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JPH0713993B2 - 表面検査装置 - Google Patents

表面検査装置

Info

Publication number
JPH0713993B2
JPH0713993B2 JP1210845A JP21084589A JPH0713993B2 JP H0713993 B2 JPH0713993 B2 JP H0713993B2 JP 1210845 A JP1210845 A JP 1210845A JP 21084589 A JP21084589 A JP 21084589A JP H0713993 B2 JPH0713993 B2 JP H0713993B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image data
conversion table
gray level
semiconductor wafer
divided image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1210845A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0374854A (ja
Inventor
幸博 後藤
祥弘 杉山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP1210845A priority Critical patent/JPH0713993B2/ja
Publication of JPH0374854A publication Critical patent/JPH0374854A/ja
Publication of JPH0713993B2 publication Critical patent/JPH0713993B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Image Analysis (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Image Processing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウエハなどの被検査体を撮像装置で撮
像して被検査体の表面検査を行う表面検査装置に関す
る。
(従来の技術) 半導体ウエハの表面検査は、この半導体ウエハを撮像装
置で撮像してその画像データから半導体ウエハ表面の欠
陥などを検出しているが、この場合撮像装置としては半
導体ウエハの大きさよりも小さい2次元の撮像領域を有
するものが使用されることがある。このような撮像装置
を使用した場合、撮像装置は半導体ウエハを数回に分け
て撮像して半導体ウエハ全体の画像データを得ている。
このように半導体ウエハ全体の画像データは数回の撮像
により得られる各画像データを合わせて得ているが、こ
れら画像データ間における濃淡レベルは外乱などにより
安定性がなく、そこで各画像データ間における濃淡レベ
ルの均一化が計られる。この濃淡レベルの均一化処理
は、撮像装置から出力される半導体ウエハ全体の映像信
号をもとにこの映像信号の輝度レベルの均一化を計った
り、又輝度レベルの基準信号を設けて均一化を計ってい
る。
ところで、半導体ウエハの製造にあっては多種の半導体
ウエハを少量づつ製造する場合がある。このようにして
製造された各種半導体ウエハの表面検査を上記各均一化
処理を行って検査すると、前者の均一化処理では各種半
導体ウエハによって映像信号のレベルが大きく異なるた
めに、画像データの半導体ウエハ以外の部分の濃淡レベ
ルの変動の影響を受けて半導体ウエハ全体の画像データ
の濃淡レベルが変化してしまう。特に半導体ウエハから
の反射光量が一様であるとして検査を行う場合にはSN比
が低下する。又、後者の均一化処理で同一レベルの基準
信号により輝度レベルを均一化しようとしても半導体ウ
エハ部分の映像信号がオーバフローとなったり、逆にノ
イズに埋もれることがある。
(発明が解決しようとする課題) 以上のように各種半導体ウエハによって映像信号のレベ
ルが大きく異なるために半導体ウエハ全体の画像データ
の濃淡レベルに影響がでたり、又半導体ウエハ部分の濃
淡レベルがオーバフローとなったり、逆にノイズに埋も
れたりする。
そこで本発明は、被検査体以外における映像信号の影響
を受けずに安定して被検査体の表面検査ができる表面検
査装置を提供することを目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は、撮像装置と、この撮像装置の撮像により得ら
れる被検査体を複数の領域に分割した各分割画像データ
における被検査体部分以外をそれぞれマスキングするマ
スキング手段と、このマスキング手段でマスキングされ
た各分割画像データにおけるマスキングされない部分の
平均濃淡レベルを求めて各分割画像データを合わせて作
成される被検査体全体の画像データの平均濃淡レベルを
均一化する変換テーブルを作成する変換テーブル作成手
段と、マスキング手段でマスキングされた各分割画像デ
ータの濃淡レベルを変換テーブルを用いて変換して被検
査体全体の画像データの平均濃淡レベルを均一化するデ
ータ変換手段と、このデータ変換手段で均一化された被
検査体全体の画像データから被検査体の表面状態を検査
する検査手段とを備えて上記目的を達成しようとする表
面検査装置である。
(作用) このような手段を備えたことにより、撮像装置の撮像に
より得られる各分割画像データにおける被検査体部分以
外がマスキング手段によりそれぞれマスキングされ、こ
れらマスキングされた各分割画像データを受けて変換テ
ーブル作成手段はマスキングされない部分の平均濃淡レ
ベルを求めて各分割画像データを合わせた被検査体全体
の画像データの平均濃淡レベルを均一化する変換テーブ
ルを作成する。そして、均一化手段はマスキングされた
各分割画像データの濃淡レベルを変換テーブルを用いて
変換して被検査体全体の画像データの平均濃淡レベルを
均一化し、この均一化された被検査体全体の画像データ
から検査手段は被検査体の表面状態を検査する。
(実施例) 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図は表面検査装置の構成図である。同図において1
はXYテーブルであって、このXYテーブル1上には半導体
ウエハ2が載置されている。又、このXYテーブル1の斜
め上方には照明装置3が配置されるとともに、XYテーブ
ル1のほぼ真上にはITVカメラ4が配置されている。こ
のITVカメラ4は半導体ウエハ2の大きさよりも小さい
撮像領域を有するものである。従って、このIVTカメラ
4で半導体ウエハ2全体を撮像する場合、XYテーブル1
が制御回路5からの移動制御信号を受けてXY平面上を移
動してIVTカメラ4の撮像領域を第2図に示すようにA,
B,C,…,Iの順に走査させるようになっている。このITV
カメラ4から出力される映像信号はA/D変換器6でディ
ジタル映像信号に変換されてマスキング部7に送られて
いる。
このマスキング部7はディジタル映像信号を受けて各撮
像領域A,B,…,Iの各分割画像データにおける半導体ウエ
ハ2以外の部分をそれぞれマスキングする機能を有する
もので、次のような構成となっている。各画像メモリ8,
9が設けられ、これら画像メモリ8,9のうち一方の画像メ
モリ8がA/D変換器6と接続され、他方の画像メモリ9
が画像メモリ8に論理積回路10を介して接続されてい
る。そして、論理積回路10にはマスク発生回路11が接続
されている。このマスク発生回路11には第3図に示すよ
うな各撮像領域A,B,…,Iの各マスクパターン画像データ
DA,DB,…DIが記憶されている。これらマスクパターン
画像データDA,DB,…DIは互いに合わせることにより半
導体ウエハ2の形状と相似してこの半導体ウエハ2と相
似する形状部分を論理「1」とするとともにそれ以外の
部分を論理「0」と設定したものである。
前記画像メモリ9には変換テーブル作成部12が接続され
ており、この変換テーブル作成部12はマスキング部7で
マスキングされた各分割画像データにおけるマスキング
されない部分の平均濃淡レベルを求め、これら分割画像
データを合わせて作成する半導体ウエハ2全体の画像デ
ータの平均濃淡レベルを均一化するための変換テーブル
を作成する機能を有するものである。具体的には平均レ
ベル算出回路13、変換テーブル生成回路14及び変換テー
ブルメモリ15から構成され、このうち平均レベル算出回
路13は画像メモリ9から各分割画像データを読み出して
これら分割画像データにおけるマスキングされない部分
の平均濃淡レベルを求めるものであり、又変換テーブル
生成回路14は各分割画像データの平均濃淡レベルから半
導体ウエハ2全体の画像データの平均濃淡レベルを均一
化する変換テーブルを作成するものである。そして、こ
の変換テーブルは変換テーブルメモリ15に記憶されるよ
うになっている。
又、16はデータ変換回路であって、これはマスキング部
7でマスキングされた各分割画像データの濃淡レベルを
変換テーブルを用いて変換して半導体ウエハ2全体の画
像データの平均濃淡レベルを撮像領域Eの平均濃淡レベ
ルに合わせて均一化する機能を有するものである。
そうして、検査回路17はデータ変換回路16で均一化され
た半導体ウエハ2全体の画像データから半導体ウエハ2
の表面状態を検査する機能を有するものである。
次に上記のごとく構成された装置の作用について説明す
る。
先ず、変換テーブルが作成される。
半導体ウエハ2が照明装置3により照明され、かつ制御
回路5の移動制御信号の送出によりITVカメラ4の撮像
領域がAにセットされると、ITVカメラ4は撮像領域A
を撮像してその映像信号を出力する。この映像信号はA/
D変換器6によりディジタル映像信号に変換されて撮像
領域Aの分割画像データとして画像メモリ8に一時記憶
される。この分割画像データが第4図に示すようにQaで
あれば、同図に示すように分割画像データQaが論理積回
路10に送られるとともに、マスク発生回路11は同撮像領
域Aのマスクパターン画像データDAを論理積回路10に送
出する。これにより、論理積回路10は分割画像データQa
とマスクパターン画像データDAとの論理積を実行してマ
スキングされた分割画像データQa′を得る。この分割画
像データQa′は画像メモリ9に記憶される。
次に制御回路5から移動制御信号が送出されてXYテーブ
ル1がXY平面上を移動し、これによりITVカメラ4の撮
像領域がBにセットされる。この状態にITVカメラ4は
撮像領域Aを撮像してその映像信号を出力し、撮像領域
Aの分割画像データとして画像メモリ8に一時記憶され
る。そして、この分割画像データが論理積回路10に送ら
れるとともに、マスク発生回路11は同撮像領域Bのマス
クパターン画像データDBを論理積回路10に送出し、これ
により、論理積回路10はこれら分割画像データとマスク
パターン画像データDAとの論理積の分割画像データを得
て画像メモリ9に記憶される。
以下、上記作用と同様に各撮像領域C,D,…,Iのマスキン
グされた各分割画像データが得られて画像メモリ9に記
憶される。
次に平均レベル算出回路13は画像メモリ9から各分割画
像データを順次読み出してそれぞれマスキング以外の部
分における各平均濃淡レベルを算出してその各値を変換
テーブル生成回路14に送る。この変換テーブル生成回路
14は各分割画像データの各平均濃淡レベルを受けて各分
割画像データを合わせて作成される半導体ウエハ2全体
の画像データの平均濃淡レベルを均一化つまり正規化す
る変換テーブルを生成する。そして、この変換テーブル
は変換テーブルメモリ15に記憶される。
次に半導体ウエハ2の表面検査が行われる。この場合、
照明装置3での半導体ウエハ2への照明条件及びXYテー
ブル1の位置は変換テーブルを作成するときと全く同一
条件となっている。
上記同様に半導体ウエハ2が照明装置3により照明さ
れ、かつ制御回路5の移動制御信号の送出によりITVカ
メラ4の撮像領域がAにセットされ、この状態にITVカ
メラ4は撮像領域Aを撮像してその映像信号を出力す
る。この映像信号はA/D変換器6によりディジタル映像
信号に変換されて撮像領域Aの分割画像データとして画
像メモリ8に一時記憶される。この分割画像データが第
4図に示すようにQaであれば、同図に示すように分割画
像データQaが論理積回路10に送られるとともにマスク発
生回路11からマスクパターン画像データDAが論理積回路
10に送られ、これにより、論理積回路10は分割画像デー
タQaとマスクパターン画像データDAとの論理積を実行し
てマスキングされた分割画像データQa′を得る。そし
て、この分割画像データQa′は画像メモリ9に記憶され
る。
以下、上記作用と同様に各撮像領域B,C,D,…,Iのマスキ
ングされた各分割画像データが得られて画像メモリ9に
記憶される。
このように各分割画像データが画像メモリ9に記憶され
ると、データ変換回路16は画像メモリ9に記憶されてい
る各分割画像データを順次読み出してそれぞれ変換テー
ブルを用いて濃淡レベルを変換して半導体ウエハ2全体
の画像データの平均濃淡レベルを均一化する。そうし
て、検査回路17はデータ変換回路16で均一化された半導
体ウエハ2全体の画像データから半導体ウエハ2の表面
状態を検査し、例えば欠陥を検出する。
この後、別種の半導体ウエハの表面検査を行う場合は、
先ずその半導体ウエハに対する変換テーブルを作成する
ことになる。
このように上記一実施例においては、各分割画像データ
における半導体ウエハ2以外をマスキングし、これらマ
スキングされた各分割画像データのマスキングされない
部分の平均濃淡レベルを求めて半導体ウエハ2全体の画
像データの平均濃淡レベルを均一化する変換テーブルを
作成し、この変換テーブルに従ってマスキングされた各
分割画像データの濃淡レベルを変換して半導体ウエハ2
全体の画像データの平均濃淡レベルを均一化して半導体
ウエハ2の表面状態を検査する構成としたので、各種の
半導体ウエハ2によって映像信号のレベルが大きく異な
ってもその濃淡レベルに応じて変換テーブルを作成でき
て半導体ウエハ2以外の部分の濃淡レベルの変動の影響
を受けずに半導体ウエハ2の表面を検査できる。従っ
て、半導体ウエハ2の表面検査の精度を高くできて信頼
性を向上できる。
なお、本発明は上記一実施例に限定されるものでなくそ
の主旨を逸脱しない範囲で変形しても良い。例えば、製
造される半導体ウエハ2の種類が変動なく予め分かると
ともに外乱が無く安定していれば、各種半導体ウエハ2
に応じた変換テーブルを予め作成しておき、検査時に各
種半導体ウエハ2に応じた変換テーブルを変換テーブル
メモリに外部からロードするようにしても良い。これに
より、ITVカメラ4からの映像入力は1回で済む。又、I
TVカメラ4で各撮像領域A,B,…,Iを撮像する場合、ITV
カメラ4を移動して撮像するようにしてもよい。又、平
均濃淡レベルを均一化する変換テーブルのルールは撮像
領域Eの平均濃淡レベルに合わせることに限定されず、
検査に適した濃淡レベルに均一化するものであればよ
い。
[発明の効果] 以上詳記したように本発明によれば、被検査体以外にお
ける映像信号の影響を受けずに安定して被検査体の表面
検査ができる表面検査装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係わる表面検査装置の一実施例を示す
構成図、第2図は同装置での各撮像領域を示す図、第3
図は同装置の各マスクパターン画像データの模式図、第
4図は同装置でのマスキング作用を示す図である。 1……XYテーブル、2……半導体ウエハ、3……照明装
置、4……ITVカメラ、5……制御回路、6……A/D変換
器、7……マスキング部、8,9……画像メモリ、10……
論理積回路、11……マスク発生回路、12……変換テーブ
ル作成部、13……平均レベル算出回路、14……変換テー
ブル生成回路、15……変換テーブルメモリ、16……デー
タ変換回路、17……検査回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】撮像装置と、この撮像装置の撮像により得
    られる被検査体を複数の領域に分割した各分割画像デー
    タにおける前記被検査体部分以外をそれぞれマスキング
    するマスキング手段と、このマスキング手段でマスキン
    グされた各分割画像データにおけるマスキングされない
    部分の平均濃淡レベルを求めて前記各分割画像データを
    合わせて作成される前記被検査体全体の画像データの平
    均濃淡レベルを均一化する変換テーブルを作成する変換
    テーブル作成手段と、前記マスキング手段でマスキング
    された各分割画像データの濃淡レベルを前記変換テーブ
    ルを用いて変換して前記被検査体全体の画像データの平
    均濃淡レベルを均一化する均一化手段と、この均一化手
    段で均一化された前記被検査体全体の画像データから前
    記被検査体の表面状態を検査する検査手段とを具備した
    ことを特徴とする表面検査装置。
JP1210845A 1989-08-16 1989-08-16 表面検査装置 Expired - Lifetime JPH0713993B2 (ja)

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JP1210845A JPH0713993B2 (ja) 1989-08-16 1989-08-16 表面検査装置

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JPH0374854A JPH0374854A (ja) 1991-03-29
JPH0713993B2 true JPH0713993B2 (ja) 1995-02-15

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US20110304527A1 (en) * 2007-09-14 2011-12-15 Sean Wu Computer-implemented methods, carrier media, and systems for displaying an image of at least a portion of a wafer
JP2015148447A (ja) * 2014-02-04 2015-08-20 東レエンジニアリング株式会社 自動外観検査装置

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JPH0374854A (ja) 1991-03-29

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