JPH07120403A - Defect inspection method and device therefor - Google Patents
Defect inspection method and device thereforInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子等を
製造するための露光工程で用いられるマスク又はレチク
ル(以下、まとめて「レチクル」と呼ぶ)の表面や、レ
チクルの表面に所定間隔を開けて張設されたペリクル
(防塵膜)の表面上に付着した異物等の欠陥を検出する
際に適用して好適な欠陥検査方法及び装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention provides a surface of a mask or reticle (collectively referred to as a "reticle" hereinafter) used in an exposure process for manufacturing a semiconductor device or the like, or a predetermined interval on the surface of the reticle. The present invention relates to a defect inspection method and apparatus suitable for application when detecting a defect such as a foreign substance attached on the surface of a pellicle (dustproof film) that is opened and stretched.
【0002】[0002]
【従来の技術】例えば半導体素子等をフォトリソグラフ
ィ技術を用いて製造する際に使用される露光用のレチク
ルの表面に異物等の欠陥があると、製造された半導体素
子等の歩留まりが低下してしまう。それを避けるため、
従来より欠陥検査装置を用いて露光前にレチクル表面の
欠陥の状態を検査している。また、レチクルのパターン
形成面及びその裏面に直接異物が付着するのを防止する
ため、レチクルにはペリクルと呼ばれる防塵膜が張設さ
れている場合がある。斯かるペリクルは、感光性の基板
(ウエハ等)の露光面と共役なレチクルのパターン形成
面からデフォーカスした状態にあるため、同一の大きさ
の異物であれば、レチクルに直接付着した場合よりペリ
クルに付着した場合の方が影響が小さい。2. Description of the Related Art For example, if a surface of an exposure reticle used for manufacturing a semiconductor device or the like using a photolithography technique has a defect such as a foreign substance, the yield of the manufactured semiconductor device or the like decreases. I will end up. To avoid it
Conventionally, a defect inspection apparatus is used to inspect the state of defects on the reticle surface before exposure. Further, in order to prevent foreign matter from directly adhering to the pattern forming surface and the back surface of the reticle, a dustproof film called a pellicle may be stretched over the reticle. Since such a pellicle is in a defocused state from the reticle pattern forming surface which is conjugate with the exposure surface of the photosensitive substrate (wafer, etc.), if foreign matter of the same size is directly attached to the reticle. When attached to the pellicle, the effect is smaller.
【0003】しかしながら、所定の限度を超えるとペリ
クルに付着した異物でも露光結果に影響を及ぼすように
なるため、ペリクルの表面及び裏面(レチクル側の面)
についても、欠陥検査装置により異物等の欠陥の状態が
検査される。以下では、欠陥検査の対象としてレチクル
を使用するが、これにはペリクルが張設されたレチクル
も含まれるものとして説明する。However, if the predetermined limit is exceeded, even foreign matter attached to the pellicle will affect the exposure result, so the front and back surfaces of the pellicle (reticle side surface).
Also, the defect inspection apparatus inspects the state of defects such as foreign matter. In the following, a reticle is used as a target for defect inspection, but it is assumed that this also includes a reticle in which a pellicle is stretched.
【0004】図6は従来の欠陥検査装置の一例を示し、
この図6において、レチクル1がステージ2上に載置さ
れ、ステージ2は駆動部3によりY方向に移動自在に構
成されている。ステージ2のY方向への移動量は、リニ
アエンコーダ等の測長装置4により常時計測され、測長
装置4の測長値を示す位置信号S1が信号処理回路5に
供給されている。一方、不図示の光源(例えばレーザ光
源等)から射出された光ビームL1が、駆動部7により
振動するガルバノスキャナー6(又はポリゴンスキャナ
ー等)により反射偏向された後、走査レンズ8によりレ
チクル1上に収束する光ビームL2となって、レチクル
1上のX方向にほぼ平行な走査線10上をX方向に走査
する。光ビームL2をX方向に走査し、その走査速度よ
り遅い速度でレチクル1を駆動部3によりY方向に移動
させることにより、レチクル1の全面の光ビーム走査を
行うことができる。FIG. 6 shows an example of a conventional defect inspection apparatus,
In FIG. 6, the reticle 1 is placed on the stage 2, and the stage 2 is configured to be movable in the Y direction by the drive unit 3. The amount of movement of the stage 2 in the Y direction is constantly measured by the length measuring device 4 such as a linear encoder, and the position signal S1 indicating the length measured value of the length measuring device 4 is supplied to the signal processing circuit 5. On the other hand, a light beam L1 emitted from a light source (not shown) (for example, a laser light source) is reflected and deflected by a galvano scanner 6 (or a polygon scanner, etc.) vibrating by a driving unit 7, and then is scanned by a scanning lens 8 on the reticle 1. The light beam L2 converges on the scanning line 10 which is substantially parallel to the X direction on the reticle 1 and is scanned in the X direction. By scanning the light beam L2 in the X direction and moving the reticle 1 in the Y direction by the driving unit 3 at a speed slower than the scanning speed, the light beam scanning of the entire surface of the reticle 1 can be performed.
【0005】仮に、レチクル1の表面上に異物11等の
欠陥が存在している場合は、光ビームL2により異物1
1から散乱光L3が発生する。散乱光L3は受光レンズ
12によりフォトマルチプライア等の光電検出器13の
受光面に集光され、集光された光を光電検出器13内で
光電変換して得られた検出信号Vが信号処理回路5に供
給される。信号処理回路5にはガルバノスキャナー6用
の駆動部7に供給されている偏向角信号S2も供給さ
れ、信号処理回路5は、検出信号Vより異物11の存在
を判別することができる。これと並行して、信号処理回
路5は、検出信号V中に異物11を示す信号が得られた
ときの測長装置4の位置信号S1とガルバノスキャナー
6の駆動部7用の偏向角信号S2とに基づいて、異物1
1の存在位置を認識することができる。即ち、偏向角信
号S2から異物11のX座標が、位置信号S1から異物
11のY座標が分かる。If there is a defect such as a foreign substance 11 on the surface of the reticle 1, the foreign substance 1 is removed by the light beam L2.
The scattered light L3 is generated from 1. The scattered light L3 is condensed by the light receiving lens 12 on the light receiving surface of the photoelectric detector 13 such as a photomultiplier, and the detection signal V obtained by photoelectrically converting the condensed light in the photoelectric detector 13 is processed. It is supplied to the circuit 5. The signal processing circuit 5 is also supplied with the deflection angle signal S2 supplied to the drive unit 7 for the galvano scanner 6, and the signal processing circuit 5 can determine the presence of the foreign matter 11 from the detection signal V. In parallel with this, the signal processing circuit 5 receives the position signal S1 of the length measuring device 4 and the deflection angle signal S2 for the drive unit 7 of the galvano scanner 6 when a signal indicating the foreign matter 11 is obtained in the detection signal V. Based on and
The existence position of 1 can be recognized. That is, the X coordinate of the foreign matter 11 can be known from the deflection angle signal S2, and the Y coordinate of the foreign matter 11 can be known from the position signal S1.
【0006】また、異物が大きいほど散乱光L3の光量
も大きくなることから、光電検出器13の検出信号Vの
大小は異物の大きさの大小を示している。そこで、信号
処理回路5は、CRTディスプレイ14に異物の付着座
標(X,Y)と異物の大きさとを、例えばテーブル
(表)として表示することができる。あるいは、レチク
ル1を光ビームで走査しているのと同時に検出した異物
の座標(X,Y)と大きさとをCRTディスプレイ14
の表示画面上に2次元マップとして表示することも可能
である。また、検出した異物の位置(X,Y)と大きさ
(検出信号Vの値)とを信号処理回路5内のメモリ等の
記憶部に格納した後、検査終了後にその記憶部からそれ
ら位置及び大きさを読出して、CRTディスプレイ14
上に2次元マップ又はテーブルとして表示したり、又は
不図示のプリンターにてプリントアウトしたりすること
も可能である。Since the amount of scattered light L3 increases as the size of the foreign matter increases, the magnitude of the detection signal V of the photoelectric detector 13 indicates the size of the foreign matter. Therefore, the signal processing circuit 5 can display the adhered coordinates (X, Y) of the foreign matter and the size of the foreign matter on the CRT display 14 as, for example, a table. Alternatively, the CRT display 14 displays the coordinates (X, Y) and the size of the foreign matter detected while scanning the reticle 1 with the light beam.
It is also possible to display it as a two-dimensional map on the display screen. Further, after storing the detected position (X, Y) and size (value of the detection signal V) of the foreign matter in a storage unit such as a memory in the signal processing circuit 5, after the inspection is finished, those positions and The size is read and the CRT display 14
It is also possible to display it as a two-dimensional map or table on the top, or to print it out by a printer (not shown).
【0007】図7は、CRTディスプレイ14上のマッ
プ表示例を示し、この表示例では、図6のレチクル1の
表面を多数の小さな矩形領域(以下、「セル」と呼ぶ)
に分割し、図7の表示画面上の矩形のウインドゥ17内
にレチクル1の表面全体の異物情報をセル単位で表示し
ている。即ち、図6に示すように、レチクル1の表面を
X方向及びY方向にそれぞれ所定ピッチで区切ることに
より、レチクル1の表面を1mm角又は5mm角等の多
数の小さいセルC(1,1)、C(1,2)、C(1,
3)、…に分割する。そして、図7の表示画面上のウィ
ンドウ17を図6のレチクル1上のセルに1:1に対応
させて表示セルP(1,1)、P(1,2)、P(1,
3)、…に分割し、各表示セル毎に異物等の欠陥を示す
符号A,B,Cを表示している。FIG. 7 shows a map display example on the CRT display 14. In this display example, the surface of the reticle 1 of FIG. 6 is provided with a large number of small rectangular areas (hereinafter referred to as “cells”).
The foreign substance information of the entire surface of the reticle 1 is displayed in cell units in a rectangular window 17 on the display screen of FIG. That is, as shown in FIG. 6, by dividing the surface of the reticle 1 in the X direction and the Y direction at a predetermined pitch, the surface of the reticle 1 is divided into a large number of small cells C (1, 1) such as 1 mm square or 5 mm square. , C (1, 2), C (1,
3), ... Then, the windows 17 on the display screen of FIG. 7 are made to correspond to the cells on the reticle 1 of FIG. 6 in a 1: 1 relationship, and display cells P (1,1), P (1,2), P (1,
3), ..., And the symbols A, B, and C indicating defects such as foreign matter are displayed for each display cell.
【0008】この場合、図6のX方向及びY方向がそれ
ぞれ図7のX1方向及びY1方向に対応し、欠陥を検出
した座標(X,Y)が属するセルC(i,j)に対応す
る表示セルP(i,j)に、検出信号Vの信号強度に応
じて符号A,B,Cのようにランク分けして欠陥の表示
が行われる。符号A,B,Cは欠陥の大きさを表すラン
クであり、例えば、検出信号Vが小さい場合は、小さい
欠陥を示すAランクの表示を行い、検出信号Vが大きい
場合は、大きい欠陥を示すCランクの表示を行う。In this case, the X direction and the Y direction in FIG. 6 correspond to the X1 direction and the Y1 direction in FIG. 7, respectively, and correspond to the cell C (i, j) to which the coordinate (X, Y) in which the defect is detected belongs. Defects are displayed in the display cells P (i, j) by ranking them as indicated by symbols A, B, and C according to the signal intensity of the detection signal V. Reference numerals A, B, and C are ranks indicating the sizes of defects. For example, when the detection signal V is small, the A rank indicating a small defect is displayed, and when the detection signal V is large, a large defect is displayed. The C rank is displayed.
【0009】勿論、検出信号Vの値をそのまま検出した
セルに当てはめて表示することも可能であるが、煩雑で
あるためランク分けないし色分け表示の方が見やすい。Of course, it is possible to apply the value of the detection signal V to the detected cell as it is, but it is complicated, so that it is easier to see the rank or color display.
【0010】また、欠陥検査装置には、欠陥の観察がで
きるように図6の観察部15を設けることが多い。図6
において、観察部15はスライダ16にX方向に摺動自
在に取り付けられている。観察手法としては、観察部1
5としての光学顕微鏡によりレチクル1の表面の欠陥部
を観察する目視観察、又は、観察部15の中間像を2次
元撮像素子(CCD等)で撮像し、撮像された画像をT
Vモニターに表示する画像観察等がある。一般に、レチ
クル1の表面に所定の大きさの異物が付着している場合
でも、その付着位置がクロム膜等が被着された遮光部で
ある場合には露光結果に対する影響は小さいが、その付
着位置が透過部である場合には露光結果に対する影響は
大きい。即ち、同一の大きさの異物がレチクル1上に付
着している場合でも、その異物の付着位置によってその
レチクル1が使用不可となったり使用可となったりす
る。そこで、光ビーム走査により検出された欠陥を観察
部15を用いて観察することにより、最終的にそのレチ
クル1が使用できるか否かが判定される。Further, the defect inspection apparatus is often provided with an observation section 15 shown in FIG. 6 so that the defect can be observed. Figure 6
In, the observation unit 15 is attached to the slider 16 slidably in the X direction. As the observation method, the observation unit 1
Visual observation of observing a defective portion on the surface of the reticle 1 by an optical microscope as 5, or an intermediate image of the observation portion 15 is picked up by a two-dimensional image pickup device (CCD or the like), and the picked-up image is T
There is an image observation displayed on the V monitor. In general, even if a foreign matter of a predetermined size is attached to the surface of the reticle 1, if the attachment position is a light-shielding portion to which a chrome film or the like is attached, the influence on the exposure result is small, but the attachment is small. When the position is the transmissive portion, the influence on the exposure result is large. That is, even if foreign matter of the same size is attached on the reticle 1, the reticle 1 may be disabled or enabled depending on the position where the foreign material is attached. Therefore, by observing the defect detected by the light beam scanning using the observation unit 15, it is finally determined whether or not the reticle 1 can be used.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来の欠
陥検査装置においては、光ビーム走査による欠陥検出と
観察部15を用いた欠陥部の観察とが行われるが、光ビ
ーム走査による欠陥検出と欠陥部の観察とは同時に行う
ことができない。その主な理由は、次の2つである。As described above, in the conventional defect inspection apparatus, the defect detection by the light beam scanning and the defect portion observation by the observation unit 15 are performed, but the defect detection by the light beam scanning is performed. And the observation of the defective portion cannot be performed at the same time. There are two main reasons for this.
【0012】欠陥検出は図6のように光ビームL2を
斜めに入射させる斜入射光方式で行われるが、観察部1
5による欠陥部の観察は、落射又は透過照明で行われる
ため、両者の光源を共通化できない。欠陥検出時は、
異物等の欠陥からの微弱な散乱光以外の光は検査の妨げ
となる。そのため、走査線10の付近に観察部15を配
置すると、斜入射ビーム(光ビームL2)又はこれによ
るレチクル1の表面からの散乱光が観察部15に当たっ
て余計な光を発生するので、観察部と欠陥検出部とは離
さざるを得ない。Defect detection is performed by an oblique incidence light system in which the light beam L2 is obliquely incident as shown in FIG.
Since the observation of the defect portion by 5 is performed by epi-illumination or transmitted illumination, it is not possible to make both light sources common. When a defect is detected,
Light other than the weak scattered light from defects such as foreign matter interferes with the inspection. Therefore, when the observation unit 15 is arranged near the scanning line 10, the oblique incident beam (light beam L2) or the scattered light from the surface of the reticle 1 due to the incident beam hits the observation unit 15 and generates extra light. It must be separated from the defect detection unit.
【0013】このように従来の欠陥検査装置において
は、欠陥検出と欠陥部の観察とを同時に行うことができ
ないと共に、光ビーム走査による欠陥検出はガルバノス
キャナー6の走査及びステージ2の移動により高速に行
われる。従って、検査時間の大部分は観察部15を用い
た欠陥観察の時間であり、検査工程の時間を短縮するた
めには、観察部15による欠陥観察を迅速に行う必要が
ある。しかしながら、従来の検査方法は、単に検出され
た欠陥を例えばレチクル1上で検出された順に観察する
のみであり、検査工程の時間短縮に対する十分な配慮が
なされていなかった。As described above, in the conventional defect inspection apparatus, the defect detection and the defect portion observation cannot be performed at the same time, and the defect detection by the light beam scanning is performed at high speed by the scanning of the galvano scanner 6 and the movement of the stage 2. Done. Therefore, most of the inspection time is the time of defect observation using the observation unit 15, and in order to shorten the time of the inspection process, it is necessary to perform defect observation by the observation unit 15 rapidly. However, the conventional inspection method merely observes the detected defects, for example, in the order in which they are detected on the reticle 1, and does not give sufficient consideration to shortening the time of the inspection process.
【0014】本発明は斯かる点に鑑み、欠陥検出と欠陥
観察とを行う欠陥検査方法において、検査時間を全体と
して短縮することを目的とする。また、本発明はそのよ
うな欠陥検査方法を実施できる欠陥検査装置を提供する
ことをも目的とする。In view of the above point, the present invention has an object of shortening the inspection time as a whole in a defect inspection method for performing defect detection and defect observation. Another object of the present invention is to provide a defect inspection apparatus capable of implementing such a defect inspection method.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明による第1の欠陥
検査方法は、被検物(1)の被検面上に検査用の光(L
2)を照射し、その被検面からのその検査用の光の散乱
光(L3)に基づいてその被検面上の欠陥を検出し、こ
の検出された欠陥を所定の倍率で観察する欠陥検査方法
において、その被検面からの検査用の光(L2)の散乱
光(L3)の光電変換信号Vに基づいてその被検面上の
欠陥の大きさを判別し、その検出された欠陥が複数個あ
る場合に、その判別結果に基づいてその検出された欠陥
を欠陥の大きい順にその所定の倍率で観察し、この観察
の結果不良箇所があったときに被検物(1)の欠陥検査
を終了するものである。A first defect inspection method according to the present invention is a method of inspecting light (L) on a surface to be inspected of an object (1).
2) is irradiated, the defect on the test surface is detected based on the scattered light (L3) of the inspection light from the test surface, and the detected defect is observed at a predetermined magnification. In the inspection method, the size of the defect on the surface to be inspected is determined based on the photoelectric conversion signal V of the scattered light (L3) of the inspection light (L2) from the surface to be inspected, and the detected defect When there are a plurality of defects, the detected defects are observed at the predetermined magnification in the descending order of the defects based on the determination result, and when there is a defective portion as a result of this observation, the defects of the object (1) are detected. The inspection is completed.
【0016】また、本発明による第2の欠陥検査方法
は、被検物(1)の被検面上に検査用の光(L2)を照
射し、その被検面からのその検査用の光の散乱光(L
3)に基づいてその被検面上の欠陥を検出し、このよう
に検出された欠陥を所定の倍率で観察する欠陥検査方法
において、その被検面を所定の大きさの複数個のセル
(C(i,j))に分割し、その被検面からのその検査
用の光の散乱光(L3)の光電変換信号Vに基づいてそ
れら複数個のセル内の最大の欠陥の大きさをそれぞれ判
別し、それら複数個のセルの内で欠陥を含むセルを、そ
の判別の結果内部の最大の欠陥の大きい順にその所定の
倍率で観察し、この観察の結果不良箇所があったときに
被検物(1)の欠陥検査を終了するものである。In the second defect inspection method according to the present invention, the inspection light (L2) is irradiated onto the inspection surface of the inspection object (1), and the inspection light from the inspection surface is irradiated. Scattered light (L
In the defect inspection method of detecting a defect on the surface to be inspected based on 3) and observing the defect thus detected at a predetermined magnification, the surface to be inspected is divided into a plurality of cells having a predetermined size ( C (i, j)), and the maximum defect size in the plurality of cells is determined based on the photoelectric conversion signal V of the scattered light (L3) of the inspection light from the surface to be inspected. Each of the plurality of cells is discriminated, and the cell containing the defect among the plurality of cells is observed at a predetermined magnification in the order of the largest internal defects as a result of the discrimination. The defect inspection of the inspection item (1) is completed.
【0017】また、本発明による第3の欠陥検査方法
は、被検物(1)の被検面上に検査用の光(L2)を照
射し、その被検面からのその検査用の光の散乱光(L
3)に基づいてその被検面上の欠陥を検出する方法にお
いて、その被検面からのその検査用の光の散乱光(L
3)の光電変換信号Vに基づいてその被検面上の欠陥の
大きさを判別し、その検出された欠陥の個数が所定の許
容個数を越えること、及びその欠陥の内でその判別され
た欠陥の大きさが所定の許容値を越えるものが存在する
ことの内少なくとも一方が生じた場合に、被検物(1)
の欠陥検査を終了するものである。In the third defect inspection method according to the present invention, the inspection surface of the inspection object (1) is irradiated with inspection light (L2), and the inspection light from the inspection surface is irradiated. Scattered light (L
In the method of detecting a defect on the surface to be inspected based on 3), scattered light (L
The size of the defect on the surface to be inspected is discriminated based on the photoelectric conversion signal V of 3), and the number of detected defects exceeds a predetermined allowable number, and it is discriminated among the defects. The object to be inspected (1) when at least one of the defects whose size exceeds a predetermined allowable value is present.
This completes the defect inspection.
【0018】また、本発明による第1及び第2の欠陥検
査装置は、それぞれ被検物(1)の被検面上で検査用の
光(L2)を走査する光走査手段(2,3,6,7)
と、その被検面上での検査用の光(L2)の走査位置を
計測する走査位置計測手段(4)と、その被検面からの
その検査用の光の散乱光(L3)を光電変換する受光手
段(13)と、その被検面を所定の倍率で観察する観察
手段(15)と、を有し、受光手段(13)及び走査位
置計測手段(4)の出力信号に基づいてその被検面上の
欠陥及びこの欠陥の位置を検出し、このように検出され
た欠陥を観察手段(15)で観察する欠陥検査装置を前
提とする。Further, the first and second defect inspection apparatuses according to the present invention respectively use optical scanning means (2, 3, 3) for scanning the inspection light (L2) on the surface to be inspected of the object (1). 6, 7)
A scanning position measuring means (4) for measuring the scanning position of the inspection light (L2) on the surface to be inspected, and the scattered light (L3) of the inspection light from the surface to be inspected. It has a light receiving means (13) for converting and an observing means (15) for observing the surface to be inspected at a predetermined magnification, based on the output signals of the light receiving means (13) and the scanning position measuring means (4). It is assumed that the defect inspection apparatus detects the defect on the surface to be inspected and the position of the defect and observes the defect thus detected by the observation means (15).
【0019】そして、第1の欠陥検査装置は、受光手段
(13)の出力信号Vに基づいてその被検面上の欠陥の
大きさを判別する欠陥判別手段(21)と、この欠陥判
別手段の判別結果及び走査位置計測手段(4)の出力信
号に基づいて、その被検面上の欠陥毎にこの欠陥の大き
さ及びその被検面上での位置を記憶する記憶手段(2
3)と、この記憶手段に記憶された欠陥の大きさとその
被検面上での位置とに基づいて欠陥を大きい順に観察で
きるように、前記被検物(1)と前記観察手段(15)
との位置関係を制御する制御手段(22)と、を有する
ものである。Then, the first defect inspection apparatus has a defect discriminating means (21) for discriminating the size of the defect on the surface to be inspected based on the output signal V of the light receiving means (13), and the defect discriminating means. A storage unit (2) that stores the size of the defect and the position on the surface to be inspected for each defect on the surface to be inspected, based on the result of the determination and the output signal of the scanning position measuring unit (4).
3) and the inspection object (1) and the observation means (15) so that the defects can be observed in the descending order based on the size of the defect stored in the storage means and the position of the defect on the inspection surface.
And a control means (22) for controlling the positional relationship with the.
【0020】一方、第2の欠陥検査装置は、受光手段
(13)の出力信号に基づいてその被検面上の欠陥の大
きさを判別する欠陥判別手段(21)と、その被検面を
所定の大きさの複数のセル(C(i,j))に分割し、
欠陥判別手段(21)の判別結果及び走査位置計測手段
(4)の出力信号に基づいて、それら複数のセル内で欠
陥を有するセル毎にこのセル内の最大の欠陥の大きさ及
びこのセルのその被検面上での位置を記憶する記憶手段
(23)と、この記憶手段に記憶された欠陥の大きさ
と、そのセルの被検面上での位置とに基づいて、それら
欠陥を有するセルを、セル内の最大の欠陥の大きい順に
観察できるように、前記被検物(1)と前記観察手段
(15)との位置関係を制御する制御手段(22)と、
を有するものである。On the other hand, the second defect inspection apparatus judges the size of the defect on the surface to be inspected on the basis of the output signal of the light receiving means (13) and the surface to be inspected. Divide into a plurality of cells (C (i, j)) of a predetermined size,
Based on the discrimination result of the defect discriminating means (21) and the output signal of the scanning position measuring means (4), for each cell having a defect in the plurality of cells, the maximum defect size in this cell and this cell Storage means (23) for storing the position on the surface to be inspected, cells having the defects based on the size of the defect stored in the storage means and the position of the cell on the surface to be inspected. A control means (22) for controlling the positional relationship between the inspection object (1) and the observation means (15) so that the largest defect in the cell can be observed in order.
Is to have.
【0021】また、本発明の第3の欠陥検査装置は、被
検物(1)の被検面上で検査用の光(L2)を走査する
光走査手段(2,3,6,7)と、その被検面上でのそ
の検査用の光の走査位置を計測する走査位置計測手段
(4)と、その被検面からのその検査用の光の散乱光を
光電変換する受光手段(13)と、を有し、受光手段
(13)及び走査位置計測手段(4)の出力信号に基づ
いてその被検面上の欠陥及びこの欠陥の位置を検出する
欠陥検査装置において、受光手段(13)の出力信号に
基づいてその被検面上の欠陥の大きさを判別する欠陥判
別手段(21)と、この欠陥判別手段の判別結果及び走
査位置計測手段(4)の出力信号に基づいて、その被検
面上の欠陥毎にこの欠陥の大きさ及びその被検面上での
位置を記憶する記憶手段(23)と、この記憶手段に記
憶された欠陥の個数を所定の許容個数と比較する第1の
比較手段(22)と、その記憶手段に記憶された欠陥の
内で最大の欠陥の大きさを所定の許容値と比較する第2
の比較手段(22)と、を有するものである。Further, the third defect inspection apparatus of the present invention is the optical scanning means (2, 3, 6, 7) for scanning the inspection light (L2) on the surface to be inspected of the object (1). A scanning position measuring means (4) for measuring the scanning position of the inspection light on the surface to be inspected, and a light receiving means for photoelectrically converting scattered light of the inspection light from the surface to be inspected ( 13) and a defect inspection apparatus for detecting a defect on the surface to be inspected and the position of this defect based on the output signals of the light receiving means (13) and the scanning position measuring means (4). Based on the output signal of 13), the defect determining means (21) for determining the size of the defect on the surface to be inspected, and the determination result of the defect determining means and the output signal of the scanning position measuring means (4). , A memory for storing the size of this defect and its position on the surface to be inspected for each defect on the surface to be inspected (23), first comparing means (22) for comparing the number of defects stored in the storage means with a predetermined allowable number, and the maximum defect size among the defects stored in the storage means. Second, comparing the
And a comparison means (22).
【0022】[0022]
【作用】斯かる本発明の第1の欠陥検査方法によれば、
被検面上の異物等の欠陥を検出する際に欠陥の大きさを
判別しておき、その後被検面上の欠陥を所定倍率で観察
するときは、大きいサイズの欠陥から順番に観察する。
そして、不良箇所があったときには被検物(1)の欠陥
検査を終了するようにしているため、検査時間が短縮さ
れている。なお、被検物(1)が例えばレチクルである
ときには、不良箇所の一例は、所定の規格を超える異物
が付着しているレチクルの光透過部である。According to the first defect inspection method of the present invention,
When a defect such as a foreign substance on the surface to be inspected is detected, the size of the defect is discriminated, and when the defects on the surface to be inspected are then observed at a predetermined magnification, the defects having a larger size are sequentially observed.
Then, when there is a defective portion, the defect inspection of the inspection object (1) is completed, so that the inspection time is shortened. When the inspection object (1) is, for example, a reticle, an example of the defective portion is the light transmitting portion of the reticle to which foreign matter exceeding a predetermined standard is attached.
【0023】また、第2の欠陥検査方法によれば、被検
面を複数個のセル(密接して配列された多数の小領域)
に分割し、セル毎に内部の最大の欠陥を抽出し、内部の
最大の欠陥の大きいセルから順番に観察する。そして、
不良箇所があったときには被検物(1)の欠陥検査を終
了するようにしているため、検査時間が短縮されてい
る。また、セル毎に内部の最大の欠陥を抽出するように
しているため、検査時間が第1の欠陥検査方法より短縮
される。Further, according to the second defect inspection method, the surface to be inspected is composed of a plurality of cells (a large number of small areas arranged in close contact).
The internal maximum defect is extracted for each cell, and the cells with the largest internal defect are observed in order. And
Since the defect inspection of the inspection object (1) is completed when there is a defective portion, the inspection time is shortened. Moreover, since the maximum internal defect is extracted for each cell, the inspection time is shorter than that of the first defect inspection method.
【0024】また、第3の欠陥検査方法によれば、観察
前の欠陥検出段階で既に欠陥の個数が許容値を超える
か、又は大きさが許容値を超える欠陥があったときに
は、その被検物を不良と判断し、欠陥検査の途中であっ
ても観察を行うことなく検査を終了する。これにより検
査時間が短縮される。また、本発明の第1〜第3の欠陥
検査装置によれば、それぞれ上述の第1〜第3の欠陥検
査方法を実施できる。Further, according to the third defect inspection method, when the number of defects exceeds the allowable value or there is a defect whose size exceeds the allowable value in the defect detection stage before observation, the inspection is performed. The object is judged to be defective, and the inspection is completed without observing even during the defect inspection. This reduces the inspection time. Further, according to the first to third defect inspection apparatuses of the present invention, the above-described first to third defect inspection methods can be carried out, respectively.
【0025】[0025]
【実施例】以下、本発明の第1実施例につき図1〜図3
を参照して説明する。本実施例はレチクル1(ペリクル
が張設されている場合を含む)の欠陥検査を行う場合に
本発明を適用したものであり、図1において図6に対応
する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A first embodiment of the present invention will now be described with reference to FIGS.
Will be described with reference to. In this embodiment, the present invention is applied to the case where the reticle 1 (including the case where the pellicle is stretched) is inspected for defects. In FIG. 1, parts corresponding to those in FIG. The detailed description thereof will be omitted.
【0026】図1は本実施例の欠陥検査装置を示し、こ
の図1において、光電検出器13から出力される検出信
号Vを欠陥判別回路21に供給し、欠陥判別回路21で
は、検出信号Vのピーク値が例えば所定の閾値を超える
ときに欠陥と判別し、欠陥であることを示す判別信号、
及びその欠陥部での検出信号Vのサンプル値Vi(i=
1,2,…)を主制御系22に供給する。主制御系22
には、測長装置4の位置信号S1、及びガルバノスキャ
ナー6の駆動部7用の偏向角信号S2も供給されてお
り、主制御系22は欠陥判別回路21により検出された
欠陥のX座標及びY座標を認識できる。FIG. 1 shows the defect inspection apparatus of this embodiment. In FIG. 1, the detection signal V output from the photoelectric detector 13 is supplied to the defect discrimination circuit 21, and the defect discrimination circuit 21 detects the detection signal V. When the peak value of exceeds a predetermined threshold value, for example, it is determined as a defect, and a determination signal indicating that it is a defect,
And the sampled value V i (i =
1, 2, ...) Is supplied to the main control system 22. Main control system 22
Is also supplied with the position signal S1 of the length measuring device 4 and the deflection angle signal S2 for the drive unit 7 of the galvano scanner 6, and the main control system 22 detects the X coordinate of the defect detected by the defect determination circuit 21 and The Y coordinate can be recognized.
【0027】また、スライダ16に観察部15をX方向
に駆動するための駆動部26を設け、主制御系22は、
ステージ制御部27を介して駆動部3及び駆動部26の
動作を制御することにより、ステージ2のY方向の位置
を所望の位置に設定すると共に、観察部15のX方向の
位置を所望の位置に設定する。これにより、観察部15
の観察領域にレチクル1上の所望の領域を迅速に設定す
ることができる。更に、主制御系22には第1メモリ2
3、第2メモリ24、第3メモリ25及びキーボード2
8を接続する。オペレータはキーボード28を介して主
制御系22に、レチクル1の欠陥検査の開始及び終了を
示すコマンド等を入力することができる。また、第1メ
モリ23及び第2メモリ24には、後述のように検出さ
れた欠陥の大きさ及び欠陥の位置を示す情報を記憶さ
せ、第3メモリ25にはそれ以外の各種データを記憶さ
せる。それ以外の構成は図6と同様である。Further, the slider 16 is provided with a drive unit 26 for driving the observation unit 15 in the X direction, and the main control system 22 is
By controlling the operations of the drive unit 3 and the drive unit 26 via the stage control unit 27, the position of the stage 2 in the Y direction is set to a desired position, and the position of the observation unit 15 in the X direction is set to a desired position. Set to. As a result, the observation unit 15
It is possible to quickly set a desired area on the reticle 1 to the observation area. Further, the main control system 22 includes the first memory 2
3, second memory 24, third memory 25 and keyboard 2
Connect 8. The operator can input commands and the like indicating the start and end of the defect inspection of the reticle 1 to the main control system 22 via the keyboard 28. In addition, the first memory 23 and the second memory 24 store information indicating the size and the position of the detected defect as described later, and the third memory 25 stores various other data. . The other configuration is the same as that of FIG.
【0028】次に、本実施例の欠陥検査動作につき図2
及び図3を参照して説明する。先ず、図1において光ビ
ームL2でレチクル1上の全面を走査し、欠陥判別回路
21で欠陥を検出したときの欠陥の座標(X,Y)と検
出信号Vのサンプル値Vi とを、検出した順に主制御系
22が第1メモリ23に格納する。図2はレチクル1上
の欠陥の分布例を示し、この図2において、図1のガル
バノスキャナ6の駆動部7の偏向角信号S2によりX座
標が定まり、図1の測長装置4の位置信号S1によりY
座標が定まる。この例では、レチクル1の座標(X,
Y)上の10個の座標(X1,Y1)、(X2,Y2)、…、
(X10,Y10)にそれぞれ検出信号Vのサンプル値がV
1 、V2 、…、V10の欠陥が分布している。即ち、それ
ら以外の座標での検出信号Vの値は検出感度に応じて定
まる所定の閾値以下であるため、欠陥は無いとみなされ
ている。Next, the defect inspection operation of this embodiment will be described with reference to FIG.
And FIG. 3 will be described. First, in FIG. 1, the entire surface of the reticle 1 is scanned with the light beam L2, and the defect coordinates (X, Y) and the sample value V i of the detection signal V when the defect is detected by the defect determination circuit 21 are detected. The main control system 22 stores the data in the first memory 23 in this order. FIG. 2 shows an example of distribution of defects on the reticle 1. In FIG. 2, the X coordinate is determined by the deflection angle signal S2 of the driving unit 7 of the galvano scanner 6 of FIG. 1, and the position signal of the length measuring device 4 of FIG. Y by S1
The coordinates are fixed. In this example, the coordinates (X,
Y) 10 coordinates (X 1 , Y 1 ), (X 2 , Y 2 ), ...
At (X 10 , Y 10 ), the sample value of the detection signal V is V
Defects of 1 , V 2 , ..., V 10 are distributed. That is, since the value of the detection signal V at coordinates other than those is less than or equal to a predetermined threshold value determined according to the detection sensitivity, it is considered that there is no defect.
【0029】この場合、座標(Xi,Yi)(i=1〜1
0)及びこの座標での検出信号Vのサンプル値Vi をま
とめてデータ(Xi,Yi,Vi)で表す。そして、図1の第
1メモリ23には図3(a)に示すように、第1アドレ
スにデータ(X1,Y1,V1)を格納し、第2アドレスにデ
ータ(X2,Y2,V2)を格納し、以下それに続くアドレス
に順にデータ(X3,Y3,V3)〜(X10,Y10,V10)を
格納していく。次に、レチクル1の全面の光ビーム走査
終了後に、第1メモリ23から格納したデータを読出
し、今度は、検出信号のサンプル値V1 〜V10の大きい
順に並び替え、検出信号のサンプル値が大きい順に図1
の第2メモリ24の一連のアドレスに格納する。In this case, the coordinates (X i , Y i ) (i = 1 to 1)
0) and the sampled value V i of the detection signal V at this coordinate are collectively represented by data (X i , Y i , V i ). Then, as shown in FIG. 3A, the first memory 23 of FIG. 1 stores data (X 1 , Y 1 , V 1 ) at the first address and data (X 2 , Y 1 ) at the second address. 2 and V 2 ) are stored, and data (X 3 , Y 3 and V 3 ) to (X 10 , Y 10 and V 10 ) are sequentially stored in the following addresses. Next, after scanning the entire surface of the reticle 1 with the light beam, the stored data is read out from the first memory 23. This time, the sampled values of the detection signal are rearranged in the descending order of sample values V 1 to V 10 , Figure 1 in descending order
It is stored in the second memory 24 at a series of addresses.
【0030】例えば検出信号のサンプル値V1 〜V10を
大きい順に並べると、V4 >V7 >V2 >V9 >…であ
るとすると、図1の第2メモリ24には図3(b)に示
すように、第1アドレスにデータ(X4,Y4,V4)を格納
し、第2アドレスにデータ(X7,Y7,V7)を格納し、以
下それに続くアドレスに順にデータ(X2,Y2,V2)、…
を格納していく。なお、サンプル値Vi が等しい場合に
は、例えばサンプルした順に第2メモリ24に格納すれ
ばよい。この結果、第2メモリ24には順位付けられた
データが格納され、その順位は検出信号Vのサンプル値
Vi の大きい順である。For example, if the sampled values V 1 to V 10 of the detection signal are arranged in descending order, and V 4 > V 7 > V 2 > V 9 > ..., The second memory 24 of FIG. As shown in b), the data (X 4 , Y 4 , V 4 ) is stored in the first address, the data (X 7 , Y 7 , V 7 ) is stored in the second address, and the following addresses are stored in the following addresses. Data (X 2 , Y 2 , V 2 ), ...
Will be stored. If the sampled values V i are the same, for example, the sampled values may be stored in the second memory 24 in the order of sampling. As a result, the ranked data is stored in the second memory 24, and the ranking is in the descending order of the sample value V i of the detection signal V.
【0031】既述したように、検出信号Vが大きい程欠
陥の大きさも大きいと言えるので、第2メモリ24内の
データは欠陥サイズの大きい順に並んでいることにな
る。この順位付けは従来例の図7に示したように、符号
A,B,Cのランクに分けた後では正確でない。けだ
し、信号差があっても同じランクに分けられることがあ
るからである。そのため、本実施例では検出信号Vのサ
ンプル値自体を用いている。As described above, the larger the detection signal V, the larger the defect size. Therefore, the data in the second memory 24 are arranged in descending order of defect size. As shown in FIG. 7 of the conventional example, this ranking is not accurate after dividing into ranks A, B, and C. This is because even if there is a signal difference, they may be divided into the same rank. Therefore, in this embodiment, the sample value itself of the detection signal V is used.
【0032】その後、主制御系22は第2メモリ24の
第1アドレスから1番目(即ち、最も大きいサイズ)の
欠陥のデータ(X4,Y4,V4)を読出し、その座標(X4,
Y4)に図1の観察部15の観察視野の中心がセットされ
るように、駆動部3及び26を動作させてレチクル1及
び観察部15を移動させる。これにより、図2におい
て、観察部15の観察視野15aの中心がレチクル1上
の座標(X4,Y4)の点に設定される。そして、オペレー
タが観察部15を介して目視で、又は観察部15に取り
付けた2次元撮像素子(CCD等)及びTVモニターに
よる画像観察で、その座標(X4,Y4)の欠陥を観察す
る。After that, the main control system 22 reads the data (X 4 , Y 4 , V 4 ) of the first (that is, the largest size) defect from the first address of the second memory 24, and its coordinates (X 4 ,
The driving units 3 and 26 are operated to move the reticle 1 and the observation unit 15 so that the center of the observation visual field of the observation unit 15 in FIG. 1 is set to (Y 4 ). As a result, in FIG. 2, the center of the observation visual field 15a of the observation unit 15 is set to the point of the coordinates (X 4 , Y 4 ) on the reticle 1. Then, the operator visually observes the defect at the coordinates (X 4 , Y 4 ) by visually observing through the observing unit 15 or by observing an image with a two-dimensional image pickup device (CCD or the like) and a TV monitor attached to the observing unit 15. .
【0033】この結果、許容できるサイズの欠陥である
と判断した場合は、第2メモリ24の第2アドレス(2
番目に大きいサイズ)の欠陥のデータ(X7,Y7,V7)を
読出し、同様に観察部15で観察を行う。このように観
察を行うのは、検出信号Vの大小と、観察部15での観
察による欠陥の大小とは必ずしも一致しないことがある
からである。但し、1番目に観察した最も大きいサイズ
の欠陥が許容できるサイズである場合には、2番目以下
のサイズの欠陥も許容できるサイズであるとみなせるこ
とが多いため、最も大きいサイズの欠陥が許容できるサ
イズであると判定した時点で、それ以後の観察を行うこ
となくレチクル1を良品として扱って、検査工程を終了
することもできる。この場合、図1でオペレータがキー
ボード28から主制御系22に検査終了のコマンドを入
力することにより、レチクル1が不図示のレチクルロー
ダ系により搬出され、次に検査されるレチクルがステー
ジ2上にセットされる。As a result, when it is determined that the defect has an acceptable size, the second address (2
The data (X 7 , Y 7 , V 7 ) of the defect having the second largest size is read out and similarly observed by the observation section 15. The reason for observing in this way is that the magnitude of the detection signal V and the magnitude of the defect observed by the observation unit 15 may not always match. However, if the largest defect observed first is an acceptable size, it is often considered that the second and smaller defects are also acceptable, so the largest defect is acceptable. When it is determined that the size has been reached, the reticle 1 can be treated as a non-defective product and the inspection process can be terminated without further observation. In this case, in FIG. 1, the operator inputs an inspection end command to the main control system 22 from the keyboard 28, so that the reticle 1 is carried out by a reticle loader system (not shown), and the reticle to be inspected next is placed on the stage 2. Set.
【0034】しかしながら、実際には欠陥の大きさのみ
ならず、欠陥としての異物の付着位置も良否判断の基準
である。例えば、レチクルの場合には光透過部分にある
異物は問題となるが、クロム膜よりなる遮光部に付着し
た異物はウエハ上に転写されないので問題ない。そこ
で、仮に第1順位の欠陥が大きく、且つ、レチクル1の
遮光部に位置していた場合はその欠陥については問題な
しとなるが、第2順位の欠陥が、観察結果でも第1順位
の欠陥より小さくとも、その第2順位の欠陥がレチクル
1の光透過部に位置している場合は、そのレチクル1が
不良品となり得る。このように、第2順位の欠陥の観察
の結果、その位置がレチクル1の光透過部である場合に
は、第3順位の欠陥のデータを第2メモリ24から読み
出して観察部15で観察するまでもなく、そのレチクル
1は不良品として検査工程を終了することもできる。However, in practice, not only the size of the defect but also the adhesion position of the foreign matter as the defect is a criterion for the quality judgment. For example, in the case of a reticle, the foreign matter in the light transmitting portion poses a problem, but the foreign matter adhering to the light-shielding portion made of the chromium film is not transferred onto the wafer, which causes no problem. Therefore, if the defect of the first rank is large and is located in the light-shielding portion of the reticle 1, there is no problem with the defect, but the defect of the second rank is the defect of the first rank in the observation result. Even if it is smaller, if the second-order defect is located in the light transmitting portion of the reticle 1, the reticle 1 may be a defective product. Thus, as a result of the observation of the second-order defect, when the position is the light transmission part of the reticle 1, the data of the third-order defect is read from the second memory 24 and observed by the observation part 15. Needless to say, the reticle 1 can be judged as a defective product and the inspection process can be ended.
【0035】当然、第1順位の異物等の欠陥を観察した
場合に、その位置がレチクル1の光透過部であった場合
には、ただちにレチクル1に関する残りの検査工程を続
けることなく、検査工程を終了してしまえばよい。ま
た、仮にレチクル1の光透過部に欠陥が位置する場合で
も、その欠陥がウエハ上に転写されても問題ない大きさ
であるときには、その欠陥は問題ないと判定される。Obviously, when observing a defect such as a foreign matter of the first rank and the position is the light transmitting portion of the reticle 1, the inspection process is immediately continued without continuing the remaining inspection process for the reticle 1. You just have to finish. Further, even if the defect is located in the light transmitting portion of the reticle 1, if the defect has a size that causes no problem even when transferred onto the wafer, the defect is determined to be no problem.
【0036】なお、図1のように第1メモリ23及び第
2メモリ24を持たず、検出信号Vのサンプル値Vi を
得た順に大小の比較を行い、その都度大きいサンプル値
Viを所定の記憶部に格納していく方法を用いてもよ
い。また、検出したデータの並び替えを行うことなく、
検出した順に並んだデータに欠陥の大きい順に順位を示
すデータを付すのみの方法でもよい。何れの方法でも、
付けられた(あるいは並び替えられた)順位に従って観
察していくことに代わりはない。As shown in FIG. 1, the first memory 23 and the second memory 24 are not provided, and the magnitude comparison is performed in the order in which the sample value V i of the detection signal V is obtained, and the larger sample value V i is determined each time. You may use the method of storing in the storage part of. Also, without rearranging the detected data,
A method may be used in which only the data indicating the order is attached to the data arranged in the order of detection in the descending order of defects. Either way,
There is no substitute for observing according to the assigned (or sorted) order.
【0037】次に、本発明の第2実施例につき図4及び
図5を参照して説明する。本実施例でも図1の欠陥検査
装置を使用してレチクルの欠陥検査を行う。図4(a)
は本実施例で検査対象とするレチクル1を示し、レチク
ル1の表面の大きさは100mm×100mmであると
する。図4(a)において、レチクル1の表面をX方向
及びY方向にそれぞれ所定ピッチで区切ることにより、
レチクル1の表面を多数の小さな矩形領域であるセルE
(1,1)、E(1,2)、…、E(2,1)、…に分
割し、各セル毎に欠陥のデータを集計する。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Also in this embodiment, the defect inspection apparatus of FIG. 1 is used to inspect the reticle for defects. Figure 4 (a)
Represents the reticle 1 to be inspected in this embodiment, and the surface size of the reticle 1 is 100 mm × 100 mm. In FIG. 4A, by dividing the surface of the reticle 1 in the X direction and the Y direction at predetermined pitches, respectively,
The surface of the reticle 1 is a cell E which is a large number of small rectangular areas.
, (1), E (1,2), ..., E (2,1), ... And defect data is summed up for each cell.
【0038】もともとレチクルの場合には、異物等の欠
陥の数は少なく、平均的には10mm角の中に欠陥が1
個あるかどうかの程度であるが、複数の異物が隣接して
いる場合や、既述したように付着状態(遮光部上又は光
透過部上等)が異なる場合がある。そのように隣接する
異物を高い分解能で観察したり、付着状態を観察して良
否を判定するためには、それなりの高い観察倍率が求め
られるので、図4(a)に示すように、その際の観察部
15の観察視野15aの大きさよりもセルE(i,j)
(i=1,2,…;j=1,2,…)が小さくなるよう
に、セルの大きさを決定しなければならない。従って、
セルの大きさとしては、0.5mm角や0.1mm角が
好ましい。Originally, in the case of a reticle, the number of defects such as foreign matters was small, and one defect was found in a 10 mm square on average.
Depending on whether or not there are individual pieces, there are cases where a plurality of foreign substances are adjacent to each other, or the adhesion state (on the light-shielding portion or the light-transmitting portion) is different as described above. In order to observe adjacent foreign matter with a high resolution and to judge the adhering state by observing the adhering state, a reasonably high observation magnification is required. Therefore, as shown in FIG. Cell E (i, j) larger than the size of the observation field 15a of the observation unit 15 of
The cell size must be determined so that (i = 1, 2, ...; j = 1, 2, ...) Is small. Therefore,
The cell size is preferably 0.5 mm square or 0.1 mm square.
【0039】本実施例において光ビーム走査で欠陥検出
する際、レチクル1上の0.5mm角又は0.1mm角
等のセルE(i,j)の中で、複数個の欠陥を検出した
ときは、検出信号Vのサンプル値の大きい方をそのセル
を代表するサンプル値として扱う。即ち、例えば図4
(b)に示すように、セルE(i,j)の中に検出信号
Vのサンプル値がVij1,Vij2,Vij3 の3個の欠陥が存
在するとして、3個のサンプル値中の最大の値がVij1
であるとした場合、図4(c)に示すようにセルE
(i,j)には欠陥を示す検出信号のサンプル値として
Vij1 を割り当てる。そして、図1の第1メモリ23に
は、欠陥が検出されたセルから順にセルの中心座標(X
ij,Yij)及びそのセル内の最大の欠陥の検出信号のサ
ンプル値Vijを、データ(Xij,Yij,Vij)として格
納する。同時に、セル内の欠陥をサンプル値に応じて例
えばA,B,C等にランク分けし、各ランクの欠陥の個
数をセル毎に積算し、積算結果を第3メモリ25内に格
納しておく。When a plurality of defects are detected in the cell E (i, j) of 0.5 mm square or 0.1 mm square on the reticle 1 when detecting defects by light beam scanning in this embodiment. Handles the larger sample value of the detection signal V as the sample value representing the cell. That is, for example, in FIG.
As shown in (b), it is assumed that the cell E (i, j) has three defects with sample values of the detection signal V being V ij1 , V ij2 , and V ij3 . The maximum value is V ij1
, Cell E as shown in FIG.
V ij1 is assigned to (i, j) as a sample value of the detection signal indicating a defect. Then, in the first memory 23 of FIG. 1, the cell center coordinates (X
ij , Y ij ) and the sample value V ij of the maximum defect detection signal in the cell are stored as data (X ij , Y ij , V ij ). At the same time, the defects in the cells are classified into, for example, A, B, and C according to the sample value, the number of defects of each rank is integrated for each cell, and the integrated result is stored in the third memory 25. .
【0040】なお、この方法は異物の観察部15がなく
ともレチクル上を光ビーム走査して異物を検出する装置
には有効である。即ち、光ビーム走査するときレチクル
上の光ビームの大きさは異物の大きさよりも大きく、ま
たレチクル上では、光ビームの輝度はガウス分布(ビー
ムの中央で輝度が高く、周辺ほど輝度が低くなる分布)
しているため、必ずガウス分布の裾部がオーバラップす
るように光ビーム走査する。通常、ガウス分布したビー
ムの大きさをW(輝度がピーク値の13.5%となる
幅)としたとき、1回目の走査に対し2回目の走査はレ
チクル上の距離で約W/4ずらすようにする。そのため
1個の異物に対し数回のビーム走査にわたって散乱信号
が得られ、それらの信号量は異物に対しビームの中心が
当たったときとビームの裾部が当たったときとで異な
る。従って、レチクル全面の光ビーム走査で散乱信号を
得る度にその信号値とX,Yの座標値を取り込んでしま
うと、同じ異物にもかかわらず、ほとんど変わらない
X,Y座標値でデータを取り込むことになってしまうと
いう不具合が生じてしまう。It should be noted that this method is effective for an apparatus for detecting a foreign substance by scanning the reticle with a light beam even without the foreign substance observation unit 15. That is, when scanning the light beam, the size of the light beam on the reticle is larger than the size of the foreign matter, and on the reticle, the brightness of the light beam is a Gaussian distribution (the brightness is higher at the center of the beam and lower at the periphery). distribution)
Therefore, the light beam scanning is performed so that the tails of the Gaussian distribution always overlap. Usually, when the size of the Gaussian-distributed beam is W (the width at which the brightness is 13.5% of the peak value), the second scan is shifted by about W / 4 in the distance on the reticle from the first scan. To do so. Therefore, a scattering signal is obtained for one foreign matter over several times of beam scanning, and the amount of these signals is different when the center of the beam hits the foreign matter and when the tail of the beam hits. Therefore, if the signal value and the X and Y coordinate values are captured every time a scattered signal is obtained by scanning the light beam on the entire surface of the reticle, the data is captured with the X and Y coordinate values that are almost the same even though the foreign matter is the same. There will be a problem that it will happen.
【0041】これに対し、取り込み単位セル(データ単
位)を0.1mm角とし、その最大信号をそのセルの代
表値とすればこのような不具合は解消される。この動作
はソフトウエアで行ってもよいが、ハードウエアで行っ
たほうが好ましい。すなわち0.1mm角を取り込み単
位とし、この0.1mm角内で欠陥の信号を検出すれば
その信号値を保存し、これよりも大きい欠陥の信号が来
たら前の信号を消して更新していく。そして最後にはセ
ル(0.1mm角)内の最も大きい欠陥の信号のみが残
り、この信号とセル座標をデータ(Xij,Yij,Vij)
として保存する。Xij,Yijはセルの中心座標である。On the other hand, if the unit cell (data unit) for capturing is set to 0.1 mm square and the maximum signal thereof is set to the representative value of the cell, such a problem is solved. This operation may be performed by software, but is preferably performed by hardware. That is, 0.1 mm square is taken as a unit of capture, and if a defect signal is detected within this 0.1 mm square, the signal value is saved, and when a larger defect signal is received, the previous signal is erased and updated. Go. Finally, only the signal of the largest defect in the cell (0.1 mm square) remains, and this signal and cell coordinates are used as data (X ij , Y ij , V ij ).
Save as. X ij and Y ij are the center coordinates of the cell.
【0042】データをCRT等のディスプレイに表示さ
せるには、このデータを転送するが、転送するときには
2つの方法がある。1つはレチクル上を分割したセルの
データをすべて転送する方法である。例えば、100×
100mmの領域を0.1mm角のセル単位で転送する
場合、決められた順序(例えば100×100mmの左
上から1番地とし100000番地まで予め決める)に
従い、異物を検出しなければ零のデータ、検出したらサ
ンプル値Vijを送る。表示するときはこの順序で零のデ
ータのときは異物なしの表示を行い、またサンプル値V
ijに応じてランク分けした検出表示等を行う。しかし、
この方法は転送するデータ量が多くなり好ましくない。In order to display the data on a display such as a CRT, this data is transferred. There are two methods for transferring the data. One is a method of transferring all data of cells divided on the reticle. For example, 100 ×
When transferring a 100 mm area in units of 0.1 mm square cells, if no foreign matter is detected, zero data and detection are performed according to a determined order (for example, 100 × 100 mm is determined as the first address from the upper left to address 100000). Then, the sample value V ij is sent. When displaying, in this order, when there is zero data, it is displayed that there is no foreign matter, and when the sample value V
The detection display and the like classified according to ij are performed. But,
This method is not preferable because the amount of data to be transferred is large.
【0043】より好ましいのは、次の第2の方法で、検
出したデータ(Xij,Yij,Vij)のみ送り、座標
Xij,Yijに応じて対応したセルに検出表示を行う。こ
の方法は、異物が少ないときは、転送データも少なく
(通常レチクル上は異物が少ないため)、転送時間は全
く目立たず非常に有効である。このようにして、100
mm×100mmのレチクル1の全面に対する光ビーム
検査が終了した段階で、図1の主制御系22はCRTデ
ィスプレイ14に欠陥検査欠陥を表示する。More preferably, only the detected data (X ij , Y ij , V ij ) is sent by the following second method, and detection display is performed on the cell corresponding to the coordinates X ij , Y ij . This method is very effective when the amount of foreign matter is small, the amount of transfer data is small (usually because the amount of foreign matter is small on the reticle), and the transfer time is not noticeable at all. In this way, 100
When the light beam inspection on the entire surface of the reticle 1 of mm × 100 mm is completed, the main control system 22 of FIG. 1 displays a defect inspection defect on the CRT display 14.
【0044】図5(a)はCRTディスプレイ14によ
る表示例を示し、この図5(a)において、大きなウィ
ンドウ18内のウィンドウ19が図4(a)のレチクル
1の100mm×100mmの領域に対応する。そのウ
ィンドウ19が図4(a)のX方向に対応するX1方
向、及びY方向に対応するY1方向にそれぞれ所定ピッ
チで区切られて、多数の表示セルP(1,1)、P
(1,2)、…、P(2,1)、…に分割されている。
そして、各表示セルで図4(a)の欠陥を有するセルに
対応する表示セルには、2次元マップとして内部の最大
の欠陥の検出信号のサンプル値の大小に応じてA,B,
Cにランク分けした欠陥表示を行う。FIG. 5A shows a display example on the CRT display 14. In FIG. 5A, the window 19 in the large window 18 corresponds to the area of 100 mm × 100 mm of the reticle 1 of FIG. 4A. To do. The window 19 is divided by a predetermined pitch in the X1 direction corresponding to the X direction in FIG. 4A and the Y1 direction corresponding to the Y direction, and a large number of display cells P (1,1), P are displayed.
(1,2), ..., P (2,1) ,.
Then, in the display cells corresponding to the defective cells in FIG. 4A in each display cell, A, B, and B are displayed according to the magnitude of the sample value of the detection signal of the maximum internal defect as a two-dimensional map.
Defects ranked into C are displayed.
【0045】但し、図4(a)のセルE(i,j)が例
えば0.1mm角であっても、図5(a)の表示セルP
(i,j)はレチクル1上で5mm角の領域に対応し、
ウィンドウ19は20×20のマトリックスで構成され
ている。従って、表示セルP(i,j)では、レチクル
1上の対応する5mm角の領域内の最大の欠陥の検出信
号のサンプル値がランク分けして表示されている。その
ため、0.1mm角単位の正確な欠陥の個数は、埋もれ
てしまい分からないので、ウィンドウ19の横の小さい
ウィンドウ20内に各ランクA,B,Cでの欠陥の個数
を、表示セル単位(即ちレチクル1上で5mm角単位)
とレチクル1上で0.1mm角単位との2通りに分けて
表示している。However, even if the cell E (i, j) in FIG. 4A is, for example, 0.1 mm square, the display cell P in FIG.
(I, j) corresponds to a 5 mm square area on the reticle 1,
The window 19 is composed of a 20 × 20 matrix. Therefore, in the display cell P (i, j), the sample values of the detection signal of the largest defect in the corresponding area of 5 mm square on the reticle 1 are ranked and displayed. Therefore, since the exact number of defects in a unit of 0.1 mm square is buried and is not known, the number of defects in each rank A, B, C is displayed in the display cell unit ( That is, 5 mm square unit on reticle 1)
Are displayed separately on the reticle 1 in units of 0.1 mm square.
【0046】勿論、欠陥の大きさの表示としては、アル
ファベット等の文字を用いた表示以外に、小さいサイズ
の欠陥(異物等)と判定した場合は青、中サイズでは
緑、大サイズでは赤というように、色分けによる表示で
各表示セル毎に欠陥を表してもよい。次に、レチクル1
上の各セル内の欠陥を図1の観察部15を用いて観察し
たい場合は、オペレータはキーボード28を介して主制
御系22に観察開始のコマンドを入力する。これに応じ
て、主制御系22は、0.1mm角のセルE(i,j)
毎の欠陥データに基づいて、しかも、セル内の最大の欠
陥の大きい順(欠陥サイズの大きい順)に、当該セルを
観察部15の観察視野15aに移動する。現在観察中の
欠陥が全体のどの位置なのかは、図5(a)の矢印のカ
ーソル21が示している。更に、表示画面上で大きなウ
ィンドウ18の近くに、図5(b)のウィンドウ22で
示すように、レチクル1上の0.1mm角のセルを単位
とした欠陥表示も行っている。このレチクル1上のセル
単位のウィンドウ22内でも、矢印のカーソル23によ
り現在観察中のセルを示している。Of course, in addition to the display using letters such as alphabets, the size of the defect is displayed as blue when it is determined as a small size defect (for example, foreign matter), green when the size is medium, and red when the size is large. As described above, a defect may be represented for each display cell by the color-coded display. Next, reticle 1
When the operator wants to observe the defect in each cell above using the observing section 15 of FIG. 1, the operator inputs a command to start observation to the main control system 22 via the keyboard 28. In response to this, the main control system 22 controls the cell E (i, j) of 0.1 mm square.
The cells are moved to the observation visual field 15a of the observing unit 15 based on the defect data for each of the cells and in the order of the largest defects in the cell (the order of the largest defect size). The position of the entire defect currently being observed is indicated by the arrow cursor 21 in FIG. Further, near the large window 18 on the display screen, as shown by a window 22 in FIG. 5B, a defect display is also performed in units of 0.1 mm square cells on the reticle 1. Also in the cell-based window 22 on the reticle 1, the cursor 23 of the arrow indicates the cell currently being observed.
【0047】更に順次観察していくとき、いまどの程度
まで(何個まで)観察し終わったかが分かるようにして
おくとよい。例えば、図5(a)で観察終了セルをウィ
ンドウ19から消していく。大きい順に観察していくと
き、例えば図5(b)のように、5mm角表示ではCラ
ンク表示でも0.1mm角表示だと5mm角の中にCラ
ンク2個、Bランク1個の欠陥がある場合、Cランク2
個を観察し終わるとウィンドウ19のCランクのセルは
残りがBランク1個なのでBランク表示に変わり、ウィ
ンドウ19からはまだ欠陥を有する表示セルは消えない
が、ウィンドウ22からはCランクの表示セルが消え
る。このウィンドウ19から欠陥を有する表示セルが全
部消えたら、全て観察し終わったことになる。なお、セ
ル表示を消さなくとも観察し終わったセルの色を変えた
り点滅させたりして識別可能な形で残しておいてもよ
い。あるいはセルを消す代わりに(あるいはセルを消す
のと同時に)ウィンドウ20の5mm角、0.1mm角
のA,B,Cランクの各個数を観察し終わった順に数を
減らしていき、後いくつ残っているのかが分かるように
してもよい。When further observing, it is preferable to know how much (up to how many) the observation has been completed. For example, the observation end cell is deleted from the window 19 in FIG. When observing in the descending order, for example, as shown in FIG. 5 (b), even if the C rank display is 5 mm square display, if the display is 0.1 mm square, two defects of C rank and one B rank are found in 5 mm square. If yes, C rank 2
After observing the cells, the remaining cells of the C rank of the window 19 are changed to the B rank display because the remaining one is the B rank, and the display cell having the defect still does not disappear from the window 19, but the C rank display from the window 22. The cell disappears. When all the display cells having a defect disappear from the window 19, it means that the observation is completed. It should be noted that even if the cell display is not erased, the color of the cell that has been observed may be changed or blinked to leave it in an identifiable form. Alternatively, instead of erasing the cell (or at the same time as erasing the cell), the number of A, B, and C ranks of 5 mm square and 0.1 mm square of the window 20 is reduced in the order in which they have been observed, and the remaining number remains. You may be able to know whether or not.
【0048】なお、カーソル21,23の代わりに、色
分けにより観察位置を表示してもよく、あるいは表示の
点滅によって観察位置を示してもよい。あるいは、図3
(a)及び(b)のような表示形式ではなく、テーブル
(表)形式で欠陥を表示又は出力しているときには、観
察中の欠陥が識別可能なようにそのテーブルの近くに観
察位置を示す図を表示又は出力してもよい。Instead of the cursors 21 and 23, the observation position may be displayed in different colors, or the observation position may be indicated by blinking the display. Alternatively, FIG.
When the defects are displayed or output in a table format rather than the display formats as in (a) and (b), the observation position is shown near the table so that the defect under observation can be identified. You may display or output a figure.
【0049】また、本実施例では図4(a)において、
レチクル1上のセルE(i,j)内には大小が異なる複
数の欠陥が含まれていることがある。このような場合で
も、そのセルの大きさは観察部15の観察視野15aよ
りも小さく、そのセル内の領域全部を1つの観察視野1
5aで観察できるため、複数の異物を同時に観察するこ
とができる。Further, in this embodiment, as shown in FIG.
A cell E (i, j) on the reticle 1 may include a plurality of defects of different sizes. Even in such a case, the size of the cell is smaller than the observation visual field 15a of the observation unit 15, and the entire area in the cell is one observation visual field 1a.
Since it can be observed with 5a, it is possible to observe a plurality of foreign substances at the same time.
【0050】勿論、観察者は、そのセル中で幾つの異物
が検出されているのかを実際に観察するまでは知ること
ができないが、既述したような比較的高い観察倍率で
は、複数の異物の発見は極めて容易である。このとき、
観察視野15aに対するレチクル1の移動は、各セルE
(i,j)の中心座標に基づいている。つまり、セルを
単位として、X座標及びY座標が決定されているので、
セルE(i,j)の中心座標が観察視野15aの中心に
合致するように図1の駆動部3,26が制御される。Obviously, the observer cannot know how many foreign matters are detected in the cell until he / she actually observes them, but at a relatively high observation magnification as described above, a plurality of foreign matters are detected. Is extremely easy to find. At this time,
The movement of the reticle 1 with respect to the observation visual field 15a is performed by each cell E
It is based on the center coordinates of (i, j). That is, since the X coordinate and the Y coordinate are determined in units of cells,
The drive units 3 and 26 of FIG. 1 are controlled so that the center coordinates of the cell E (i, j) match the center of the observation visual field 15a.
【0051】本実施例における一連の欠陥検査動作は次
の〜のステップにまとめられる。 光ビーム走査により欠陥検出を行う。 0.1mm角(又は0.5mm角)のセル毎に最大の
欠陥を判定する。 セル毎に第1メモリ23へ欠陥データを格納する。 欠陥サイズにより順位付け(大きい順での順位付け)
を行う。 CRTディスプレイ14にマップ表示を行う。 観察指定があった場合、ステップでの順位に従って
該当するセルの中央へ観察視野15aの中心を移動す
る。 目視、又は画像観察により欠陥の良、不良を判定す
る。不良の場合はそれ以降の処理を中止可能にする。A series of defect inspection operations in this embodiment are summarized in the following steps (1) to (3). Defect detection is performed by light beam scanning. The largest defect is determined for each 0.1 mm square (or 0.5 mm square) cell. The defective data is stored in the first memory 23 for each cell. Ranking by defect size (ranking in descending order)
I do. A map is displayed on the CRT display 14. When the observation is designated, the center of the observation visual field 15a is moved to the center of the corresponding cell according to the order in the step. The defect is judged to be good or bad by visual observation or image observation. If it is defective, the subsequent processing can be stopped.
【0052】以上のステップにおいて、ステップでの
観察指定は自動(オート)と手動(マニュアル)とを選
択可能にしておくとよい。例えば、自動と指定した場
合、順位付け通り順次観察していき、手動と指定した場
合は、特に優先的に観察したいセルをマウスやカーソル
等を用いて指定する方法を用いる。指定後、そのセルの
中心座標が観察視野15aの中心と合致するようにレチ
クル1及び観察部15を移動する。この手動指定による
方法は、他の隣接している欠陥を観察する場合に有効で
ある。その意味では、欠陥の大きさに依らずラスタース
キャン的に順次観察してもよい。In the above steps, it is preferable that the observation designation in each step be selectable between automatic and manual. For example, when automatic is designated, observation is performed sequentially according to the ranking, and when manual is designated, a method of particularly preferentially observing a cell using a mouse or a cursor is used. After the designation, the reticle 1 and the observation unit 15 are moved so that the center coordinates of the cell coincide with the center of the observation visual field 15a. This manual designation method is effective when observing other adjacent defects. In that sense, the raster scan may be sequentially performed regardless of the size of the defect.
【0053】また、レチクル1には転写領域(パターン
領域)があり、転写領域以外の領域には異物等の欠陥が
あっても差し支えない。しかしながら、その転写領域と
欠陥検査領域とが一致するとは限らない。例えば、図4
(a)においては、転写領域は80mm×90mmの大
きさであるが、検査時はできるだけ広い領域を検査した
いため、検査領域を100mm×100mmの領域と指
定した。但し、欠陥管理上重要なのは、レチクル1の転
写領域内における欠陥の有無であるため、図1の観察部
15による観察を転写領域を優先して行いたい場合もあ
る。この場合には、先ず転写領域内の欠陥を選択し、大
きいサイズの順に観察部15で観察した後、転写領域外
で検出された欠陥を大きいサイズの順に観察部15で観
察するとといったように、観察順序にプライオリティを
つけてもよい。Further, the reticle 1 has a transfer area (pattern area), and there is no problem even if there is a defect such as a foreign substance in an area other than the transfer area. However, the transfer area and the defect inspection area do not always match. For example, in FIG.
In (a), the transfer area has a size of 80 mm × 90 mm, but since it is desired to inspect as wide an area as possible at the time of inspection, the inspection area is designated as an area of 100 mm × 100 mm. However, what is important for defect management is the presence / absence of defects in the transfer area of the reticle 1. Therefore, in some cases, the transfer area may be preferentially observed by the observation unit 15 in FIG. In this case, first, the defect in the transfer area is selected, and the observation section 15 observes the defects in the order of the larger size, and then the defects detected outside the transfer area are observed in the observation section 15 in the order of the larger size. The order of observation may be prioritized.
【0054】なお、上述実施例の変形例として、図4
(a)のセルE(i,j)を5mm角や1mm角等のよ
うに比較的大きくし、マップ表示の際は、各セル中の検
出信号の最大のサンプル値のみをそのセルの代表値とし
て例えば図5(a)のウィンドウ19のように表示する
ようにしてもよい。この場合、実際のデータとしては、
図5(a)の表示セルに対応するレチクル1上のセルの
大きさよりも微細な領域(0.1mm角等)の中心座標
毎に欠陥データを保存しておき、オペレータの指定によ
りその微細な領域単位で欠陥を観察できるようにしてお
く。As a modification of the above embodiment, FIG.
The cell E (i, j) in (a) is made relatively large, such as 5 mm square or 1 mm square, and at the time of map display, only the maximum sample value of the detection signal in each cell is represented as the representative value of that cell. As an example, it may be displayed as in the window 19 of FIG. In this case, the actual data is
Defect data is stored for each central coordinate of a region (0.1 mm square or the like) finer than the size of the cell on the reticle 1 corresponding to the display cell in FIG. 5A, and the fine data is specified by the operator. Make it possible to observe defects in area units.
【0055】その具体的な応用例として、画像処理方式
による欠陥検査がある。この画像処理方式では所定の観
察視野(以下、「画像視野」と呼ぶ)を有する撮像装置
を用いて、2次元画像で順次レチクル1の全面の画像を
取り込み、画像処理により異物等の欠陥を判定する。そ
の画像視野内の各画像が図4(a)のレチクル1上の各
セルに対応する。その各画像視野内の欠陥の位置、及び
大きさを求めておき、更に詳細に欠陥を観察する場合
は、その画像視野の観察倍率よりも高い観察倍率で、各
画像視野内の欠陥の位置に観察部15の観察視野を移動
する。As a specific application example thereof, there is a defect inspection by an image processing method. In this image processing method, an image pickup apparatus having a predetermined observation field of view (hereinafter, referred to as “image field of view”) is used to sequentially capture images of the entire surface of the reticle 1 as a two-dimensional image, and a defect such as a foreign substance is determined by image processing. To do. Each image in the image field corresponds to each cell on the reticle 1 in FIG. The position and size of the defect in each image field of view are obtained in advance, and when observing the defect in more detail, the position of the defect in each image field of view is set at an observation magnification higher than the observation magnification of the image field of view. The observation visual field of the observation unit 15 is moved.
【0056】その他に、欠陥を検出したときの画像デー
タをフレームメモリ等の画像記憶部に格納し、レチクル
1の全面を検査した後、その画像データを画像記憶部よ
り読み出して、TVモニター等にレチクル1の像を表示
するようにしてもよい。この方式で、更に高い観察倍率
でその画像視野内の欠陥を観察したいときは、カーソル
等により画像視野上の欠陥の位置を指定し、その位置を
観察部15の観察視野へ追い込んで高倍率での観察を行
う。また、欠陥を含む画像データを読み出したとき、T
Vモニター等の画像表示部上に欠陥の存在を示すマーク
(+印や矢印)、又は色別により他と識別可能な表示を
その欠陥位置に付すようにしてもよい。このとき、上述
実施例と同様に欠陥サイズの大きい順に、その欠陥を含
む画像視野を記憶部から読み出して表示するとよい。In addition, image data when a defect is detected is stored in an image storage unit such as a frame memory, the entire surface of the reticle 1 is inspected, and then the image data is read from the image storage unit and displayed on a TV monitor or the like. The image of the reticle 1 may be displayed. With this method, when it is desired to observe a defect in the image field of view at a higher observation magnification, the position of the defect in the image field of view is designated by a cursor or the like, and the position is moved into the observation field of the observation unit 15 to obtain high magnification. Observe. When the image data including the defect is read, T
A mark (+ mark or arrow) indicating the presence of a defect on the image display unit such as a V monitor, or a display that can be distinguished from others by color may be attached to the defect position. At this time, similarly to the above-described embodiment, it is preferable to read the image fields of view including the defects from the storage unit in the descending order of the defect size and display them.
【0057】なお、上述の画像処理方法の他にも多種の
画像処理方法がある。例えば、最も簡単な方法として
は、パターンの無いレチクル(ガラスブランクス)に対
して暗視野照明で欠陥検査を行う方法がある。この場
合、暗視野照明により異物等の欠陥のみが光るため、そ
の暗視野の画像を2値化処理することにより、欠陥のみ
を容易に抽出することができる。There are various image processing methods other than the above-mentioned image processing method. For example, the simplest method is to perform a defect inspection on a reticle (glass blanks) having no pattern by dark-field illumination. In this case, since only the defect such as a foreign substance is illuminated by the dark field illumination, only the defect can be easily extracted by binarizing the dark field image.
【0058】次に、本発明の第3実施例につき説明す
る。本実施例でも図1の欠陥検査装置を使用する。本実
施例の欠陥検査方法は、検査工程の時間短縮のために最
も効率の良い方法である。即ち、本実施例では、予め検
査前に良否判定基準を設けておく。例えば、検出された
欠陥のランク別に個数の制限を設け、Cランクの欠陥が
1個、Bランクの欠陥ならば2個以上あった場合は、そ
のレチクルを不良とするような良否判定基準を設ける。
この良否判定基準が満たされているかどうかの判定を行
うのは図1の主制御系22である。Next, a third embodiment of the present invention will be described. Also in this embodiment, the defect inspection apparatus of FIG. 1 is used. The defect inspection method of this embodiment is the most efficient method for shortening the time of the inspection process. That is, in this embodiment, a quality determination standard is set in advance before the inspection. For example, the number of detected defects is limited by rank, and if there is one C-rank defect and two or more B-rank defects, a pass / fail judgment criterion is set so that the reticle is defective. .
It is the main control system 22 in FIG. 1 that determines whether or not this quality determination criterion is satisfied.
【0059】そして、図1において、光ビーム走査によ
るレチクル1の検査を開始し、光ビームL2を少しでも
X方向に走査するか、又はレチクル1をY方向に少しで
も送った際に、その良否判定基準をオーバーした(満足
しなかった)場合は、その時点で光ビーム走査による検
査を中止し、観察部15による観察も行わないようにす
る。但し、今後のために不良原因の解析を行う場合のよ
うに、観察部15で観察したほうが良いこともあるの
で、前述の自動判定か手動判定かを選択できるようにし
ておくことが望ましい。具体的には、自動判定モード時
では、その良否判定基準をオーバーした時点で検査終了
とし、手動判定モード時では、自動判定モード時と同様
に検査終了にするか、又はそこまでの検査により検出さ
れた欠陥の観察ができるように、観察部15の観察視野
へレチクル1を移動するようにするとよい。Then, in FIG. 1, when the inspection of the reticle 1 by the light beam scanning is started and the light beam L2 is scanned in the X direction as much as possible, or when the reticle 1 is sent in the Y direction as little as possible, the quality is good or bad. If the criterion is exceeded (not satisfied), the inspection by the light beam scanning is stopped at that point and the observation by the observation unit 15 is not performed. However, since it may be better to observe with the observing unit 15 as in the case of analyzing the cause of the defect for the future, it is desirable to be able to select the above-mentioned automatic determination or manual determination. Specifically, in the automatic judgment mode, the inspection is ended when the quality criterion is exceeded, and in the manual judgment mode, the inspection is ended in the same manner as in the automatic judgment mode, or the inspection up to that point is detected. It is advisable to move the reticle 1 to the observation visual field of the observation unit 15 so that the observed defects can be observed.
【0060】なお、上述実施例の欠陥検査装置は、レチ
クルを収納するケースとレチクルケースからレチクルを
異物検査部へ搬送する搬送部を備えている場合が多い。
特にレチクルケースは複数個のレチクルケースをセット
できるような構成が多く、例えば5セット(5個のレチ
クルケース)セットできるとする。このとき5個のケー
スのすべてにレチクルを収納し、5枚連続検査する場
合、前述の自動判定モードに選択しておく。検査後に5
枚のうち良否判定基準と照合して良のレチクルは「良」
とラベル付け(データ上の処理)し、不良のレチクルは
「不良」とラベル付けして全てレチクルケースに戻して
おく。5枚の連続検査終了後、オペレータが検査データ
(ラベル)を見て、「不良」とラベル付けされたレチク
ルのデータを見て異物観察したい場合には、図5(a)
の表示に基づき、レチクルケースからレチクルを異物観
察部へ直接搬送し、既述した方法で異物観察できるよう
にしてもよい。勿論、「良」とラベル付けされたレチク
ルを異物観察したい場合もあるから、連続処理に限らず
一度検査した後、ケースに戻したレチクルをもう一度ケ
ースから搬送して異物観察できるように任意に選択でき
るようになっているとよい。これもまた大変メリットが
ある。なぜなら、異物付着零が前提となるようなレベル
では異物がレチクルにないのが当然なわけであり、とに
かく異物零なら観察せずに済む。異物があったときのみ
後にまとめて観察するとなれば、オペレータの都合のよ
い時間に観察すればよいため非常に有効となるからであ
る。The defect inspection apparatus of the above-described embodiments often includes a case for accommodating the reticle and a transfer section for transferring the reticle from the reticle case to the foreign matter inspection section.
In particular, the reticle case is often configured so that a plurality of reticle cases can be set, and for example, 5 sets (5 reticle cases) can be set. At this time, when the reticle is housed in all of the five cases and five sheets are continuously inspected, the automatic determination mode described above is selected. 5 after inspection
A good reticle is “good” by comparing it with the pass / fail judgment standard
Label (processing on the data), label the defective reticle as “defective” and return all to the reticle case. When the operator wants to observe the inspection data (label) and observe the data of the reticle labeled as "defective" after the continuous inspection of five sheets to observe the foreign matter,
Based on the display of, the reticle may be directly conveyed from the reticle case to the foreign matter observing section so that the foreign matter can be observed by the method described above. Of course, you may want to observe foreign matter on the reticle labeled as “good”. Therefore, it is not limited to continuous processing, but after inspecting once, the reticle returned to the case can be transported again from the case and arbitrarily selected for foreign matter observation. I hope I can do it. This is also very advantageous. This is because it is natural that no foreign matter is present in the reticle at a level where zero foreign matter is attached, and any observation of zero foreign matter is unnecessary. This is because it would be very effective if the observations are made collectively only when there is a foreign matter, since the observations can be made at a time convenient for the operator.
【0061】なお、上述実施例では、欠陥検査の対象が
レチクルであるが、欠陥検査の対象がウエハ又はプリン
ト基板のような場合でも、本発明を同様に適用すること
ができる。このように本発明は上述実施例に限定され
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り
得る。Although the target of the defect inspection is the reticle in the above-mentioned embodiment, the present invention can be similarly applied even when the target of the defect inspection is a wafer or a printed circuit board. As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various configurations can be taken without departing from the gist of the present invention.
【0062】[0062]
【発明の効果】本発明の第1の欠陥検査方法によれば、
検出された欠陥を大きい順に観察し、不良箇所があった
時点で欠陥検査を終了しているため、検査時間が全体と
して短縮できる利点がある。また、第2の欠陥検査方法
によれば、各セル毎に最大の欠陥を検出し、最大の欠陥
の大きい順にセル単位で観察を行い、不良箇所があった
時点で欠陥検査を終了しているため、検査時間が全体と
して短縮できる利点がある。According to the first defect inspection method of the present invention,
Since the detected defects are observed in descending order and the defect inspection is finished when there is a defective portion, there is an advantage that the inspection time can be shortened as a whole. Further, according to the second defect inspection method, the largest defect is detected for each cell, the cells are observed in the unit of the largest largest defect, and the defect inspection is completed when there is a defective portion. Therefore, there is an advantage that the inspection time can be shortened as a whole.
【0063】また、第3の欠陥検査方法によれば、欠陥
の個数が許容個数を超えるか、欠陥の大きさが許容値を
超えた場合に、欠陥検査を終了しているため、検査時間
が全体として短縮できる利点がある。また、本発明の第
1〜第3の欠陥検査装置によれば、それぞれ上述の第1
〜第3の欠陥検査方法が実施できる。According to the third defect inspection method, the defect inspection is completed when the number of defects exceeds the allowable number or the size of the defects exceeds the allowable value. There is an advantage that it can be shortened as a whole. Further, according to the first to third defect inspection apparatuses of the present invention, the above-mentioned first
~ The third defect inspection method can be implemented.
【図1】本発明の実施例で使用される欠陥検査装置を示
す一部斜視図を含む構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram including a partial perspective view showing a defect inspection apparatus used in an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第1実施例のレチクル1の欠陥分布の
例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an example of defect distribution of the reticle 1 according to the first embodiment of the present invention.
【図3】(a)は第1実施例で第1メモリ23に格納さ
れる欠陥データを示す図、(b)は第2メモリ24に格
納される欠陥データを示す図である。3A is a diagram showing defect data stored in a first memory 23 in the first embodiment, and FIG. 3B is a diagram showing defect data stored in a second memory 24. FIG.
【図4】(a)は第2実施例でのレチクル1のセル分割
の一例を示す平面図、(b)はセルE(i,j)内での
欠陥分布の一例を示す拡大平面図、(c)はセルE
(i,j)に割り当てられる欠陥の検出信号を示す図で
ある。FIG. 4A is a plan view showing an example of cell division of the reticle 1 in the second embodiment, and FIG. 4B is an enlarged plan view showing an example of defect distribution in the cell E (i, j). (C) is cell E
It is a figure which shows the detection signal of the defect assigned to (i, j).
【図5】(a)は第2実施例での欠陥の表示マップの一
部を示す図、(b)はその表示マップの他の部分を示す
図である。5A is a diagram showing a part of a defect display map in the second embodiment, and FIG. 5B is a diagram showing another part of the display map.
【図6】従来の欠陥検査装置の一例を示す一部斜視図を
含む構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram including a partial perspective view showing an example of a conventional defect inspection apparatus.
【図7】従来の欠陥の表示マップの一例を示す図であ
る。FIG. 7 is a diagram showing an example of a conventional defect display map.
1 レチクル 2 ステージ 4 測長装置 L1,L2 光ビーム 6 ガルバノスキャナ 8 走査レンズ 10 走査線 12 受光レンズ 13 光電検出器 15 観察部 21 欠陥判別回路 22 主制御系 23 第1メモリ 24 第2メモリ 27 ステージ制御部 1 Reticle 2 Stage 4 Length Measuring Device L1, L2 Light Beam 6 Galvano Scanner 8 Scanning Lens 10 Scanning Line 12 Photosensitive Lens 13 Photoelectric Detector 15 Observing Section 21 Defect Discriminating Circuit 22 Main Control System 23 First Memory 24 Second Memory 27 Stage Control unit
Claims (6)
し、前記被検面からの前記検査用の光の散乱光に基づい
て前記被検面上の欠陥を検出し、該検出された欠陥を所
定の倍率で観察する欠陥検査方法において、 前記被検面からの前記検査用の光の散乱光の光電変換信
号に基づいて前記被検面上の欠陥の大きさを判別し、 前記検出された欠陥が複数個ある場合に、前記判別結果
に基づいて前記検出された欠陥を欠陥の大きい順に前記
所定の倍率で観察し、 該観察の結果不良箇所があったときに前記被検物の欠陥
検査を終了することを特徴とする欠陥検査方法。1. A test surface of a test object is irradiated with inspection light, and a defect on the test surface is detected based on scattered light of the inspection light from the test surface, In a defect inspection method for observing the detected defect at a predetermined magnification, the size of the defect on the surface to be inspected is determined based on a photoelectric conversion signal of scattered light of the inspection light from the surface to be inspected. Then, when there are a plurality of the detected defects, the detected defects are observed at the predetermined magnification in the descending order of the defects based on the determination result, and when there is a defective portion as a result of the observation, the defect is detected. A defect inspection method characterized by terminating a defect inspection of an object to be inspected.
し、前記被検面からの前記検査用の光の散乱光に基づい
て前記被検面上の欠陥を検出し、該検出された欠陥を所
定の倍率で観察する欠陥検査方法において、 前記被検面を所定の大きさの複数個のセルに分割し、 前記被検面からの前記検査用の光の散乱光の光電変換信
号に基づいて前記複数個のセル内の最大の欠陥の大きさ
をそれぞれ判別し、 前記複数個のセルの内で欠陥を含むセルを、前記判別の
結果内部の最大の欠陥の大きい順に前記所定の倍率で観
察し、 該観察の結果不良箇所があったときに前記被検物の欠陥
検査を終了することを特徴とする欠陥検査方法。2. The inspection surface of the inspection object is irradiated with inspection light, and a defect on the inspection surface is detected based on scattered light of the inspection light from the inspection surface, In the defect inspection method of observing the detected defect at a predetermined magnification, the surface to be inspected is divided into a plurality of cells having a predetermined size, and the scattered light of the inspection light from the surface to be inspected is divided. The size of the largest defect in each of the plurality of cells is determined based on the photoelectric conversion signal, and the cells including the defect in the plurality of cells are arranged in the descending order of the largest defects in the determination result. A defect inspection method characterized by observing at a predetermined magnification and terminating the defect inspection of the inspection object when there is a defective portion as a result of the observation.
し、前記被検面からの前記検査用の光の散乱光に基づい
て前記被検面上の欠陥を検出する方法において前記被検
面からの前記検査用の光の散乱光の光電変換信号に基づ
いて前記被検面上の欠陥の大きさを判別し、 前記検出された欠陥の個数が所定の許容個数を越えるこ
と、及び前記欠陥の内で前記判別された欠陥の大きさが
所定の許容値を越えるものが存在することの内少なくと
も一方が生じた場合に、前記被検物の欠陥検査を終了す
ることを特徴とする欠陥検査方法。3. A method of irradiating a test surface of a test object with inspection light, and detecting a defect on the inspection surface based on scattered light of the inspection light from the inspection surface. The size of a defect on the surface to be inspected is determined based on a photoelectric conversion signal of scattered light of the inspection light from the surface to be inspected, and the number of the detected defects exceeds a predetermined allowable number. And that at least one of the defects having the size of the determined defect exceeding a predetermined allowable value exists, the defect inspection of the inspection object is terminated. Characteristic defect inspection method.
る光走査手段と、前記被検面上での前記検査用の光の走
査位置を計測する走査位置計測手段と、前記被検面から
の前記検査用の光の散乱光を光電変換する受光手段と、
前記被検面を所定の倍率で観察する観察手段と、を有
し、前記受光手段及び前記走査位置計測手段の出力信号
に基づいて前記被検面上の欠陥及び該欠陥の位置を検出
し、該検出された欠陥を前記観察手段で観察する欠陥検
査装置において、 前記受光手段の出力信号に基づいて前記被検面上の欠陥
の大きさを判別する欠陥判別手段と、 該欠陥判別手段の判別結果及び前記走査位置計測手段の
出力信号に基づいて、前記被検面上の欠陥毎に該欠陥の
大きさ及び前記被検面上での位置を記憶する記憶手段
と、 前記記憶手段に記憶された欠陥の大きさと前記被検面上
での位置とに基づいて、前記欠陥を大きい順に観察でき
るように前記被検物と前記観察手段との位置関係を制御
する制御手段と、を有することを特徴とする欠陥検査装
置。4. Optical scanning means for scanning inspection light on a surface to be inspected of an object to be inspected, and scanning position measuring means for measuring a scanning position of the inspection light on the surface to be inspected, Light receiving means for photoelectrically converting scattered light of the inspection light from the surface to be inspected,
An observation means for observing the surface to be inspected at a predetermined magnification, and detecting a defect and a position of the defect on the surface to be inspected based on output signals of the light receiving means and the scanning position measuring means, In a defect inspection apparatus for observing the detected defect by the observing means, a defect determining means for determining a size of the defect on the surface to be inspected based on an output signal of the light receiving means, and a determining operation of the defect determining means. Storage means for storing the size of the defect and the position on the surface to be inspected for each defect on the surface to be inspected, based on the result and the output signal of the scanning position measuring means, and stored in the storage means. Based on the size of the defect and the position on the surface to be inspected, control means for controlling the positional relationship between the object to be inspected and the observation means so that the defects can be observed in descending order. Characteristic defect inspection equipment.
る光走査手段と、前記被検面上での前記検査用の光の走
査位置を計測する走査位置計測手段と、前記被検面から
の前記検査用の光の散乱光を光電変換する受光手段と、
前記被検面を所定の倍率で観察する観察手段と、を有
し、前記受光手段及び前記走査位置計測手段の出力信号
に基づいて前記被検面上の欠陥及び該欠陥の位置を検出
し、該検出された欠陥を前記観察手段で観察する欠陥検
査装置において、 前記受光手段の出力信号に基づいて前記被検面上の欠陥
の大きさを判別する欠陥判別手段と、 前記被検面を所定の大きさの複数のセルに分割し、前記
欠陥判別手段の判別結果及び前記走査位置計測手段の出
力信号に基づいて、前記複数のセル内で欠陥を有するセ
ル毎に該セル内の最大の欠陥の大きさ及び該セルの前記
被検面上での位置を記憶する記憶手段と、 前記記憶手段に記憶された欠陥の大きさと前記被検面上
でのセルの位置とに基づいて、前記欠陥を有するセルを
該セル内の最大の欠陥の大きい順に観察できるように前
記被検物と前記観察手段との位置関係を制御する制御手
段と、を有することを特徴とする欠陥検査装置。5. Optical scanning means for scanning inspection light on a surface to be inspected of an inspection object, and scanning position measuring means for measuring a scanning position of the inspection light on the inspection surface, Light receiving means for photoelectrically converting scattered light of the inspection light from the surface to be inspected,
An observation means for observing the surface to be inspected at a predetermined magnification, and detecting a defect and a position of the defect on the surface to be inspected based on output signals of the light receiving means and the scanning position measuring means, In the defect inspection device for observing the detected defect by the observing means, a defect determining means for determining a size of a defect on the surface to be inspected based on an output signal of the light receiving means, and the surface to be inspected are predetermined. A plurality of cells having the same size, and based on the determination result of the defect determining means and the output signal of the scanning position measuring means, for each cell having a defect in the plurality of cells, the largest defect in the cell And a storage unit that stores the size of the cell and the position of the cell on the test surface, and the defect based on the size of the defect stored in the storage unit and the position of the cell on the test surface. The cell with the largest of the largest defects in the cell Defect inspection apparatus characterized by and a control unit operable to control the positional relationship between the test object and the observation means so as to be observed.
る光走査手段と、前記被検面上での前記検査用の光の走
査位置を計測する走査位置計測手段と、前記被検面から
の前記検査用の光の散乱光を光電変換する受光手段と、
を有し、前記受光手段及び前記走査位置計測手段の出力
信号に基づいて前記被検面上の欠陥及び該欠陥の位置を
検出する欠陥検査装置において、 前記受光手段の出力信号に基づいて前記被検面上の欠陥
の大きさを判別する欠陥判別手段と、 該欠陥判別手段の判別結果及び前記走査位置計測手段の
出力信号に基づいて、前記被検面上の欠陥毎に該欠陥の
大きさ及び前記被検面上での位置を記憶する記憶手段
と、 前記記憶手段に記憶された欠陥の個数を所定の許容個数
と比較する第1の比較手段と、 前記記憶手段に記憶された欠陥の内で最大の欠陥の大き
さを所定の許容値と比較する第2の比較手段と、を有す
ることを特徴とする欠陥検査装置。6. An optical scanning means for scanning inspection light on a surface to be inspected of an inspection object, and a scanning position measuring means for measuring a scanning position of the inspection light on the inspection surface, Light receiving means for photoelectrically converting scattered light of the inspection light from the surface to be inspected,
In the defect inspection apparatus for detecting a defect on the surface to be inspected and the position of the defect based on the output signals of the light receiving means and the scanning position measuring means, the defect inspection apparatus based on the output signal of the light receiving means. Defect discriminating means for discriminating the size of the defect on the inspection surface, and the defect size for each defect on the inspection surface based on the discrimination result of the defect discriminating means and the output signal of the scanning position measuring means. And storage means for storing the position on the surface to be inspected, first comparing means for comparing the number of defects stored in the storage means with a predetermined allowable number, and of the defects stored in the storage means And a second comparing means for comparing the maximum defect size in the inside with a predetermined allowable value.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5263366A JPH07120403A (en) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | Defect inspection method and device therefor |
US08/318,551 US5663569A (en) | 1993-10-14 | 1994-10-05 | Defect inspection method and apparatus, and defect display method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5263366A JPH07120403A (en) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | Defect inspection method and device therefor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07120403A true JPH07120403A (en) | 1995-05-12 |
Family
ID=17388496
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5263366A Withdrawn JPH07120403A (en) | 1993-10-14 | 1993-10-21 | Defect inspection method and device therefor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07120403A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017129369A (en) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 株式会社東芝 | Defect inspection device, defect inspection method, and defect inspection program |
-
1993
- 1993-10-21 JP JP5263366A patent/JPH07120403A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017129369A (en) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 株式会社東芝 | Defect inspection device, defect inspection method, and defect inspection program |
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