JPH07159707A - Ｍ×ｎ電歪アクチュエーテッドミラーアレーおよびその製法 - Google Patents
Ｍ×ｎ電歪アクチュエーテッドミラーアレーおよびその製法Info
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- JPH07159707A JPH07159707A JP6231890A JP23189094A JPH07159707A JP H07159707 A JPH07159707 A JP H07159707A JP 6231890 A JP6231890 A JP 6231890A JP 23189094 A JP23189094 A JP 23189094A JP H07159707 A JPH07159707 A JP H07159707A
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- G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄い電極セラミックウェハを用いずに、M ×
N電歪アクチュエーテッドミラーアレーの製法を提供す
る。 【構成】 セラミックウェハを準備し、セラミックウェ
ハ上に垂直方向にM 個の第１トレンチを形成するステッ
プ、さらにM 個の電極を形成するステップ、水平方向に
N-1 個の溝を形成し、N-1 個の溝を有する絶縁層で被覆
し、能動基板上にセラミックウェハを付着するステッ
プ、セラミックウェハの下面に金属層を形成し、金属層
の上部にフォトレジスト層を形成し、セラミックウェハ
の下面を水平方向にN-1 個に切断し、M × Nアクチュエ
ーティング部材アレーを形成するステップ、セラミック
ウェハの下面に垂直方向へ第２トレンチを形成し、前記
フォトレジスト層を除去し、M × Nヒンジアレーを付着
するステップ、該M × Nヒンジアレーにミラーを形成す
るステップ、電気的接続を行うステップとを含む。
N電歪アクチュエーテッドミラーアレーの製法を提供す
る。 【構成】 セラミックウェハを準備し、セラミックウェ
ハ上に垂直方向にM 個の第１トレンチを形成するステッ
プ、さらにM 個の電極を形成するステップ、水平方向に
N-1 個の溝を形成し、N-1 個の溝を有する絶縁層で被覆
し、能動基板上にセラミックウェハを付着するステッ
プ、セラミックウェハの下面に金属層を形成し、金属層
の上部にフォトレジスト層を形成し、セラミックウェハ
の下面を水平方向にN-1 個に切断し、M × Nアクチュエ
ーティング部材アレーを形成するステップ、セラミック
ウェハの下面に垂直方向へ第２トレンチを形成し、前記
フォトレジスト層を除去し、M × Nヒンジアレーを付着
するステップ、該M × Nヒンジアレーにミラーを形成す
るステップ、電気的接続を行うステップとを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光投射型システムに関す
る。さらに詳しくは、光投射型システムに用いられる電
歪アクチュエーテッドミラーアレーおよびその向上され
た製法に関する。
る。さらに詳しくは、光投射型システムに用いられる電
歪アクチュエーテッドミラーアレーおよびその向上され
た製法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
の種々なビデオディスプレーシステムのうち、光投射型
システムは大画面で高画質ビデオディスプレーを提供す
ることが知られている。このような光投射型システムに
おいては、ランプから投射された光は、各々のミラーが
各々のアクチュエータと結合されたたとえば、M × Nア
クチュエーテッドミラーアレーに均一に照射される。こ
のようなアクチュエータは、印加された電界に応じて変
形する圧電材料または電歪材料のようなエレクトロディ
スプレーシブ物質からなる。
の種々なビデオディスプレーシステムのうち、光投射型
システムは大画面で高画質ビデオディスプレーを提供す
ることが知られている。このような光投射型システムに
おいては、ランプから投射された光は、各々のミラーが
各々のアクチュエータと結合されたたとえば、M × Nア
クチュエーテッドミラーアレーに均一に照射される。こ
のようなアクチュエータは、印加された電界に応じて変
形する圧電材料または電歪材料のようなエレクトロディ
スプレーシブ物質からなる。
【０００３】各々のミラーから反射された光は、バッフ
ルの開口に投射される。各々のアクチュエータに電気信
号を印加することによって、入射光への各々のミラーの
相対的な位置が変更され、よって、各ミラーから反射光
の光路が変更される。各々の反射光の光路が変更されれ
ば、各々のミラーから反射されて開口を通過される光量
は変わり、よって、光の強度が調節される。開口を経て
光量が調節された光は、投射レンズのような適切な光学
装置を経て投射スクリーンへ伝送されて像をディスプレ
ーする。
ルの開口に投射される。各々のアクチュエータに電気信
号を印加することによって、入射光への各々のミラーの
相対的な位置が変更され、よって、各ミラーから反射光
の光路が変更される。各々の反射光の光路が変更されれ
ば、各々のミラーから反射されて開口を通過される光量
は変わり、よって、光の強度が調節される。開口を経て
光量が調節された光は、投射レンズのような適切な光学
装置を経て投射スクリーンへ伝送されて像をディスプレ
ーする。
【０００４】図７は、発明の名称「エレクトロディスプ
レーシブ アクチュエーテッド ミラー アレー（ELEC
TRODISPLACIVE ACTUATED MIRROR ARRAY ）」にかかわる
韓国出願第93-13844号明細書および韓国出願第93-13845
号明細書に開示された光投射型システムに用いられるM
× Nエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミ
ラーアレー10の断面図を示し、次の事項を含む。基板12
およびその上のM × Nトランジスタアレーを含む能動基
板11と、各々のエレクトロディスプレーシブアクチュエ
ータ30が一対の駆動部14,15 と、一対のバイアス電極1
6,17 および共通信号電極18とを含むM × Nエレクトロ
ディスプレーシブアクチュエータアレー13と、各々のヒ
ンジが各々のエレクトロディスプレーシブアクチュエー
タ30にあてはめたM × Nヒンジ31からなるアレー19と、
各々の信号電極18と各々の能動基板11を電気的に接続す
るのに用いられる接続端子22からなるM × N接続端子ア
レー20と、各々のミラーが各々のM × Nヒンジ31の上面
に付着されたM × Nミラー23からなるアレー21とを含
む。
レーシブ アクチュエーテッド ミラー アレー（ELEC
TRODISPLACIVE ACTUATED MIRROR ARRAY ）」にかかわる
韓国出願第93-13844号明細書および韓国出願第93-13845
号明細書に開示された光投射型システムに用いられるM
× Nエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミ
ラーアレー10の断面図を示し、次の事項を含む。基板12
およびその上のM × Nトランジスタアレーを含む能動基
板11と、各々のエレクトロディスプレーシブアクチュエ
ータ30が一対の駆動部14,15 と、一対のバイアス電極1
6,17 および共通信号電極18とを含むM × Nエレクトロ
ディスプレーシブアクチュエータアレー13と、各々のヒ
ンジが各々のエレクトロディスプレーシブアクチュエー
タ30にあてはめたM × Nヒンジ31からなるアレー19と、
各々の信号電極18と各々の能動基板11を電気的に接続す
るのに用いられる接続端子22からなるM × N接続端子ア
レー20と、各々のミラーが各々のM × Nヒンジ31の上面
に付着されたM × Nミラー23からなるアレー21とを含
む。
【０００５】前記韓国出願第93-13844号明細書および韓
国出願第93-13845号明細書には、厚さが30〜50μm であ
るセラミックウェハを用いるM × Nエレクトロディスプ
レーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製法が開示
されている。
国出願第93-13845号明細書には、厚さが30〜50μm であ
るセラミックウェハを用いるM × Nエレクトロディスプ
レーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製法が開示
されている。
【０００６】しかし、前記のM × Nエレクトロディスプ
レーシブアクチュエータアレーを制作する方法には多く
の問題点がある。まず、厚さが30〜50μm であるセラミ
ックウェハをえにくく、さらに、セラミックウェハの厚
さを30〜50μm に減らすと、その力学的特性が低下し、
結局、製造が行いにくくなりうる。
レーシブアクチュエータアレーを制作する方法には多く
の問題点がある。まず、厚さが30〜50μm であるセラミ
ックウェハをえにくく、さらに、セラミックウェハの厚
さを30〜50μm に減らすと、その力学的特性が低下し、
結局、製造が行いにくくなりうる。
【０００７】また、能動基板上にセラミックウェハを付
着するばあいに、前記工程は導電性ペーストを用いて各
々の共通信号電極を各々のM × N接続端子に電気的およ
び機械的に接続する。しかし、導電性ペーストが隣接ア
クチュエータなどに及ぶ可能性があり、これによって、
それらのあいだに短絡回路が発生する可能性がある。
着するばあいに、前記工程は導電性ペーストを用いて各
々の共通信号電極を各々のM × N接続端子に電気的およ
び機械的に接続する。しかし、導電性ペーストが隣接ア
クチュエータなどに及ぶ可能性があり、これによって、
それらのあいだに短絡回路が発生する可能性がある。
【０００８】したがって、本発明の主な目的は、薄い電
極セラミックウェハを用いずに、M× N電歪アクチュエ
ーテッドミラーアレーの製法を提供することである。
極セラミックウェハを用いずに、M× N電歪アクチュエ
ーテッドミラーアレーの製法を提供することである。
【０００９】本発明の他の目的は、良好な機械的特性の
維持および製造工程を容易にする厚いセラミックウェハ
を用いて、電歪アクチュエーテッドミラーアレーの向上
された製法を提供することである。
維持および製造工程を容易にする厚いセラミックウェハ
を用いて、電歪アクチュエーテッドミラーアレーの向上
された製法を提供することである。
【００１０】本発明のさらに他の目的は、隣接アクチュ
エータなど間の短絡を防止しうるM× N電歪アクチュエ
ーテッドミラーアレーの製法を提供することである。
エータなど間の短絡を防止しうるM× N電歪アクチュエ
ーテッドミラーアレーの製法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、光投射
型システムに用いられるM × N電歪アクチュエーテッド
ミラーアレーの製法が提供され、前記方法は、(a) 上下
面を有する電歪物質からなるセラミックウェハを準備す
るステップと、(b) 前記セラミックウェハの上面の全体
に、均等な間隔および垂直方向へ固定された幅と深さを
もち各々のトレンチは互いに平行であり、平滑な上面を
有するバリアにより各々分離され、M 個の第１トレンチ
を提供するステップと、(c) 導電体をM 個の第１トレン
チ各々に積層して、M 個の電極を形成するステップと、
(d) 前記ステップ(b) および(c)により処理されたセラ
ミックウェハの上面に水平方向へN-1 個の均一な間隔で
平行であり、各々のトレンチとその深さが同一である溝
を提供して、M × N信号電極アレーを生成するステップ
と、(e) 前記(b) 〜(d) により処理された前記セラミッ
クウェハの上面をM 個のバリアおよびN-1 個の溝の上面
と共に上面を有する絶縁物質の絶縁層で被覆するステッ
プと、(f) 前記ステップ(b) 〜(e) ステップにより処理
された前記セラミックウェハを高絶縁定数の絶縁セラミ
ック粉末の絶縁接着剤を用いて、基板と、M × Nトラン
ジスタアレーと、M × N信号パッドアレーとを含む能動
基板上に付着し、各々のM × N信号電極に相当する各々
のM ×N信号パッドを整列するステップと、(g) 金属層
を前記ステップ(b) 〜(f) により処理された前記セラミ
ックウェハの下面に提供するステップと、(h) フォトレ
ジスト層を金属層の上部に形成するステップと、(i) 前
記セラミックウェハの全下面を均一な間隔および一定の
大きさに水平方向へN-1 個に切断して、M × Nアクチュ
エーティング部材アレーを形成するステップと、(j) 前
記ステップ(g) 〜(i) により処理された前記セラミック
ウェハの全下面上に各々の中央線がM 個の第１トレンチ
の中央線と一致する、垂直方向へ一定の間隔で配置さ
れ、固定された大きさのM 個の第２トレンチを形成する
ステップと、(k) フォトレジスト層を除去するステップ
と、(l) 各々のM × Nヒンジを平滑な上面および各々の
相応するM 個の第２トレンチに適合する突出部を有する
下面でM × Nヒンジアレーを前記ステップ(i) 〜(k) に
より処理された前記セラミックウェハ上に付着するステ
ップと、(m) 各々のM × Nヒンジの平滑な上面にミラー
を形成するステップと、(n) 電気的接続を行ってM × N
電歪アクチュエーテッドミラーアレーを形成するステッ
プとを含む。
型システムに用いられるM × N電歪アクチュエーテッド
ミラーアレーの製法が提供され、前記方法は、(a) 上下
面を有する電歪物質からなるセラミックウェハを準備す
るステップと、(b) 前記セラミックウェハの上面の全体
に、均等な間隔および垂直方向へ固定された幅と深さを
もち各々のトレンチは互いに平行であり、平滑な上面を
有するバリアにより各々分離され、M 個の第１トレンチ
を提供するステップと、(c) 導電体をM 個の第１トレン
チ各々に積層して、M 個の電極を形成するステップと、
(d) 前記ステップ(b) および(c)により処理されたセラ
ミックウェハの上面に水平方向へN-1 個の均一な間隔で
平行であり、各々のトレンチとその深さが同一である溝
を提供して、M × N信号電極アレーを生成するステップ
と、(e) 前記(b) 〜(d) により処理された前記セラミッ
クウェハの上面をM 個のバリアおよびN-1 個の溝の上面
と共に上面を有する絶縁物質の絶縁層で被覆するステッ
プと、(f) 前記ステップ(b) 〜(e) ステップにより処理
された前記セラミックウェハを高絶縁定数の絶縁セラミ
ック粉末の絶縁接着剤を用いて、基板と、M × Nトラン
ジスタアレーと、M × N信号パッドアレーとを含む能動
基板上に付着し、各々のM × N信号電極に相当する各々
のM ×N信号パッドを整列するステップと、(g) 金属層
を前記ステップ(b) 〜(f) により処理された前記セラミ
ックウェハの下面に提供するステップと、(h) フォトレ
ジスト層を金属層の上部に形成するステップと、(i) 前
記セラミックウェハの全下面を均一な間隔および一定の
大きさに水平方向へN-1 個に切断して、M × Nアクチュ
エーティング部材アレーを形成するステップと、(j) 前
記ステップ(g) 〜(i) により処理された前記セラミック
ウェハの全下面上に各々の中央線がM 個の第１トレンチ
の中央線と一致する、垂直方向へ一定の間隔で配置さ
れ、固定された大きさのM 個の第２トレンチを形成する
ステップと、(k) フォトレジスト層を除去するステップ
と、(l) 各々のM × Nヒンジを平滑な上面および各々の
相応するM 個の第２トレンチに適合する突出部を有する
下面でM × Nヒンジアレーを前記ステップ(i) 〜(k) に
より処理された前記セラミックウェハ上に付着するステ
ップと、(m) 各々のM × Nヒンジの平滑な上面にミラー
を形成するステップと、(n) 電気的接続を行ってM × N
電歪アクチュエーテッドミラーアレーを形成するステッ
プとを含む。
【００１２】
【実施例】つぎに、本発明の実施例について図面を参照
しながらより詳しく説明する。
しながらより詳しく説明する。
【００１３】本発明によれば、M × N電歪アクチュエー
テッドミラーアレー(MおよびN は正の整数) の製造工程
は図１(a) に示すように、セラミックウェハ50の準備か
ら始まるが、このセラミックウェハは厚さが100 〜150
μm であり、リードマグネシウムニオベート−リードチ
タネート(PMN-PT)のような電歪物質からなり、平滑で互
いに平行である上下面51,52 を有する。
テッドミラーアレー(MおよびN は正の整数) の製造工程
は図１(a) に示すように、セラミックウェハ50の準備か
ら始まるが、このセラミックウェハは厚さが100 〜150
μm であり、リードマグネシウムニオベート−リードチ
タネート(PMN-PT)のような電歪物質からなり、平滑で互
いに平行である上下面51,52 を有する。
【００１４】図１(b) に示すように、セラミックウェハ
50の上面51全体には、レーザビームが印加されるウェッ
トエッチング工程により垂直方向へ一定の間隔で配置さ
れた固定された大きさのM 個の第１トレンチ（たとえ
ば、54M-i 、54M-i+1 、54M-i-1 ）が形成されている
が、M 個の第１トレンチ（たとえば、54M-i 、5
4M-i-1 ）は互いに平行であり、平滑な上面56を有する
バリア（たとえば、55M-i ）により互いに分離されてい
る。ここで、i は整数であり、M-1 より小さいか同じか
である。各々のM 個の第１トレンチは幅が50〜70μm で
あり、深さが50〜100 μm である。
50の上面51全体には、レーザビームが印加されるウェッ
トエッチング工程により垂直方向へ一定の間隔で配置さ
れた固定された大きさのM 個の第１トレンチ（たとえ
ば、54M-i 、54M-i+1 、54M-i-1 ）が形成されている
が、M 個の第１トレンチ（たとえば、54M-i 、5
4M-i-1 ）は互いに平行であり、平滑な上面56を有する
バリア（たとえば、55M-i ）により互いに分離されてい
る。ここで、i は整数であり、M-1 より小さいか同じか
である。各々のM 個の第１トレンチは幅が50〜70μm で
あり、深さが50〜100 μm である。
【００１５】図２(c) に示したように、そのあと、M 個
の電極（たとえば、57M-i 、57M-i+1 、57M-i-1 ）は各
々の第１トレンチ（たとえば、54M-i 、54M-i+1 、54
M-i-1 ）を導電性接着剤で埋めることによって形成され
る。そののち、水平方向に一定の間隔で配置され、互い
に平行なN-1 個の溝（図示せず）が前記ステップにより
処理されたセラミックウェハ50の上面51に形成される
が、各々の溝は各々のトレンチと同一の深さであり、こ
れによってM × N信号電極アレーが生成される。
の電極（たとえば、57M-i 、57M-i+1 、57M-i-1 ）は各
々の第１トレンチ（たとえば、54M-i 、54M-i+1 、54
M-i-1 ）を導電性接着剤で埋めることによって形成され
る。そののち、水平方向に一定の間隔で配置され、互い
に平行なN-1 個の溝（図示せず）が前記ステップにより
処理されたセラミックウェハ50の上面51に形成される
が、各々の溝は各々のトレンチと同一の深さであり、こ
れによってM × N信号電極アレーが生成される。
【００１６】そののち、図３(d) に示されるように前記
製造工程により処理されたセラミックウェハ50は、たと
えば、リードジルコニウムチタネート（PZT ）のような
ABO3 ペロフスカイト型の高絶縁定数の絶縁セラミック
粉末の非導電性接着剤58を用いて、基板59、M × Nトラ
ンジスタアレー（図示せず）およびM × N信号パッド
（たとえば、64M-i 、64M-i+1 、64M-i-1 ）のアレー61
を含む能動基板65に装着され、これによって各々のM ×
N信号電極に対応する各々の信号パッドが整列される。
製造工程により処理されたセラミックウェハ50は、たと
えば、リードジルコニウムチタネート（PZT ）のような
ABO3 ペロフスカイト型の高絶縁定数の絶縁セラミック
粉末の非導電性接着剤58を用いて、基板59、M × Nトラ
ンジスタアレー（図示せず）およびM × N信号パッド
（たとえば、64M-i 、64M-i+1 、64M-i-1 ）のアレー61
を含む能動基板65に装着され、これによって各々のM ×
N信号電極に対応する各々の信号パッドが整列される。
【００１７】そののち、図４(e) に示されるように、金
属層68と、その上に上面70を有するフォトレジスト層67
からなる二重層構造66がセラミックウェハ50の下面52に
提供される。
属層68と、その上に上面70を有するフォトレジスト層67
からなる二重層構造66がセラミックウェハ50の下面52に
提供される。
【００１８】その次のステップにおいて、セラミックウ
ェハ50の全下面を均一な間隔で垂直方向へ一定にN-1 個
に切断し、その結果、M × Nアクチュエーティング部材
アレー（図示せず）が生成される。
ェハ50の全下面を均一な間隔で垂直方向へ一定にN-1 個
に切断し、その結果、M × Nアクチュエーティング部材
アレー（図示せず）が生成される。
【００１９】図５(f) に示したように、前記ステップに
よって処理されたセラミックウェハ50の下面52の全体
に、均一な間隔および垂直方向に、固定された大きさの
M 個の第２トレンチ（たとえば、69M-i 、69M-i+1 、69
M-i-1 ）が形成されるが、各々のM 個の第２トレンチ
（たとえば、69M-i ）は二重層構造66の上面70から該当
する信号電極（たとえば、57M-i ）に延長し、各々のM
個の第２トレンチ（69M-i）の中央線は当該する各々の
第１トレンチ（たとえば、54M-i ）の中央線と一致す
る。前記したM 個の第２トレンチはドライエッチング工
程または印加されたレーザビームと共に用いられるウェ
ットエッチング工程を用いて形成される。
よって処理されたセラミックウェハ50の下面52の全体
に、均一な間隔および垂直方向に、固定された大きさの
M 個の第２トレンチ（たとえば、69M-i 、69M-i+1 、69
M-i-1 ）が形成されるが、各々のM 個の第２トレンチ
（たとえば、69M-i ）は二重層構造66の上面70から該当
する信号電極（たとえば、57M-i ）に延長し、各々のM
個の第２トレンチ（69M-i）の中央線は当該する各々の
第１トレンチ（たとえば、54M-i ）の中央線と一致す
る。前記したM 個の第２トレンチはドライエッチング工
程または印加されたレーザビームと共に用いられるウェ
ットエッチング工程を用いて形成される。
【００２０】次のステップにおいて、フォトレジスト層
67が除去される。そのあと、図６(g) に示したように、
M × Nヒンジアレー（たとえば、72M-i 、72M-i+1 、72
M-i-1 ）が前記したステップにより処理されたセラミッ
クウェハ上に付着されるが、各々のM × Nヒンジなど
（たとえば、72M-i ）は平滑な上面73およびその相応す
る各々のM 個の第２トレンチ（たとえば、69M-i ）とあ
てはめる突起部75と共に提供される下面74を有する。そ
のあと、光反射物質からなるミラー76が、たとえば、ス
パッタリングを用いることによって各々のM × Nヒンジ
（たとえば、72M-i ）の平滑な上面に形成され、そのあ
と、て電極との電気的接続が行われ、M × N電歪アクチ
ュエーテッドミラー（たとえば、81M-i 、81M-i+1 、81
M-i-1 ）からなるアレー80が形成される。
67が除去される。そのあと、図６(g) に示したように、
M × Nヒンジアレー（たとえば、72M-i 、72M-i+1 、72
M-i-1 ）が前記したステップにより処理されたセラミッ
クウェハ上に付着されるが、各々のM × Nヒンジなど
（たとえば、72M-i ）は平滑な上面73およびその相応す
る各々のM 個の第２トレンチ（たとえば、69M-i ）とあ
てはめる突起部75と共に提供される下面74を有する。そ
のあと、光反射物質からなるミラー76が、たとえば、ス
パッタリングを用いることによって各々のM × Nヒンジ
（たとえば、72M-i ）の平滑な上面に形成され、そのあ
と、て電極との電気的接続が行われ、M × N電歪アクチ
ュエーテッドミラー（たとえば、81M-i 、81M-i+1 、81
M-i-1 ）からなるアレー80が形成される。
【００２１】本発明は特定の実施例について説明してい
るが、本発明の範囲を逸脱することなく、当業者は種々
の改変をなしうる。
るが、本発明の範囲を逸脱することなく、当業者は種々
の改変をなしうる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、薄い電極セラミックウ
ェハを用いずに、M × N電歪アクチュエーテッドミラー
アレーの向上された製法を提供することができる。
ェハを用いずに、M × N電歪アクチュエーテッドミラー
アレーの向上された製法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例による製造段階を示す概略的
な断面図である。
な断面図である。
【図２】本発明の一実施例による製造段階を示す概略的
な断面図である。
な断面図である。
【図３】本発明の一実施例による製造段階を示す概略的
な断面図である。
な断面図である。
【図４】本発明の一実施例による製造段階を示す概略的
な断面図である。
な断面図である。
【図５】本発明の一実施例による製造段階を示す概略的
な断面図である。
な断面図である。
【図６】本発明の一実施例による製造段階を示す概略的
な断面図である。
な断面図である。
【図７】従来のM × Nエレクトロディスプレーシブアク
チュエーテッドミラーアレーの断面図である。
チュエーテッドミラーアレーの断面図である。
50 セラミックウェハ 54M-i 、54M-i+1 、54M-i-1 、54M-i+2 Ｍ個の第１ト
レンチ 57M-i 、57M-i+1 、57M-i-1 Ｍ個の電極 59 基板 61 M × N信号パッドアレー 65 能動基板 68 金属層 69M-i 、69M-i+1 、69M-i-1 Ｍ個の第２トレンチ 72M-i 、72M-i+1 、72M-i-1 M × Nヒンジアレー 76 ミラー 80 M × N電歪アクチュエーテッドミラーアレー
レンチ 57M-i 、57M-i+1 、57M-i-1 Ｍ個の電極 59 基板 61 M × N信号パッドアレー 65 能動基板 68 金属層 69M-i 、69M-i+1 、69M-i-1 Ｍ個の第２トレンチ 72M-i 、72M-i+1 、72M-i-1 M × Nヒンジアレー 76 ミラー 80 M × N電歪アクチュエーテッドミラーアレー
Claims (11)
- 【請求項１】 光投射型システムに用いるM × N電歪ア
クチュエーテッドミラーアレー(MとN は正の整数) の製
法であって、(a) 上下面を有する電歪物質からなるセラ
ミックウェハを準備するステップと、(b) 前記セラミッ
クウェハの上面の全体に、均等な間隔および垂直方向へ
固定された幅と深さをもち、各々のトレンチは互いに平
行であり、平滑な上面を有するバリアにより各々分離さ
れるM 個の第１トレンチを提供するステップと、(c) 導
電体をM 個の第１トレンチ各々に積層して、M 個の電極
を形成するステップと、(d) 前記ステップ(b) および
(c) により処理されたセラミックウェハの上面に水平方
向へN-1 個の均一な間隔で平行であり、各々のトレンチ
とその深さが同一である溝を提供して、M × N信号電極
アレーを生成するステップと、(e) 前記ステップ(b) 〜
(d) により処理された前記セラミックウェハの上面をM
個のバリアおよびN-1 個の溝の上面と共に上面を有する
絶縁物質の絶縁層で被覆するステップと、(f) 前記(b)
〜(e) ステップにより処理された前記セラミックウェハ
を高絶縁定数の絶縁セラミック粉末の絶縁接着剤を用い
て、基板と、M × Nトランジスタアレーと、M × N信号
パッドアレーとを含む能動基板上に付着し、各々のM ×
N信号電極に相当する各々のM × N信号パッドを整列す
るステップと、(g) 金属層を前記ステップ(b) 〜(f) に
より処理された前記セラミックウェハの下面に提供する
ステップと、(h) フォトレジスト層を金属層の上部に形
成するステップと、(i) 前記セラミックウェハの全下面
を均一な間隔および一定の大きさに水平方向へN-1 個に
切断して、M × Nアクチュエーティング部材アレーを形
成するステップと、(j) 前記ステップ(g) 〜(i) により
処理された前記セラミックウェハの全下面上に各々の中
央線がM 個の第１トレンチの中央線と一致する、垂直方
向へ一定の間隔で配置され、固定された大きさのM 個の
第２トレンチを形成するステップと、(k) 前記フォトレ
ジスト層を除去するステップと、(l) 各々のM × Nヒン
ジを平滑な上面および各々の相応するM 個の第２トレン
チに適合する突出部を有する下面でM × Nヒンジアレー
を前記ステップ(i) 〜(k)により処理された前記セラミ
ックウェハ上に付着するステップと、(m) 各々のM × N
ヒンジの平滑な上面にミラーを形成するステップと、
(n) 電気的接続を行ってM × N電歪アクチュエーテッド
ミラーアレーを形成するステップとを含むことを特徴と
するM × N電歪アクチュエーテッドミラーアレーの製
法。 - 【請求項２】 前記セラミックウェハは、厚さが100 〜
150 μm である請求項１記載のM × N電歪アクチュエー
テッドミラーアレーの製法。 - 【請求項３】 前記各々のM 個の第１トレンチは、幅が
50〜70μm である請求項１記載のM × N電歪アクチュエ
ーテッドミラーアレーの製法。 - 【請求項４】 前記各々のM 個の第１トレンチは、深さ
が50〜70μm である請求項３記載のM × N電歪アクチュ
エーテッドミラーアレーの製法。 - 【請求項５】 前記各々のM 個の第１トレンチは、レー
ザビームが印加されるウェットエッチング工程を用いて
形成される請求項４記載のM × N電歪アクチュエーテッ
ドミラーアレー製法。 - 【請求項６】 前記M 個の電極は、導電性接着剤からな
る請求項１記載のM× N電歪アクチュエーテッドミラー
アレーの製法。 - 【請求項７】 前記非導電性接着剤は AB03 ペロフスカ
イト型の絶縁セラミック粉末の接着剤である請求項１記
載のM × N電歪アクチュエーテッドミラーアレーの製
法。 - 【請求項８】 前記M 個の第２トレンチセットは、ドラ
イエッチング工程またはレーザビームが印加される湿潤
エッチング工程から形成される請求項１記載の電歪アク
チュエーテッドミラーアレーの製法。 - 【請求項９】 前記各々のM 個の第２トレンチは、金属
層の上面から対応する信号電極の上部へ延長する請求項
８記載のM × N電歪アクチュエーテッドミラーアレーの
製法。 - 【請求項１０】 前記ミラーは、光反射物質をスパッタ
リングして、各々のM × Nヒンジの上面に形成される請
求項１記載のM × N電歪アクチュエーテッドミラーアレ
ーの製法。 - 【請求項１１】 前記請求項１〜10のうちのいずれか一
つの方法によって形成されることを特徴とするM × N電
歪アクチュエーテッドミラーアレーを含む光投射型シス
テム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR93-20259 | 1993-09-28 | ||
| KR1019930020259A KR970003465B1 (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 광로조절장치의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07159707A true JPH07159707A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=19365045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6231890A Ceased JPH07159707A (ja) | 1993-09-28 | 1994-09-27 | Ｍ×ｎ電歪アクチュエーテッドミラーアレーおよびその製法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5862002A (ja) |
| JP (1) | JPH07159707A (ja) |
| KR (1) | KR970003465B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6969635B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-11-29 | Reflectivity, Inc. | Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates |
| US6962419B2 (en) | 1998-09-24 | 2005-11-08 | Reflectivity, Inc | Micromirror elements, package for the micromirror elements, and projection system therefor |
| US20010040675A1 (en) * | 2000-01-28 | 2001-11-15 | True Randall J. | Method for forming a micromechanical device |
| US7300162B2 (en) * | 2000-08-30 | 2007-11-27 | Texas Instruments Incorporated | Projection display |
| US7023606B2 (en) * | 2001-08-03 | 2006-04-04 | Reflectivity, Inc | Micromirror array for projection TV |
| US7042622B2 (en) * | 2003-10-30 | 2006-05-09 | Reflectivity, Inc | Micromirror and post arrangements on substrates |
| US7385750B2 (en) * | 2003-08-29 | 2008-06-10 | Asml Holding N.V. | Spatial light modulator using an integrated circuit actuator |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5083857A (en) * | 1990-06-29 | 1992-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Multi-level deformable mirror device |
| CA2085961A1 (en) * | 1991-12-23 | 1993-06-24 | William E. Nelson | Method and apparatus for steering light |
| US5212582A (en) * | 1992-03-04 | 1993-05-18 | Texas Instruments Incorporated | Electrostatically controlled beam steering device and method |
| KR970003007B1 (ko) * | 1993-05-21 | 1997-03-13 | 대우전자 주식회사 | 투사형 화상표시장치용 광로조절장치 및 그 구동방법 |
| KR970003466B1 (ko) * | 1993-09-28 | 1997-03-18 | 대우전자 주식회사 | 투사형 화상 표시 장치의 광로 조절 장치 제조 방법 |
| US5434697A (en) * | 1994-07-27 | 1995-07-18 | Litton Systems, Inc. | Deformable mirror system having replaceable actuators |
-
1993
- 1993-09-28 KR KR1019930020259A patent/KR970003465B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-09-27 JP JP6231890A patent/JPH07159707A/ja not_active Ceased
-
1997
- 1997-01-22 US US08/999,541 patent/US5862002A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5862002A (en) | 1999-01-19 |
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| KR970003465B1 (ko) | 1997-03-18 |
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