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JPH07119848B2 - Manufacturing method of quartz optical waveguide - Google Patents

Manufacturing method of quartz optical waveguide

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Publication number
JPH07119848B2
JPH07119848B2 JP61212210A JP21221086A JPH07119848B2 JP H07119848 B2 JPH07119848 B2 JP H07119848B2 JP 61212210 A JP61212210 A JP 61212210A JP 21221086 A JP21221086 A JP 21221086A JP H07119848 B2 JPH07119848 B2 JP H07119848B2
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JP
Japan
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glass film
glass
film
silicon substrate
cladding
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JP61212210A
Other languages
Japanese (ja)
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JPS6366512A (en
Inventor
誠 塚本
正司 三木
浩司 岡村
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 概要 シリコン基板上に石英系光導波路を製造する方法であっ
て、シリコン基板上に透明なガラス膜を量産性良く形成
するため、予めシリコン基板上に厚さ1.0μm以上の熱
酸化膜を形成した後、その上にクラッド用及びコア用の
多孔質ガラス膜を形成することにより、常に安定して透
明ガラス膜を得るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Overview A method for manufacturing a silica-based optical waveguide on a silicon substrate, which has a thickness of 1.0 μm or more previously formed on the silicon substrate in order to form a transparent glass film on the silicon substrate with good mass productivity. The transparent glass film is always stably obtained by forming the porous glass film for the cladding and the core on the thermal oxide film after forming the thermal oxide film.

産業上の利用分野 本発明は光通信用デバイス等に使用される光導波路、特
に石英系ガラスより形成される光導波路の製造方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical waveguide used for an optical communication device or the like, particularly an optical waveguide formed of silica glass.

近年光通信の進展に伴い、光分岐・結合回路や光分波・
合波器等の光部品を大量且つ安価に供給することが要求
されている。従来これらの光部品の組合せからなるバル
ク型光部品が用いられていた。しかし、これらのバルク
型光部品は、組立て調整に長時間を要するために生産性
が悪く、光部品の高価格化を招き、また小型化も難しい
ため光通信方式の諸分野への発展が阻害されていた。最
近、上記の問題を解決する方法として、平面基板上に光
導波路を作成すると共に、この平面基板上に発光素子、
受光素子等の各種機能素子を搭載し、光導波路端部を光
ファイバと結合させる光モジュールが開発されている。
このように光導波路の利用形態が、最近になり益々発展
してきているため、効率良く光導波路を製造することの
できる光導波路製造方法が要望されている。
With the progress of optical communication in recent years, optical branching / coupling circuits and optical demultiplexing
It is required to supply optical components such as multiplexers in large quantities at low cost. Conventionally, a bulk type optical component composed of a combination of these optical components has been used. However, since these bulk type optical components require a long time for assembly and adjustment, the productivity is poor, the cost of the optical components is increased, and the miniaturization is difficult, which hinders the development of various fields of the optical communication system. It had been. Recently, as a method of solving the above problems, an optical waveguide is formed on a flat substrate, and a light emitting element is formed on the flat substrate.
An optical module has been developed which is equipped with various functional elements such as a light receiving element and which couples an end portion of an optical waveguide with an optical fiber.
Since the usage of the optical waveguide has been developed more and more recently in recent years, there is a demand for an optical waveguide manufacturing method capable of efficiently manufacturing the optical waveguide.

従来の技術 従来の石英系光導波路用のガラス膜形成方法としては、
シリコン基板上に直接ガラス膜を形成する方法と、多孔
質ガラス膜を形成した後、これを高温に加熱して焼結
し、透明ガラス膜を形成する方法とが知られている。
Conventional Technology As a conventional glass film forming method for a silica-based optical waveguide,
There are known a method of directly forming a glass film on a silicon substrate and a method of forming a porous glass film and then heating the porous glass film to sinter it to form a transparent glass film.

前者の方法の一例を挙げると、まずシリコン基板を水蒸
気雰囲気中で加熱することにより熱酸化させて厚さ4.5
μmのクラッド用ガラスを形成した後、その上にTiを添
加したSiO2ガラスをスパッタリングにより形成してコア
ガラス膜とする。光導波路とするためには、以上のよう
にしてシリコン基板上に形成したガラス膜をリソグラフ
ィーにより、積層されたクラッド用及びコア用ガラス膜
を所定形状にパターン化し、続いてSiO2ガラスを該パタ
ーン上にCVD法等により形成しクラッドガラスとするこ
とにより、光導波路を得ている。
As an example of the former method, first, a silicon substrate is heated in a steam atmosphere to be thermally oxidized to a thickness of 4.5.
After forming a cladding glass having a thickness of μm, a SiO 2 glass containing Ti is formed thereon by sputtering to form a core glass film. In order to obtain an optical waveguide, the glass film formed on the silicon substrate as described above is patterned by lithography to form a laminated glass film for cladding and core into a predetermined shape, and then the SiO 2 glass is used to form the pattern. An optical waveguide is obtained by forming a cladding glass on the above by a CVD method or the like.

後者の方法においては、第2図に示すような装置を使用
する。第2図において、6はターンテーブルであり、図
示矢印方向に間欠的に回転される。ターンテーブル6上
にはシリコン基板1が複数個載置されており、このシリ
コン基板1上に火炎加水分解用バーナ5によりH2、O2
びSiCl4等の原料ガスを吹き付けて堆積させる。まずシ
リコン基板1上にクラッド用多孔質ガラス膜を堆積さ
せ、続いて組成を変えてコア用多孔質ガラス膜を堆積さ
せる。続いてシリコン基板1を約1300℃に加熱して、多
孔質ガラス膜を焼結して透明ガラスにする。光導波路と
するためには、このようにしてシリコン基板上に形成し
た透明ガラス膜をリソグラフィーにより所定形状にパタ
ーン化し、続いてこのパターン上にSiO2ガラスをCVD法
等により形成しクラッドガラスとして、石英ガラス系光
導波路が得られる。
In the latter method, a device as shown in FIG. 2 is used. In FIG. 2, 6 is a turntable, which is intermittently rotated in the direction of the arrow shown. A plurality of silicon substrates 1 are placed on the turntable 6, and source gases such as H 2 , O 2 and SiCl 4 are sprayed and deposited on the silicon substrate 1 by a flame hydrolysis burner 5. First, a porous glass film for cladding is deposited on the silicon substrate 1, and then a porous glass film for core is deposited by changing the composition. Then, the silicon substrate 1 is heated to about 1300 ° C. to sinter the porous glass film into transparent glass. In order to form an optical waveguide, the transparent glass film thus formed on the silicon substrate is patterned into a predetermined shape by lithography, and subsequently SiO 2 glass is formed on this pattern by a CVD method or the like as a clad glass, A quartz glass optical waveguide is obtained.

発明が解決しようとする問題点 従来のガラス膜形成方法のうち、直接シリコン基板上に
ガラス膜を形成する方法では、透明度の良いガラス膜が
比較的簡単に形成できるが、作業性が悪いという欠点が
あった。例えば、厚さ4.5μmのクラッド用ガラスを形
成するのに、約25時間要しさらにコアガラスの堆積速度
も非常に小さい。
Problems to be Solved by the Invention Among the conventional glass film forming methods, in the method of directly forming a glass film on a silicon substrate, a glass film with good transparency can be formed relatively easily, but workability is poor. was there. For example, it takes about 25 hours to form a cladding glass having a thickness of 4.5 μm, and the deposition rate of the core glass is very low.

シリコン基板上に多孔質ガラスをまず形成してからこれ
を透明ガラス化する方法では、厚さ4.5μmの透明なク
ラッドガラス、厚さ45μmの透明なコアガラスを形成す
るのに、約2時間あれば十分である。しかしこの方法で
は、透明ガラス化条件を厳しく制御する必要がある。
In the method in which porous glass is first formed on a silicon substrate and then made into transparent glass, it takes about 2 hours to form a transparent clad glass with a thickness of 4.5 μm and a transparent core glass with a thickness of 45 μm. Is enough. However, this method requires strict control of transparent vitrification conditions.

例えば、SiO2−P2O5−B2O3から成る多孔質ガラスをシリ
コン基板上に形成し、1260℃で15分間加熱したところ、
シリコン基板上の一部では透明なガラス膜が形成できた
が、一部では焼結が完了せず不透明であった。引続いて
同一温度で15分間加熱したところ、今度は以前に透明な
ガラス膜ができていたところのガラスが多数の気泡を含
み、以前に不透明であったところが透明なガラス膜にな
っているのが観察された。
For example, when a porous glass composed of SiO 2 —P 2 O 5 —B 2 O 3 was formed on a silicon substrate and heated at 1260 ° C. for 15 minutes,
Although a transparent glass film could be formed on a part of the silicon substrate, sintering was not completed and it was opaque on a part. When subsequently heated at the same temperature for 15 minutes, the glass where the transparent glass film was previously made contained many bubbles, and the previously opaque place became the transparent glass film. Was observed.

また同じ組成のガラスを、1290℃で15分間加熱したとこ
ろ、やはり一部は気泡を含み、一部は透明なガラス膜に
なっているのが観察された。以上のようにこの方法では
シリコン基板上に安定して透明なガラス膜を形成するの
が困難であるという問題がある。
Further, when glass having the same composition was heated at 1290 ° C. for 15 minutes, it was observed that a part thereof also contained bubbles and a part thereof became a transparent glass film. As described above, this method has a problem that it is difficult to stably form a transparent glass film on a silicon substrate.

本発明はこのような点に鑑みなされたものであり、その
目的とするとろは、作業性が良くシリコン基板上に安定
して透明ガラス膜を形成することのできる石英系光導波
路の製造方法を提供することである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to provide a method for manufacturing a silica-based optical waveguide that has good workability and can stably form a transparent glass film on a silicon substrate. Is to provide.

問題点を解決するための手段 本発明によれば、シリコン基板1上に光導波路用のガラ
ス膜を形成するのに、加熱したシリコン基板1上に水蒸
気を吹込むことにより、第1図に示すように、予め厚さ
1.0μm以上の熱酸化膜(SiO2)2を形成する。その
後、熱酸化膜2上にクラッド用多孔質ガラス膜3、コア
用多孔質ガラス膜4を形成し、これらを高温に加熱して
焼結化することにより透明ガラス膜を得るようにしてい
る。
Means for Solving the Problems According to the present invention, in forming a glass film for an optical waveguide on the silicon substrate 1, by blowing water vapor onto the heated silicon substrate 1, the process shown in FIG. So that the thickness in advance
A thermal oxide film (SiO 2 ) 2 having a thickness of 1.0 μm or more is formed. After that, a porous glass film 3 for cladding and a porous glass film 4 for core are formed on the thermal oxide film 2, and these are heated to a high temperature and sintered to obtain a transparent glass film.

作用 このように熱酸化膜2をシリコン基板1上に形成する
と、熱酸化膜2とクラッド用多孔質ガラス膜3とが同質
材料から成るので概略同一な熱膨張係数を有するため、
焼結時にこの界面で気泡が発生することがなくなる。こ
のため、多孔質ガラスを高温で長時間加熱しても、ガラ
ス中に気泡が発生することがなく、多孔質ガラスの透明
ガラス化を容易に達成することができる。
When the thermal oxide film 2 is formed on the silicon substrate 1 as described above, the thermal oxide film 2 and the porous glass film for cladding 3 are made of the same material and have substantially the same thermal expansion coefficient.
No bubbles are generated at this interface during sintering. Therefore, even if the porous glass is heated at a high temperature for a long time, bubbles are not generated in the glass, and the transparent vitrification of the porous glass can be easily achieved.

実施例 以下本発明の実施例を詳細に説明することにする。Examples Hereinafter, examples of the present invention will be described in detail.

シリコン基板を水蒸気雰囲気中で1200℃で100分間加熱
して、シリコン基板上に厚さ1.0μmのSiO2熱酸化膜を
形成した。次にこの基板上に第2図に示すような装置を
使い、SiO2‐P2O5‐B2O3から成るクラッド用多孔質ガラ
ス、及びSiO2‐P2O5‐B2O3‐TiO4からなるコア用多孔質
ガラスを順次形成した。続いて、このように多孔質ガラ
ス膜が形成されたシリコン基板を1300℃で30分間加熱し
て多孔質ガラスを焼結して透明なクラッド用ガラス膜及
びコア用ガラス膜を形成した。これらのガラス膜は気泡
を含まず、また曇りのない透明なガラス膜より構成され
ているのが確認された。第1図は上述のようにしてシリ
コン基板上に形成されたガラス膜の断面図であり、シリ
コン基板1上に厚さ1.0μmの熱酸化膜2が形成されて
おり、この熱酸化膜上にクラッド用ガラス膜3及びコア
用ガラス膜4が積層されている。本実施例においては、
クラッド用ガラス膜3の厚さは4.5μm、コア用ガラス
膜4の厚さは45μmであった。
The silicon substrate was heated in a water vapor atmosphere at 1200 ° C. for 100 minutes to form a 1.0 μm thick SiO 2 thermal oxide film on the silicon substrate. Then use the device as shown in FIG. 2 on the substrate, cladding porous glass made of SiO 2 -P 2 O 5 -B 2 O 3 , and SiO 2 -P 2 O 5 -B 2 O 3 Porous glass for cores made of -TiO 4 was sequentially formed. Then, the silicon substrate on which the porous glass film was thus formed was heated at 1300 ° C. for 30 minutes to sinter the porous glass to form a transparent clad glass film and a core glass film. It was confirmed that these glass films were composed of a transparent glass film containing no bubbles and having no cloudiness. FIG. 1 is a cross-sectional view of the glass film formed on the silicon substrate as described above, in which the thermal oxide film 2 having a thickness of 1.0 μm is formed on the silicon substrate 1, and the thermal oxide film 2 is formed on the thermal oxide film. The clad glass film 3 and the core glass film 4 are laminated. In this embodiment,
The cladding glass film 3 had a thickness of 4.5 μm, and the core glass film 4 had a thickness of 45 μm.

種々実験した結果、熱酸化膜が1.0μm以上の厚さであ
れば、上述した実施例と同様にしてクラッド用及びコア
用の透明なガラス膜が容易に得られたが、熱酸化膜の厚
さがさらに薄く例えば0.8μmのときには、多孔質ガラ
スを加熱して透明ガラス化しようとすると、熱酸化膜の
全く形成されていないときと同じようにガラス膜中に気
泡が形成されてしまった。このため熱酸化膜の厚さは、
1.0μm以上が必要条件であり、その上限としては格別
な臨界値はないが、2.0μm以下が望ましい。
As a result of various experiments, if the thickness of the thermal oxide film was 1.0 μm or more, a transparent glass film for the clad and the core could be easily obtained in the same manner as in the above-mentioned embodiment. When the thickness is even thinner, for example, 0.8 μm, when trying to heat the porous glass into a transparent glass, bubbles are formed in the glass film as in the case where the thermal oxide film is not formed at all. Therefore, the thickness of the thermal oxide film is
1.0 μm or more is a necessary condition, and there is no particular critical value as the upper limit, but 2.0 μm or less is desirable.

このようにSi基板上にあらかじめ熱酸化膜SiO2を形成し
ておくと、上述したようにクラッド用多孔質ガラス膜は
その主成分としてSiO2を含むので、熱酸化膜とクラッド
用多孔質ガラス膜とが同質材料から成るので両者が概略
同一の熱膨張係数を有するため、焼結時に熱酸化膜とク
ラッド用ガラス膜との間に気泡が発生することはない。
即ち、熱酸化膜は緩衝材の役目を果たして焼結時のクラ
ッド用ガラス膜への歪みを少なくし、クラックの発生を
防止できると考えられる。しかし、熱酸化膜があまりに
薄い場合には、熱酸化膜が緩衝材としての役目を果たす
ことができず、クラックの発生が起こりうる。
When the thermal oxide film SiO 2 is previously formed on the Si substrate in this manner, the porous glass film for cladding contains SiO 2 as a main component as described above, so that the thermal oxide film and the porous glass for cladding are formed. Since the film and the film are made of the same material, they have substantially the same thermal expansion coefficient, so that no bubbles are generated between the thermal oxide film and the glass film for cladding during sintering.
That is, it is considered that the thermal oxide film plays the role of a cushioning material, reduces strain on the glass film for cladding during sintering, and prevents generation of cracks. However, if the thermal oxide film is too thin, the thermal oxide film cannot serve as a buffer material, and cracks may occur.

本実施例では、基板としてシリコン基板を採用している
が、シリコン基板は熱伝導が良く、GaAs系光半導体素子
を光導波路と組合せて使用するとき、熱放散性が良いと
いうメリットがあるためである。
In this embodiment, a silicon substrate is used as the substrate, but the silicon substrate has good heat conduction and has the advantage of good heat dissipation when using a GaAs optical semiconductor element in combination with an optical waveguide. is there.

このようにシリコン基板1上に熱酸化膜2、クラッド用
ガラス膜3、コア用ガラス膜4を形成した後、光導波路
とするためには、クラッド用ガラス膜3及びコア用ガラ
ス膜4をリソグラフィーにより所定形状にパターン化
し、次いでこのパターン上にSiO2ガラスをCVD法により
形成してクラッドガラスとすることにより光導波路を形
成した。
After the thermal oxide film 2, the cladding glass film 3 and the core glass film 4 are formed on the silicon substrate 1 in this way, the cladding glass film 3 and the core glass film 4 are lithographically processed to form an optical waveguide. Then, an optical waveguide was formed by patterning into a predetermined shape by, and then forming SiO 2 glass on this pattern by a CVD method to form a clad glass.

発明の効果 本発明は以上詳述したように、シリコン基板上に熱酸化
膜を形成し、この熱酸化膜上にクラッドガラス膜及びコ
ア用ガラス膜を形成するようにしたので、熱酸化膜とク
ラッド用ガラス膜とが概略同一の熱膨張係数を有するた
め、クラッド用ガラス膜と熱酸化膜との間に気泡が発生
することがなく、焼結時に熱酸化膜が緩衝材の役目を果
たし、透明なガラス膜を容易に形成できるという効果を
奏する。さらに多孔質ガラスをまず形成して、この多孔
質ガラスを焼結により透明化しているので、シリコン基
板上に直接ガラス膜を形成する方法に比較して生産性が
良いという効果もある。
EFFECTS OF THE INVENTION As described in detail above, according to the present invention, a thermal oxide film is formed on a silicon substrate, and a clad glass film and a core glass film are formed on the thermal oxide film. Since the glass film for cladding has approximately the same thermal expansion coefficient, no bubbles are generated between the glass film for cladding and the thermal oxide film, and the thermal oxide film serves as a buffer material during sintering. This has an effect that a transparent glass film can be easily formed. Furthermore, since the porous glass is first formed and the porous glass is made transparent by sintering, there is also an effect that the productivity is good as compared with the method of directly forming the glass film on the silicon substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明により形成された光導波路用ガラス膜断
面図、 第2図は多孔質ガラス膜堆積装置の概略構成図である。 1……シリコン基板、2……熱酸化膜(SiO2)、3……
クラッド用ガラス膜、4……コア用ガラス膜、5……火
炎加水分解用バーナ、6……ターンテーブル。
FIG. 1 is a sectional view of a glass film for an optical waveguide formed by the present invention, and FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a porous glass film deposition apparatus. 1 ...... silicon substrate, 2 ...... thermal oxide film (SiO 2), 3 ......
Glass film for clad, 4 ... Glass film for core, 5 ... Burner for flame hydrolysis, 6 ... Turntable.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡村 浩司 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−39605(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Koji Okamura 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Fujitsu Limited (56) References JP-A-60-39605 (JP, A)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】シリコン基板(1)上にクラッド用多孔質
ガラス膜(3)及びコア用多孔質ガラス膜(4)をこの
順に形成し、これらのガラス膜(3,4)を高温に加熱し
て焼結することにより透明ガラス膜とした後、リソグラ
フィーにより積層されたクラッド用及びコア用透明ガラ
ス膜を所定形状にパターン化し、次いで該パターン上に
クラッドガラスを積層する石英系光導波路の製造方法に
おいて、 前記シリコン基板(1)上に厚さ1.0μm以上の熱酸化
膜(2)を形成した後、 該熱酸化膜(2)上にクラッド用多孔質ガラス膜(3)
及びコア用多孔質ガラス膜(4)を形成し、 これらの多孔質ガラス膜(3,4)を高温に加熱して焼結
することを特徴とする石英系光導波路の製造方法。
1. A porous glass film (3) for cladding and a porous glass film (4) for core are formed in this order on a silicon substrate (1), and these glass films (3, 4) are heated to a high temperature. And then sintering to form a transparent glass film, and then patterning the transparent glass film for cladding and core laminated by lithography into a predetermined shape, and then laminating a cladding glass on the pattern In the method, after forming a thermal oxide film (2) having a thickness of 1.0 μm or more on the silicon substrate (1), a porous glass film (3) for cladding is formed on the thermal oxide film (2).
And a porous glass film (4) for a core, and heating the porous glass film (3, 4) to a high temperature to sinter the silica glass optical waveguide manufacturing method.
JP61212210A 1986-09-09 1986-09-09 Manufacturing method of quartz optical waveguide Expired - Lifetime JPH07119848B2 (en)

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JPS6366512A JPS6366512A (en) 1988-03-25
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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