showing the next manufacturing step shown in FIG. 3 above.

【図5】同上図4のV−V断面図である。5 is a sectional view taken along line VV of FIG.

【図6】従来例の液晶表示装置の製造方法の一製造工程
を示す正面図である。
FIG. 6 is a front view showing one manufacturing step of a conventional method of manufacturing a liquid crystal display device.

【図7】同上図6に示す次の製造工程を示す正面図であ
る。
FIG. 7 is a front view showing the next manufacturing step shown in FIG. 6 above.

【図8】同上図7に示す次の製造工程を示す正面図であ
る。
8 is a front view showing the next manufacturing step shown in FIG. 7 above.

【図9】同上図8に示す次の製造工程を示す正面図であ
る。
FIG. 9 is a front view showing the next manufacturing step shown in FIG. 8 above.

【図10】図9のX−X断面図である。10 is a sectional view taken along line XX of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 ガラス基板 12 非線形抵抗素子 13 下部電極 14 配線電極 15 配線電極下部パターン 16 絶縁体としての絶縁膜 17 上部電極 18 配線電極パターン 11 Glass substrate 12 Non-linear resistance element 13 Lower electrode 14 Wiring electrode 15 Wiring electrode lower pattern 16 Insulating film as insulator 17 Upper electrode 18 Wiring electrode pattern

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガラス基板上に、第1の金属層、絶縁層
および第2の金属層を積層し、前記第2の金属層からな
る上部電極−前記絶縁層からなる絶縁体−前記第1の金
属層からなる下部電極−前記絶縁層からなる絶縁体−前
記第2の金属層からなる上部金属の直列MIM構造の非
線形抵抗素子を形成し、この非線形抵抗素子はこの非線
形抵抗素子の上部金属をなす第2の金属層により形成さ
れた配線電極により接続された液晶表示装置の製造方法
において、 前記ガラス基板上に前記第1の金属層により配線電極下
部パターンを形成し、 この配線電極下部パターンの上面に前記第2の金属層の
配線電極パターンを形成し、 これら配線電極下部パターンおよび配線電極パターンに
て形成される前記配線電極の表面に凹凸を形成すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
1. A first metal layer, an insulating layer and a second metal layer are laminated on a glass substrate, and an upper electrode made of the second metal layer, an insulator made of the insulating layer, and the first electrode. Forming a non-linear resistance element having a series MIM structure of a lower electrode made of a metal layer of the above-insulator made of the insulating layer-an upper metal made of the second metal layer, and the non-linear resistance element is an upper metal of the non-linear resistance element Forming a wiring electrode lower pattern on the glass substrate by the first metal layer, and forming a wiring electrode lower pattern on the glass substrate. A wiring electrode pattern of the second metal layer is formed on the upper surface of the wiring electrode, and irregularities are formed on the surface of the wiring electrode formed by the wiring electrode lower pattern and the wiring electrode pattern. Liquid crystal display device manufacturing method.
JP225294A 1994-01-13 1994-01-13 Production of liquid crystal display device Pending JPH07209674A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP225294A JPH07209674A (en) 1994-01-13 1994-01-13 Production of liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP225294A JPH07209674A (en) 1994-01-13 1994-01-13 Production of liquid crystal display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07209674A true JPH07209674A (en) 1995-08-11

Family

ID=11524175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP225294A Pending JPH07209674A (en) 1994-01-13 1994-01-13 Production of liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07209674A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100297372B1 (en) * 1998-09-04 2001-08-07 윤종용 Lcd panel and method for making input pad in lcd panel
KR100381053B1 (en) * 1999-09-21 2003-04-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid Crystal Display Device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100297372B1 (en) * 1998-09-04 2001-08-07 윤종용 Lcd panel and method for making input pad in lcd panel
KR100381053B1 (en) * 1999-09-21 2003-04-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid Crystal Display Device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100416173B1 (en) Display device substrate, method for manufacturing the display device substrate, liquid-crystal display device, and electronic equipment
US6172728B1 (en) Reflective LCD including address lines shaped to reduce parasitic capacitance
JP3448871B2 (en) Liquid crystal devices and electronic equipment
JP3481074B2 (en) Liquid crystal display device
JPH10142629A (en) Active matrix liquid crystal display device
JP3636192B2 (en) Liquid crystal device and electronic device
JPH06235940A (en) Reflection type liquid crystal display device
JPH07209674A (en) Production of liquid crystal display device
JP2778746B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing electrode substrate
JP2000194017A (en) Liquid crystal display and electronic equipment
JP2001194681A6 (en) Liquid crystal device and electronic device
JP4511248B2 (en) Liquid crystal display
JPH05203997A (en) Liquid crystal display device
JP2001083504A (en) Reflective or transflective electro-optical device, electronic apparatus using the same, and method of manufacturing the same
JP2001194681A (en) Liquid crystal devices and electronic equipment
JPH0345930A (en) Two-terminal type nonlinear element
JP2794198B2 (en) Nonlinear resistance element and liquid crystal element using the same
JP2654661B2 (en) Electro-optical display
JP3228735B2 (en) Liquid crystal electro-optical device
US20070080344A1 (en) Thin film diode panel for trans-reflective liquid crystal display
JPH06308538A (en) Production of liquid crystal display device
JP3324613B2 (en) Element substrate provided with nonlinear element, method of manufacturing the same, and electro-optical device using the element substrate
JP2006350168A (en) Liquid crystal device and manufacturing method therefor, and electronic device
JPH09265109A (en) Liquid crystal display device and its production
JPH05232517A (en) Substrate for liquid crystal display device and its production