JPH07199486A - 電子写真用感光体 - Google Patents
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- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 感度、帯電性に優れると共に、また、複写プ
ロセスの繰返しに対し、静電特性の安定性に富み、か
つ、機械的耐久性に優れた機能分離型の電子写真用感光
体を提供する。 【構成】 導電性支持体上に、少なくとも光吸収により
伝導キャリアを発生することができる電荷発生層と、前
記電荷発生層で発生した伝導キャリアを輸送することが
できる電荷輸送層とからなる感光層を有する電子写真感
光体において、該電荷発生層が、必須成分として、電荷
発生物質、正孔輸送物質、電子輸送物質および結着樹脂
を含有することを特徴とする電子写真用感光体。
ロセスの繰返しに対し、静電特性の安定性に富み、か
つ、機械的耐久性に優れた機能分離型の電子写真用感光
体を提供する。 【構成】 導電性支持体上に、少なくとも光吸収により
伝導キャリアを発生することができる電荷発生層と、前
記電荷発生層で発生した伝導キャリアを輸送することが
できる電荷輸送層とからなる感光層を有する電子写真感
光体において、該電荷発生層が、必須成分として、電荷
発生物質、正孔輸送物質、電子輸送物質および結着樹脂
を含有することを特徴とする電子写真用感光体。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子写真プロセスを用い
た複写機、プリンター等に用いられる電子写真用感光体
に関するものである。
た複写機、プリンター等に用いられる電子写真用感光体
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子写真プロセスは静電力による潜像の
可視化を基本原理として用いたものであるため、そのプ
ロセスに用いられる電子写真用感光体には良好な帯電性
と光照射による迅速な表面電位の減衰が必要となる。こ
れらプロセス上必要な特性は、固有物性値である暗抵抗
の高さ、電荷キャリア発生の良好な量子効率、高い電荷
移動度に還元される。
可視化を基本原理として用いたものであるため、そのプ
ロセスに用いられる電子写真用感光体には良好な帯電性
と光照射による迅速な表面電位の減衰が必要となる。こ
れらプロセス上必要な特性は、固有物性値である暗抵抗
の高さ、電荷キャリア発生の良好な量子効率、高い電荷
移動度に還元される。
【0003】これらの物性値を満足するものとして、従
来、セレン、セレン−テルル合金、砒素セレン、硫化カ
ドミウム等の無機化合物から構成された感光体が採用さ
れ、多くの複写機で用いられてきた。しかしながら、こ
れらの材料は毒性が強いアモルファス状態で用いられる
ため取扱いが厄介である上に、数十μmの膜厚に真空蒸
着する必要があるためコスト高となる等の欠点があり、
感光体の必要機能を十分満たしていえるとは言えないも
のであった。
来、セレン、セレン−テルル合金、砒素セレン、硫化カ
ドミウム等の無機化合物から構成された感光体が採用さ
れ、多くの複写機で用いられてきた。しかしながら、こ
れらの材料は毒性が強いアモルファス状態で用いられる
ため取扱いが厄介である上に、数十μmの膜厚に真空蒸
着する必要があるためコスト高となる等の欠点があり、
感光体の必要機能を十分満たしていえるとは言えないも
のであった。
【0004】これらの欠点を改良するため、有機材料を
用いた電子写真用感光体(OPC)の開発が積極的にな
され、実用に供されるようになってきた。実用化された
OPCのほとんどは導電性支持体上に伝導キャリア発生
機能を有する電荷発生層(CGL)と電荷輸送機能を有
する電荷輸送層(CTL)を積層した構成の機能分離型
である。このような機能分離構造にすることにより、材
料の選択幅が広がり、且つ、機械的強度に富み、厚膜の
設計が可能なCTLを最表面に配置することにより、プ
ロセスに供された状態で十分な機械的耐久性を感光体に
保持させることが可能となり、アナログからデジタルま
で応用範囲が広がっている。例えば、特公昭55−42
380号公報にはクロルダアイアンブルーとヒドラゾン
化合物を用いた機能分離型感光体が提案され、さらに種
々の材料を組み合わせた多くの提案がなされている(例
えば特開昭54−150128号、56−80050
号、56−80051号、56−83744号、56−
81849号、56−81850号、56−46234
号各公報参照)。この様な機能分離型感光体において
は、CTLは、通常、伝導キャリア成分(正孔及び電
子)のうち一方の成分しか移動させ得ない。電界下、C
GLで発生した伝導キャリアのうち、一方の成分は、C
TL中を速やかに移動するが、他方の成分が一方の成分
と逆の電界方向にCGL中を有効に移動させるために
は、CGLは一般的に電荷移動能が低いため、移動距離
を極端に短くする必要がある。すなわち、CGLを薄膜
にする必要がある。さらにCGLは感度向上のため光を
効率良く吸収する必要も有り、CGL中には電荷発生物
質を大量に含有させることが必要である。CTLは一般
的には電荷発生能のある物質をバインダー樹脂中に分散
し形成される。分散安定性を保ち、分散液で薄膜を欠陥
なく形成させるためにはかなりの技術を要し、CGL薄
膜の形成は機能分離型感光体の歩留を決定している。さ
らに欠陥の無い薄膜形成のためには基板の表面性もかな
りのレベルが要求され、感光体のコストに大きく影響を
及ぼしている。また、CGLのキャリア移動能は電子写
真特性、特に繰返し使用での電位変動に影響を及ぼす。
機能分離型感光体は優れた特性を有してはいるが、課題
を十分に満足しているとは言えず、OPCの利用範囲が
広がるにつれて、さらに優れた品質特性が要求されてい
る。
用いた電子写真用感光体(OPC)の開発が積極的にな
され、実用に供されるようになってきた。実用化された
OPCのほとんどは導電性支持体上に伝導キャリア発生
機能を有する電荷発生層(CGL)と電荷輸送機能を有
する電荷輸送層(CTL)を積層した構成の機能分離型
である。このような機能分離構造にすることにより、材
料の選択幅が広がり、且つ、機械的強度に富み、厚膜の
設計が可能なCTLを最表面に配置することにより、プ
ロセスに供された状態で十分な機械的耐久性を感光体に
保持させることが可能となり、アナログからデジタルま
で応用範囲が広がっている。例えば、特公昭55−42
380号公報にはクロルダアイアンブルーとヒドラゾン
化合物を用いた機能分離型感光体が提案され、さらに種
々の材料を組み合わせた多くの提案がなされている(例
えば特開昭54−150128号、56−80050
号、56−80051号、56−83744号、56−
81849号、56−81850号、56−46234
号各公報参照)。この様な機能分離型感光体において
は、CTLは、通常、伝導キャリア成分(正孔及び電
子)のうち一方の成分しか移動させ得ない。電界下、C
GLで発生した伝導キャリアのうち、一方の成分は、C
TL中を速やかに移動するが、他方の成分が一方の成分
と逆の電界方向にCGL中を有効に移動させるために
は、CGLは一般的に電荷移動能が低いため、移動距離
を極端に短くする必要がある。すなわち、CGLを薄膜
にする必要がある。さらにCGLは感度向上のため光を
効率良く吸収する必要も有り、CGL中には電荷発生物
質を大量に含有させることが必要である。CTLは一般
的には電荷発生能のある物質をバインダー樹脂中に分散
し形成される。分散安定性を保ち、分散液で薄膜を欠陥
なく形成させるためにはかなりの技術を要し、CGL薄
膜の形成は機能分離型感光体の歩留を決定している。さ
らに欠陥の無い薄膜形成のためには基板の表面性もかな
りのレベルが要求され、感光体のコストに大きく影響を
及ぼしている。また、CGLのキャリア移動能は電子写
真特性、特に繰返し使用での電位変動に影響を及ぼす。
機能分離型感光体は優れた特性を有してはいるが、課題
を十分に満足しているとは言えず、OPCの利用範囲が
広がるにつれて、さらに優れた品質特性が要求されてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は感度、
帯電性に優れると共に、また、複写プロセスの繰返しに
対し、静電特性の安定性に富み、かつ、機械的耐久性に
優れた機能分離型の電子写真用感光体を提供すること、
さらには、生産性に優れた機能分離型の電子写真用感光
体を提供することにある。
帯電性に優れると共に、また、複写プロセスの繰返しに
対し、静電特性の安定性に富み、かつ、機械的耐久性に
優れた機能分離型の電子写真用感光体を提供すること、
さらには、生産性に優れた機能分離型の電子写真用感光
体を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、電荷発生層として、電
荷発生物質、正孔輸送物質、電子輸送物質を結着樹脂中
に分散させ、該電子輸送物質として特定の化合物を用い
ると共に、さらに該電荷発生物質を該結着樹脂に対して
0.1〜40重量%、好ましくは0.3〜25重量%に
なるように設計することにより上記目的を達成できるこ
とを見出し、本発明に至った。即ち、本発明によれば、
導電性支持体上に、少なくとも光吸収により伝導キャリ
アを発生することができる電荷発生層と、前記電荷発生
層で発生した伝導キャリアを輸送することができる電荷
輸送層とからなる感光層を有する電子写真感光体におい
て、該電荷発生層が、必須成分として、電荷発生物質、
正孔輸送物質、電子輸送物質および結着樹脂を含有する
ことを特徴とする電子写真用感光体が提供される。
を解決すべく鋭意検討した結果、電荷発生層として、電
荷発生物質、正孔輸送物質、電子輸送物質を結着樹脂中
に分散させ、該電子輸送物質として特定の化合物を用い
ると共に、さらに該電荷発生物質を該結着樹脂に対して
0.1〜40重量%、好ましくは0.3〜25重量%に
なるように設計することにより上記目的を達成できるこ
とを見出し、本発明に至った。即ち、本発明によれば、
導電性支持体上に、少なくとも光吸収により伝導キャリ
アを発生することができる電荷発生層と、前記電荷発生
層で発生した伝導キャリアを輸送することができる電荷
輸送層とからなる感光層を有する電子写真感光体におい
て、該電荷発生層が、必須成分として、電荷発生物質、
正孔輸送物質、電子輸送物質および結着樹脂を含有する
ことを特徴とする電子写真用感光体が提供される。
【0007】更に、本発明によれば、前記電荷発生層に
含有される電子輸送物質が、下記一般式化1で表される
フルオレン系化合物であることを特徴とする電子写真用
感光体提供される。
含有される電子輸送物質が、下記一般式化1で表される
フルオレン系化合物であることを特徴とする電子写真用
感光体提供される。
【化1】 (式中、R1は置換もしくは非置換の芳香族基、置換も
しくは非置換の複素環基、あるいはアルコキシカルボニ
ル基を表し、x,yは0,1,2,3又は4の整数を表
す。ただし、1≦x+y≦4である。)
しくは非置換の複素環基、あるいはアルコキシカルボニ
ル基を表し、x,yは0,1,2,3又は4の整数を表
す。ただし、1≦x+y≦4である。)
【0008】更に、本発明によれば、前記電荷発生層に
含有される電子輸送物質が、下記一般式化2で表される
フルオレン系化合物であることを特徴とする電子写真用
感光体提供される。
含有される電子輸送物質が、下記一般式化2で表される
フルオレン系化合物であることを特徴とする電子写真用
感光体提供される。
【化2】 (式中、R1,R2,R3は水素原子、置換もしくは無置
換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換の
アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアシル
基、置換もしくは無置換のスルホニル基、置換もしくは
無置換のスルホンアミド基、置換もしくは無置換のカル
バモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基を表
し、また、R1環を形成してもよく、XはO又はSを表
し、l,m,nは1〜4の整数を表す。)
換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換の
アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアシル
基、置換もしくは無置換のスルホニル基、置換もしくは
無置換のスルホンアミド基、置換もしくは無置換のカル
バモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基を表
し、また、R1環を形成してもよく、XはO又はSを表
し、l,m,nは1〜4の整数を表す。)
【0009】更に、本発明によれば、前記電荷発生層に
含有される電子輸送物質が、下記一般式化3で表される
フルオレン系化合物であることを特徴とする電子写真用
感光体提供される。
含有される電子輸送物質が、下記一般式化3で表される
フルオレン系化合物であることを特徴とする電子写真用
感光体提供される。
【化3】 (式中、R1はアルキル基を表す。ただし、R1は相互に
結合して環を形成しても良い。また、nは1,2,3又
は4の整数を表す。)
結合して環を形成しても良い。また、nは1,2,3又
は4の整数を表す。)
【0010】更にまた、本発明によれば、前記電荷発生
層に含有される電子輸送物質が、下記一般式化4で表さ
れるホモフタル酸誘導体であることを特徴とする電子写
真用感光体が提供される。
層に含有される電子輸送物質が、下記一般式化4で表さ
れるホモフタル酸誘導体であることを特徴とする電子写
真用感光体が提供される。
【化4】 (式中、R1は水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、
シアノ基またはニトロ基を表し、R2は置換もしくは無
置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルカ
ン基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Arは
置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換
の多環芳香族基、あるいは置換もしくは無置換の複素環
基を表す。)
シアノ基またはニトロ基を表し、R2は置換もしくは無
置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルカ
ン基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Arは
置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換
の多環芳香族基、あるいは置換もしくは無置換の複素環
基を表す。)
【0011】更にまた、本発明によれば、前記電荷発生
層に含有される電子輸送物質が、下記一般式化5で表さ
れるオキサゾールまたはチアゾール系化合物であること
を特徴とする電子写真用感光体が提供される。
層に含有される電子輸送物質が、下記一般式化5で表さ
れるオキサゾールまたはチアゾール系化合物であること
を特徴とする電子写真用感光体が提供される。
【化5】 (式中、XはOまたはSを表し、Rは置換基、nは整数
で、置換基Rの個数を表しす。また、Rは同一の置換基
でも異種の置換基でも良い。)
で、置換基Rの個数を表しす。また、Rは同一の置換基
でも異種の置換基でも良い。)
【0012】更にまた、本発明によれば、前記電荷発生
層に含有される電子輸送物質が、下記一般式化6で表さ
れるピラジン系化合物であることを特徴とする電子写真
用感光体が提供される。
層に含有される電子輸送物質が、下記一般式化6で表さ
れるピラジン系化合物であることを特徴とする電子写真
用感光体が提供される。
【化6】 (式中、Xは=C(Y)(Z)、=N(CN)であり、
更に、Y、Zは水素、シアノ基、COOR、置換もしく
は無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル
基より選ばれた置換基を表す。Rは置換もしくは無置換
のアルキル基、または置換もしくは無置換のフェニル基
を表す。Wはアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシカ
ルボニル基、フェニル基、シアノ基、ニトロ基より選ば
れた置換基を表す。nは0〜4の整数を表す。)
更に、Y、Zは水素、シアノ基、COOR、置換もしく
は無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル
基より選ばれた置換基を表す。Rは置換もしくは無置換
のアルキル基、または置換もしくは無置換のフェニル基
を表す。Wはアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシカ
ルボニル基、フェニル基、シアノ基、ニトロ基より選ば
れた置換基を表す。nは0〜4の整数を表す。)
【0013】更にまた、本発明によれば、前記電荷発生
層に含有される電子輸送物質が、下記一般式化7で表さ
れるピラジン系化合物であることを特徴とする電子写真
用感光体が提供される。
層に含有される電子輸送物質が、下記一般式化7で表さ
れるピラジン系化合物であることを特徴とする電子写真
用感光体が提供される。
【化7】 (式中、Rは置換もしくは無置換のフェニル基、置換も
しくは無置換のナフチル基を表す。)
しくは無置換のナフチル基を表す。)
【0014】更にまた、本発明によれば、前記電荷発生
層に含有される電子輸送物質が、下記一般式化8で表さ
れるアントラキノン誘導体であることを特徴とする電子
写真用感光体が提供される。
層に含有される電子輸送物質が、下記一般式化8で表さ
れるアントラキノン誘導体であることを特徴とする電子
写真用感光体が提供される。
【化8】
【0015】更にまた、本発明によれば、前記電荷発生
層に含有される電子輸送物質が、下記一般式化9で表さ
れるアントラキノン誘導体であることを特徴とする電子
写真用感光体が提供される。
層に含有される電子輸送物質が、下記一般式化9で表さ
れるアントラキノン誘導体であることを特徴とする電子
写真用感光体が提供される。
【化9】
【0016】更にまた、本発明によれば、前記電荷発生
層に含有される電子輸送物質が、下記一般式化10で表
されるフタルイミド系化合物であることを特徴とする電
子写真用感光体が提供される。
層に含有される電子輸送物質が、下記一般式化10で表
されるフタルイミド系化合物であることを特徴とする電
子写真用感光体が提供される。
【化10】 (式中、R1及びR2は置換または無置換のアルキル基、
置換または無置換のシクロアルカン基、置換または無置
換のフェニル基、Xは=O、=(Y)(Z)、=N(C
N)であり、Y及びZは水素原子、置換または無置換の
フェニル基、シアノ基、置換または無置換のアルコキシ
カルボニル基を表す。)
置換または無置換のシクロアルカン基、置換または無置
換のフェニル基、Xは=O、=(Y)(Z)、=N(C
N)であり、Y及びZは水素原子、置換または無置換の
フェニル基、シアノ基、置換または無置換のアルコキシ
カルボニル基を表す。)
【0017】また、本発明によれば、電荷発生層中の電
荷発生物質が、結着剤樹脂に対し0.1〜40重量%、
好ましくは0.3〜25重量%の割合で含有されること
を特徴とする電子写真用感光体が提供される。
荷発生物質が、結着剤樹脂に対し0.1〜40重量%、
好ましくは0.3〜25重量%の割合で含有されること
を特徴とする電子写真用感光体が提供される。
【0018】本発明の感光体は、例えば、図1に示され
る構成からなる。即ち、導電性基板(3)の上に、光吸
収により伝導キャリアを発生することができる電荷発生
層(2)を設け、更にこの上に電荷発生層で生じた伝導
キャリアを輸送することができる電荷輸送層(1)を設
けた機能分離型の電子写真用感光体である。本発明にお
いては、この電荷発生層の必須成分として、電荷発生物
質、正孔輸送物質、電子輸送物質及び結着樹脂を用い、
該電子輸送物質として上記の一般式(1)〜(10)の
いずれかで示される化合物を使用し、さらに該電荷発生
物質を該結着樹脂に対して0.1〜40重量%、好まし
くは0.3〜25重量%になるように含有させるもので
ある。
る構成からなる。即ち、導電性基板(3)の上に、光吸
収により伝導キャリアを発生することができる電荷発生
層(2)を設け、更にこの上に電荷発生層で生じた伝導
キャリアを輸送することができる電荷輸送層(1)を設
けた機能分離型の電子写真用感光体である。本発明にお
いては、この電荷発生層の必須成分として、電荷発生物
質、正孔輸送物質、電子輸送物質及び結着樹脂を用い、
該電子輸送物質として上記の一般式(1)〜(10)の
いずれかで示される化合物を使用し、さらに該電荷発生
物質を該結着樹脂に対して0.1〜40重量%、好まし
くは0.3〜25重量%になるように含有させるもので
ある。
【0019】本発明の電子写真用感光体は、電荷発生層
中に正孔を移動させることが出来る正孔輸送物質及び電
子を移動させることが出来る電子輸送物質を必須成分と
して含有してなるため、伝導キャリアの正孔及び電子が
電荷発生層中に留まることなく移動することができ、帯
電極性に応じてそれぞれ反対方向に迅速に移動する。従
って本発明の電子写真用感光体は感度、帯電性に優れ、
複写プロセスでの繰返し使用による静電特性の安定性、
機械的耐久性に富み、低速から高速の複写プロセスまで
好適であり、また、電荷発生物質種を換えることにより
分光感光域が制御でき、モノクロ用のアナログ複写機か
ら光書き込み用に半導体レーザー光を使用したページプ
リンター、デジタル複写機の感光体にまで適用すること
が可能となる。さらに電荷発生層中の電荷発生物質の含
有量を結着樹脂に対して0.1〜40重量%、好ましく
は0.3〜25重量%と従来の機能分離型感光体の電荷
発生層中の電荷発生物質含有量に比べて少なくすること
により、特性を損なうことなく電荷発生層を比較的厚膜
にすることができ、従来の機能分離型感光体の導電性基
板の高い表面性のレベルは必要なく、塗膜欠陥が生じに
くいため、生産性が上がり、製造コストを低くすること
が可能となる。重要なことは電荷発生層中に正孔輸送物
質及び電子輸送物質を含有させ、電荷発生物質の含有量
を上記範囲とすることである。従来の機能分離型感光体
の電荷発生層は電荷発生物質が電荷発生層中での電荷移
動機能を兼ねているが、正孔及び電子の両方を効率的に
移動させることの出来る電荷発生物質が少ないため、移
動距離を短くさせる必要があり、一般的には数μm以下
の薄膜にし、且つ、光吸収効率を上げるため、電荷発生
物質を相対的に大量に含有させる必要があった。薄膜の
形成は膜欠陥が生じやすく、塗布液の良好な分散状態、
基板の高度な表面性、クリーンな製造環境等が要求さ
れ、製造コストの低減には限界があった。さらに相対的
に電荷発生物質の量が多いため機械的強度、特に接着性
に問題があった。
中に正孔を移動させることが出来る正孔輸送物質及び電
子を移動させることが出来る電子輸送物質を必須成分と
して含有してなるため、伝導キャリアの正孔及び電子が
電荷発生層中に留まることなく移動することができ、帯
電極性に応じてそれぞれ反対方向に迅速に移動する。従
って本発明の電子写真用感光体は感度、帯電性に優れ、
複写プロセスでの繰返し使用による静電特性の安定性、
機械的耐久性に富み、低速から高速の複写プロセスまで
好適であり、また、電荷発生物質種を換えることにより
分光感光域が制御でき、モノクロ用のアナログ複写機か
ら光書き込み用に半導体レーザー光を使用したページプ
リンター、デジタル複写機の感光体にまで適用すること
が可能となる。さらに電荷発生層中の電荷発生物質の含
有量を結着樹脂に対して0.1〜40重量%、好ましく
は0.3〜25重量%と従来の機能分離型感光体の電荷
発生層中の電荷発生物質含有量に比べて少なくすること
により、特性を損なうことなく電荷発生層を比較的厚膜
にすることができ、従来の機能分離型感光体の導電性基
板の高い表面性のレベルは必要なく、塗膜欠陥が生じに
くいため、生産性が上がり、製造コストを低くすること
が可能となる。重要なことは電荷発生層中に正孔輸送物
質及び電子輸送物質を含有させ、電荷発生物質の含有量
を上記範囲とすることである。従来の機能分離型感光体
の電荷発生層は電荷発生物質が電荷発生層中での電荷移
動機能を兼ねているが、正孔及び電子の両方を効率的に
移動させることの出来る電荷発生物質が少ないため、移
動距離を短くさせる必要があり、一般的には数μm以下
の薄膜にし、且つ、光吸収効率を上げるため、電荷発生
物質を相対的に大量に含有させる必要があった。薄膜の
形成は膜欠陥が生じやすく、塗布液の良好な分散状態、
基板の高度な表面性、クリーンな製造環境等が要求さ
れ、製造コストの低減には限界があった。さらに相対的
に電荷発生物質の量が多いため機械的強度、特に接着性
に問題があった。
【0020】以上のように、本発明の機能分離型の電子
写真用感光体は、電荷発生層として電荷発生物質、正孔
輸送物質及び特定の電子輸送物質を結着樹脂中に分散さ
せることにより、電荷発生層に電荷発生機能及び電荷移
動(正孔及び電子)機能を併せ持たせることができ、さ
らに、従来の機能分離型感光体の電荷発生層中における
電荷発生物質の含有量よりも相対的に少なくし、且つ、
膜厚を厚くすることが出来るため、感度、帯電性に優
れ、また、複写プロセスの繰返しに対し、静電特異の安
定性、機械的耐久性に富み、さらに、生産性にも優れた
電子写真用感光体を得ることが出来る。
写真用感光体は、電荷発生層として電荷発生物質、正孔
輸送物質及び特定の電子輸送物質を結着樹脂中に分散さ
せることにより、電荷発生層に電荷発生機能及び電荷移
動(正孔及び電子)機能を併せ持たせることができ、さ
らに、従来の機能分離型感光体の電荷発生層中における
電荷発生物質の含有量よりも相対的に少なくし、且つ、
膜厚を厚くすることが出来るため、感度、帯電性に優
れ、また、複写プロセスの繰返しに対し、静電特異の安
定性、機械的耐久性に富み、さらに、生産性にも優れた
電子写真用感光体を得ることが出来る。
【0021】本発明の電子写真用感光体における電荷発
生層の電荷発生物質としては、ビスアゾ顔料、トリスア
ゾ顔料、フタロシアニン顔料、ペリレン顔料、キナクリ
ドン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、シアニン顔
料等を、単独もしくは数種類混合して使用することが出
来る。これらの組成は結着樹脂に対して0.1〜40重
量%、好ましくは0.3〜25重量%である。
生層の電荷発生物質としては、ビスアゾ顔料、トリスア
ゾ顔料、フタロシアニン顔料、ペリレン顔料、キナクリ
ドン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、シアニン顔
料等を、単独もしくは数種類混合して使用することが出
来る。これらの組成は結着樹脂に対して0.1〜40重
量%、好ましくは0.3〜25重量%である。
【0022】本発明の電子写真用感光体の電荷発生層に
含有させる正孔輸送物質としては、分子中にトリフェニ
ルアミン部位を有する化合物、ヒドラゾン化合物、ピラ
ゾリン化合物、トリフェニルメタン化合物、オキサジア
ゾール化合物、オキサゾール化合物、カルバゾール化合
物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ポリシラン化
合物、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ピレン−ホルマ
リン縮合物等のドナー性化合物を単独もしくは複数で使
用することが出来る。これらの組成は電荷発生層の全組
成物に対して20重量%以上であることが好ましい。
含有させる正孔輸送物質としては、分子中にトリフェニ
ルアミン部位を有する化合物、ヒドラゾン化合物、ピラ
ゾリン化合物、トリフェニルメタン化合物、オキサジア
ゾール化合物、オキサゾール化合物、カルバゾール化合
物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ポリシラン化
合物、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ピレン−ホルマ
リン縮合物等のドナー性化合物を単独もしくは複数で使
用することが出来る。これらの組成は電荷発生層の全組
成物に対して20重量%以上であることが好ましい。
【0023】本発明の電子写真用感光体の電荷発生層に
含有させる電子輸送物質としては、上記一般式化1〜化
10で表わされる化合物であり、これらの化合物は、単
独もしくは複数を混合して使用することができる。これ
らの組成は電荷発生層の全組成物に対して1〜40重量
%であることが好ましい。一般式化1で表わされるフル
オレン系化合物の具体例としては、例えば、以下の表1
で示すものが挙げられる。
含有させる電子輸送物質としては、上記一般式化1〜化
10で表わされる化合物であり、これらの化合物は、単
独もしくは複数を混合して使用することができる。これ
らの組成は電荷発生層の全組成物に対して1〜40重量
%であることが好ましい。一般式化1で表わされるフル
オレン系化合物の具体例としては、例えば、以下の表1
で示すものが挙げられる。
【0024】
【表1−(1)】
【0025】
【表1−(2)】
【0026】
【表1−(3)】
【0027】
【表1−(4)】
【0028】
【表1−(5)】
【0029】
【表1−(6)】
【0030】
【表1−(7)】
【0031】
【表1−(8)】
【0032】
【表1−(9)】
【0034】
【表1−(10)】
【0035】
【表1−(11)】
【0036】
【表1−(12)】
【0037】
【表1−(13)】
【0038】
【表1−(14)】
【0039】また、一般式化2で表わされるフルオレン
系化合物の具体例としては、例えば、以下の表2に記載
のものが挙げられる。
系化合物の具体例としては、例えば、以下の表2に記載
のものが挙げられる。
【0040】
【表2−(1)】
【0041】
【表2−(2)】
【0042】
【表2−(3)】
【0043】
【表2−(4)】
【0044】
【表2−(5)】
【0045】
【表2−(6)】
【0046】
【表2−(7)】
【0047】
【表2−(8)】
【0048】
【表2−(9)】
【0049】
【表2−(10)】
【0050】
【表2−(11)】
【0051】
【表2−(12)】
【0052】
【表2−(13)】
【0053】
【表2−(14)】
【0054】
【表2−(15)】
【0055】
【表2−(16)】
【0056】
【表2−(17)】
【0057】
【表2−(18)】
【0058】
【表2−(19)】
【0059】
【表2−(20)】
【0060】
【表2−(21)】
【0061】
【表2−(22)】
【0062】
【表2−(23)】
【0063】
【表2−(24)】
【0064】
【表2−(25)】
【0065】
【表2−(26)】
【0066】
【表2−(27)】
【0067】
【表2−(28)】
【0068】
【表2−(29)】
【0069】
【表2−(30)】
【0070】
【表2−(31)】
【0071】
【表2−(32)】
【0072】
【表2−(33)】
【0073】また、一般式化3で表わされるフルオレン
系化合物の具体例としては、例えば、以下の表3に記載
のものが挙げられる。
系化合物の具体例としては、例えば、以下の表3に記載
のものが挙げられる。
【0074】
【表3−(1)】
【0075】
【表3−(2)】
【0076】また、一般式化4で表わされるホモフタル
酸誘導体の具体例としては、例えば、以下の表4に記載
のものが挙げられる。
酸誘導体の具体例としては、例えば、以下の表4に記載
のものが挙げられる。
【0077】
【表4−(1)】
【0078】
【表4−(2)】
【0079】
【表4−(3)】
【0080】
【表4−(4)】
【0081】
【表4−(5)】
【0082】
【表4−(6)】
【0083】
【表4−(7)】
【0084】
【表4−(8)】
【0085】
【表4−(9)】
【0086】
【表4−(10)】
【0087】また、一般式化5で表わされるオキサゾー
ルまたはチアゾール系化合物の具体例としては、例え
ば、以下の表5に記載のものが挙げられる。
ルまたはチアゾール系化合物の具体例としては、例え
ば、以下の表5に記載のものが挙げられる。
【0088】
【表5】
【0089】また、一般式化6で表わされるピラジン系
化合物の具体例としては、例えば、以下の表6に記載の
ものが挙げられる。
化合物の具体例としては、例えば、以下の表6に記載の
ものが挙げられる。
【0090】
【表6−(1)】
【0091】
【表6−(2)】
【0092】
【表6−(3)】
【0093】
【表6−(4)】
【0094】
【表6−(5)】
【0095】
【表6−(6)】
【0096】
【表6−(7)】
【0097】
【表6−(8)】
【0098】
【表6−(9)】
【0099】
【表6−(10)】
【0100】
【表6−(11)】
【0101】
【表6−(12)】
【0102】
【表6−(13)】
【0103】
【表6−(14)】
【0104】
【表6−(15)】
【0105】
【表6−(16)】
【0106】
【表6−(17)】
【0107】
【表6−(18)】
【0108】また、一般式化7で表わされるピラジン系
化合物の具体例としては、例えば、以下の表7で示され
るものが挙げられる。
化合物の具体例としては、例えば、以下の表7で示され
るものが挙げられる。
【0109】
【表7−(1)】
【0110】
【表7−(2)】
【0111】
【表7−(3)】
【0112】また、一般式化8で表わされるアントラキ
ノン誘導体の具体例としては、例えば、以下の表8で示
されるものが挙げられる。
ノン誘導体の具体例としては、例えば、以下の表8で示
されるものが挙げられる。
【0113】
【表8−(1)】
【0114】
【表8−(2)】
【0115】また、一般式化9で表わされるアントラキ
ノン誘導体の具体例としては、例えば、以下の表9で示
されるものが挙げられる。
ノン誘導体の具体例としては、例えば、以下の表9で示
されるものが挙げられる。
【0116】
【表9−(1)】
【0117】
【表9−(2)】
【0118】
【表9−(3)】
【0119】なお、一般式化8及び化9中のR1及びR2
において、アルキル基とは、メチル基、t−ブチル基な
どのアルキル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基
などのシクロアルキル基、トリフルオロメチル基、ブロ
モオクチル基、2,2,3,4,4,4-ヘキサフルオロブチル基、
2,2-ジフルオロ-2-トリフルオロメチル-エチル基などの
ハロゲン置換アルキル基、2-メトキシエチル基、2,2-ジ
エトキシエチル基などのアルコキシ置換のアルキル基、
4-ヘキシルオキシカルボニルヘキシル基、ブトキシカル
ボニルメチル基などのアルコキシカルボニルアルキル
基、ベンジル基、シアノアルキル基、ニトロアルキル基
等を包含し、芳香族基とは、フェニル基、ピレン基、フ
ェナントレン基などの芳香族基、4-クロロフェニル基、
1-ブロモナフチル基、2-トリフルオロメチルアントラセ
ン基などのハロゲン置換芳香族基、4-ブトキシフェニル
基、2,6-ジヘキサオキシナフチル基などのアルコキシ置
換芳香族基、3-メトキシカルボニルフェニル基、4-ブト
キシカルボニルナフチル基などのアルコキシカルボニル
基、4−アセチルフェニル基などのアシル置換芳香族
基、ジフェニル基などのフェニル置換芳香族基などを包
含し、複素環基とは、ピロール基、カルバゾール基、イ
ンドール基、ピリジン基、モルホリン基、チアジン基、
ピペリジン基、ピロリジン基、イミダゾール基などを包
含する。また同式中のR3及びR4において、ハロゲン原
子とは、フッ素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子を包
含し、アルキル基とは、メチル基、t−ブチル基などの
アルキル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基など
のシクロアルキル基、トリフルオロメチル基、ブロモオ
クチル基、2,2,3,4,4,4-ヘキサフルオロブチル基、2,2-
ジフルオロ-2-トリフルオロメチル-エチル基などのハロ
ゲン置換アルキル基、2-メトキシエチル基、2,2-ジエト
キシエチル基などのアルコキシ置換のアルキル基、4-ヘ
キシルオキシカルボニルヘキシル基、ブトキシカルボニ
ルメチル基などのアルコキシカルボニルアルキル基、ベ
ンジル基、シアノアルキル基、ニトロアルキル基等を包
含し、芳香族基とは、フェニル基、ピレン基、フェナン
トレン基などの芳香族基、4-クロロフェニル基、1-ブロ
モナフチル基、2-トリフルオロメチルアントラセン基な
どのハロゲン置換芳香族基、4-ブトキシフェニル基、2,
6-ジヘキサオキシナフチル基などのアルコキシ置換芳香
族基、3-メトキシカルボニルフェニル基、4-ブトキシカ
ルボニルナフチル基などのアルコキシカルボニル基、4
−アセチルフェニル基などのアシル置換芳香族基、ジフ
ェニル基などのフェニル置換芳香族基などを包含し、ア
シル基とは、アセチル基、オクチルカルボニル基などを
包含し、アルコキシ基とは、メトキシ基、エトキシ基、
ベンジルオキシ基などを包含し、 エステル基とは、ブ
トキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、アセト
キシル基などを包含し、アミド基とは、N,N−ジトリ
ルアミド基、N−メチル−N−フェニルアミド基、N−
ブトキシカルボニルアミノ基などを包含し、スルホンア
ミド基とは、N,N−ジヘキシルスルホンアミド基、N
−メトキシスルホニルアミノ基などを包含する。更に、
同式中のR5において、アルキル基とは、メチル基、t
−ブチル基などのアルキル基、シクロヘキシル基、シク
ロペンチル基などのシクロアルキル基、トリフルオロメ
チル基、ブロモオクチル基、2,2,3,4,4,4-ヘキサフルオ
ロブチル基、2,2-ジフルオロ-2-トリフルオロメチル-エ
チル基などのハロゲン置換アルキル基、2-メトキシエチ
ル基、2,2-ジエトキシエチル基などのアルコキシ置換の
アルキル基、4-ヘキシルオキシカルボニルヘキシル基、
ブトキシカルボニルメチル基などのアルコキシカルボニ
ルアルキル基、ベンジル基、シアノアルキル基、ニトロ
アルキル基等を包含し、芳香族基とは、フェニル基、ピ
レン基、フェナントレン基などの芳香族基、4-クロロフ
ェニル基、1-ブロモナフチル基、2-トリフルオロメチル
アントラセン基などのハロゲン置換芳香族基、4-ブトキ
シフェニル基、2,6-ジヘキサオキシナフチル基などのア
ルコキシ置換芳香族基、3-メトキシカルボニルフェニル
基、4-ブトキシカルボニルナフチル基などのアルコキシ
カルボニル基、4−アセチルフェニル基などのアシル置
換芳香族基、ジフェニル基などのフェニル置換芳香族基
などを包含する。
において、アルキル基とは、メチル基、t−ブチル基な
どのアルキル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基
などのシクロアルキル基、トリフルオロメチル基、ブロ
モオクチル基、2,2,3,4,4,4-ヘキサフルオロブチル基、
2,2-ジフルオロ-2-トリフルオロメチル-エチル基などの
ハロゲン置換アルキル基、2-メトキシエチル基、2,2-ジ
エトキシエチル基などのアルコキシ置換のアルキル基、
4-ヘキシルオキシカルボニルヘキシル基、ブトキシカル
ボニルメチル基などのアルコキシカルボニルアルキル
基、ベンジル基、シアノアルキル基、ニトロアルキル基
等を包含し、芳香族基とは、フェニル基、ピレン基、フ
ェナントレン基などの芳香族基、4-クロロフェニル基、
1-ブロモナフチル基、2-トリフルオロメチルアントラセ
ン基などのハロゲン置換芳香族基、4-ブトキシフェニル
基、2,6-ジヘキサオキシナフチル基などのアルコキシ置
換芳香族基、3-メトキシカルボニルフェニル基、4-ブト
キシカルボニルナフチル基などのアルコキシカルボニル
基、4−アセチルフェニル基などのアシル置換芳香族
基、ジフェニル基などのフェニル置換芳香族基などを包
含し、複素環基とは、ピロール基、カルバゾール基、イ
ンドール基、ピリジン基、モルホリン基、チアジン基、
ピペリジン基、ピロリジン基、イミダゾール基などを包
含する。また同式中のR3及びR4において、ハロゲン原
子とは、フッ素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子を包
含し、アルキル基とは、メチル基、t−ブチル基などの
アルキル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基など
のシクロアルキル基、トリフルオロメチル基、ブロモオ
クチル基、2,2,3,4,4,4-ヘキサフルオロブチル基、2,2-
ジフルオロ-2-トリフルオロメチル-エチル基などのハロ
ゲン置換アルキル基、2-メトキシエチル基、2,2-ジエト
キシエチル基などのアルコキシ置換のアルキル基、4-ヘ
キシルオキシカルボニルヘキシル基、ブトキシカルボニ
ルメチル基などのアルコキシカルボニルアルキル基、ベ
ンジル基、シアノアルキル基、ニトロアルキル基等を包
含し、芳香族基とは、フェニル基、ピレン基、フェナン
トレン基などの芳香族基、4-クロロフェニル基、1-ブロ
モナフチル基、2-トリフルオロメチルアントラセン基な
どのハロゲン置換芳香族基、4-ブトキシフェニル基、2,
6-ジヘキサオキシナフチル基などのアルコキシ置換芳香
族基、3-メトキシカルボニルフェニル基、4-ブトキシカ
ルボニルナフチル基などのアルコキシカルボニル基、4
−アセチルフェニル基などのアシル置換芳香族基、ジフ
ェニル基などのフェニル置換芳香族基などを包含し、ア
シル基とは、アセチル基、オクチルカルボニル基などを
包含し、アルコキシ基とは、メトキシ基、エトキシ基、
ベンジルオキシ基などを包含し、 エステル基とは、ブ
トキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、アセト
キシル基などを包含し、アミド基とは、N,N−ジトリ
ルアミド基、N−メチル−N−フェニルアミド基、N−
ブトキシカルボニルアミノ基などを包含し、スルホンア
ミド基とは、N,N−ジヘキシルスルホンアミド基、N
−メトキシスルホニルアミノ基などを包含する。更に、
同式中のR5において、アルキル基とは、メチル基、t
−ブチル基などのアルキル基、シクロヘキシル基、シク
ロペンチル基などのシクロアルキル基、トリフルオロメ
チル基、ブロモオクチル基、2,2,3,4,4,4-ヘキサフルオ
ロブチル基、2,2-ジフルオロ-2-トリフルオロメチル-エ
チル基などのハロゲン置換アルキル基、2-メトキシエチ
ル基、2,2-ジエトキシエチル基などのアルコキシ置換の
アルキル基、4-ヘキシルオキシカルボニルヘキシル基、
ブトキシカルボニルメチル基などのアルコキシカルボニ
ルアルキル基、ベンジル基、シアノアルキル基、ニトロ
アルキル基等を包含し、芳香族基とは、フェニル基、ピ
レン基、フェナントレン基などの芳香族基、4-クロロフ
ェニル基、1-ブロモナフチル基、2-トリフルオロメチル
アントラセン基などのハロゲン置換芳香族基、4-ブトキ
シフェニル基、2,6-ジヘキサオキシナフチル基などのア
ルコキシ置換芳香族基、3-メトキシカルボニルフェニル
基、4-ブトキシカルボニルナフチル基などのアルコキシ
カルボニル基、4−アセチルフェニル基などのアシル置
換芳香族基、ジフェニル基などのフェニル置換芳香族基
などを包含する。
【0120】また、一般式化10で表わされるフタルイ
ミド系化合物の具体例としては、例えば、以下の表10
で示されるものが挙げられる。
ミド系化合物の具体例としては、例えば、以下の表10
で示されるものが挙げられる。
【0121】
【表10−(1)】
【0122】
【表10−(2)】
【0123】
【表10−(3)】
【0124】
【表10−(4)】
【0125】
【表10−(5)】
【0126】
【表10−(6)】
【0127】
【表10−(7)】
【0128】
【表10−(8)】
【0129】
【表10−(9)】
【0130】
【表10−(10)】
【0131】
【表10−(11)】
【0132】
【表10−(12)】
【0133】
【表10−(13)】
【0134】
【表10−(14)】
【0135】また、本発明の電子写真用感光体の電荷発
生層の結着樹脂としては、ブチラール樹脂、アクリル樹
脂、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、スチレン樹脂、ポリアリ
レート樹脂、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、弗化ビニ
リデン樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹
脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの繰返し単位のうち、
2つ以上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、弗化
ビニリデンフルオロエチレン共重合体等を使用すること
が出来る。これらの組成は電荷発生層の全組成物に対し
て30〜70重量%であることが好ましい。また、本発
明の電子写真用感光体の電荷発生層の膜厚は0.5〜5
0μm、好ましくは1.0〜20μmが適当である。
生層の結着樹脂としては、ブチラール樹脂、アクリル樹
脂、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、スチレン樹脂、ポリアリ
レート樹脂、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、弗化ビニ
リデン樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹
脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの繰返し単位のうち、
2つ以上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、弗化
ビニリデンフルオロエチレン共重合体等を使用すること
が出来る。これらの組成は電荷発生層の全組成物に対し
て30〜70重量%であることが好ましい。また、本発
明の電子写真用感光体の電荷発生層の膜厚は0.5〜5
0μm、好ましくは1.0〜20μmが適当である。
【0136】本発明の電荷輸送層は少なくとも電荷輸送
物質、及び結着樹脂とからなり、必要に応じ、添加剤を
加えることが出来る。電荷輸送物質としては、正孔輸送
物質、電子輸送物質を使用することが出来る。正孔輸送
物質としては本発明の電荷発生層に使用されるドナー性
化合物を使用することが出来る。また、電子輸送物質と
しては本発明の電荷発生層に使用される一般式化1〜化
10の化合物のほか、例えばキノン系化合物、キノン系
化合物のビニリデンジニトリル化合物、フルオレノン系
化合物、フルオレノン系化合物のビニリデンジニトリル
化合物、カルボン酸エステル基を有するπ電子系化合
物、シアノ基を有するπ電子系化合物、ニトロ基を有す
るπ電子系化合物、等のアクセプター性化合物を使用す
ることが出来る。さらに、電荷輸送層の結着樹脂として
はポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、スチレ
ン樹脂、さらに電荷発生層の結着樹脂等を使用すること
が出来る。電荷輸送その構成は、結着樹脂100部に対
して、電荷輸送物質は25〜400重量部、好ましくは
50〜200重量部である。また、電荷輸送層の膜厚は
5〜60μm、好ましくは10〜30μmである。ま
た、必要に応じて用いられる添加剤としては、消泡剤、
酸化防止剤、接着補助剤、可塑剤等を挙げることができ
る。
物質、及び結着樹脂とからなり、必要に応じ、添加剤を
加えることが出来る。電荷輸送物質としては、正孔輸送
物質、電子輸送物質を使用することが出来る。正孔輸送
物質としては本発明の電荷発生層に使用されるドナー性
化合物を使用することが出来る。また、電子輸送物質と
しては本発明の電荷発生層に使用される一般式化1〜化
10の化合物のほか、例えばキノン系化合物、キノン系
化合物のビニリデンジニトリル化合物、フルオレノン系
化合物、フルオレノン系化合物のビニリデンジニトリル
化合物、カルボン酸エステル基を有するπ電子系化合
物、シアノ基を有するπ電子系化合物、ニトロ基を有す
るπ電子系化合物、等のアクセプター性化合物を使用す
ることが出来る。さらに、電荷輸送層の結着樹脂として
はポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、スチレ
ン樹脂、さらに電荷発生層の結着樹脂等を使用すること
が出来る。電荷輸送その構成は、結着樹脂100部に対
して、電荷輸送物質は25〜400重量部、好ましくは
50〜200重量部である。また、電荷輸送層の膜厚は
5〜60μm、好ましくは10〜30μmである。ま
た、必要に応じて用いられる添加剤としては、消泡剤、
酸化防止剤、接着補助剤、可塑剤等を挙げることができ
る。
【0137】本発明で使用される導電性基板としては、
アルミニウム、ニッケル、銅、ステンレス等の金属板、
金属ドラムまたは金属箔、アルミニウム、酸化錫、ヨウ
化銅等の薄膜を塗布したプラスチックフィルムあるいは
ガラス等が挙げられる。
アルミニウム、ニッケル、銅、ステンレス等の金属板、
金属ドラムまたは金属箔、アルミニウム、酸化錫、ヨウ
化銅等の薄膜を塗布したプラスチックフィルムあるいは
ガラス等が挙げられる。
【0138】本発明の電子写真用感光体は公知の塗布方
法、例えばディッピングコーター、カレンダーコータ
ー、キスコーター、グラビアコーター、スピンコータ
ー、スプレーコーター、等で作製することが出来る。
法、例えばディッピングコーター、カレンダーコータ
ー、キスコーター、グラビアコーター、スピンコータ
ー、スプレーコーター、等で作製することが出来る。
【0139】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、これ
により本発明の態様が限定されるものではない。
により本発明の態様が限定されるものではない。
【0140】実施例1 X型無金属フタロシアニン(Fastogen Blu
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化11で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化12で示されるフル
オレン化合物0.6gをボールミリングして作製したミ
ルベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6重量
%の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの厚さ
に蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの電荷
発生層を設けた。
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化11で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化12で示されるフル
オレン化合物0.6gをボールミリングして作製したミ
ルベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6重量
%の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの厚さ
に蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの電荷
発生層を設けた。
【化11】
【化12】 次いで、このトリフェニルアミン化合物(化11)2g
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、電子写真用感光体を作製した。
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、電子写真用感光体を作製した。
【0141】実施例2 電荷発生層の電子輸送物質を下記化13で示されるフル
オレン化合物に変えた以外は実施例1と同様の条件で電
子写真用感光体を作製した。
オレン化合物に変えた以外は実施例1と同様の条件で電
子写真用感光体を作製した。
【化13】
【0142】実施例3 電荷輸送層の電子輸送物質を下記化14で示されるジフ
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例1と同様の条件
で電子写真用感光体を作製した。
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例1と同様の条件
で電子写真用感光体を作製した。
【化14】
【0143】比較例1 電荷発生層から化11で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化12で示されるフルオレン化合物を除いた以
外は実施例1と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
合物及び化12で示されるフルオレン化合物を除いた以
外は実施例1と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
【0144】比較例2 電荷発生層から化11で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化12で示されるフルオレン化合物を除いた以
外は実施例3と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
合物及び化12で示されるフルオレン化合物を除いた以
外は実施例3と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
【0145】このようにして作製した電子写真用感光体
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例1、2及び比較例1の感光体は−6
KVで、実施例3、比較例2の感光体は+6KVでコロ
ナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに20秒間暗減
衰させ、その後感光体表面の照度が20ルックスになる
ようにタングステン光を30秒間照射した。以上の条件
で連続100回の測定を行ない、20秒間帯電後の表面
電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電位Vo
(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E1/2
(ルックス・秒)、Voが1/10になるのに要する露
光量E1/10(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面
電位V30(V)を測定した。結果を表11に示す。
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例1、2及び比較例1の感光体は−6
KVで、実施例3、比較例2の感光体は+6KVでコロ
ナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに20秒間暗減
衰させ、その後感光体表面の照度が20ルックスになる
ようにタングステン光を30秒間照射した。以上の条件
で連続100回の測定を行ない、20秒間帯電後の表面
電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電位Vo
(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E1/2
(ルックス・秒)、Voが1/10になるのに要する露
光量E1/10(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面
電位V30(V)を測定した。結果を表11に示す。
【表11】
【0146】実施例4 X型無金属フタロシアニン(Fastogen Blu
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化15で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化16で示されるフル
オレン化合物0.6gをボールミリングして作製したミ
ルベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6重量
%の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの厚さ
に蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの電荷
発生層を設けた。
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化15で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化16で示されるフル
オレン化合物0.6gをボールミリングして作製したミ
ルベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6重量
%の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの厚さ
に蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの電荷
発生層を設けた。
【化15】
【化16】 次いで、このトリフェニルアミン化合物(化15)2g
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、本発明の電子写真用感光体を作製し
た。
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、本発明の電子写真用感光体を作製し
た。
【0147】実施例5 電荷発生層の電子輸送物質を下記化17で示されるフル
オレン化合物に変えた以外は実施例4と同様の条件で本
発明の電子写真用感光体を作製した。
オレン化合物に変えた以外は実施例4と同様の条件で本
発明の電子写真用感光体を作製した。
【化17】
【0148】実施例6 電荷発生層の電子輸送物質を下記化18で示されるジフ
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例4と同様の条件
で電子写真用感光体を作製した。
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例4と同様の条件
で電子写真用感光体を作製した。
【化18】
【0149】比較例3 電荷発生層から化15で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化16で示されるフルオレン化合物を除いた以
外は実施例4と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
合物及び化16で示されるフルオレン化合物を除いた以
外は実施例4と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
【0150】比較例4 電荷発生層から化15で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化16で示されるフルオレン化合物を除いた以
外は実施例6と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
合物及び化16で示されるフルオレン化合物を除いた以
外は実施例6と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
【0151】このようにして作製した電子写真用感光体
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例4、5及び比較例3の感光体は−6
KVで、実施例6、比較例4の感光体は+6KVでコロ
ナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに20秒間暗減
衰させ、その後感光体表面の照度が20ルックスになる
ようにタングステン光を30秒間照射した。以上の条件
で連続100回の測定を行ない、20秒間帯電後の表面
電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電位Vo
(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E1/2
(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面電位V30
(V)を測定した。結果を表12に示す。
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例4、5及び比較例3の感光体は−6
KVで、実施例6、比較例4の感光体は+6KVでコロ
ナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに20秒間暗減
衰させ、その後感光体表面の照度が20ルックスになる
ようにタングステン光を30秒間照射した。以上の条件
で連続100回の測定を行ない、20秒間帯電後の表面
電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電位Vo
(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E1/2
(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面電位V30
(V)を測定した。結果を表12に示す。
【表12】
【0152】実施例7 X型無金属フタロシアニン(Fastogen Blu
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化19で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化20で示されるフル
オレン化合物0.6gをボールミリングして作製したミ
ルベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6重量
%の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの厚さ
に蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの電荷
発生層を設けた。
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化19で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化20で示されるフル
オレン化合物0.6gをボールミリングして作製したミ
ルベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6重量
%の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの厚さ
に蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの電荷
発生層を設けた。
【化19】
【化20】 次いで、このトリフェニルアミン化合物(化19)2g
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、電子写真用感光体を作製した。
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、電子写真用感光体を作製した。
【0153】実施例8 電荷発生層の電子輸送物質を下記化21で示されるフル
オレン化合物に変えた以外は実施例7と同様の条件で電
子写真用感光体を作製した。
オレン化合物に変えた以外は実施例7と同様の条件で電
子写真用感光体を作製した。
【化21】
【015442】実施例9 電荷輸送層の電子輸送物質を下記化22で示されるジフ
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例7と同様の条件
で電子写真用感光体を作製した。
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例7と同様の条件
で電子写真用感光体を作製した。
【化22】
【0155】比較例5 電荷発生層から化19で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化20で示されるフルオレン化合物を除いた以
外は実施例7と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
合物及び化20で示されるフルオレン化合物を除いた以
外は実施例7と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
【0156】比較例6 電荷発生層から化19で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化20で示されるフルオレン化合物を除いた以
外は実施例9と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
合物及び化20で示されるフルオレン化合物を除いた以
外は実施例9と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
【0157】このようにして作製した電子写真用感光体
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例7、8及び比較例5の感光体は−6
KVで、実施例9、比較例6の感光体は+6KVでコロ
ナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに20秒間暗減
衰させ、その後感光体表面の照度が20ルックスになる
ようにタングステン光を30秒間照射した。以上の条件
で連続100回の測定を行ない、20秒間帯電後の表面
電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電位Vo
(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E1/2
(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面電位V30
(V)を測定した。結果を表13に示す。
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例7、8及び比較例5の感光体は−6
KVで、実施例9、比較例6の感光体は+6KVでコロ
ナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに20秒間暗減
衰させ、その後感光体表面の照度が20ルックスになる
ようにタングステン光を30秒間照射した。以上の条件
で連続100回の測定を行ない、20秒間帯電後の表面
電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電位Vo
(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E1/2
(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面電位V30
(V)を測定した。結果を表13に示す。
【表13】
【0158】実施例10 X型無金属フタロシアニン(Fastogen Blu
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化23で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化24で示されるホモ
フタル酸誘導体0.6gをボールミリングして作製した
ミルベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6重
量%の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの厚
さに蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上にド
クターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの電
荷発生層を設けた。
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化23で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化24で示されるホモ
フタル酸誘導体0.6gをボールミリングして作製した
ミルベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6重
量%の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの厚
さに蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上にド
クターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの電
荷発生層を設けた。
【化23】
【化24】 次いで、このトリフェニルアミン化合物(化23)2g
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、本発明の電子写真用感光体を作製し
た。
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、本発明の電子写真用感光体を作製し
た。
【0159】実施例11 電荷発生層の電子輸送物質を下記化25で示されるホモ
フタル酸誘導体に変えた以外は実施例10と同様の条件
で本発明の電子写真用感光体を作製した。
フタル酸誘導体に変えた以外は実施例10と同様の条件
で本発明の電子写真用感光体を作製した。
【化25】
【0160】実施例12 電荷発生層の電子輸送物質を下記化26で示されるジフ
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例10と同様の条
件で電子写真用感光体を作製した。
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例10と同様の条
件で電子写真用感光体を作製した。
【化26】
【0161】比較例7 電荷発生層から化23で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化24で示されるホモフタル酸誘導体を除いた
以外は実施例10と同様の条件で電子写真用感光体を作
製した。
合物及び化24で示されるホモフタル酸誘導体を除いた
以外は実施例10と同様の条件で電子写真用感光体を作
製した。
【0162】比較例8 電荷発生層から化23で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化24で示されるホモフタル酸誘導体を除いた
以外は実施例12と同様の条件で電子写真用感光体を作
製した。
合物及び化24で示されるホモフタル酸誘導体を除いた
以外は実施例12と同様の条件で電子写真用感光体を作
製した。
【0163】このようにして作製した電子写真用感光体
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例10、11及び比較例7の感光体は
−6KVで、実施例12、比較例8の感光体は+6KV
でコロナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに20秒
間暗減衰させ、その後感光体表面の照度が20ルックス
になるようにタングステン光を30秒間照射した。以上
の条件で連続100回の測定を行ない、20秒間帯電後
の表面電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電位V
o(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E1/2
(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面電位V30
(V)を測定した。結果を表14に示す。
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例10、11及び比較例7の感光体は
−6KVで、実施例12、比較例8の感光体は+6KV
でコロナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに20秒
間暗減衰させ、その後感光体表面の照度が20ルックス
になるようにタングステン光を30秒間照射した。以上
の条件で連続100回の測定を行ない、20秒間帯電後
の表面電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電位V
o(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E1/2
(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面電位V30
(V)を測定した。結果を表14に示す。
【表14】
【0164】実施例13 X型無金属フタロシアニン(Fastogen Blu
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化27で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化28で示されるチア
ゾール化合物0.6gをボールミリングして作製したミ
ルベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6重量
%の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの厚さ
に蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの電荷
発生層を設けた。
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化27で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化28で示されるチア
ゾール化合物0.6gをボールミリングして作製したミ
ルベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6重量
%の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの厚さ
に蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの電荷
発生層を設けた。
【化27】
【化28】 次いで、このトリフェニルアミン化合物(化27)2g
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、電子写真用感光体を作製した。
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、電子写真用感光体を作製した。
【0165】実施例14 電荷発生層の電子輸送物質を下記化29で示されるオキ
サゾール化合物に変えた以外は実施例13と同様の条件
で電子写真用感光体を作製した。
サゾール化合物に変えた以外は実施例13と同様の条件
で電子写真用感光体を作製した。
【化29】
【0166】実施例15 電荷輸送層の電子輸送物質を下記化30で示されるジフ
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例13と同様の条
件で電子写真用感光体を作製した。
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例13と同様の条
件で電子写真用感光体を作製した。
【化30】
【0167】比較例9 電荷発生層から化27で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化28で示されるチアゾール化合物を除いた以
外は実施例13と同様の条件で電子写真用感光体を作製
した。
合物及び化28で示されるチアゾール化合物を除いた以
外は実施例13と同様の条件で電子写真用感光体を作製
した。
【0168】比較例10 電荷発生層から化27で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化28で示されるチアゾール化合物を除いた以
外は実施例15と同様の条件で電子写真用感光体を作製
した。
合物及び化28で示されるチアゾール化合物を除いた以
外は実施例15と同様の条件で電子写真用感光体を作製
した。
【0169】このようにして作製した電子写真用感光体
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例13、14及び比較例9の感光体は
−6KVで、実施例15、比較例10の感光体は+6K
Vでコロナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに20
秒間暗減衰させ、その後感光体表面の照度が20ルック
スになるようにタングステン光を30秒間照射した。以
上の条件で連続100回の測定を行ない、20秒間帯電
後の表面電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電位
Vo(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E1/
2(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面電位V30
(V)を測定した。結果を表15に示す。
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例13、14及び比較例9の感光体は
−6KVで、実施例15、比較例10の感光体は+6K
Vでコロナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに20
秒間暗減衰させ、その後感光体表面の照度が20ルック
スになるようにタングステン光を30秒間照射した。以
上の条件で連続100回の測定を行ない、20秒間帯電
後の表面電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電位
Vo(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E1/
2(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面電位V30
(V)を測定した。結果を表15に示す。
【表15】
【0170】実施例16 X型無金属フタロシアニン(Fastogen Blu
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化31で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化32で示されるピラ
ジン化合物0.6gをボールミリングして作製したミル
ベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6重量%
の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの厚さに
蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上にドクタ
ーブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの電荷発
生層を設けた。
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化31で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化32で示されるピラ
ジン化合物0.6gをボールミリングして作製したミル
ベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6重量%
の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの厚さに
蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上にドクタ
ーブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの電荷発
生層を設けた。
【化31】
【化32】 次いで、このトリフェニルアミン化合物(化31)2g
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、本発明の電子写真用感光体を作製し
た。
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、本発明の電子写真用感光体を作製し
た。
【0171】実施例17 電荷発生層の電子輸送物質を下記化33で示されるピラ
ジン化合物に変えた以外は実施例16と同様の条件で本
発明の電子写真用感光体を作製した。
ジン化合物に変えた以外は実施例16と同様の条件で本
発明の電子写真用感光体を作製した。
【化33】
【0172】実施例18 電荷発生層の電子輸送物質を下記化34で示されるジフ
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例16と同様の条
件で電子写真用感光体を作製した。
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例16と同様の条
件で電子写真用感光体を作製した。
【化34】
【0173】比較例11 電荷発生層から化31で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化32で示されるピラジン化合物を除いた以外
は実施例16と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
合物及び化32で示されるピラジン化合物を除いた以外
は実施例16と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
【0174】比較例12 電荷発生層から化31で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化32で示されるピラジン化合物を除いた以外
は実施例18と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
合物及び化32で示されるピラジン化合物を除いた以外
は実施例18と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
【0175】このようにして作製した電子写真用感光体
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例16、17及び比較例11の感光体
は−6KVで、実施例18、比較例12の感光体は+6
KVでコロナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに2
0秒間暗減衰させ、その後感光体表面の照度が20ルッ
クスになるようにタングステン光を30秒間照射した。
以上の条件で連続100回の測定を行ない、20秒間帯
電後の表面電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電
位Vo(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E
1/2(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面電位V3
0(V)を測定した。結果を表16に示す。
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例16、17及び比較例11の感光体
は−6KVで、実施例18、比較例12の感光体は+6
KVでコロナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに2
0秒間暗減衰させ、その後感光体表面の照度が20ルッ
クスになるようにタングステン光を30秒間照射した。
以上の条件で連続100回の測定を行ない、20秒間帯
電後の表面電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電
位Vo(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E
1/2(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面電位V3
0(V)を測定した。結果を表16に示す。
【表16】
【0176】実施例19 X型無金属フタロシアニン(Fastogen Blu
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化35で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化36で示されるピラ
ジン化合物0.6gをボールミリングして作製したミル
ベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6重量%
の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの厚さに
蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上にドクタ
ーブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの電荷発
生層を設けた。
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化35で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化36で示されるピラ
ジン化合物0.6gをボールミリングして作製したミル
ベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6重量%
の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの厚さに
蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上にドクタ
ーブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの電荷発
生層を設けた。
【化35】
【化36】 次いで、このトリフェニルアミン化合物(化35)2g
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、電子写真用感光体を作製した。
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、電子写真用感光体を作製した。
【0177】実施例20 電荷発生層の電子輸送物質を下記化37で示されるピラ
ジン化合物に変えた以外は実施例19と同様の条件で電
子写真用感光体を作製した。
ジン化合物に変えた以外は実施例19と同様の条件で電
子写真用感光体を作製した。
【化37】
【0178】実施例21 電荷輸送層の電子輸送物質を下記化38で示されるジフ
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例19と同様の条
件で電子写真用感光体を作製した。
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例19と同様の条
件で電子写真用感光体を作製した。
【化38】
【0179】比較例13 電荷発生層から化35で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化36で示されるピラジン化合物を除いた以外
は実施例19と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
合物及び化36で示されるピラジン化合物を除いた以外
は実施例19と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
【0180】比較例14 電荷発生層から化35で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化36で示されるピラジン化合物を除いた以外
は実施例21と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
合物及び化36で示されるピラジン化合物を除いた以外
は実施例21と同様の条件で電子写真用感光体を作製し
た。
【0181】このようにして作製した電子写真用感光体
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例19、20及び比較例13の感光体
は−6KVで、実施例21、比較例14の感光体は+6
KVでコロナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに2
0秒間暗減衰させ、その後感光体表面の照度が20ルッ
クスになるようにタングステン光を30秒間照射した。
以上の条件で連続100回の測定を行ない、20秒間帯
電後の表面電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電
位Vo(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E
1/2(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面電位V3
0(V)を測定した。結果を表17に示す。
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例19、20及び比較例13の感光体
は−6KVで、実施例21、比較例14の感光体は+6
KVでコロナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに2
0秒間暗減衰させ、その後感光体表面の照度が20ルッ
クスになるようにタングステン光を30秒間照射した。
以上の条件で連続100回の測定を行ない、20秒間帯
電後の表面電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電
位Vo(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E
1/2(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面電位V3
0(V)を測定した。結果を表17に示す。
【表17】
【0182】実施例22 X型無金属フタロシアニン(Fastogen Blu
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化39で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化40で示されるアン
トラキノン誘導体0.6gをボールミリングして作製し
たミルベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6
重量%の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの
厚さに蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上に
ドクターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの
電荷発生層を設けた。
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化39で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化40で示されるアン
トラキノン誘導体0.6gをボールミリングして作製し
たミルベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6
重量%の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの
厚さに蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上に
ドクターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの
電荷発生層を設けた。
【化39】
【化40】 次いで、このトリフェニルアミン化合物(化39)2g
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、本発明の電子写真用感光体を作製し
た。
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、本発明の電子写真用感光体を作製し
た。
【0183】実施例23 電荷発生層の電子輸送物質を下記化41で示されるアン
トラキノン誘導体に変えた以外は実施例22と同様の条
件で本発明の電子写真用感光体を作製した。
トラキノン誘導体に変えた以外は実施例22と同様の条
件で本発明の電子写真用感光体を作製した。
【化41】
【0184】実施例24 電荷発生層の電子輸送物質を下記化42で示されるジフ
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例22と同様の条
件で電子写真用感光体を作製した。
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例22と同様の条
件で電子写真用感光体を作製した。
【化42】
【0185】比較例15 電荷発生層から化39で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化40で示されるアントラキノン誘導体を除い
た以外は実施例22と同様の条件で電子写真用感光体を
作製した。
合物及び化40で示されるアントラキノン誘導体を除い
た以外は実施例22と同様の条件で電子写真用感光体を
作製した。
【0186】比較例16 電荷発生層から化39で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化40で示されるアントラキノン誘導体を除い
た以外は実施例24と同様の条件で電子写真用感光体を
作製した。
合物及び化40で示されるアントラキノン誘導体を除い
た以外は実施例24と同様の条件で電子写真用感光体を
作製した。
【0187】このようにして作製した電子写真用感光体
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例22、23及び比較例15の感光体
は−6KVで、実施例24、比較例16の感光体は+6
KVでコロナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに2
0秒間暗減衰させ、その後感光体表面の照度が20ルッ
クスになるようにタングステン光を30秒間照射した。
以上の条件で連続100回の測定を行ない、20秒間帯
電後の表面電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電
位Vo(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E
1/2(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面電位V3
0(V)を測定した。結果を表18に示す。
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例22、23及び比較例15の感光体
は−6KVで、実施例24、比較例16の感光体は+6
KVでコロナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに2
0秒間暗減衰させ、その後感光体表面の照度が20ルッ
クスになるようにタングステン光を30秒間照射した。
以上の条件で連続100回の測定を行ない、20秒間帯
電後の表面電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電
位Vo(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E
1/2(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面電位V3
0(V)を測定した。結果を表18に示す。
【表18】
【0188】実施例25 X型無金属フタロシアニン(Fastogen Blu
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化43で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化44で示されるフタ
ルイミド化合物0.6gをボールミリングして作製した
ミルベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6重
量%の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの厚
さに蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上にド
クターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの電
荷発生層を設けた。
e 8120BS 大日本インキ(株)製)0.3gを
ポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)の10重量%
テトラヒドロフラン溶液30g、下記化43で示される
正孔輸送物質であるトリフェニルアミン化合物0.6
g、及び電子輸送物質である下記化44で示されるフタ
ルイミド化合物0.6gをボールミリングして作製した
ミルベースにテトラヒドロフランを加え、撹拌し、6重
量%の塗布液を調整し、アルミニウムを1000Åの厚
さに蒸着した75μm厚のポリエステルフィルム上にド
クターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が5μmの電
荷発生層を設けた。
【化43】
【化44】 次いで、このトリフェニルアミン化合物(化43)2g
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、電子写真用感光体を作製した。
及びポリカーボネートZ(帝人化成(株)製)3g、フ
ェニルメチル−ポリシロキサン(KF50 信越化学
(株)製)0.002gをテトラヒドロフラン20gに
溶解して調整した塗布液を調整し、電荷発生層上にドク
ターブレードにて塗布し、乾燥後の膜厚が18μmの電
荷発生層を積層し、電子写真用感光体を作製した。
【0189】実施例26 電荷発生層の電子輸送物質を下記化45で示されるフタ
ルイミド化合物に変えた以外は実施例25と同様の条件
で電子写真用感光体を作製した。
ルイミド化合物に変えた以外は実施例25と同様の条件
で電子写真用感光体を作製した。
【化45】
【0190】実施例27 電荷輸送層の電子輸送物質を下記化46で示されるジフ
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例25と同様の条
件で電子写真用感光体を作製した。
ェノキノン化合物に変えた以外は実施例25と同様の条
件で電子写真用感光体を作製した。
【化46】
【0191】比較例17 電荷発生層から化43で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化44で示されるフタルイミド化合物を除いた
以外は実施例25と同様の条件で電子写真用感光体を作
製した。
合物及び化44で示されるフタルイミド化合物を除いた
以外は実施例25と同様の条件で電子写真用感光体を作
製した。
【0192】比較例18 電荷発生層から化43で示されるトリフェニルアミン化
合物及び化44で示されるフタルイミド化合物を除いた
以外は実施例27と同様の条件で電子写真用感光体を作
製した。
合物及び化44で示されるフタルイミド化合物を除いた
以外は実施例27と同様の条件で電子写真用感光体を作
製した。
【0193】このようにして作製した電子写真用感光体
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例25、26及び比較例17の感光体
は−6KVで、実施例27、比較例18の感光体は+6
KVでコロナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに2
0秒間暗減衰させ、その後感光体表面の照度が20ルッ
クスになるようにタングステン光を30秒間照射した。
以上の条件で連続100回の測定を行ない、20秒間帯
電後の表面電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電
位Vo(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E
1/2(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面電位V3
0(V)を測定した。結果を表19に示す。
を川口電機(株)製の静電複写紙試験装置(SP−42
8)を用い、実施例25、26及び比較例17の感光体
は−6KVで、実施例27、比較例18の感光体は+6
KVでコロナ放電を20秒間行なって帯電し、さらに2
0秒間暗減衰させ、その後感光体表面の照度が20ルッ
クスになるようにタングステン光を30秒間照射した。
以上の条件で連続100回の測定を行ない、20秒間帯
電後の表面電位Vs(V)、20秒間暗減衰後の表面電
位Vo(V)、Voが1/2になるのに要する露光量E
1/2(ルックス・秒)及び30秒間露光後の表面電位V3
0(V)を測定した。結果を表19に示す。
【表19】
【0194】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、電荷
発生層中に正孔輸送物質及び電子輸送物質を必須成分と
して含有させたため、比較的少ない電荷発生物質含有量
で、帯電性に優れると共に、複写プロセスの繰り返しの
に対し、静電特性の安定性に優れかつ機械耐久性に優れ
た機能分離型の電子写真用感光体を得ることができる。
発生層中に正孔輸送物質及び電子輸送物質を必須成分と
して含有させたため、比較的少ない電荷発生物質含有量
で、帯電性に優れると共に、複写プロセスの繰り返しの
に対し、静電特性の安定性に優れかつ機械耐久性に優れ
た機能分離型の電子写真用感光体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に従った電子写真用感光体の一例を示す
概略図である。
概略図である。
【符号の説明】 1 電荷輸送層 2 電荷発生層 3 導電性基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小島 明夫 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 市川 由美 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小谷野 正行 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 河原 恵美 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 黒須 久雄 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内
Claims (13)
- 【請求項1】導電性支持体上に、少なくとも光吸収によ
り伝導キャリアを発生することができる電荷発生層と、
前記電荷発生層で発生した伝導キャリアを輸送すること
ができる電荷輸送層とからなる感光層を有する電子写真
感光体において、該電荷発生層が、必須成分として、電
荷発生物質、正孔輸送物質、電子輸送物質および結着樹
脂を含有することを特徴とする電子写真用感光体。 - 【請求項2】前記電荷発生層に含有される電子輸送物質
が、下記一般式化1で表わされるフルオレン系化合物で
あることを特徴とする請求項1記載の電子写真用感光
体。 【化1】 (式中、R1は置換もしくは非置換の芳香族基、置換も
しくは非置換の複素環基、あるいはアルコキシカルボニ
ル基を表し、x,yは0,1,2,3又は4の整数を表
す。ただし、1≦x+y≦4である。) - 【請求項3】前記電荷発生層に含有される電子輸送物質
が、下記一般式化2で表わされるフルオレン系化合物で
あることを特徴とする請求項1記載の電子写真用感光
体。 【化2】 (式中、R1,R2,R3は水素原子、置換もしくは無置
換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換の
アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアシル
基、置換もしくは無置換のスルホニル基、置換もしくは
無置換のスルホンアミド基、置換もしくは無置換のカル
バモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基を表
し、また、R1環を形成してもよく、XはO又はSを表
し、l,m,nは1〜4の整数を表す。) - 【請求項4】前記電荷発生層に含有される電子輸送物質
が、下記一般式化3で表わされるフルオレン系化合物で
あることを特徴とする請求項1記載の電子写真用感光
体。 【化3】 (式中、R1はアルキル基を表す。ただし、R1は相互に
結合して環を形成しても良い。また、nは1,2,3又
は4の整数を表す。) - 【請求項5】前記電荷発生層に含有される電子輸送物質
が、下記一般式化4で表されるホモフタル酸誘導体であ
ることを特徴とする請求項1記載の電子写真用感光体。 【化4】 (式中、R1は水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、
シアノ基またはニトロ基を表し、R2は置換もしくは無
置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルカ
ン基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Arは
置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換
の多環芳香族基、あるいは置換もしくは無置換の複素環
基を表す。) - 【請求項6】前記電荷発生層に含有される電子輸送物質
が、下記一般式化5で表されるオキサゾールまたはチア
ゾール系化合物であることを特徴とする請求項1記載の
電子写真用感光体。 【化5】 (式中、XはOまたはSを表し、Rは置換基、nは整数
で、置換基Rの個数を表しす。また、Rは同一の置換基
でも異種の置換基でも良い。) - 【請求項7】前記電荷発生層に含有される電子輸送物質
が、下記一般式化6で表されるピラジン系化合物である
ことを特徴とする請求項1記載の電子写真用感光体。 【化6】 (式中、Xは=C(Y)(Z)、=N(CN)であり、
更に、Y、Zは水素、シアノ基、COOR、置換もしく
は無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル
基より選ばれた置換基を表す。Rは置換もしくは無置換
のアルキル基、または置換もしくは無置換のフェニル基
を表す。Wはアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシカ
ルボニル基、フェニル基、シアノ基、ニトロ基より選ば
れた置換基を表す。nは0〜4の整数を表す。) - 【請求項8】前記電荷発生層に含有される電子輸送物質
が、下記一般式化7で表されるピラジン系化合物である
ことを特徴とする請求項1記載の電子写真用感光体。 【化7】 (式中、Rは置換もしくは無置換のフェニル基、置換も
しくは無置換のナフチル基を表す。) - 【請求項9】前記電荷発生層に含有される電子輸送物質
が、下記一般式化8で表されるアントラキノン誘導体で
あることを特徴とする請求項1記載の電子写真用感光
体。 【化8】 - 【請求項10】前記電荷発生層に含有される電子輸送物
質が、下記一般式化9で表されるアントラキノン誘導体
であることを特徴とする請求項1記載の電子写真用感光
体。 【化9】 - 【請求項11】前記電荷発生層に含有される電子輸送物
質が、下記一般式化10で表されるフタルイミド系化合
物であることを特徴とする請求項1記載の電子写真用感
光体。 【化10】 (式中、R1及びR2は置換または無置換のアルキル基、
置換または無置換のシクロアルカン基、置換または無置
換のフェニル基、Xは=O、=(Y)(Z)、=N(C
N)であり、Y及びZは水素原子、置換または無置換の
フェニル基、シアノ基、置換または無置換のアルコキシ
カルボニル基を表す。) - 【請求項12】前記電荷発生層中の電荷発生物質が、該
必須成分である結着樹脂に対し0.1〜40重量%の割
合で含有されることを特徴とする請求項1記載の電子写
真用感光体。 - 【請求項13】前記電荷発生層中の電荷発生物質が、該
必須成分である結着樹脂に対し0.3〜25重量%の割
合で含有されることを特徴とする請求項1記載の電子写
真用感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35429793A JPH07199486A (ja) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 電子写真用感光体 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35429793A JPH07199486A (ja) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 電子写真用感光体 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07199486A true JPH07199486A (ja) | 1995-08-04 |
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ID=18436593
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP35429793A Pending JPH07199486A (ja) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 電子写真用感光体 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07199486A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1749822A1 (en) | 2005-08-05 | 2007-02-07 | Hybrigenics S.A. | Novel cysteine protease inhibitors and their therapeutic applications |
WO2007017758A2 (en) | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Hybrigenics Sa | Novel cysteine protease inhibitors and their therapeutic applications |
US7291430B2 (en) * | 2002-07-02 | 2007-11-06 | Xerox Corporation | Imaging members |
US7297458B2 (en) | 2004-06-29 | 2007-11-20 | Xerox Corporation | Imaging members |
JP2010164816A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Kyocera Mita Corp | 電子写真感光体 |
JP2010175881A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Kyocera Mita Corp | 電子写真感光体及び画像形成装置 |
-
1993
- 1993-12-30 JP JP35429793A patent/JPH07199486A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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