JPH0717579B2 - 光学活性化合物および液晶組成物と光学活性化合物合成用中間体 - Google Patents
光学活性化合物および液晶組成物と光学活性化合物合成用中間体Info
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- JPH0717579B2 JPH0717579B2 JP63278618A JP27861888A JPH0717579B2 JP H0717579 B2 JPH0717579 B2 JP H0717579B2 JP 63278618 A JP63278618 A JP 63278618A JP 27861888 A JP27861888 A JP 27861888A JP H0717579 B2 JPH0717579 B2 JP H0717579B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は新規な光学活性化合物およびこれを用いた液晶
組成物と、光学活性化合物を合成するための中間体とに
関する。
組成物と、光学活性化合物を合成するための中間体とに
関する。
［従来の技術］ 液晶表示素子は低駆動電圧、低消費電力、薄形・軽量等
の特徴があり、電卓、時計、テレビ等に適用されてい
る。これらの表示材料には現在ネマチック型液晶が広く
用いられているが、応答速度が数十msec.と遅いという
欠点があった。この点の改善の試みの一つとして、強誘
電性液晶を利用する表示方式が提案されている。（N.A.
Clarkら:Applied Phys.Lett.,36,899［1980］）この方
式は共誘電性液晶のカイラルスメチックＣ相（以下Sc＊
相と略記する）を利用するものであり、共誘電性液晶材
料にはSc＊相が室温を含む広い温度範囲にあること、応
答速度が大きいことから、らせんピッチが長いこと等が
要求される。
の特徴があり、電卓、時計、テレビ等に適用されてい
る。これらの表示材料には現在ネマチック型液晶が広く
用いられているが、応答速度が数十msec.と遅いという
欠点があった。この点の改善の試みの一つとして、強誘
電性液晶を利用する表示方式が提案されている。（N.A.
Clarkら:Applied Phys.Lett.,36,899［1980］）この方
式は共誘電性液晶のカイラルスメチックＣ相（以下Sc＊
相と略記する）を利用するものであり、共誘電性液晶材
料にはSc＊相が室温を含む広い温度範囲にあること、応
答速度が大きいことから、らせんピッチが長いこと等が
要求される。
［発明が解決しようとする課題］ これらの条件は通常、強誘電性液晶単独では達成不可能
であることから、Sc＊相温度範囲の調節や液晶組成物の
低粘度化等の目的のためにも、他の強誘電性液晶ないし
非強誘電性液晶を数種混合することが通常行われてい
る。しかし、従来このようにして得られた強誘電性液晶
材料も実用に供するには応答速度が十分に速くないなど
の問題があった。
であることから、Sc＊相温度範囲の調節や液晶組成物の
低粘度化等の目的のためにも、他の強誘電性液晶ないし
非強誘電性液晶を数種混合することが通常行われてい
る。しかし、従来このようにして得られた強誘電性液晶
材料も実用に供するには応答速度が十分に速くないなど
の問題があった。
［課題を解決するための手段］ 本発明では、下記一般式（Ｉ）： （式中、R1は炭素数４〜22のアルキル基またはアルコキ
シ基、 Ｘは （Ｑはハロゲン原子、ニトリル基または水酸基）のいず
れか、Ｙは水酸基、Ｚはメチル基、 ハロゲン原子またはCF3、R2は炭素数10以下のアルキル
基、アルコキシ基、アリール基、 アラルキル基のいずれか、Ｃ＊は光学活性炭素、ｍは０
または１、ｎは０〜６の整数である。） で表わされる光学活性化合物およびこの光学活性化合物
を含有する液晶組成物を用いること、また上記一般式
（Ｉ）で表わされる光学活性化合物を得るために、下記
一般式（II）で表わされる光学活性化号物合成用中間体
を用いることにより、上記課題を解決するようにした。
シ基、 Ｘは （Ｑはハロゲン原子、ニトリル基または水酸基）のいず
れか、Ｙは水酸基、Ｚはメチル基、 ハロゲン原子またはCF3、R2は炭素数10以下のアルキル
基、アルコキシ基、アリール基、 アラルキル基のいずれか、Ｃ＊は光学活性炭素、ｍは０
または１、ｎは０〜６の整数である。） で表わされる光学活性化合物およびこの光学活性化合物
を含有する液晶組成物を用いること、また上記一般式
（Ｉ）で表わされる光学活性化合物を得るために、下記
一般式（II）で表わされる光学活性化号物合成用中間体
を用いることにより、上記課題を解決するようにした。
（式中、Ｙは水酸基、Ｚはメチル基、ハロゲン原子、CF
3のいずれか、R2は炭素数10以下のアルキル基、アルコ
キシ基、アリール基、アラルキル基のいずれか、Ｃ＊は
光学活性炭素、ｍは０または１、ｎは０〜６の整数であ
る。） ［作用］ 強誘電性液晶の自発分極は液晶性化合物の分子軸に垂直
な双極子に起因しているので、分子軸に垂直な双極子と
してコアに直結したカルボニルを利用する。さらにカル
ボニルと光学活性炭素とを直結させることにより自発分
極を増大させる。さらに上記液晶性化合物のカルボニル
のオルト位に水酸基を導入すると、カルボニルと水酸基
の双極子の方向が揃うので液晶性化合物の自発分極を増
大できる。
3のいずれか、R2は炭素数10以下のアルキル基、アルコ
キシ基、アリール基、アラルキル基のいずれか、Ｃ＊は
光学活性炭素、ｍは０または１、ｎは０〜６の整数であ
る。） ［作用］ 強誘電性液晶の自発分極は液晶性化合物の分子軸に垂直
な双極子に起因しているので、分子軸に垂直な双極子と
してコアに直結したカルボニルを利用する。さらにカル
ボニルと光学活性炭素とを直結させることにより自発分
極を増大させる。さらに上記液晶性化合物のカルボニル
のオルト位に水酸基を導入すると、カルボニルと水酸基
の双極子の方向が揃うので液晶性化合物の自発分極を増
大できる。
以下、本発明を詳しく説明する。
強誘電性液晶の自発分極は液晶の分子軸に垂直な双極子
に起因している。本発明の第１の特徴は、分子軸に垂直
な双極子としてコアに直結したカルボニルを利用してい
ることにある。
に起因している。本発明の第１の特徴は、分子軸に垂直
な双極子としてコアに直結したカルボニルを利用してい
ることにある。
コアと光学活性炭素でカルボニルを挾む形の部分構造を
持つ強誘電性液晶はこれまで２件の例があるにすぎな
い。（J.W.Goodbyら、J.Am.Chem.Soc.,1986,4736;斎藤
ら、特開昭61−63633号）これら２件の報告において
は、カルボニルを持つ強誘電性液晶の自発分極について
何もふれていない。しかし、いずれもカルボニルと光学
活性炭素とが離れているために自発分極は小さいと推定
される。事実、本発明者らが合成した類似化合物の自発
分極は表１に示したように小さな値しか示していない。
カルボニルと光学活性炭素の間にあるメチレンの数を２
→１→０と変化させることによって、Sc＊相を示す温度
範囲はやや狭くなるが、自発分極は大きく変化する。す
なわちカルボニルと光学活性炭素を直結させると自発分
極は顕著に増大する。この関係は、表１中に示したよう
にカルボニルのオルト位に水酸基等が導入されている後
述の場合にも役に立つ。カルボニルと光学活性炭素を直
結させることが自発分極を増大させるうえでいかに大き
な効果があるかは、表１から明らかである。
持つ強誘電性液晶はこれまで２件の例があるにすぎな
い。（J.W.Goodbyら、J.Am.Chem.Soc.,1986,4736;斎藤
ら、特開昭61−63633号）これら２件の報告において
は、カルボニルを持つ強誘電性液晶の自発分極について
何もふれていない。しかし、いずれもカルボニルと光学
活性炭素とが離れているために自発分極は小さいと推定
される。事実、本発明者らが合成した類似化合物の自発
分極は表１に示したように小さな値しか示していない。
カルボニルと光学活性炭素の間にあるメチレンの数を２
→１→０と変化させることによって、Sc＊相を示す温度
範囲はやや狭くなるが、自発分極は大きく変化する。す
なわちカルボニルと光学活性炭素を直結させると自発分
極は顕著に増大する。この関係は、表１中に示したよう
にカルボニルのオルト位に水酸基等が導入されている後
述の場合にも役に立つ。カルボニルと光学活性炭素を直
結させることが自発分極を増大させるうえでいかに大き
な効果があるかは、表１から明らかである。
従来報告されている強誘電性液晶では、コアと光学活性
炭素に挾まれた双極子としてエーテルまたはエステルを
利用するものがほとんどであった。コアと光学活性炭素
に挾まれた双極子をエーテル、エステルからカルボニル
に替えることによる自発分極の変化を表２に示す。双極
子モーメントとともに自発分極が増大することがわか
る。
炭素に挾まれた双極子としてエーテルまたはエステルを
利用するものがほとんどであった。コアと光学活性炭素
に挾まれた双極子をエーテル、エステルからカルボニル
に替えることによる自発分極の変化を表２に示す。双極
子モーメントとともに自発分極が増大することがわか
る。
本発明の第二の特徴は、上記特徴を有する化合物のコア
に水酸基を導入することにより、大きな自発分極を持つ
液晶性化合物を提供できることにある。カルボニルのオ
ルト位に導入された水酸基は特に顕著な効果を発揮す
る。すなわちカルボニルのオルト位への水酸基の導入に
より、自発分極をさらに増大させることができるだけな
く、表３に示したようにSc＊温度範囲が広く、かつ低温
側にシフトした強誘電性液晶を実現することができる。
水酸基の導入による自発分極の増大は、カルボニルと水
酸基の分子内水素結合（その存在は赤外吸収スペクトル
において、1630〜1640cm-1にカルボニルの吸収が現れる
ことから明らかである）によってカルボニルと水酸基の
双極子の方向が揃うためである。
に水酸基を導入することにより、大きな自発分極を持つ
液晶性化合物を提供できることにある。カルボニルのオ
ルト位に導入された水酸基は特に顕著な効果を発揮す
る。すなわちカルボニルのオルト位への水酸基の導入に
より、自発分極をさらに増大させることができるだけな
く、表３に示したようにSc＊温度範囲が広く、かつ低温
側にシフトした強誘電性液晶を実現することができる。
水酸基の導入による自発分極の増大は、カルボニルと水
酸基の分子内水素結合（その存在は赤外吸収スペクトル
において、1630〜1640cm-1にカルボニルの吸収が現れる
ことから明らかである）によってカルボニルと水酸基の
双極子の方向が揃うためである。
強誘電性液晶分子に水酸基を導入すると、水酸基の分子
間水素結合のため、一般に高温域に液晶相を示す強誘電
性液晶を得ることができる。水酸基をカルボニルのオル
ト位に導入する場合には、分子内水素結合の形成によ
り、表３に示したように逆にSc＊温度範囲を低温側に大
きくシフトさせることができる。
間水素結合のため、一般に高温域に液晶相を示す強誘電
性液晶を得ることができる。水酸基をカルボニルのオル
ト位に導入する場合には、分子内水素結合の形成によ
り、表３に示したように逆にSc＊温度範囲を低温側に大
きくシフトさせることができる。
カルボニル基をコアと光学活性炭素で直接挟む形の部分
構造を持つ強誘電性液晶に、さらにカルボニルのオルト
位に水酸基を導入することの有利性は上記にとどまらな
い。すなわち表３から明らかなように、水酸基の導入に
よりSc＊相の低温側にある高次のスメクチック相が消失
することである。これは、この強誘電性液晶を表示材料
として利用する場合に有利なことである。従って上記一
般式（Ｉ）で表される本発明の化合部群は、実用性のあ
る強誘電性液晶組成物の実現に必要な大きな自発分極を
持つ強誘電性液晶を提供できる点で極めて有用である。
構造を持つ強誘電性液晶に、さらにカルボニルのオルト
位に水酸基を導入することの有利性は上記にとどまらな
い。すなわち表３から明らかなように、水酸基の導入に
よりSc＊相の低温側にある高次のスメクチック相が消失
することである。これは、この強誘電性液晶を表示材料
として利用する場合に有利なことである。従って上記一
般式（Ｉ）で表される本発明の化合部群は、実用性のあ
る強誘電性液晶組成物の実現に必要な大きな自発分極を
持つ強誘電性液晶を提供できる点で極めて有用である。
一般式（Ｉ）の化合物は下記（III）式の経路により製
造される。
造される。
（ただしR1、R2、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｃ＊、ｍ、ｎは上記と同
じ意味である。） すなわち（Ｗ）のような酸ハロゲン化物と一般式（II）
で表わされる光学活性基を有する置換フェノール類とを
ピリジンのような塩基性溶媒の存在下で反応させること
により製造できる。
じ意味である。） すなわち（Ｗ）のような酸ハロゲン化物と一般式（II）
で表わされる光学活性基を有する置換フェノール類とを
ピリジンのような塩基性溶媒の存在下で反応させること
により製造できる。
一方の原料である酸ハロゲン化物（Ｗ）は、対応するカ
ルボン酸に塩化チオニルを作用させることにより容易に
製造できる。
ルボン酸に塩化チオニルを作用させることにより容易に
製造できる。
他方の原料である一般式（II）で表される請求項３記載
の光学活性化合物合成用中間体のうち、ｍ＝０でＹがカ
ルボニルのメタ位にある水酸基である化合物は、（IV）
式のようなフリーデルクラフツ反応により製造される。
の光学活性化合物合成用中間体のうち、ｍ＝０でＹがカ
ルボニルのメタ位にある水酸基である化合物は、（IV）
式のようなフリーデルクラフツ反応により製造される。
請求項３記載の中間体のうちｍ＝０でカルボニルのオル
ト位にOHのある化合物は（VI）式のような反応経路によ
り製造される。
ト位にOHのある化合物は（VI）式のような反応経路によ
り製造される。
置換フェノール（Ｐ）のうち、ｍ＝１の化合物は（VI
I）式のような反応経路により製造される。
I）式のような反応経路により製造される。
さらに光学活性基を有する請求項３記載の中間体は、
（VIII）式のような反応経路によって製造することもで
きる。
（VIII）式のような反応経路によって製造することもで
きる。
上記反応式（IV）〜（VIII）において、 として好適に用いられるものとしては次のものがあげら
れる。
れる。
一般式（Ｉ）で表される本発明の請求項１記載の光学活
性化合物を含有する本発明の請求項２記載のカイラル液
晶組成物の他の成分は、強誘電性の液晶性化合物であっ
てもよく、また光学活性炭素を含まない非強誘電性液晶
性化合物であってもよい。本発明のカイラル液晶組成物
に使用される一般式（Ｉ）で表される化合物以外の化合
物の例を以下に示す。
性化合物を含有する本発明の請求項２記載のカイラル液
晶組成物の他の成分は、強誘電性の液晶性化合物であっ
てもよく、また光学活性炭素を含まない非強誘電性液晶
性化合物であってもよい。本発明のカイラル液晶組成物
に使用される一般式（Ｉ）で表される化合物以外の化合
物の例を以下に示す。
ａ）強誘電性液晶性化合物 式中Ｃ＊は光学活性炭素を示し、R3は炭素数６〜14の直
鎖状アルキル基、R4は炭素数２〜６の直鎖状アルキル基
またはイソブチル基である。
鎖状アルキル基、R4は炭素数２〜６の直鎖状アルキル基
またはイソブチル基である。
ｂ）非強誘電性液晶性化合物 式中、R5、R6はそれぞれ炭素数４〜10のアルキル基であ
る。
る。
［実施例］ 以下、本発明を実施例および製造例によりさらに詳細に
説明するが、もちろん本発明の主旨と適用範囲はこれら
の実施例によって限定されるものではない。なお、以下
の実施例においては原料の光学活性カルボン酸としてＳ
型の物質を使用した例だけを記載するが、Ｒ型の光学活
性カルボン酸を原料とした場合にもそれぞれ同一の相転
移温度の物質が得られる。これは理論上からも当然のこ
とである。ただし、旋光度、螺旋の捻じれ向き、自発分
極の向きはＳ型とＲ型では逆になる。
説明するが、もちろん本発明の主旨と適用範囲はこれら
の実施例によって限定されるものではない。なお、以下
の実施例においては原料の光学活性カルボン酸としてＳ
型の物質を使用した例だけを記載するが、Ｒ型の光学活
性カルボン酸を原料とした場合にもそれぞれ同一の相転
移温度の物質が得られる。これは理論上からも当然のこ
とである。ただし、旋光度、螺旋の捻じれ向き、自発分
極の向きはＳ型とＲ型では逆になる。
（実施例１〜24） 一般式（Ｉ）で示される化合物の具体例を合成し、その
相転移温度ならびに自発分極（Ps）を表４ないし表７に
示す。表４ないし表７においてＹの欄で２−OHとあるの
はカルボニルに対して２−位（オルト位）に置換基があ
ることを示す。また相転移温度はDSCならびに偏光顕微
鏡観察によって決定した。自発分極（Ps）は三角波法に
より測定し、Sc＊相の上限温度から10℃低い温度での値
を表４ないし表７に示した。
相転移温度ならびに自発分極（Ps）を表４ないし表７に
示す。表４ないし表７においてＹの欄で２−OHとあるの
はカルボニルに対して２−位（オルト位）に置換基があ
ることを示す。また相転移温度はDSCならびに偏光顕微
鏡観察によって決定した。自発分極（Ps）は三角波法に
より測定し、Sc＊相の上限温度から10℃低い温度での値
を表４ないし表７に示した。
（製造例１）（実施例２の化合物） ４−（４′−オクチルオキシフェニル）安息香酸３−ヒ
ドロキシ−４−（１−オキソ−２−メチルブチル）フェ
ニルの合成 ３−ヒドロキシ−４−（１−オキソ−２−メチルブチ
ル）フェノールの合成 10.3gのＳ−（＋）−２−メチルブタン酸に無水の塩化
亜鉛16.3gを混合し、110℃に加熱して溶融させた後、レ
ゾルシン13.2gを加え、撹拌しながら30分で150℃まで加
熱した。その室温まで冷却し、濃塩酸25mlと水25mlの混
合液を加え、50mlのエチルエーテルで３回抽出した。合
体したエーテル抽出液を炭酸水素ナトリウム水溶液で３
回、水で３回洗浄したのち、無水硫酸ナトリウム上で乾
燥し、溶媒を除去して9.2gの液状反応混合物を得た。こ
の反応混合物をシリカゲルカラム（充填剤：ワコーゲル
Ｃ−200、和光純薬、溶離液：クロロホルム）により精
製して、6.2gの３−ヒドロミシ−４−（１−オキソ−２
−メチルブチル）フェノールを液状物質として得た。
ドロキシ−４−（１−オキソ−２−メチルブチル）フェ
ニルの合成 ３−ヒドロキシ−４−（１−オキソ−２−メチルブチ
ル）フェノールの合成 10.3gのＳ−（＋）−２−メチルブタン酸に無水の塩化
亜鉛16.3gを混合し、110℃に加熱して溶融させた後、レ
ゾルシン13.2gを加え、撹拌しながら30分で150℃まで加
熱した。その室温まで冷却し、濃塩酸25mlと水25mlの混
合液を加え、50mlのエチルエーテルで３回抽出した。合
体したエーテル抽出液を炭酸水素ナトリウム水溶液で３
回、水で３回洗浄したのち、無水硫酸ナトリウム上で乾
燥し、溶媒を除去して9.2gの液状反応混合物を得た。こ
の反応混合物をシリカゲルカラム（充填剤：ワコーゲル
Ｃ−200、和光純薬、溶離液：クロロホルム）により精
製して、6.2gの３−ヒドロミシ−４−（１−オキソ−２
−メチルブチル）フェノールを液状物質として得た。
IR（cm-1）:3361、1629、1601、1514、1443、1383、123
1、11321 HNMRδppm（CDCl3）： 0.93（3H,t,−CH2CH3 ）、1.20（3H,d,−CHCH3 ）、 1.51および1.83（2H,m,−CHCH2 CH3）、 3.33（1H,m,−Ｃ＊Ｈ−）、 ４−（４′−オクチルオキシフェニル）安息香酸３−
ヒドロキシ−４−（１−オキソ−２−メチルブチル）フ
ェニルの合成 項で得た３−ヒドロキシ−４−（１−オキソ−２−メ
チルブチル）フェノール0.5gを無水ピリジン15mlに溶か
し、この溶液に４−（４′−オクチルオキシフェニル）
安息香酸塩化物0.7gを無水塩化メチレン20mlに溶かした
ものを、撹拌下に約１時間で滴下した。この反応混合物
を室温で40時間撹拌したのち、300ml稀塩酸中に投入
し、クロロホルム50mlとエーテル50mlを加え、よく振盪
した後、有機層を分離した。この有機層を稀塩酸で２
回、炭酸水素ナトリウム水溶液で１回、３％塩化ナトリ
ウム水溶液で３回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥、乾燥剤を濾別後、溶媒を除いて粗生成物0.25gを得
た。この粗生成物をシリカゲルカラム（充填剤：ワコー
ゲルＣ−200、溶離液：クロロホルム）で精製した後、
クロロホルム10−ｎヘキサン90の混合溶媒から再結晶し
て0.08gの４−（４′−オクチルオキシフェニル）安息
香酸３−ヒドロキシ−４−（１−イキソ−２−メチルブ
チル）フェニルを得た。
1、11321 HNMRδppm（CDCl3）： 0.93（3H,t,−CH2CH3 ）、1.20（3H,d,−CHCH3 ）、 1.51および1.83（2H,m,−CHCH2 CH3）、 3.33（1H,m,−Ｃ＊Ｈ−）、 ４−（４′−オクチルオキシフェニル）安息香酸３−
ヒドロキシ−４−（１−オキソ−２−メチルブチル）フ
ェニルの合成 項で得た３−ヒドロキシ−４−（１−オキソ−２−メ
チルブチル）フェノール0.5gを無水ピリジン15mlに溶か
し、この溶液に４−（４′−オクチルオキシフェニル）
安息香酸塩化物0.7gを無水塩化メチレン20mlに溶かした
ものを、撹拌下に約１時間で滴下した。この反応混合物
を室温で40時間撹拌したのち、300ml稀塩酸中に投入
し、クロロホルム50mlとエーテル50mlを加え、よく振盪
した後、有機層を分離した。この有機層を稀塩酸で２
回、炭酸水素ナトリウム水溶液で１回、３％塩化ナトリ
ウム水溶液で３回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥、乾燥剤を濾別後、溶媒を除いて粗生成物0.25gを得
た。この粗生成物をシリカゲルカラム（充填剤：ワコー
ゲルＣ−200、溶離液：クロロホルム）で精製した後、
クロロホルム10−ｎヘキサン90の混合溶媒から再結晶し
て0.08gの４−（４′−オクチルオキシフェニル）安息
香酸３−ヒドロキシ−４−（１−イキソ−２−メチルブ
チル）フェニルを得た。
IR（KBr、cm-1）:2929、1736、1638、1605、1256、82
8、7661 HNMRδppm（CDCl）:0.90、0.95、1.24、1.30〜1.34、
1.39〜1.60、1.78〜1.84、3.41、4.02、6.83、6.89、7.
00、7.59、7.70、7.86、8.21 （製造例２）（実施例９の化合物） （Ｓ）−３−フルオロ−４−オクチルオキシ安息香酸３
−ヒドロキシ−４−（１−オキソ−２−メチルブチル）
フェニル ３−フルオロ−４−オクチルオキシ安息香酸塩化物（３
−フルオロ−４−オクチルオキシ安息香酸を塩化チオニ
ルと処理して得た）0.7gと（Ｓ）−３−ヒドロキシ−４
−（１−オキソ−２−メチルブチル）フェノール0.5gを
上記製造例１と同様に処理して、（Ｓ）−３−フルオロ
−４−（１−オキソ−２−メチルブチル）フェニルの粗
製物1.32gを得た。これをピリジン一滴を加えたエタノ
ールから再結晶した後、シリカゲルクロマトグラフィー
（溶離液：クロロホルム）に掛け、さらにエタノールか
ら２回再結晶することにより液体クロマトグラフ（ODS:
溶離液THF/メタノール）で純度100％の目的物380mlを白
色結晶として得た。
8、7661 HNMRδppm（CDCl）:0.90、0.95、1.24、1.30〜1.34、
1.39〜1.60、1.78〜1.84、3.41、4.02、6.83、6.89、7.
00、7.59、7.70、7.86、8.21 （製造例２）（実施例９の化合物） （Ｓ）−３−フルオロ−４−オクチルオキシ安息香酸３
−ヒドロキシ−４−（１−オキソ−２−メチルブチル）
フェニル ３−フルオロ−４−オクチルオキシ安息香酸塩化物（３
−フルオロ−４−オクチルオキシ安息香酸を塩化チオニ
ルと処理して得た）0.7gと（Ｓ）−３−ヒドロキシ−４
−（１−オキソ−２−メチルブチル）フェノール0.5gを
上記製造例１と同様に処理して、（Ｓ）−３−フルオロ
−４−（１−オキソ−２−メチルブチル）フェニルの粗
製物1.32gを得た。これをピリジン一滴を加えたエタノ
ールから再結晶した後、シリカゲルクロマトグラフィー
（溶離液：クロロホルム）に掛け、さらにエタノールか
ら２回再結晶することにより液体クロマトグラフ（ODS:
溶離液THF/メタノール）で純度100％の目的物380mlを白
色結晶として得た。
IR（cm-1）:2928、2856、1736、1638、1616、1284、118
6、1126、7541 HNMRδppm（CDCl3）:0.89（3H,t,−CH2CH3 ）、0.95（3
H,d,−CH2CH3 ）、 1.23（3H,d,CHCH3 ）、1.25〜1.87（14H,m,CH2）、 3.40（1H,m,−CH−）、4.12（2H,t,−ＣH2 OPH）、 （製造例３） （Ｓ）−3,4′−ジヒドロキシ−４−（１−オキソ−２
−メチルブチル）−1,1′−ジフェニル （一般式（II）において、Ｙ＝OH、Ｚ＝CH3、R2＝C
2H5、ｎ＝０である化合物） 3,4′−ジメトキシ−1,1′−ジフェニルの合成 ｍ−ヨードアニソール70.2g（0.3モル）およびｐ−ヨー
ドアニソール70.2g（0.3モル）を、60±５℃に加熱し、
これに銅粉末165gを加えて200〜220℃で12時間反応し
た。ついで反応混合物にトルエン450mlを注入し、不溶
物を濾別し、溶媒留去して得た粗結晶をカラム分離（充
填剤：ワコーゲルＣ−200、溶離液:n−ヘキサン／酢酸
エチル＝20/1）し、さらにエタノールより再結晶して3,
4′−ジメトキシ−1,1′−ビフェニル17.4gを白色結晶
として得た。（収率:27％）m.p.:59.5〜61.0℃ 3,4′−ジヒドロキシ−1,1′−ジフェニルの合成 項で得た3,4′−ジメトキシ−1,1′−ジフェニル15.9
g（0.075モル）および塩化アルミニウム45gをトルエン2
25ml中、撹拌還流を８時間行った。反応液を希塩酸水溶
液中に注入し、酢酸エチル抽出した。有機層を分取し、
水洗後無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥剤を濾別
し、溶媒留去して得られた褐色油状物をカラム分離（充
填剤：ワコーゲルＣ−200、溶離液:n−ヘキサン）し、
さらに水より再結晶して3,4′−ジヒドロキシ−1,1′−
ジフェニル7.2gを白色結晶として得た。
6、1126、7541 HNMRδppm（CDCl3）:0.89（3H,t,−CH2CH3 ）、0.95（3
H,d,−CH2CH3 ）、 1.23（3H,d,CHCH3 ）、1.25〜1.87（14H,m,CH2）、 3.40（1H,m,−CH−）、4.12（2H,t,−ＣH2 OPH）、 （製造例３） （Ｓ）−3,4′−ジヒドロキシ−４−（１−オキソ−２
−メチルブチル）−1,1′−ジフェニル （一般式（II）において、Ｙ＝OH、Ｚ＝CH3、R2＝C
2H5、ｎ＝０である化合物） 3,4′−ジメトキシ−1,1′−ジフェニルの合成 ｍ−ヨードアニソール70.2g（0.3モル）およびｐ−ヨー
ドアニソール70.2g（0.3モル）を、60±５℃に加熱し、
これに銅粉末165gを加えて200〜220℃で12時間反応し
た。ついで反応混合物にトルエン450mlを注入し、不溶
物を濾別し、溶媒留去して得た粗結晶をカラム分離（充
填剤：ワコーゲルＣ−200、溶離液:n−ヘキサン／酢酸
エチル＝20/1）し、さらにエタノールより再結晶して3,
4′−ジメトキシ−1,1′−ビフェニル17.4gを白色結晶
として得た。（収率:27％）m.p.:59.5〜61.0℃ 3,4′−ジヒドロキシ−1,1′−ジフェニルの合成 項で得た3,4′−ジメトキシ−1,1′−ジフェニル15.9
g（0.075モル）および塩化アルミニウム45gをトルエン2
25ml中、撹拌還流を８時間行った。反応液を希塩酸水溶
液中に注入し、酢酸エチル抽出した。有機層を分取し、
水洗後無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥剤を濾別
し、溶媒留去して得られた褐色油状物をカラム分離（充
填剤：ワコーゲルＣ−200、溶離液:n−ヘキサン）し、
さらに水より再結晶して3,4′−ジヒドロキシ−1,1′−
ジフェニル7.2gを白色結晶として得た。
（収率:52％）m.p.:193.0〜194.5℃。
（Ｓ）−3,4′−ジヒドロキシ−４−（１−オキソ−
２−メチルブチル）−1,1′−ジフェニルの合成 ニトロベンゼン15mlに塩化アルミニウム5.7gおよび項
で得た3,4′−ジヒドロキシ−1,1′−ビフェニル6.5g
（35ミリモル）を加え70℃に加熱し、これにＳ−（＋）
−２−メチルブタン酸塩化物4.8g（40ミリモル）を注入
した。次いで130〜135℃で４時間撹拌反応させ、冷後、
希塩酸水溶液中に注入し、酢酸エチルで抽出した。有機
層を分取し、水洗、乾燥（乾燥剤：無水硫酸マグネシウ
ム）、溶媒留去して褐色油状物を得た。次いで油状物を
カラム分離（充填剤：ワコーゲルＣ−200、溶離液:n−
ヘキサン／アセトン＝10/1）し、（Ｓ）−3,4′−ジヒ
ドロキシ−４−（１−オキソ−２−メチルブチル）−1,
1′−ジフェニル2.0gを淡黄色の油状物として得た。
（収率22％） IR（cm-1）:3350、2960、16101 HNMRδppm（CDCl3）： 0.96（3H,t,−CH2CH3 ）、1.25（3H,d,−CHCH3 ）、 1.50〜1.93（2H,m,CHCH2 CH3）、3.46（1H,m,CH）、 元素分析値（C17H18O3） 計算値:C:75.53％ H:6.71％ 実測値:C:75.50％ H:6.81％ （製造例４）（実施例10の化合物） （Ｓ）−3,4′−ジヒドロキシ−４−（１−オキソ−２
−メチルブチル）−1,1′−ジフェニルと４−オクチル
オキシ安息香酸塩化物とを製造例１と同様に反応させて
４−オクチルオキシ安息香酸３′−ヒドロキシ−４′−
（１−オキソ−２−メチルブチル）−1,1′−ジフェニ
ルを得た。
２−メチルブチル）−1,1′−ジフェニルの合成 ニトロベンゼン15mlに塩化アルミニウム5.7gおよび項
で得た3,4′−ジヒドロキシ−1,1′−ビフェニル6.5g
（35ミリモル）を加え70℃に加熱し、これにＳ−（＋）
−２−メチルブタン酸塩化物4.8g（40ミリモル）を注入
した。次いで130〜135℃で４時間撹拌反応させ、冷後、
希塩酸水溶液中に注入し、酢酸エチルで抽出した。有機
層を分取し、水洗、乾燥（乾燥剤：無水硫酸マグネシウ
ム）、溶媒留去して褐色油状物を得た。次いで油状物を
カラム分離（充填剤：ワコーゲルＣ−200、溶離液:n−
ヘキサン／アセトン＝10/1）し、（Ｓ）−3,4′−ジヒ
ドロキシ−４−（１−オキソ−２−メチルブチル）−1,
1′−ジフェニル2.0gを淡黄色の油状物として得た。
（収率22％） IR（cm-1）:3350、2960、16101 HNMRδppm（CDCl3）： 0.96（3H,t,−CH2CH3 ）、1.25（3H,d,−CHCH3 ）、 1.50〜1.93（2H,m,CHCH2 CH3）、3.46（1H,m,CH）、 元素分析値（C17H18O3） 計算値:C:75.53％ H:6.71％ 実測値:C:75.50％ H:6.81％ （製造例４）（実施例10の化合物） （Ｓ）−3,4′−ジヒドロキシ−４−（１−オキソ−２
−メチルブチル）−1,1′−ジフェニルと４−オクチル
オキシ安息香酸塩化物とを製造例１と同様に反応させて
４−オクチルオキシ安息香酸３′−ヒドロキシ−４′−
（１−オキソ−２−メチルブチル）−1,1′−ジフェニ
ルを得た。
比旋光度［α］25:12.7゜（Ｃ＝2.0CHCl3） IR（KBrcm-1）:1720（COO）、1634（Ｃ＝０）、1608、1 HNMRδppm（CDCl3）： 0.87〜0.99（6H,m,2CH3）、1.25（3H,d,C＊ＣC3 ）、 1.30〜1.91（14H,m,CH2）、3.46（1H,m,C＊Ｈ）、 4.05（2H,t,CH2O）、 （製造例５）（実施例11の化合物） トランス−４−（４′−ノニルオキシフェニル）シクロ
ヘキシルカルボン酸４−（１−オキソ−２−メチルブチ
ル）−３−ヒドロキシフェニルエステルの合成 容量１リットルの三口フラスコにイソアミルアルコール
150mlおよび４−（４′−ノニルオキシフェニル）安息
香酸2.06gをいれ、加熱撹拌し溶解させた。還流させな
がら、イソアミルアルコール70mlに加熱溶解させた金属
ナトリウム8gを滴下した。20分間還流した後、金属ナト
リウム8gを加え、30分後にイソアミルアルコール60mlに
金属ナトリウム12gを溶解した溶液を加え、さらに40分
後イソアミルアルコール25mlを加えた。１時間還流した
後、室温に戻し、水500mlを加えて一夜放置した。クロ
ロホルム200mlで抽出することにより、トランス−４−
（４′−ノニルオキシフェニル）シクロヘキシルカルボ
ン酸0.9gを得た。
ヘキシルカルボン酸４−（１−オキソ−２−メチルブチ
ル）−３−ヒドロキシフェニルエステルの合成 容量１リットルの三口フラスコにイソアミルアルコール
150mlおよび４−（４′−ノニルオキシフェニル）安息
香酸2.06gをいれ、加熱撹拌し溶解させた。還流させな
がら、イソアミルアルコール70mlに加熱溶解させた金属
ナトリウム8gを滴下した。20分間還流した後、金属ナト
リウム8gを加え、30分後にイソアミルアルコール60mlに
金属ナトリウム12gを溶解した溶液を加え、さらに40分
後イソアミルアルコール25mlを加えた。１時間還流した
後、室温に戻し、水500mlを加えて一夜放置した。クロ
ロホルム200mlで抽出することにより、トランス−４−
（４′−ノニルオキシフェニル）シクロヘキシルカルボ
ン酸0.9gを得た。
得られたトランス−４−（４′−ノニルオキシフェニ
ル）シクロヘキシルカルボン酸0.6gをトルエン中、塩化
チオニル5mlと加熱し、その後、溶媒を常圧および減圧
下に加熱留去して４−（４′−ノニルオキシフェニル）
シクロヘキシルカルボン酸塩化物を得た。これを四塩化
炭素40mlに溶かし、（Ｓ）−３−ヒドロキシ−４−１−
オキソ−２−メチルブチル）フェノール0.56gを四塩化
炭素10mlに溶かした溶液、およびピリジン5mlを加え
て、室温で一昼夜撹拌した。ついで、１時間加熱還流し
た後、水を加えて有機層を分取した。希塩酸、炭酸水素
ナトリウム水溶液および飽和食塩水で洗浄した後、無水
硫酸ナトリウム上で一夜乾燥した。溶媒を留去後、シリ
カゲルクロマトグラフィー（溶離液：クロロホルム）に
より分離し、エタノールから２回再結晶することによ
り、目的とする（Ｓ）−トランス−４−（４′−ノニル
オキシフェニル）シクロヘキシルカルボン酸４−（１−
オキソ−２−メチルブチル）−３−ヒドロキシフェニル
エステル0.04gを得た。同定は赤外吸収スペクトルおよ
び核磁気共鳴スペクトルを測定することにより行った。
ル）シクロヘキシルカルボン酸0.6gをトルエン中、塩化
チオニル5mlと加熱し、その後、溶媒を常圧および減圧
下に加熱留去して４−（４′−ノニルオキシフェニル）
シクロヘキシルカルボン酸塩化物を得た。これを四塩化
炭素40mlに溶かし、（Ｓ）−３−ヒドロキシ−４−１−
オキソ−２−メチルブチル）フェノール0.56gを四塩化
炭素10mlに溶かした溶液、およびピリジン5mlを加え
て、室温で一昼夜撹拌した。ついで、１時間加熱還流し
た後、水を加えて有機層を分取した。希塩酸、炭酸水素
ナトリウム水溶液および飽和食塩水で洗浄した後、無水
硫酸ナトリウム上で一夜乾燥した。溶媒を留去後、シリ
カゲルクロマトグラフィー（溶離液：クロロホルム）に
より分離し、エタノールから２回再結晶することによ
り、目的とする（Ｓ）−トランス−４−（４′−ノニル
オキシフェニル）シクロヘキシルカルボン酸４−（１−
オキソ−２−メチルブチル）−３−ヒドロキシフェニル
エステル0.04gを得た。同定は赤外吸収スペクトルおよ
び核磁気共鳴スペクトルを測定することにより行った。
IR（KBr cm-1）:2924、1760（COO）、1638（Ｃ＝０）、
1620、15101 HNMRδppm（CDCl3）： 0.88（3H,t,ch3）、0.93（3H,t,CH3）、 1.21（3H,d,−CH−ＣH3 ）、1.28（12H,m,（CH2）６）、 1.4〜1.5（3H,m,−CH・ＣH2 CH3の1H＋eq.−CH2）、 1.6〜1.9（5H,m,ax−CH2＋CHCH2 OH3の1H,＋ＣH2 CH2P
h）、 2.02（2H,m,eq.−CH2）、2.25（2H,m,ax−CH2）、 2.5〜2.6（4H,ma,x−CH）、3.37（1H,q,−CH−）、 （製造例６）（実施例24の化合物） （Ｓ）−（＋）−２−フェニルプロピオン酸3.0g（20ミ
リモル）に無水の酸化亜鉛3.3g（24ミリモル）を混合
し、110℃に加熱して溶解させた後、レゾルシン2.64g
（24ミリモル）を加え、撹拌しながら20分で150℃まで
加熱した。その後、室温まで冷却し、濃塩酸10mlと水50
mlを加え、50mlのエチルエーテルで３回抽出した。合体
したエーテル抽出液を炭素水素ナトリウム水溶液で２
回、水で３回洗浄したのち、無水硫酸ナトリウムで乾燥
し、溶媒を除去して3.6gの粗生成物を得た。この粗生成
物をシリカゲルクロマト（充填剤：ワコーゲルＣ−20
0、溶離液：クロロホルム）により精製して、2.0gの３
−ヒドロキシ−４−（１−オキソ−２−フェニルプロピ
ル）フェノールを得た。
1620、15101 HNMRδppm（CDCl3）： 0.88（3H,t,ch3）、0.93（3H,t,CH3）、 1.21（3H,d,−CH−ＣH3 ）、1.28（12H,m,（CH2）６）、 1.4〜1.5（3H,m,−CH・ＣH2 CH3の1H＋eq.−CH2）、 1.6〜1.9（5H,m,ax−CH2＋CHCH2 OH3の1H,＋ＣH2 CH2P
h）、 2.02（2H,m,eq.−CH2）、2.25（2H,m,ax−CH2）、 2.5〜2.6（4H,ma,x−CH）、3.37（1H,q,−CH−）、 （製造例６）（実施例24の化合物） （Ｓ）−（＋）−２−フェニルプロピオン酸3.0g（20ミ
リモル）に無水の酸化亜鉛3.3g（24ミリモル）を混合
し、110℃に加熱して溶解させた後、レゾルシン2.64g
（24ミリモル）を加え、撹拌しながら20分で150℃まで
加熱した。その後、室温まで冷却し、濃塩酸10mlと水50
mlを加え、50mlのエチルエーテルで３回抽出した。合体
したエーテル抽出液を炭素水素ナトリウム水溶液で２
回、水で３回洗浄したのち、無水硫酸ナトリウムで乾燥
し、溶媒を除去して3.6gの粗生成物を得た。この粗生成
物をシリカゲルクロマト（充填剤：ワコーゲルＣ−20
0、溶離液：クロロホルム）により精製して、2.0gの３
−ヒドロキシ−４−（１−オキソ−２−フェニルプロピ
ル）フェノールを得た。
IR（cm-1）:3352,1628,1452,1376,1230,1170,825 このフェノール600mg（2.5ミリモル）に、製造例１の
項の方法により４−（４′−オクチルオキシフェニル）
安息香酸塩化物830mg（2.4ミリモル）を反応させて、96
0mgの粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲルクロ
マト（充填剤：ワコーゲルＣ−200、溶離液：クロロホ
ルム50/ヘキサン50の混合溶媒）により精製したのち、
クロロホルム20/エチルアルコール80の混合溶媒から再
結晶して153mgの４−（４′−オクチルオキシフェニ
ル）安息香酸３−ヒドロキシ−４−（１−オキソ−２−
フェニルプロピル）フェニルを得た。
項の方法により４−（４′−オクチルオキシフェニル）
安息香酸塩化物830mg（2.4ミリモル）を反応させて、96
0mgの粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲルクロ
マト（充填剤：ワコーゲルＣ−200、溶離液：クロロホ
ルム50/ヘキサン50の混合溶媒）により精製したのち、
クロロホルム20/エチルアルコール80の混合溶媒から再
結晶して153mgの４−（４′−オクチルオキシフェニ
ル）安息香酸３−ヒドロキシ−４−（１−オキソ−２−
フェニルプロピル）フェニルを得た。
IR（cm-1）:2924,1738,1634,1606,1498,1248,1132,106
6,824,764 （実施例25） 一般式（Ｉ）の液晶性化合物のうち、実施例４の化合物
と下記の液晶性化合物を用いて液晶組成物を調製した。
6,824,764 （実施例25） 一般式（Ｉ）の液晶性化合物のうち、実施例４の化合物
と下記の液晶性化合物を用いて液晶組成物を調製した。
組成物の調製法は、上記２種の液晶性化合物を所定の重
量秤量し、２種の化合物を加熱溶解しながら混合するも
のである。この化合物Ａの添加量と液晶温度範囲との関
係を第１図に示す。化合物Ａを添加することによって室
温を含む広い温度範囲でSc＊相を示す強誘電性液晶組成
物を得ることができる。
量秤量し、２種の化合物を加熱溶解しながら混合するも
のである。この化合物Ａの添加量と液晶温度範囲との関
係を第１図に示す。化合物Ａを添加することによって室
温を含む広い温度範囲でSc＊相を示す強誘電性液晶組成
物を得ることができる。
（実施例26） 実施例25と同様の方法で一般式（Ｉ）の液晶性化合物の
うち、実施例４の化合物と下記の液晶性化合物を用いて
液晶組成物を調製した。
うち、実施例４の化合物と下記の液晶性化合物を用いて
液晶組成物を調製した。
この化合物Ｂの添加量と液晶温度範囲との関係を第２図
に示す。化合物Ｂを添加することによって、室温を含む
広い温度範囲でSc＊相を示す強誘電性液晶組成物を得る
ことができる。
に示す。化合物Ｂを添加することによって、室温を含む
広い温度範囲でSc＊相を示す強誘電性液晶組成物を得る
ことができる。
（実施例27） 実施例25と同様の方法で一般式（Ｉ）の液晶性化合物の
うち、実施例４と５の化合物を用いて液晶組成物を調製
した。実施例４の化合物の添加量と液晶温度範囲との関
係を第３図に示す。実施例４の化合物を80wt％含有する
強誘電性液晶組成物は、50〜20℃の温度範囲でSc＊相を
示した。
うち、実施例４と５の化合物を用いて液晶組成物を調製
した。実施例４の化合物の添加量と液晶温度範囲との関
係を第３図に示す。実施例４の化合物を80wt％含有する
強誘電性液晶組成物は、50〜20℃の温度範囲でSc＊相を
示した。
（実施例28） 実施例25と同様の方法で一般式（Ｉ）の液晶性化合物の
うち、実施例２の化合物と下記の液晶性化合物（Ｂ）と
の等量混合物（重量比）を調製した。
うち、実施例２の化合物と下記の液晶性化合物（Ｂ）と
の等量混合物（重量比）を調製した。
この液晶組成物の相転移温度は、次のとおりであった。
Cr−23 Sc＊49 SA 96 Ｉ （実施例29） 実施例25と同様の方法で一般式（Ｉ）の液晶性化合物の
うち、実施例４の化合物と下記の液晶性化合物（Ｃ）と
の等量混合物（重量比）を調製した。
うち、実施例４の化合物と下記の液晶性化合物（Ｃ）と
の等量混合物（重量比）を調製した。
この液晶組成物の相転移温度は、次のとおりであった。
Cr ３ Sc＊58 SA 96 Ｉ （実施例30） 実施例25と同様の方法で一般式（Ｉ）の液晶性化合物の
うち、実施例２の化合物と下記の液晶性化合物を用いて
液晶組成物を調製した。
うち、実施例２の化合物と下記の液晶性化合物を用いて
液晶組成物を調製した。
実施例２の化合物 :25wt％ この液晶組成物の相転移温度は、次のとおりであった。
Cr 14 Sc＊39 SA117 Ch 120 Ｉ この液晶組成物はコレステリック（Ch）相を有し、か
つ、室温を含む広い温度範囲でSc＊相を示した。
つ、室温を含む広い温度範囲でSc＊相を示した。
（実施例31） 実施例25の液晶組成物のうち化合物Ａを33wt％含有する
液晶組成物を用いて実験用液晶素子を作製した。すなわ
ち、透明電極が設けられているガラス基板上をポリイミ
ド膜を設け、一定方向にラビングし、２枚の基板のラビ
ング方向が平行になるようにガラスビーズ（径２μｍ）
をスペーサとして液晶セルを組み立て、これに上記液晶
を封入したものである。この液晶素子を２枚の直交する
偏光子の間に設置し、25℃で、±10Vの電界を印加した
ところ透過光強度が観測された。この時の透過光強度の
変化から求めた応答時間は、420μ秒であった。また、2
0℃における自発分極（Ps）は50nC/cm2であった。
液晶組成物を用いて実験用液晶素子を作製した。すなわ
ち、透明電極が設けられているガラス基板上をポリイミ
ド膜を設け、一定方向にラビングし、２枚の基板のラビ
ング方向が平行になるようにガラスビーズ（径２μｍ）
をスペーサとして液晶セルを組み立て、これに上記液晶
を封入したものである。この液晶素子を２枚の直交する
偏光子の間に設置し、25℃で、±10Vの電界を印加した
ところ透過光強度が観測された。この時の透過光強度の
変化から求めた応答時間は、420μ秒であった。また、2
0℃における自発分極（Ps）は50nC/cm2であった。
（実施例32） 実施例31と同様な方法で、実施例26の液晶組成物のうち
化合物Ｂを50wt％含有する液晶組成物を用いて実験用液
晶素子を作製した。±5V/μｍの電界を印加して、投下
光強度の変化を観測したところ、透過光強度の変化から
求めた応答時間は35℃で40μ秒、30℃で55μ秒、25℃で
70μ秒であった。また、25℃における自発分極（Ps）は
20nC/cm2であった。
化合物Ｂを50wt％含有する液晶組成物を用いて実験用液
晶素子を作製した。±5V/μｍの電界を印加して、投下
光強度の変化を観測したところ、透過光強度の変化から
求めた応答時間は35℃で40μ秒、30℃で55μ秒、25℃で
70μ秒であった。また、25℃における自発分極（Ps）は
20nC/cm2であった。
（実施例33） 実施例31と同様な方法で、実施例28の液晶組成物を用い
て実験用液晶素子を作製した。±5V/μｍの電界を印加
して、透過光強度の変化を観測したところ、透過光強度
の変化から求めた応答時間は40℃で83μ秒、35℃で140
μ秒、30℃で200μ秒であった。
て実験用液晶素子を作製した。±5V/μｍの電界を印加
して、透過光強度の変化を観測したところ、透過光強度
の変化から求めた応答時間は40℃で83μ秒、35℃で140
μ秒、30℃で200μ秒であった。
また、30℃における自発分極（Ps）は40nC/cm2であっ
た。
た。
（実施例34） 下記の液晶組成物は29℃に融点を持ち、69℃までスメク
チックＣ相、80℃までスメクチックＡ相、86℃までネマ
チック相を示す。
チックＣ相、80℃までスメクチックＡ相、86℃までネマ
チック相を示す。
２−（４−ノニルオキシフェニル）−５−ヘプチルオキ
シピリミジン 33％ ２−（４−ヘキシルオキシフェニル）−５−オクチルシ
ピリミジン 33％ ２−（４−オクチルオキシフェニル）−５−オクチルオ
キシピリジン 33％ この組成物に実施例11の化合物を10％添加したところ、
冷却時に、86℃〜84℃でコレステリック相、84℃〜54℃
でスメクチックＡ相、54℃から室温以下までカイラルス
メクチックＣ相を示した。
シピリミジン 33％ ２−（４−ヘキシルオキシフェニル）−５−オクチルシ
ピリミジン 33％ ２−（４−オクチルオキシフェニル）−５−オクチルオ
キシピリジン 33％ この組成物に実施例11の化合物を10％添加したところ、
冷却時に、86℃〜84℃でコレステリック相、84℃〜54℃
でスメクチックＡ相、54℃から室温以下までカイラルス
メクチックＣ相を示した。
この液晶組成物を試験用液晶セル（ITOを蒸着したガラ
ス板上にポリイミド膜を設け、一定方向にラビングし、
ポリエステルフィルム（厚み12μｍ）をスペーサに用い
て、２枚の基板を張り合わせた）中に封入し0.1℃毎分
で冷却して、試験用素子を作製した。この試験用素子に
±30Vの電圧を印加し、偏光顕微鏡により観察したとこ
ろ、透過光強度の高速な変化が認められた。
ス板上にポリイミド膜を設け、一定方向にラビングし、
ポリエステルフィルム（厚み12μｍ）をスペーサに用い
て、２枚の基板を張り合わせた）中に封入し0.1℃毎分
で冷却して、試験用素子を作製した。この試験用素子に
±30Vの電圧を印加し、偏光顕微鏡により観察したとこ
ろ、透過光強度の高速な変化が認められた。
（実施例35） 本発明の（Ｉ）式の液晶性化合物のうち、実施例３の化
合物を用いて実験用液晶素子を作製した。すなわち、透
明電極が設けられているガラス基板上にポリイミド膜を
設け、一定方向にラビングし、２枚の基板のラビング方
向に平行になるようにガラスビーズ（径２μｍ）をスペ
ーサとして液晶セルを組み立て、これに上記液晶を封入
したものである。この液晶素子を２枚の直交する偏光子
の間に設置し、±10Vの電界を印加したところ、透過光
強度の変化が観測された。この時の透過光強度の変化か
ら応答時間を求めたところ92℃で50μ秒であった。
合物を用いて実験用液晶素子を作製した。すなわち、透
明電極が設けられているガラス基板上にポリイミド膜を
設け、一定方向にラビングし、２枚の基板のラビング方
向に平行になるようにガラスビーズ（径２μｍ）をスペ
ーサとして液晶セルを組み立て、これに上記液晶を封入
したものである。この液晶素子を２枚の直交する偏光子
の間に設置し、±10Vの電界を印加したところ、透過光
強度の変化が観測された。この時の透過光強度の変化か
ら応答時間を求めたところ92℃で50μ秒であった。
（実施例36） 本発明の（Ｉ）式の液晶性化合物のうち、実施例６の化
合物と、４−ウンデシロキシ安息香酸４−ヘキシルオキ
シフェニルエステルを用いて、下記の組成の液晶組成物
を調製した。
合物と、４−ウンデシロキシ安息香酸４−ヘキシルオキ
シフェニルエステルを用いて、下記の組成の液晶組成物
を調製した。
組成物の調製法は、上記２種の液晶性化合物を所定の重
量秤量し、２種の化合物を加熱溶融しながら混合するも
のである。得られた組成物の相転移温度（℃）は下記の
とおりであった。
量秤量し、２種の化合物を加熱溶融しながら混合するも
のである。得られた組成物の相転移温度（℃）は下記の
とおりであった。
Cr 47 Sc＊ 77 SA 88 N 91 I また、57℃でのPsは1.85nC/cm2であった。
（実施例37） 実施例24の化合物を用いて、下記の組成の液晶組成物を
調製した。
調製した。
２−（４−ノニルオキシフェニル）−５−ヘプチルオキ
シピリミジン 30.0％ ２−（４−ヘキシルオキシフェニル）−５−オクチルピ
リミジン 30.0％ ２−（４−オクチルオキシフェニル）−５−オクチルオ
キシピリミジン 30.0％ 実施例24の化合物 10.0％ この組成物は、10〜50℃でカイラルスメクチックＣ相、
50〜82.5℃でスメクチックＡ相、82.5〜85℃でコレステ
リック相を示した。
シピリミジン 30.0％ ２−（４−ヘキシルオキシフェニル）−５−オクチルピ
リミジン 30.0％ ２−（４−オクチルオキシフェニル）−５−オクチルオ
キシピリミジン 30.0％ 実施例24の化合物 10.0％ この組成物は、10〜50℃でカイラルスメクチックＣ相、
50〜82.5℃でスメクチックＡ相、82.5〜85℃でコレステ
リック相を示した。
この組成物を用いて、実施例31と同様の方法で試験用素
子を作製し、±25Vの電圧を印加し、偏光顕微鏡により
観察したところ、透過光強度の変化が認められた。その
強度変化から応答時間を求めたところ、40℃で340μ秒
であった。
子を作製し、±25Vの電圧を印加し、偏光顕微鏡により
観察したところ、透過光強度の変化が認められた。その
強度変化から応答時間を求めたところ、40℃で340μ秒
であった。
（実施例38） 実施例23の化合物を用いて、下記組成の液晶組成物を調
製した。
製した。
２−（４−ノニルオキシフェニル）−５−ヘプチルオキ
シピリミジン 31.7％ ２−（４−ヘキシルオキシフェニル）−５−オクチルピ
リミジン 31.7％ ２−（４−オクチルオキシフェニル）−５−オクチルオ
キシピリミジン 31.7％ 実施例23の化合物 4.9％ この組成物は、４〜59℃でカイラルスメクチックＣ相、
59〜75℃でスメクチックＡ相、75〜82℃でコレステリッ
ク相を示した。
シピリミジン 31.7％ ２−（４−ヘキシルオキシフェニル）−５−オクチルピ
リミジン 31.7％ ２−（４−オクチルオキシフェニル）−５−オクチルオ
キシピリミジン 31.7％ 実施例23の化合物 4.9％ この組成物は、４〜59℃でカイラルスメクチックＣ相、
59〜75℃でスメクチックＡ相、75〜82℃でコレステリッ
ク相を示した。
（実施例39） 下記の液晶組成物は４℃に融点を持ち、50℃までスメク
チックＣ相、64℃までスメクチックＡ相、73℃までネマ
チック相を示す。
チックＣ相、64℃までスメクチックＡ相、73℃までネマ
チック相を示す。
２−（４−ノニルオキシフェニル）−５−ヘプチルピリ
ミジン 33.3％ ２−（４−ヘキシルオキシフェニル）−５−オクチルピ
リミジン 33.3％ ２−（４−オクチルオキシフェニル）−５−ノニルピリ
ミジン 33.3％ この組成物に実施例３の化合物7.5％および下記の強誘
電性液晶を7.5％添加したところ、 77℃〜71℃でコレステリック相、71℃〜46℃でスメクチ
ックＡ相、46℃〜１℃でカイラルスメチックＣ相を示し
た。
ミジン 33.3％ ２−（４−ヘキシルオキシフェニル）−５−オクチルピ
リミジン 33.3％ ２−（４−オクチルオキシフェニル）−５−ノニルピリ
ミジン 33.3％ この組成物に実施例３の化合物7.5％および下記の強誘
電性液晶を7.5％添加したところ、 77℃〜71℃でコレステリック相、71℃〜46℃でスメクチ
ックＡ相、46℃〜１℃でカイラルスメチックＣ相を示し
た。
この液晶組成物を試験用液晶セル（ITOを蒸着したガラ
ス板上にポリイミド膜を設け、一定方向にラビングし、
外径２μｍのガラスビーズをスペーサに用いて、２枚の
基板を張り合わせた）中に封入して、試験用素子を作製
した。この試験用素子に±10Vの電圧を印加し、偏光顕
微鏡により観察したところ、透過光強度の変化が認めら
れた。その強度変化から応答時間を求めたところ、30℃
で300μ秒であった。
ス板上にポリイミド膜を設け、一定方向にラビングし、
外径２μｍのガラスビーズをスペーサに用いて、２枚の
基板を張り合わせた）中に封入して、試験用素子を作製
した。この試験用素子に±10Vの電圧を印加し、偏光顕
微鏡により観察したところ、透過光強度の変化が認めら
れた。その強度変化から応答時間を求めたところ、30℃
で300μ秒であった。
（実施例40） 下記の比で液晶組成物を調製した。
２−（４−ノニルオキシフェニル）−５−ヘプチルピリ
ミジン 26.6％ ２−（４−ヘキシルオキシフェニル）−５−オクチルピ
リミジン 26.6％ ２−（４−オクチルオキシフェニル）−５−ノニリピリ
ミジン 26.6％ 実施例６の化合物 10.1％ この組成物は、69〜64℃でコレステリック相、64〜39℃
でスメクチックＡ相、39〜０℃でカイラルスメクチック
Ｃ相を示した。
ミジン 26.6％ ２−（４−ヘキシルオキシフェニル）−５−オクチルピ
リミジン 26.6％ ２−（４−オクチルオキシフェニル）−５−ノニリピリ
ミジン 26.6％ 実施例６の化合物 10.1％ この組成物は、69〜64℃でコレステリック相、64〜39℃
でスメクチックＡ相、39〜０℃でカイラルスメクチック
Ｃ相を示した。
この液晶組成物を試験用液晶セル（ITOを蒸着したガラ
ス板上にポリイミド膜を設け、一定方向にラビングし、
外径２μｍのガラスビーズをスペーサに用いて、２枚の
基板を張り合わせた）中に封入し、試験用素子を作製し
た。この試験用素子に±10Vの電圧を印加し、偏光顕微
鏡により観察したところ、透過光強度の変化が認められ
た。その強度変化から応答時間を求めたところ、30℃に
おいて160μ秒であった。
ス板上にポリイミド膜を設け、一定方向にラビングし、
外径２μｍのガラスビーズをスペーサに用いて、２枚の
基板を張り合わせた）中に封入し、試験用素子を作製し
た。この試験用素子に±10Vの電圧を印加し、偏光顕微
鏡により観察したところ、透過光強度の変化が認められ
た。その強度変化から応答時間を求めたところ、30℃に
おいて160μ秒であった。
［発明の効果］ 本発明により、大きな自発分極をもち、カイラルスメク
チックＣ相を広い温度範囲で示す非常に優れた強誘電性
液晶化合物を提供することができる。また、本発明の光
学活性化合物を用いることにより、高速で応答する液晶
組成物を提供することができる。
チックＣ相を広い温度範囲で示す非常に優れた強誘電性
液晶化合物を提供することができる。また、本発明の光
学活性化合物を用いることにより、高速で応答する液晶
組成物を提供することができる。
第１図ないし第３図はそれぞれ実施例４の化合物と化合
物Ａ、実施例４の化合物と化合物Ｂ、実施例４の化合物
と実施例５の化合物の二成分混合系の相図である。図
中、Cr,Sc＊,SA,Iはそれぞれ結晶相、カイラルスメクチ
ックＣ相、スメクチックＡ相、及び等方性液相を示す。
物Ａ、実施例４の化合物と化合物Ｂ、実施例４の化合物
と実施例５の化合物の二成分混合系の相図である。図
中、Cr,Sc＊,SA,Iはそれぞれ結晶相、カイラルスメクチ
ックＣ相、スメクチックＡ相、及び等方性液相を示す。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 69/757 Ｃ 9279−4Ｈ 69/773 69/92 69/94 255/57 Ｃ０７Ｄ 239/26 239/34 Ｃ０９Ｋ 19/20 9279−4Ｈ 19/30 19/34 19/46 19/54 Ｂ 9279−4Ｈ // Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ (31)優先権主張番号 特願昭63−136794 (32)優先日 昭63(1988)６月３日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願昭63−214632 (32)優先日 昭63(1988)８月29日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願昭63−216126 (32)優先日 昭63(1988)８月30日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願昭63−255437 (32)優先日 昭63(1988)10月11日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願昭63−255438 (32)優先日 昭63(1988)10月11日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 津留 信二 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 中村 孔三郎 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 丸野 透 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特公 平６−6555（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (3)
- 【請求項１】下記一般式（Ｉ）： （式中、R1は炭素数４〜22のアルキル基またはアルコキ
シ基、 Ｘは （Ｑはハロゲン原子、ニトリル基または水酸基）のいず
れか、Ｙは水酸基、Ｚはメチル基、ハロゲン原子または
CF3、R2は炭素数10以下のアルキル基、アルコキシ基、
アリール基、アラルキル基のいずれか、Ｃ＊は光学活性
炭素、ｍは０または１、ｎは０〜６の整数である。） で表わされる光学活性化合物。 - 【請求項２】請求項１記載の光学活性化合物を少なくと
も１成分以上含有する液晶組成物。 - 【請求項３】下記一般式（II）： （式中、Ｙは水酸基、Ｚはメチル基、ハロゲン原子、CF
3のいずれか、R2は炭素数10以下のアルキル基、アルコ
キシ基、アリール基、アラルキル基のいずれか、Ｃ＊は
光学活性炭素、ｍは０または１、ｎは０〜６の整数であ
る。） で表わされる光学活性化合物合成用中間体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63278618A JPH0717579B2 (ja) | 1987-11-06 | 1988-11-04 | 光学活性化合物および液晶組成物と光学活性化合物合成用中間体 |
Applications Claiming Priority (19)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-280458 | 1987-11-06 | ||
| JP28045887 | 1987-11-06 | ||
| JP62-280456 | 1987-11-06 | ||
| JP28045687 | 1987-11-06 | ||
| JP63-136792 | 1988-06-03 | ||
| JP13679288 | 1988-06-03 | ||
| JP63-136793 | 1988-06-03 | ||
| JP13679488 | 1988-06-03 | ||
| JP13679388 | 1988-06-03 | ||
| JP63-136794 | 1988-06-03 | ||
| JP63-214632 | 1988-08-29 | ||
| JP21463288 | 1988-08-29 | ||
| JP21612688 | 1988-08-30 | ||
| JP63-216126 | 1988-08-30 | ||
| JP63-255438 | 1988-10-11 | ||
| JP25543888 | 1988-10-11 | ||
| JP63-255437 | 1988-10-11 | ||
| JP25543788 | 1988-10-11 | ||
| JP63278618A JPH0717579B2 (ja) | 1987-11-06 | 1988-11-04 | 光学活性化合物および液晶組成物と光学活性化合物合成用中間体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6136138A Division JPH07121892B2 (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 光学活性化合物および液晶組成物と光学活性化合物合成用中間体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02228A JPH02228A (ja) | 1990-01-05 |
| JPH0717579B2 true JPH0717579B2 (ja) | 1995-03-01 |
Family
ID=27580293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63278618A Expired - Fee Related JPH0717579B2 (ja) | 1987-11-06 | 1988-11-04 | 光学活性化合物および液晶組成物と光学活性化合物合成用中間体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0717579B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0725721B2 (ja) * | 1988-05-11 | 1995-03-22 | 株式会社ジャパンエナジー | 新規な含ハロゲンエステル化合物、これを含む液晶組成物及び光スイッチング素子、並びにこの化合物の中間体及びその製造方法 |
| US5008049A (en) * | 1989-09-21 | 1991-04-16 | General Electric Company | Method for sealing an electronic device containing a fluid material |
| GB9526185D0 (en) * | 1995-12-21 | 1996-02-21 | Stc Submarine Systems Ltd | Fiber-break detection in bi-directional optical amplifier systems |
| JP5315590B2 (ja) | 2006-02-14 | 2013-10-16 | Ｊｎｃ株式会社 | 液晶化合物、液晶組成物および液晶表示素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH066555B2 (ja) * | 1986-12-23 | 1994-01-26 | 高砂香料工業株式会社 | 液晶性化合物 |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP63278618A patent/JPH0717579B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02228A (ja) | 1990-01-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |