JPH07202322A - Thermistor - Google Patents
ThermistorInfo
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- JPH07202322A JPH07202322A JP35149293A JP35149293A JPH07202322A JP H07202322 A JPH07202322 A JP H07202322A JP 35149293 A JP35149293 A JP 35149293A JP 35149293 A JP35149293 A JP 35149293A JP H07202322 A JPH07202322 A JP H07202322A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光通信や光情報処理等
に用いられる半導体レーザモジュールの内部に実装され
るサーミスタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermistor mounted inside a semiconductor laser module used for optical communication or optical information processing.
【従来の技術】半導体レーザの発振波長や光出力などの
発振条件は、温度により変化する。このため、光ファイ
バ伝送装置などに用いる半導体レーザモジュールでは、
安定な信号伝送を行う安定な発振条件のため、半導体レ
ーザの温度制御が必要である。このような半導体レーザ
モジュールにおいては、半導体レーザの温度を検出する
サーミスタの温度検出結果に基づいて、電子冷却素子を
制御する制御回路を用いて、半導体レーザの温度制御を
行う。従来のサーミスタを用いた半導体レーザモジュー
ルの温度制御部分の構成を図2に斜視図で示す。半導体
レーザモジュールは、レーザ光を出射する半導体レーザ
1と、半導体レーザ1を固定するためのヒートシンク2
と、半導体レーザ1の温度を検出するための温度センサ
であるガラスで封止されたサーミスタ素体3と、サーミ
スタ素体を設置した基板4と、基板4の上面に形成され
た電極5と、基板4と基板4上に設置されたサーミスタ
素体3を含んで構成されるサーミスタ6と、半導体レー
ザ1を冷却するための電子冷却素子7とから構成されて
いる。半導体レーザ1はヒートシンク2の上に設置され
ており、サーミスタ素体3は別の基板4の上に設置され
ている。したがって、半導体レーザ1を設置したヒート
シンク2と、サーミスタ6とを、電子冷却素子7上に設
置する際、電子冷却素子7からみた半導体レーザ1およ
びサーミスタ素体3までの熱伝導の経路が異なり熱抵抗
の差がある。このため半導体レーザ1の温度変化を正確
にモニタできなくなる。この結果、半導体レーザ1に対
して精度のよい温度制御ができないという問題がある。
このような半導体レーザモジュールの温度制御部分の構
成については、文献(仲川他「周波数応答に優れた冷却
素子内蔵LDモジュール」昭和63年度電子情報通信学
会全国大会、C−450、1−555ページ)に示され
ている。このような構成より、半導体レーザ1に対して
精度のよい温度制御ができるように改善した半導体レー
ザモジュールの温度制御部分の構成を図3に斜視図で示
す。図3の構成は、半導体レーザ1を固定するためのヒ
ートシンク8と、半導体レーザ1の温度を検出する温度
センサであるサーミスタ9と、サーミスタ9を固定する
ためのステム10と、サーミスタ9の両面にメタライズ
されている電極11とを有している。電子冷却素子7の
上にステム10が設置され、ステム10の上にサーミス
タ9が設置され、サーミスタ9の上にヒートシンク8が
設置し、ヒートシンク8の上に半導体レーザ1が設置さ
れている。このため、サーミスタ9を半導体レーザ1と
電子冷却素子7の間に設置することにより、半導体レー
ザ1より発生した熱はヒートシンク8を通過した後、図
2の場合のように電子冷却素子7の上面、基板4を介さ
ずに、直接サーミスタ9に流れ込むようになっている。
従って図2の場合にように、電子冷却素子7の上面や基
板4を熱が通過する事によって熱抵抗に比例した温度差
が生じるという事がない。このような半導体レーザモジ
ュールの温度制御部分の構成については、文献(特開昭
61−131580号公報)に示されている。2. Description of the Related Art Oscillation conditions such as an oscillation wavelength and a light output of a semiconductor laser change with temperature. Therefore, in the semiconductor laser module used for the optical fiber transmission device,
It is necessary to control the temperature of the semiconductor laser because of stable oscillation conditions for stable signal transmission. In such a semiconductor laser module, the temperature of the semiconductor laser is controlled using a control circuit that controls the electronic cooling element based on the temperature detection result of the thermistor that detects the temperature of the semiconductor laser. FIG. 2 is a perspective view showing the structure of the temperature control portion of a semiconductor laser module using a conventional thermistor. The semiconductor laser module includes a semiconductor laser 1 for emitting a laser beam and a heat sink 2 for fixing the semiconductor laser 1.
A thermistor element body 3 sealed with glass, which is a temperature sensor for detecting the temperature of the semiconductor laser 1, a substrate 4 on which the thermistor element body is installed, an electrode 5 formed on the upper surface of the substrate 4, It comprises a substrate 4 and a thermistor 6 including the thermistor body 3 placed on the substrate 4, and an electronic cooling element 7 for cooling the semiconductor laser 1. The semiconductor laser 1 is installed on the heat sink 2, and the thermistor body 3 is installed on another substrate 4. Therefore, when the heat sink 2 on which the semiconductor laser 1 is installed and the thermistor 6 are installed on the electronic cooling element 7, the heat conduction paths from the electronic cooling element 7 to the semiconductor laser 1 and the thermistor element body 3 are different from each other. There is a difference in resistance. Therefore, the temperature change of the semiconductor laser 1 cannot be accurately monitored. As a result, there is a problem that the temperature of the semiconductor laser 1 cannot be controlled accurately.
Regarding the structure of the temperature control part of such a semiconductor laser module, refer to Nakagawa et al. "LD Module with Cooling Element with Excellent Frequency Response", 1988 National Conference of IEICE, C-450, pages 1-555. Is shown in. FIG. 3 is a perspective view showing the structure of the temperature control portion of the semiconductor laser module which is improved so that the semiconductor laser 1 can be temperature-controlled with high accuracy. The structure of FIG. 3 has a heat sink 8 for fixing the semiconductor laser 1, a thermistor 9 which is a temperature sensor for detecting the temperature of the semiconductor laser 1, a stem 10 for fixing the thermistor 9, and both sides of the thermistor 9. It has a metallized electrode 11. The stem 10 is installed on the electronic cooling element 7, the thermistor 9 is installed on the stem 10, the heat sink 8 is installed on the thermistor 9, and the semiconductor laser 1 is installed on the heat sink 8. Therefore, by installing the thermistor 9 between the semiconductor laser 1 and the electronic cooling element 7, the heat generated by the semiconductor laser 1 passes through the heat sink 8 and then the upper surface of the electronic cooling element 7 as in the case of FIG. , And flows directly into the thermistor 9 without going through the substrate 4.
Therefore, unlike the case of FIG. 2, a temperature difference proportional to the thermal resistance does not occur due to heat passing through the upper surface of the electronic cooling element 7 and the substrate 4. The structure of the temperature control part of such a semiconductor laser module is described in the document (Japanese Patent Laid-Open No. 61-131580).
【発明が解決しようとする課題】このような従来のサー
ミスタ9を用いた半導体レーザモジュールの温度制御部
分の構成では、ベアのサーミスタ9を使用しているが、
このようなサーミスタ9では経時的に、サーミスタ9の
上下にメタライズされた電極11が剥がれることなどが
生じて抵抗値が増加するなどの信頼性上の問題があっ
た。この信頼性上の問題を解決したものが、図2に示す
サーミスタ6である。サーミスタ素体3をガラスで封止
することにより、サーミスタ素体3の信頼性が向上す
る。しかし、ベアのサーミスタ9のように上下にメタラ
イズした電極11を形成することができないため、半導
体レーザ1に対して精度のよい温度制御ができる図3の
ような半導体レーザモジュールの温度制御部分の構成が
できないという問題があった。本発明の目的は上述の欠
点を除去したサーミスタを提供することにある。In the structure of the temperature control portion of the semiconductor laser module using the conventional thermistor 9, the bare thermistor 9 is used.
Such a thermistor 9 has a reliability problem such that the metallized electrodes 11 on the upper and lower sides of the thermistor 9 are peeled off with time and the resistance value is increased. The thermistor 6 shown in FIG. 2 solves this reliability problem. By sealing the thermistor body 3 with glass, the reliability of the thermistor body 3 is improved. However, unlike the bare thermistor 9, it is not possible to form the upper and lower metallized electrodes 11, so that the temperature control portion of the semiconductor laser module as shown in FIG. There was a problem that I could not do it. It is an object of the present invention to provide a thermistor which eliminates the above mentioned drawbacks.
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明によるサーミスタでは、半導体レーザと、ガラ
スで封止されたサーミスタ素体をヒートシンクの同一面
上に設置している。To achieve the above object, in a thermistor according to the present invention, a semiconductor laser and a thermistor element body sealed with glass are placed on the same surface of a heat sink.
【実施例】次に本発明の一実施例を図に基づいて説明す
る。図1は、本発明によるサーミスタの一実施例を示す
斜視図である。半導体レーザ1の温度を検出するための
サーミスタ素体3は、図3のヒートシンク8とは異なる
ヒートシンク12の上に設置されている。ヒートシンク
12の材料はA1N(窒化アルミニウムセラミックス)
である。半導体レーザ1は、サーミスタ素体3を設置し
たヒートシンク12に設けたスペース13に設置され
る。ヒートシンク12、サーミスタ素体3、電極5、ス
ペース13で構成されるサーミスタ14は、電子冷却素
子7の上に設置される。半導体レーザ1とサーミスタ素
体3は、同じヒートシンク12の同一面上で、かつ半導
体レーザ1をサーミスタ素体3のより近傍に設置するこ
とができる。したがって、半導体レーザ1とサーミスタ
素体3は、電子冷却素子7からみて同じ熱抵抗となり、
サーミスタ素体3は電子冷却素子7からみた半導体レー
ザ1の温度を正確に検出することができる。このため、
半導体レーザ1に対して精度のよい温度制御ができるよ
うになる。サーミスタ14は、図3のベアのサーミスタ
9とは異なり、サーミスタ素体3全体と、電極5のサー
ミスタ素体3に接する部分がガスで封止されている。し
たがって、サーミスタ14では、経時的にサーミスタ素
体3と電極5が剥がれることなどが生じて抵抗値が増加
することはなく、サーミスタ素体3の信頼性が向上す
る。なお、ヒートシンク12はA1N(窒化アルミニウ
ムセラミックス)でなく、T−cBN(立方晶型窒化硼
素)でもよい。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the thermistor according to the present invention. The thermistor element body 3 for detecting the temperature of the semiconductor laser 1 is installed on a heat sink 12 different from the heat sink 8 of FIG. The material of the heat sink 12 is A1N (aluminum nitride ceramics)
Is. The semiconductor laser 1 is installed in a space 13 provided in a heat sink 12 in which the thermistor body 3 is installed. The thermistor 14, which is composed of the heat sink 12, the thermistor body 3, the electrode 5, and the space 13, is installed on the electronic cooling element 7. The semiconductor laser 1 and the thermistor body 3 can be installed on the same surface of the same heat sink 12 and closer to the thermistor body 3. Therefore, the semiconductor laser 1 and the thermistor element body 3 have the same thermal resistance as viewed from the electronic cooling element 7,
The thermistor body 3 can accurately detect the temperature of the semiconductor laser 1 viewed from the electronic cooling element 7. For this reason,
The temperature of the semiconductor laser 1 can be accurately controlled. The thermistor 14, unlike the bare thermistor 9 shown in FIG. 3, has the entire thermistor element body 3 and the portion of the electrode 5 in contact with the thermistor element body 3 sealed with gas. Therefore, in the thermistor 14, the resistance value does not increase due to the thermistor element body 3 and the electrode 5 peeling off with time, and the reliability of the thermistor element body 3 is improved. The heat sink 12 may be T-cBN (cubic type boron nitride) instead of A1N (aluminum nitride ceramics).
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるサー
ミスタでは、半導体レーザを、温度センサ部分であるサ
ーミスタ素体のより近傍で、かつ同じヒートシンクの同
一面上に設置することができるので、半導体レーザの温
度を正確に検出でき、半導体レーザの温度制御を精度よ
く行うことができる。また、サーミスタ素体をガラスで
封止することにより、サーミスタ素体の信頼性が向上す
る。したがって、本発明によるサーミスタを用いれば、
サーミスタ素体の信頼性の向上と、半導体レーザの精度
のよい温度制御が同時に保証できる。As described above, in the thermistor according to the present invention, the semiconductor laser can be installed in the vicinity of the thermistor element body which is the temperature sensor portion and on the same surface of the same heat sink. The temperature of the laser can be accurately detected, and the temperature of the semiconductor laser can be accurately controlled. Further, by sealing the thermistor body with glass, the reliability of the thermistor body is improved. Therefore, using the thermistor according to the present invention,
The reliability of the thermistor element can be improved and the temperature of the semiconductor laser can be controlled with high accuracy.
【図1】本発明によるサーミスタの一実施例を示す斜視
図である。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a thermistor according to the present invention.
【図2】従来のサーミスタを用いた半導体レーザモジュ
ールの温度制御部分の構成を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a configuration of a temperature control portion of a semiconductor laser module using a conventional thermistor.
【図3】従来のサーミスタを用いた半導体レーザモジュ
ールの温度制御部分の他構成を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing another configuration of a temperature control portion of a semiconductor laser module using a conventional thermistor.
1 半導体レーザ 2 ヒートシンク 3 サーミスタ素体 4 基板 5 電極 6 サーミスタ 7 電子冷却素子 8 ヒートシンク 9 サーミスタ 10 ステム 11 電極 12 ヒートシンク 13 スペース 14 サーミスタ 1 Semiconductor Laser 2 Heat Sink 3 Thermistor Element 4 Substrate 5 Electrode 6 Thermistor 7 Thermoelectric Cooling Element 8 Heat Sink 9 Thermistor 10 Stem 11 Electrode 12 Heat Sink 13 Space 14 Thermistor
Claims (5)
板上に設置されたサーミスタ素体から構成されるサーミ
スタにおいて、前記ヒートシンク基板上に温度制御対象
物を設置するスペースを設けていることを特徴とするサ
ーミスタ。1. A thermistor comprising a heat sink substrate and a thermistor element body provided on the heat sink substrate, wherein a space for placing an object to be temperature controlled is provided on the heat sink substrate.
ることを特徴とする請求項1記載のサーミスタ。2. The thermistor according to claim 1, wherein the temperature controlled object is a semiconductor laser.
ていることを特徴とする請求項1記載のサーミスタ。3. The thermistor according to claim 1, wherein the thermistor body is sealed with glass.
(立方晶型窒化硼素)であることを特徴とする請求項1
記載のサーミスタ。4. The heat sink material is T-cBN.
(Cubic-type boron nitride).
The thermistor shown.
アルミニウムセラミックス)であることを特徴とする請
求項1記載のサーミスタ。5. The thermistor according to claim 1, wherein the material of the heat sink is A1N (aluminum nitride ceramics).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35149293A JPH07202322A (en) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | Thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP35149293A JPH07202322A (en) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | Thermistor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07202322A true JPH07202322A (en) | 1995-08-04 |
Family
ID=18417668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35149293A Pending JPH07202322A (en) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | Thermistor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07202322A (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980224 |