JPH07119408B2 - Organic electroluminescent device - Google Patents
Organic electroluminescent deviceInfo
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- JPH07119408B2 JPH07119408B2 JP1075936A JP7593689A JPH07119408B2 JP H07119408 B2 JPH07119408 B2 JP H07119408B2 JP 1075936 A JP1075936 A JP 1075936A JP 7593689 A JP7593689 A JP 7593689A JP H07119408 B2 JPH07119408 B2 JP H07119408B2
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は新規な有機エレクトロルミネッセンス素子に関
するものである。さらに詳しくいえば、本発明は各種表
示装置の発光素子として好適な、黄色及び緑色発光を特
に低電圧で高輝度に出力しうる有機エレクトロルミネッ
センス素子に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a novel organic electroluminescent device. More specifically, the present invention relates to an organic electroluminescence device which is suitable as a light emitting device for various display devices and which can output yellow and green light with high brightness at a particularly low voltage.
[従来の技術] 近年、エレクトロルミネッセンス素子(以下、EL素子と
略称する)は自己発光のため視認性が高く、かつ完全固
体素子であるため、耐衝撃性に優れるなどの特徴を有す
ることから、各種表示装置における発光素子としての利
用が注目されている。[Prior Art] In recent years, electroluminescence elements (hereinafter abbreviated as EL elements) have high visibility because they self-lumineze, and because they are completely solid elements, they have features such as excellent impact resistance, Attention has been paid to its use as a light emitting element in various display devices.
このEL素子には、発光材料に無機化合物を用いて成る無
機EL素子と有機化合物を用いて成る有機EL素子とがあ
り、このうち、有機EL素子は印加電圧を大幅に低くしう
るために、その実用化研究が積極的になされている。This EL element includes an inorganic EL element that uses an inorganic compound as a light emitting material and an organic EL element that uses an organic compound. Among these, the organic EL element can significantly reduce the applied voltage, Research for its practical application is being actively conducted.
前記有機EL素子の構成については、陽極/発光層/陰極
の構成を基本と、これに正孔注入輸送層や電子注入輸送
層を適宜設けたもの、例えば陽極/正孔注入輸送層/発
光層/陰極や、陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注
入輸送層/陰極などの構成のものが知られている。該正
孔注入輸送層は、陽極より注入された正孔を発光層に伝
達する機能を有し、また、電子注入輸送層は陰極より注
入された電子を発光層に伝達する機能を有している。そ
して、該正孔注入輸送層を発光層と陽極との間に介在さ
せることによって、より低い電界で多くの正孔が発光層
に注入され、さらに、発光層に陰極又は電子注入輸送層
より注入された電子は、該発光層と正孔注入輸送層の界
面に存在する電子の障壁により、この発光層内の界面に
蓄積され発光効率が上がることが知られている[「アプ
ライド・フィジックス・レターズ」第51巻、第913ペー
ジ(1987年)]。Regarding the structure of the organic EL device, the structure of the anode / light emitting layer / cathode is basically used, and a hole injecting / transporting layer and an electron injecting / transporting layer are appropriately provided on the structure, for example, anode / hole injecting / transporting layer / light emitting layer. There are known structures such as / cathode and anode / hole injecting / transporting layer / light emitting layer / electron injecting / transporting layer / cathode. The hole injecting and transporting layer has a function of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer, and the electron injecting and transporting layer has a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. There is. By interposing the hole injecting and transporting layer between the light emitting layer and the anode, many holes are injected into the light emitting layer at a lower electric field, and further injected into the light emitting layer from the cathode or the electron injecting and transporting layer. It is known that the generated electrons are accumulated at the interface of the light emitting layer and the hole injecting and transporting layer due to the barrier of the electrons present at the interface, and the luminous efficiency is increased [“Applied Physics Letters”]. 51, 913 (1987)].
このような有機EL素子については、これまで種々のも
の、例えば(1)陽極/正孔注入帯域/発光帯域/陰極
の構成から成る積層型素子(特開昭59−194393号公
報)、(2)陽極/正孔注入輸送帯域/発光帯域/陰極
の構成を有し、かつ発光帯域が、電子と正孔を注入され
うる機能をもつホスト物質に、正孔と電子の再結合に応
答して発光する蛍光物質をドープしたものから成る積層
型素子、(3)発光材料として12−フタロプリノンを用
いた素子[「ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプラ
イド・フィジックス・レターズ(J.J.Appl.Phys.Let
t.)」第27巻、L713(1988年)]などが開示されてい
る。Various organic EL devices have been known so far, for example, (1) a laminated device having an anode / hole injection zone / emission zone / cathode configuration (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), (2). ) In response to recombination of holes and electrons, a host material having a structure of anode / hole injecting / transporting zone / emission zone / cathode, and the emission zone having a function capable of injecting electrons and holes, (3) A device using 12-phthalopurinone as a light-emitting material [3] A stacked device composed of a phosphor doped with a light-emitting material [“Japanese Journal of Applied Physics Letters (JJAppl.Phys.Let
t.) ”Vol. 27, L713 (1988)] and the like.
前記(1)の素子においては、約20V程度の低電圧で、
数百cd/m2の高輝度の青緑、青、橙色発光が得られてい
る。例えば正孔注入帯域にトリフェニルアミン誘導体
を、発光帯域にアルミニウムオキシン錯体を用いること
で、340cd/m2の緑色発光を、また、発光帯域にベンゾオ
キサゾール系蛍光増白剤を用いることで、高輝度の青
緑、橙色発光を実現している。一方、(2)の素子にお
いては低電圧で、高輝度の赤、緑、青緑の発光が得られ
ているが、(3)の素子においては印加電圧50V程度で
黄色の明所で視認できる出力1μW/cm2程度の発光が得
られているにすぎない。このように、従来の有機EL素子
においては、高出力の黄色発光はまだ得られていないの
が実状である。In the element of (1) above, at a low voltage of about 20 V,
High-luminance blue-green, blue, and orange luminescence of several hundred cd / m 2 are obtained. For example, by using a triphenylamine derivative in the hole injection zone and an aluminum oxine complex in the emission zone, green emission of 340 cd / m 2 can be obtained, and by using a benzoxazole-based fluorescent whitening agent in the emission zone, It has realized blue, green and orange light emission. On the other hand, in the device of (2), red, green, and blue-green light emission of high brightness are obtained at a low voltage, but in the device of (3), it can be visually recognized in a yellow bright place with an applied voltage of about 50V. Only light emission with an output of about 1 μW / cm 2 is obtained. As described above, in the conventional organic EL device, yellow light emission of high output has not yet been obtained.
[発明が解決しようとする課題] 本発明は、このような事情のもとで、黄色発光を、特に
低電圧で高輝度にて出力しうる新規な有機EL素子を提供
することを目的としてなされたものである。[Problems to be Solved by the Invention] Under the circumstances, the present invention has been made for the purpose of providing a novel organic EL element capable of outputting yellow light emission with high brightness, particularly at low voltage. It is a thing.
[課題を解決するための手段] 本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重
ねた結果、発光材料として、ジスチリルピラジン誘導体
を用いた有機EL素子が、高輝度の黄色及び緑色発光を低
電圧で出力できることを見い出し、この知見に基づいて
本発明を完成するに至った。[Means for Solving the Problems] The inventors of the present invention have conducted extensive studies to achieve the above-mentioned object, and as a result, an organic EL element using a distyrylpyrazine derivative as a light emitting material has a high brightness of yellow and It was found that green light emission can be output at a low voltage, and the present invention has been completed based on this finding.
すなわち、本発明は、発光材料として、ジスチリルピラ
ジン誘導体、特に一般式 (式中のX及びYは、それぞれ一価の芳香族残基又はヘ
テロ芳香族残基であり、それらは同一であってもよい
し、たがいに異なっていてもよい) で表される化合物を用いたことを特徴とする有機EL素子
を提供するものである。That is, the present invention provides, as a light emitting material, a distyrylpyrazine derivative, particularly a general formula (X and Y in the formula are each a monovalent aromatic residue or a heteroaromatic residue, and they may be the same or different from each other.) An organic EL device characterized by being used.
以下、本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.
本発明EL素子において、発光材料として用いられるジス
チリルピラジン誘導体としては、特に前記一般式(I)
で表されるジスチリルピラジン骨格構造を有する化合物
が好ましく、このものは固体状態において蛍光性を示
し、かつ電子と正孔の移動性をもたらす上、該ジスチリ
ルピラジン骨格の共役性により、イオン化エネルギーが
小さく、電子親和力が大きいので、電極などからの電荷
の注入が容易であるなどの特性を有している。In the EL device of the present invention, as the distyrylpyrazine derivative used as the light emitting material, the above-mentioned general formula (I) is particularly preferable.
A compound having a distyrylpyrazine skeleton structure represented by is preferable, which exhibits fluorescence in the solid state and brings about mobility of electrons and holes, and further, due to the conjugate property of the distyrylpyrazine skeleton, ionization energy Is small and has a high electron affinity, so that it has characteristics such as easy injection of charges from electrodes and the like.
前記一般式(I)におけるX及びYは、それぞれ一価の
芳香族残基又はヘテロ芳香族残基であり、該芳香族残基
としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アントニル
基、スチリル基などが、またヘテロ芳香族残基として
は、例えばフリル基、チエニル基、ピロリル基、ピリジ
ル基、キノリル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、イ
ミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリ
ル基、ベンゾイミダゾリル基、カルバゾリル基、トリア
ゾール基、ピラゾリン基よりなる一価の基などが挙げら
れる。X and Y in the general formula (I) are each a monovalent aromatic residue or a heteroaromatic residue, and examples of the aromatic residue include a phenyl group, a naphthyl group, an antonyl group, a styryl group, and the like. However, as the heteroaromatic residue, for example, a furyl group, a thienyl group, a pyrrolyl group, a pyridyl group, a quinolyl group, a thiazolyl group, an oxazolyl group, an imidazolyl group, a benzoxazolyl group, a benzothiazolyl group, a benzimidazolyl group, a carbazolyl group. A monovalent group consisting of a triazole group and a pyrazoline group.
これらの芳香族残基やヘテロ芳香族残基には、前記の特
性が損なわれない範囲で、各種の置換基が導入されてい
てもよい。該置換基としては、例えばメチル基、エチル
基、イソプロピル基、t−ブチル基などのアルキル基又
はそのハロゲン置換アルキル基、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、ホ
ルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基な
どのアシル基、ベンジル基、フェネチル基などのアラル
キル基、フェノキシ基、トリルオキシ基などのアリール
オキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基な
どのアルコキシカルボニル基、アセチルオキシ基、プロ
ピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基などのアシルオキ
シ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ブチ
リルアミノ基などのアシルアミノ基、カルバモイル基、
ジメチルアミノカルボニル基、カルボニル基などのアミ
ノカルボニル基、フェノキシカルボニル基、トリルオキ
シカルボニル基、キシリルオキシカルボニル基などのア
リールオキシカルボニル基、各種ハロゲン原子、カルボ
キシル基、水酸基、さらにはメチル基、エチル基、プロ
ピル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基など
のアルコキシ基などの置換基を有する又は有しないフェ
ニル基、さらには一般式 (式中のR1及びR2は、それぞれ水素原子、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、ホル
ミル基、アセチル基、プロピオニル基などのアシル基、
フェニル基又はトリル基、キシリル基などの置換フェニ
ル基であり、それらは同一であってもよいし、たがいに
異なっていてもよく、またたがいに結合して置換、無置
換の飽和五員環又は飽和六員環を形成していてもよい
し、X、Yに置換している基と結合して置換、無置換の
飽和五員環又は飽和六員環を形成していてもよい) で表される基などが挙げられる。Various substituents may be introduced into these aromatic residues and heteroaromatic residues as long as the above characteristics are not impaired. Examples of the substituent include an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, and a t-butyl group or a halogen-substituted alkyl group thereof, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an alkoxy group such as a butoxy group, a formyl group, Acyl group such as acetyl group, propionyl group, butyryl group, aralkyl group such as benzyl group, phenethyl group, phenoxy group, aryloxy group such as tolyloxy group, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group, etc. Alkoxycarbonyl group, acetyloxy group, propionyloxy group, butyryloxy group and other acyloxy groups, acetylamino group, propionylamino group, butyrylamino group and other acylamino groups, carbamoyl group,
Dimethylaminocarbonyl group, aminocarbonyl group such as carbonyl group, phenoxycarbonyl group, tolyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group such as xylyloxycarbonyl group, various halogen atoms, carboxyl group, hydroxyl group, further methyl group, ethyl group A phenyl group with or without a substituent such as an alkyl group such as a propyl group, an alkoxy group such as a methoxy group and an ethoxy group, and a general formula (R 1 and R 2 in the formula are each a hydrogen atom, an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a formyl group, an acetyl group, an acyl group such as a propionyl group,
A phenyl group or a substituted phenyl group such as a tolyl group or a xylyl group, which may be the same or different from each other, and are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted saturated five-membered ring or A saturated 6-membered ring may be formed, or a substituted or unsubstituted saturated 5-membered ring or saturated 6-membered ring may be formed by combining with a group substituted for X and Y). And the like.
前記一般式(I)におけるX及びYは、同一であっても
よいし、たがいに異なっていてもよく、またそれらに置
換している基の間で結合して飽和、不飽和の環構造が形
成されたものであってもよい。X and Y in the general formula (I) may be the same or different from each other, and a saturated or unsaturated ring structure may be formed by bonding between the groups substituting for them. It may be formed.
前記一般式(I)で表されるジスチリルピラジン誘導体
の中で特に二重結合の部位がトランス構造であるもの
が、固体状態での強度の蛍光性を有する点から好まし
く、また、前記置換基の中では、アルキル基及びアルコ
キシ基が同様な理由で好ましい。Among the distyrylpyrazine derivatives represented by the general formula (I), those in which the double bond site has a trans structure are particularly preferable from the viewpoint of having strong fluorescence in the solid state. Among these, an alkyl group and an alkoxy group are preferable for the same reason.
本発明EL素子において、発光材料として用いられる前記
一般式(I)で表されるジスチリルピラジン誘導体の具
体例としては、次の化合物を挙げることができる。Specific examples of the distyrylpyrazine derivative represented by the general formula (I) used as a light emitting material in the EL device of the present invention include the following compounds.
これらの化合物の中で、(4)の2,5−ビス−〔2−
(4−ビフェニル)エテニル〕ピラジンは、文献未載の
新規化合物であって、例えばp−フェニルベンズアルデ
ヒドと2,5−ジメチルピラジンとを、酸無水物の存在下
で反応させることにより製造することができる。また、
(4)以外の化合物は、例えば「ジャーナル・オブ・ポ
リマー・サイエンス・ポリマー・フィジックス・エディ
ション(J.Polymer Sci.Polymer Phys.Ed.)」第16
巻、第1365ページ(1968年)に記載の方法に従って製造
することができる。 Among these compounds, 2,5-bis- [2- of (4)
(4-Biphenyl) ethenyl] pyrazine is a novel compound that has not been published in the literature, and can be produced, for example, by reacting p-phenylbenzaldehyde with 2,5-dimethylpyrazine in the presence of an acid anhydride. it can. Also,
Compounds other than (4) include, for example, “Journal of Polymer Science Polymer Physics Edition” (J. Polymer Sci. Polymer Phys. Ed.) No. 16
Vol. 1, p. 1365 (1968).
本発明のEL素子における発光層は、前記一般式(I)で
表されるジスチリルピラジン誘導体を、例えば蒸着法、
スピンコート法、キャスト法、LB法などの公知の方法に
より薄膜化することにより形成することができるが、特
に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜
とは、該ジスチルピラジン誘導体の気相状態から沈着さ
れ形成された薄膜や、該誘導体の溶液状態又は液相状態
から固体化され形成された膜のことであり、例えば蒸着
膜がこれにあたる。通常この分子堆積膜はLB法により形
成された薄膜(分子累積膜)とは区別することができ
る。また、該発光層は、特公昭64−7636号公報などに開
示されているように、樹脂などの接着剤と該ジスチリル
ピラジン誘導体とを溶剤に溶かして溶液としたのち、こ
れをスピンコート法などにより薄膜化し、形成すること
もできる。このようにして形成された発光層の膜厚につ
いては特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことがで
きるが、通常5nmないし5μmの範囲で選ばれる。The light emitting layer in the EL device of the present invention is prepared by using the distyrylpyrazine derivative represented by the general formula (I), for example, by a vapor deposition method,
It can be formed by thinning it by a known method such as a spin coating method, a casting method or an LB method, but a molecular deposition film is particularly preferable. Here, the molecular deposition film is a thin film formed by depositing the distilpyrazine derivative from a vapor phase state, or a film formed by solidifying from a solution state or a liquid phase state of the derivative, for example, vapor deposition. The membrane corresponds to this. Usually, this molecular deposition film can be distinguished from a thin film (molecular cumulative film) formed by the LB method. Further, the light emitting layer, as disclosed in JP-B-64-7636, etc., an adhesive such as a resin and the distyrylpyrazine derivative are dissolved in a solvent to prepare a solution, which is then spin-coated. It can also be formed into a thin film by a method such as. The thickness of the light emitting layer thus formed is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the circumstances, but is usually selected in the range of 5 nm to 5 μm.
本発明のEL素子における発光層は、(1)電界印加時
に、陽極又は正孔注入輸送層より正孔を注入することが
でき、かつ陰極又は電子注入輸送層より電子を注入する
ことができる注入機能、(2)注入した電荷(電子と正
孔)を電界の力で移動させる輸送機能、(3)電子と正
孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる発光機
能などを有している。なお、正孔の注入されやすさと、
電子の注入されやすさに違いがあってもよいし、正孔と
電子の移動度で表される輸送機能に大小があってもよい
が、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。The light emitting layer in the EL device of the present invention is (1) injection capable of injecting holes from an anode or a hole injection / transport layer and electrons from a cathode or an electron injection / transport layer when an electric field is applied. It has a function, (2) a transport function that moves injected charges (electrons and holes) by the force of an electric field, and (3) a light emitting function that provides a field for recombination of electrons and holes and connects them to light emission. is doing. In addition, the ease with which holes are injected,
The electron injection may be different, and the transport function represented by the mobility of holes and electrons may be large or small, but it is preferable to transfer either one of the charges.
この発光層に用いる前記一般式(I)で表されるジスチ
リルピラジン誘導体は、一般にイオン化エネルギーが、
6.0eV程度より小さいので、適当な陽極金属又は陽極化
合物を選べば、比較的正孔を注入しやすいし、また2.8e
V程度より大きいので、適当な陰極金属又は陰極化合物
を選べば、比較的電子を注入しやすい上、電子、正孔の
輸送機能も優れている。さらに固体状態の蛍光性が強い
ため、電子と正孔の再結合時に形成された該ジスチリル
ピラジン誘導体やその会合体又は結晶などの励起状態を
光に変換する能力が大きい。The distyrylpyrazine derivative represented by the general formula (I) used for the light emitting layer generally has an ionization energy
Since it is less than about 6.0eV, it is relatively easy to inject holes by selecting an appropriate anode metal or anode compound.
Since it is larger than about V, if an appropriate cathode metal or cathode compound is selected, it is relatively easy to inject electrons, and the electron and hole transporting function is also excellent. Furthermore, since the solid-state fluorescence is strong, it has a large ability to convert the excited state of the distyrylpyrazine derivative formed at the time of recombination of electrons and holes, its associated body or crystal into light.
本発明のEL素子の構成は各種の態様があるが、基本的に
は、一対の電極(陽極と陰極)間に、前記発光層を挟持
した構成とし、これに必要に応じて、正孔注入輸送層や
電子注入輸送層を介在させればよい。具体的には(1)
陽極/発光層/陰極、(2)陽極/正孔注入輸送層/発
光層/陰極、(3)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電
子注入輸送層/陰極などの構成を挙げることができる。
該正孔注入輸送層や電子注入輸送層は必ずしも必要では
ないが、これらの層があると、発光性能が一段と向上す
る。Although the EL device of the present invention has various configurations, it is basically configured such that the light emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes (anode and cathode), and if necessary, hole injection is performed. A transport layer and an electron injection transport layer may be interposed. Specifically (1)
Anode / light emitting layer / cathode, (2) anode / hole injection / transport layer / light emitting layer / cathode, (3) anode / hole injection / transport layer / light emitting layer / electron injection / transport layer / cathode it can.
The hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer are not always necessary, but the presence of these layers further improves the light emitting performance.
また、前記構成の素子においては、いずれも基板に支持
されていることが好ましく、該基板については特に制限
はなく、従来有機EL素子に慣用されているもの、例えば
ガラス、透明プラスチック、石英などから成るものを用
いることができる。Further, in the element having the above-mentioned configuration, it is preferable that all are supported by a substrate, and there is no particular limitation on the substrate, and those conventionally used for organic EL elements such as glass, transparent plastic, quartz and the like are conventionally used. Can be used.
本発明の有機EL素子における陽極としては、仕事関数の
大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及び
これらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いら
れる。このような電極物質の具体例としては、Au、Cu
I、ITO、SnO2、ZnOなどの金属及び導電性透明材料が挙
げられる。該陽極は、これらの物質を蒸着やスパッタリ
ングなどの方法により、薄膜を形成させることにより作
製することができる。この電極より発光を取り出す場合
には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、ま
た、電極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好まし
い。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10nmないし1μ
m、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。As the anode in the organic EL device of the present invention, those having an electrode substance of a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a large work function (4 eV or more) and a mixture thereof are preferably used. Specific examples of such electrode materials include Au and Cu.
Examples thereof include metals such as I, ITO, SnO 2 and ZnO, and conductive transparent materials. The anode can be prepared by forming a thin film of these substances by a method such as vapor deposition or sputtering. When the emitted light is taken out from this electrode, it is desirable that the transmittance is higher than 10%, and the sheet resistance as the electrode is preferably several hundred Ω / □ or less. Furthermore, the film thickness depends on the material, but is usually 10 nm to 1 μm.
m, preferably in the range of 10 to 200 nm.
一方、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金
属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極
物質とするものが用いられる。このような電極物質の具
体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合
金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合
物、Al/AlO2、イソジウムなどが挙げられる。該陰極
は、これらの物質を蒸着やスパッタリングなどの方法に
より、薄膜を形成させることにより、作製することがで
きる。また、電極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下
が好ましく、膜厚は通常10nmないし1μm、好ましくは
50〜200nmの範囲で選ばれる。なお、本発明の素子にお
いては、該陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透
明であることが発光を透過し、取り出す効率がよいので
好ましい。On the other hand, as the cathode, one having a low work function (4 eV or less) metal, alloy, electrically conductive compound or a mixture thereof as an electrode substance is used. Specific examples of such an electrode material include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, Al / AlO 2 , and isodium. The cathode can be produced by forming a thin film of these substances by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as an electrode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually 10 nm to 1 μm, preferably
It is selected in the range of 50 to 200 nm. In the device of the present invention, it is preferable that either the anode or the cathode is transparent or semi-transparent, because the emitted light is transmitted and the extraction efficiency is good.
本発明のEL素子の構成は、前記したように、各種の態様
があり、前記(2)又は(3)の構成のEL素子における
正孔注入輸送層は、正孔伝達化合物から成る層であっ
て、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を
有し、この正孔注入輸送層を陽極と発光層との間に介在
させることにより、より低い電界で多くの正孔が発光層
に注入され、その上、発光層に陰極又は電子注入輸送層
より注入された電子は、発光層と正孔注入輸送層の界面
に存在する電子の障壁により、この発光層内の界面付近
に蓄積され発光効率が向上するなど、発光性能の優れた
素子となる。The EL device of the present invention has various configurations as described above, and the hole injecting / transporting layer in the EL device of the above (2) or (3) is a layer composed of a hole transporting compound. Has a function of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer. By interposing this hole injecting and transporting layer between the anode and the light emitting layer, many holes emit light at a lower electric field. The electrons injected into the light emitting layer and further injected into the light emitting layer from the cathode or the electron injecting and transporting layer are near the interface in the light emitting layer due to the electron barrier existing at the interface between the light emitting layer and the hole injecting and transporting layer. The device is excellent in light emission performance because it is accumulated and the light emission efficiency is improved.
前記正孔注入輸送層に用いられる正孔伝達化合物は、電
界を与えられた2個の電極間に配置されて陽極から正孔
が注入された場合、該正孔を適切に発光層へ伝達しうる
化合物であって、例えば104〜106V/cmの電界印加時に、
少なくとも10-6cm2/V・Sの正孔移動度をもつものが好
適である。The hole transporting compound used in the hole injecting and transporting layer is disposed between two electrodes to which an electric field is applied, and when holes are injected from the anode, the hole transporting compound is appropriately transferred to the light emitting layer. A compound capable of undergoing an electric field application of, for example, 10 4 to 10 6 V / cm,
Those having a hole mobility of at least 10 −6 cm 2 / V · S are preferable.
このような正孔伝達化合物については、前記の好ましい
性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導
電材料において、正孔の電荷輸送材として慣用されてい
るものやEL素子の正孔注入輸送層に使用される公知のも
のの中から任意のものを選択して用いることができる。
該電荷輸送材としては、例えばトリアゾール誘導体(米
国特許第3,112,197号明細書などに記載のもの)、オキ
サジアゾール誘導体(米国特許第3,189,447号明細書な
どに記載のもの)、イミダゾール誘導体(特公昭37−16
096号公報などに記載のもの)、ポリアリールアルカン
誘導体(米国特許第3,615,402号明細書、同3,820,989号
明細書、同3,542,544号明細書、特公昭45−555号公報、
同51−10983号公報、特開昭51−93224号公報、同55−17
105号公報、同56−4148号公報、同55−108667号公報、
同55−156953号公報、同56−36656号公報などに記載の
もの)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体(米国
特許第3,180,729号明細書、同4,278,746号明細書、特開
昭55−88064号公報、同55−88065号公報、同49−105537
号公報、同55−51086号公報、同56−80051号公報、同56
−88141号公報、同57−45545号公報、同54−112637号公
報、同55−74546号公報などに記載のもの)、フェニレ
ンジアミン誘導体(米国特許第3,615,404号明細書、特
公昭51−10105号公報、同46−3712号公報、同47−25336
号公報、特開昭54−53435号公報、同54−110536号公
報、同54−119925号公報などに記載のもの)、アリール
アミン誘導体(米国特許第3,567,450号明細書、同3,18
0,703号明細書、同3,240,597号明細書、同3,658,520号
明細書、同4,232,103号明細書、同4,175,961号明細書、
同4,012,376号明細書、特公昭49−35702号公報、同39−
27577号公報、特開昭55−144250号公報、同56−119132
号公報、同56−22437号公報、西独特許第1,110,518号明
細書などに記載のもの)、アミノ置換カルコン誘導体
(米国特許第3,526,501号明細書などに記載のもの)、
オキサゾール誘導体(米国特許第3,257,203号明細書な
どに記載のもの)、スチリルアントラセン誘導体(特開
昭56−46234号公報などに記載のもの)、フルオレノン
誘導体(特開昭54−110837号公報などに記載のもの)、
ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,717,462号明細書、特
開昭54−59143号公報、同55−52063号公報、同55−5206
4号公報、同55−46760号公報、同55−85495号公報、同5
7−11350号公報、同57−148749号公報などに記載されて
いるもの)、スチルベン誘導体(特開昭61−210363号公
報、同61−228451号公報、同61−14642号公報、同61−7
2255号公報、同62−47646号公報、同62−36674号公報、
同62−10652号公報、同62−30255号公報、同60−93445
号公報、同60−94462号公報、同60−174749号公報、同6
0−175052号公報などに記載のもの)などを挙げること
ができる。The hole transporting compound is not particularly limited as long as it has the above-mentioned preferable properties, and is conventionally used as a charge transporting material for holes in photoconductive materials and hole of EL elements. Any known material can be selected and used from the known materials used for the injecting and transporting layer.
Examples of the charge transport material include triazole derivatives (described in US Pat. No. 3,112,197), oxadiazole derivatives (described in US Pat. No. 3,189,447), imidazole derivatives (JP-B-37). −16
096 and the like), polyarylalkane derivatives (U.S. Pat.Nos. 3,615,402, 3,820,989, 3,542,544, Japanese Patent Publication No. 45-555,
JP-A-51-10983, JP-A-51-93224, JP-A-55-17.
No. 105, No. 56-4148, No. 55-108667,
55-1556953, those described in 56-36656, etc.), pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives (U.S. Pat.Nos. 3,180,729, 4,278,746, JP-A-55-88064, 55-88065, 49-105537
No. 55, No. 55-51086, No. 56-80051, No. 56
-88141, 57-45545, 54-112637, 55-74546, etc.), phenylenediamine derivatives (U.S. Pat. No. 3,615,404, JP-B-51-10105) Gazette, No. 46-3712, Gazette 47-25336
JP-A-54-53435, JP-A-54-110536, JP-A-54-119925, etc.), arylamine derivatives (U.S. Pat.Nos. 3,567,450 and 3,18).
No. 0,703, No. 3,240,597, No. 3,658,520, No. 4,232,103, No. 4,175,961
4,012,376, JP-B-49-35702, 39-
27577, JP-A-55-144250, 56-119132
JP-A No. 56-22437, those described in West German Patent No. 1,110,518, etc.), amino-substituted chalcone derivatives (such as those described in US Pat. No. 3,526,501),
Oxazole derivatives (described in US Pat. No. 3,257,203, etc.), styrylanthracene derivatives (described in JP-A-56-46234, etc.), fluorenone derivatives (described in JP-A-54-110837, etc.) Stuff),
Hydrazone derivatives (U.S. Pat.No. 3,717,462, JP-A-54-59143, JP-A-55-52063, JP-A-55-5206)
No. 4, No. 55-46760, No. 55-85495, No. 5
Nos. 7-11350 and 57-148749) and stilbene derivatives (Japanese Patent Laid-Open Nos. 61-210363, 61-228451, 61-14642, and 61- 7
No. 2255, No. 62-47646, No. 62-36674,
62-10652, 62-30255, 60-93445.
No. 60, No. 60-94462, No. 60-174749, No. 6
Those described in JP-A No. 0-175052) and the like.
本発明においては、これらの化合物を正孔伝達化合物と
して使用することができるが、次に示すポリフィリン化
合物(特開昭63−295695号公報などに記載のもの)、芳
香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物(米
国特許第4,127,412号明細書、特開昭53−27033号公報、
同54−58445号公報、同54−149634号公報、同54−64299
号公報、同55−79450号公報、同55−144250号公報、同5
6−119132号公報、同61−295558号公報、同61−98353号
公報、同63−295695号公報などに記載のもの)、特に該
芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。In the present invention, these compounds can be used as a hole transfer compound, but the following porphyrin compounds (described in JP-A-63-295695 and the like), aromatic tertiary amine compounds and Styrylamine compound (U.S. Pat.No. 4,127,412, JP-A-53-27033,
54-58445, 54-149634, 54-64299
No. 55, No. 55-79450, No. 55-144250, No. 5
6-119132, 61-295558, 61-98353, 63-295695, etc.), and it is particularly preferable to use the aromatic tertiary amine compound.
該ポリフィリン化合物の代表例としては、ポルフィン、
1,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィン銅
(II)、1,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポル
フィン亜鉛(II)、5,10,15,20−テトラキス(ペンタフ
ルオロフェニル)−21H,23H−ポルフィン、シリコンフ
タロシアニンオキシド、アルミニウムフタロシアニンク
ロリド、フタロシアニン(無金属)、ジリチウムフタロ
シアニン、銅テトラメチルフタロシアニン、銅フタロシ
アニン、クロムフタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、
鉛フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキシ
ド、マグネシウムフタロシアニン、銅オクタメチルフタ
ロシアニンなどが挙げられる。また該芳香族第三級アミ
ン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、
N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノビフェ
ニル、N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(3−メチルフェ
ニル)−4,4′−ジアミノビフェニル、2,2−ビス(4−
ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン、1,1−ビス
(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサ
ン、N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミ
ノビフェニル、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノ
フェニル)−4−フェニルシクロヘキサン、ビス(4−
ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタ
ン、ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニ
ルメタン、N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキ
シフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル、N,N,N′,
N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエー
テル、4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフ
ェニル、N,N,N−トリ(p−トリル)アミン、4−(ジ
−p−トリルアミノ)−4′−〔4(ジ−p−トリルア
ミノ)スチリル〕スチルベン、4−N,N−ジフェニルア
ミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン、3−メトキ
シ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベン、N−フ
ェニルカルバゾールなどが挙げられる。As a typical example of the porphyrin compound, porphine,
1,10,15,20-Tetraphenyl-21H, 23H-porphine copper (II), 1,10,15,20-Tetraphenyl-21H, 23H-porphine zinc (II), 5,10,15,20- Tetrakis (pentafluorophenyl) -21H, 23H-porphine, silicon phthalocyanine oxide, aluminum phthalocyanine chloride, phthalocyanine (metal free), dilithium phthalocyanine, copper tetramethyl phthalocyanine, copper phthalocyanine, chromium phthalocyanine, zinc phthalocyanine,
Examples thereof include lead phthalocyanine, titanium phthalocyanine oxide, magnesium phthalocyanine, and copper octamethylphthalocyanine. Further, as typical examples of the aromatic tertiary amine compound and the styrylamine compound,
N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminobiphenyl, N, N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl, 2 , 2-bis (4-
Di-p-tolylaminophenyl) propane, 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane, N, N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diamino Biphenyl, 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) -4-phenylcyclohexane, bis (4-
Dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane, bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane, N, N'-diphenyl-N, N'-di (4-methoxyphenyl) -4,4 ' -Diaminobiphenyl, N, N, N ',
N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl, N, N, N-tri (p-tolyl) amine, 4- (di-p-tolylamino) ) -4 '-[4 (di-p-tolylamino) styryl] stilbene, 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene, 3-methoxy-4'-N, N-diphenylaminostilbene, Examples thereof include N-phenylcarbazole.
本発明素子における該正孔注入輸送層は、これらの正孔
伝達化合物1種又は2種以上から成る1層で構成されて
いてもよいし、あるいは、前記層とは別種の化合物から
成る正孔注入輸送層を積層したものであってもよい。The hole injecting and transporting layer in the device of the present invention may be composed of one layer composed of one kind or two or more kinds of these hole transporting compounds, or a hole composed of a compound different from the layer. It may be a stack of injecting and transporting layers.
一方、前記(3)の構成のEL素子における電子注入輸送
層は、電子伝達化合物から成るものであって、陰極より
注入された電子を発光層に伝達する機能を有している。
このような電子伝達化合物について特に制限はなく、従
来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いるこ
とができる。該電子伝達化合物の好ましい例としては、 などのニトロ置換フルオレノン誘導体、 などのチオピランジオキシド誘導体、 などのジフェニルキノン誘導体[「ポリマー・プレプリ
ント(Polymer Preprints)、ジャパン」第37巻、第3
号、第681ページ(1988年)などに記載のもの]、ある
いは などの化合物[「ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・ア
プライド・フィジックス(J.J.Apply.Phys.)」第27
巻、L269(1988年)などに記載のもの]や、アントラキ
ノジメタン誘導体(特開昭57−149259号公報、同58−55
450号公報、同61−225151号公報、同61−233750号公
報、同63−104061号公報などに記載のもの)、フレオレ
ニリデンメタン誘導体(特開昭60−69657号公報、同61
−143764号公報、同61−148159号公報などに記載のも
の)、アントロン誘導体(特開昭61−225151号公報、同
61−233750号公報などに記載のもの)などを挙げること
ができる。On the other hand, the electron injecting and transporting layer in the EL device having the above configuration (3) is made of an electron transporting compound and has a function of transmitting the electrons injected from the cathode to the light emitting layer.
There is no particular limitation on such an electron transfer compound, and any compound can be selected and used from conventionally known compounds. Preferred examples of the electron transfer compound include: Nitro-substituted fluorenone derivatives, such as Thiopyran dioxide derivatives such as And other diphenylquinone derivatives ["Polymer Preprints, Japan", Volume 37, Volume 3
No., page 681 (1988)], or And other compounds ["Japanese Journal of Applied Physics (JJApply.Phys.)" No. 27
Vol., L269 (1988), etc.] and anthraquinodimethane derivatives (JP-A-57-149259, 58-55).
No. 450, No. 61-225151, No. 61-233750, No. 63-104061, etc.), a fluorenylidene methane derivative (JP-A-60-69657, No. 61).
-143764, JP-A 61-148159, etc.), anthrone derivative (JP-A 61-225151, JP-A 61-225151,
61-233750, etc.) and the like.
次に、本発明の有機EL素子を作製する好適な方法の例
を、各構成の素子それぞれについて説明する。前記の陽
極/発光層/陰極から成るEL素子の作製法について説明
すると、まず適当な基板上に、所望の電極物質、例えば
陽極用物質から成る薄膜を、1μm以下、好ましくは10
〜200nmの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリ
ングなどの方法により形成させ、陽極を作製したのち、
この上に発光材料である一般式(I)で表されるジスチ
リルピラジン誘導体の薄膜を形成させ、発光層を設け
る。該発光材料の薄膜化の方法としては、例えばスピン
コート法、キャスト法、LB法、蒸着法などがあるが、均
質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい
などの点から、蒸着法が好ましい。該発光材料の薄膜化
に、この蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用
する発光層に用いる有機化合物の種類、分子堆積膜の目
的とする結晶構造、会合構造などにより異なるが、一般
にボート加熱温度50〜400℃、真空度10-5〜10-3Pa、蒸
着速度0.01〜50nm/sec、基板温度−50〜+300℃、膜厚5
nmないし5μmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。次に
この発光層の形成後、その上に陰極用物質から成る薄膜
を、1μm以下、好ましくは50〜200nmの範囲の膜厚に
なるように、例えば蒸着やスパッタリングなどの方法に
より形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機EL
素子が得られる。なお、このEL素子の作製においては、
作製順序を逆にして、陰極、発光層、陽極の順に作製す
ることも可能である。Next, an example of a suitable method for producing the organic EL element of the present invention will be described for each element of each constitution. Explaining the method for producing an EL device composed of the above-mentioned anode / light-emitting layer / cathode, first, a thin film of a desired electrode material, for example, a material for an anode, of 1 μm or less, preferably 10
After forming the anode by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness in the range of up to 200 nm,
A thin film of a distyrylpyrazine derivative represented by the general formula (I), which is a light emitting material, is formed on this to provide a light emitting layer. Examples of methods for thinning the light-emitting material include spin coating, casting, LB, vapor deposition, and the like. However, vapor deposition is preferable because a homogeneous film is easily obtained and pinholes are not easily generated. Method is preferred. When this vapor deposition method is used for thinning the light emitting material, the vapor deposition conditions generally differ depending on the type of organic compound used for the light emitting layer used, the target crystal structure of the molecular deposited film, the association structure, etc. Boat heating temperature 50 to 400 ° C, vacuum degree 10 -5 to 10 -3 Pa, deposition rate 0.01 to 50 nm / sec, substrate temperature -50 to + 300 ° C, film thickness 5
It is desirable to properly select in the range of nm to 5 μm. Next, after forming this light emitting layer, a thin film made of a substance for the cathode is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 to 200 nm. By providing the desired organic EL
The device is obtained. In the production of this EL element,
It is also possible to reverse the manufacturing order and manufacture the cathode, the light emitting layer and the anode in this order.
次に、陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極から成るEL
素子の作製法について説明すると、まず、陽極を前記の
EL素子の場合と同様にして形成したのち、その上に、正
孔伝達化合物から成る薄膜を蒸着法などにより形成し、
正孔注入輸送層を設ける。この際の蒸着条件は、前記発
光材料の薄膜形成の蒸着条件に準じればよい。次に、こ
の正孔注入輸送層の上に、順次発光層及び陰極を、前記
EL素子の作製の場合と同様にして設けることにより、所
望のEL素子が得られる。なお、このEL素子の作製におい
ても、作製順序を逆にして、陰極、発光層、正孔注入輸
送層、陽極の順に作製することも可能である。Next, EL consisting of anode / hole injecting / transporting layer / light emitting layer / cathode
Explaining the manufacturing method of the element, first, the anode is
After forming in the same manner as in the case of EL element, a thin film made of a hole transfer compound is formed thereon by a vapor deposition method or the like,
A hole injecting and transporting layer is provided. The vapor deposition conditions at this time may conform to the vapor deposition conditions for forming the thin film of the light emitting material. Next, a light emitting layer and a cathode were sequentially formed on the hole injecting and transporting layer,
A desired EL element can be obtained by providing the EL element in the same manner as in the case of manufacturing the EL element. Also in the production of this EL element, the production order may be reversed to produce the cathode, the light emitting layer, the hole injecting and transporting layer, and the anode in this order.
さらに、陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送
層/陰極から成るEL素子の作製法について説明すると、
まず、前記のEL素子の作製の場合と同様にして、陽極、
正孔注入輸送層、発光層を順次設けたのち、この発光層
の上に、電子伝達化合物から成る薄膜を蒸着法などによ
り形成して、電子注入輸送層を設け、次いでこの上に、
陰極を前記EL素子の作製の場合と同様にして設けること
により、所望のEL素子が得られる。なお、このEL素子の
作製においても、作製順序を逆にして、陰極、電子注入
輸送層、発光層、正孔注入輸送層、陽極の順に作製して
もよい。Furthermore, a method of manufacturing an EL device composed of anode / hole injecting / transporting layer / light emitting layer / electron injecting / transporting layer / cathode will be described.
First, in the same manner as in the case of manufacturing the EL element, the anode,
After the hole injecting and transporting layer and the light emitting layer are sequentially provided, a thin film made of an electron transfer compound is formed on the light emitting layer by a vapor deposition method or the like to provide the electron injecting and transporting layer, and then, on this,
A desired EL element can be obtained by providing the cathode in the same manner as in the case of manufacturing the EL element. Also in the production of this EL element, the production order may be reversed, and the cathode, the electron injecting and transporting layer, the light emitting layer, the hole injecting and transporting layer, and the anode may be produced in this order.
このようにして得られた本発明の有機EL素子に、直流電
圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性とし
て電圧5〜40V程度を印加すると、発光が透明又は半透
明の電極側より観測できる。また、逆の極性で電圧を印
加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに、
交流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状
態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波
形は任意でよい。When a direct current voltage is applied to the thus obtained organic EL element of the present invention, when a voltage of about 5 to 40 V is applied with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode, the light emission is transparent or semitransparent. It can be observed from the electrode side. Moreover, even if a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. further,
When an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the − state. The waveform of the alternating current applied may be arbitrary.
[実施例] 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本
発明はこれらの例によってなんら限定されるものではな
い。EXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
製造例1 2,5−ビス−〔2−(4−ビフェニル)エテ
ニル〕ピラジン[式(4)の化合物]の製造 p−フェニルベンズアルデヒド7.18g、2,5−ジメチルピ
ラジン1.00g及び無水安香酸9.95gを混合し、21時間還流
したのち、この反応混合液をエチルアルコール100mlに
注いで沈殿を生成させた。次いで、この沈殿をろ別し、
エチルアルコールで洗浄したのち、真空乾燥して、粗生
成物0.48gを得た。Production Example 1 Production of 2,5-bis- [2- (4-biphenyl) ethenyl] pyrazine [compound of formula (4)] 7.18 g of p-phenylbenzaldehyde, 1.00 g of 2,5-dimethylpyrazine and benzoic anhydride After mixing 9.95 g and refluxing for 21 hours, the reaction mixture was poured into 100 ml of ethyl alcohol to generate a precipitate. Then, the precipitate is filtered off,
After washing with ethyl alcohol, it was dried in vacuum to obtain 0.48 g of a crude product.
次に、この粗生成物を昇華精製して黄色粉末を得たの
ち、キシレン400mlにて再結晶(活性炭処理)を行い、
黄色針状結晶300mlを得た。このものの融点は310〜313
℃(分解)であった。Next, this crude product was purified by sublimation to obtain a yellow powder, which was then recrystallized with 400 ml of xylene (activated carbon treatment),
300 ml of yellow needle crystals were obtained. The melting point of this product is 310 to 313.
It was ℃ (decomposition).
なお、他のジスチリルピラジン誘導体は、「ジャーナル
・オブ・ポリマー・サイエンス・ポリマー・フィジック
ス・エディション(J.Polymer Sci.Polymer Phys.E
d.)」第16巻、第1365ページ(1968年)に記載の方法に
よって製造した。Other distyrylpyrazine derivatives are described in "Journal of Polymer Science Polymer Physics Edition (J.Polymer Sci.Polymer Phys.E
d.) ”, Volume 16, page 1365 (1968).
実施例1 膜厚100nmのITO透明電極が設けられているガラス基板
(25×75×1.1mmサイズ、HOYA社製)を透明支持基板と
し、これをイソプロピルアルコールで30分間、超音波洗
浄し、さらにイソプロピルアルコールに浸漬して洗浄し
た。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して、市販
の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブ
デン製抵抗加熱ボートに、N,N′−ジフェニル−N,N′−
ビス(3−メチルフェニル)−(1,1′−ビフェニル)
−4,4′−ジアミン(TPD)200mgを入れ、さらに別のモ
リブデン製抵抗加熱ボートに製造例1でえられたオール
トランス構造の2,5−ビス−〔2−(4−ビフェニル)
エテニル〕ピラジン[式(4)の化合物]200mgを入
れ、真空蒸着装置に取り付けた。次いで、真空槽を1.2
×10-4Paまで減圧したのち、TPDの入った前記加熱ボー
トに通電して、230℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/
secで透明支持基板上に蒸着し、膜厚60nmの正孔注入輸
送層を設けた。さらに、2,5−ビス〔2−(4−ビフェ
ニル)エテニル〕ピラジンの入った前記ボートを通電し
て285℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/secで、前記
正孔注入輸送層の上に蒸着して、膜厚70nmの発光層を設
けた。なお、蒸着時の該基板の温度は室温であった。Example 1 A glass substrate (25 × 75 × 1.1 mm size, manufactured by HOYA) having a 100 nm-thick ITO transparent electrode was used as a transparent supporting substrate, and this was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol for 30 minutes, and further, It was immersed in isopropyl alcohol and washed. This transparent support substrate was dried with dry nitrogen gas and fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition apparatus, while a molybdenum resistance heating boat was used, N, N'-diphenyl-N, N'-.
Bis (3-methylphenyl)-(1,1'-biphenyl)
200 mg of -4,4'-diamine (TPD) was put into another resistance heating boat made of molybdenum, and the all-trans structure 2,5-bis- [2- (4-biphenyl) obtained in Production Example 1 was used.
200 mg of ethenyl] pyrazine [compound of formula (4)] was charged and attached to a vacuum vapor deposition apparatus. Then vacuum chamber 1.2
After reducing the pressure to × 10 -4 Pa, the heating boat containing TPD is energized to heat it to 230 ° C, and the deposition rate is 0.1 to 0.3 nm /
It was vapor-deposited on a transparent support substrate for sec, and a hole injecting and transporting layer having a film thickness of 60 nm was provided. Further, the boat containing 2,5-bis [2- (4-biphenyl) ethenyl] pyrazine was energized and heated to 285 ° C., and the deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec was applied to the hole injecting and transporting layer. A 70-nm-thick light-emitting layer was provided by vapor deposition on top. The temperature of the substrate during vapor deposition was room temperature.
次に、真空槽をあけ、該発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、一方、モリブデン製の抵抗加熱ボート
にマグネシウム3gを、電子ビーム蒸着装置のるつぼに銅
を入れ、再び真空槽を2×10-4Paまで減圧したのち、マ
グネシウム入りのボートに通電して、蒸着速度4〜5nm/
secでマグネシウムを蒸着し、この際、同時に電子ビー
ムにより銅を加熱して、蒸着速度0.1〜0.3nm/secで銅を
蒸着し、前記マグネシウムと銅との混合物から成る対向
電極とすることにより、目的とするEL素子を作製した。Next, open a vacuum chamber, install a stainless steel mask on the light emitting layer, while placing 3 g of magnesium in a resistance heating boat made of molybdenum and copper in the crucible of the electron beam evaporation apparatus, and again in the vacuum chamber. After reducing the pressure to 2 × 10 -4 Pa, the magnesium-containing boat is energized, and the deposition rate is 4-5 nm /
By vaporizing magnesium in sec, at this time, heating copper by an electron beam at the same time, vapor depositing copper at a vapor deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec, and forming a counter electrode composed of a mixture of the magnesium and copper, The target EL device was produced.
この素子のITO電極を正極、Mgと銅との混合物から成る
対向電極を負極として、直流17Vを印加したところ、電
流密度が300mA/cm2の電流が流れ、黄色の発光を得た。
この際の発光極大波長は548nm、発光輝度は100cd/m2で
あった 実施例2 膜厚100nmのITO透明電極が設けられているガラス基板
(25×75×1.1mmサイズ、HOYA社製)を透明支持基板と
し、これをイソプロピルアルコールで30分間、超音波洗
浄し、さらにイソプロピルアルコールに浸漬して洗浄し
た。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して、市販
の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブ
デン製抵抗加熱ボートにTPD200mgを入れ、さらに別のモ
リブデン製抵抗加熱ボートに、オールトランス構造の2,
5−ビス−(4−エチルスチリル)ピラジン[式(2)
の化合物]200mgを入れ、真空蒸着装置に取り付けた。
次いで、真空槽を3×10-4Paまで減圧したのち、TPDの
入った前記加熱ボートに通電して、230℃まで加熱し、
蒸着速度0.1〜0.3nm/secで透明支持基板上に蒸着し、膜
厚70nmの正孔注入輸送層を設けた。さらに、2,5−ビス
(4−エチルスチリル)ピラジンの入った前記ボートを
通電して200℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/sec
で、前記正孔注入輸送層の上に蒸着して、膜厚80nmの発
光層を設けた。なお、蒸着時の該基板の温度は室温であ
った。When a direct current of 17 V was applied with the ITO electrode of this device as a positive electrode and the counter electrode made of a mixture of Mg and copper as a negative electrode, a current having a current density of 300 mA / cm 2 was flowed and yellow light emission was obtained.
The maximum emission wavelength at this time was 548 nm, and the emission luminance was 100 cd / m 2. Example 2 A glass substrate (25 × 75 × 1.1 mm size, manufactured by HOYA) provided with ITO transparent electrodes with a film thickness of 100 nm was used. A transparent support substrate was obtained, which was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol for 30 minutes and further immersed in isopropyl alcohol for cleaning. This transparent support substrate is dried with dry nitrogen gas and fixed to the substrate holder of a commercially available vacuum evaporation system, while TPD200mg is put in a resistance heating boat made of molybdenum, and another resistance heating boat made of molybdenum has an all-trans structure. of 2,
5-bis- (4-ethylstyryl) pyrazine [formula (2)
200 mg] of the above compound and attached to a vacuum vapor deposition apparatus.
Next, after depressurizing the vacuum chamber to 3 × 10 −4 Pa, the heating boat containing TPD is energized to heat it to 230 ° C.,
A hole injecting and transporting layer having a film thickness of 70 nm was provided by vapor deposition on a transparent supporting substrate at a vapor deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec. Further, the boat containing 2,5-bis (4-ethylstyryl) pyrazine is energized and heated to 200 ° C., and the deposition rate is 0.1 to 0.3 nm / sec.
Then, vapor deposition was performed on the hole injecting and transporting layer to form a light emitting layer having a film thickness of 80 nm. The temperature of the substrate during vapor deposition was room temperature.
次に、真空槽をあけ、該発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、一方、モリブデン製の抵抗加熱ボート
にマグネシウム3gを、電子ビーム蒸着装置のるつぼに銅
を入れ、再び真空槽を2×10-4Paまで減圧したのち、マ
グネシウム入りのボートに通電して、蒸着速度5〜6nm/
secでマグネシウムを蒸着し、この際、同時に電子ビー
ムにより銅を加熱して、蒸着速度0.2〜0.3nm/secで銅を
蒸着し、前記マグネシウムと銅との混合物から成る対向
電極とすることにより、目的とするEL素子を作製した。Next, open a vacuum chamber, install a stainless steel mask on the light emitting layer, while placing 3 g of magnesium in a resistance heating boat made of molybdenum and copper in the crucible of the electron beam evaporation apparatus, and again in the vacuum chamber. After reducing the pressure to 2 × 10 -4 Pa, the magnesium-containing boat is energized, and the deposition rate is 5 to 6 nm /
By vaporizing magnesium in sec, at this time, copper is simultaneously heated by an electron beam to vapor deposit copper at a vapor deposition rate of 0.2 to 0.3 nm / sec, thereby forming a counter electrode composed of a mixture of the magnesium and copper, The target EL device was produced.
この素子のITO電極を正極、Mgと銅との混合物から成る
対向電極を負極として、直流13Vを印加したところ、電
流密度が33mA/cm2の電流が流れ、緑色の発光を得た。こ
の際の発光極大波長は512nm、発光輝度は270cd/m2であ
った。When a direct current of 13 V was applied using the ITO electrode of this device as a positive electrode and the counter electrode made of a mixture of Mg and copper as a negative electrode, a current having a current density of 33 mA / cm 2 was flowed and green light emission was obtained. At this time, the maximum wavelength of emission was 512 nm and the emission luminance was 270 cd / m 2 .
実施例3 膜厚100nmのITO透明電極が設けられているガラス基板
(25×75×1.1mmサイズ、HOYA社製)を透明支持基板と
し、これをイソプロピルアルコールで30分間、超音波洗
浄し、さらにイソプロピルアルコールに浸漬して洗浄し
た。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して、市販
の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブ
デン製の抵抗加熱ボートにTPD200mgを入れ、さらに別の
モリブデン製の抵抗加熱ボートにオールトランス構造の
2,5−ビス−(4−メトキシスチリル)ピラジン[式(1
8)の化合物]200mgを入れ、真空蒸着装置に取り付け
た。次いで、真空槽を2×10-4Paまで減圧したのち、TP
Dの入った前記加熱ボートに通電して、220℃まで加熱
し、蒸着速度0.1〜0.3nm/secで透明支持基板上に蒸着
し、膜厚60nmの正孔注入輸送層を設けた。さらに、2,5
−ビス−(4−メトキシスチリル)ピラジンの入った前
記ボートを通電して230℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.
3nm/secで、前記正孔注入輸送層の上に蒸着して、膜厚9
0nmの発光層を設けた。なお、蒸着時の該基板の温度は
室温であった。Example 3 A glass substrate (25 × 75 × 1.1 mm size, manufactured by HOYA) having a 100 nm-thick ITO transparent electrode was used as a transparent support substrate, and this was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol for 30 minutes. It was immersed in isopropyl alcohol and washed. This transparent support substrate is dried with dry nitrogen gas and fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation system.On the other hand, TPD200mg is put in a resistance heating boat made of molybdenum, and all transformers are put in another resistance heating boat made of molybdenum. Structural
2,5-bis- (4-methoxystyryl) pyrazine [formula (1
Compound of 8)] 200 mg was put and attached to a vacuum vapor deposition apparatus. Next, after depressurizing the vacuum chamber to 2 × 10 -4 Pa, TP
The heating boat containing D was energized, heated to 220 ° C., and vapor-deposited on the transparent supporting substrate at a vapor deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec to form a hole injecting and transporting layer having a film thickness of 60 nm. In addition, 2,5
The boat containing -bis- (4-methoxystyryl) pyrazine was energized and heated to 230 ° C, and the deposition rate was 0.1 to 0.
At a thickness of 3 nm / sec, vapor deposition is performed on the hole injecting and transporting layer to obtain a film thickness of 9
A 0 nm emission layer was provided. The temperature of the substrate during vapor deposition was room temperature.
次に、真空槽をあけ、該発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、一方、モリブデン製の抵抗加熱ボート
にマグネシウム3gを、電子ビーム蒸着装置のるつぼに銅
を入れ、再び真空槽を2×10-4Paまで減圧したのち、マ
グネシウム入りのボートに通電して、蒸着速度6nm/sec
でマグネシウムを蒸着し、この際、同時に電子ビームに
より銅を加熱して、蒸着速度0.1〜0.3nm/secで銅を蒸着
し、前記マグネシウムと銅との混合物から成る対向電極
とすることにより、目的とするEL素子を作製した。Next, open a vacuum chamber, install a stainless steel mask on the light emitting layer, while placing 3 g of magnesium in a resistance heating boat made of molybdenum and copper in the crucible of the electron beam evaporation apparatus, and again in the vacuum chamber. After reducing the pressure to 2 × 10 -4 Pa, energize the boat containing magnesium to vapor deposition rate 6 nm / sec.
At this time, the magnesium is vapor-deposited, at the same time, the copper is heated by the electron beam at the same time, the copper is vapor-deposited at the vapor deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec, and the counter electrode is made of a mixture of the magnesium and the copper. An EL element was manufactured.
この素子のITO電極を正極、Mgと銅との混合物から成る
対向電極を負極として、直流17Vを印加したところ、電
流密度が190mA/cm2の電流が流れ、青緑色の発光を得
た。この際の発光極大波長は497nm、発光輝度は160cd/m
2であった。When a direct current of 17 V was applied with the ITO electrode of this device as the positive electrode and the counter electrode made of a mixture of Mg and copper as the negative electrode, a current having a current density of 190 mA / cm 2 flowed and blue-green light emission was obtained. In this case, the maximum emission wavelength is 497 nm and the emission brightness is 160 cd / m.
Was 2 .
実施例4 膜厚100nmのITO透明電極が設けられているガラス基板
(25×75×1.1mmサイズ、HOYA社製)を透明支持基板と
し、これをイソプロピルアルコールで30分間、超音波洗
浄し、さらにイソプロピルアルコールに浸漬して洗浄し
た。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して、市販
の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブ
デン製の抵抗加熱ボートに1,4−ビス−(4−メチルス
チリル)ピラジン[式(1)の化合物]200mgを入れ、
真空蒸着装置に取り付けた。次いで真空槽を2×10-4Pa
まで減圧し、1,4−ビス−(4−メチルスチリル)ピラ
ジンの入った前記ボートに通電して210℃まで加熱し、
蒸着速度0.1〜0.3nm/secで透明支持基板上に蒸着し、膜
厚500nmの発光層を設けた。なお、蒸着時の該基板の温
度は室温であった。Example 4 A glass substrate (25 × 75 × 1.1 mm size, manufactured by HOYA) having a 100 nm-thick ITO transparent electrode was used as a transparent support substrate, which was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol for 30 minutes, and further, It was immersed in isopropyl alcohol and washed. This transparent support substrate was dried with dry nitrogen gas and fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation system, while a 1,4-bis- (4-methylstyryl) pyrazine [formula ( 1) compound] 200mg,
It was attached to a vacuum vapor deposition device. Then, the vacuum chamber is set to 2 × 10 -4 Pa
Depressurize to, heat to 210 ℃ by energizing the boat containing 1,4-bis- (4-methylstyryl) pyrazine,
It vapor-deposited on a transparent support substrate at a vapor deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec to provide a light-emitting layer having a film thickness of 500 nm. The temperature of the substrate during vapor deposition was room temperature.
次に、真空槽をあけ、該発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、一方、モリブデン製の抵抗加熱ボート
にマグネシウム3gを、電子ビーム蒸着装置のるつぼに銅
を入れ、再び真空槽を2×10-4Paまで減圧したのち、マ
グネシウム入りのボートに通電して、蒸着速度4〜5nm/
secでマグネシウムを蒸着し、この際、同時に電子ビー
ムにより銅を加熱して、蒸着速度0.2〜0.3nm/secで銅を
蒸着し、前記マグネシウムと銅との混合物から成る対向
電極とすることにより、目的とするEL素子を作製した。Next, open a vacuum chamber, install a stainless steel mask on the light emitting layer, while placing 3 g of magnesium in a resistance heating boat made of molybdenum and copper in the crucible of the electron beam evaporation apparatus, and again in the vacuum chamber. After reducing the pressure to 2 × 10 -4 Pa, the magnesium-containing boat is energized, and the deposition rate is 4-5 nm /
By vaporizing magnesium in sec, at this time, copper is simultaneously heated by an electron beam to vapor deposit copper at a vapor deposition rate of 0.2 to 0.3 nm / sec, thereby forming a counter electrode composed of a mixture of the magnesium and copper, The target EL device was produced.
この素子のITO電極を正極、Mgと銅との混合物から成る
対向電極を負極として、直流30Vを印加したところ、電
流密度が30mA/cm2の電流が流れ、緑色の発光を得た。こ
の際の発光極大波長は520nm、発光輝度は0.5cd/m2であ
った。When a direct current of 30 V was applied with the ITO electrode of this device as a positive electrode and the counter electrode made of a mixture of Mg and copper as a negative electrode, a current with a current density of 30 mA / cm 2 was flowed and green light emission was obtained. At this time, the maximum wavelength of emission was 520 nm and the emission luminance was 0.5 cd / m 2 .
実施例5 透明電極として用いる膜厚100nmのITOが付いているガラ
ス基板(25×75×1.1mmサイズ、HOYA社製)を透明支持
基板とし、これをイソプロピルアルコールで30分間、超
音波洗浄し、さらにイソプロピルアルコールに浸漬し洗
浄した。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥し、市
販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン
製の抵抗加熱ボートにTPDを200mg入れ、さらに別のモリ
ブデン製の抵抗加熱ボートにオールトランス構造である
2,5−ビス{2−(1−ナフチル)ビニル}ピラジン
(発光材料の具体例21)を200mg入れ、真空蒸着装置に
取り付けた。この後、真空槽を4×10-4Paまで減圧し、
TPDの入った前記ボートに通電し、230℃まで加熱し、蒸
着速度0.1〜0.3nm/secで透明支持基板上に蒸着し、膜厚
50nmの正孔注入層(正孔注入輸送層)とした。さらに2,
5−ビス{2−(1−ナフチル)ビニル}ピラジンの入
った前記ボートを通電し、242℃まで加熱し、蒸着速度
0.3nm/secで透明支持基板上の正孔注入層の上に蒸着
し、膜厚60nmの発光層を得た。蒸着時の前記基板の温度
は室温であった。この後、真空槽をあけ、発光層の上に
ステンレス鋼製のマスクを設置し、モリブデン製の抵抗
加熱ボートにマグネシウムを3g入れ、電子ビーム蒸着装
置のるつぼに銅を入れ、再び真空槽を2×10-4Paまで減
圧し、この後、マグネシウム入りのボートに通電し、蒸
着速度4〜6nm/secでマグネシウムを蒸着した。この
時、同時に電子ビームにより銅を加熱し0.1〜0.3nm/sec
で銅を蒸着し、前記マグネシウムに銅を混合し、対向電
極とした。以上によりエレクトロルミネッセンス素子の
作製を終えた。Example 5 A glass substrate (25 × 75 × 1.1 mm size, manufactured by HOYA) with ITO having a film thickness of 100 nm used as a transparent electrode was used as a transparent support substrate, and this was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol for 30 minutes, Furthermore, it was immersed in isopropyl alcohol and washed. This transparent support substrate is dried with dry nitrogen gas, fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation system, 200 mg of TPD is put in a resistance heating boat made of molybdenum, and another resistance heating boat made of molybdenum has an all-trans structure. is there
200 mg of 2,5-bis {2- (1-naphthyl) vinyl} pyrazine (Specific Example 21 of the light emitting material) was put and attached to a vacuum vapor deposition apparatus. After this, depressurize the vacuum chamber to 4 × 10 -4 Pa,
Energize the boat containing TPD, heat to 230 ℃, vapor deposition on a transparent support substrate at a vapor deposition rate of 0.1 ~ 0.3 nm / sec, film thickness
The hole injection layer (hole injection / transport layer) had a thickness of 50 nm. Two more
The boat containing 5-bis {2- (1-naphthyl) vinyl} pyrazine is energized, heated to 242 ° C, and the deposition rate is
Vapor deposition was performed at 0.3 nm / sec on the hole injection layer on the transparent supporting substrate to obtain a light emitting layer having a thickness of 60 nm. The temperature of the substrate during vapor deposition was room temperature. After this, open the vacuum chamber, place a stainless steel mask on the light emitting layer, put 3 g of magnesium in a molybdenum resistance heating boat, put copper in the crucible of the electron beam evaporation system, and set the vacuum chamber to 2 again. The pressure was reduced to × 10 -4 Pa, and then a boat containing magnesium was energized to deposit magnesium at a deposition rate of 4 to 6 nm / sec. At this time, simultaneously heat the copper with an electron beam to 0.1 to 0.3 nm / sec.
Then, copper was vapor-deposited, and the magnesium was mixed with copper to form a counter electrode. Through the above steps, the fabrication of the electroluminescent element was completed.
この素子のITO電極を正極、Mgと銅の混合物よりなる対
向電極を負極とし、直流12Vを印加したところ、電流密
度が213mA/cm2の電流が流れ、黄色の発光を得た。この
時の発光極大波長は565nm、CIE色度座標はx=0.40、y
=0.53(Yellow Green)、発光輝度は932cd/m2であり極
めて高輝度であった。When the ITO electrode of this device was used as a positive electrode and the counter electrode made of a mixture of Mg and copper was used as a negative electrode and a direct current of 12 V was applied, a current with a current density of 213 mA / cm 2 flowed, and yellow light emission was obtained. At this time, the maximum emission wavelength is 565 nm, the CIE chromaticity coordinate is x = 0.40, y
= 0.53 (Yellow Green), the emission luminance was 932 cd / m 2 , which was extremely high luminance.
[発明の効果] 本発明の有機EL素子は、発光材料としてジスチリルピラ
ジン誘導体を用いたものであって、黄色及び緑色発光
を、特に低電圧で高輝度に得ることができ、各種表示装
置の発光素子として好適に用いられる。[Advantages of the Invention] The organic EL element of the present invention uses a distyrylpyrazine derivative as a light emitting material, and can obtain yellow and green light emission with high brightness, particularly at low voltage, and can be used in various display devices. It is preferably used as a light emitting element.
Claims (5)
体を用いたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。1. An organic electroluminescence device comprising a distyrylpyrazine derivative as a light emitting material.
テロ芳香族残基であり、それらは同一であってもよい
し、たがいに異なっていてもよい) で表される化合物である請求項1記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。2. A distyrylpyrazine derivative having the general formula (X and Y in the formula are each a monovalent aromatic residue or a heteroaromatic residue, and they may be the same or different from each other) The organic electroluminescence device according to claim 1.
ン誘導体から成る薄膜状の発光層を有する請求項1又は
2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。3. The organic electroluminescence device according to claim 1, which has a thin-film light emitting layer made of a distyrylpyrazine derivative represented by the general formula (I).
項3記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。4. The organic electroluminescence device according to claim 3, wherein a light emitting layer is interposed between a pair of electrodes.
順に積層して成る請求項4記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。5. The organic electroluminescence device according to claim 4, wherein the anode, the hole injecting and transporting layer, the light emitting layer and the cathode are laminated in this order.
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1989
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JPH02252793A (en) | 1990-10-11 |
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