JPH0718972Y2 - 磁気検出装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は磁気記録媒体に記録された磁気信号を磁気抵抗
素子を用いて検出し電気信号として出力する磁気検出装
置に関する。

（従来の技術） 強磁性金属や半導体の電気抵抗が磁界の作用によって変
化する磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗素子を検出用セ
ンサとして用い、磁気記録媒体に記録された磁気信号を
検出する磁気検出装置が知られており、磁気信号検出用
のセンサ、磁界の測定、変位センサ、回転数センサ、回
転角センサ等、広く利用されている。

第５図に上記磁気抵抗素子を用いた磁気検出装置の一般
的な構成例を示す。

ここで、図中MRは磁気抵抗素子を示し、この磁気抵抗素
子MRは抵抗値が夫々R₁₁，R₁₂で示される２つの磁気抵抗
ストライプMR₁，MR₂によって構成されている。各磁気抵
抗ストライプMR₁，MR₂は磁気記録媒体４に対向して配置
されており、磁気記録媒体４の磁気信号、例えば、図示
の様にN,S極が交互に一定の周期で配列された磁気信
号、の記録波長がλの場合には、２つの磁気抵抗ストラ
イプMR₁，MR₂間の距離は通常λ/4に設定される。

また、各磁気ストライプMR₁，MR₂の一端側は共通の電源
電圧Vcと接続され、他端側は夫々定電流源5,6に接続さ
れる。

ここで、磁気抵抗素子MRによって検出される磁気信号
は、２つの磁気抵抗ストライプMR₁，MR₂の電圧V₁₁，V₁₂
の差V₁₁−V₁₂、即ち差動出力として検出される。

（考案が解決しようとする課題） ところで、第５図に示す磁気検出装置において、磁気抵
抗素子MRと磁気記録媒体４とを図中Ｆで示す相対移動方
向へ一定速度で移動させると、検出される上記差動出力
V₁₁−V₁₂は第６図に示す如く近似正弦波となる。

ところが、磁気抵抗素子MRの各磁気抵抗ストライプM
R₁，MR₂の抵抗値や磁気記録媒体４に記録された磁気信
号の強さ等は温度に対して影響を受けるため、検出され
た上記差動出力V₁₁−V₁₂の振幅A₁は、第７図に示すよう
に、−1800ppm/℃程度の温度係数を有する。

ここで、差動出力の振幅が何故−1800ppm/℃程度の温度
係数を有するかについて説明する。

第５図において、磁気抵抗素子MRと磁気記録媒体４の相
対移動距離をｘとすれば、各磁気抵抗ストライプMR₁，M
R₂の抵抗変化は一方の磁気抵抗ストライプMR₁の抵抗R₁₁
（ｘ）を基準とすると、 R₁₂（ｘ）＝R₁₁（ｘ＋λ/4） ‥‥（） となる。

今、磁気抵抗ストライプMR₁，MR₂に記録信号の磁束密
度、 Ｂ（ｘ）＝Ba sin｛（２π／λ）ｘ｝ ‥‥（） の磁界が加わるとする。また、磁気抵抗ストライプの印
加磁束密度に対する抵抗変化率を第８図（ａ）に示す如
く２次曲線に近似して ρ（Ｂ（ｘ））＝Ａ｛Ｂ（ｘ）｝² ‥‥（） と仮定する。

ここで、第８図（ｂ）に示すような磁束密度が磁気抵抗
ストライプに印加されると、第８図（ｃ）に示すように
抵抗変化率ρ（Ｂ（ｘ））が変化する。即ち、基準側の
磁気抵抗ストライプMR₁の抵抗値R₁₁の、磁束密度がＢ
（ｘ）＝Ｏ（gauss）での抵抗値をR₀とすると、R₁₁は次
式で表される。

R₁₁（ｘ）＝R₀｛１−ρ（Ｂ（ｘ））｝ ‥‥（） 即ち、Ｂ（ｘ）が印加されると、R₁₁（ｘ）はR₀からR₀
ρ（Ｂ（ｘ））だけ抵抗値が減少する。

ここで、上記（）式を（），（）式を用いて書き
下すと となり、また、（）式よりR₁₂（ｘ）は次式で表され
る。

ここで、第５図より、磁気抵抗ストライプMR₁，MR₂の差
動出力V₁₁（ｘ）−V₁₂（ｘ）は、 V₁₁−V₁₂＝Vc−R₁₁（ｘ）Ｉ−｛Vc−R₁₂（ｘ）Ｉ｝ ＝｛R₁₂（ｘ）−R₁₁（ｘ）Ｉ ‥‥（） であるから、（），（）式を用いて、 V₁₁−V₁₂＝−ABa²R₀Icos｛４π／λ）ｘ｝ となる。

即ち、差動出力V₁₁（ｘ）−V₁₂（ｘ）の振幅A₁は、第９
図に示すように、 A₁＝ABa²R₀I となることが判る。

したがって、振幅A₁＝ABa²R₀Iより、振幅A₁の温度係数
は４つの因子、A,Ba²，R₀,I即ち、 の各温度係数の影響を受けることがわかる。

ここで、第５図に示す磁気検出装置では、通常、ドライ
ブ電流の温度係数は0ppm/℃であるため、A,Ba,R₀の３つ
の因子の相互の影響（Ａ×Ba²×R₀）による温度係数−1
800ppm/℃が振幅の温度係数−1800ppm/℃として表われ
るわけである。

ところが、上記A,Ba,R₀の３つの因子の温度係数は物性
的に一義的に決まる値であるため、各因子の温度係数を
０にすることは不可能であり、このため、振幅の温度係
数を０にすることは困難である。

したがって、第５図に示す構成の磁気検出装置では、出
力信号V₁₁−V₁₂の振幅A₁が負の温度特性を持っているた
め、出力信号の温度による影響を除くためには、後段に
接続される信号処理回路で温度補償をしなければならな
かった。

尚、磁気抵抗素子を用いた磁気検出装置で、磁気抵抗素
子の抵抗の温度変化を考慮した磁気検出装置、イ）特開
昭61−91577号、ロ）特開昭61−86614号が提案されてい
る。

ここで、上記イ）記載の磁気検出装置は、磁気抵抗素子
と、この磁気抵抗素子と同じ抵抗温度係数を有する抵抗
体の各一端を共通電位に接続し、各他端を夫々独立した
定電流源に接続するとともに、前記磁気抵抗素子と抵抗
体の前記他端の電圧差を検出することを特徴としてい
る。

また、ロ）記載の磁気検出装置（差動センサ）は、２つ
の磁気抵抗素子が、それらの隣接端子で相互に接続され
ており、かつ前記２つの磁気抵抗素子を経て電流が流れ
るようにした作動センサにおいて、２つの磁気抵抗素子
の接続点がアース接続されており、前記磁気抵抗素子の
自由端子間の電圧がセンサ出力電圧として取り出される
ようにしたことを特徴とする差動センサであり、上記電
流が、磁気抵抗素子の抵抗値の変化を補償するように、
温度に対して逆依存性を有していることを特徴としてい
る。

しかしながら、上記イ）、ロ）の何れも、磁気抵抗素子
の抵抗値の温度変化に対する配慮はなされているが、そ
の他の因子による影響に対しては考慮されておらず、し
かも、前述した磁気検出装置の出力信号の振幅の温度係
数の問題に関する記載はなく、この問題を解決し得る手
段も開示されていない。

したがって、上記イ）、ロ）に記載された磁気検出装置
においても、前述した、出力信号の振幅の温度係数の問
題を解決することはできない。

本考案は上記事情に鑑みてなされたものであって、磁気
信号検出段で温度補償を行ない、出力信号の温度依存性
の問題を解消した磁気検出装置を提供することを目的と
する。

（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するため、本考案は、磁気信号を記録し
た磁気記録媒体に対向配置され上記磁気信号を検出する
磁気抵抗素子と、上記磁気抵抗素子に電圧を印加する電
源と、上記磁気抵抗素子と直列に接続される定電流源と
を備え、上記磁気抵抗素子は１つあるいは所定の間隔を
おいて配置された２つの磁気抵抗ストライプからなり、
磁気抵抗素子が１つの磁気抵抗ストライプからなる場合
はその一端を上記電源に接続し他端側を上記定電流源に
接続して磁気抵抗ストライプに定電流を流すことにより
磁気抵抗ストライプの出力電圧から磁気信号に応じた正
弦波状の出力信号を検出し、磁気抵抗素子が２つの磁気
抵抗ストライプからなる場合は該２つの磁気抵抗ストラ
イプの一端側を共通の電源に接続し他端側をそれぞれ定
電流源に接続して上記２つの磁気抵抗ストライプにそれ
ぞれ同じ値の定電流を流すことにより両磁気抵抗ストラ
イプの出力電圧差（差動出力）から磁気信号に応じて正
弦波状の出力信号を検出する磁気検出装置において、 上記定電流源は、磁気抵抗素子の磁気抵抗ストライプと
接続される電流制御用の増幅器と、該増幅器と接地側と
の間に接続され磁気抵抗ストライプに流れる電流値を検
出するための電流検出用抵抗と、電源と接地側との間に
直列接続した少なくとも２つの抵抗からなり電源側抵抗
と接地側抵抗の中間部が上記増幅器に接続され基準電圧
を増幅器に対して発生する基準電圧回路とを備え、 上記増幅器は、磁気抵抗ストライプと電流検出用抵抗と
の間に接続される電流制御素子（トランジスタ等）と、
電流制御素子と電流検出用抵抗との接続部の電圧が入力
される負の入力端子と上記基準電圧が入力される正の入
力端子及び上記電流制御素子の制御用端子に電圧を出力
する出力端子を有し上記正・負の入力端子に入力される
電圧が等しくなるように出力電圧を電流制御素子の制御
用端子に帰還して磁気抵抗ストライプに流れる電流を制
御するためのオペアンプとから構成され、 上記基準電圧回路内の上記接地側の抵抗は、上記電源側
の抵抗よりも大きな正の温度係数を有することを特徴と
する。

（作用） 本考案では、磁気検出装置の定電流源を増幅器と基準電
圧回路と電流検出用抵抗で構成し、増幅器を電流制御素
子（トランジスタ（パワートランジスタ,FET）等）とオ
ペアンプとからなる負帰還型の増幅器とし、磁気抵抗素
子の磁気抵抗ストライプに流れる電流値を上記電流検出
用抵抗にかかる電圧として検出して増幅器のオペアンプ
の負の入力端子に帰還し、該帰還電圧がオペアンプの正
の入力端子に入力される基準電圧と等しくなるように電
流制御素子を制御しているため、磁気抵抗ストライプに
流れる電流を定電流にすることができる。そして本考案
では、定電流を得るための基準となる電圧を増幅器に対
して発生する基準電圧回路内の接地側の抵抗が電源側の
抵抗よりも大きな正の温度係数を有する構成としたこと
により、基準電圧に正の温度係数を持たせることがで
き、従って、電流検出用抵抗を流れる電流、すなわち磁
気抵抗ストライプに流れる電流に正の温度係数を持たせ
ることができるため、磁気抵抗素子の出力の負の温度係
数が相殺され、磁気抵抗素子の出力信号の振幅の温度依
存性（温度変化）を除去することができる。

（実施例） 以下、本考案を図示の実施例に基づいて詳細に説明す
る。

第１図は本考案による磁気検出装置の概略回路構成例を
示し、図中符号MRは２つの磁気抵抗ストライプMR₁，MR₂
からなる磁気抵抗素子であって、各磁気抵抗ストライプ
MR₁，MR₂は磁気信号（図示の例では、N,S極を交互に一
定周期で記録した磁気信号の例を示す）を記録した磁気
記録媒体４に対向して配置される。また、図中符号１は
上記磁気抵抗素子と直列に接続される定電流源を示して
いる。

ここで、第１図に示す磁気検出装置の全体構成は第５図
に示すものとほぼ同様のものであるが、本考案において
は、上記定電流源１を、磁気抵抗素子MRの磁気抵抗スト
ライプMR₁，MR₂と接続される電流制御用の増幅器２と、
この増幅器２と接地側との間に接続され磁気抵抗ストラ
イプMR₁，MR₂に流れる電流値を検出するための電流検出
用抵抗R₁，R₂と、電源Vcと接地側との間に直列接続した
少なくとも２つの抵抗R₄，R₅からなり電源側抵抗R₄と接
地側抵抗R₅の中間部が上記増幅器２に接続され基準電圧
V_CNTLを増幅器２に対して発生する基準電圧回路３とを
備えた構成としている。また、上記増幅器２は、磁気抵
抗ストライプMR₁，MR₂と電流検出用抵抗R₁，R₂との間に
接続される電流制御素子（トランジスタ（パワートラン
ジスタ、FET）等）TR₁，TR₂と、電流制御素子TR₁，TR₂
と電流検出用抵抗R₁，R₂との接続部（何れか１方側で良
く、図示の例ではR₂側）の電圧V₂が入力される負の入力
端子と上記基準電圧V_CNTLが入力される正の入力端子及
び上記電流制御素子TR₁，TR₂の制御用端子に電圧を出力
する出力端子を有し上記正・負の入力端子に入力される
電圧（V_CNTL，V₂）が等しくなるように出力電圧V_outを
電流制御素子TR₁，TR₂の制御用端子に帰還して磁気抵抗
ストライプMR₁，MR₂に流れる電流を制御するためのオペ
アンプOP₁とから構成されている。

また、本考案では、上記基準電圧回路３内の上記接地側
の抵抗R₅は、上記電源側の抵抗R₄よりも大きな正の温度
係数を有することを特徴としている。

以下、より具体的な実施例として、増幅器２の電流制御
素子にnpn形のパワートランジスタを用いた例で説明す
る。

ここで、図示の例では、増幅器２は、磁気抵抗素子MRの
各磁気抵抗ストライプMR₁，MR₂に夫々コレクタ端子側が
接続されエミッタ端子側を夫々上記電流検出用抵抗R₁，
R₂と接続されて２つのトランジスタTR₁，TR₂と、その２
つのトランジスタTR₁，TR₂のベース端子に抵抗を介して
出力端子側が接続され、正の入力端子が上記基準電圧回
路３へ、負の入力端子が上記電流検出用抵抗R₁，R₂のR₂
側に接続されるオペアンプOP₁とによって構成される。

また、上記基準電圧回路３は２つの抵抗器R₄，R₅を直列
に接続した構成からなり、抵抗器R₄の自由端子側が電源
電圧Vcと接続され、抵抗器R₅の自由端子側が接地されて
いる。また、上記オペアンプOP₁の上記正の入力端子
は、抵抗器R₄，R₅の中間部に接続されている。

ここで、上記オペアンプOP₁は負の入力端子に入力され
る電圧V₂と正の入力端子に入力される電圧V_CNTLが等し
くなるように出力電圧Voutを出力する。また、オペアン
プOP₁の正の入力端子に入力される基準電圧回路３の電
圧V_CNTLは、次式で表される。

尚、増幅器２内のオペアンプOP₁の出力端子側に接続さ
れる抵抗器R₃は発振防止用に設けられている。また、上
記２つのトランジスタTR₁，TR₂としては、通常ワンパッ
ケージに２つのトランジスタTR₁，TR₂が入っているデュ
アルトランジスタが用いられる。

また、上記電流検出用抵抗R₁，R₂としては、同じ抵抗
値、同じ温度係数のものが使用される。

上記基準電圧回路３内の抵抗器R₄は温度係数が0ppm/℃
に近いなるべく温度係数の小さい抵抗器、また、抵抗器
R₅は正の温度係数の抵抗器であり、この抵抗器R₅の温度
係数は、オペアンプOP₁の正の入力端子に入力される電
圧V_CNTLの温度係数が正になるように、抵抗器R₄の温度
係数より大きくする。

尚、抵抗器R₃はオペアンプOP₁のゲインが小さいとき、
あるいは、トランジスタTR₂のh_FEが小さいときには省く
ことができる。

さて、以上の構成からなる定電流源１を備えた磁気検出
装置では、２つのトランジスタTR₁，TR₂のベースからエ
ミッタへ流れる電流はコレクタからエミッタへ流れる電
流I₁₁，I₁₂に比べてはるかに小さいので無視すると、一
方側の電流検出用抵抗R₁にはI₁₁が流れ、他方の電流検
出用抵抗R₂にはI₁₂が流れると近似することができる。

したがって、オペアンプOP₁は、負の入力端子の入力電
圧V₂、 V₂＝R₂I₁₂ ‥‥（２） と正の入力端子に入力される基準電圧V_CNTLとを等しく
するように出力電圧Vout、即ちベース電圧V_Bを出力す
る。即ち次式、 I₁₂＝V_CNTL／R₂ ‥‥（３） が成立ち、V_CNTLと抵抗R₂とによりI₁₂が定まる。ここ
で、抵抗R₂は電流検出器の役割を果たしている。

また、２つのトランジスタTR₁，TR₂のそれぞれのベー
ス、エミッタ間電圧が等しいとすると、 R₁I₁₁＝R₂I₁₂ ‥‥（４） が成立ち、R₁＝R₂のときには、 I₁₁＝I₁₂ ‥‥（５） となる。

したがって、R₁＝R₂とすれば、磁気抵抗ストライプM
R₁，MR₂を同じ電流値I₁₁＝I₁₂でドライブすることにな
る。また、この電流値は、（３）式より、V_CNTL、R₂に
より決定される。

さて、基準電圧回路３の抵抗器R₅は前述したように正の
温度係数を持つので、基準電圧回路３の出力電圧V_CNTL
も正の温度係数を持つことになる。したがって、（３）
式より明らかなように、電流検出用抵抗R₂を流れる電流
I₁₂は正の温度係数を持ち、また、電流検出用抵抗R₁を
流れる電流I₁₁も、同様に（５）式より、正の温度係数
を持つ。

したがって、第１図に示す構成の本考案による磁気検出
装置では、電流I₁₁，I₁₂の温度係数が＋1800ppm/℃にな
るように基準電圧回路３の抵抗器R₄，R₅の抵抗値及び温
度係数を選ぶことにより、出力信号（差動電圧）V₁₁−V
₁₂の振幅A₁の温度依存性（温度変化）を除去することが
できる。

第２図は本考案による磁気検出装置の出力信号の振幅と
A₁と温度との関係を示したもので、振幅A₁は温度によっ
て変化せず、したがって、振幅の温度依存性はない。

第３図は本考案の別の実施例を示す磁気検出装置の概略
回路構成図を示し、この磁気検出装置では、第１図に示
した装置の基準電圧回路３の抵抗器R₅を２つの抵抗器R
₅₁とR₆に分割し、この２つの抵抗器R₅₁，R₆を直列に接
続したものである。

ここで、一方の抵抗器R₅₁は磁気抵抗素子MRの２つの磁
気抵抗ストライプMR₁，MR₂と同一のチップ上に形成され
たストライプ状の線状抵抗であり、信号磁界によりその
抵抗値が変化しないように磁気抵抗ストライプMR₁，MR₂
と直角に配置される。また、抵抗値を大きくしたい場合
にはパターンを往復させる。また、他方の抵抗器R₆は、
基準電圧回路３の他の抵抗器R₄と同様に、第１図に示し
た回路の抵抗器R₅と比較して温度係数が小さく、0ppm/
℃前後のものが使用される。

ところで、磁気検出装置において出力信号の温度補償を
するときには、温度補償をする対象即ち磁気抵抗素子及
び磁気記録媒体の近くに温度補償回路の温度センサ部が
あればあるほど、より精度の良い温度補償ができる。第
３図に示す構成の磁気検出装置ではこれを目的としてお
り、前述した、磁気抵抗ストライプMR₁，MR₂と同一のチ
ップ上に形成された抵抗器R₅₁が温度補償回路の温度セ
ンサの役割を果たすものである。

尚、上記抵抗器R₅₁は磁気抵抗素子と同じ材料、若しく
は同様の温度係数を有する材料で形成され、磁気抵抗素
子と同じ温度係数を持つように設定される。例えば、強
磁性金属Ni−Feを材料とした磁気抵抗素子の場合、200
〜4000ppm/℃の温度係数を持つが、このとき抵抗器R₅₁
も同じ温度係数を有するように形成される。

さて、第３図に示す構成の磁気検出装置では、第１図に
示した磁気検出装置と同様に、基準電圧回路３の基準電
圧V_CNTLの温度係数が1800ppm/℃になるように基準電圧
回路３の各抵抗器R₄，R₅₁，R₆の抵抗値を決定すること
により、差動出力信号V₁₁−V₁₂の振幅の温度依存性を除
去することができる。尚、場合によっては抵抗器R₆は省
くことができる。

ところで、先の第１図に示した磁気検出装置の説明で用
いた、前記（３）式へ（１）式を代入すると、 となる。この式より、I₁₂の他の温度補償方法として
は、 Ａ）電源電圧Vcの温度係数を＋1800ppm/℃とする。

Ｂ）電流検出抵抗R₁，R₂の抵抗温度係数を−1800ppm/℃
とする。

の２案が考えられる。

しかるに、上記Ａ）の温度補償方法については、第１図
に示した構成の磁気検出装置の、基準電圧回路３の抵抗
器R₄に印加される電源電圧Vcの温度係数を＋1800ppm/℃
とすればよいのだが、電源電圧Vcを発生する電源回路の
他に基準電圧を発生する回路を設けねばならず、回路構
成が複雑となり、コストも増大し、余り得策ではない。

また、上記Ｂ）の温度補償方法では、前記（５）式に示
す条件を満たすためには、電流検出抵抗R₁，R₂の抵抗温
度係数を同時に−1800ppm/℃としなければならない。即
ち、−1800ppm/℃という特殊な温度係数の、しかも、ペ
アマッチング性の良い抵抗器を２つ使用しなくてはなら
ず、抵抗器の選定に手間がかかる。

したがって、磁気検出装置の温度補償としては、第１図
及び第３図に示した実施例の回路構成の方が簡単で、且
つ安価に実現することができる。

尚、第１図においては、いわゆるポジションエンコーダ
のインクリメンタル相で説明したが、原点（絶対）相の
場合も同様に扱うことができる。

また、第１図及び第３図に示す実施例の磁気検出装置は
差動出力の場合について示してあるが、第４図に示す磁
気検出装置のように、磁気抵抗ストライプMR₂が片側だ
けの片出力の場合にも同様に出力信号の温度補償を行な
うことができる。

尚、第４図において、第１図と同じ符号を付したものは
同機能を有するものであり、説明を省略する。

（考案の効果） 以上、図示の実施例に基づいて説明したように、本考案
によれば、磁気検出装置の出力信号の振幅の温度係数を
０とすることができる。

また、簡単な回路構成で磁気信号検出段の精度の良い温
度補償が実現できたので、後段の信号処理が容易にな
る。

したがって、本考案によれば、後段の信号処理回路をも
含めて安く回路を構成することができ、しかも、出力信
号の温度依存性が解消された性能の良い磁気検出装置を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例を示す磁気検出装置の概略回
路構成図、第２図は第１図に示す本考案による磁気検出
装置の出力信号の振幅と温度との関係を示すグラフ、第
３図は本考案の別の実施例を示す磁気検出装置の概略回
路構成図、第４図は本考案のさらに別の実施例を示す磁
気検出装置の概略回路構成図、第５図は従来技術の一例
を示す磁気検出装置の概略回路構成図、第６図は第５図
に示す磁気記録媒体に記録された磁気信号を磁気抵抗素
子を磁気記録媒体に対して相対的に移動することにより
検出した時の磁気検出装置の出力信号の時間変化を示す
グラフ、第７図は第５図に示す従来の磁気検出装置の出
力信号の振幅と温度との関係を示すグラフ、第８図
（ａ）は第５図に示す磁気検出装置の磁気抵抗ストライ
プに印加される磁界の磁束密度と磁気抵抗ストライプの
抵抗変化率との関係を２次曲線に近似して示したグラ
フ、第８図（ｂ）は第５図に示す構成の磁気検出装置に
おいて磁気記録媒体と磁気抵抗素子とを相対移動した時
に磁気抵抗ストライプに印加される磁束密度の変化の一
例を示すグラフ、第８図（ｃ）は第５図に示す磁気検出
装置において磁気抵抗ストライプに第８図（ｂ）に示す
ような磁束密度が印加された時の磁気抵抗ストライプの
抵抗変化率の変化を示すグラフ、第９図は第５図に示す
磁気検出装置において磁気抵抗ストライプの抵抗変化率
が第８図（ｃ）の如く変化した時の出力信号の変化を示
すグラフである。 １‥‥定電流源、２‥‥増幅器、３‥‥基準電圧回路、
４‥‥磁気記録媒体、MR‥‥磁気抵抗素子、MR₁，MR₂‥
‥磁気抵抗ストライプ、OP₁‥‥オペアンプ、R₁，R₂‥
‥電流検出用抵抗、R₄，R₅‥‥基準電圧回路内の抵抗、
TR₁，TR₂‥‥トランジスタ、Vc‥‥電源電圧。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気信号を記録した磁気記録媒体に対向配
   置され上記磁気信号を検出する磁気抵抗素子と、上記磁
   気抵抗素子に電圧を印加する電源と、上記磁気抵抗素子
   と直列に接続される定電流源とを備え、上記磁気抵抗素
   子は１つあるいは所定の間隔をおいて配置された２つの
   磁気抵抗ストライプからなり、磁気抵抗素子が１つの磁
   気抵抗ストライプからなる場合はその一端を上記電源に
   接続し他端側を上記定電流源に接続して磁気抵抗ストラ
   イプに定電流を流すことにより磁気抵抗ストライプの出
   力電圧から磁気信号に応じた正弦波状の出力信号を検出
   し、磁気抵抗素子が２つの磁気抵抗ストライプからなる
   場合は該２つの磁気抵抗ストライプの一端側を共通の電
   源に接続し他端側をそれぞれ定電流源に接続して上記２
   つの磁気抵抗ストライプにそれぞれ同じ値の定電流を流
   すことにより両磁気抵抗ストライプの出力電圧差（差動
   出力）から磁気信号に応じた正弦波状の出力信号を検出
   する磁気検出装置において、 上記定電流源は、磁気抵抗素子の磁気抵抗ストライプと
   接続される電流制御用の増幅器と、該増幅器と接地側と
   の間に接続され磁気抵抗ストライプに流れる電流値を検
   出するための電流検出用抵抗と、電源と接地側との間に
   直列接続した少なくとも２つの抵抗からなり電源側抵抗
   と接地側抵抗の中間部が上記増幅器に接続され基準電圧
   を増幅器に対して発生する基準電圧回路とを備え、 上記増幅器は、磁気抵抗ストライプと電流検出用抵抗と
   の間に接続される電流制御素子（トランジスタ等）と、
   電流制御素子と電流検出用抵抗との接続部の電圧が入力
   される負の入力端子と上記基準電圧が入力される正の入
   力端子及び上記電流制御素子の制御用端子に電圧を出力
   する出力端子を有し上記正・負の入力端子に入力される
   電圧が等しくなるように出力電圧を電流制御素子の制御
   用端子に帰還して磁気抵抗ストライプに流れる電流を制
   御するためのオペアンプとから構成され、 上記基準電圧回路内の上記接地側の抵抗は、上記電源側
   の抵抗よりも大きな正の温度係数を有することを特徴と
   する磁気検出装置。