JPH07131056A - Optical detector - Google Patents
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- JPH07131056A JPH07131056A JP5296046A JP29604693A JPH07131056A JP H07131056 A JPH07131056 A JP H07131056A JP 5296046 A JP5296046 A JP 5296046A JP 29604693 A JP29604693 A JP 29604693A JP H07131056 A JPH07131056 A JP H07131056A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 19
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 abstract 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光計測、光情
報処理などに用いられる光検出器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photodetector used for optical communication, optical measurement, optical information processing and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、図５に示すように、ＨＥＭＴ（Hi
gh Electron Mobility Transistor ）型の光検出器は、
まず半絶縁性のＧａＡｓ基板１０１の上にノンドープの
ＧａＡｓ１０２を１μｍの厚みに積層し、その上に、ノ
ンドープのＡｌＧａＡｓ１０３を１５００オングストロ
ーム、吸収層であり電子走行層でもあるノンドープのＧ
ａＡｓ１０４を５００オングストローム、電子供給層で
あるｎ−ＡｌＧａＡｓ１０５を４５０オングストロー
ム、コンタクト層であるｎ+−ＧａＡｓ１０６を９００
オングストローム、夫々、順次積層する。更にコンタク
ト層１０６の上に、電流の出し入れ及びバイアス電界の
印加を行うためのソース電極１０７、ゲート電極１０
８、ドレイン電極１０９を夫々設ける。2. Description of the Related Art Conventionally, as shown in FIG.
gh Electron Mobility Transistor) type photodetector
First, a non-doped GaAs 102 having a thickness of 1 μm is laminated on a semi-insulating GaAs substrate 101, and a non-doped AlGaAs 103 having a thickness of 1500 angstrom is formed on the semi-insulating GaAs substrate 101.
aAs104 is 500 angstroms, electron supply layer n-AlGaAs105 is 450 angstroms, contact layer n + -GaAs106 is 900 angstroms.
Angstroms are stacked one after another. Further, on the contact layer 106, a source electrode 107 and a gate electrode 10 for conducting current in and out and applying a bias electric field.
8 and the drain electrode 109 are provided respectively.
【０００３】このようにして作製された従来のＨＥＭＴ
型光検出器に、適当なゲート電圧及びドレイン電圧を印
加し、デバイス上面から光を照射することにより、ソー
ス電極１０７とドレイン電極１０９との間に光電流が流
れ、光の検出を行うことができる。この種の従来例は、
例えば、T.Umeda et.al.,Jpn.J.Appl.Phys.25,L801,(19
86)に記載されている。また、高速のＨＥＭＴ型光検出
器に関する報告事例として、C.Y.Chen et.al.,Appl.Ph
y.Lett.42,1040,(1983）が知られている。A conventional HEMT manufactured in this way
By applying an appropriate gate voltage and drain voltage to the photodetector and irradiating light from the upper surface of the device, a photocurrent flows between the source electrode 107 and the drain electrode 109 to detect light. it can. A conventional example of this kind is
For example, T.Umeda et.al., Jpn.J.Appl.Phys. 25 , L801, (19
86). In addition, CYChen et.al., Appl.Ph, as a report case on a high-speed HEMT type photodetector
y. Lett. 42 , 1040, (1983) is known.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のＨＥＭ
Ｔ型光検出器においては、電子はへテロ界面のビルトイ
ン・ポテンシャル、及びソース電極１０７とドレイン電
極１０９との間に印加された電界により高速で検出され
るが、ホールの振る舞いは不明確であるという問題があ
った。図６に示すように、ホール１１７は基板方向へ流
れてはき出されることがなく、バッファ層１０２や基板
１０１に蓄積されて、光検出器の応答波形が、すそ引き
となってしまう原因をなすといった問題が生じるのであ
る。また、電荷の蓄積により基板１０１側の電位が変化
し、素子特性が不安定となるといった問題もあった。However, the above HEM
In the T-type photodetector, electrons are detected at high speed by the built-in potential of the hetero interface and the electric field applied between the source electrode 107 and the drain electrode 109, but the behavior of holes is unclear. There was a problem. As shown in FIG. 6, the hole 117 does not flow out toward the substrate and is not ejected, but is accumulated in the buffer layer 102 and the substrate 101, which causes the response waveform of the photodetector to be trailing. There will be problems. There is also a problem that the electric potential on the substrate 101 side changes due to the accumulation of electric charges and the device characteristics become unstable.
【０００５】そこで本発明の目的は、時間応答特性、光
電流特性及び素子特性に優れた光検出器を提供すること
にある。Therefore, an object of the present invention is to provide a photodetector excellent in time response characteristics, photocurrent characteristics and device characteristics.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の要旨は、ＨＥＭＴ型光検出器において、吸収層及び
吸収層以外の領域で生成されたホールをはきだす構成を
備えたことを特徴とする光検出器にあり、また、記吸収
層の下層にＰ層が形成され、且つ該Ｐ層にホールはきだ
し用オーミック電極が設けられたことを特徴とする光検
出器にあり、また、Ｐ基板及びＰバッファの上に作製さ
れ、且つ該基板裏面にはオーミック電極が設けられたこ
とを特徴とする光検出器にある。Means for Solving the Problems The gist of the present invention for achieving the above object is characterized in that a HEMT type photodetector is provided with a structure for ejecting holes generated in an absorption layer and a region other than the absorption layer. And a P layer is formed below the absorption layer, and an ohmic electrode for ejecting holes is provided in the P layer, and a P substrate is also provided. And an ohmic electrode formed on the P buffer and provided on the back surface of the substrate.
【０００７】[0007]
【作用】上記構成の本発明によれば、例えば、吸収層の
下層にＰ層が形成され且つＰ層にホールはきだし用オー
ミック電極が設けられているので、また、Ｐ基板及びＰ
バッファの上に作製され且つ基板裏面にはオーミック電
極が設けられているので、吸収層及び吸収層以外の領域
で生成されたホールをはきだす。According to the present invention having the above-described structure, for example, since the P layer is formed under the absorption layer and the ohmic electrode for ejecting holes is provided in the P layer, the P substrate and the P substrate are also provided.
Since the ohmic electrode is formed on the buffer and provided on the back surface of the substrate, holes generated in the absorption layer and the region other than the absorption layer are exposed.
【０００８】[0008]
【実施例】以下に本発明の実施例について図面と共に説
明する。図１は第１実施例の光検出器を表す断面図、図
２はエネルギーバンドの説明図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing the photodetector of the first embodiment, and FIG. 2 is an explanatory view of energy bands.
【０００９】図示するように光検出器は、半絶縁性のＳ
Ｉ−ＧａＡｓ基板１の上に、まずホールはき出し層とし
て、ドーピング濃度１×１０18ｃｍ-3のＰ+−ＧａＡｓ
層２を１μｍだけ積層し、その上に吸収層として、ノン
ドープＧａＡｓ層３を１μｍだけ積層し、更に電子供給
層として、ドーピング濃度１×１０18ｃｍ-3のＡｌxＧ
ａ1-xＡｓ（x =０．３）層５を０．１μｍだけ積層する
ことで、作製されている。本実施例の構成を実現するた
めの結晶成長方法として、周知のＭＢＥ法、ＭＯＣＶＤ
法などが採用できる。As shown, the photodetector is a semi-insulating S
On the I-GaAs substrate 1, first, as a hole-exposed layer, P + -GaAs with a doping concentration of 1 × 10 18 cm −3 was used.
The layer 2 is laminated by 1 μm, the non-doped GaAs layer 3 is laminated by 1 μm as an absorption layer thereon, and the electron supply layer is further formed by Al x G with a doping concentration of 1 × 10 18 cm −3.
It is produced by laminating the a 1-x As (x = 0.3) layer 5 by 0.1 μm. As a crystal growth method for realizing the structure of this embodiment, the well-known MBE method and MOCVD method are used.
The law etc. can be adopted.
【００１０】受光部以外の領域は、ｎ−ＡｌＧａＡｓ
５、φ−ＧａＡｓ層３をエッチングし、受光部表面には
保護及び反射防止のために、窒化シリコン１０を１００
０オングストロームだけ成膜する。ｎ−ＡｌＧａＡｓ層
５の上には、ソース電極６及びドレイン電極８として、
ＡｕＧｅ／Ａｕ或いはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕなどを用い
てオーミック電極を夫々設ける。ゲート電極７として
は、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ或いはＡｌなどを用いてショット
キー電極を設ける。なお、光検出器の素子サイズは、ゲ
ート長は４μｍ、ゲート幅は１０μｍ、ソース・ゲート
間隔は１μｍ、ゲート・ドレイン間隔は５μｍとした。
また、ホールはき出し層であるＰ+−ＧａＡｓ層２の上
に、Ｃｒ／Ａｕを用いてオーミック電極９を設ける。The region other than the light receiving portion is n-AlGaAs.
5. The φ-GaAs layer 3 is etched, and the surface of the light receiving portion is covered with 100 nm of silicon nitride 10 for protection and reflection prevention.
Only 0 angstrom is deposited. On the n-AlGaAs layer 5, as a source electrode 6 and a drain electrode 8,
Ohmic electrodes are provided by using AuGe / Au or AuGe / Ni / Au, respectively. As the gate electrode 7, a Schottky electrode is provided using Ti / Pt / Au or Al. The element size of the photodetector was such that the gate length was 4 μm, the gate width was 10 μm, the source-gate interval was 1 μm, and the gate-drain interval was 5 μm.
In addition, the ohmic electrode 9 is formed by using Cr / Au on the P + -GaAs layer 2 which is the exposed layer.
【００１１】次に、図２に示したエネルギーバンドを参
照しながら、光検出器の動作について説明する。ドレイ
ン電極８には、ソース電極６に対して正である電界ＶD
を、ゲート電極７には、ソース電極６に対して負の電界
ＶG を、ホールはき出し用電極９には、ソース電極６に
対して負である電界ＶH を、夫々印加する。このときの
エネルギーバンドは図２のようになり、ｎ−ＡｌＧａＡ
ｓ層５とφ−ＧａＡｓ層３との間のへテロ界面２９で
は、ＡｌＧａＡｓ層５からＧａＡｓ層３に電子２５が移
り、逆三角形のポテンシャル井戸の中にたまり、２次元
電子ガス４を形成する。ゲート電界ＶG により２次元電
子ガス４の濃度が変化し、ソース・ドレイン間の電界Ｖ
D により電流が流れる。Next, the operation of the photodetector will be described with reference to the energy bands shown in FIG. The drain electrode 8 has an electric field VD that is positive with respect to the source electrode 6.
A negative electric field VG with respect to the source electrode 6 is applied to the gate electrode 7, and a negative electric field VH with respect to the source electrode 6 is applied to the hole ejection electrode 9. The energy band at this time is as shown in FIG. 2, and n-AlGaA
At the hetero interface 29 between the s layer 5 and the φ-GaAs layer 3, the electrons 25 move from the AlGaAs layer 5 to the GaAs layer 3 and accumulate in the inverted triangular potential well to form the two-dimensional electron gas 4. . The concentration of the two-dimensional electron gas 4 is changed by the gate electric field VG, and the electric field V between the source and drain is changed.
Current flows due to D.
【００１２】光検出器の素子上面から、波長８３０ｎｍ
のレーザ光１１をゲート電極７とドレイン電極８との間
に照射する。光は電子供給層でありウィンドウ層の働き
もするｎ−ＡｌＧａＡｓ５を透過し、吸収層であるφ−
ＧａＡｓ層３で吸収される。すると、ここで電子２５−
正孔２６の対が発生し、光が検出される。電子２５は、
へテロ界面２９へ流れドレイン電極８から速やかにはき
出される。From the upper surface of the photodetector element, a wavelength of 830 nm
The laser light 11 is irradiated between the gate electrode 7 and the drain electrode 8. The light passes through n-AlGaAs 5 which is an electron supply layer and also functions as a window layer, and φ-which is an absorption layer.
It is absorbed by the GaAs layer 3. Then electronic 25-
A pair of holes 26 is generated and light is detected. Electron 25
It flows to the hetero interface 29 and is quickly ejected from the drain electrode 8.
【００１３】一方、正孔２６は移動度が電子２５に比較
して一桁近く遅い上に、従来のＨＥＭＴの構造では、正
孔については考慮されていないので、バッファ層２や基
板１中を拡散する。その結果、応答性を低下させる。ま
た、ホールが蓄積することにより、空間電荷が発生し、
デバイス特性が不安定となる。しかし、本実施例では、
バッファ層２をＰ型にし、ホールはき出し層として、こ
のはき出し層２にホールはきだし用電極９を設けること
により、吸収層３やバッファ層２の中を拡散するホール
２６をはきだすことができる。従って、時間応答性が向
上する。また同時に、ホール２６による電界も発生しな
いので、デバイスの電位が安定して特性が安定する。ま
た、吸収層３において、電子の閉じ込めが良好となり光
電流特性が向上する。On the other hand, the hole 26 has a mobility slower than that of the electron 25 by almost one digit, and the hole is not taken into consideration in the structure of the conventional HEMT. Spread. As a result, the responsiveness is reduced. In addition, space charge is generated by the accumulation of holes,
Device characteristics become unstable. However, in this embodiment,
By making the buffer layer 2 a P-type and providing a hole ejection layer and providing the hole ejection electrode 9 on the ejection layer 2, the holes 26 diffusing in the absorption layer 3 and the buffer layer 2 can be ejected. Therefore, the time response is improved. At the same time, no electric field is generated by the holes 26, so that the potential of the device is stable and the characteristics are stable. Further, in the absorption layer 3, the electron confinement becomes good and the photocurrent characteristic is improved.
【００１４】続いて、本発明の第２実施例について図面
と共に詳細に説明する。図３は実施例の光検出器を表す
断面図、図４はエネルギーバンドの説明図である。Next, a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 3 is a sectional view showing the photodetector of the embodiment, and FIG. 4 is an explanatory diagram of energy bands.
【００１５】図示するように光検出器は、Ｐ+−ＧａＡ
ｓ基板３１の上に、ドーピング濃度が１×１０18ｃｍ-3
のＰ+−ＧａＡｓ層３２を１μｍ、吸収層としてノンド
ープのＧａＡｓ層３３を１μｍ、電子供給層としてドー
ピング濃度が１×１０18ｃｍ-3のＡｌxＧａ1-xＡｓ（x
=０．３）層３５を０．１μｍ、夫々、順次積層するこ
とで、作製されている。本実施例の構成を実現するため
の結晶成長方法として、周知のＭＢＥ法、ＭＯＣＶＤ法
などが採用できる。As shown, the photodetector is P + -GaA.
The doping concentration is 1 × 10 18 cm −3 on the s substrate 31.
P + -GaAs layer 32 of 1 μm, an undoped GaAs layer 33 of 1 μm as an absorption layer, and an Al x Ga 1-x As (x of the doping concentration of 1 × 10 18 cm −3 as an electron supply layer.
= 0.3) layers 35, each having a thickness of 0.1 μm, are sequentially laminated. The well-known MBE method, MOCVD method or the like can be adopted as a crystal growth method for realizing the configuration of the present embodiment.
【００１６】第１実施例と同様に、受光部を作製し、裏
面をラッピングして光検出器の素子厚みを１００〜１５
０μｍとし、Ｃｒ／Ａｕを用いてオーミック電極（以
下、裏面電極という）３９を設ける。第１実施例と同様
に、ドレイン電極３８には、ソース電極３６に対して正
である電界ＶD を、ゲート電極３７には、ソース電極３
６に対して負である電界ＶG を、裏面電極３９には、ソ
ース電極３６に対して負である電界ＶH を、夫々印加す
る。このような電界の印加状態において、光検出器の素
子上面から、波長８３０ｎｍのレーザ光４１をゲート電
極３７とドレイン電極３８との間に照射する。このと
き、光検出器は、第１実施例と同様に光を検出すること
ができる。Similar to the first embodiment, a light receiving portion is formed and the back surface is lapped so that the element thickness of the photodetector is 100 to 15.
An ohmic electrode (hereinafter referred to as a back surface electrode) 39 is provided by using Cr / Au with a thickness of 0 μm. Similar to the first embodiment, the drain electrode 38 is provided with an electric field VD that is positive with respect to the source electrode 36, and the gate electrode 37 is provided with the source electrode 3.
An electric field VG that is negative with respect to 6 and an electric field VH that is negative with respect to the source electrode 36 are applied to the back surface electrode 39, respectively. In such an applied state of the electric field, laser light 41 having a wavelength of 830 nm is irradiated between the gate electrode 37 and the drain electrode 38 from the upper surface of the photodetector element. At this time, the photodetector can detect light as in the first embodiment.
【００１７】図４にエネルギーバンドを示す。以上詳述
したように本実施例では、基板３１の側をＰ型にし裏面
電極３９を設け、電界ＶH を印加することにより、図４
に示すように、バッファ層３２や基板３１の中を拡散す
るホール４６をはき出すことができる。更に、基板裏面
に電極３９が設けられているために、基板３１で発生し
たホール４６及び基板３１を拡散、蓄積したホール４６
をはき出すことができる。従って、時間応答性が向上す
る。また同時に、ホール４６による電界も発生しないの
で、光検出器の電位が安定し特性が向上する。また、吸
収層３３において、電子の閉じ込めが良好になるので、
光電流特性が向上する。FIG. 4 shows the energy band. As described above in detail, in this embodiment, the substrate 31 side is P-type, the back electrode 39 is provided, and the electric field VH is applied, so that the structure shown in FIG.
As shown in, holes 46 that diffuse in the buffer layer 32 and the substrate 31 can be exposed. Further, since the electrode 39 is provided on the back surface of the substrate, the holes 46 generated in the substrate 31 and the holes 46 diffused and accumulated in the substrate 31 are formed.
Can be blown out. Therefore, the time response is improved. At the same time, since no electric field is generated by the holes 46, the potential of the photodetector is stabilized and the characteristics are improved. In addition, since the electron confinement is improved in the absorption layer 33,
Photocurrent characteristics are improved.
【００１８】第２実施例を第１実施例と比べると、ホー
ルをより速やか且つより完全にはき出せるが、他のデバ
イスとの集積化の事を考えると第１実施例の方が適して
いる。Compared to the first embodiment, the holes can be ejected more quickly and more completely than the first embodiment. However, considering the integration with other devices, the first embodiment is more suitable. There is.
【００１９】上記実施例は、例えば、光ＬＡＮシステム
などの光通信システムにおいて、ノード装置中の受信部
に備えられて、受信を行う。In the above embodiment, for example, in an optical communication system such as an optical LAN system, a receiving unit in a node device is provided to perform reception.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、例
えば、吸収層の下層にＰ層が形成され且つＰ層にホール
はきだし用オーミック電極が設けられているので、また
Ｐ型基板及びＰバッファの上に作製され且つ基板裏面に
はオーミック電極が設けられているので、吸収層及び吸
収層以外の領域で生成されたホールをはき出す。As described in detail above, according to the present invention, for example, since the P layer is formed under the absorption layer and the hole-exposing ohmic electrode is provided in the P layer, the P-type substrate and Since the ohmic electrode is formed on the P buffer and the back surface of the substrate is provided, holes generated in the absorption layer and the region other than the absorption layer are exposed.
【００２１】それゆえ、ホールによる時間遅れがなくな
り、時間応答特性が向上すると共に、ホールの蓄積によ
る電界も発生しないのでデバイス電位が安定し光電流特
性が安定する。また、吸収層において、キャリアの閉じ
込めが良好となるので、光電流特性が向上する。Therefore, the time delay due to holes is eliminated, the time response characteristics are improved, and the electric field due to the accumulation of holes is not generated, so that the device potential is stabilized and the photocurrent characteristics are stabilized. Further, since the carriers are well confined in the absorption layer, the photocurrent characteristics are improved.
【図１】第１実施例の光検出器の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a photodetector of a first embodiment.
【図２】第１実施例のエネルギーバンドの説明図であ
る。FIG. 2 is an explanatory diagram of energy bands according to the first embodiment.
【図３】第２実施例の光検出器の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a photodetector of a second embodiment.
【図４】第２実施例のエネルギーバンドの説明図であ
る。FIG. 4 is an explanatory diagram of energy bands according to a second embodiment.
【図５】従来例の断面概略図である。FIG. 5 is a schematic sectional view of a conventional example.
【図６】従来例のエネルギーバンドの説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of an energy band of a conventional example.
１，３１・・・ＳＩ−ＧａＡｓ基板 ２，３２・・・Ｐ+−ＧａＡｓ層 ３，３３・・・φ−ＧａＡｓ層 ４，３４・・・２次元電子ガス ５，３５・・・ｎ−ＡｌＧａＡｓ ６，３６・・・ソース電極 ７，３７・・・ゲート電極 ８，３８・・・ドレイン電極 ９，３９・・・ホールはき出し用電極 １０，４０・・・窒化シリコン ２５，４５・・・電子 ２６，４６・・・ホール ２７，４７・・・２次元電子ガス ２９，４９・・・へテロ界面1, 31 ... SI-GaAs substrate 2, 32 ... P + -GaAs layer 3, 33 ... φ-GaAs layer 4, 34 ... Two-dimensional electron gas 5, 35 ... n-AlGaAs 6, 36 ... Source electrode 7, 37 ... Gate electrode 8, 38 ... Drain electrode 9, 39 ... Hole ejection electrode 10, 40 ... Silicon nitride 25, 45 ... Electron 26 , 46 ・ ・ ・ Hall 27,47 ・ ・ ・ Two-dimensional electron gas 29,49 ・ ・ ・ Hetero interface
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/812 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 29/812
Claims (3)
び吸収層以外の領域で生成されたホールをはきだす手段
を備えたことを特徴とする光検出器。1. The HEMT type photodetector, which is provided with means for ejecting holes generated in the absorption layer and a region other than the absorption layer.
つ該Ｐ層にホールはきだし用オーミック電極が設けられ
たことを特徴とする請求項１記載の光検出器。2. The photodetector according to claim 1, wherein a P layer is formed below the absorption layer, and an ohmic electrode for exposing holes is provided in the P layer.
且つ該基板裏面にはオーミック電極が設けられたことを
特徴とする請求項１記載の光検出器。3. Fabricated on P substrate and P buffer,
The photodetector according to claim 1, wherein an ohmic electrode is provided on the back surface of the substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5296046A JPH07131056A (en) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | Optical detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5296046A JPH07131056A (en) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | Optical detector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131056A true JPH07131056A (en) | 1995-05-19 |
Family
ID=17828404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5296046A Pending JPH07131056A (en) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | Optical detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07131056A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6476431B1 (en) | 1998-11-11 | 2002-11-05 | Nec Corporation | Field effect transistor with barrier layer to prevent avalanche breakdown current from reaching gate and method for manufacturing the same |
| JP2012033773A (en) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Semiconductor element and semiconductor device |
-
1993
- 1993-11-01 JP JP5296046A patent/JPH07131056A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6476431B1 (en) | 1998-11-11 | 2002-11-05 | Nec Corporation | Field effect transistor with barrier layer to prevent avalanche breakdown current from reaching gate and method for manufacturing the same |
| JP2012033773A (en) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Semiconductor element and semiconductor device |
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