JPH07161034A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、デジタルビデオテープレコーダや
高精細度ビデオテープレコーダに最適の強磁性金属薄膜
を磁気記録層とする磁気記録媒体に関するもので、走行
耐久性・耐候保存性に優れた特性を示す磁気記録媒体を
得ることを目的とする。 【構成】 非磁性基板１上に強磁性金属薄膜２を形成
し、強磁性金属薄膜上に、ケイ素、リン、イオウ、ス
ズ、インジウムから選ばれた少なくとも一つの元素の濃
度、あるいはスズ、インジウムから選ばれた少なくとも
一つの元素とホウ素の濃度が最表面から深さ方向に向か
って減少する炭素膜３を形成し、さらに潤滑剤層４を配
した磁気記録媒体。
高精細度ビデオテープレコーダに最適の強磁性金属薄膜
を磁気記録層とする磁気記録媒体に関するもので、走行
耐久性・耐候保存性に優れた特性を示す磁気記録媒体を
得ることを目的とする。 【構成】 非磁性基板１上に強磁性金属薄膜２を形成
し、強磁性金属薄膜上に、ケイ素、リン、イオウ、ス
ズ、インジウムから選ばれた少なくとも一つの元素の濃
度、あるいはスズ、インジウムから選ばれた少なくとも
一つの元素とホウ素の濃度が最表面から深さ方向に向か
って減少する炭素膜３を形成し、さらに潤滑剤層４を配
した磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度磁気記録に適す
る強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体に関
し、特にデジタルビデオテープレコーダーや高精細度ビ
デオテープレコーダーに適する磁気記録媒体に関する。
る強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体に関
し、特にデジタルビデオテープレコーダーや高精細度ビ
デオテープレコーダーに適する磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録の分野において、記録再
生装置の小型化・高性能化に伴い、高密度記録可能な磁
気記録媒体の開発が盛んに行われている。最近では磁性
体が樹脂中に分散した塗布型磁気記録媒体に代わって、
短波長記録に極めて有利な連続薄膜型磁気記録媒体が実
用化されつつある。
生装置の小型化・高性能化に伴い、高密度記録可能な磁
気記録媒体の開発が盛んに行われている。最近では磁性
体が樹脂中に分散した塗布型磁気記録媒体に代わって、
短波長記録に極めて有利な連続薄膜型磁気記録媒体が実
用化されつつある。
【０００３】いずれの磁気記録媒体でも、記録・再生過
程において媒体と磁気ヘッドは、接触摺動する。すなわ
ち、ビデオテープ・フロッピーディスクでは連続的に接
触摺動し、また磁気ディスクでは間欠的に接触摺動す
る。しかし、連続薄膜型磁気記録媒体では磁性層表面が
極めて平滑で硬度が低く、塑性変形しやすいために、磁
気ヘッドとの摩擦係数が大きくなりやすい。その結果、
記録・再生過程における磁性層の摩耗・損傷が生じやす
くなる。また、特に高湿度環境下にて、磁性層表面にお
ける酸化・腐食が進行し、その結果、磁気特性が劣化す
るという問題を有していた。従って走行耐久性の向上、
すなわち媒体と磁気ヘッドの接触摺動による媒体の損傷
防止と、耐候保存性の向上、すなわち高湿度環境下にお
ける磁性薄膜の腐食防止のために磁気媒体表面に保護膜
および潤滑剤層が設けられている。
程において媒体と磁気ヘッドは、接触摺動する。すなわ
ち、ビデオテープ・フロッピーディスクでは連続的に接
触摺動し、また磁気ディスクでは間欠的に接触摺動す
る。しかし、連続薄膜型磁気記録媒体では磁性層表面が
極めて平滑で硬度が低く、塑性変形しやすいために、磁
気ヘッドとの摩擦係数が大きくなりやすい。その結果、
記録・再生過程における磁性層の摩耗・損傷が生じやす
くなる。また、特に高湿度環境下にて、磁性層表面にお
ける酸化・腐食が進行し、その結果、磁気特性が劣化す
るという問題を有していた。従って走行耐久性の向上、
すなわち媒体と磁気ヘッドの接触摺動による媒体の損傷
防止と、耐候保存性の向上、すなわち高湿度環境下にお
ける磁性薄膜の腐食防止のために磁気媒体表面に保護膜
および潤滑剤層が設けられている。
【０００４】現状では非磁性基板として、ポリエステル
フィルムや、ニッケル・リン合金の無電解メッキが施さ
れたアルミニウム等が使用されている。これらの非磁性
基板は必要に応じて媒体表面粗さを制御するために、下
塗層を配したり、研磨加工したりする。強磁性金属薄膜
の磁気記録層として、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｐｔ
等が真空蒸着法や、スパッタ法等で形成される。保護膜
としては、非晶質炭素（特開昭６１−１４２５２５号公
報、特開昭６１−２０８６２２号公報）や、ダイヤモン
ド状炭素膜（特開昭６２−２１９３１４号公報、特開昭
６１−２１０５１８号公報）や、ＳｉＯ 2のような酸化
物（特開昭５９−２２９７４３号公報）、有機化合物の
プラズマ重合膜やカーボンを主成分とするプラズマ重合
膜（特開昭５９−１７１０２９号公報、特開昭６０−８
９８１８号公報）等が用いられる。特に、炭素を主成分
とする保護膜に別の元素を添加し、磁気記録媒体の走行
耐久性および耐候保存性を向上させる方法として、ホウ
素、ケイ素等を含んだダイヤモンド状カーボン膜を設け
る方法（特開昭６０−２９９３６号公報）、リンとクロ
ムを含有した水素含有非晶質炭素膜を設ける方法（特開
昭６２−１３９８７１号公報）、金属を含有した炭化水
素化合物からなるプラズマ重合保護膜を設ける方法（特
開昭６０−２３７６４０号公報）等が知られている。
フィルムや、ニッケル・リン合金の無電解メッキが施さ
れたアルミニウム等が使用されている。これらの非磁性
基板は必要に応じて媒体表面粗さを制御するために、下
塗層を配したり、研磨加工したりする。強磁性金属薄膜
の磁気記録層として、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｐｔ
等が真空蒸着法や、スパッタ法等で形成される。保護膜
としては、非晶質炭素（特開昭６１−１４２５２５号公
報、特開昭６１−２０８６２２号公報）や、ダイヤモン
ド状炭素膜（特開昭６２−２１９３１４号公報、特開昭
６１−２１０５１８号公報）や、ＳｉＯ 2のような酸化
物（特開昭５９−２２９７４３号公報）、有機化合物の
プラズマ重合膜やカーボンを主成分とするプラズマ重合
膜（特開昭５９−１７１０２９号公報、特開昭６０−８
９８１８号公報）等が用いられる。特に、炭素を主成分
とする保護膜に別の元素を添加し、磁気記録媒体の走行
耐久性および耐候保存性を向上させる方法として、ホウ
素、ケイ素等を含んだダイヤモンド状カーボン膜を設け
る方法（特開昭６０−２９９３６号公報）、リンとクロ
ムを含有した水素含有非晶質炭素膜を設ける方法（特開
昭６２−１３９８７１号公報）、金属を含有した炭化水
素化合物からなるプラズマ重合保護膜を設ける方法（特
開昭６０−２３７６４０号公報）等が知られている。
【０００５】潤滑剤層はパーフルオロポリエーテル、含
フッ素カルボン酸、含フッ素リン酸等が用いられる。
フッ素カルボン酸、含フッ素リン酸等が用いられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
構成では、磁気記録媒体と磁気ヘッドの接触摺動時の走
行耐久性、高湿度環境下や腐食性ガス環境下における耐
候保存性は向上するが、未だ充分なものとは言えない状
況である。すなわち、保護膜の硬度が充分でない場合
は、走行耐久性の面で効果を得る為にその膜厚を大きく
しなければならないという問題点があった。一方、ダイ
ヤモンド状炭素膜を保護膜として用いると、その硬度の
大きさによって走行耐久性は向上する。しかしダイヤモ
ンド状炭素膜が不活性であるために潤滑剤の配向性・付
着強度が不十分で、磁気記録媒体の撥水性が低下する。
その結果、高湿度環境下にて磁気記録媒体を長期間放置
すると、強磁性金属薄膜層に錆が発生するという問題が
あった。あるいはダイヤモンド状炭素膜と強磁性金属薄
膜層の界面にて剥離が発生し、出力信号が低下するとい
う問題もあった。また、潤滑剤の配向性が不十分なの
で、磁気記録媒体の潤滑性低下という問題も生じる。そ
の結果、ダイヤモンド状炭素膜を保護膜として使用した
場合は、媒体と磁気ヘッドの接触摺動を重ねるに従っ
て、摩擦係数が上昇する場合がある。また、ダイヤモン
ド状炭素膜に種々の元素を添加した場合は、膜の硬度が
低下し、走行耐久性の面で劣るという問題点が残る。
構成では、磁気記録媒体と磁気ヘッドの接触摺動時の走
行耐久性、高湿度環境下や腐食性ガス環境下における耐
候保存性は向上するが、未だ充分なものとは言えない状
況である。すなわち、保護膜の硬度が充分でない場合
は、走行耐久性の面で効果を得る為にその膜厚を大きく
しなければならないという問題点があった。一方、ダイ
ヤモンド状炭素膜を保護膜として用いると、その硬度の
大きさによって走行耐久性は向上する。しかしダイヤモ
ンド状炭素膜が不活性であるために潤滑剤の配向性・付
着強度が不十分で、磁気記録媒体の撥水性が低下する。
その結果、高湿度環境下にて磁気記録媒体を長期間放置
すると、強磁性金属薄膜層に錆が発生するという問題が
あった。あるいはダイヤモンド状炭素膜と強磁性金属薄
膜層の界面にて剥離が発生し、出力信号が低下するとい
う問題もあった。また、潤滑剤の配向性が不十分なの
で、磁気記録媒体の潤滑性低下という問題も生じる。そ
の結果、ダイヤモンド状炭素膜を保護膜として使用した
場合は、媒体と磁気ヘッドの接触摺動を重ねるに従っ
て、摩擦係数が上昇する場合がある。また、ダイヤモン
ド状炭素膜に種々の元素を添加した場合は、膜の硬度が
低下し、走行耐久性の面で劣るという問題点が残る。
【０００７】本発明の目的は、電磁変換特性を損なうこ
となく、すなわち保護膜の膜厚を大きくすることなく、
特にビデオテープレコーダー使用時の繰り返し走行にお
ける磁気ヘッドの目づまり・磁気テープの走行性低下等
のない、走行耐久性能の高い磁気記録媒体を提供するこ
とである。さらに本発明の別の目的は、電磁変換特性を
損なうことなく、耐候保存性に優れた磁気記録媒体を提
供することである。
となく、すなわち保護膜の膜厚を大きくすることなく、
特にビデオテープレコーダー使用時の繰り返し走行にお
ける磁気ヘッドの目づまり・磁気テープの走行性低下等
のない、走行耐久性能の高い磁気記録媒体を提供するこ
とである。さらに本発明の別の目的は、電磁変換特性を
損なうことなく、耐候保存性に優れた磁気記録媒体を提
供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成
し、前記強磁性金属薄膜上に、ケイ素、リン、イオウ、
スズ、インジウムの中から選ばれた少なくとも一つの元
素の濃度が最表面から深さ方向に向かって減少する高硬
度で緻密な炭素膜を形成し、さらに前記炭素膜上に潤滑
剤層を配した構成を有するものである。
めに、本発明は非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成
し、前記強磁性金属薄膜上に、ケイ素、リン、イオウ、
スズ、インジウムの中から選ばれた少なくとも一つの元
素の濃度が最表面から深さ方向に向かって減少する高硬
度で緻密な炭素膜を形成し、さらに前記炭素膜上に潤滑
剤層を配した構成を有するものである。
【０００９】また本発明は非磁性基板上に強磁性金属薄
膜を形成し、前記強磁性金属薄膜上に、スズ、インジウ
ムの中から選ばれた少なくとも一つとホウ素の元素の濃
度が最表面から深さ方向に向かって減少する高硬度で緻
密な炭素膜を形成し、さらに前記炭素膜上に潤滑剤層を
配した構成を有するものである。
膜を形成し、前記強磁性金属薄膜上に、スズ、インジウ
ムの中から選ばれた少なくとも一つとホウ素の元素の濃
度が最表面から深さ方向に向かって減少する高硬度で緻
密な炭素膜を形成し、さらに前記炭素膜上に潤滑剤層を
配した構成を有するものである。
【００１０】これらの炭素膜はプラズマＣＶＤ法、イオ
ンビームデポジション法、スパッタ法等により形成され
る。炭素膜中にケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウ
ム、ホウ素等の元素が含有されている部分、すなわち、
ケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウムの中から選ば
れた少なくとも一つの元素の炭素に対する原子比率が
１．０％以上である部分、またはスズ、インジウムの中
から選ばれた少なくとも一つの元素とホウ素の炭素に対
する原子比率が１．０％以上である部分の厚さが大きす
ぎると、炭素膜全体の硬度が低くなる。その結果、磁気
記録テープの走行耐久性が著しく低下し、磁気記録テー
プ表面上に磁気ヘッドとの接触摺動により傷が発生しや
すくなる。従って、炭素に対するこれらの元素の原子比
率が１．０％以上である部分は、保護膜の硬度および潤
滑剤との付着性・配向性という観点から、前記炭素膜の
表面近傍に存在しなければならない。そしてその厚さ
は、前記炭素膜の最表面から４．０ｎｍ以下が最適であ
る。また、ケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウムの
中から選ばれた少なくとも一つの元素、または、スズ、
インジウムの中から選ばれた少なくとも一つとホウ素を
含有する部分は、これらの元素を含有しない炭素膜上に
島状に形成されていてもよい。
ンビームデポジション法、スパッタ法等により形成され
る。炭素膜中にケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウ
ム、ホウ素等の元素が含有されている部分、すなわち、
ケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウムの中から選ば
れた少なくとも一つの元素の炭素に対する原子比率が
１．０％以上である部分、またはスズ、インジウムの中
から選ばれた少なくとも一つの元素とホウ素の炭素に対
する原子比率が１．０％以上である部分の厚さが大きす
ぎると、炭素膜全体の硬度が低くなる。その結果、磁気
記録テープの走行耐久性が著しく低下し、磁気記録テー
プ表面上に磁気ヘッドとの接触摺動により傷が発生しや
すくなる。従って、炭素に対するこれらの元素の原子比
率が１．０％以上である部分は、保護膜の硬度および潤
滑剤との付着性・配向性という観点から、前記炭素膜の
表面近傍に存在しなければならない。そしてその厚さ
は、前記炭素膜の最表面から４．０ｎｍ以下が最適であ
る。また、ケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウムの
中から選ばれた少なくとも一つの元素、または、スズ、
インジウムの中から選ばれた少なくとも一つとホウ素を
含有する部分は、これらの元素を含有しない炭素膜上に
島状に形成されていてもよい。
【００１１】また、炭素膜上の潤滑剤との付着性および
配向性という観点から、炭素膜中のケイ素、リン、イオ
ウ、スズ、インジウムの中から選ばれた少なくとも一つ
の元素と炭素の一重結合およびＣ−Ｏ結合に関与する元
素の総和が３．０原子％以上であることが望ましい。同
様の理由により、炭素膜中の、スズ、インジウムの中か
ら選ばれた少なくとも一つの元素と炭素の一重結合およ
びＢ−Ｃ結合およびＣ−Ｏ結合に関与するスズ、インジ
ウムの中から選ばれた一つの元素と炭素、酸素およびホ
ウ素の総和が３．０原子％以上であることが望ましい。
炭素膜中において、ケイ素、リン、イオウ、スズ、イン
ジウム、ホウ素を含有する部分は、やはり炭素膜上の潤
滑剤との付着性および配向性という観点から、これらの
元素の酸素に対する原子比率が１０．０％以上であるこ
とが望ましい。上記で限定した範囲から逸脱すると、撥
水性が低下することにより耐候保存性向上効果が充分に
得られなかったり、摩擦特性が悪化することにより走行
耐久性能向上効果が充分に得られなかったりする。また
同様の観点より、酸素と結合しているリンまたはイオウ
のいずれかと、酸素の総和が１．０原子％以下であるこ
とが望ましい。
配向性という観点から、炭素膜中のケイ素、リン、イオ
ウ、スズ、インジウムの中から選ばれた少なくとも一つ
の元素と炭素の一重結合およびＣ−Ｏ結合に関与する元
素の総和が３．０原子％以上であることが望ましい。同
様の理由により、炭素膜中の、スズ、インジウムの中か
ら選ばれた少なくとも一つの元素と炭素の一重結合およ
びＢ−Ｃ結合およびＣ−Ｏ結合に関与するスズ、インジ
ウムの中から選ばれた一つの元素と炭素、酸素およびホ
ウ素の総和が３．０原子％以上であることが望ましい。
炭素膜中において、ケイ素、リン、イオウ、スズ、イン
ジウム、ホウ素を含有する部分は、やはり炭素膜上の潤
滑剤との付着性および配向性という観点から、これらの
元素の酸素に対する原子比率が１０．０％以上であるこ
とが望ましい。上記で限定した範囲から逸脱すると、撥
水性が低下することにより耐候保存性向上効果が充分に
得られなかったり、摩擦特性が悪化することにより走行
耐久性能向上効果が充分に得られなかったりする。また
同様の観点より、酸素と結合しているリンまたはイオウ
のいずれかと、酸素の総和が１．０原子％以下であるこ
とが望ましい。
【００１２】炭素膜全体の厚みは１０ｎｍから２０ｎｍ
が耐久信頼性と信号出力とのバランス上最適である。ま
た、ビッカース硬度は少なくとも２０００ｋｇ／ｍｍ2
以上であることが望ましく、さらに望ましくは２５００
ｋｇ／ｍｍ2 以上と高くすると優れた走行耐久性能を得
ることができる。ただし、炭素膜中に含まれる水素濃度
は５０原子％以下が、炭素膜硬度および炭素膜と潤滑剤
の付着力向上の観点から望ましい。
が耐久信頼性と信号出力とのバランス上最適である。ま
た、ビッカース硬度は少なくとも２０００ｋｇ／ｍｍ2
以上であることが望ましく、さらに望ましくは２５００
ｋｇ／ｍｍ2 以上と高くすると優れた走行耐久性能を得
ることができる。ただし、炭素膜中に含まれる水素濃度
は５０原子％以下が、炭素膜硬度および炭素膜と潤滑剤
の付着力向上の観点から望ましい。
【００１３】炭素膜上に設けられる潤滑剤層により、炭
素膜と同様、磁気ヘッドとの接触摺動によって磁気テー
プが受けるダメージを防いでいる。潤滑剤層として、−
ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨ2 、＝ＮＨ、−ＣＯ
ＮＨ2 、−ＣＯＮＨＲ、−ＣＯＮＲ2 、−ＣＯＯＲ、＝
ＰＲ、＝ＰＲＯ、＝ＰＲＳ、−ＯＰＯ（ＯＨ）2 、−Ｏ
ＰＯ（ＯＲ）2 、−ＳＯ3 Ｍ（ただし、Ｒは炭素数１〜
２２の炭化水素基、Ｍは水素、アルカリ金属またはアル
カリ土類金属）から選ばれた少なくとも一つの極性基を
有する含フッ素系潤滑剤層であることが望ましい。例と
してはＣ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＯＨやＣ5Ｆ11（ＣＨ2）
11ＯＨ、Ｃ12Ｈ23ＣＨ（ＳＨ）ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ
17、Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）11ＮＨ2、Ｃ7Ｆ15ＣＨ2ＮＨＣ14
Ｈ29、Ｃ 5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＮＨ2、Ｃ5Ｆ11（Ｃ
Ｈ2）10ＣＯＮＨＣ8Ｈ17、Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＮ
（Ｃ8Ｈ17）2、Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＯＣ8Ｈ17、
（Ｃ8Ｆ17Ｃ2Ｈ4）2ＰＣ18Ｈ37、Ｃ8Ｈ17（Ｃ8Ｆ17Ｃ2
Ｈ4）2ＰＯ、Ｃ8Ｈ17（Ｃ8Ｆ17Ｃ2Ｈ4）2ＰＳ、（Ｃ8Ｆ
17Ｃ2Ｈ4Ｏ）ＰＯ（ＯＨ）2、（Ｃ8Ｆ17Ｃ2Ｈ4）ＰＯ
（ＯＣ8Ｈ17）2、Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＳＯ3Ｎａ等があ
げられる。例えば、含フッ素カルボン酸を単独使用、あ
るいは含フッ素カルボン酸エステルと混合して使用して
もよい。厚みは１ｎｍから５ｎｍであるが、使用する潤
滑剤の種類により最適膜厚が存在する。この潤滑剤層は
湿式塗布法、有機蒸着法等により形成される。
素膜と同様、磁気ヘッドとの接触摺動によって磁気テー
プが受けるダメージを防いでいる。潤滑剤層として、−
ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨ2 、＝ＮＨ、−ＣＯ
ＮＨ2 、−ＣＯＮＨＲ、−ＣＯＮＲ2 、−ＣＯＯＲ、＝
ＰＲ、＝ＰＲＯ、＝ＰＲＳ、−ＯＰＯ（ＯＨ）2 、−Ｏ
ＰＯ（ＯＲ）2 、−ＳＯ3 Ｍ（ただし、Ｒは炭素数１〜
２２の炭化水素基、Ｍは水素、アルカリ金属またはアル
カリ土類金属）から選ばれた少なくとも一つの極性基を
有する含フッ素系潤滑剤層であることが望ましい。例と
してはＣ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＯＨやＣ5Ｆ11（ＣＨ2）
11ＯＨ、Ｃ12Ｈ23ＣＨ（ＳＨ）ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ
17、Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）11ＮＨ2、Ｃ7Ｆ15ＣＨ2ＮＨＣ14
Ｈ29、Ｃ 5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＮＨ2、Ｃ5Ｆ11（Ｃ
Ｈ2）10ＣＯＮＨＣ8Ｈ17、Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＮ
（Ｃ8Ｈ17）2、Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＯＣ8Ｈ17、
（Ｃ8Ｆ17Ｃ2Ｈ4）2ＰＣ18Ｈ37、Ｃ8Ｈ17（Ｃ8Ｆ17Ｃ2
Ｈ4）2ＰＯ、Ｃ8Ｈ17（Ｃ8Ｆ17Ｃ2Ｈ4）2ＰＳ、（Ｃ8Ｆ
17Ｃ2Ｈ4Ｏ）ＰＯ（ＯＨ）2、（Ｃ8Ｆ17Ｃ2Ｈ4）ＰＯ
（ＯＣ8Ｈ17）2、Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＳＯ3Ｎａ等があ
げられる。例えば、含フッ素カルボン酸を単独使用、あ
るいは含フッ素カルボン酸エステルと混合して使用して
もよい。厚みは１ｎｍから５ｎｍであるが、使用する潤
滑剤の種類により最適膜厚が存在する。この潤滑剤層は
湿式塗布法、有機蒸着法等により形成される。
【００１４】強磁性金属薄膜上にケイ素、リン、イオ
ウ、スズ、インジウムの中から選ばれた少なくとも一つ
の元素の濃度が最表面から深さ方向に向かって減少する
炭素膜または、スズ、インジウムの中から選ばれた少な
くとも一つの元素とホウ素の濃度が最表面から深さ方向
に向かって減少する炭素膜を成膜する一例として、まず
メタンやエチレン、アセチレン、ヘキサンのような炭化
水素ガスとＡｒの混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法に
より、これらの元素が含有されていない部分、すなわち
ケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウム、ホウ素の炭
素に対する原子比率が１．０％以下である炭素膜を成膜
する。例えば直流プラズマＣＶＤ法では、混合ガス圧を
１０ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒとし、直流電圧を１００
〜５０００Ｖ印可する。その後に、ケイ素、リン、イオ
ウ、スズ、インジウム、ホウ素を含有した重合性モノマ
ーガスを導入し、炭化水素ガス等との混合比率を炭素膜
が成膜されるにしたがって、連続的あるいは非連続的に
変化させることにより、ケイ素、リン、イオウ、スズ、
インジウム、ホウ素等の濃度が炭素膜の最表面から深さ
方向に向かって減少して行くような炭素膜を得ることが
できる。ケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウム、ホ
ウ素を含有した重合性モノマーガスとして、テトラメチ
ルシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキ
サメチルジシロキサン、トリメチルクロルシラン、メチ
ルトリメトキシシラン、ホスフィン、ジエチルホスフィ
ン、トリエチルホスフィン、硫化トリメチレン、硫化エ
チレン、ブチルメルカプタン、チオフェン、チアゾー
ル、テトラメチルスズ、四塩化スズ、トリメチルインジ
ウム、トリエチルインジウム、Ｂ2Ｈ6、ＢＣｌ3、ＢＦ3
等を用いることができる。
ウ、スズ、インジウムの中から選ばれた少なくとも一つ
の元素の濃度が最表面から深さ方向に向かって減少する
炭素膜または、スズ、インジウムの中から選ばれた少な
くとも一つの元素とホウ素の濃度が最表面から深さ方向
に向かって減少する炭素膜を成膜する一例として、まず
メタンやエチレン、アセチレン、ヘキサンのような炭化
水素ガスとＡｒの混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法に
より、これらの元素が含有されていない部分、すなわち
ケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウム、ホウ素の炭
素に対する原子比率が１．０％以下である炭素膜を成膜
する。例えば直流プラズマＣＶＤ法では、混合ガス圧を
１０ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒとし、直流電圧を１００
〜５０００Ｖ印可する。その後に、ケイ素、リン、イオ
ウ、スズ、インジウム、ホウ素を含有した重合性モノマ
ーガスを導入し、炭化水素ガス等との混合比率を炭素膜
が成膜されるにしたがって、連続的あるいは非連続的に
変化させることにより、ケイ素、リン、イオウ、スズ、
インジウム、ホウ素等の濃度が炭素膜の最表面から深さ
方向に向かって減少して行くような炭素膜を得ることが
できる。ケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウム、ホ
ウ素を含有した重合性モノマーガスとして、テトラメチ
ルシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキ
サメチルジシロキサン、トリメチルクロルシラン、メチ
ルトリメトキシシラン、ホスフィン、ジエチルホスフィ
ン、トリエチルホスフィン、硫化トリメチレン、硫化エ
チレン、ブチルメルカプタン、チオフェン、チアゾー
ル、テトラメチルスズ、四塩化スズ、トリメチルインジ
ウム、トリエチルインジウム、Ｂ2Ｈ6、ＢＣｌ3、ＢＦ3
等を用いることができる。
【００１５】非磁性基板としては、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレンナフタレート、芳香族ポリアミ
ド、芳香族ポリイミド等のフィルムやアルミ基板、ガラ
ス基板等が使用可能である。磁性層が成膜される基板表
面は１０ｎｍから３０ｎｍの突起形成処理が施されてい
るものが信頼性とＲＦ出力を両立する観点から最適であ
る。
タレート、ポリエチレンナフタレート、芳香族ポリアミ
ド、芳香族ポリイミド等のフィルムやアルミ基板、ガラ
ス基板等が使用可能である。磁性層が成膜される基板表
面は１０ｎｍから３０ｎｍの突起形成処理が施されてい
るものが信頼性とＲＦ出力を両立する観点から最適であ
る。
【００１６】強磁性金属薄膜としては、真空成膜法など
で成膜されたＣｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｃｒ等
が使用可能である。その厚みは５０ｎｍから３００ｎｍ
が一般的である。
で成膜されたＣｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｃｒ等
が使用可能である。その厚みは５０ｎｍから３００ｎｍ
が一般的である。
【００１７】これらの強磁性金属薄膜、炭素膜、潤滑剤
は真空中において、連続成膜が可能である。
は真空中において、連続成膜が可能である。
【００１８】
【作用】本発明は非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成
し、強磁性金属薄膜上に、ケイ素、リン、イオウ、ス
ズ、インジウムの中から選ばれた少なくとも一つの元素
の濃度が最表面から深さ方向に向かって減少する高硬度
で緻密な炭素膜を形成し、さらに前記炭素膜上に潤滑剤
層を配することによって、炭素膜表面に分布するケイ
素、リン、イオウ、スズ、インジウムの中から選ばれた
少なくとも一つの元素と潤滑剤の極性基とが強く付着す
る。その結果、炭素膜と潤滑剤層の付着力が向上し、同
時に潤滑剤の配向性も向上する。従って、磁気記録媒体
・磁気ヘッド間の摩擦係数が低くなる。以上の作用によ
り、ビデオテープレコーダー使用時の繰り返し走行にお
ける磁気ヘッド目づまり・走行性低下・テープ劣化を防
ぐことができ、走行耐久性が向上する。さらに潤滑剤層
が配向性を持って保護膜に強固に付着するので媒体自体
が高い撥水性を示す。従って、高湿度・腐食性ガス環境
下において、従来以上に水分・腐食性ガスの保護膜透過
を防止することができる。その結果、強磁性金属薄膜上
の錆、あるいは強磁性金属薄膜と非磁性基板との界面に
おける剥離等を防ぐことができ、走行耐久性・耐候保存
性が向上する。特に、スズまたはインジウムの濃度が最
表面から深さ方向に向かって減少する炭素膜を形成し、
さらに潤滑剤層を配した場合は、非常に大きな撥水性を
示し、耐候保存性が大幅に向上する。
し、強磁性金属薄膜上に、ケイ素、リン、イオウ、ス
ズ、インジウムの中から選ばれた少なくとも一つの元素
の濃度が最表面から深さ方向に向かって減少する高硬度
で緻密な炭素膜を形成し、さらに前記炭素膜上に潤滑剤
層を配することによって、炭素膜表面に分布するケイ
素、リン、イオウ、スズ、インジウムの中から選ばれた
少なくとも一つの元素と潤滑剤の極性基とが強く付着す
る。その結果、炭素膜と潤滑剤層の付着力が向上し、同
時に潤滑剤の配向性も向上する。従って、磁気記録媒体
・磁気ヘッド間の摩擦係数が低くなる。以上の作用によ
り、ビデオテープレコーダー使用時の繰り返し走行にお
ける磁気ヘッド目づまり・走行性低下・テープ劣化を防
ぐことができ、走行耐久性が向上する。さらに潤滑剤層
が配向性を持って保護膜に強固に付着するので媒体自体
が高い撥水性を示す。従って、高湿度・腐食性ガス環境
下において、従来以上に水分・腐食性ガスの保護膜透過
を防止することができる。その結果、強磁性金属薄膜上
の錆、あるいは強磁性金属薄膜と非磁性基板との界面に
おける剥離等を防ぐことができ、走行耐久性・耐候保存
性が向上する。特に、スズまたはインジウムの濃度が最
表面から深さ方向に向かって減少する炭素膜を形成し、
さらに潤滑剤層を配した場合は、非常に大きな撥水性を
示し、耐候保存性が大幅に向上する。
【００１９】また、炭素膜の最表面から深さ方向に向か
ってケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウムの中から
選ばれた少なくとも一つの元素の濃度が減少するので、
炭素膜と強磁性金属薄膜との付着力が低下しない。そし
て同時に、炭素膜が組成的に硬質なダイヤモンド状カー
ボン膜に近づくので、炭素膜の硬度も低下しない。その
結果、炭素膜と強磁性金属薄膜との間における膜の剥離
が生じにくくなり、走行耐久性が向上する。
ってケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウムの中から
選ばれた少なくとも一つの元素の濃度が減少するので、
炭素膜と強磁性金属薄膜との付着力が低下しない。そし
て同時に、炭素膜が組成的に硬質なダイヤモンド状カー
ボン膜に近づくので、炭素膜の硬度も低下しない。その
結果、炭素膜と強磁性金属薄膜との間における膜の剥離
が生じにくくなり、走行耐久性が向上する。
【００２０】さらに、強磁性金属薄膜上に、スズ、イン
ジウムの中から選ばれた少なくとも一つとホウ素の元素
の濃度が最表面から深さ方向に向かって減少する炭素膜
を形成し、さらに前記炭素膜上に潤滑剤層を配した場合
も同様の理由で走行耐久性・耐候保存性が向上する。
ジウムの中から選ばれた少なくとも一つとホウ素の元素
の濃度が最表面から深さ方向に向かって減少する炭素膜
を形成し、さらに前記炭素膜上に潤滑剤層を配した場合
も同様の理由で走行耐久性・耐候保存性が向上する。
【００２１】以上のように本発明によれば、非磁性基板
上に強磁性金属薄膜を形成し、強磁性金属薄膜上に、ケ
イ素、リン、イオウ、スズ、インジウムの中から選ばれ
た少なくとも一つの元素の濃度が最表面から深さ方向に
向かって減少する高硬度で緻密な炭素膜を形成し、さら
に前記炭素膜上に潤滑剤層を配することによって、走行
耐久性・耐候保存性に優れた信頼性の高い磁気記録媒体
を得ることができ、その実用上の価値は大なるものがあ
る。
上に強磁性金属薄膜を形成し、強磁性金属薄膜上に、ケ
イ素、リン、イオウ、スズ、インジウムの中から選ばれ
た少なくとも一つの元素の濃度が最表面から深さ方向に
向かって減少する高硬度で緻密な炭素膜を形成し、さら
に前記炭素膜上に潤滑剤層を配することによって、走行
耐久性・耐候保存性に優れた信頼性の高い磁気記録媒体
を得ることができ、その実用上の価値は大なるものがあ
る。
【００２２】さらに、非磁性基板上に強磁性金属薄膜を
形成し、前記強磁性金属薄膜上に、スズ、インジウムの
中から選ばれた少なくとも一つとホウ素の元素の濃度が
最表面から深さ方向に向かって減少する炭素膜を形成
し、さらに前記炭素膜上に潤滑剤層を配することによっ
て、配走行耐久性・耐候保存性を大幅に向上することが
可能となり、信頼性の高い磁気記録媒体を得ることがで
きる。
形成し、前記強磁性金属薄膜上に、スズ、インジウムの
中から選ばれた少なくとも一つとホウ素の元素の濃度が
最表面から深さ方向に向かって減少する炭素膜を形成
し、さらに前記炭素膜上に潤滑剤層を配することによっ
て、配走行耐久性・耐候保存性を大幅に向上することが
可能となり、信頼性の高い磁気記録媒体を得ることがで
きる。
【００２３】特に、スズまたはインジウムの濃度が最表
面から深さ方向に向かって減少する炭素膜を形成し、さ
らに潤滑剤層を配した場合は、非常に大きな撥水性を示
し、耐候保存性が大幅に向上する。
面から深さ方向に向かって減少する炭素膜を形成し、さ
らに潤滑剤層を配した場合は、非常に大きな撥水性を示
し、耐候保存性が大幅に向上する。
【００２４】
【実施例】図１は本発明の金属薄膜型磁気記録テープの
拡大断面図である。１は非磁性基板、２は強磁性金属薄
膜、３は炭素膜である。４は含フッ素カルボン酸を主と
する潤滑剤層である。５はバックコート層で、材料とし
てはポリウレタン、ニトロセルロース、ポリエステルと
カーボン、炭酸カルシウム等を含んでいる。厚みは５０
０ｎｍである。以下、製造条件も含めてさらに詳しく説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
拡大断面図である。１は非磁性基板、２は強磁性金属薄
膜、３は炭素膜である。４は含フッ素カルボン酸を主と
する潤滑剤層である。５はバックコート層で、材料とし
てはポリウレタン、ニトロセルロース、ポリエステルと
カーボン、炭酸カルシウム等を含んでいる。厚みは５０
０ｎｍである。以下、製造条件も含めてさらに詳しく説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
【００２５】（実施例１）非磁性基板１は５００ｍｍ幅
のポリエチレンテレフタレート表面に、ＳＴＭ分析で高
さが３０ｎｍ、直径が２００ｎｍの突起が１ｍｍ2 あた
り１０5 から１０ 9 個形成されたものである。この非磁
性基板１上へ、斜方真空蒸着法により酸素を導入しなが
ら、Ｃｏ（８０）−Ｎｉ（２０）からなる強磁性金属薄
膜２を１８０ｎｍの厚みで形成する。その後、バックコ
ート層５を乾燥後の厚みが５００ｎｍになるように塗布
する。このバックコート層５は、リバースロールコータ
によってポリウレタン・ニトロセルロース・カーボンブ
ラックから構成された固形分３０％のメチルエチルケト
ン／トルエン／シクロヘキサノン溶液を用いて形成され
る。次に強磁性金属薄膜２上に、プラズマＣＶＤ法によ
り、炭素に対するケイ素の原子比率が１％未満の炭素膜
を１５ｎｍの厚みで形成した。成膜はアルゴンとヘキサ
ンを１：４のガス圧力比で混合し、全ガス圧を０．３Ｔ
ｏｒｒに保って、直流１０００Ｖを印加して行った。そ
の後この炭素膜上に、プラズマＣＶＤ法により、炭素に
対するケイ素の原子比率が１％以上の、即ちケイ素リッ
チ層を０．５ｎｍの厚みで形成した。成膜はテトラメチ
ルシランとヘキサンを１：５のガス圧力比で混合し、全
ガス圧を０．１Ｔｏｒｒに保って、直流２０００Ｖを印
加して行った。次にテトラメチルシランとヘキサンの混
合比をガス圧力比で２：５とした以外は、上記と同様の
成膜条件にてケイ素リッチ層を、０．５ｎｍの厚みでさ
らに形成した。以下同様にテトラメチルシランとヘキサ
ンを順次３：５、４：５、５：５のガス圧力比で混合
し、炭素に対するケイ素の原子比率が１％以上の、即ち
ケイ素リッチ層の一部を各々０．５ｎｍの厚みで形成し
た。結果として、ケイ素含有量が炭素膜最表面から深さ
方向に向かって減少する厚み１７．５ｎｍ、ビッカース
硬度２５００ｋｇ／ｍｍ2 の炭素膜３を得た。最後に、
ケイ素を含有した炭素膜３上に、湿式塗布法（リバース
ロールコータ）により４ｎｍ厚の潤滑剤層４を形成し
た。潤滑剤塗布溶液として、含フッ素カルボン酸Ｃ5 Ｆ
11（ＣＨ2 ）10ＣＯＯＨのイソプロピルアルコール２０
００ｐｐｍ溶液を用いた。以上のようにして、８ｍｍ幅
テープ試料（５４ｍ長）を得た。
のポリエチレンテレフタレート表面に、ＳＴＭ分析で高
さが３０ｎｍ、直径が２００ｎｍの突起が１ｍｍ2 あた
り１０5 から１０ 9 個形成されたものである。この非磁
性基板１上へ、斜方真空蒸着法により酸素を導入しなが
ら、Ｃｏ（８０）−Ｎｉ（２０）からなる強磁性金属薄
膜２を１８０ｎｍの厚みで形成する。その後、バックコ
ート層５を乾燥後の厚みが５００ｎｍになるように塗布
する。このバックコート層５は、リバースロールコータ
によってポリウレタン・ニトロセルロース・カーボンブ
ラックから構成された固形分３０％のメチルエチルケト
ン／トルエン／シクロヘキサノン溶液を用いて形成され
る。次に強磁性金属薄膜２上に、プラズマＣＶＤ法によ
り、炭素に対するケイ素の原子比率が１％未満の炭素膜
を１５ｎｍの厚みで形成した。成膜はアルゴンとヘキサ
ンを１：４のガス圧力比で混合し、全ガス圧を０．３Ｔ
ｏｒｒに保って、直流１０００Ｖを印加して行った。そ
の後この炭素膜上に、プラズマＣＶＤ法により、炭素に
対するケイ素の原子比率が１％以上の、即ちケイ素リッ
チ層を０．５ｎｍの厚みで形成した。成膜はテトラメチ
ルシランとヘキサンを１：５のガス圧力比で混合し、全
ガス圧を０．１Ｔｏｒｒに保って、直流２０００Ｖを印
加して行った。次にテトラメチルシランとヘキサンの混
合比をガス圧力比で２：５とした以外は、上記と同様の
成膜条件にてケイ素リッチ層を、０．５ｎｍの厚みでさ
らに形成した。以下同様にテトラメチルシランとヘキサ
ンを順次３：５、４：５、５：５のガス圧力比で混合
し、炭素に対するケイ素の原子比率が１％以上の、即ち
ケイ素リッチ層の一部を各々０．５ｎｍの厚みで形成し
た。結果として、ケイ素含有量が炭素膜最表面から深さ
方向に向かって減少する厚み１７．５ｎｍ、ビッカース
硬度２５００ｋｇ／ｍｍ2 の炭素膜３を得た。最後に、
ケイ素を含有した炭素膜３上に、湿式塗布法（リバース
ロールコータ）により４ｎｍ厚の潤滑剤層４を形成し
た。潤滑剤塗布溶液として、含フッ素カルボン酸Ｃ5 Ｆ
11（ＣＨ2 ）10ＣＯＯＨのイソプロピルアルコール２０
００ｐｐｍ溶液を用いた。以上のようにして、８ｍｍ幅
テープ試料（５４ｍ長）を得た。
【００２６】（実施例２） （実施例１）のケイ素リッチ層を形成する際に使用した
テトラメチルシランをオクタメチルシクロテトラシロキ
サンに変更し、オクタメチルシクロテトラシロキサンと
ヘキサンの混合比を順次ガス圧力比で１：９、２：８、
３：７、４：６、５：５と変化させた以外は（実施例
１）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
テトラメチルシランをオクタメチルシクロテトラシロキ
サンに変更し、オクタメチルシクロテトラシロキサンと
ヘキサンの混合比を順次ガス圧力比で１：９、２：８、
３：７、４：６、５：５と変化させた以外は（実施例
１）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
【００２７】（実施例３） （実施例２）のケイ素リッチ層を形成する際に使用した
ヘキサンをプロパルギルアルコールに変更し、オクタメ
チルシクロテトラシロキサンとプロパルギルアルコール
の混合比を順次ガス圧力比で１：２５、２：２５、３：
２５、４：２５、５：２５と変化させた以外は（実施例
２）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
ヘキサンをプロパルギルアルコールに変更し、オクタメ
チルシクロテトラシロキサンとプロパルギルアルコール
の混合比を順次ガス圧力比で１：２５、２：２５、３：
２５、４：２５、５：２５と変化させた以外は（実施例
２）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
【００２８】（実施例４） （実施例１）のケイ素リッチ層を形成する際の放電電圧
を直流２０００Ｖから直流１５００Ｖに変更した以外は
（実施例１）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製し
た。
を直流２０００Ｖから直流１５００Ｖに変更した以外は
（実施例１）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製し
た。
【００２９】（比較例１） （実施例１）のケイ素リッチ層を形成せずに、炭素膜３
の厚みを１７ｎｍとした以外は（実施例１）と同様にし
て８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
の厚みを１７ｎｍとした以外は（実施例１）と同様にし
て８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
【００３０】（比較例２） （実施例２）のケイ素リッチ層を形成する際のオクタメ
チルシクロテトラシロキサンとヘキサンの混合比を順次
ガス圧力比で１：９、２：８、３：７、４：６、５：５
と変化させたのを、順次１：２５、２：２５、３：２
５、４：２５、５：２５と変化させた以外は（実施例
２）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
チルシクロテトラシロキサンとヘキサンの混合比を順次
ガス圧力比で１：９、２：８、３：７、４：６、５：５
と変化させたのを、順次１：２５、２：２５、３：２
５、４：２５、５：２５と変化させた以外は（実施例
２）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
【００３１】（比較例３） （実施例１）のケイ素リッチ層を各々１．５ｎｍの厚
み、合計７．５ｎｍにて形成した以外は（実施例１）と
同様にして８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
み、合計７．５ｎｍにて形成した以外は（実施例１）と
同様にして８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
【００３２】（比較例４） （実施例１）の炭素膜のビッカース硬度２５００ｋｇ／
ｍｍ2 をビッカース硬度１３００ｋｇ／ｍｍ2 の炭素膜
にかえた以外は（実施例１）と同様にして８ｍｍ幅テー
プ試料を作製した。
ｍｍ2 をビッカース硬度１３００ｋｇ／ｍｍ2 の炭素膜
にかえた以外は（実施例１）と同様にして８ｍｍ幅テー
プ試料を作製した。
【００３３】以上の各実施例および比較例で得られた８
ｍｍ幅テープ試料について、それぞれＸ線光電子分光法
（パーキンエルマーＰＨＩ社製、５４００ＭＣ）による
元素濃度分析と、以下に示す評価試験をおこなった。 （１）ヘッド目づまり、テープダメージ ＲＦ出力測定用に改造した８ｍｍＶＴＲを用いて、各８
ｍｍ幅テープ試料に映像信号を記録した。次にこの信号
を記録した試料を４０℃８０％ＲＨの環境下で３００パ
ス、３００時間走行させる走行耐久性試験をおこなっ
た。走行耐久試験中は、試験前に記録された信号は繰り
返し再生され、ＲＦ出力として、ペンレコーダ（ＶＰ−
６５２４Ａ、松下通信（株）製）に記録した。ＲＦ出力
が６ｄＢ以上低下したところをヘッド目づまりとし、そ
の合計時間を計測した。
ｍｍ幅テープ試料について、それぞれＸ線光電子分光法
（パーキンエルマーＰＨＩ社製、５４００ＭＣ）による
元素濃度分析と、以下に示す評価試験をおこなった。 （１）ヘッド目づまり、テープダメージ ＲＦ出力測定用に改造した８ｍｍＶＴＲを用いて、各８
ｍｍ幅テープ試料に映像信号を記録した。次にこの信号
を記録した試料を４０℃８０％ＲＨの環境下で３００パ
ス、３００時間走行させる走行耐久性試験をおこなっ
た。走行耐久試験中は、試験前に記録された信号は繰り
返し再生され、ＲＦ出力として、ペンレコーダ（ＶＰ−
６５２４Ａ、松下通信（株）製）に記録した。ＲＦ出力
が６ｄＢ以上低下したところをヘッド目づまりとし、そ
の合計時間を計測した。
【００３４】また、走行耐久性試験後のテープダメージ
を、目視により状態観察した。評価は５段階でおこな
い、実用的に全く問題のないものを５とし、実用的に問
題を発生したものを１とした。 （２）摩擦係数変化（以下μｋ変化と略す） 走行耐久性試験前後に常温常湿環境下で摩擦係数を測定
・評価した。測定条件は次の通りである。
を、目視により状態観察した。評価は５段階でおこな
い、実用的に全く問題のないものを５とし、実用的に問
題を発生したものを１とした。 （２）摩擦係数変化（以下μｋ変化と略す） 走行耐久性試験前後に常温常湿環境下で摩擦係数を測定
・評価した。測定条件は次の通りである。
【００３５】直径４ｍｍ、表面粗さ０．２Ｓのステンレ
ス（材質：ＭＨ１５）円柱に磁性面が接するようにして
１８０゜の抱き角で巻きつける。次に、入側張力を１０
ｇとし、１４ｍｍ／秒で試料を走行させたときの出側張
力を測定し、次式から摩擦係数を求めた。
ス（材質：ＭＨ１５）円柱に磁性面が接するようにして
１８０゜の抱き角で巻きつける。次に、入側張力を１０
ｇとし、１４ｍｍ／秒で試料を走行させたときの出側張
力を測定し、次式から摩擦係数を求めた。
【００３６】
【数１】
【００３７】（３）錆、剥離観察 各８ｍｍ幅テープ試料を４０℃９０％ＲＨの環境下で３
０日間放置する耐候性試験を行った。耐候性試験後にテ
ープ試料を微分干渉顕微鏡により状態観察し、５段階評
価を行った。評価は実用的に全く問題のないものを５と
し、実用的に問題を発生したものを１とした。 （４）ドロップアウト変化（以下Ｄ．Ｏ．変化と略す） （３）による耐候性試験に先だって、ドロツプアウトを
測定した。ドロップアウト測定は、測定用に改造した８
ｍｍＶＴＲを用い、各８ｍｍテープ試料に映像信号を記
録・再生して行われた。耐候性試験後にも同様にドロッ
プアウトを測定を行い、試験前後のドロップアウトの変
化率を評価した。なお、ドロップアウトの測定は、ドロ
ップアウトカウンタ（（株）シバソク製、ＶＨ０１Ｃ
Ｚ）を用いた。設定条件を巾１５μｓ、深さ１６ｄＢと
し、それより大きい単位時間当りのドロップアウトを計
数した。 （５）耐環境ガス性試験（Ｈ2 Ｓガス、ＨＣｌガス） 各８ｍｍ幅テープ試料をＨ2 Ｓガス１０００ｐｐｍ含有
空気中に７２時間放置した後、錆の発生状態を微分干渉
顕微鏡により、５段階評価をおこなった。評価は実用的
に全く問題のないものを５とし、実用的に問題を発生し
たものを１とした。ＨＣｌガスについてもＨ2 Ｓガスと
同様の試験および５段階評価をおこなった。
０日間放置する耐候性試験を行った。耐候性試験後にテ
ープ試料を微分干渉顕微鏡により状態観察し、５段階評
価を行った。評価は実用的に全く問題のないものを５と
し、実用的に問題を発生したものを１とした。 （４）ドロップアウト変化（以下Ｄ．Ｏ．変化と略す） （３）による耐候性試験に先だって、ドロツプアウトを
測定した。ドロップアウト測定は、測定用に改造した８
ｍｍＶＴＲを用い、各８ｍｍテープ試料に映像信号を記
録・再生して行われた。耐候性試験後にも同様にドロッ
プアウトを測定を行い、試験前後のドロップアウトの変
化率を評価した。なお、ドロップアウトの測定は、ドロ
ップアウトカウンタ（（株）シバソク製、ＶＨ０１Ｃ
Ｚ）を用いた。設定条件を巾１５μｓ、深さ１６ｄＢと
し、それより大きい単位時間当りのドロップアウトを計
数した。 （５）耐環境ガス性試験（Ｈ2 Ｓガス、ＨＣｌガス） 各８ｍｍ幅テープ試料をＨ2 Ｓガス１０００ｐｐｍ含有
空気中に７２時間放置した後、錆の発生状態を微分干渉
顕微鏡により、５段階評価をおこなった。評価は実用的
に全く問題のないものを５とし、実用的に問題を発生し
たものを１とした。ＨＣｌガスについてもＨ2 Ｓガスと
同様の試験および５段階評価をおこなった。
【００３８】得られた分析結果を（表１）に、評価結果
を（表２）に各々示す。
を（表２）に各々示す。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【表２】
【００４１】（表１）、（表２）から明らかなように、
非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成し、強磁性金属薄
膜上に、ケイ素の濃度が炭素膜最表面から深さ方向に向
かって減少する高硬度で緻密な炭素膜を形成し、さらに
潤滑剤層を配することによって、保護膜の硬度を低下さ
せることなく、また保護膜と強磁性金属薄膜との付着力
を低下させることなく、磁気テープ表面に潤滑剤を配向
性をもたせて強固に付着させることができる。その結
果、走行耐久性・耐候保存性に優れた信頼性の高い磁気
記録媒体を得ることができる。実施例３、４からわかる
ように、炭素膜表面近傍のＳｉ／Ｃ原子比、あるいはＳ
ｉ／Ｏ原子比が充分でなくなると、潤滑剤の配向性およ
び保護膜に対する付着力が低下しはじめる。その結果走
行耐久試験時の摩擦係数の変化が増大し、磁気テープ表
面にダメージを与え始める。同時に磁気テープの撥水性
が低下しはじめるので、耐候保存性も実施例１、２ほど
ではなくなる。しかし、従来の磁気テープ（比較例１）
やＳｉ，Ｃ，Ｏの原子比が最適な範囲からはずれた磁気
テープ（比較例２）と比較すると、走行耐久性能および
耐候保存性能を飛躍的に向上する事ができる。また、比
較例３はＳｉ，Ｃ，Ｏの原子比が最適な範囲内にあるも
のの、ケイ素を含有する部分の膜厚が４ｎｍ以上である
ので、保護膜表面近傍における硬度が低下し、耐久走行
時のテープダメージが大きくなる。また、保護膜全体の
硬度が低下した場合（比較例４）においても、比較例３
同様テープダメージが大きくなる。
非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成し、強磁性金属薄
膜上に、ケイ素の濃度が炭素膜最表面から深さ方向に向
かって減少する高硬度で緻密な炭素膜を形成し、さらに
潤滑剤層を配することによって、保護膜の硬度を低下さ
せることなく、また保護膜と強磁性金属薄膜との付着力
を低下させることなく、磁気テープ表面に潤滑剤を配向
性をもたせて強固に付着させることができる。その結
果、走行耐久性・耐候保存性に優れた信頼性の高い磁気
記録媒体を得ることができる。実施例３、４からわかる
ように、炭素膜表面近傍のＳｉ／Ｃ原子比、あるいはＳ
ｉ／Ｏ原子比が充分でなくなると、潤滑剤の配向性およ
び保護膜に対する付着力が低下しはじめる。その結果走
行耐久試験時の摩擦係数の変化が増大し、磁気テープ表
面にダメージを与え始める。同時に磁気テープの撥水性
が低下しはじめるので、耐候保存性も実施例１、２ほど
ではなくなる。しかし、従来の磁気テープ（比較例１）
やＳｉ，Ｃ，Ｏの原子比が最適な範囲からはずれた磁気
テープ（比較例２）と比較すると、走行耐久性能および
耐候保存性能を飛躍的に向上する事ができる。また、比
較例３はＳｉ，Ｃ，Ｏの原子比が最適な範囲内にあるも
のの、ケイ素を含有する部分の膜厚が４ｎｍ以上である
ので、保護膜表面近傍における硬度が低下し、耐久走行
時のテープダメージが大きくなる。また、保護膜全体の
硬度が低下した場合（比較例４）においても、比較例３
同様テープダメージが大きくなる。
【００４２】（実施例５）次にケイ素を含有した炭素膜
３のかわりに、リンを含有した炭素膜３を形成した第二
の実施例について説明する。なお、本実施例の構成は、
（実施例１）に示した図１と同じ構成である。
３のかわりに、リンを含有した炭素膜３を形成した第二
の実施例について説明する。なお、本実施例の構成は、
（実施例１）に示した図１と同じ構成である。
【００４３】強磁性金属薄膜２上に、プラズマＣＶＤ法
により、炭素に対するリンの原子比率が１％未満の炭素
膜を１５ｎｍの厚みで形成した。その方法は、（実施例
１）で述べた方法と同じである。その後この炭素膜上
に、プラズマＣＶＤ法により、炭素に対するリンの原子
比率が１％以上の、即ちリンリッチ層を０．５ｎｍの厚
みで形成した。成膜はホスフィンとヘキサンを１：１０
のガス圧力比で混合し、全ガス圧を０．１Ｔｏｒｒに保
って、直流２０００Ｖを印加して行った。次にホスフィ
ンとヘキサンの混合比をガス圧力比で２：１０とした以
外は、上記と同様の成膜条件にてリンリッチ層を、０．
５ｎｍの厚みでさらに形成した。以下同様にホスフィン
とヘキサンを順次ガス圧力比で３：１０、４：１０、
５：１０の比で混合し、炭素に対するリンの原子比率が
１％以上の、即ちリンリッチ層の一部を各々０．５ｎｍ
の厚みで形成した。結果として、リン含有量が炭素膜最
表面から深さ方向に向かって減少する厚み１７．５ｎ
ｍ、ビッカース硬度２５００ｋｇ／ｍｍ2 の炭素膜３を
得た。最後に、リンを含有した炭素膜３上に、（実施例
１）に示したのと同じ方法で４ｎｍ厚の潤滑剤層４を形
成した。このようにして、８ｍｍ幅テープ試料（５４ｍ
長）を得た。
により、炭素に対するリンの原子比率が１％未満の炭素
膜を１５ｎｍの厚みで形成した。その方法は、（実施例
１）で述べた方法と同じである。その後この炭素膜上
に、プラズマＣＶＤ法により、炭素に対するリンの原子
比率が１％以上の、即ちリンリッチ層を０．５ｎｍの厚
みで形成した。成膜はホスフィンとヘキサンを１：１０
のガス圧力比で混合し、全ガス圧を０．１Ｔｏｒｒに保
って、直流２０００Ｖを印加して行った。次にホスフィ
ンとヘキサンの混合比をガス圧力比で２：１０とした以
外は、上記と同様の成膜条件にてリンリッチ層を、０．
５ｎｍの厚みでさらに形成した。以下同様にホスフィン
とヘキサンを順次ガス圧力比で３：１０、４：１０、
５：１０の比で混合し、炭素に対するリンの原子比率が
１％以上の、即ちリンリッチ層の一部を各々０．５ｎｍ
の厚みで形成した。結果として、リン含有量が炭素膜最
表面から深さ方向に向かって減少する厚み１７．５ｎ
ｍ、ビッカース硬度２５００ｋｇ／ｍｍ2 の炭素膜３を
得た。最後に、リンを含有した炭素膜３上に、（実施例
１）に示したのと同じ方法で４ｎｍ厚の潤滑剤層４を形
成した。このようにして、８ｍｍ幅テープ試料（５４ｍ
長）を得た。
【００４４】（実施例６） （実施例５）のリンリッチ層を形成する際のホスフィン
とヘキサンの混合比を順次ガス圧力比で１：１０、２：
１０、３：１０、４：１０、５：１０と変化させたの
を、順次１：５、２：５、３：５、４：５、５：５と変
化させた以外は（実施例５）と同じ構成の８ｍｍ幅テー
プ試料を作製した。
とヘキサンの混合比を順次ガス圧力比で１：１０、２：
１０、３：１０、４：１０、５：１０と変化させたの
を、順次１：５、２：５、３：５、４：５、５：５と変
化させた以外は（実施例５）と同じ構成の８ｍｍ幅テー
プ試料を作製した。
【００４５】（実施例７） （実施例５）のリンリッチ層を形成する際に使用したヘ
キサンをプロパルギルアルコールに変更し、ホスフィン
とプロパルギルアルコールの混合比を順次ガス圧力比で
１：２５、２：２５、３：２５、４：２５、５：２５と
した以外は（実施例５）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試
料を作製した。
キサンをプロパルギルアルコールに変更し、ホスフィン
とプロパルギルアルコールの混合比を順次ガス圧力比で
１：２５、２：２５、３：２５、４：２５、５：２５と
した以外は（実施例５）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試
料を作製した。
【００４６】（実施例８） （実施例５）のリンリッチ層を形成する際の放電電圧を
直流２０００Ｖから直流１５００Ｖに変更した以外は
（実施例５）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製し
た。
直流２０００Ｖから直流１５００Ｖに変更した以外は
（実施例５）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製し
た。
【００４７】（比較例５） （実施例５）のリンリッチ層を形成する際のホスフィン
とヘキサンの混合比を順次ガス圧力比で１：１０、２：
１０、３：１０、４：１０、５：１０と変化させたの
を、順次１：２５、２：２５、３：２５、４：２５、
５：２５と変化させた以外は（実施例５）と同じ構成の
８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
とヘキサンの混合比を順次ガス圧力比で１：１０、２：
１０、３：１０、４：１０、５：１０と変化させたの
を、順次１：２５、２：２５、３：２５、４：２５、
５：２５と変化させた以外は（実施例５）と同じ構成の
８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
【００４８】（比較例６） （実施例５）のリンリッチ層を各々１．５ｎｍの厚み、
合計７．５ｎｍにて形成した以外は（実施例５）と同様
にして８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
合計７．５ｎｍにて形成した以外は（実施例５）と同様
にして８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
【００４９】（比較例７） （実施例５）の炭素膜のビッカース硬度２５００ｋｇ／
ｍｍ2 をビッカース硬度１３００ｋｇ／ｍｍ2 の炭素膜
にかえた以外は（実施例５）と同様にして８ｍｍ幅テー
プ試料を作製した。
ｍｍ2 をビッカース硬度１３００ｋｇ／ｍｍ2 の炭素膜
にかえた以外は（実施例５）と同様にして８ｍｍ幅テー
プ試料を作製した。
【００５０】以上の各実施例・比較例で得られた８ｍｍ
テープ試料について、（実施例１）から（実施例４）で
行なったのと同様の分析・評価試験をおこなった。
テープ試料について、（実施例１）から（実施例４）で
行なったのと同様の分析・評価試験をおこなった。
【００５１】得られた分析結果を（表３）に、評価結果
を（表４）に各々示す。
を（表４）に各々示す。
【００５２】
【表３】
【００５３】
【表４】
【００５４】（実施例９）次にリンを含有した炭素膜３
のかわりに、イオウを含有した炭素膜３を形成した第三
の実施例について説明する。なお、本実施例の構成は、
（実施例１）に示した図１と同じ構成である。
のかわりに、イオウを含有した炭素膜３を形成した第三
の実施例について説明する。なお、本実施例の構成は、
（実施例１）に示した図１と同じ構成である。
【００５５】強磁性金属薄膜２上に、プラズマＣＶＤ法
により、炭素に対するイオウの原子比率が１％未満の炭
素膜を１５ｎｍの厚みで形成した。その方法は、実施例
１で述べた方法と同じである。その後この炭素膜上に、
プラズマＣＶＤ法により、炭素に対するイオウの原子比
率が１％以上の、即ちイオウリッチ層を０．５ｎｍの厚
みで形成した。成膜は硫化トリメチレンとヘキサンを
１：１０のガス圧力比で混合し、全ガス圧を０．１Ｔｏ
ｒｒに保って、直流２０００Ｖを印加して行った。次に
硫化トリメチレンとヘキサンの混合比をガス圧力比で
２：１０とした以外は、上記と同様の成膜条件にてイオ
ウリッチ層を、０．５ｎｍの厚みでさらに形成した。以
下同様に硫化トリメチレンとヘキサンを順次ガス圧力比
で３：１０、４：１０、５：１０の比で混合し、炭素に
対するイオウの原子比率が１％以上の、即ちイオウリッ
チ層の一部を各々０．５ｎｍの厚みで形成した。結果と
して、イオウ含有量が炭素膜最表面から深さ方向に向か
って減少する厚み１７．５ｎｍ、ビッカース硬度２５０
０ｋｇ／ｍｍ2 の炭素膜３を形成した。最後に、イオウ
を含有した炭素膜３上に４ｎｍ厚の潤滑剤層４を形成し
た。このようにして、８ｍｍ幅テープ試料（５４ｍ長）
を得た。
により、炭素に対するイオウの原子比率が１％未満の炭
素膜を１５ｎｍの厚みで形成した。その方法は、実施例
１で述べた方法と同じである。その後この炭素膜上に、
プラズマＣＶＤ法により、炭素に対するイオウの原子比
率が１％以上の、即ちイオウリッチ層を０．５ｎｍの厚
みで形成した。成膜は硫化トリメチレンとヘキサンを
１：１０のガス圧力比で混合し、全ガス圧を０．１Ｔｏ
ｒｒに保って、直流２０００Ｖを印加して行った。次に
硫化トリメチレンとヘキサンの混合比をガス圧力比で
２：１０とした以外は、上記と同様の成膜条件にてイオ
ウリッチ層を、０．５ｎｍの厚みでさらに形成した。以
下同様に硫化トリメチレンとヘキサンを順次ガス圧力比
で３：１０、４：１０、５：１０の比で混合し、炭素に
対するイオウの原子比率が１％以上の、即ちイオウリッ
チ層の一部を各々０．５ｎｍの厚みで形成した。結果と
して、イオウ含有量が炭素膜最表面から深さ方向に向か
って減少する厚み１７．５ｎｍ、ビッカース硬度２５０
０ｋｇ／ｍｍ2 の炭素膜３を形成した。最後に、イオウ
を含有した炭素膜３上に４ｎｍ厚の潤滑剤層４を形成し
た。このようにして、８ｍｍ幅テープ試料（５４ｍ長）
を得た。
【００５６】（実施例１０） （実施例９）のイオウリッチ層を形成する際の硫化トリ
メチレンとヘキサンの混合比を順次ガス圧力比で１：１
０、２：１０、３：１０、４：１０、５：１０と変化さ
せたのを、順次１：５、２：５、３：５、４：５、５：
５と変化させた以外は（実施例９）と同じ構成の８ｍｍ
幅テープ試料を作製した。
メチレンとヘキサンの混合比を順次ガス圧力比で１：１
０、２：１０、３：１０、４：１０、５：１０と変化さ
せたのを、順次１：５、２：５、３：５、４：５、５：
５と変化させた以外は（実施例９）と同じ構成の８ｍｍ
幅テープ試料を作製した。
【００５７】（実施例１１） （実施例９）のイオウリッチ層を形成する際に使用した
ヘキサンをプロパルギルアルコールに変更し、硫化トリ
メチレンとプロパルギルアルコールの混合比を順次ガス
圧力比で１：２５、２：２５、３：２５、４：２５、
５：２５と変化させた以外は（実施例９）と同じ構成の
８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
ヘキサンをプロパルギルアルコールに変更し、硫化トリ
メチレンとプロパルギルアルコールの混合比を順次ガス
圧力比で１：２５、２：２５、３：２５、４：２５、
５：２５と変化させた以外は（実施例９）と同じ構成の
８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
【００５８】（実施例１２） （実施例９）のイオウリッチ層を形成する際の放電電圧
を直流２０００Ｖから直流１５００Ｖに変更した以外は
（実施例９）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製し
た。
を直流２０００Ｖから直流１５００Ｖに変更した以外は
（実施例９）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製し
た。
【００５９】（比較例８） （実施例９）のイオウリッチ層を形成する際の硫化トリ
メチレンとヘキサンの混合比を順次ガス圧力比で１：１
０、２：１０、３：１０、４：１０、５：１０と変化さ
せたのを、順次１：２５、２：２５、３：２５、４：２
５、５：２５と変化させた以外は（実施例９）と同じ構
成の８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
メチレンとヘキサンの混合比を順次ガス圧力比で１：１
０、２：１０、３：１０、４：１０、５：１０と変化さ
せたのを、順次１：２５、２：２５、３：２５、４：２
５、５：２５と変化させた以外は（実施例９）と同じ構
成の８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
【００６０】（比較例９） （実施例９）のイオウリッチ層を各々１．５ｎｍの厚
み、合計７．５ｎｍにて形成した以外は（実施例９）と
同様にして８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
み、合計７．５ｎｍにて形成した以外は（実施例９）と
同様にして８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
【００６１】（比較例１０） （実施例９）の炭素膜のビッカース硬度２５００ｋｇ／
ｍｍ2 をビッカース硬度１３００ｋｇ／ｍｍ2 の炭素膜
にかえた以外は（実施例９）と同様にして８ｍｍ幅テー
プ試料を作製した。
ｍｍ2 をビッカース硬度１３００ｋｇ／ｍｍ2 の炭素膜
にかえた以外は（実施例９）と同様にして８ｍｍ幅テー
プ試料を作製した。
【００６２】以上の各実施例・比較例で得られた８ｍｍ
テープ試料について、（実施例１）から（実施例４）で
行なったのと同様の分析・評価試験をおこなった。
テープ試料について、（実施例１）から（実施例４）で
行なったのと同様の分析・評価試験をおこなった。
【００６３】得られた分析結果を（表５）に、評価結果
を（表６）に各々示す。
を（表６）に各々示す。
【００６４】
【表５】
【００６５】
【表６】
【００６６】（実施例１３）次にイオウを含有した炭素
膜３のかわりに、スズを含有した炭素膜３を形成した第
四の実施例について説明する。なお、本実施例の構成
は、（実施例１）に示した図１と同じ構成である。
膜３のかわりに、スズを含有した炭素膜３を形成した第
四の実施例について説明する。なお、本実施例の構成
は、（実施例１）に示した図１と同じ構成である。
【００６７】強磁性金属薄膜２上に、プラズマＣＶＤ法
により、炭素に対するスズの原子比率が１％未満の炭素
膜を１５ｎｍの厚みで形成した。その方法は、（実施例
１）で述べた方法と同じである。その後この炭素膜上
に、プラズマＣＶＤ法により、炭素に対するスズの原子
比率が１％以上の、即ちスズリッチ層を０．５ｎｍの厚
みで形成した。成膜はテトラメチルスズとヘキサンを
１：５のガス圧力比で混合し、全ガス圧を０．１Ｔｏｒ
ｒに保って、直流１５００Ｖを印加して行った。次にテ
トラメチルスズとヘキサンの混合比をガス圧力比で２：
５とした以外は、上記と同様の成膜条件にてスズリッチ
層を、０．５ｎｍの厚みでさらに形成した。以下同様に
テトラメチルスズとヘキサンを順次ガス圧力比で３：
５、４：５、５：５の比で混合し、炭素に対するスズの
原子比率が１％以上の、即ちスズリッチ層の一部を各々
０．５ｎｍの厚みで形成した。結果として、スズ含有量
が炭素膜最表面から深さ方向に向かって減少する厚み１
７．５ｎｍ、ビッカース硬度２５００ｋｇ／ｍｍ2 の炭
素膜３を形成した。最後に、スズを含有した炭素膜３上
に、４ｎｍ厚の潤滑剤層４を形成した。このようにし
て、８ｍｍ幅テープ試料（５４ｍ長）を得た。
により、炭素に対するスズの原子比率が１％未満の炭素
膜を１５ｎｍの厚みで形成した。その方法は、（実施例
１）で述べた方法と同じである。その後この炭素膜上
に、プラズマＣＶＤ法により、炭素に対するスズの原子
比率が１％以上の、即ちスズリッチ層を０．５ｎｍの厚
みで形成した。成膜はテトラメチルスズとヘキサンを
１：５のガス圧力比で混合し、全ガス圧を０．１Ｔｏｒ
ｒに保って、直流１５００Ｖを印加して行った。次にテ
トラメチルスズとヘキサンの混合比をガス圧力比で２：
５とした以外は、上記と同様の成膜条件にてスズリッチ
層を、０．５ｎｍの厚みでさらに形成した。以下同様に
テトラメチルスズとヘキサンを順次ガス圧力比で３：
５、４：５、５：５の比で混合し、炭素に対するスズの
原子比率が１％以上の、即ちスズリッチ層の一部を各々
０．５ｎｍの厚みで形成した。結果として、スズ含有量
が炭素膜最表面から深さ方向に向かって減少する厚み１
７．５ｎｍ、ビッカース硬度２５００ｋｇ／ｍｍ2 の炭
素膜３を形成した。最後に、スズを含有した炭素膜３上
に、４ｎｍ厚の潤滑剤層４を形成した。このようにし
て、８ｍｍ幅テープ試料（５４ｍ長）を得た。
【００６８】（実施例１４） （実施例１３）のスズリッチ層を形成する際のテトラメ
チルスズとヘキサンの全ガス圧を０．１Ｔｏｒｒから
０．１５Ｔｏｒｒに変更した以外は（実施例１３）と同
じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
チルスズとヘキサンの全ガス圧を０．１Ｔｏｒｒから
０．１５Ｔｏｒｒに変更した以外は（実施例１３）と同
じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
【００６９】（実施例１５） （実施例１３）のスズリッチ層を形成する際に使用した
ヘキサンをプロパルギルアルコールに変更した以外は
（実施例１３）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製
した。
ヘキサンをプロパルギルアルコールに変更した以外は
（実施例１３）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製
した。
【００７０】（実施例１６） （実施例１３）のスズリッチ層を形成する際の放電電圧
を直流１５００Ｖから直流１０００Ｖに変更した以外は
（実施例１３）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製
した。
を直流１５００Ｖから直流１０００Ｖに変更した以外は
（実施例１３）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製
した。
【００７１】（比較例１１） （実施例１３）のスズリッチ層を形成する際のテトラメ
チルスズとヘキサンの混合比を順次ガス圧力比で１：
５、２：５、３：５、４：５、５：５と変化させたの
を、順次１：２０、２：２０、３：２０、４：２０、
５：２０と変化させた以外は（実施例１３）と同じ構成
の８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
チルスズとヘキサンの混合比を順次ガス圧力比で１：
５、２：５、３：５、４：５、５：５と変化させたの
を、順次１：２０、２：２０、３：２０、４：２０、
５：２０と変化させた以外は（実施例１３）と同じ構成
の８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
【００７２】（比較例１２） （実施例１３）のスズリッチ層を各々１．５ｎｍの厚
み、合計７．５ｎｍにて形成した以外は（実施例１３）
と同様にして８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
み、合計７．５ｎｍにて形成した以外は（実施例１３）
と同様にして８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
【００７３】（比較例１３） （実施例１３）の炭素膜のビッカース硬度２５００ｋｇ
／ｍｍ2 をビッカース硬度１３００ｋｇ／ｍｍ2 の炭素
膜にかえた以外は（実施例１３）と同様にして８ｍｍ幅
テープ試料を作製した。
／ｍｍ2 をビッカース硬度１３００ｋｇ／ｍｍ2 の炭素
膜にかえた以外は（実施例１３）と同様にして８ｍｍ幅
テープ試料を作製した。
【００７４】以上の各実施例・比較例で得られた８ｍｍ
テープ試料について、（実施例１）から（実施例４）で
行なったのと同様の分析・評価試験と接触角測定をおこ
なった。接触角測定は、磁気記録媒体表面に０．１マイ
クロリットルの蒸留水を滴下し、６０秒経過後の接触角
を測定した。
テープ試料について、（実施例１）から（実施例４）で
行なったのと同様の分析・評価試験と接触角測定をおこ
なった。接触角測定は、磁気記録媒体表面に０．１マイ
クロリットルの蒸留水を滴下し、６０秒経過後の接触角
を測定した。
【００７５】得られた分析結果を（表７）に、評価結果
を（表８）に各々示す。
を（表８）に各々示す。
【００７６】
【表７】
【００７７】
【表８】
【００７８】（実施例１７）次にスズを含有した炭素膜
３のかわりに、インジウムを含有した炭素膜３を形成し
た第五の実施例について説明する。なお、本実施例の構
成は、（実施例１）に示した図１と同じ構成である。
３のかわりに、インジウムを含有した炭素膜３を形成し
た第五の実施例について説明する。なお、本実施例の構
成は、（実施例１）に示した図１と同じ構成である。
【００７９】強磁性金属薄膜２上に、プラズマＣＶＤ法
により、炭素に対するインジウムの原子比率が１％未満
の炭素膜を１５ｎｍの厚みで形成した。その方法は、
（実施例１）で述べた方法と同じである。その後この炭
素膜上に、プラズマＣＶＤ法により、炭素に対するイン
ジウムの原子比率が１％以上の、即ちインジウムリッチ
層を０．５ｎｍの厚みで形成した。成膜はトリメチルイ
ンジウムとヘキサンを１：５のガス圧力比で混合し、全
ガス圧を０．１Ｔｏｒｒに保って、直流１５００Ｖを印
加して行った。次にトリメチルインジウムとヘキサンの
混合比をガス圧力比で２：５とした以外は、上記と同様
の成膜条件にてインジウムリッチ層を、０．５ｎｍの厚
みでさらに形成した。以下同様にトリメチルインジウム
とヘキサンを順次ガス圧力比で３：５、４：５、５：５
の比で混合し、炭素に対するインジウムの原子比率が１
％以上の、即ちインジウムリッチ層の一部を各々０．５
ｎｍの厚みで形成した。結果として、インジウム含有量
が炭素膜最表面から深さ方向に向かって減少する厚み１
７．５ｎｍ、ビッカース硬度２５００ｋｇ／ｍｍ2 の炭
素膜３を得た。最後に、インジウムを含有した炭素膜３
上に４ｎｍ厚の潤滑剤層４を形成した。このようにし
て、８ｍｍ幅テープ試料（５４ｍ長）を得た。
により、炭素に対するインジウムの原子比率が１％未満
の炭素膜を１５ｎｍの厚みで形成した。その方法は、
（実施例１）で述べた方法と同じである。その後この炭
素膜上に、プラズマＣＶＤ法により、炭素に対するイン
ジウムの原子比率が１％以上の、即ちインジウムリッチ
層を０．５ｎｍの厚みで形成した。成膜はトリメチルイ
ンジウムとヘキサンを１：５のガス圧力比で混合し、全
ガス圧を０．１Ｔｏｒｒに保って、直流１５００Ｖを印
加して行った。次にトリメチルインジウムとヘキサンの
混合比をガス圧力比で２：５とした以外は、上記と同様
の成膜条件にてインジウムリッチ層を、０．５ｎｍの厚
みでさらに形成した。以下同様にトリメチルインジウム
とヘキサンを順次ガス圧力比で３：５、４：５、５：５
の比で混合し、炭素に対するインジウムの原子比率が１
％以上の、即ちインジウムリッチ層の一部を各々０．５
ｎｍの厚みで形成した。結果として、インジウム含有量
が炭素膜最表面から深さ方向に向かって減少する厚み１
７．５ｎｍ、ビッカース硬度２５００ｋｇ／ｍｍ2 の炭
素膜３を得た。最後に、インジウムを含有した炭素膜３
上に４ｎｍ厚の潤滑剤層４を形成した。このようにし
て、８ｍｍ幅テープ試料（５４ｍ長）を得た。
【００８０】（実施例１８） （実施例１７）のインジウムリッチ層を形成する際のト
リメチルインジウムとヘキサンの全ガス圧を０．１Ｔｏ
ｒｒから０．１５Ｔｏｒｒに変更した以外は（実施例１
７）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
リメチルインジウムとヘキサンの全ガス圧を０．１Ｔｏ
ｒｒから０．１５Ｔｏｒｒに変更した以外は（実施例１
７）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
【００８１】（実施例１９） （実施例１７）のインジウムリッチ層を形成する際に使
用したヘキサンをプロパルギルアルコールに変更した以
外は（実施例１７）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を
作製した。
用したヘキサンをプロパルギルアルコールに変更した以
外は（実施例１７）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を
作製した。
【００８２】（実施例２０） （実施例１７）のインジウムリッチ層を形成する際の放
電電圧を直流１５００Ｖから直流１０００Ｖに変更した
以外は（実施例１７）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料
を作製した。
電電圧を直流１５００Ｖから直流１０００Ｖに変更した
以外は（実施例１７）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料
を作製した。
【００８３】（比較例１４） （実施例１７）のインジウムリッチ層を形成する際のト
リメチルインジウムとヘキサンの混合比を順次ガス圧力
比で１：５、２：５、３：５、４：５、５：５と変化さ
せたのを、順次１：２０、２：２０、３：２０、４：２
０、５：２０と変化させた以外は（実施例１７）と同じ
構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
リメチルインジウムとヘキサンの混合比を順次ガス圧力
比で１：５、２：５、３：５、４：５、５：５と変化さ
せたのを、順次１：２０、２：２０、３：２０、４：２
０、５：２０と変化させた以外は（実施例１７）と同じ
構成の８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
【００８４】（比較例１５） （実施例１７）のインジウムリッチ層を各々１．５ｎｍ
の厚み、合計７．５ｎｍにて形成した以外は（実施例１
７）と同様にして８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
の厚み、合計７．５ｎｍにて形成した以外は（実施例１
７）と同様にして８ｍｍ幅テープ試料を作製した。
【００８５】（比較例１６） （実施例１７）の炭素膜のビッカース硬度２５００ｋｇ
／ｍｍ2 をビッカース硬度１３００ｋｇ／ｍｍ2 の炭素
膜にかえた以外は（実施例１７）と同様にして８ｍｍ幅
テープ試料を作製した。
／ｍｍ2 をビッカース硬度１３００ｋｇ／ｍｍ2 の炭素
膜にかえた以外は（実施例１７）と同様にして８ｍｍ幅
テープ試料を作製した。
【００８６】以上の各実施例・比較例で得られた８ｍｍ
テープ試料について、（実施例１）から（実施例４）で
行なったのと同様の分析・評価試験と接触角測定をおこ
なった。接触角測定は、磁気記録媒体表面に０．１マイ
クロリットルの蒸留水を滴下し、６０秒経過後の接触角
を測定した。
テープ試料について、（実施例１）から（実施例４）で
行なったのと同様の分析・評価試験と接触角測定をおこ
なった。接触角測定は、磁気記録媒体表面に０．１マイ
クロリットルの蒸留水を滴下し、６０秒経過後の接触角
を測定した。
【００８７】得られた分析結果を（表９）に、評価結果
を（表１０）に各々示す。
を（表１０）に各々示す。
【００８８】
【表９】
【００８９】
【表１０】
【００９０】（実施例２１）次にインジウムを含有した
炭素膜３のかわりに、ホウ素とインジウムを含有した炭
素膜３を形成した第六の実施例について説明する。な
お、本実施例の構成は、（実施例１）に示した図１と同
じ構成である。
炭素膜３のかわりに、ホウ素とインジウムを含有した炭
素膜３を形成した第六の実施例について説明する。な
お、本実施例の構成は、（実施例１）に示した図１と同
じ構成である。
【００９１】強磁性金属薄膜２上に、プラズマＣＶＤ法
により、ホウ素とインジウムの和の炭素に対する原子比
率が１％未満の炭素膜を１５ｎｍの厚みで形成した。そ
の方法は、（実施例１）で述べた方法と同じである。そ
の後この炭素膜上に、プラズマＣＶＤ法により、ホウ素
とインジウムの和の炭素に対する原子比率が１％以上の
層を０．５ｎｍの厚みで形成した。成膜はＢ2Ｈ6とトリ
メチルインジウムとヘキサンを１：１：１０のガス圧力
比で混合し、全ガス圧を０．１Ｔｏｒｒに保って、直流
１５００Ｖを印加して行った。次にＢ2Ｈ6とトリメチル
インジウムとヘキサンの混合比をガス圧力比で２：２：
１０とした以外は、上記と同様の成膜条件にてホウ素と
インジウムを含有する層を、０．５ｎｍの厚みでさらに
形成した。以下同様にＢ2Ｈ6とトリメチルインジウムと
ヘキサンを順次ガス圧力比で３：３：１０、４：４：１
０、５：５：１０の比で混合し、炭素に対するホウ素と
インジウムの原子比率が１％以上の層の一部を各々０．
５ｎｍの厚みで形成した。結果として、Ｂ2Ｈ6とインジ
ウム含有量が炭素膜最表面から深さ方向に向かって減少
する厚み１７．５ｎｍ、ビッカース硬度２５００ｋｇ／
ｍｍ2 の炭素膜３を得た。最後に、Ｂ2Ｈ6とインジウム
を含有した炭素膜３上に４ｎｍ厚の潤滑剤層４を形成し
た。このようにして、８ｍｍ幅テープ試料（５４ｍ長）
を得た。
により、ホウ素とインジウムの和の炭素に対する原子比
率が１％未満の炭素膜を１５ｎｍの厚みで形成した。そ
の方法は、（実施例１）で述べた方法と同じである。そ
の後この炭素膜上に、プラズマＣＶＤ法により、ホウ素
とインジウムの和の炭素に対する原子比率が１％以上の
層を０．５ｎｍの厚みで形成した。成膜はＢ2Ｈ6とトリ
メチルインジウムとヘキサンを１：１：１０のガス圧力
比で混合し、全ガス圧を０．１Ｔｏｒｒに保って、直流
１５００Ｖを印加して行った。次にＢ2Ｈ6とトリメチル
インジウムとヘキサンの混合比をガス圧力比で２：２：
１０とした以外は、上記と同様の成膜条件にてホウ素と
インジウムを含有する層を、０．５ｎｍの厚みでさらに
形成した。以下同様にＢ2Ｈ6とトリメチルインジウムと
ヘキサンを順次ガス圧力比で３：３：１０、４：４：１
０、５：５：１０の比で混合し、炭素に対するホウ素と
インジウムの原子比率が１％以上の層の一部を各々０．
５ｎｍの厚みで形成した。結果として、Ｂ2Ｈ6とインジ
ウム含有量が炭素膜最表面から深さ方向に向かって減少
する厚み１７．５ｎｍ、ビッカース硬度２５００ｋｇ／
ｍｍ2 の炭素膜３を得た。最後に、Ｂ2Ｈ6とインジウム
を含有した炭素膜３上に４ｎｍ厚の潤滑剤層４を形成し
た。このようにして、８ｍｍ幅テープ試料（５４ｍ長）
を得た。
【００９２】（実施例２２） （実施例２１）のホウ素とインジウムを含有する層を形
成する際のＢ2Ｈ6とトリメチルインジウムとヘキサンの
混合ガス圧を０．１Ｔｏｒｒから０．１５Ｔｏｒｒに変
更した以外は（実施例２１）と同じ構成の８ｍｍ幅テー
プ試料を作製した。
成する際のＢ2Ｈ6とトリメチルインジウムとヘキサンの
混合ガス圧を０．１Ｔｏｒｒから０．１５Ｔｏｒｒに変
更した以外は（実施例２１）と同じ構成の８ｍｍ幅テー
プ試料を作製した。
【００９３】（実施例２３） （実施例２１）のホウ素とインジウムを含有する層を形
成する際に使用したヘキサンをプロパルギルアルコール
に変更した以外は（実施例２１）と同じ構成の８ｍｍ幅
テープ試料を作製した。
成する際に使用したヘキサンをプロパルギルアルコール
に変更した以外は（実施例２１）と同じ構成の８ｍｍ幅
テープ試料を作製した。
【００９４】（実施例２４） （実施例２１）のホウ素とインジウムを含有する層を形
成する際の放電電圧を直流１５００Ｖから直流１０００
Ｖに変更した以外は（実施例２１）と同じ構成の８ｍｍ
幅テープ試料を作製した。
成する際の放電電圧を直流１５００Ｖから直流１０００
Ｖに変更した以外は（実施例２１）と同じ構成の８ｍｍ
幅テープ試料を作製した。
【００９５】（比較例１７） （実施例２１）のホウ素とインジウムを含有する層を形
成する際のＢ2Ｈ6とトリメチルインジウムとヘキサンの
混合比を順次ガス圧力比で１：１：１０、２：２：１
０、３：３：１０、４：４：１０、５：５：１０と変化
させたのを、順次１：１：４０、２：２：４０、３：
３：４０、４：４：４０、５：５：４０と変化させた以
外は（実施例２１）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を
作製した。
成する際のＢ2Ｈ6とトリメチルインジウムとヘキサンの
混合比を順次ガス圧力比で１：１：１０、２：２：１
０、３：３：１０、４：４：１０、５：５：１０と変化
させたのを、順次１：１：４０、２：２：４０、３：
３：４０、４：４：４０、５：５：４０と変化させた以
外は（実施例２１）と同じ構成の８ｍｍ幅テープ試料を
作製した。
【００９６】（比較例１８） （実施例２１）のホウ素とインジウムを含有する層を各
々１．５ｎｍの厚み、合計７．５ｎｍにて形成した以外
は（実施例２１）と同様にして８ｍｍ幅テープ試料を作
製した。
々１．５ｎｍの厚み、合計７．５ｎｍにて形成した以外
は（実施例２１）と同様にして８ｍｍ幅テープ試料を作
製した。
【００９７】（比較例１９） （実施例２１）の炭素膜のビッカース硬度２５００ｋｇ
／ｍｍ2 をビッカース硬度１３００ｋｇ／ｍｍ2 の炭素
膜にかえた以外は（実施例２１）と同様にして８ｍｍ幅
テープ試料を作製した。
／ｍｍ2 をビッカース硬度１３００ｋｇ／ｍｍ2 の炭素
膜にかえた以外は（実施例２１）と同様にして８ｍｍ幅
テープ試料を作製した。
【００９８】以上の各実施例・比較例で得られた８ｍｍ
テープ試料について、（実施例１）から（実施例４）で
行なったのと同様の分析・評価試験と接触角測定をおこ
なった。接触角測定は、磁気記録媒体表面に０．１マイ
クロリットルの蒸留水を滴下し、６０秒経過後の接触角
を測定した。
テープ試料について、（実施例１）から（実施例４）で
行なったのと同様の分析・評価試験と接触角測定をおこ
なった。接触角測定は、磁気記録媒体表面に０．１マイ
クロリットルの蒸留水を滴下し、６０秒経過後の接触角
を測定した。
【００９９】得られた分析結果を（表１１）に、評価結
果を（表１２）に各々示す。
果を（表１２）に各々示す。
【０１００】
【表１１】
【０１０１】
【表１２】
【０１０２】以上の評価結果より明らかなように、非磁
性基板上に強磁性金属薄膜を形成し、強磁性金属薄膜上
に、ケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウムの中から
選ばれた少なくとも一つの元素、あるいはスズ、インジ
ウムの中から選ばれた少なくとも一つの元素とホウ素の
濃度が炭素膜最表面から深さ方向に向かって減少する高
硬度で緻密な炭素膜を形成し、さらに潤滑剤層を配する
ことによって、保護膜の硬度を低下させることなく、ま
た保護膜と強磁性金属薄膜との付着力を低下させること
なく、磁気テープ表面に潤滑剤を配向性をもたせて強固
に付着させることができる。その結果、走行耐久性・耐
候保存性に優れた信頼性の高い磁気記録媒体を得ること
ができる。特に耐候保存性に関しては（表８）、（表１
０）、（表１２）から明らかなように、ケイ素、リン、
イオウを含有した炭素膜の場合と比べて、炭素膜中にス
ズ、インジウムを含有すると、潤滑剤が炭素膜表面に分
布するスズ、インジウムと配向性良く、かつ強固に付着
するので、磁気記録媒体の最表面における撥水性が顕著
に向上し、類まれなる耐候保存性を示す。（比較例５）
〜（比較例１９）の特性が悪いのは、炭素膜にケイ素を
濃度勾配をもたせて含有させた場合と同様の理由によ
る。
性基板上に強磁性金属薄膜を形成し、強磁性金属薄膜上
に、ケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウムの中から
選ばれた少なくとも一つの元素、あるいはスズ、インジ
ウムの中から選ばれた少なくとも一つの元素とホウ素の
濃度が炭素膜最表面から深さ方向に向かって減少する高
硬度で緻密な炭素膜を形成し、さらに潤滑剤層を配する
ことによって、保護膜の硬度を低下させることなく、ま
た保護膜と強磁性金属薄膜との付着力を低下させること
なく、磁気テープ表面に潤滑剤を配向性をもたせて強固
に付着させることができる。その結果、走行耐久性・耐
候保存性に優れた信頼性の高い磁気記録媒体を得ること
ができる。特に耐候保存性に関しては（表８）、（表１
０）、（表１２）から明らかなように、ケイ素、リン、
イオウを含有した炭素膜の場合と比べて、炭素膜中にス
ズ、インジウムを含有すると、潤滑剤が炭素膜表面に分
布するスズ、インジウムと配向性良く、かつ強固に付着
するので、磁気記録媒体の最表面における撥水性が顕著
に向上し、類まれなる耐候保存性を示す。（比較例５）
〜（比較例１９）の特性が悪いのは、炭素膜にケイ素を
濃度勾配をもたせて含有させた場合と同様の理由によ
る。
【０１０３】（実施例２１）〜（実施例２４）にて炭素
膜中にインジウムとホウ素を含有する例を示したが、イ
ンジウムのかわりにスズを含有させた場合も優れた耐候
保存性を示す。
膜中にインジウムとホウ素を含有する例を示したが、イ
ンジウムのかわりにスズを含有させた場合も優れた耐候
保存性を示す。
【０１０４】上記実施例では、炭素膜を形成する際に直
流電流のみ用いたが、直流電流と交流電流を重畳させた
場合でも全く同様の作用効果を有するものである。
流電流のみ用いたが、直流電流と交流電流を重畳させた
場合でも全く同様の作用効果を有するものである。
【０１０５】なお、上記実施例では、８ｍｍＶＴＲ用薄
膜テープのみについて説明したが、これに限定されるも
のではない。他の強磁性金属薄膜型磁気テープ、磁気デ
ィスク等についても適用できる。
膜テープのみについて説明したが、これに限定されるも
のではない。他の強磁性金属薄膜型磁気テープ、磁気デ
ィスク等についても適用できる。
【０１０６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、非磁性基
板上に強磁性金属薄膜を形成し、強磁性金属薄膜上に、
ケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウムの中から選ば
れた少なくとも一つの元素の濃度が最表面から深さ方向
に向かって減少する高硬度で緻密な炭素膜を形成し、さ
らに前記炭素膜上に潤滑剤層を配することによって、走
行耐久性・耐候保存性に優れた信頼性の高い磁気記録媒
体を得ることができ、その実用上の価値は大なるものが
ある。
板上に強磁性金属薄膜を形成し、強磁性金属薄膜上に、
ケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウムの中から選ば
れた少なくとも一つの元素の濃度が最表面から深さ方向
に向かって減少する高硬度で緻密な炭素膜を形成し、さ
らに前記炭素膜上に潤滑剤層を配することによって、走
行耐久性・耐候保存性に優れた信頼性の高い磁気記録媒
体を得ることができ、その実用上の価値は大なるものが
ある。
【０１０７】さらに、非磁性基板上に強磁性金属薄膜を
形成し、前記強磁性金属薄膜上に、スズ、インジウムの
中から選ばれた少なくとも一つとホウ素の元素の濃度が
最表面から深さ方向に向かって減少する炭素膜を形成
し、さらに前記炭素膜上に潤滑剤層を配することによっ
て、配走行耐久性・耐候保存性を大幅に向上することが
可能となり、信頼性の高い磁気記録媒体を得ることがで
きる。
形成し、前記強磁性金属薄膜上に、スズ、インジウムの
中から選ばれた少なくとも一つとホウ素の元素の濃度が
最表面から深さ方向に向かって減少する炭素膜を形成
し、さらに前記炭素膜上に潤滑剤層を配することによっ
て、配走行耐久性・耐候保存性を大幅に向上することが
可能となり、信頼性の高い磁気記録媒体を得ることがで
きる。
【図１】本発明の実施例である金属薄膜型磁気記録テー
プの拡大断面図
プの拡大断面図
１ 非磁性基板 ２ 強磁性金属薄膜 ３ 炭素膜 ４ 潤滑剤層 ５ バックコート層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 喜代司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小田桐 優 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 村居 幹夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (14)
- 【請求項１】非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成し、
前記強磁性金属薄膜上にケイ素、リン、イオウ、スズ、
インジウムの中から選ばれた少なくとも一つの元素の濃
度が最表面から深さ方向に向かって減少する炭素膜を設
け、さらにこの炭素膜上に潤滑剤層を設けることを特徴
とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】炭素膜中のケイ素、リン、イオウ、スズ、
インジウムの中から選ばれた少なくとも一つの元素と炭
素の一重結合およびＣ−Ｏ結合に関与するケイ素、リ
ン、イオウ、スズ、インジウムの中から選ばれた一つの
元素と炭素および酸素の総和が３．０原子％以上である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】炭素膜表面近傍の、ケイ素、リン、イオ
ウ、スズ、インジウムの中から選ばれた少なくとも一つ
の元素の炭素に対する原子比率が１．０％以上であるこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】炭素膜表面近傍の、ケイ素、リン、イオ
ウ、スズ、インジウムの中から選ばれた少なくとも一つ
の元素の酸素に対する原子比率が１０．０％以上である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】炭素膜表面近傍の、ケイ素、リン、イオ
ウ、スズ、インジウムの中から選ばれた少なくとも一つ
の元素の炭素に対する原子比率が１．０％以上であり、
且つケイ素、リン、イオウ、スズ、インジウムの中から
選ばれた少なくとも一つの元素の酸素に対する原子比率
が１０．０％以上であることを特徴とする請求項１記載
の磁気記録媒体。 - 【請求項６】炭素膜中の、ケイ素、リン、イオウ、ス
ズ、インジウムの中から選ばれた少なくとも一つの元素
の炭素に対する原子比率が１．０％以上である部分の厚
さが、前記炭素膜の最表面から４．０ｎｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成し、
前記強磁性金属薄膜上にスズ、インジウムの中から選ば
れた少なくとも一つの元素とホウ素の濃度が最表面から
深さ方向に向かって減少する炭素膜を設け、さらにこの
炭素膜上に潤滑剤層を設けることを特徴とする磁気記録
媒体。 - 【請求項８】炭素膜中の、スズ、インジウムの中から選
ばれた少なくとも一つの元素と炭素の一重結合およびＢ
−Ｃ結合およびＣ−Ｏ結合に関与するスズ、インジウム
の中から選ばれた一つの元素と炭素、酸素およびホウ素
の総和が３．０原子％以上であることを特徴とする請求
項７記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】炭素膜表面近傍の、スズ、インジウムの中
から選ばれた少なくとも一つの元素とホウ素の炭素に対
する原子比率が１．０％以上であることを特徴とする請
求項７記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１０】炭素膜表面近傍の、スズ、インジウムの
中から選ばれた少なくとも一つの元素とホウ素の酸素に
対する原子比率が１０．０％以上であることを特徴とす
る請求項７記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１１】炭素膜表面近傍の、スズ、インジウムの
中から選ばれた少なくとも一つの元素とホウ素の炭素に
対する原子比率が１．０％以上であり、且つスズ、イン
ジウムの中から選ばれた少なくとも一つの元素とホウ素
の酸素に対する原子比率が１０．０％以上であることを
特徴とする請求項７記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１２】炭素膜中の、スズ、インジウムの中から
選ばれた少なくとも一つの元素とホウ素の炭素に対する
原子比率が１．０％以上である部分の厚さが、前記炭素
膜の最表面から４．０ｎｍ以下であることを特徴とする
請求項７記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１３】炭素膜のビッカース硬度が２０００ｋｇ
／ｍｍ2 以上であることを特徴とする請求項１または７
に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１４】炭素膜上の潤滑剤層が、−ＣＯＯＨ、−
ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨ 2 、＝ＮＨ、−ＣＯＮＨ2 、−Ｃ
ＯＮＨＲ、−ＣＯＮＲ2 、−ＣＯＯＲ、＝ＰＲ、＝ＰＲ
Ｏ、＝ＰＲＳ、−ＯＰＯ（ＯＨ）2 、−ＯＰＯ（ＯＲ）
2 、−ＳＯ3 Ｍ（ただし、Ｒは炭素数１〜２２の炭化水
素基、Ｍは水素、アルカリ金属またはアルカリ土類金
属）から選ばれた少なくとも一つの極性基を有する含フ
ッ素系潤滑剤層であることを特徴とする請求項１または
７に記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6837094A JPH07161034A (ja) | 1993-04-13 | 1994-04-06 | 磁気記録媒体 |
| US08/229,428 US5494742A (en) | 1993-01-14 | 1994-04-12 | Magnetic recording medium having improved running time and corrosion resistance |
| DE69422546T DE69422546T2 (de) | 1993-04-13 | 1994-04-13 | Magnetisches Aufzeichnungsmedium |
| EP19940105650 EP0624869B1 (en) | 1993-04-13 | 1994-04-13 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8591993 | 1993-04-13 | ||
| JP5-85919 | 1993-10-14 | ||
| JP25677093 | 1993-10-14 | ||
| JP5-256770 | 1993-10-14 | ||
| JP6837094A JPH07161034A (ja) | 1993-04-13 | 1994-04-06 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161034A true JPH07161034A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=27299724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6837094A Pending JPH07161034A (ja) | 1993-01-14 | 1994-04-06 | 磁気記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5494742A (ja) |
| EP (1) | EP0624869B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07161034A (ja) |
| DE (1) | DE69422546T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08124149A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US5942317A (en) * | 1997-01-31 | 1999-08-24 | International Business Machines Corporation | Hydrogenated carbon thin films |
| US6582823B1 (en) | 1999-04-30 | 2003-06-24 | North Carolina State University | Wear-resistant polymeric articles and methods of making the same |
| US6696157B1 (en) * | 2000-03-05 | 2004-02-24 | 3M Innovative Properties Company | Diamond-like glass thin films |
| US7106939B2 (en) * | 2001-09-19 | 2006-09-12 | 3M Innovative Properties Company | Optical and optoelectronic articles |
| JP4613530B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2011-01-19 | Ｎｏｋクリューバー株式会社 | 潤滑グリース組成物 |
| DE112005003849B4 (de) * | 2004-09-14 | 2013-06-20 | NOK Klüber Co., Ltd. | Verwendung einer perfluorpolyether-ölzusammensetzung als schmiermittelzusammensetzung |
| US8043976B2 (en) * | 2008-03-24 | 2011-10-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Adhesion to copper and copper electromigration resistance |
| TWI432595B (zh) * | 2010-04-30 | 2014-04-01 | Winsky Technology Ltd | 基板塗層及其形成方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4165232A (en) * | 1978-09-15 | 1979-08-21 | Basf Aktiengesellschaft | Manufacture of ferromagnetic metal particles essentially consisting of iron |
| JPS60237640A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-26 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US4761334A (en) * | 1984-09-21 | 1988-08-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium |
| DE3587979T2 (de) * | 1984-10-22 | 1995-05-18 | Hitachi Ltd | Magnetischer Aufzeichnungsträger. |
| JPS61289530A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-19 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS62139871A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-23 | Nec Corp | 硬質非晶質炭素膜 |
| US4880687A (en) * | 1986-05-09 | 1989-11-14 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
| US4840844A (en) * | 1986-06-02 | 1989-06-20 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium |
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