JPH07161668A - 基板の研削方法及び研削装置 - Google Patents
基板の研削方法及び研削装置Info
- Publication number
- JPH07161668A JPH07161668A JP34050293A JP34050293A JPH07161668A JP H07161668 A JPH07161668 A JP H07161668A JP 34050293 A JP34050293 A JP 34050293A JP 34050293 A JP34050293 A JP 34050293A JP H07161668 A JPH07161668 A JP H07161668A
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- Japan
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- grinding
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Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の研削処理を行う際の研削終点を容易
に、かつ確実に検出することが可能な基板の研削方法及
び研削装置を提供する。 【構成】 研削処理中にその廃液の抵抗値をつねに検出
し、所定の抵抗値が得られたら、導電体膜が露出し、そ
の研削が始まったとして研削終点であると判断すること
により、基板の研削処理を行う際の研削終点を容易に、
かつ確実に検出することができ、基板毎の研削処理を最
適化することができる。
に、かつ確実に検出することが可能な基板の研削方法及
び研削装置を提供する。 【構成】 研削処理中にその廃液の抵抗値をつねに検出
し、所定の抵抗値が得られたら、導電体膜が露出し、そ
の研削が始まったとして研削終点であると判断すること
により、基板の研削処理を行う際の研削終点を容易に、
かつ確実に検出することができ、基板毎の研削処理を最
適化することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板の研削方法及び研削
装置に関し、特に表面に導体膜と、絶縁体膜とがこの順
番に積層された基板の絶縁体膜を研削して導体膜を露出
させるための基板の研削方法及び研削装置に関するもの
である。
装置に関し、特に表面に導体膜と、絶縁体膜とがこの順
番に積層された基板の絶縁体膜を研削して導体膜を露出
させるための基板の研削方法及び研削装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来から半導体基板に於ける平坦化技術
として、パターニングした導体膜上に絶縁体膜を成膜
し、この絶縁体膜を化学機械研磨法（以下、ＣＭＰと略
記する）を用いて導体膜が露出するまで研削することが
提案されている（M.Thomas et al,Proc.IEEE-VIMC,p.43
8,1990. M.Patrick et al,J.ElectroChem.Soc.,138,p.1
778,1991. F.Kaufman et al,J.ElectroChem.Soc.,138,
p.3460,1991.等参照）。
として、パターニングした導体膜上に絶縁体膜を成膜
し、この絶縁体膜を化学機械研磨法（以下、ＣＭＰと略
記する）を用いて導体膜が露出するまで研削することが
提案されている（M.Thomas et al,Proc.IEEE-VIMC,p.43
8,1990. M.Patrick et al,J.ElectroChem.Soc.,138,p.1
778,1991. F.Kaufman et al,J.ElectroChem.Soc.,138,
p.3460,1991.等参照）。
【０００３】上記したようなＣＭＰにあっては、研削加
工を行う際に、まず研削終点を求めるべく処理時間を変
えて基板を研削し、その結果から最適な研削時間を求め
た後、全ての基板の研削処理を時間制御することに行っ
ていた。
工を行う際に、まず研削終点を求めるべく処理時間を変
えて基板を研削し、その結果から最適な研削時間を求め
た後、全ての基板の研削処理を時間制御することに行っ
ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
は基板毎の成膜状態などの個体差や装置の状態の経時変
化などから、必ずしも基板毎の研削処理を最適に行うこ
とができず、研削不足により導体膜が好適に露出しなか
ったり、研削過剰により導体膜をも或る程度研削してし
まい、膜厚不足になることにより抵抗値が増大するなど
の問題があった。
は基板毎の成膜状態などの個体差や装置の状態の経時変
化などから、必ずしも基板毎の研削処理を最適に行うこ
とができず、研削不足により導体膜が好適に露出しなか
ったり、研削過剰により導体膜をも或る程度研削してし
まい、膜厚不足になることにより抵抗値が増大するなど
の問題があった。
【０００５】このような従来技術の問題点に鑑み、本発
明の主な目的は、基板の研削処理を行う際の研削終点を
容易に、かつ確実に検出することが可能な基板の研削方
法及び研削装置を提供することにある。
明の主な目的は、基板の研削処理を行う際の研削終点を
容易に、かつ確実に検出することが可能な基板の研削方
法及び研削装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した目的は本発明に
よれば、表面に導体膜と絶縁体膜とがこの順番に積層さ
れた基板の前記絶縁体膜を、研削液を用いて前記導体膜
が露出するまで研削するための基板の研削方法であっ
て、前記研削液の廃液の電気抵抗値の変化から研削終点
を検知することを特徴とする基板の研削方法及び表面に
導体膜と、絶縁体膜とがこの順番に積層された基板の前
記絶縁体膜を前記導体膜が露出するまで研削するための
基板の研削装置であって、前記研削液の抵抗の高い研削
液からなり、かつ研削廃液の抵抗値の変化を検出する手
段を有することを特徴とする基板の研削装置を提供する
ことにより達成される。
よれば、表面に導体膜と絶縁体膜とがこの順番に積層さ
れた基板の前記絶縁体膜を、研削液を用いて前記導体膜
が露出するまで研削するための基板の研削方法であっ
て、前記研削液の廃液の電気抵抗値の変化から研削終点
を検知することを特徴とする基板の研削方法及び表面に
導体膜と、絶縁体膜とがこの順番に積層された基板の前
記絶縁体膜を前記導体膜が露出するまで研削するための
基板の研削装置であって、前記研削液の抵抗の高い研削
液からなり、かつ研削廃液の抵抗値の変化を検出する手
段を有することを特徴とする基板の研削装置を提供する
ことにより達成される。
【０００７】
【作用】このように、研削処理中にその廃液の抵抗値を
つねに検出していれば、所定の抵抗値が得られたら、導
電体膜が露出し、その研削が始まったとして研削終点で
あると判断する。
つねに検出していれば、所定の抵抗値が得られたら、導
電体膜が露出し、その研削が始まったとして研削終点で
あると判断する。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の好適実施例を添付の図面につ
いて詳しく説明する。
いて詳しく説明する。
【０００９】図１は、本発明が適用されたＣＭＰ装置の
要部構成を示す断面図である。このＣＭＰ装置は、マウ
ントプレート２を介して基板１０を支持する回転可能な
支持ヘッド１と、このマウントプレート２に対向する位
置に設けられ、かつその表面に研削面３ａを有する回転
可能な定盤３とを有している。
要部構成を示す断面図である。このＣＭＰ装置は、マウ
ントプレート２を介して基板１０を支持する回転可能な
支持ヘッド１と、このマウントプレート２に対向する位
置に設けられ、かつその表面に研削面３ａを有する回転
可能な定盤３とを有している。
【００１０】研削面３ａにはノズル４から二酸化珪素
（ＳｉＯ2）または酸化セリウム（ＣｅＯ2）などをベー
スとする比較的電気抵抗の高い研削液が供給されるよう
になっている。また、定盤３の下部には上記研削液の研
削廃液を受けるためのドレイン６が設けられ、このドレ
イン６には研削廃液を該ドレイン６から外部に排出する
ための管７が接続されている。管７の中間部には上記研
削廃液の電気抵抗値を研削処理中つねに測定する廃液抵
抗値測定装置８が付設されている。
（ＳｉＯ2）または酸化セリウム（ＣｅＯ2）などをベー
スとする比較的電気抵抗の高い研削液が供給されるよう
になっている。また、定盤３の下部には上記研削液の研
削廃液を受けるためのドレイン６が設けられ、このドレ
イン６には研削廃液を該ドレイン６から外部に排出する
ための管７が接続されている。管７の中間部には上記研
削廃液の電気抵抗値を研削処理中つねに測定する廃液抵
抗値測定装置８が付設されている。
【００１１】尚、符号９は冷却水チラーであり、上記定
盤３の内部通路３ｂに冷却水を循環させるようになって
いる。
盤３の内部通路３ｂに冷却水を循環させるようになって
いる。
【００１２】以下に、本実施例の作動要領について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１３】図２（ａ）に示すように基板１０の表面に
各種素子を形成するべく、成膜、パターニング等を行っ
た後、絶縁体膜１１を成膜させ、コンタクトホール１２
を形成し、このコンタクトホール１２に埋め込み電極１
３を形成すると共にアルミニウムからなる導電体膜１４
を成膜させ、この導電体膜１４をパターニングする。更
に、その表面を平坦化するべく、絶縁体膜１５を成膜さ
せる。
各種素子を形成するべく、成膜、パターニング等を行っ
た後、絶縁体膜１１を成膜させ、コンタクトホール１２
を形成し、このコンタクトホール１２に埋め込み電極１
３を形成すると共にアルミニウムからなる導電体膜１４
を成膜させ、この導電体膜１４をパターニングする。更
に、その表面を平坦化するべく、絶縁体膜１５を成膜さ
せる。
【００１４】次にこの絶縁体膜１５が成膜した基板１０
をマウントプレート２を介してヘッド１に支持して、当
該ＣＭＰ装置にセットする。そして、ノズル４から研削
液を供給しつつヘッド１を定盤３に向けて加圧して基板
１０を研削面３ａに当接させる。この状態でヘッド１及
び定盤３を回転させて研削を開始する。このとき、同時
に廃液抵抗値測定装置８も作動させる。
をマウントプレート２を介してヘッド１に支持して、当
該ＣＭＰ装置にセットする。そして、ノズル４から研削
液を供給しつつヘッド１を定盤３に向けて加圧して基板
１０を研削面３ａに当接させる。この状態でヘッド１及
び定盤３を回転させて研削を開始する。このとき、同時
に廃液抵抗値測定装置８も作動させる。
【００１５】研削が進むと導電体膜１４が露出してその
研削が始まる（図２（ｂ））。すると研削廃液に導電体
が混入してその電気抵抗値が変化する。従って、所定の
抵抗値が得られたら、上記導電体膜１４が露出し、その
研削が始まったとして研削終点であると判断し、研削処
理を終了する。
研削が始まる（図２（ｂ））。すると研削廃液に導電体
が混入してその電気抵抗値が変化する。従って、所定の
抵抗値が得られたら、上記導電体膜１４が露出し、その
研削が始まったとして研削終点であると判断し、研削処
理を終了する。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明による基板の研削方法及び研削装置によれば、研削処
理中にその廃液の抵抗値をつねに検出し、所定の抵抗値
が得られたら、導電体膜が露出し、その研削が始まった
として研削終点であると判断することにより、基板の研
削処理を行う際の研削終点を容易に、かつ確実に検出す
ることができ、基板毎の研削処理を最適化することがで
きる。
明による基板の研削方法及び研削装置によれば、研削処
理中にその廃液の抵抗値をつねに検出し、所定の抵抗値
が得られたら、導電体膜が露出し、その研削が始まった
として研削終点であると判断することにより、基板の研
削処理を行う際の研削終点を容易に、かつ確実に検出す
ることができ、基板毎の研削処理を最適化することがで
きる。
【図１】本発明が適用されたＣＭＰ装置の要部構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】（ａ）は研削処理前の基板の断面図であり、
（ｂ）は研削処理終了時の基板の断面図である。
（ｂ）は研削処理終了時の基板の断面図である。
１ ヘッド ２ マウントプレート ３ 定盤 ３ａ 研削面 ３ｂ 内部通路 ４ ノズル ６ ドレイン ７ 管 ８ 廃液抵抗値測定装置 ９ 冷却水チラー １０ 基板 １１ 絶縁体膜 １２ コンタクトホール １３ 埋め込み電極 １４ 導電体膜 １５ 絶縁体膜
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に導体膜と絶縁体膜とがこの順番
に積層された基板の前記絶縁体膜を、研削液を用いて前
記導体膜が露出するまで研削するための基板の研削方法
であって、 前記研削液の廃液の電気抵抗値の変化から研削終点を検
知することを特徴とする基板の研削方法。 - 【請求項２】 表面に導体膜と、絶縁体膜とがこの順
番に積層された基板の前記絶縁体膜を前記導体膜が露出
するまで研削するための基板の研削装置であって、 前記研削液の抵抗の高い研削液からなり、かつ研削廃液
の抵抗値の変化を検出する手段を有することを特徴とす
る基板の研削装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34050293A JPH07161668A (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 基板の研削方法及び研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34050293A JPH07161668A (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 基板の研削方法及び研削装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161668A true JPH07161668A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=18337586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34050293A Withdrawn JPH07161668A (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 基板の研削方法及び研削装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161668A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100298822B1 (ko) * | 1996-12-25 | 2001-10-19 | 니시무로 타이죠 | 연마장치및연마방법 |
| JP2003107207A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Fujikura Ltd | 屈折率分布型レンズおよびその製造方法 |
| JP2007083357A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Jtekt Corp | 研削液の厚み測定装置及び該装置を用いた研削盤 |
-
1993
- 1993-12-08 JP JP34050293A patent/JPH07161668A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100298822B1 (ko) * | 1996-12-25 | 2001-10-19 | 니시무로 타이죠 | 연마장치및연마방법 |
| JP2003107207A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Fujikura Ltd | 屈折率分布型レンズおよびその製造方法 |
| JP2007083357A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Jtekt Corp | 研削液の厚み測定装置及び該装置を用いた研削盤 |
| JP4677315B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2011-04-27 | 株式会社ジェイテクト | 研削液の厚み測定装置及び該装置を用いた研削盤 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010306 |