JPH07183605A - Solid-state laser device - Google Patents
Solid-state laser deviceInfo
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- JPH07183605A JPH07183605A JP5323698A JP32369893A JPH07183605A JP H07183605 A JPH07183605 A JP H07183605A JP 5323698 A JP5323698 A JP 5323698A JP 32369893 A JP32369893 A JP 32369893A JP H07183605 A JPH07183605 A JP H07183605A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体レーザ、内部共振器型SHGレーザの縦
単一モード発振とレーザノイズ低減。
【構成】半導体レーザ励起内部共振器型SHGレーザにお
いて共振器内にエタロン12を発振レーザの進行方向1
5と垂直にして用い、出力光をモニターし共振器長の変
化にフィードバックをかける。
【効果】エタロンの選択するモードにあわせて共振器モ
ードを移動させることにより、固体レーザを縦シングル
モードで発振させることができる。縦シングルモードの
達成により、モード競合が無くなり安定にSHGを出力す
る固体レーザ装置を得ることができる。
(57) [Summary] [Purpose] Longitudinal single-mode oscillation and laser noise reduction of solid-state laser and internal cavity SHG laser. [Structure] In an internal cavity type SHG laser pumped by a semiconductor laser, an etalon 12 is oscillated in the cavity 1
5 is used in a vertical direction, and the output light is monitored to feed back the change in the cavity length. [Effect] By moving the resonator mode in accordance with the mode selected by the etalon, the solid-state laser can be oscillated in the longitudinal single mode. By achieving the longitudinal single mode, it is possible to obtain a solid-state laser device that outputs SHG stably without mode competition.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は固体レーザ装置のシング
ルモード発振あるいは、その固体レーザが基本発振波長
の光高調波を発生させるレーザ装置の安定発振に係わ
り、特にレーザノイズの低減に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to single mode oscillation of a solid-state laser device or stable oscillation of a laser device in which the solid-state laser generates optical harmonics of a fundamental oscillation wavelength, and more particularly to reduction of laser noise.
【0002】[0002]
【従来の技術】図1のようにレーザ媒質3の端面から半
導体レーザ1で励起する端面励起型固体レーザ装置は小
型高効率発振により様々な応用が期待されている。特に
非線形光学結晶4と共に使用し第二高調波(SHG)を発
生させるSHGレーザ装置は光ディスク、レーザプリンタ
等のコンピュータ周辺機器としての期待が高い。レーザ
を収束する2は収束レンズ、5は出力ミラーである。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 1, an edge-pumped solid-state laser device that is pumped by a semiconductor laser 1 from an end face of a laser medium 3 is expected to have various applications due to its small size and high efficiency oscillation. In particular, the SHG laser device that is used together with the nonlinear optical crystal 4 to generate the second harmonic (SHG) is highly expected as a computer peripheral device such as an optical disk and a laser printer. Reference numeral 2 for converging the laser is a converging lens, and 5 is an output mirror.
【0003】ところで、定在波型の固体レーザは特別な
手段を設けなければ、一般的に縦マルチモード発振す
る。しかしレーザ光を縦シングルモードで応用したい場
合が少なくない。さらに内部共振器型SHGレーザにおい
て、基本波がシングルモードのときSHG出力を安定にで
き、この装置の応用範囲が広くなる。By the way, a standing wave type solid-state laser generally oscillates in a longitudinal multimode unless special means is provided. However, there are many cases where it is desired to apply laser light in the longitudinal single mode. Furthermore, in the internal cavity type SHG laser, the SHG output can be stabilized when the fundamental wave is single mode, and the application range of this device is widened.
【0004】図2に示すように、レーザのシングルモー
ド化に、エタロン5(平行平板)の両面に反射コーティ
ング5aを施したものを用い、その多重反射を利用した波
長選択の方法がある。これは、共振器内部にエタロン
(石英などの透明物質でできた平行平板)を挿入し、こ
れを傾けるなどして実質的光路長を変化させ、エタロン
の選択波長と多数の共振器モード(共振条件を満たすと
びとびの波長)のなかの一つを一致させてシングルモー
ド発振させる方法である。シングルモード発振している
共振器の内部に非線形光学結晶4を挿入すれば安定なSHG
出力が得られる。この例としてウイリアム クルシャ
ウ、 ジェイ カネラウド 、 アイトリプルイー ジ
ャーナル オブ クオンタム エレクトロニクス(Will
iam Clushaw, J.Kannelaud, IEEE Journal of Quantum
Electronics),vol. QE-10, No.2, p253(1974)、角谷
実 他5名、1993年春季第40回応用物理学関係連
合講演会講演予稿集No3、p996、31p−Z−4な
どが挙げられる。As shown in FIG. 2, there is a wavelength selection method for making a laser into a single mode by using an etalon 5 (parallel plate) provided with reflective coatings 5a on both sides and utilizing the multiple reflection thereof. This is because an etalon (parallel plate made of a transparent material such as quartz) is inserted inside the resonator and the optical path length is changed by inclining the etalon to select the etalon wavelength and a large number of resonator modes (resonance). This is a method of causing single mode oscillation by matching one of the discrete wavelengths that satisfy the condition). A stable SHG can be obtained by inserting a nonlinear optical crystal 4 inside the resonator that oscillates in single mode.
Output is obtained. Examples of this are William Kruschau, Jay Kanelaud, I Triple E Journal of Quantum Electronics (Will
iam Clushaw, J. Kannelaud, IEEE Journal of Quantum
Electronics), vol. QE-10, No.2, p253 (1974), Minoru Kakutani and 5 others, Proceedings of the 40th Joint Lecture Meeting on Applied Physics in Spring 1993 No3, p996, 31p-Z-4 etc. Is mentioned.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来のエタロンをレー
ザの進行方向(図1、図2の8)に対して傾ける方法で
は、調整時の環境と異なった環境に置かれた場合、エタ
ロンの選択波長と共振器モードのずれが生じる。そのた
め傾き角度の再調整が必要となる。 またSHG発生時に
は、 エタロンの傾きによりSHGの多重反射スポットが一
致せず出力の低下をまねく。According to the conventional method of tilting the etalon with respect to the traveling direction of the laser (8 in FIGS. 1 and 2), when the etalon is placed in an environment different from the environment at the time of adjustment, the etalon is selected. There is a shift between the wavelength and the resonator mode. Therefore, it is necessary to readjust the tilt angle. Also, when SHG occurs, the multiple reflection spots of SHG do not match due to the inclination of the etalon, which causes a reduction in output.
【0006】本発明はこの点を考慮したもので、エタロ
ン使用の固体レーザ装置において、環境変化が変化して
もエタロンの傾きを再調整する必要のない固体レーザ装
置を提供することにある。また、この固体レーザ装置を
光高調波発生に利用し、モード競合による出力不安定な
いレーザ装置を提供することにある。The present invention has been made in consideration of this point, and an object of the present invention is to provide a solid-state laser device using an etalon, which does not require readjustment of the inclination of the etalon even when environmental changes occur. Another object of the present invention is to provide a laser device which does not have unstable output due to mode competition by utilizing this solid-state laser device for generation of optical harmonics.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明では、 図2のよ
うにエタロン5をレーザ進行方向に垂直に固定し、共振
器長7 の制御で共振器モードをエタロンの選択波長と一
致させることによりシングルモード発振を達成する。ま
た、この共振器長制御を出力レーザをモニター、フィー
ドバックより自動的に行なう。 エタロンと発振レーザ8
の進行方向が直交しているため、 SHG発生時に多重反射
スポットをひとつに重なり、その出力を上げることがで
きる。According to the present invention, as shown in FIG. 2, the etalon 5 is fixed perpendicularly to the laser traveling direction, and the resonator mode is controlled by controlling the resonator length 7 to match the selected wavelength of the etalon. Achieve single mode oscillation. Further, this resonator length control is automatically performed by monitoring the output laser and feedback. Etalon and oscillation laser 8
Since the traveling directions of are orthogonal, it is possible to increase the output by overlapping multiple reflection spots when SHG occurs.
【0008】[0008]
【作用】共振器長Lの内部に存在できる光の波長(共振
器モード)はNを整数とすると、式(1)で表せる。The wavelength of light that can exist inside the resonator length L (resonator mode) can be expressed by equation (1), where N is an integer.
【0009】[0009]
【数1】 [Equation 1]
【0010】(1)また、エタロンの透過率は次のよう
な式(2)で表せる。(1) Further, the transmittance of the etalon can be expressed by the following equation (2).
【0011】[0011]
【数2】 [Equation 2]
【0012】(2)ここで、Rはエタロンのコーティン
グ反射率であり、φは式(3)で表せる。(2) Here, R is the coating reflectance of the etalon, and φ can be expressed by equation (3).
【0013】[0013]
【数3】 [Equation 3]
【0014】(3)λは波長、n,l,θはそれぞれエタロ
ンの屈折率、厚さ、傾き角(エタロン表面に垂直方向を
θ=0°とする)である。よって、ひとつの共振器モード
を透過させたいときはθを変化させてもよいし、式
(1)からLを微小変化させてθに合うλを作りだして
もよい。本発明では後者により、θ=0°(エタロンを光
の進行方向に垂直)に固定して共振器長を変化させるこ
とにより行なう。また、エタロンとレーザの進行方向が
直交しているため、 SHG発生時に多重反射スポットがひ
とつに重なり出力を上げることができる。(3) λ is the wavelength, and n, l, and θ are the refractive index, thickness, and inclination angle of the etalon (θ = 0 ° in the direction perpendicular to the etalon surface). Therefore, when one resonator mode is desired to be transmitted, θ may be changed, or L may be slightly changed from Expression (1) to create λ that matches θ. In the present invention, the latter is performed by fixing θ = 0 ° (the etalon is perpendicular to the traveling direction of light) and changing the resonator length. In addition, since the etalon and laser travel directions are orthogonal to each other, multiple reflected spots can overlap when SHG occurs and the output can be increased.
【0015】Lを微小変化させる場合に、 ひとつの共
振器モードが正確にT = 1になるようにチューニングす
る必要がある。そこで、出力光の一部をモニターし、共
振器長制御にフィードバックする。これにより自動的に
縦シングルモードが達成される。また基本波競合が無い
ためSHG出力も安定する。When slightly changing L, it is necessary to tune so that one resonator mode is exactly T = 1. Therefore, a part of the output light is monitored and fed back to the resonator length control. As a result, the vertical single mode is automatically achieved. Also, since there is no fundamental wave competition, the SHG output is stable.
【0016】[0016]
実施例1 図3のように、ペルチエ素子16に接着された銅板15上に
固体レーザ共振器を構成する。 ホルダ9bに左面9aを波
長808nmに対して無反射、1064nmに対して高反射のコー
ティングをしてあるNd:YVO49をマウントし、そのホルダ
を15に固定する。ホルダ13bにマウントした出力ミラー1
3の左曲面13aには1064nmに対し高反射、532nmに対し無
反射のコーティングをしてあり、これを15に固定する。
9a と13aで共振器を構成している。共振器内部にはホ
ルダ11bにマウントしたKTP11とエタロン12を配置する。
11のc軸は9のc軸と45°となるようにする。9に半導体
レーザ7のレーザ光(波長約808nm)を集光レンズ8で
集光し励起し、レーザ(基本波、SHG)発振させる。12
はその表面が基本波あるいはSHGの進行方向に垂直にな
るように固定する。 出力レーザを基本波カットフィル
タ19でSHGのみ透過させ、その一部をビームスプリッタ1
7で取りだし、ディテクタ20に入射させる。20でSHG光24
は電気信号25に変換され、 25を電気的低周波透過フィ
ルタ21と高周波透過フィルタ22に通す。21と22の出力を
フィードバック回路26に入力する。26では、まず21から
の入力を最大にするように温度コントローラ23にフィー
ドバックをかける。次に、22の出力が最小になるように
23にフィードバックをかける。23は26に従ってペルチエ
素子16に加える電流を変化させ、15の温度変化により共
振器長を微小変化させる。Example 1 As shown in FIG. 3, a solid-state laser resonator is formed on a copper plate 15 bonded to a Peltier element 16. Nd: YVO 4 9 whose left surface 9a is non-reflective for wavelength 808 nm and highly reflective for 1064 nm is mounted on the holder 9b, and the holder is fixed to 15. Output mirror 1 mounted in holder 13b
The left curved surface 13a of 3 is coated with high reflection for 1064 nm and non-reflection for 532 nm, which is fixed to 15.
The resonator is composed of 9a and 13a. The KTP 11 and the etalon 12 mounted on the holder 11b are arranged inside the resonator.
The c-axis of 11 should be 45 ° with the c-axis of 9. A laser beam (wavelength of about 808 nm) of the semiconductor laser 7 is condensed and excited by a condenser lens 8 on 9 to oscillate a laser (fundamental wave, SHG). 12
Is fixed so that its surface is perpendicular to the traveling direction of the fundamental wave or SHG. Only the SHG of the output laser is transmitted by the fundamental wave cut filter 19 and part of it is beam splitter 1
It is taken out by 7 and made incident on the detector 20. 20 SHG light 24
Is converted into an electrical signal 25, which is passed through an electrical low frequency transmission filter 21 and a high frequency transmission filter 22. The outputs of 21 and 22 are input to the feedback circuit 26. At 26, first feedback is applied to the temperature controller 23 to maximize the input from 21. Then, so that the output of 22 is the minimum
Give feedback to 23. 23 changes the current applied to the Peltier element 16 according to 26, and minutely changes the resonator length by the temperature change of 15.
【0017】実施例2 図4のような装置で、共振器、励起は実施例1と同様。
出力したレーザ光の一部をモニター光28として偏光分離
スプリッタ (S偏光100% 透過、P偏光100%反射)27で
取り出す。27は図5のように、28の方向が11のc軸と垂
直になるように配置する。また28の取りだし面27aは532
nmに対して高反射、1064nmに対して無反射コーティング
をしてある。よって、基本波のみを20で受光し電気信号
25に変換した後、25をフィードバック回路29に入力す
る。 29 は23を通じて共振器温度をコントロールする。
共振器長が適切な場合は基本波偏光方向は11のc軸と45
°の角度をなすが、27により32と平行な偏光成分30のみ
を取り出す。このときの25の電圧を事前に求めておけ
ば、その値になるように29が23をコントロールする。SH
G偏光方向は27の入射面に平行31となる。 27の後に基本
波カットフィルタ33を置きSHGのみを透過させる。Example 2 In the device as shown in FIG. 4, the resonator and excitation are the same as in Example 1.
A part of the output laser light is taken out as a monitor light 28 by a polarization separation splitter (S-polarized light 100% transmitted, P-polarized light 100% reflected) 27. 27 is arranged so that the direction of 28 is perpendicular to the c-axis of 11 as shown in FIG. In addition, the take-out surface 27a of 28 is 532
It is highly reflective for nm and non-reflective for 1064 nm. Therefore, only the fundamental wave is received by 20 and the electrical signal is received.
After converting to 25, 25 is input to the feedback circuit 29. 29 controls the resonator temperature through 23.
When the cavity length is appropriate, the fundamental wave polarization direction is 11 c-axis and 45
Only the polarized component 30, which forms an angle of ° but is parallel to 32, is taken out by 27. If the voltage of 25 at this time is obtained in advance, 29 controls 23 so that it becomes that value. SH
The G polarization direction is parallel to the plane of incidence of 27, which is 31. A fundamental wave cut filter 33 is placed after 27 to pass only SHG.
【0018】[0018]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エタロン使用の固体レーザを縦シングルモード発振させ
ることができる。またこの固体レーザを応用した内部共
振器型SHGレーザで、ノイズの低い安定したレーザ出力
を得ることができる。 このレーザ光は出力が安定なた
め、光ディスクシステム、光通信、レーザビームプリン
タなどの分野において有効に利用できる。As described above, according to the present invention,
A solid-state laser using an etalon can oscillate in a single longitudinal mode. In addition, the internal cavity type SHG laser to which this solid-state laser is applied can obtain stable laser output with low noise. Since the output of this laser light is stable, it can be effectively used in the fields of optical disk systems, optical communications, laser beam printers, and the like.
【図1】従来の端面励起内部共振器型SHGレーザの構
成図。FIG. 1 is a configuration diagram of a conventional edge-pumped internal cavity SHG laser.
【図2】端面励起 固体レーザの構造とエタロンの使用
方法を示す構成図。FIG. 2 is a configuration diagram showing a structure of an edge-pumped solid-state laser and a method of using an etalon.
【図3】本発明の実施例1を示した構成図。FIG. 3 is a configuration diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図4】本発明の実施例2を示した構成図。FIG. 4 is a configuration diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図5】本発明の実施例2において偏光ビームスプリッ
タの向きとモニター光の方向を示した斜視図。FIG. 5 is a perspective view showing a direction of a polarization beam splitter and a direction of monitor light in Example 2 of the present invention.
1…半導体レーザ、2…集光レンズ、3…レーザ媒質、4…
非線形光学結晶、5…エタロン、5a,9a,13a,27a…コーテ
ィング、6…出力ミラー、7…共振器長、8…発振レーザ
光、9… Nd:YVO4、9b,11b,13b…ホルダ、11…KTP、12…
エタロン、13…出力ミラー、15…銅板、16…ペルチエ素
子、17…ビームスプリッタ、18…出力SHG、19…基本波
カットフィルタ、20…ディテクタ、21…低周波数透過フ
ィルタ、22…高周波数透過フィルタ、23…温度コントロ
ーラ、24,28…モニター光、25…電気信号、26,29…フィ
ードバック回路、27…偏光ビームスプリッタ、28…モニ
ター用基本波、30…基本波偏光方向、31…SHG偏光方
向、32…KTPのc軸方向、33…基本波カットフィルタ。1 ... Semiconductor laser, 2 ... Focusing lens, 3 ... Laser medium, 4 ...
Nonlinear optical crystal, 5 ... Etalon, 5a, 9a, 13a, 27a ... Coating, 6 ... Output mirror, 7 ... Resonator length, 8 ... Oscillation laser light, 9 ... Nd: YVO4, 9b, 11b, 13b ... Holder, 11 … KTP, 12…
Etalon, 13 ... Output mirror, 15 ... Copper plate, 16 ... Peltier element, 17 ... Beam splitter, 18 ... Output SHG, 19 ... Fundamental wave cut filter, 20 ... Detector, 21 ... Low frequency transmission filter, 22 ... High frequency transmission filter , 23 ... Temperature controller, 24, 28 ... Monitor light, 25 ... Electric signal, 26, 29 ... Feedback circuit, 27 ... Polarization beam splitter, 28 ... Monitor fundamental wave, 30 ... Fundamental wave polarization direction, 31 ... SHG polarization direction , 32 ... KTP c-axis direction, 33 ... Basic wave cut filter.
Claims (9)
レーザ媒質と、該レーザ媒質からの光を発振させるレー
ザ共振器と、該レーザ共振器内に配置されるエタロンを
有し、上記共振器長を制御する手段を有することを特徴
とする固体レーザ装置。1. A resonance source having an excitation light source, a laser medium excited by the excitation light source, a laser resonator for oscillating light from the laser medium, and an etalon arranged in the laser resonator. A solid-state laser device comprising means for controlling the length.
ーザ共振器内部に非線形光学結晶を持ち第2高調波(SH
G)を発生することを特徴とする固体レーザ装置。2. The laser device according to claim 1, wherein a nonlinear optical crystal is provided inside the laser resonator, and the second harmonic (SH
Solid-state laser device characterized by generating G).
タロン表面に基本波反射コーティングを施していること
を特徴とする固体レーザ装置。3. The solid-state laser device according to claim 2, wherein the etalon surface is coated with a fundamental wave reflection coating.
ーザ進行方向とエタロン表面が垂直になるような配置で
あることを特徴とする固体レーザ装置。4. The solid-state laser device according to claim 3, wherein the laser traveling direction and the etalon surface are arranged perpendicular to each other.
タロン表面にSHGの波長に対して低反射コーティングを
施していることを特徴とする固体レーザ装置。5. The solid-state laser device according to claim 3, wherein the etalon surface is coated with a low reflection coating for the wavelength of SHG.
力レーザ光をモニターし共振器長制御にフィードバック
することを特徴とする固体レーザ装置。6. The solid-state laser device according to claim 2, wherein the output laser light is monitored and fed back to the cavity length control.
にSHG光をモニターすることを特徴とする固体レーザ装
置。7. A solid-state laser device according to claim 6, wherein the SHG light is monitored in particular.
ニター出力を電気信号で取りだし、低域周波数通過と広
域周波数通過フィルタを用いて共振器長制御にフィード
バックすることを特徴とする固体レーザ装置。8. A solid-state laser device according to claim 7, wherein the monitor output is taken out as an electric signal and is fed back to the cavity length control using a low-pass filter and a wide-pass filter. .
本波のある偏光方向成分をモニターし共振器長制御にフ
ィーフィーバックすることを特徴とする固体レーザ装
置。9. A solid-state laser device according to claim 6, wherein the component of the polarization direction of the fundamental wave is monitored to perform feedback control of the cavity length.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5323698A JPH07183605A (en) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | Solid-state laser device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5323698A JPH07183605A (en) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | Solid-state laser device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH07183605A true JPH07183605A (en) | 1995-07-21 |
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ID=18157607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5323698A Pending JPH07183605A (en) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | Solid-state laser device |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH07183605A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997035369A1 (en) * | 1996-03-19 | 1997-09-25 | Daimler Benz Ag | Method of reducing amplitude noise of solid lasers with resonator-internal frequency doubling, and an arrangement for carrying out this method |
JP5391077B2 (en) * | 2007-11-19 | 2014-01-15 | ミヤチテクノス株式会社 | Laser beam irradiation device |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP5323698A patent/JPH07183605A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997035369A1 (en) * | 1996-03-19 | 1997-09-25 | Daimler Benz Ag | Method of reducing amplitude noise of solid lasers with resonator-internal frequency doubling, and an arrangement for carrying out this method |
JP5391077B2 (en) * | 2007-11-19 | 2014-01-15 | ミヤチテクノス株式会社 | Laser beam irradiation device |
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