JPH0711535B2 - 半導体式加速度センサ - Google Patents
半導体式加速度センサInfo
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- JPH0711535B2 JPH0711535B2 JP61225437A JP22543786A JPH0711535B2 JP H0711535 B2 JPH0711535 B2 JP H0711535B2 JP 61225437 A JP61225437 A JP 61225437A JP 22543786 A JP22543786 A JP 22543786A JP H0711535 B2 JPH0711535 B2 JP H0711535B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、振動子及びダンピング液をそのパッケージ内
に備えた半導体式加速度センサに関する。
に備えた半導体式加速度センサに関する。
従来、振動や加速度等を検知するのに一般的に用いられ
ている構造としては、半導体基板に半導体歪ゲージの形
成される薄肉状のダイヤフラム部を形成し、一方の厚肉
部である支持体を固定し、他方の厚肉部を自由端とし
て、半導体歪ゲージの抵抗値変化に応じて被測定力を検
知するカンチレバー型の半導体式加速度センサ等が知ら
れている。
ている構造としては、半導体基板に半導体歪ゲージの形
成される薄肉状のダイヤフラム部を形成し、一方の厚肉
部である支持体を固定し、他方の厚肉部を自由端とし
て、半導体歪ゲージの抵抗値変化に応じて被測定力を検
知するカンチレバー型の半導体式加速度センサ等が知ら
れている。
上記のような半導体式加速度センサは金属線歪計と比較
して歪感度出力が大きいという長所がある反面、破壊強
度が低く、衝撃に弱いという欠点がある。そこで従来で
はそのような欠点を補う為に、自由端の変位を制限すべ
く機械的ストッパーを設けている。例えば、“A Batch
−Fabricated Silicon Accelerometer"IEEE Transactio
ns On Electron Devices,Vol.ED−26,No.12, December
1979に示されている半導体式加速度センサにおいては、
カンチレバーの自由端は２つのガラスによってはさま
れ、気密封止されており、そのガラスの各々にはカンチ
レバーの変位を制限すべく凹部が形成されている。すな
わち、半導体式加速度センサに衝撃が加わった場合に、
自由端の変位はガラスに形成された凹部の底部に自由端
が接触した時点で強制的に止めるようにして過度の変位
によるカンチレバーの破損を防止している。
して歪感度出力が大きいという長所がある反面、破壊強
度が低く、衝撃に弱いという欠点がある。そこで従来で
はそのような欠点を補う為に、自由端の変位を制限すべ
く機械的ストッパーを設けている。例えば、“A Batch
−Fabricated Silicon Accelerometer"IEEE Transactio
ns On Electron Devices,Vol.ED−26,No.12, December
1979に示されている半導体式加速度センサにおいては、
カンチレバーの自由端は２つのガラスによってはさま
れ、気密封止されており、そのガラスの各々にはカンチ
レバーの変位を制限すべく凹部が形成されている。すな
わち、半導体式加速度センサに衝撃が加わった場合に、
自由端の変位はガラスに形成された凹部の底部に自由端
が接触した時点で強制的に止めるようにして過度の変位
によるカンチレバーの破損を防止している。
ところで、カンチレバー型の半導体式加速度センサにお
いては、そのカンチレバーの形状で特性がほぼ決定され
ており、カンチレバー自身の共振周波数域（通常、350
〜400Hz程度）ではその他の周波数域における出力の数
十倍の出力が出てしまう。そこで、例えば自動車の加速
度等を検出しようとする場合には、低周波数域（通常、
10Hz程度以下）しか必要としないので、共振周波数域を
含む比較的高い周波数域をカットする為に、シリコンオ
イル等のダンピング液中にカンチレバーを配置する事で
粘性抵抗力による減衰作用を利用してダンピング液を機
械的なハイカットフィルタとして用いている。
いては、そのカンチレバーの形状で特性がほぼ決定され
ており、カンチレバー自身の共振周波数域（通常、350
〜400Hz程度）ではその他の周波数域における出力の数
十倍の出力が出てしまう。そこで、例えば自動車の加速
度等を検出しようとする場合には、低周波数域（通常、
10Hz程度以下）しか必要としないので、共振周波数域を
含む比較的高い周波数域をカットする為に、シリコンオ
イル等のダンピング液中にカンチレバーを配置する事で
粘性抵抗力による減衰作用を利用してダンピング液を機
械的なハイカットフィルタとして用いている。
ここで、従来の半導体式加速度センサは、カンチレバー
の周囲の媒質が気体である場合には問題はないが、上述
したような目的でその媒質を液体であるダンピング液と
した場合、つまり、２つのガラスにより密封した中にダ
ンピング液を封入した場合を想定すると、自由端の変位
に応じてダンピング液が各々のガラスに形成された凹部
を行き来するわけだが、その流路は自由端の周囲に形成
されたギャップだけとなっている。従って、ダンピング
液はギャップを通過する際に抵抗力を受ける事になり、
その実効粘度はダンピング液自身が有するダンピングフ
ァクターよりはるかに大きな値となり、半導体式加速度
センサの周波数応答性が悪化する。
の周囲の媒質が気体である場合には問題はないが、上述
したような目的でその媒質を液体であるダンピング液と
した場合、つまり、２つのガラスにより密封した中にダ
ンピング液を封入した場合を想定すると、自由端の変位
に応じてダンピング液が各々のガラスに形成された凹部
を行き来するわけだが、その流路は自由端の周囲に形成
されたギャップだけとなっている。従って、ダンピング
液はギャップを通過する際に抵抗力を受ける事になり、
その実効粘度はダンピング液自身が有するダンピングフ
ァクターよりはるかに大きな値となり、半導体式加速度
センサの周波数応答性が悪化する。
そこで本発明は、上記の点に鑑みなされたものであっ
て、振動子及びダンピング液をそのパッケージ内に備
え、周波数応答性の優れた半導体式加速度センサを提供
する事を目的としている。
て、振動子及びダンピング液をそのパッケージ内に備
え、周波数応答性の優れた半導体式加速度センサを提供
する事を目的としている。
上記の目的を達成するために本出願の第１発明では、パ
ッケージ内に収納された台座に、その一部が該台座に固
定されるとともに他部が自由端とされた振動子が接合さ
れ、該パッケージ内にダンピング液が封入された半導体
式加速度センサにおいて、 前記台座の前記振動子の自由端に相対する面には凹部が
配設されており、該凹部は、該凹部より前記台座のその
他の面のうち少なくとも一つの面に達するように配設さ
れた連通路を介して前記パッケージ内と連通している事
を特徴とする半導体式加速度センサを採用している。
ッケージ内に収納された台座に、その一部が該台座に固
定されるとともに他部が自由端とされた振動子が接合さ
れ、該パッケージ内にダンピング液が封入された半導体
式加速度センサにおいて、 前記台座の前記振動子の自由端に相対する面には凹部が
配設されており、該凹部は、該凹部より前記台座のその
他の面のうち少なくとも一つの面に達するように配設さ
れた連通路を介して前記パッケージ内と連通している事
を特徴とする半導体式加速度センサを採用している。
又、第２発明では、その一部を台座に固定し、他部を自
由端とした振動子と、ダンピング液とをパッケージ内に
備えた半導体式加速度センサにおいて、 前記台座は前記自由端の該台座側への変位を制限すべく
所定深さの凹部を前記自由端に相対する面に有してお
り、且つ、該凹部を前記台座のその他の面のうち少なく
とも一つの面に達する連通路を有して形成してあり、更
に、前記自由端の前記台座側とは逆の方向への変位を制
限すべく該自由端と所定間隔をもって形成したストッパ
ーとを備えることを特徴とする半導体式加速度センサを
採用している。
由端とした振動子と、ダンピング液とをパッケージ内に
備えた半導体式加速度センサにおいて、 前記台座は前記自由端の該台座側への変位を制限すべく
所定深さの凹部を前記自由端に相対する面に有してお
り、且つ、該凹部を前記台座のその他の面のうち少なく
とも一つの面に達する連通路を有して形成してあり、更
に、前記自由端の前記台座側とは逆の方向への変位を制
限すべく該自由端と所定間隔をもって形成したストッパ
ーとを備えることを特徴とする半導体式加速度センサを
採用している。
そして本発明によると、振動子の自由端に相対する台座
には凹部が形成され、該凹部は連通路を介してパッケー
ジ内と連通している。従って、ダンピング液は自由端が
変位する際に、連通路を通り、凹部とその外部（パッケ
ージ内）とをほとんど抵抗を受けずに自由に行き来でき
る。
には凹部が形成され、該凹部は連通路を介してパッケー
ジ内と連通している。従って、ダンピング液は自由端が
変位する際に、連通路を通り、凹部とその外部（パッケ
ージ内）とをほとんど抵抗を受けずに自由に行き来でき
る。
尚、凹部の深さに応じて、振動子の自由端の台座側への
変位を制限することができる。又、台座側とは逆の方向
に自由端と所定間隔をもってストッパーを形成する事に
より、その方向への自由端の変位も制限される。
変位を制限することができる。又、台座側とは逆の方向
に自由端と所定間隔をもってストッパーを形成する事に
より、その方向への自由端の変位も制限される。
以下、本発明を図面に示す実施例を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の全体の斜視図であり、パッ
ケージの気密封止前を表している。図において、100は
コバール等の金属より成るステムであり、その外周であ
る溶接部101をのぞいて、後述する台座６、ストッパー2
00等を搭載する凸部がプレス加工等により形成されてお
り、又、外部との電気接続をする為に例えば４つの貫通
孔が存在しており、その貫通孔に硬化ガラス500を溶着
する事にり介在してリード端子400が固定されている。
リード端子400とステム100とは硬質ガラス500により電
気的に絶縁されており、又、硬質ガラス500は気密性良
く介在している。
ケージの気密封止前を表している。図において、100は
コバール等の金属より成るステムであり、その外周であ
る溶接部101をのぞいて、後述する台座６、ストッパー2
00等を搭載する凸部がプレス加工等により形成されてお
り、又、外部との電気接続をする為に例えば４つの貫通
孔が存在しており、その貫通孔に硬化ガラス500を溶着
する事にり介在してリード端子400が固定されている。
リード端子400とステム100とは硬質ガラス500により電
気的に絶縁されており、又、硬質ガラス500は気密性良
く介在している。
次に、ステム100上に搭載さえ、カンチレバー4a及び台
座６により成るセンサエレメントについて第２図を用い
て詳細に説明する。まず、第２図（ａ）に示す上面図、
及びそのＡ−Ａ線断面図である同図（ｂ）において、4a
は例えばＮ型シリコン単結晶基板から成るカンチレバー
であり、薄肉状のダイヤフラム部７、自由端１、自由端
１を保護する為に自由端１の周りに配置するガード部4a
1、支持体８とから成る。尚、自由端１とガード部4a1と
の間隙4a2を形成する為のスクライブはカンチレバー4a
を両面エッチングする事により行われ、例えば、カンチ
レバー4aのスクライブする箇所の表面（第２図（ｂ）に
おける上面）を予め溝掘エッチングしておき、その後ダ
イヤフラム部７の形成時に裏面よりエッチングを行う事
でダイヤフラム部７の形成とスクライブとを同時に行
う。
座６により成るセンサエレメントについて第２図を用い
て詳細に説明する。まず、第２図（ａ）に示す上面図、
及びそのＡ−Ａ線断面図である同図（ｂ）において、4a
は例えばＮ型シリコン単結晶基板から成るカンチレバー
であり、薄肉状のダイヤフラム部７、自由端１、自由端
１を保護する為に自由端１の周りに配置するガード部4a
1、支持体８とから成る。尚、自由端１とガード部4a1と
の間隙4a2を形成する為のスクライブはカンチレバー4a
を両面エッチングする事により行われ、例えば、カンチ
レバー4aのスクライブする箇所の表面（第２図（ｂ）に
おける上面）を予め溝掘エッチングしておき、その後ダ
イヤフラム部７の形成時に裏面よりエッチングを行う事
でダイヤフラム部７の形成とスクライブとを同時に行
う。
支持体８及びカード部4a1の所定領域の表面には、Ni層
等をめっき又は蒸着した下地層3bが形成されており、同
じく下地層3bの形成されている台座６と半田層5bを介し
て接着している。ここで、本実施例の要部である台座６
にはカンチレバー4aが被測定加速度に応じて変位できる
ように、固定（ｃ）に示すようにカンチレバー4a1と相
対する面6aに所定の深さの凹部6a1が形成されている。
等をめっき又は蒸着した下地層3bが形成されており、同
じく下地層3bの形成されている台座６と半田層5bを介し
て接着している。ここで、本実施例の要部である台座６
にはカンチレバー4aが被測定加速度に応じて変位できる
ように、固定（ｃ）に示すようにカンチレバー4a1と相
対する面6aに所定の深さの凹部6a1が形成されている。
又、凹部6a1は一方の端面6bから他方の端面6cにわたっ
て形成されている。尚、台座６の材質としてはカンチレ
バー4aとの熱膨張係数をあわせる為にシリコンが望まし
い。
て形成されている。尚、台座６の材質としてはカンチレ
バー4aとの熱膨張係数をあわせる為にシリコンが望まし
い。
自由端１の一主面（接着面）２には複数箇所（図では７
箇所）に下地層3aが形成されており、その下地層3aを介
して負荷としての半田層5aを接着している。ここで、本
例のように半田層5aを複数箇所に形成する事により半田
の垂れ、片寄りを極力抑える事ができる。尚、下地層3a
及び半田層5aは、支持体８又はガード部4a1の表面上に
形成される下地層3b及び半田層5bとそれぞれ同時に同じ
工程で形成可能である。
箇所）に下地層3aが形成されており、その下地層3aを介
して負荷としての半田層5aを接着している。ここで、本
例のように半田層5aを複数箇所に形成する事により半田
の垂れ、片寄りを極力抑える事ができる。尚、下地層3a
及び半田層5aは、支持体８又はガード部4a1の表面上に
形成される下地層3b及び半田層5bとそれぞれ同時に同じ
工程で形成可能である。
又、ダイヤフラム部７内あるいはダイヤフラム部７上
（図は前者）に公知の半導体加工技術、例えば、ボロン
等のＰ型不純物を熱拡散又はイオン注入する事によりダ
イヤフラム部７内に導入し、形成した４個の半導体歪ゲ
ージ９が存在しており、Ｐ型不純物を高濃度で導入して
形成した配線層11a、及びAl蒸着膜等から成る配線部材1
1bにより各々の半導体歪ゲージ９は互いに電気的接続さ
れておりフルブリッジを構成している。尚、10はシリコ
ン酸化膜等の保護膜であり、又、配線部材11bのパッド
部とリード端子400とはワイヤ線300をワイヤボンディン
グする事により電気接続している。
（図は前者）に公知の半導体加工技術、例えば、ボロン
等のＰ型不純物を熱拡散又はイオン注入する事によりダ
イヤフラム部７内に導入し、形成した４個の半導体歪ゲ
ージ９が存在しており、Ｐ型不純物を高濃度で導入して
形成した配線層11a、及びAl蒸着膜等から成る配線部材1
1bにより各々の半導体歪ゲージ９は互いに電気的接続さ
れておりフルブリッジを構成している。尚、10はシリコ
ン酸化膜等の保護膜であり、又、配線部材11bのパッド
部とリード端子400とはワイヤ線300をワイヤボンディン
グする事により電気接続している。
そして、上記のセンサエレメントは、自由端１に加速度
を加えるとダイヤフラム部７に歪を生じ、加速度の大き
さに応じて半導体歪ゲージ９の抵抗値が変化し、ブリッ
ジ回路に予め電圧を印加しておくことによりブリッジ出
力として不平衡電圧を生じ、その電圧値に応じて被検出
加速度を検知するものであり、半田によりステム100に
台座６を接着する事により固定される。
を加えるとダイヤフラム部７に歪を生じ、加速度の大き
さに応じて半導体歪ゲージ９の抵抗値が変化し、ブリッ
ジ回路に予め電圧を印加しておくことによりブリッジ出
力として不平衡電圧を生じ、その電圧値に応じて被検出
加速度を検知するものであり、半田によりステム100に
台座６を接着する事により固定される。
第１図において200はストッパーであり、その形状は第
３図の斜視図に示すように、ステム100に垂直な２つの
板材201,202と、ステム100に平行、言い換えるとカンチ
レバー4aに平行な板材203とが互いに垂直に組み合わさ
った形となっており、板材203の下面203aと、カンチレ
バー4aの上面とは所定の間隔を有するように調整されて
いる。尚、その材質は例えばコバール等から成り、又、
半田によるステム100に接着している。
３図の斜視図に示すように、ステム100に垂直な２つの
板材201,202と、ステム100に平行、言い換えるとカンチ
レバー4aに平行な板材203とが互いに垂直に組み合わさ
った形となっており、板材203の下面203aと、カンチレ
バー4aの上面とは所定の間隔を有するように調整されて
いる。尚、その材質は例えばコバール等から成り、又、
半田によるステム100に接着している。
次に、600はコバール等の金属より成るシェルであり、
ステム100の溶接部101に相対する位置に同じく溶接部60
1を有し、その他の部分はプレス加工により凹部が形成
され箱形となっている。又、シェル600には気密封止後
にダンピング液を注入する為の穴602及びその際に空気
を逃がす為の穴603が形成されている。そして、その気
密封止は溶接部601と溶接部101とを接触させて機械的な
圧力を加えつつ、シェル600とステム100間に通電する事
により両者を溶接して行われる。その後、第６図の第１
図における溶接後のＢ−Ｂ線断面図に示すように、例え
ば吐出先が針状の注入器900を穴602に差し込み、例えば
シリコンオイル等のダンピング液700を一定量、例えば
全容積の70〜80％程度注入し、そして、穴602及び603を
半田により封止する。尚、第６図において800はパッケ
ージ内に残った空気であり、604はダンピング液700の波
立ちを抑制する隔壁である。
ステム100の溶接部101に相対する位置に同じく溶接部60
1を有し、その他の部分はプレス加工により凹部が形成
され箱形となっている。又、シェル600には気密封止後
にダンピング液を注入する為の穴602及びその際に空気
を逃がす為の穴603が形成されている。そして、その気
密封止は溶接部601と溶接部101とを接触させて機械的な
圧力を加えつつ、シェル600とステム100間に通電する事
により両者を溶接して行われる。その後、第６図の第１
図における溶接後のＢ−Ｂ線断面図に示すように、例え
ば吐出先が針状の注入器900を穴602に差し込み、例えば
シリコンオイル等のダンピング液700を一定量、例えば
全容積の70〜80％程度注入し、そして、穴602及び603を
半田により封止する。尚、第６図において800はパッケ
ージ内に残った空気であり、604はダンピング液700の波
立ちを抑制する隔壁である。
そこで本体実施例によると、台座６のカンチレバー4aと
相対する面6aに所定の深さの凹部6a1が形成されてお
り、その凹部6a1の深さは自由端１の変位の最大値を決
定する。つまり半導体式加速度センサに強い衝撃が加わ
った場合に、自由端１の第１図中下方向（台座６側）の
変位は自由端が凹部6a1の底部に接触した時点で強制的
に止められるので、過度の変位によるカンチレバー4aの
破壊を防止できる。そして、凹部6a1が端面6bから端面6
cにわたって形成されている事から、ダンピング液700は
自由端１の変位に応じて第１図を示す逃げ口6dを通って
ほとんど抵抗を受ける事なく自由に行き来する事がで
き、従って、ダンピング液700の実効粘度はダンピング
液自身の有するダンピングファクターのみによって与え
られるので、カンチレバー4aの周波数応答性は良くな
る。
相対する面6aに所定の深さの凹部6a1が形成されてお
り、その凹部6a1の深さは自由端１の変位の最大値を決
定する。つまり半導体式加速度センサに強い衝撃が加わ
った場合に、自由端１の第１図中下方向（台座６側）の
変位は自由端が凹部6a1の底部に接触した時点で強制的
に止められるので、過度の変位によるカンチレバー4aの
破壊を防止できる。そして、凹部6a1が端面6bから端面6
cにわたって形成されている事から、ダンピング液700は
自由端１の変位に応じて第１図を示す逃げ口6dを通って
ほとんど抵抗を受ける事なく自由に行き来する事がで
き、従って、ダンピング液700の実効粘度はダンピング
液自身の有するダンピングファクターのみによって与え
られるので、カンチレバー4aの周波数応答性は良くな
る。
又、カンチレバー4aの上部にストッパー200が所定の間
隔をもって形成されているので、自由端１の第１図中上
方向への変位も制限され、カンチレバー4aの破壊を確実
に防止できる。又、ストッパー200は自由端１の変位が
最も大きい末端部分の変位を制限すべく、その部分の上
方だけに板材203が配置しているので、カンチレバー4a
上部はほぼ自由空間に等しく、ダンピング液700の実効
粘度を上げるような要素はなく、カンチレバー4aの周波
数応答性はより向上する。
隔をもって形成されているので、自由端１の第１図中上
方向への変位も制限され、カンチレバー4aの破壊を確実
に防止できる。又、ストッパー200は自由端１の変位が
最も大きい末端部分の変位を制限すべく、その部分の上
方だけに板材203が配置しているので、カンチレバー4a
上部はほぼ自由空間に等しく、ダンピング液700の実効
粘度を上げるような要素はなく、カンチレバー4aの周波
数応答性はより向上する。
尚、本発明は上記実施例に限定される事なく、その主旨
を逸脱しない限り例えば以下に示す如く種々変形可能で
ある。
を逸脱しない限り例えば以下に示す如く種々変形可能で
ある。
（１） 台座6aの自由端１に相対する面に形成される凹
部は、その面以外の少なくとも一つの面に達していれば
良く、例えば、第４図（ａ）の斜視図に示すように端面
6cだけに達していても良く、又、同図（ｂ）の斜視図に
示すように自由端１に相対する面とその一辺を共有する
４つの端面に達していてもよい。
部は、その面以外の少なくとも一つの面に達していれば
良く、例えば、第４図（ａ）の斜視図に示すように端面
6cだけに達していても良く、又、同図（ｂ）の斜視図に
示すように自由端１に相対する面とその一辺を共有する
４つの端面に達していてもよい。
（２） ストッパー200は、自由端１からみて台座６側
とは逆の方向に所定の間隔をもって配置しておればよ
く、その形状は第５図の斜視図に示すように、ステム10
0に垂直な板材201と、平行な板材203とによって形成さ
れる鉤状のものであってもよく、また台座６と同様の形
状であってもよい。
とは逆の方向に所定の間隔をもって配置しておればよ
く、その形状は第５図の斜視図に示すように、ステム10
0に垂直な板材201と、平行な板材203とによって形成さ
れる鉤状のものであってもよく、また台座６と同様の形
状であってもよい。
以上述べたように、本発明によると、ダンピング液はそ
の凹部および連通路を通り凹部とその外部とをほとんど
抵抗を受けずに自由に行き来できるので、ダンピング液
の実効粘度は上がる事がなく、従って振動子の周波数応
答性を向上できる。
の凹部および連通路を通り凹部とその外部とをほとんど
抵抗を受けずに自由に行き来できるので、ダンピング液
の実効粘度は上がる事がなく、従って振動子の周波数応
答性を向上できる。
第１図は本発明の一実施例の気密封止前における全体の
斜視図、第２図（ａ）は第１図におけるセンサエレメン
トの上面図、第２図（ｂ）は同図（ａ）におけるＡ−Ａ
線断面図、第２図（ｃ）は第１図における台座の斜視
図、第３図は第１図におけるストッパーの斜視図、第４
図（ａ）及び（ｂ）は台座の形状の他の例を示す斜視
図、第５図はストッパーの形状の他の例を示す斜視図、
第６図は第１図における溶接後のＢ−Ｂ線断面図であ
る。 4a……カンチレバー,6……台座，6a1……凹部,100……
ステム,200……ストッパー,600……シェル,700……ダン
ピング液。
斜視図、第２図（ａ）は第１図におけるセンサエレメン
トの上面図、第２図（ｂ）は同図（ａ）におけるＡ−Ａ
線断面図、第２図（ｃ）は第１図における台座の斜視
図、第３図は第１図におけるストッパーの斜視図、第４
図（ａ）及び（ｂ）は台座の形状の他の例を示す斜視
図、第５図はストッパーの形状の他の例を示す斜視図、
第６図は第１図における溶接後のＢ−Ｂ線断面図であ
る。 4a……カンチレバー,6……台座，6a1……凹部,100……
ステム,200……ストッパー,600……シェル,700……ダン
ピング液。
Claims (4)
- 【請求項１】パッケージ内に収納された台座に、その一
部が該台座に固定されるとともに他部が自由端とされた
振動子が接合され、該パッケージ内にダンピング液が封
入された半導体式加速度センサにおいて、 前記台座の前記振動子の自由端に相対する面には凹部が
配設されており、該凹部は、該凹部より前記台座のその
他の面のうち少なくとも一つの面に達するように配設さ
れた連通路を介して前記パッケージ内と連通している事
を特徴とする半導体式加速度センサ。 - 【請求項２】前記凹部は前記自由端の前記台座側への変
位を制限すべく、所定の深さにて配設されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体式加速
度センサ。 - 【請求項３】その一部を台座に固定し、他部を自由端と
した振動子と、ダンピング液とをパッケージ内に備えた
半導体式加速度センサにおいて、 前記台座は前記自由端の該台座側への変位を制限すべく
所定深さの凹部を前記自由端に相対する面に有してお
り、且つ、該凹部を前記台座のその他の面のうち少なく
とも一つの面に達する連通路を有して形成してあり、更
に、前記自由端の前記台座側とは逆の方向への変位を制
限すべく該自由端と所定間隔をもって形成したストッパ
ーとを備える事を特徴とする半導体式加速度センサ。 - 【請求項４】上記ストッパーは、その形状が鉤状のもの
である特許請求の範囲第３項記載の半導体式加速度セン
サ。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61225437A JPH0711535B2 (ja) | 1986-09-23 | 1986-09-23 | 半導体式加速度センサ |
| EP87113466A EP0261555B1 (en) | 1986-09-22 | 1987-09-15 | Semiconductor accelerometer |
| EP19910112458 EP0456285A3 (en) | 1986-09-22 | 1987-09-15 | Semiconductor accelerometer |
| EP19910112438 EP0454190A3 (en) | 1986-09-22 | 1987-09-15 | Semiconductor accelerometer |
| DE8787113466T DE3780242T2 (de) | 1986-09-22 | 1987-09-15 | Halbleiterbeschleunigungsmesser. |
| US07/098,050 US4829822A (en) | 1986-09-22 | 1987-09-17 | Semiconductor accelerometer |
| KR1019870010447A KR900005635B1 (ko) | 1986-09-22 | 1987-09-21 | 반도체 가속도계 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61225437A JPH0711535B2 (ja) | 1986-09-23 | 1986-09-23 | 半導体式加速度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6379073A JPS6379073A (ja) | 1988-04-09 |
| JPH0711535B2 true JPH0711535B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=16829352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61225437A Expired - Lifetime JPH0711535B2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-23 | 半導体式加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0711535B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2786240B2 (ja) * | 1988-04-11 | 1998-08-13 | 株式会社デンソー | 加速度センサ |
-
1986
- 1986-09-23 JP JP61225437A patent/JPH0711535B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6379073A (ja) | 1988-04-09 |
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