JPH0711251A - フェロエレクトリック液晶ディスプレイ装置 - Google Patents
フェロエレクトリック液晶ディスプレイ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 傾斜スメクティックホストにおいて16から
160のPs値を示す液晶物質を含むことを特徴とする
フェロエレクトリック液晶ディスプレイ装置。 【効果】 本発明によって改良された特性を有するフェ
ロエレクトリック液晶ディスプレイ装置が提供される。
160のPs値を示す液晶物質を含むことを特徴とする
フェロエレクトリック液晶ディスプレイ装置。 【効果】 本発明によって改良された特性を有するフェ
ロエレクトリック液晶ディスプレイ装置が提供される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、傾斜スメクティックホ
ストにおいて16から160のPs値を示す液晶物質を
含むことを特徴とするフェロエレクトリック液晶ディス
プレイ装置、室温において傾斜キラルスメクティック相
を有し、高温においてコレステリック相を有するα−ヒ
ドロキシカルボン酸誘導体の液晶物質を含むことを特徴
とするフェロエレクトリック液晶ディスプレイ装置に関
する。特に本発明は、傾斜キラルスメクティック液晶メ
ソ相(a tilted chiral swectic liquid crystal mesop
hase) を示す、フェロエレクトリック液晶物質に関す
る。
ストにおいて16から160のPs値を示す液晶物質を
含むことを特徴とするフェロエレクトリック液晶ディス
プレイ装置、室温において傾斜キラルスメクティック相
を有し、高温においてコレステリック相を有するα−ヒ
ドロキシカルボン酸誘導体の液晶物質を含むことを特徴
とするフェロエレクトリック液晶ディスプレイ装置に関
する。特に本発明は、傾斜キラルスメクティック液晶メ
ソ相(a tilted chiral swectic liquid crystal mesop
hase) を示す、フェロエレクトリック液晶物質に関す
る。
【0002】
【従来技術】エヌ・エー・クラーク(N. A. Clark)及び
エス・ティー・レイガーウォール(S. T. Lagerwall)に
よって「アプ フィス レット」36.899頁(19
88)〔“App Phys Lett"36P899、(198
0)〕(参考文献1〕に記載されているように、例えば
処理及び記憶装置やディスプレイ装置のような、傾斜キ
ラルスメクティック相にある物質のフェロエレクトリッ
ク特性に基づく、急速切換えのできる電気光学装置に利
用するために、かかる物質が求められてきたのである。
エス・ティー・レイガーウォール(S. T. Lagerwall)に
よって「アプ フィス レット」36.899頁(19
88)〔“App Phys Lett"36P899、(198
0)〕(参考文献1〕に記載されているように、例えば
処理及び記憶装置やディスプレイ装置のような、傾斜キ
ラルスメクティック相にある物質のフェロエレクトリッ
ク特性に基づく、急速切換えのできる電気光学装置に利
用するために、かかる物質が求められてきたのである。
【0003】フェロエレクトリック液晶物質の効果の尺
度は、その自然偏光係数(spontaneous polarisation c
oefficient) Ps である。電気光学的応用のためには、
フェロエレクトリック液晶物質のPs は可能な限り高い
ことが望ましく、一方ではまたこの高いPs と、液晶物
質において一般に考えられる他の望ましい特性、例えば
低粘度、広い液晶相の範囲、安定性等々とが組み合わさ
れていることが望ましい。フェロエレクトリックな性質
を示す傾斜スメクティック相は、キラルC、F、G、
H、I、J及びK相である。(以下S* C 、S* r 等の
表示において、アステリスクはキラル性を表す。)S*
C 相は、最も一般的に、最も流動性であると考えられて
いる。液晶物質がS* 相より高い温度でSA 相を示すこ
とも望ましい。なぜならこれが装置において表面整列
(surface alignment)を助けるからである。いくつかの
液晶化合物は、上に概略を延べた多くの望ましい特性を
具現するS * 相を示すが、通常実際には、少なくとも2
つの化合物または数組の化合物の混合物である物質が用
いられる。それらの化合物の組み合わせとはすなわち、
キラルであってもなくてもよいスメクティック相を示す
“ホスト(host) ”と、Psの高い傾斜キラルスメクテ
ィック相をつくるためにホストに混合される“ドーパン
ト(dopant) ”である。ドーパントは、都合の良いフェ
ロエレクトリックな混合物を生産するために、ホストま
たは混合物の他の特性の改善を助けるものであってもよ
い。ネマティック液晶の調査が進んでいるのとは対照的
に、S* 化合物及び物質の望ましい分子構造については
ほとんど知られていない。現在フェロエレクトリックデ
ィスプレイに使われている多くの物質は、文献1に記載
された化合物、DOBAMBC 及びHOBACPC のように、Ps 値
が低いかまたは化学的に不安定である。
度は、その自然偏光係数(spontaneous polarisation c
oefficient) Ps である。電気光学的応用のためには、
フェロエレクトリック液晶物質のPs は可能な限り高い
ことが望ましく、一方ではまたこの高いPs と、液晶物
質において一般に考えられる他の望ましい特性、例えば
低粘度、広い液晶相の範囲、安定性等々とが組み合わさ
れていることが望ましい。フェロエレクトリックな性質
を示す傾斜スメクティック相は、キラルC、F、G、
H、I、J及びK相である。(以下S* C 、S* r 等の
表示において、アステリスクはキラル性を表す。)S*
C 相は、最も一般的に、最も流動性であると考えられて
いる。液晶物質がS* 相より高い温度でSA 相を示すこ
とも望ましい。なぜならこれが装置において表面整列
(surface alignment)を助けるからである。いくつかの
液晶化合物は、上に概略を延べた多くの望ましい特性を
具現するS * 相を示すが、通常実際には、少なくとも2
つの化合物または数組の化合物の混合物である物質が用
いられる。それらの化合物の組み合わせとはすなわち、
キラルであってもなくてもよいスメクティック相を示す
“ホスト(host) ”と、Psの高い傾斜キラルスメクテ
ィック相をつくるためにホストに混合される“ドーパン
ト(dopant) ”である。ドーパントは、都合の良いフェ
ロエレクトリックな混合物を生産するために、ホストま
たは混合物の他の特性の改善を助けるものであってもよ
い。ネマティック液晶の調査が進んでいるのとは対照的
に、S* 化合物及び物質の望ましい分子構造については
ほとんど知られていない。現在フェロエレクトリックデ
ィスプレイに使われている多くの物質は、文献1に記載
された化合物、DOBAMBC 及びHOBACPC のように、Ps 値
が低いかまたは化学的に不安定である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、改良
された特性を有する新しい範囲のS* フェロエレクトリ
ック液晶物質を提供することにある。本発明の他の目的
及び利点は、以下の記述から明らかになるであろう。
された特性を有する新しい範囲のS* フェロエレクトリ
ック液晶物質を提供することにある。本発明の他の目的
及び利点は、以下の記述から明らかになるであろう。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に従って、次の化
合物が提供される。フェロエレクトリックキラルスメク
ティック液晶混合物中でホストまたはドーパントとして
使用することのできる化合物であって、下式のキラルユ
ニットを含有するα−ヒドロキシカルボン酸の誘導体で
あることを特徴とする該化合物。
合物が提供される。フェロエレクトリックキラルスメク
ティック液晶混合物中でホストまたはドーパントとして
使用することのできる化合物であって、下式のキラルユ
ニットを含有するα−ヒドロキシカルボン酸の誘導体で
あることを特徴とする該化合物。
【化1】 式中R0 はアルキル、アルコキシ、ハロゲンまたは
【化2】 から選ばれ、ここでbは0〜3で、フェニル環はアルキ
ル、アルコキシ、ハロゲンまたはシアノから選ばれた1
以上の置換基によって置換されていてもよく、aは0ま
たは1である。
ル、アルコキシ、ハロゲンまたはシアノから選ばれた1
以上の置換基によって置換されていてもよく、aは0ま
たは1である。
【0006】かかる化合物においてこのユニットは指示
された両方の末端でメソジェニックな基の組み合わせに
結合する。すなわち化合物それ自身または他の可能なス
メクティック化合物との混合物において、スメクティッ
ク液晶相の形成を促進する。メソジェニックになりやす
い基のタイプは、一般に液晶化学においてよく知られて
いる。そして上記のユニットと広範囲のメソジェニック
な基との組み合わせは以下のような利点をもたらす。い
くつかの特に好適な組み合わせが発見された。それゆえ
本発明の第2の側面に従って下式を有するα−ヒドロキ
シカルボン酸の誘導体が提供される。
された両方の末端でメソジェニックな基の組み合わせに
結合する。すなわち化合物それ自身または他の可能なス
メクティック化合物との混合物において、スメクティッ
ク液晶相の形成を促進する。メソジェニックになりやす
い基のタイプは、一般に液晶化学においてよく知られて
いる。そして上記のユニットと広範囲のメソジェニック
な基との組み合わせは以下のような利点をもたらす。い
くつかの特に好適な組み合わせが発見された。それゆえ
本発明の第2の側面に従って下式を有するα−ヒドロキ
シカルボン酸の誘導体が提供される。
【化3】
【0007】式中Xは、構造: R1-S9-(A1S1)i - (A2S2)j - (A3S3)k - (A8S8)r - を有する基を表わす。式中Yは、構造: -(S7A7)p - (S6A6)n - (S5A5)m - (S4A4)l -S10-R2 を有する基を表わす。式中R1 及びR2 は、それぞれ個
別にH、アルキル、アルコキシ、フルオロアルキル、フ
ルオロアルコキシ、アルコキシ置換アルキル、アルカノ
イル、アルカノイルオキシ、アルコキシカルボニル、ハ
ロゲンまたはアルキルカルボニルオキシから選ばれる。
式中、S1 、S2 、S3 、S4 、S5 、S6 、S9 及び
S10はそれぞれ個別に単一の共有結合または、COO 、OO
C 、CH2 、CH2CH2、CH2O、OCH2、CH=N、N=CH、CHD 、 C
H2・CHD 及び CHD・CH2 から選ばれる基を表す。ここで
Dは、CN1CF3、CH3 またはハロゲンを表わす。
別にH、アルキル、アルコキシ、フルオロアルキル、フ
ルオロアルコキシ、アルコキシ置換アルキル、アルカノ
イル、アルカノイルオキシ、アルコキシカルボニル、ハ
ロゲンまたはアルキルカルボニルオキシから選ばれる。
式中、S1 、S2 、S3 、S4 、S5 、S6 、S9 及び
S10はそれぞれ個別に単一の共有結合または、COO 、OO
C 、CH2 、CH2CH2、CH2O、OCH2、CH=N、N=CH、CHD 、 C
H2・CHD 及び CHD・CH2 から選ばれる基を表す。ここで
Dは、CN1CF3、CH3 またはハロゲンを表わす。
【0008】式中、S7 及びS8 はそれぞれ個別に単一
の共有結合または、COO 及びOOC を除いてそこからS1
〜S6 、S9 及びS10が選ばれるところの基のいずれか
を表わし、S7 は (CH2)q をも表わす。ここでqは1〜
12である。式中、A1 〜A8 はそれぞれ個別に、それ
ぞれ1またはそれ以上の置換基を有していてもよい、次
なる環状基から選ばれる。フェニル、シクロヘキシル、
バイシクロ(2,2,2)オクタン、ピナン、ナフチ
ル、ピリジル、ピリミジル、ピペリジルまたはCH2 単
位の1または2個が酸素原子又は硫黄原子により置き換
えられたシクロヘキシル。
の共有結合または、COO 及びOOC を除いてそこからS1
〜S6 、S9 及びS10が選ばれるところの基のいずれか
を表わし、S7 は (CH2)q をも表わす。ここでqは1〜
12である。式中、A1 〜A8 はそれぞれ個別に、それ
ぞれ1またはそれ以上の置換基を有していてもよい、次
なる環状基から選ばれる。フェニル、シクロヘキシル、
バイシクロ(2,2,2)オクタン、ピナン、ナフチ
ル、ピリジル、ピリミジル、ピペリジルまたはCH2 単
位の1または2個が酸素原子又は硫黄原子により置き換
えられたシクロヘキシル。
【0009】式中、a、i、j、k、l、m、n、p及
びrはそれぞれ個別に0または1である。好ましくはR
0 は1〜5個の炭素原子を含むアルキル、特にメチル
(すなわち乳酸の誘導体)であるかまたは、置換されて
いないフェニル(すなわちマンデル酸の誘導体)であ
る。エステル結合をもたらすため、aは好ましくは1で
ある。S7 とS8 は好ましくは単一の共有結合である。
A1 〜A8 のいずれかがフェニルを表わすとき、環は好
ましくは、1,4−位で分子の残りの部分に結合し、環
が置換された場合、単数または複数の置換基は、好まし
くは CH3、CF3 、CN、NO2 、F、Cl、Brまたは COCH3で
ある。A1 〜A8 のいずれかが脂環族を表すとき、その
環は好ましくはトランス型であり;ジオキサンである場
合は、トランス1,3−ジオキサンは好ましくは2,5
−位で分子の残りの部分に結合し;置換シクロヘキシル
である場合は、シクロヘキシルは好ましくは1,4−位
で分子の残りの部分に結合し、置換基を1及び/または
4位に有する。
びrはそれぞれ個別に0または1である。好ましくはR
0 は1〜5個の炭素原子を含むアルキル、特にメチル
(すなわち乳酸の誘導体)であるかまたは、置換されて
いないフェニル(すなわちマンデル酸の誘導体)であ
る。エステル結合をもたらすため、aは好ましくは1で
ある。S7 とS8 は好ましくは単一の共有結合である。
A1 〜A8 のいずれかがフェニルを表わすとき、環は好
ましくは、1,4−位で分子の残りの部分に結合し、環
が置換された場合、単数または複数の置換基は、好まし
くは CH3、CF3 、CN、NO2 、F、Cl、Brまたは COCH3で
ある。A1 〜A8 のいずれかが脂環族を表すとき、その
環は好ましくはトランス型であり;ジオキサンである場
合は、トランス1,3−ジオキサンは好ましくは2,5
−位で分子の残りの部分に結合し;置換シクロヘキシル
である場合は、シクロヘキシルは好ましくは1,4−位
で分子の残りの部分に結合し、置換基を1及び/または
4位に有する。
【0010】式1の化合物は好ましくは2以上4以下の
環状基A1 〜A8 を含む。R1 及び/またはR2 がハロ
ゲンである場合、それらは好ましくはフッ素である。R
1 及び/またはR2 が有機基である場合、それらは好ま
しくはアルキルまたはアルコキシであるかそれらを含
む。好ましくはそれらは各々1〜20個の炭素原子を含
み、そして好ましくはR1 とR2 の炭素原子の総数は2
5かそれ以下である。R1 及び/またはR2 は好ましく
は直鎖またはキラルのアルキル鎖であるか、それを含
む。そしてR1 が5〜12個の炭素原子を含むn−アル
キルまたはn−アルコキシであり、R2 が1〜5個の炭
素原子を含むn−アルキルであれば特に好ましい。Xま
たはYがキラルであるとき、それらは好ましくは、
(+)または(−)2−メチルブチル、(+)または
(−)2−メチルブトキシ、2−オクチル、2−ヘプチ
ルまたは2−ノニルであるかまたはそれらを含む。
環状基A1 〜A8 を含む。R1 及び/またはR2 がハロ
ゲンである場合、それらは好ましくはフッ素である。R
1 及び/またはR2 が有機基である場合、それらは好ま
しくはアルキルまたはアルコキシであるかそれらを含
む。好ましくはそれらは各々1〜20個の炭素原子を含
み、そして好ましくはR1 とR2 の炭素原子の総数は2
5かそれ以下である。R1 及び/またはR2 は好ましく
は直鎖またはキラルのアルキル鎖であるか、それを含
む。そしてR1 が5〜12個の炭素原子を含むn−アル
キルまたはn−アルコキシであり、R2 が1〜5個の炭
素原子を含むn−アルキルであれば特に好ましい。Xま
たはYがキラルであるとき、それらは好ましくは、
(+)または(−)2−メチルブチル、(+)または
(−)2−メチルブトキシ、2−オクチル、2−ヘプチ
ルまたは2−ノニルであるかまたはそれらを含む。
【0011】R2 がn−アルキル乳酸エステルとして存
在するとき、すなわちa=1で、l、m、n、及びpが
それぞれ0で、S4 〜S7 及びS10が共に単一の共有結
合であるとき、R2 は好ましくはエチルである。本明細
書中、
在するとき、すなわちa=1で、l、m、n、及びpが
それぞれ0で、S4 〜S7 及びS10が共に単一の共有結
合であるとき、R2 は好ましくはエチルである。本明細
書中、
【化4】 はフェニルを表す。
【化5】 はトランスシクロヘキシルを表し、それに応じてシクロ
ヘキサンのヘテロ環式類似化合物も表される。
ヘキサンのヘテロ環式類似化合物も表される。
【化6】 はバイシクロ(2,2,2)オクタンを表す。
【化7】 はピナンを表す。式中の−L−は -COO-CH(CH3)-COO-を
表わす。
表わす。
【0012】式Iの好ましい構造の例は、下の表1に示
される式によって表わされる。
される式によって表わされる。
【表1】 ここで式中(F)、(CH3) 、(Cl)等は、その環が括弧内の
1または2以上の置換基を有していてよいことを意味す
る。特に好ましいXの構造は、
1または2以上の置換基を有していてよいことを意味す
る。特に好ましいXの構造は、
【化8】 である。
【0013】ここでR1 はn−アルコキシ、特にC5 〜
C12のアルコキシである。Yがn−アルキル、特にC1
〜C5 のn−アルキルであれば、特に好適であると思わ
れる。例えば次のタイプの化合物:
C12のアルコキシである。Yがn−アルキル、特にC1
〜C5 のn−アルキルであれば、特に好適であると思わ
れる。例えば次のタイプの化合物:
【化9】 式中R1 とR2 は、傾斜スメクティックホストに添加さ
れた際に非常に高いP s 値をそれぞれ示すC5 〜C12の
アルコキシ及びC1 〜C5 のアルキルである。L基に直
接結合した単一の環状基または単一のナフチルユニット
を含むYの構造も、傾斜スメクティックホストで高いP
s 値を示す、式Iの化合物にしばしばなる。本発明に含
まれる構造の他の例を以下の表2に掲げた。表中、Ph
は任意に1または2以上の側置換基を有する1,4−フ
ェニルを表わし、Cy は任意に1または2以上の置換基
を有するトランス1,4−シクロヘキシルを表わし、B
coは1,4−バイシクロ(2,2,2)オクタンを表わ
し、DX はそれぞれトランス2,5−ジ置換1,3−ジ
オキサンを表わし、そして−L−は -COO. CH(CH3)COO.
- を表わす。
れた際に非常に高いP s 値をそれぞれ示すC5 〜C12の
アルコキシ及びC1 〜C5 のアルキルである。L基に直
接結合した単一の環状基または単一のナフチルユニット
を含むYの構造も、傾斜スメクティックホストで高いP
s 値を示す、式Iの化合物にしばしばなる。本発明に含
まれる構造の他の例を以下の表2に掲げた。表中、Ph
は任意に1または2以上の側置換基を有する1,4−フ
ェニルを表わし、Cy は任意に1または2以上の置換基
を有するトランス1,4−シクロヘキシルを表わし、B
coは1,4−バイシクロ(2,2,2)オクタンを表わ
し、DX はそれぞれトランス2,5−ジ置換1,3−ジ
オキサンを表わし、そして−L−は -COO. CH(CH3)COO.
- を表わす。
【0014】
【表2】表 2 R1-Ph-CO2-Ph-L-R2 R1-Ph-CH2.CH2-Ph-L-R2 R1-Cy-CO2-Ph-L-R2 R1-Cy-CH2.CH2-Ph-L-R2 R1-Cy-Ph-Ph-L-R2 R1-Cy-CO.O-Ph-Ph-L-R2 R1-Cy-CH2.CH2-Ph-Ph-L-R2 R1-Cy-CH2-CH2-Ph-CO2-Ph-L-R2 R1-Cy-CO2-Ph-Ph-Ph-L-R2 R1-Cy-CH2.CH2-Ph-Ph-Ph-L-R2 R1-Ph-CO2-Ph-CO2-Ph-L-R2 R1-Ph-L-Ph-R2 R1-Ph-CO2-Ph-L-Ph-R2 R1-Cy-CO2-Ph-L-Ph-R2 R1-Cy-CH2.CH2-Ph-L-Ph-R2 R1-Ph-L-Ph-Ph-R2 R1-Ph-Ph-L-Ph-Ph-R2 R1-Cy-Cy-CO2-Ph-L-Ph-R2 R1-Cy-CO2-Ph-L-Ph-R2 R1-Cy-CH2-CH2-Ph-L-Ph-Ph-R2 R1-Ph-L-Ph-Ph-R2 R1-Ph-L-Py-R2 R1-Ph-L-Cy-Ph-R2 R1-Ph-L-Bco-Ph-R2 R1-Ph-L-Py-Py-R2 R1-Ph-L-Ph-O.OC-Ph-R2 R1-Ph-L-Ph-CH2.CH2-Ph-R2 R1-Ph-L-Ph-CH2O-Cy-R2 R1-Ph-L-Ph-CH2.CH2-Cy-R2 R1-Ph-L-Ph-N=CH-Ph-R2 R1-Ph-L-Ph-O.OC-Ph-Ph-R2 R1-Ph-L-Ph-O.OC-Ph-Cy-R2 R1-Ph-L-Ph-O.OC-Cy-Ph-R2 R1-Ph-L-Ph-CH2.CH2-Cy-Ph-R2 R1-Ph-L-Ph-CH2.CH2-Ph-Ph-R2 R1-Ph-L-Ph-Ph-CH2.CH2-Ph-R2 R1-Ph-L-Ph-Ph-CH2.CH2-Cy-Ph-R2 R1-Ph-L-Dx-CH2.CH2-Cy-R2 R1-Ph-L-Cy-N=CH-Ph-R2 R1-Ph-L-Boc-CH2.CH2-Ph-R2 R1-Ph-L-Cy-O.OC-Ph-Ph-R2 R1-Ph-L-Cy-O.OC-Ph-Cy-R2 R1-Ph-L-Cy-Ph-CH2O-Cy-R2 R1-Ph-L-Cy-Ph-O.OC-Ph-Ph-R2 R1-Ph-L-Ph-Ph-O.OC-Ph-Ph-R2 R1-Ph-L-Ph-Ph-CO.O-Ph-Ph-R2 R1-Ph-L-Cy-Ph-Ph-R2 R1-Ph-L-Ph-CO2-Ph-R2 R1-Ph-L-Ph-Ph-CO2-Ph-R2 R1-Ph-L-Ph-CO2-Ph-Ph-R2 R1-Ph-L-Ph-Ph-CO2-Ph-Ph-R2 R1-Cy-Ph-L-Ph-Ph-R2 R1-Boc-Ph-L-Ph-R2 R1-Boc-C.OO-Ph-L-R2 R1-Boc-C.OO-Ph-L-Ph-R2 R1-Boc-CH2.CH2-Ph-L-R2 R1-Boc-CH2.O-Ph-L-R2 R1-Ph-L-Bco-R2 R1-Ph-Ph-L-Bco-R2 R1-Py-Ph-L-R2 R1-Py-CH2.CH2-Ph-L-R2 R1-Py-CO.O-Ph-L-R2 R1-Dx-Ph-L-R2 R1-Dx-CH2.CH2-Ph-L-R2 R1-Ph-L-Cy-R2 R1-Ph-CO.O-Ph-L-Cy-R2 R1-Ph-Cy-CH2.CH2-Ph-L-R2 R1-Ph-Ph-CO.O-Ph-Ph-L-R2 R1-Py-L-Ph-R2 R1-Ph-L-Cy-Cy-R2 R1-Ph-L-Dx-R2 R1-Ph-L-Ph-Cy-R2 R1-Ph-L-Boc-R2 R1-Ph-L-Ph-Boc-R2 R1-Ph-L-Cy-Dx-R2 R1-Ph-L-Cy-O.OC-Ph-R2
【0015】式Iの乳酸誘導体は、種々の方法で調製す
ることができる。方法1 例えばそれらはルートaまたはルートbの2つのルート
でエステル化して乳酸(HO・CH(CH3)CO ・OH) から得る
ことができる。下記のルートaまたはルートbにおい
て、各々のQは、例えば塩化物のような通常のエステル
化において使用される適切な反応基を個別に表わしてい
る。
ることができる。方法1 例えばそれらはルートaまたはルートbの2つのルート
でエステル化して乳酸(HO・CH(CH3)CO ・OH) から得る
ことができる。下記のルートaまたはルートbにおい
て、各々のQは、例えば塩化物のような通常のエステル
化において使用される適切な反応基を個別に表わしてい
る。
【0016】式Iの化合物は、ルートbによって作られ
ることが好ましい。エステル化段階は、例えばトリメチ
ルエタン等の適切な基剤の存在下で行うように、当業者
によく知られた段階によって行われる。方法2 乳酸を使用するもう一つのエステル化ルートは次のルー
トcである:
ることが好ましい。エステル化段階は、例えばトリメチ
ルエタン等の適切な基剤の存在下で行うように、当業者
によく知られた段階によって行われる。方法2 乳酸を使用するもう一つのエステル化ルートは次のルー
トcである:
【化10】 式中、−L−= -COO-CH(CH3)COO- R1 =アルキルまたはアルコキシ、例えば C8H17O R2 =アルキル、置換アルキル、シクロアルキルまたは
フェニル X =1または2 (i)20% Cs2CO3 、90% MeOH 、pH;Ph.CH2Br、
DMF (ii)
フェニル X =1または2 (i)20% Cs2CO3 、90% MeOH 、pH;Ph.CH2Br、
DMF (ii)
【化11】 −ジシクロヘキシルカルボイミド(DCC)、4−(N−ピ
ロリジノ)−ピリジン(N−PPy)、CHCl2 (iii)5% Pd-C 、エチルアセテート、水素。 (iv) R2OH、DCC 、N-PPy 、CH2Cl2。
ロリジノ)−ピリジン(N−PPy)、CHCl2 (iii)5% Pd-C 、エチルアセテート、水素。 (iv) R2OH、DCC 、N-PPy 、CH2Cl2。
【0017】方法3 いくつかのケースにおいては、2官能価の乳酸を使用す
ることによって問題が生ずる。そこで商業的に入手可能
な例えば S-(-)-HO.CH.(CH3).CO2・C2H5等の乳酸を使用
する、下記の別ルートd及びeを用いることができる。
これらのルートによってはR2 は乳酸アルキルのアルキ
ル基となる。以下に例示するように、ルートd及びeは
トランス−シクロヘキシル環を含む式Iの化合物の調製
に特に好適である。
ることによって問題が生ずる。そこで商業的に入手可能
な例えば S-(-)-HO.CH.(CH3).CO2・C2H5等の乳酸を使用
する、下記の別ルートd及びeを用いることができる。
これらのルートによってはR2 は乳酸アルキルのアルキ
ル基となる。以下に例示するように、ルートd及びeは
トランス−シクロヘキシル環を含む式Iの化合物の調製
に特に好適である。
【化12】 (i)Br2 、NaOH、ジオキサン;H+ (ii) DCC 、R2-3-(-)- ラクテート、N-PPy 、CH2Cl2 (iii)DCC 、4−ヒドロキシベンズアルデヒド、N-PPy
、CH2Cl2 (iv)CrO3酸化。 (v)(ii) と同様。
、CH2Cl2 (iv)CrO3酸化。 (v)(ii) と同様。
【0018】方法4 式Iのターフェニルの調製に適切な方法は、下記のルー
トfである:
トfである:
【化13】 (i)X=Fのとき;n=BuLi、エーテル、−35℃、2
0分;ZnCl2 、THF 、N2 X=Hのとき;n=BuLi、エーテル、−5℃〜−10℃、
45分;ZnCl2、THF 、N2 (ii)S-(-)-エチルラクテート、DCC 、N-PPy 、CH2Cl2 (iii)Pd[Ph3P]2Cl2ジ−イソブチルアルミニウムハイド
ライド、THF 、N2 種々のカルボン酸 X-COOH とフェノール/アルコール Y
-OH 、及びルートc、d、e、fの種々の出発物質また
は中間体に類似の化合物は、公知であるかまたは簡単な
文献記載のルートで公知の化合物から得ることができ
る。例えばカルボン酸は、相応するニトリルから加水分
解によって得ることができる。
0分;ZnCl2 、THF 、N2 X=Hのとき;n=BuLi、エーテル、−5℃〜−10℃、
45分;ZnCl2、THF 、N2 (ii)S-(-)-エチルラクテート、DCC 、N-PPy 、CH2Cl2 (iii)Pd[Ph3P]2Cl2ジ−イソブチルアルミニウムハイド
ライド、THF 、N2 種々のカルボン酸 X-COOH とフェノール/アルコール Y
-OH 、及びルートc、d、e、fの種々の出発物質また
は中間体に類似の化合物は、公知であるかまたは簡単な
文献記載のルートで公知の化合物から得ることができ
る。例えばカルボン酸は、相応するニトリルから加水分
解によって得ることができる。
【0019】かかる化合物の例としては、下記の表3に
示す一般式を有するものが挙げられる。式中R1 とR2
は、すでに定義されたとおりである。所望の置換反応パ
ターンを有する化合物を調製するためには、これらの化
合物の適切な置換類似物を使用することができる。
示す一般式を有するものが挙げられる。式中R1 とR2
は、すでに定義されたとおりである。所望の置換反応パ
ターンを有する化合物を調製するためには、これらの化
合物の適切な置換類似物を使用することができる。
【表3】
【0020】式Iの化合物は光学活性(キラル)の形で
単離することができる。この場合ルート(a)〜(f)
における出発乳酸は、(s)−または(R)−の異性体
に対応している。またラセミ型で単離する場合は、出発
乳酸はラセミ体である。すべての型の乳酸は、商業的に
入手することができる。ルートa〜fにおいて光学活性
生成物が必要とされる場合、中間生成物は最終生成物と
同様に、その光学活性がエステル化段階中のラセミ化に
よって壊されないことを確実にするためにチェックされ
る。本発明の化合物は、それ自身で前述の高いPs 値の
望ましいフェロエレクトリック傾斜S* 相の1または2
以上を示すことができる。そしてその場合はホストフェ
ロエレクトリック傾斜液晶物質として使用することがで
きる。本発明の化合物のいくつかは、室温でフェロエレ
クトリックS* c 相さえも示すことができる。そのよう
な化合物のいくつかを表IIに示した。それ自身で高いP
s を示す本発明の化合物は、よく知られている凝固点降
下によって、個々の化合物のいずれより融点の低いフェ
ロエレクトリック混合物を作るために、本発明の1また
は2以上の他の化合物と選択的に混合することができ
る。
単離することができる。この場合ルート(a)〜(f)
における出発乳酸は、(s)−または(R)−の異性体
に対応している。またラセミ型で単離する場合は、出発
乳酸はラセミ体である。すべての型の乳酸は、商業的に
入手することができる。ルートa〜fにおいて光学活性
生成物が必要とされる場合、中間生成物は最終生成物と
同様に、その光学活性がエステル化段階中のラセミ化に
よって壊されないことを確実にするためにチェックされ
る。本発明の化合物は、それ自身で前述の高いPs 値の
望ましいフェロエレクトリック傾斜S* 相の1または2
以上を示すことができる。そしてその場合はホストフェ
ロエレクトリック傾斜液晶物質として使用することがで
きる。本発明の化合物のいくつかは、室温でフェロエレ
クトリックS* c 相さえも示すことができる。そのよう
な化合物のいくつかを表IIに示した。それ自身で高いP
s を示す本発明の化合物は、よく知られている凝固点降
下によって、個々の化合物のいずれより融点の低いフェ
ロエレクトリック混合物を作るために、本発明の1また
は2以上の他の化合物と選択的に混合することができ
る。
【0021】しかしながらそれらの原則的な使用法は通
常ホスト物質におけるフェロエレクトリック液晶相を誘
導しまたは改良するためのキラルド−パントとして使用
されるものである。ホストはそれ自身で傾斜S* 相を示
すことができるか、あるいは式Iの1または2以上の化
合物と混合してそのような相を示すことができる。その
ような場合にはその化合物がそれ自身でスメクティック
相を示すこともあるし示さないこともある。1または2
以上の本発明の化合物をホストに混合することによって
ホスト物質の種々の特性を改良することができる。例え
ばPs や、S*相の温度範囲や、S* 相の螺旋(helica
l)あるいはねじれ(twisted)配置のピッチである。本発
明の化合物の主たる利点の一つは、傾斜スメクティック
混合物に高いPsを生ぜしめる能力である。これは以下
の事実によるものであると考えられる。すなわち、“分
子コア”すなわち基XまたはY、あるいはXとYの組み
合わせに関係するα−ヒドロキシカルボン酸基のキラル
中心の自由回転が、主として、エステル結合(-COO- 及
び -OOC-)による分子コアへのキラル中心の結合によっ
て妨げられるという事実である。このことは、とりわけ
S7 及び/またはS8 が単一の共有結合である場合にそ
うなり、環はエステル結合によって直接キラル中心に結
合される。
常ホスト物質におけるフェロエレクトリック液晶相を誘
導しまたは改良するためのキラルド−パントとして使用
されるものである。ホストはそれ自身で傾斜S* 相を示
すことができるか、あるいは式Iの1または2以上の化
合物と混合してそのような相を示すことができる。その
ような場合にはその化合物がそれ自身でスメクティック
相を示すこともあるし示さないこともある。1または2
以上の本発明の化合物をホストに混合することによって
ホスト物質の種々の特性を改良することができる。例え
ばPs や、S*相の温度範囲や、S* 相の螺旋(helica
l)あるいはねじれ(twisted)配置のピッチである。本発
明の化合物の主たる利点の一つは、傾斜スメクティック
混合物に高いPsを生ぜしめる能力である。これは以下
の事実によるものであると考えられる。すなわち、“分
子コア”すなわち基XまたはY、あるいはXとYの組み
合わせに関係するα−ヒドロキシカルボン酸基のキラル
中心の自由回転が、主として、エステル結合(-COO- 及
び -OOC-)による分子コアへのキラル中心の結合によっ
て妨げられるという事実である。このことは、とりわけ
S7 及び/またはS8 が単一の共有結合である場合にそ
うなり、環はエステル結合によって直接キラル中心に結
合される。
【0022】分子コアの環がα−ヒドロキシカルボン酸
基に隣接する場合、該カルボン酸基に隣接する環の位置
の大置換基の存在もまた、該コアに関係するキラル中心
の回転に立体障害を生じ、そしてまた高いPs の改良に
貢献することができるであろうが、後者の効果について
は信頼性が低い。これは、例えば化合物のPs の測定の
ような、本発明の化合物の有用性を測定する方法を提供
するものである。実際には、例えば化合物のいずれもが
測定されることなく ca O のPs を示すラセミスメクテ
ィックホストのような、ホスト物質中の化合物の溶液の
Ps 、及び本発明の純粋化合物の“外挿されたPs (ex
trapolated Ps )" は、これから公知の方法によって導
かれる。多くの場合、高い外挿されたPs は、高い光学
的回転角を示す式Iの化合物中で発見されることが観察
されてきた。
基に隣接する場合、該カルボン酸基に隣接する環の位置
の大置換基の存在もまた、該コアに関係するキラル中心
の回転に立体障害を生じ、そしてまた高いPs の改良に
貢献することができるであろうが、後者の効果について
は信頼性が低い。これは、例えば化合物のPs の測定の
ような、本発明の化合物の有用性を測定する方法を提供
するものである。実際には、例えば化合物のいずれもが
測定されることなく ca O のPs を示すラセミスメクテ
ィックホストのような、ホスト物質中の化合物の溶液の
Ps 、及び本発明の純粋化合物の“外挿されたPs (ex
trapolated Ps )" は、これから公知の方法によって導
かれる。多くの場合、高い外挿されたPs は、高い光学
的回転角を示す式Iの化合物中で発見されることが観察
されてきた。
【0023】本発明の化合物を混合することのできる広
い範囲の好適なホスト物質が知られている。例として
は、次のような物質がある: (a) 欧州特許出願第0110299A2号に開示され
た化合物及び組成物。 (b) モル・クリスト・リク・クリスト(Mol Cryst Li
q Cryst)37、157(1976)に記載された化合物
及び組成物、例えば中心コアを有する次の構造のエステ
ル:
い範囲の好適なホスト物質が知られている。例として
は、次のような物質がある: (a) 欧州特許出願第0110299A2号に開示され
た化合物及び組成物。 (b) モル・クリスト・リク・クリスト(Mol Cryst Li
q Cryst)37、157(1976)に記載された化合物
及び組成物、例えば中心コアを有する次の構造のエステ
ル:
【化14】 (c) 次式の公知化合物:
【化15】 (または、ラセミ混合物であってよいそれらの混合物) 式中、RC とRD は少なくとも一つがキラル基であるn
−アルキルまたはn−アルコキシを個別に表わす。例え
ばRc =n=C8H17 でありRD =(+)−2メチルブチ
ルである場合、この化合物は英国、ドルセット、プー
ル、プルームロードのBDHケミカルズ社(BDH Chemic
als Ltd, Broom Road, Poole, Dorset, UK) から商業的
に入手することができる。
−アルキルまたはn−アルコキシを個別に表わす。例え
ばRc =n=C8H17 でありRD =(+)−2メチルブチ
ルである場合、この化合物は英国、ドルセット、プー
ル、プルームロードのBDHケミカルズ社(BDH Chemic
als Ltd, Broom Road, Poole, Dorset, UK) から商業的
に入手することができる。
【0024】(d) 英国特許出願第8501509号に
開示された化合物及び組成物、例えば次式のような該出
願明細書第2頁の式Ia〜Ihの物質:
開示された化合物及び組成物、例えば次式のような該出
願明細書第2頁の式Ia〜Ihの物質:
【化16】 (e) 次式を有する公知の化合物またはそれらの混合
物。
物。
【化17】 式中、RA とRB の一つはC5-12n−アルコキシを表わ
し他の一つはC7-12n−アルキルまたはn−アルコキシ
を表わす。これらの化合物は非キラルである。 (f) 公知の化合物PG495
し他の一つはC7-12n−アルキルまたはn−アルコキシ
を表わす。これらの化合物は非キラルである。 (f) 公知の化合物PG495
【化18】 (g) 次式の公知化合物またはそれらの混合物
【化19】 上記(f)及び(g)の両方ともBDHケミカルより入
手可能である。式Iの化合物と混合することのできる他
の好適なスメクティックホスト物質は、当業者には明ら
かであろう。
手可能である。式Iの化合物と混合することのできる他
の好適なスメクティックホスト物質は、当業者には明ら
かであろう。
【0025】本発明の化合物の1または2以上を含み、
キラルスメクティック相を示す混合物には、1または2
以上の添加物を添加して、粘度や、誘電異方性、複屈折
(birefringerence)、ピッチ、弾性定数、融点、透明点
等のような特性の装置に好ましい他の特性を生じせしめ
ることができる。添加物は弱い縦方向のダイポールモー
メントを示すこと(例えばアルキルまたはアルコキシ末
端基を含む化合物のように)が好ましい。また好ましく
はそれらは横方向のダイポールモーメントを示す(例え
ば横方向の、ハロゲン、CF3 またはCN置換基を含むこと
によって)。スメクティック液晶化学の分野において
は、混和性のための構造的要請についてはほとんど知ら
れていない。そしてそれゆえどの化合物がスメクティッ
ク相で安定な混合物を形成するかを予言することはいく
ぶん難しい。従ってホストまたは上述の添加物等の化合
物のいかなる特定の組み合わせが安定な混合物を形成す
るかを決定するための比較的簡単な試験を行わねばなら
ないであろう。かかる実験は多くの場合、組み合わせた
化合物を共に溶融し(もしそれらが室温で液体でなけれ
ばであるが)、そして外観を観察するか、さもなくば光
学顕微鏡観察のような公知の方法によってスメクティッ
ク相の外観を観察する以上のものは含まないであろう。
キラルスメクティック相を示す混合物には、1または2
以上の添加物を添加して、粘度や、誘電異方性、複屈折
(birefringerence)、ピッチ、弾性定数、融点、透明点
等のような特性の装置に好ましい他の特性を生じせしめ
ることができる。添加物は弱い縦方向のダイポールモー
メントを示すこと(例えばアルキルまたはアルコキシ末
端基を含む化合物のように)が好ましい。また好ましく
はそれらは横方向のダイポールモーメントを示す(例え
ば横方向の、ハロゲン、CF3 またはCN置換基を含むこと
によって)。スメクティック液晶化学の分野において
は、混和性のための構造的要請についてはほとんど知ら
れていない。そしてそれゆえどの化合物がスメクティッ
ク相で安定な混合物を形成するかを予言することはいく
ぶん難しい。従ってホストまたは上述の添加物等の化合
物のいかなる特定の組み合わせが安定な混合物を形成す
るかを決定するための比較的簡単な試験を行わねばなら
ないであろう。かかる実験は多くの場合、組み合わせた
化合物を共に溶融し(もしそれらが室温で液体でなけれ
ばであるが)、そして外観を観察するか、さもなくば光
学顕微鏡観察のような公知の方法によってスメクティッ
ク相の外観を観察する以上のものは含まないであろう。
【0026】この比較的新しい分野における今日までの
とほとんどの研究は、良好な作用をするホストとドーパ
ンドの組み合わせを発見することに集中して来た。そし
てこれからの研究はそれらの添加物の組み合わせを改良
する方向へと向かうであろう。同一若しくは密接に関係
した分子コア、または構造上の環状基と結合基の組み合
わせを有する化合物は相溶性になるといういくつかの徴
候がある。例えば化合物PG495は、ラクテート−エ
チルエステルによって置換された2−メチルブチルエス
テル基を有する類似物と相溶性である。この原則が絶対
不変のものでないことは、表7〜12においてPG49
5及びRCE8と相溶性である広範囲の化合物によって
証明されている。可能性のある添加物のいくつかの例は
下記の表4、5及び6に示されているが、これは一般的
なガイドにすぎず、適性を調査するすべてのケースにお
いて実験が行われるべきだということは理解されねばな
らない。
とほとんどの研究は、良好な作用をするホストとドーパ
ンドの組み合わせを発見することに集中して来た。そし
てこれからの研究はそれらの添加物の組み合わせを改良
する方向へと向かうであろう。同一若しくは密接に関係
した分子コア、または構造上の環状基と結合基の組み合
わせを有する化合物は相溶性になるといういくつかの徴
候がある。例えば化合物PG495は、ラクテート−エ
チルエステルによって置換された2−メチルブチルエス
テル基を有する類似物と相溶性である。この原則が絶対
不変のものでないことは、表7〜12においてPG49
5及びRCE8と相溶性である広範囲の化合物によって
証明されている。可能性のある添加物のいくつかの例は
下記の表4、5及び6に示されているが、これは一般的
なガイドにすぎず、適性を調査するすべてのケースにお
いて実験が行われるべきだということは理解されねばな
らない。
【0027】1または2以上の傾斜スメクティック化合
物または室温のスメクティックC相を作るための前述の
(a)〜(e)のような物質と共に本発明の化合物を含
む混合物に添加することのできる化合物系の例は表4に
示されている。
物または室温のスメクティックC相を作るための前述の
(a)〜(e)のような物質と共に本発明の化合物を含
む混合物に添加することのできる化合物系の例は表4に
示されている。
【表4】 式中、RとR1 はアルキルまたはアルコキシでありRA
はアルキルである。Rは好ましくは非対象置換炭素原子
を含む、C5-12n−アルキル若しくはn−アルコキシ、
または、C5-12枝分れアルキル若しくはアルコキシであ
り、例えば2−メチルブチルである。
はアルキルである。Rは好ましくは非対象置換炭素原子
を含む、C5-12n−アルキル若しくはn−アルコキシ、
または、C5-12枝分れアルキル若しくはアルコキシであ
り、例えば2−メチルブチルである。
【0028】低溶融性及び/または低粘度の添加物の例
としては表5に示された化合物である。
としては表5に示された化合物である。
【表5】 式中、Rは各々個別にアルキルまたはアルコキシであ
り、例えばC1- n−アルキルまたはn−アルコキシで
ある。そしてRA は各々個別にアルキルであり例えばC
1-1 n−アルキルである。
り、例えばC1- n−アルキルまたはn−アルコキシで
ある。そしてRA は各々個別にアルキルであり例えばC
1-1 n−アルキルである。
【0029】高い透明点の添加物の例としては表6に示
された化合物がある。
された化合物がある。
【表6】 式中、Rはアルキルまたはアルコキシ、例えばC1-12ア
ルキルまたはアルコキシであり、RA はアルキル、例え
ばC1-12またはこれらの化合物の一つのフッ素化類似物
である。
ルキルまたはアルコキシであり、RA はアルキル、例え
ばC1-12またはこれらの化合物の一つのフッ素化類似物
である。
【0030】本発明のこの側面に従った例は次の通りで
ある: (i)1または2以上の前記(a)〜(g)の化合物を含む成分 25−75mol % (ii)1または2以上の前記表4の化合物を含む成分 0−30mol % (iii)1または2以上の前記表5の化合物を含む成分 0−30mol % (iv)1または2以上の前記表6の化合物を含む成分 0−30mol % キラルスメクティック相におけるPS 値及び分子配置の
ピッチを含む、本発明の混合物に求められる特性に従っ
て該混合物に含まれる1または2以上の本発明の化合物
を合わせて、それぞれの化合物の総量は100%とされ
る。本発明の化合物がホストにおけるPS を増加させる
場合、PS 値は一般にホスト中に存在する化合物の量に
よって増加する。選択的または付加的に、本発明のいく
つかの化合物はホストとして作用しうる。この場合それ
らは光学的に活性であるか、ラセミであり、適切なドー
パントを添加することができる。(ドーパントは式Iの
化合物とは異なったものであることができる。)そして
表4、5及び6に例示されているような他の添加物を該
混合物に添加することができる。
ある: (i)1または2以上の前記(a)〜(g)の化合物を含む成分 25−75mol % (ii)1または2以上の前記表4の化合物を含む成分 0−30mol % (iii)1または2以上の前記表5の化合物を含む成分 0−30mol % (iv)1または2以上の前記表6の化合物を含む成分 0−30mol % キラルスメクティック相におけるPS 値及び分子配置の
ピッチを含む、本発明の混合物に求められる特性に従っ
て該混合物に含まれる1または2以上の本発明の化合物
を合わせて、それぞれの化合物の総量は100%とされ
る。本発明の化合物がホストにおけるPS を増加させる
場合、PS 値は一般にホスト中に存在する化合物の量に
よって増加する。選択的または付加的に、本発明のいく
つかの化合物はホストとして作用しうる。この場合それ
らは光学的に活性であるか、ラセミであり、適切なドー
パントを添加することができる。(ドーパントは式Iの
化合物とは異なったものであることができる。)そして
表4、5及び6に例示されているような他の添加物を該
混合物に添加することができる。
【0031】混合物が、1または2以上の本発明の化合
物を含む第1の成分に、それ自身で本発明の1または2
以上の化合物を含み、キラルでもある第2の成分を混合
することによって形成される場合、2つの成分の、また
はそれらによって誘発される各々の分子のねじれの向き
は、同じでも反対でもよい。2つのねじれの向きが反対
である場合、生成混合物は2つの成分のピッチよりも長
い螺旋ピッチを示す(もし別々にキラルなスメクティッ
クであれば)。2つのキラルスメクティック成分の等量
混合物においては、ねじれの向きはピッチの短い方すな
わちねじれが強い方の成分と同じである。この原理によ
って、混合物のピッチは所期の応用のために適切に調製
することができる。十分長いピッチの混合物を作るため
に、この方法によって中の成分の各々のねじれの方向が
互いに相殺し合うような混合物を作ることが可能であ
る。混合物中では、(図1に示したような)偏光の各々
の方向、例えば(+)または(−)を、同じかまたは反
対に、それゆえ加法的または減法的にすることができ
る。それゆえ偏光が加法的である場合にその中で成分の
ねじれの位置に反対であり互いに相殺し合う混合物を調
製することが可能である。
物を含む第1の成分に、それ自身で本発明の1または2
以上の化合物を含み、キラルでもある第2の成分を混合
することによって形成される場合、2つの成分の、また
はそれらによって誘発される各々の分子のねじれの向き
は、同じでも反対でもよい。2つのねじれの向きが反対
である場合、生成混合物は2つの成分のピッチよりも長
い螺旋ピッチを示す(もし別々にキラルなスメクティッ
クであれば)。2つのキラルスメクティック成分の等量
混合物においては、ねじれの向きはピッチの短い方すな
わちねじれが強い方の成分と同じである。この原理によ
って、混合物のピッチは所期の応用のために適切に調製
することができる。十分長いピッチの混合物を作るため
に、この方法によって中の成分の各々のねじれの方向が
互いに相殺し合うような混合物を作ることが可能であ
る。混合物中では、(図1に示したような)偏光の各々
の方向、例えば(+)または(−)を、同じかまたは反
対に、それゆえ加法的または減法的にすることができ
る。それゆえ偏光が加法的である場合にその中で成分の
ねじれの位置に反対であり互いに相殺し合う混合物を調
製することが可能である。
【0032】傾斜S* フェロエレクトリック液晶相を示
し、ドーパンド、ホスト、またはその両方として1また
は2以上の本発明の化合物を混合し、更に1または2以
上の他の化合物または先に論じたタイプの化合物を含む
液晶混合物が、本発明の他の側面を構成する。本発明の
化合物を混合した液晶フェロエレクトリック物質は、例
えば処理、記憶ディスプレイ装置のようなS* メソ相の
特性を利用した公知の液晶電気光学装置において使用す
ることができる。かかる装置の例としては“クラーク・
レイガーウォール装置(Coark Lagerwall Device) ”が
あり、文献1及び“コンデンスト・マッター物理学の最
近の発展(Recent Developments in Clndersed Matter
Physics)”4、p309、(1981)(文献3)に記
載されている。この装置の物理的過程及び製造方法はよ
く知られている。実際にはかかる装置は普通2つの支持
材からなり、支持材の少なくとも1つは光学的に透明で
あり、支持材の内部表面の電極と、液晶物質の層は、支
持材にはさまれている。
し、ドーパンド、ホスト、またはその両方として1また
は2以上の本発明の化合物を混合し、更に1または2以
上の他の化合物または先に論じたタイプの化合物を含む
液晶混合物が、本発明の他の側面を構成する。本発明の
化合物を混合した液晶フェロエレクトリック物質は、例
えば処理、記憶ディスプレイ装置のようなS* メソ相の
特性を利用した公知の液晶電気光学装置において使用す
ることができる。かかる装置の例としては“クラーク・
レイガーウォール装置(Coark Lagerwall Device) ”が
あり、文献1及び“コンデンスト・マッター物理学の最
近の発展(Recent Developments in Clndersed Matter
Physics)”4、p309、(1981)(文献3)に記
載されている。この装置の物理的過程及び製造方法はよ
く知られている。実際にはかかる装置は普通2つの支持
材からなり、支持材の少なくとも1つは光学的に透明で
あり、支持材の内部表面の電極と、液晶物質の層は、支
持材にはさまれている。
【0033】式Iの化合物を含む場合、かかる装置も本
発明の側面を構成する。クラーク・レイガーウォール装
置は、表面相互作用によって螺旋をほどいてしまうS*
配置の螺旋ピッチと同等かそれより小さな厚さの支持材
の間の、液晶物質の層を使用する。ほどけた状態では、
その物質は2表面安定化状態を有し、方向配向(direct
or orientations)(すなわち分子の傾斜方向)は互いに
傾斜角の2倍であり、そして永久ダイポール配向は支持
材に垂直で反対の方向である。液晶物質のより厚い層を
有するクラーク・レイガーウォール装置用のセルを作る
ためのもう一つのアプローチは、液晶物質の誘電性異方
性との相互作用を通じて均質な整列を生ぜしめるために
電場をかけることである。この効果は、例えばハロゲン
側基またはシアノ置換基を有する化合物を組み込むこと
による、負の誘電性異方性を有するキラルスメクティッ
ク物質を必要とする。かかる化合物は、それ自身キラル
でも非キラルでもよく、スメクティックでも非スメクテ
ィックでもよい。
発明の側面を構成する。クラーク・レイガーウォール装
置は、表面相互作用によって螺旋をほどいてしまうS*
配置の螺旋ピッチと同等かそれより小さな厚さの支持材
の間の、液晶物質の層を使用する。ほどけた状態では、
その物質は2表面安定化状態を有し、方向配向(direct
or orientations)(すなわち分子の傾斜方向)は互いに
傾斜角の2倍であり、そして永久ダイポール配向は支持
材に垂直で反対の方向である。液晶物質のより厚い層を
有するクラーク・レイガーウォール装置用のセルを作る
ためのもう一つのアプローチは、液晶物質の誘電性異方
性との相互作用を通じて均質な整列を生ぜしめるために
電場をかけることである。この効果は、例えばハロゲン
側基またはシアノ置換基を有する化合物を組み込むこと
による、負の誘電性異方性を有するキラルスメクティッ
ク物質を必要とする。かかる化合物は、それ自身キラル
でも非キラルでもよく、スメクティックでも非スメクテ
ィックでもよい。
【0034】一般には、キラルスメクティックC物質
(SC * )が、もっとも流動体であるということからこ
れらのディスプレイン使用されるが、原理的には、より
規則的なキラルスメクティックも使用することができ
る。プレオクロイック染料(ploochroic dye) も液晶物
質に組み込み、電気−光学的効果を強めることができ
る。式Iの化合物を組み込んだそのような装置は、双安
定の記憶性能とともに文献3に示されているように数マ
イクロセロンドの高スイッチングスピードを可能にし、
ディスプレイ、光学処理装置、及び光学記憶装置におけ
る重要な応用を有するようである。特にこのことはピジ
ュアルディスプレイユニット、ポータブルコンピュータ
ー等への使用に適した、例えば30cm×20cm、大きな
スクリーンの形態の電気−光学装置の構築を促進する。
本発明を具体的に示す化合物の性質及び合成の実施例を
記す。次の実施例において用いる特定の略字及び記号は
以下の意味を有する。 h=時間 g=グラム mp=融点 bp=沸点 hplc=高圧液体クロマトグラフィー C-S A,B,C...=結晶質固体対スメクティックA,B,C
・・・ 液晶転移温度℃ 〔α〕D 24=ナトリウムD線を使用した24℃における
施光度 ホスト:RCE8はラセミ体
(SC * )が、もっとも流動体であるということからこ
れらのディスプレイン使用されるが、原理的には、より
規則的なキラルスメクティックも使用することができ
る。プレオクロイック染料(ploochroic dye) も液晶物
質に組み込み、電気−光学的効果を強めることができ
る。式Iの化合物を組み込んだそのような装置は、双安
定の記憶性能とともに文献3に示されているように数マ
イクロセロンドの高スイッチングスピードを可能にし、
ディスプレイ、光学処理装置、及び光学記憶装置におけ
る重要な応用を有するようである。特にこのことはピジ
ュアルディスプレイユニット、ポータブルコンピュータ
ー等への使用に適した、例えば30cm×20cm、大きな
スクリーンの形態の電気−光学装置の構築を促進する。
本発明を具体的に示す化合物の性質及び合成の実施例を
記す。次の実施例において用いる特定の略字及び記号は
以下の意味を有する。 h=時間 g=グラム mp=融点 bp=沸点 hplc=高圧液体クロマトグラフィー C-S A,B,C...=結晶質固体対スメクティックA,B,C
・・・ 液晶転移温度℃ 〔α〕D 24=ナトリウムD線を使用した24℃における
施光度 ホスト:RCE8はラセミ体
【化20】 μeff(D)=PS に寄与する効果的なダイポールモーメン
トの大きさは、μeff =(PS MW) /(NAρ)を使って評
価される。 MW =分子量 NA =アボガドロ数 ρ =1000kg m-3になる密度 (density, taken to be 1000kg m-3) PS とμeff は、約10モル%濃度を含有する混合物か
ら100モル%濃度に外挿した。PS 、μeff 、傾斜
角、偏光の向きの全データは、他に記載がない限り、S
A−SC * 転移より10℃低い温度において得られた。
トの大きさは、μeff =(PS MW) /(NAρ)を使って評
価される。 MW =分子量 NA =アボガドロ数 ρ =1000kg m-3になる密度 (density, taken to be 1000kg m-3) PS とμeff は、約10モル%濃度を含有する混合物か
ら100モル%濃度に外挿した。PS 、μeff 、傾斜
角、偏光の向きの全データは、他に記載がない限り、S
A−SC * 転移より10℃低い温度において得られた。
【0035】
【実施例】実施例1 ルートbを使用した次式の化合物の調製:
【化21】 ステップ1a:(S)−プロピルラクテートの調製 アンバーライト(Amberlite)IR−120(H)(20.
0g)のナトリウム乾燥ベンゼン(300cm3)中で攪拌
したサスペンションに、(S)−(+)−乳酸(53.0
g、0.59 mol) とプロパノール(75.0g、1.25 m
ol) を添加した。次いでディーン及びスタークの装置
(Dean and Stark apparatus) で集めた水で、5時間、
還流状態で攪拌した反応混合物を加熱した。冷却時、樹
脂をろ過し、2部(25cm3 )のベンゼンで洗浄した。
ベンゼンろ液を次いでカルボン酸カリウム(5.0g)と
共に振り、ろ過して少量のベンゼンで洗浄した。減圧下
(水ポンプ)蒸留で、無色液体として(S)−プロピル
ラクテート31.5g(44%)bp69−73℃(水ポン
プ)を得た。nmrスペクトラムによると、(S)−プ
ロピルラクテートはまたプロパノールを混入していた。
これはトルエンとの共沸蒸留によって取除かれた。
0g)のナトリウム乾燥ベンゼン(300cm3)中で攪拌
したサスペンションに、(S)−(+)−乳酸(53.0
g、0.59 mol) とプロパノール(75.0g、1.25 m
ol) を添加した。次いでディーン及びスタークの装置
(Dean and Stark apparatus) で集めた水で、5時間、
還流状態で攪拌した反応混合物を加熱した。冷却時、樹
脂をろ過し、2部(25cm3 )のベンゼンで洗浄した。
ベンゼンろ液を次いでカルボン酸カリウム(5.0g)と
共に振り、ろ過して少量のベンゼンで洗浄した。減圧下
(水ポンプ)蒸留で、無色液体として(S)−プロピル
ラクテート31.5g(44%)bp69−73℃(水ポン
プ)を得た。nmrスペクトラムによると、(S)−プ
ロピルラクテートはまたプロパノールを混入していた。
これはトルエンとの共沸蒸留によって取除かれた。
【0036】次いで減圧下(水ポンプ)で再び生成物を
蒸留し、無色液体の(S)プロピルラクテート23.0g
(32%)、bp69−71℃(水ポンプ)を得た。生成
物はプロパノールを含まなかった。ステップ1b:(S)−プロピル2−(4′−オクチル
オキシビフェニル−4−カルボニルオキシ)プロパネー
トの調製 4′−n−オクチルオキシビフェニル−4−カルボン酸
(5.9g、0.0153モル)を、過剰の蒸留精製した
(freshly distilled)チオニルクロライド(30cm3 )
で3時間還流しながらゆるやかに加熱した。反応してい
ないチオニルクロライドを減圧下蒸留によって除去し、
不純物のある酸塩化物をドライジクロロメタン(10cm
3 )中に溶解した。次にドライジクロロメタン中の
(S)プロピルラクテート(2.25g−ステップ1で調
製したもの−2.25g)とドライトリエチルアミン(2
cm3 )に、酸塩化物の溶液を滴下した。そして反応混合
物を室温で16時間攪拌した。
蒸留し、無色液体の(S)プロピルラクテート23.0g
(32%)、bp69−71℃(水ポンプ)を得た。生成
物はプロパノールを含まなかった。ステップ1b:(S)−プロピル2−(4′−オクチル
オキシビフェニル−4−カルボニルオキシ)プロパネー
トの調製 4′−n−オクチルオキシビフェニル−4−カルボン酸
(5.9g、0.0153モル)を、過剰の蒸留精製した
(freshly distilled)チオニルクロライド(30cm3 )
で3時間還流しながらゆるやかに加熱した。反応してい
ないチオニルクロライドを減圧下蒸留によって除去し、
不純物のある酸塩化物をドライジクロロメタン(10cm
3 )中に溶解した。次にドライジクロロメタン中の
(S)プロピルラクテート(2.25g−ステップ1で調
製したもの−2.25g)とドライトリエチルアミン(2
cm3 )に、酸塩化物の溶液を滴下した。そして反応混合
物を室温で16時間攪拌した。
【0037】冷却反応混合物をドライジクロロメタン
(20cm3 )で希釈し、希釈ヒドロクロリック酸と水で
洗浄し、次いで最後にマグネシウムサルフェートで乾燥
した。不純物を含むエステルを、溶離剤としてクロロフ
ォルムを使用して、シリガケル上のコラムクロマトグラ
フィーによって純化した。エタノールからのいくらかの
再結晶化によって(S)−プロピル2−(4′−オクチ
ルオキシビフェニル−4−カルボニルオキシ)プロパノ
エートの結晶固型物2.5g(37%)、m.p.58℃を得
た。生成物の純度をhplc(逆相:各種水/メタノール混
合物)によってチェックした。生成物の化学構造は次の
技術を組み合わせて確定した: 1.1Hnmr 分光分析法(Jeol J NM−PM×60型ス
ペクトロメーター使用): 2.赤外分光分析法(Perkin-Elmer457型回折格子ス
ペクトロフォトメーター使用) 3.マス・スペクトロメトリー(AEI MS 902
型マススペクトロメーター) 生成物の光学的純度を、ケミカルシフト試薬を使用した
nmr分光分析法によってチェックした。
(20cm3 )で希釈し、希釈ヒドロクロリック酸と水で
洗浄し、次いで最後にマグネシウムサルフェートで乾燥
した。不純物を含むエステルを、溶離剤としてクロロフ
ォルムを使用して、シリガケル上のコラムクロマトグラ
フィーによって純化した。エタノールからのいくらかの
再結晶化によって(S)−プロピル2−(4′−オクチ
ルオキシビフェニル−4−カルボニルオキシ)プロパノ
エートの結晶固型物2.5g(37%)、m.p.58℃を得
た。生成物の純度をhplc(逆相:各種水/メタノール混
合物)によってチェックした。生成物の化学構造は次の
技術を組み合わせて確定した: 1.1Hnmr 分光分析法(Jeol J NM−PM×60型ス
ペクトロメーター使用): 2.赤外分光分析法(Perkin-Elmer457型回折格子ス
ペクトロフォトメーター使用) 3.マス・スペクトロメトリー(AEI MS 902
型マススペクトロメーター) 生成物の光学的純度を、ケミカルシフト試薬を使用した
nmr分光分析法によってチェックした。
【0038】実施例2 実施例1と類似の処理によって(S)−エチル2−
(4′−オクチルオキシビフェニル−4−カルボニルオ
キシ)プロパノエートを調製した。組成と純度を実施例
1と同様の方法でチェックした生成物は、C−SA =3
9℃及びSA −I=42.0℃を示した。実施例2で使用
した(S)−エチルラクテートは、英国、ギリンガム、
ドーセットのアルドリッヒケミカル社(Aldrich Chemic
al Coltd, Gillingham, Dorset, UK.)から商業的に入手
した。
(4′−オクチルオキシビフェニル−4−カルボニルオ
キシ)プロパノエートを調製した。組成と純度を実施例
1と同様の方法でチェックした生成物は、C−SA =3
9℃及びSA −I=42.0℃を示した。実施例2で使用
した(S)−エチルラクテートは、英国、ギリンガム、
ドーセットのアルドリッヒケミカル社(Aldrich Chemic
al Coltd, Gillingham, Dorset, UK.)から商業的に入手
した。
【0039】実施例3 実施例1と類似の処理によって(S)−メチル2−
(4′−オクチルオキシビフェニル−4−カルボニルオ
キシ)プロパノエートを調製した。生成物の組成と純度
は実施例1と同様にしてチェックした。生成物は、C−
I=57℃及びSA−I=(49.2℃)(モノトロピッ
ク)を示した。実施例3で使用した(S)−メチルラク
テートは、英国、ギリンガム、ドーセットのアルドリッ
ヒケミカル社(Aldrich Chemical Coltd, Gillingham,
Dorset, UK.)から商業的に入手した。実施例4 実施例1と類似の処理によって(S)−n−ブチル2−
(4′−オクチルオキシビフェニル−4−カルボニルオ
キシ)プロパノエートを調製した。組成と純度を実施例
1と同様の方法でチェックした生成物は、51℃の融点
を示した。実施例4で使用した(S)−n−ブチルラク
テート前記ステップ1aと類似の方法で調製した。この
化合物は86〜89℃のbp(水ポンプ)を有することが
発見された。
(4′−オクチルオキシビフェニル−4−カルボニルオ
キシ)プロパノエートを調製した。生成物の組成と純度
は実施例1と同様にしてチェックした。生成物は、C−
I=57℃及びSA−I=(49.2℃)(モノトロピッ
ク)を示した。実施例3で使用した(S)−メチルラク
テートは、英国、ギリンガム、ドーセットのアルドリッ
ヒケミカル社(Aldrich Chemical Coltd, Gillingham,
Dorset, UK.)から商業的に入手した。実施例4 実施例1と類似の処理によって(S)−n−ブチル2−
(4′−オクチルオキシビフェニル−4−カルボニルオ
キシ)プロパノエートを調製した。組成と純度を実施例
1と同様の方法でチェックした生成物は、51℃の融点
を示した。実施例4で使用した(S)−n−ブチルラク
テート前記ステップ1aと類似の方法で調製した。この
化合物は86〜89℃のbp(水ポンプ)を有することが
発見された。
【0040】実施例5 方法2、ルートcステップ(i)
【化22】 S−(+)−乳酸(13.0g)をメタノール(360cm
3 )に溶解し、水(40cm3 )を添加した。カエジウム
(caesium)カルボネート(ca. 160cm3 )の20%水
溶液で、その溶液をpH7.0(pHメーターまたはpH紙)に
滴定した。50℃減圧下で溶剤を除去し、同温で残留物
をN,N−ジメチルフォルムアミドから2回再蒸留した
(DMF)(2×100cm3 )。得られた白色固形カエ
ジウム塩をDMF(300cm3 )中でベンジルプロミド
(34.2g)と15時間攪拌した。そのカエジウム塩を
ろ過し、ろ過物を濃縮し、そして残留物(150cm3 )
にエーテルを添加した。有機層を水(100cm3 )、飽
和 NaHCO3(500cm3 )及び水(100cm3 )で十分に
洗浄し、最後に乾燥(MgSO4)した。溶剤を除去した後、
残液を減圧下で蒸留し、無色液体生成物、収量28.8g
(80%)、bp96℃(0.05mmHg)〔α〕D 24−12.
9(c0.01、CHCl3)。 注:商業的に入手されたS−(+)−乳酸(アルドリッ
ヒ)は、使用の前に再蒸留された。 文献:エス・エス・ウォン(S. S. Wang) 、J. O. C.,
41、3258(1976)。ステップ(ii)
3 )に溶解し、水(40cm3 )を添加した。カエジウム
(caesium)カルボネート(ca. 160cm3 )の20%水
溶液で、その溶液をpH7.0(pHメーターまたはpH紙)に
滴定した。50℃減圧下で溶剤を除去し、同温で残留物
をN,N−ジメチルフォルムアミドから2回再蒸留した
(DMF)(2×100cm3 )。得られた白色固形カエ
ジウム塩をDMF(300cm3 )中でベンジルプロミド
(34.2g)と15時間攪拌した。そのカエジウム塩を
ろ過し、ろ過物を濃縮し、そして残留物(150cm3 )
にエーテルを添加した。有機層を水(100cm3 )、飽
和 NaHCO3(500cm3 )及び水(100cm3 )で十分に
洗浄し、最後に乾燥(MgSO4)した。溶剤を除去した後、
残液を減圧下で蒸留し、無色液体生成物、収量28.8g
(80%)、bp96℃(0.05mmHg)〔α〕D 24−12.
9(c0.01、CHCl3)。 注:商業的に入手されたS−(+)−乳酸(アルドリッ
ヒ)は、使用の前に再蒸留された。 文献:エス・エス・ウォン(S. S. Wang) 、J. O. C.,
41、3258(1976)。ステップ(ii)
【化23】 の調製
【0041】4−オクチルオキシビフェニルイル−4′
−カルボン酸(10.8g)と、S−(−)−ベンジルラ
クテート(A)(5.9g)と、4−ピロリジノピリジン
(N−PPY)(0.49g)を、シーブドライした(si
eve dried) CH2Cl2(250cm 3 )中で攪拌した混合物
に、N,N−ジシクロヘキシルカルボジイミド(DC
C)(7.5g)の溶液をシーブドライした CH2Cl2(50
cm3 )をゆっくりと添加した。その反応混合物を室温で
5時間攪拌した。N,N−ジシクロヘキシルユリア(D
CU)をろ過し、ろ過物を水(100cm3 )、5%酢酸
水溶液、水(2×100cm3 )で十分に洗浄し、最後に
(MgSO4)で乾燥した。溶剤を除去した後、不純物を含む
ジエステルをシカゲルとジクロロメタンを使用してカラ
ムクロマトグラフィーで純化した:石油フラクション
(bp60−30℃)(4:1)を溶離剤として使用し
た。生成物をエタノールから結晶させた。収量11.1g
(69%)、m.p.62.5℃、〔α〕D 24+24.7(c0.
01、CHCl3)。
−カルボン酸(10.8g)と、S−(−)−ベンジルラ
クテート(A)(5.9g)と、4−ピロリジノピリジン
(N−PPY)(0.49g)を、シーブドライした(si
eve dried) CH2Cl2(250cm 3 )中で攪拌した混合物
に、N,N−ジシクロヘキシルカルボジイミド(DC
C)(7.5g)の溶液をシーブドライした CH2Cl2(50
cm3 )をゆっくりと添加した。その反応混合物を室温で
5時間攪拌した。N,N−ジシクロヘキシルユリア(D
CU)をろ過し、ろ過物を水(100cm3 )、5%酢酸
水溶液、水(2×100cm3 )で十分に洗浄し、最後に
(MgSO4)で乾燥した。溶剤を除去した後、不純物を含む
ジエステルをシカゲルとジクロロメタンを使用してカラ
ムクロマトグラフィーで純化した:石油フラクション
(bp60−30℃)(4:1)を溶離剤として使用し
た。生成物をエタノールから結晶させた。収量11.1g
(69%)、m.p.62.5℃、〔α〕D 24+24.7(c0.
01、CHCl3)。
【0042】文献:エー・ハスナー及びブイ・アレクサ
ニアン(A. Hassner & V. Alexanian)、テトラヘドロン
レターズ(Tetrahedron Letters)46、4475、(1
978)。ステップ(iii)
ニアン(A. Hassner & V. Alexanian)、テトラヘドロン
レターズ(Tetrahedron Letters)46、4475、(1
978)。ステップ(iii)
【化24】 の調製。 化合物(B)(11.0g)をエチルアセテート(150
cm3 )に溶解した。木炭上の5%Pdを混合物に添加し、
水素雰囲気下で一夜攪拌した。水素添加(500cm3 の
水素が消費された)完了後、触媒をろ別し、ろ過物を蒸
発させ乾燥した。無色固型残留物(tlc によるシングル
スポット)を石油フラクション(bp60〜80℃)から
結晶化させ、所望のカルボン酸(C)の無色針状物を得
た。収量8.6g(95%)、m.p.126℃、〔α〕D 24
+40.8°(c0.01、CHCl3)。
cm3 )に溶解した。木炭上の5%Pdを混合物に添加し、
水素雰囲気下で一夜攪拌した。水素添加(500cm3 の
水素が消費された)完了後、触媒をろ別し、ろ過物を蒸
発させ乾燥した。無色固型残留物(tlc によるシングル
スポット)を石油フラクション(bp60〜80℃)から
結晶化させ、所望のカルボン酸(C)の無色針状物を得
た。収量8.6g(95%)、m.p.126℃、〔α〕D 24
+40.8°(c0.01、CHCl3)。
【0043】ステップ(iv)
【化25】 の調製。 化合物(D)を、前記ルートcのステップ(ii) で説明
したエステル化の方法を使用して、化合物(C)(1.1
g)、4−プロピルフェノール(0.42g)、N−PP
Y(42mg)及びDCC(0.64g)を篩で乾燥した C
H2Cl2(35cm3)を得ることによって、調製した。収量
0.84g(58%)、m.p.78.0℃、〔α〕D 24+50.
0°(c0.01、CHCl3)。
したエステル化の方法を使用して、化合物(C)(1.1
g)、4−プロピルフェノール(0.42g)、N−PP
Y(42mg)及びDCC(0.64g)を篩で乾燥した C
H2Cl2(35cm3)を得ることによって、調製した。収量
0.84g(58%)、m.p.78.0℃、〔α〕D 24+50.
0°(c0.01、CHCl3)。
【0044】実施例6 方法3、ルートd及びeステップ(i)
【化26】 の調製。 50〜55℃の温度で水酸化ナトリウム(44g)の水
(200cm3 )溶液中に臭素(48.5g)を滴下し、パ
イポブロミトナトリウム sodium hypobromite)の溶液を
調製した。次いでこの溶液を50〜55℃の温度でケト
ン
(200cm3 )溶液中に臭素(48.5g)を滴下し、パ
イポブロミトナトリウム sodium hypobromite)の溶液を
調製した。次いでこの溶液を50〜55℃の温度でケト
ン
【化27】 のジオキサン(300cm3 )の攪拌溶液にゆっくりと滴
下した。添加終了時、反応混合物を60〜65℃で30
分間攪拌した。その混合物を水(500cm3 )で希釈
し、有機溶剤を蒸留して除いた。残留熱混合物を未反応
ケトンを除くためにろ過し、ろ過物が室温まで冷却され
るようにした。カルボン酸塩を濃縮ヒドロクロリック酸
で酸性化し、得られた不純物を含む酸をろ過し、水洗
し、風乾した。トルエンから生成物が結晶した。収量6.
4g(32%)、液晶転移:c161℃SC 190℃
N190℃ I。
下した。添加終了時、反応混合物を60〜65℃で30
分間攪拌した。その混合物を水(500cm3 )で希釈
し、有機溶剤を蒸留して除いた。残留熱混合物を未反応
ケトンを除くためにろ過し、ろ過物が室温まで冷却され
るようにした。カルボン酸塩を濃縮ヒドロクロリック酸
で酸性化し、得られた不純物を含む酸をろ過し、水洗
し、風乾した。トルエンから生成物が結晶した。収量6.
4g(32%)、液晶転移:c161℃SC 190℃
N190℃ I。
【0045】文献.エー・アイ・ボーゲル(A. I. Voge
l)「実用有機化学のテキストブック(Textbook of Prac
tical Oraganic Chemstry)」第2版、P476(197
8)〔ロングマングループ社刊(pub Longman Group lt
d.) 〕。ルートd ステップ(ii)
l)「実用有機化学のテキストブック(Textbook of Prac
tical Oraganic Chemstry)」第2版、P476(197
8)〔ロングマングループ社刊(pub Longman Group lt
d.) 〕。ルートd ステップ(ii)
【化28】 の調製。 化合物(E)(1.0g)、S−(−)−エチルラクテー
ト(0.42g)、N−PPY(49mg)及びDCC(0.
74g)を使用して篩で乾燥したCH2Cl2(35cm3 )中
で前記ルートc、ステップ(ii)に記載の方法で、化合
物(F)を調製した。−78℃で、生成物がメタノール
から結晶した。収量0.80g(60%)、m.p.25.0
℃。〔α〕D 24+19.5°(c0.01、CHCl3)。
ト(0.42g)、N−PPY(49mg)及びDCC(0.
74g)を使用して篩で乾燥したCH2Cl2(35cm3 )中
で前記ルートc、ステップ(ii)に記載の方法で、化合
物(F)を調製した。−78℃で、生成物がメタノール
から結晶した。収量0.80g(60%)、m.p.25.0
℃。〔α〕D 24+19.5°(c0.01、CHCl3)。
【0046】ルートe ステップ(iii)
【化29】 の調製。 化合物(E)(2.2g)、4−ヒドロキシベンズアルデ
ヒド(0.98g)、N−PPY(37mg)及びDCC
(1.65g)を使用し、篩で乾燥したCH2Cl2(55c
m3 )中で前記ルートc、ステップ(ii)記載の化合物
(G)を調製した。エタノールから生成物が結晶した。
収量1.75g(59%)c94.5°N190.2℃ I。ステップ(iv)
ヒド(0.98g)、N−PPY(37mg)及びDCC
(1.65g)を使用し、篩で乾燥したCH2Cl2(55c
m3 )中で前記ルートc、ステップ(ii)記載の化合物
(G)を調製した。エタノールから生成物が結晶した。
収量1.75g(59%)c94.5°N190.2℃ I。ステップ(iv)
【化30】 の調製。 0℃で、クロミウムトリオキシド(0.42g)の攪拌し
た水(3.5cm3 )の溶液に濃硫酸を滴下し、最初に酸化
剤を調製した。アセトン(15cm3 )およびベンゼン
(8cm3 )中のアルデヒド(G)(1.23g)のサスペ
ンションを、0〜5℃に冷却し、先に調製した酸化剤を
滴下し、反応混合物が20℃に維持されるような速度で
激しく攪拌した。反応混合物を室温で20時間攪拌し、
暗緑色の反応混合物を水(50cm3 )で希釈した。そし
て有機溶剤を in vacuo で除去した。次いで10%硫酸
水溶液(10cm3 )を添加し、沈殿物をろ過して取り除
き、洗液がリトマスに中性になるまで水洗し、次いで少
量のエタノールで洗浄し、風乾した。エチルアセテート
から生成物(シングルスポット tlc) が結晶した。収量
0.90g(71%);c21.0℃ S225℃ N>3
00℃。 文献.Org. Syn, 45、77(1965)。
た水(3.5cm3 )の溶液に濃硫酸を滴下し、最初に酸化
剤を調製した。アセトン(15cm3 )およびベンゼン
(8cm3 )中のアルデヒド(G)(1.23g)のサスペ
ンションを、0〜5℃に冷却し、先に調製した酸化剤を
滴下し、反応混合物が20℃に維持されるような速度で
激しく攪拌した。反応混合物を室温で20時間攪拌し、
暗緑色の反応混合物を水(50cm3 )で希釈した。そし
て有機溶剤を in vacuo で除去した。次いで10%硫酸
水溶液(10cm3 )を添加し、沈殿物をろ過して取り除
き、洗液がリトマスに中性になるまで水洗し、次いで少
量のエタノールで洗浄し、風乾した。エチルアセテート
から生成物(シングルスポット tlc) が結晶した。収量
0.90g(71%);c21.0℃ S225℃ N>3
00℃。 文献.Org. Syn, 45、77(1965)。
【0047】ステップ(v)
【化31】 (I)の調製。 化合物(H)(0.85g)、S−(−)−エチルラクテ
ート(0.26g)、N−PPY(30mg)及びDCC
(0.46g)を使用して篩で乾燥したCH2Cl2(30c
m3 )中でルートc、ステップ(ii)に記載の方法で化
合物(I)を調製した。エタノールから生成物が結晶し
た。収量0.55g(53%)。液晶転移:c(58.5
℃)83.0℃ SA 117.5℃ Ch119.1℃ BP12
0.0℃ I(BP=青相)〔α〕D 24+9.4°(c0.01
CHCl3)。
ート(0.26g)、N−PPY(30mg)及びDCC
(0.46g)を使用して篩で乾燥したCH2Cl2(30c
m3 )中でルートc、ステップ(ii)に記載の方法で化
合物(I)を調製した。エタノールから生成物が結晶し
た。収量0.55g(53%)。液晶転移:c(58.5
℃)83.0℃ SA 117.5℃ Ch119.1℃ BP12
0.0℃ I(BP=青相)〔α〕D 24+9.4°(c0.01
CHCl3)。
【0048】実施例7 方法4 ルートfステップ(ii)
【化32】 の調製。 4−ブロモベンゾイック酸(22g)、S−(−)エチ
ルラクテート(14.2g)N−PPY(1.63g)及び
DCC(25.0g)を使用し、篩で乾燥したCH 2Cl2(4
00cm3 )中でルートc、ステップ(ii)記載の方法で
化合物(J)を調製した。生成物を減圧下で蒸留した。
収量20.1g(61%)bp118℃(0.05mmHg)、
〔α〕D 24+22.8°(c0.01 CHCl3)。
ルラクテート(14.2g)N−PPY(1.63g)及び
DCC(25.0g)を使用し、篩で乾燥したCH 2Cl2(4
00cm3 )中でルートc、ステップ(ii)記載の方法で
化合物(J)を調製した。生成物を減圧下で蒸留した。
収量20.1g(61%)bp118℃(0.05mmHg)、
〔α〕D 24+22.8°(c0.01 CHCl3)。
【0049】ステップ(i)及び(iii)
【化33】 の調製。 −10℃で、攪拌した4−ブロモ−4′−オクトキシビ
フェニル(3.4g)のナトリウム乾燥エーテル(80cm
3 )溶液に、9.5Mブチルリチウムのヘキサン(1.1cm
3 )、ナトリウム乾燥エーテル(10cm3 )溶液を添加
した。添加完了後、その反応混合物を−5〜−10℃で
45分間保持し、次いで無水塩化亜鉛(1.9g)のナト
リウム乾燥THF(25cm3 )溶液を10分間以上にわ
たって添加し、反応混合物を室温で1時間攪拌した。ジ
クロロビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム
(II)(0.26g)の、ナトリウム乾燥THF(20cm
3 )、1.0Mジイソブチルアルミニウムハイドライド及
びヘキサン(1.1cm3 )溶液を処理することによって分
離フラスコ(aseparate frask) 中にPb触媒を調製し
た。この触媒に、ナトリウム乾燥THF(10cm3 )及
び先に調製した4−オクトキシビフェニル−4′−ジン
ククロライド溶液中で化合物(J)を添加した。その反
応混合物をエーテル(50cm3 )で希釈し、5%ヒドロ
クロリック酸水溶液(30cm3 )及び水(2×50c
m3 )で洗浄し、乾燥した(MgSO4)。溶剤を除去した
後、シリカゲルとクロロフォルムを使用し、カラムクロ
マトグラフィーによって純化した:石油フラクション
(bp60〜80℃)(2:1)を溶離剤として使用し
た。生成物がエタノールから結晶した。収量1.2g(3
1%)。液晶転移;c127.0℃ SC * 158.5℃
S A 180.2℃ I、〔α〕D 24+33.4°(c0.01
CHCl3)。
フェニル(3.4g)のナトリウム乾燥エーテル(80cm
3 )溶液に、9.5Mブチルリチウムのヘキサン(1.1cm
3 )、ナトリウム乾燥エーテル(10cm3 )溶液を添加
した。添加完了後、その反応混合物を−5〜−10℃で
45分間保持し、次いで無水塩化亜鉛(1.9g)のナト
リウム乾燥THF(25cm3 )溶液を10分間以上にわ
たって添加し、反応混合物を室温で1時間攪拌した。ジ
クロロビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム
(II)(0.26g)の、ナトリウム乾燥THF(20cm
3 )、1.0Mジイソブチルアルミニウムハイドライド及
びヘキサン(1.1cm3 )溶液を処理することによって分
離フラスコ(aseparate frask) 中にPb触媒を調製し
た。この触媒に、ナトリウム乾燥THF(10cm3 )及
び先に調製した4−オクトキシビフェニル−4′−ジン
ククロライド溶液中で化合物(J)を添加した。その反
応混合物をエーテル(50cm3 )で希釈し、5%ヒドロ
クロリック酸水溶液(30cm3 )及び水(2×50c
m3 )で洗浄し、乾燥した(MgSO4)。溶剤を除去した
後、シリカゲルとクロロフォルムを使用し、カラムクロ
マトグラフィーによって純化した:石油フラクション
(bp60〜80℃)(2:1)を溶離剤として使用し
た。生成物がエタノールから結晶した。収量1.2g(3
1%)。液晶転移;c127.0℃ SC * 158.5℃
S A 180.2℃ I、〔α〕D 24+33.4°(c0.01
CHCl3)。
【0050】文献.イー・ネギシ、エー・オー・キング
及びN・オクカド(E. Negishi, A.O. King and N. Oku
kado) 、J. O. C., 42、(10)、1821(197
7)。前記のルートを使って調製した本発明の化合物の
いくつかの特性を以下表7−12に挙げる。
及びN・オクカド(E. Negishi, A.O. King and N. Oku
kado) 、J. O. C., 42、(10)、1821(197
7)。前記のルートを使って調製した本発明の化合物の
いくつかの特性を以下表7−12に挙げる。
【表7】
【表8】
【表9】
【表10】
【表11】
【表12】
【0051】
【表13】
【0052】本発明の実施態様である液晶物質および装
置中の式Iの化合物中の使用例を、液晶シャッターの横
断面図である添付の図2に言及しつつ次に記載する。図
2において、液晶セルはキラルスメクティック相を示す
液晶物質の層6を含み、層6はガラススライド4と5に
はさまれ、ガラススライド4はその表面に例えばティン
オキシドやインジウムオキシドのような透明伝導層7を
有し、ガラススライド5はその表面に透明伝導層8を有
する。層7、8を有するスライド4、5はそれぞれポリ
イミドポリマーのフィルム10、11によって被覆され
ている。セルの作製に先だち、スィルム10と11をソ
フトティッシューで所定の方向にこすった。セルの構造
上でこする方向は平行である。スペーサー12、例えば
ポリメタクリレート製、はスライド4と5を所望の距
離、例えば5ミクロン、に分かつ。液晶物質6は、スラ
イド4、5及びスペーサー12の間を充填するようにス
ライド4と5の間に入れられ、公知の方法でスペーサー
12で真空封入される。
置中の式Iの化合物中の使用例を、液晶シャッターの横
断面図である添付の図2に言及しつつ次に記載する。図
2において、液晶セルはキラルスメクティック相を示す
液晶物質の層6を含み、層6はガラススライド4と5に
はさまれ、ガラススライド4はその表面に例えばティン
オキシドやインジウムオキシドのような透明伝導層7を
有し、ガラススライド5はその表面に透明伝導層8を有
する。層7、8を有するスライド4、5はそれぞれポリ
イミドポリマーのフィルム10、11によって被覆され
ている。セルの作製に先だち、スィルム10と11をソ
フトティッシューで所定の方向にこすった。セルの構造
上でこする方向は平行である。スペーサー12、例えば
ポリメタクリレート製、はスライド4と5を所望の距
離、例えば5ミクロン、に分かつ。液晶物質6は、スラ
イド4、5及びスペーサー12の間を充填するようにス
ライド4と5の間に入れられ、公知の方法でスペーサー
12で真空封入される。
【0053】物質6の適切な液晶組成物は次の通りであ
る:次の成分1、2及び3を含む組成物:
る:次の成分1、2及び3を含む組成物:
【化34】 この組成物は室温でS* C 相であり、66℃でSC −S
A 転移する。LとDは光学的活性の方向を表わし、
(+)と(−)は偏光の向きを表わす。この混合物のP
S は約25℃で25nCcm-2であった。偏光子1をその
偏光軸でフィルム10、11をこする方向とし、そして
検光子(交差偏光子)9をその偏光軸でこする方向と垂
直にした。約+10ボルトから−10ボルトの間で変化
する方形波電圧(a squaer wavevoltage)(図示されて
いない在来型電源からのもの)をセルに層7と8に接触
させてかけると、先に説明したように、電圧の変化に応
じて暗い状態と明るい状態の間で急速に切り換わる。
A 転移する。LとDは光学的活性の方向を表わし、
(+)と(−)は偏光の向きを表わす。この混合物のP
S は約25℃で25nCcm-2であった。偏光子1をその
偏光軸でフィルム10、11をこする方向とし、そして
検光子(交差偏光子)9をその偏光軸でこする方向と垂
直にした。約+10ボルトから−10ボルトの間で変化
する方形波電圧(a squaer wavevoltage)(図示されて
いない在来型電源からのもの)をセルに層7と8に接触
させてかけると、先に説明したように、電圧の変化に応
じて暗い状態と明るい状態の間で急速に切り換わる。
【0054】図2に示したセル構造にもとづくもう一つ
の装置(図示していない)においては、層7と層8は公
知の方法で選択的に付形することができる。例えばフォ
トエッチングによって、またはマスクを通して蒸着する
ことによって、そして例えば1またはそれ以上のディス
プレイシンボル、例えば文字、数値、単語、グラフィッ
ク等々を従来通りにディスプレイ上に見ることができ
る。それによって形成された電極には、多数の操作を含
む種々の方法で指令することができる。上記の装置にお
いて物質6として使用するもう一つの組成物は、次の成
分を記載された比率で含むものである。
の装置(図示していない)においては、層7と層8は公
知の方法で選択的に付形することができる。例えばフォ
トエッチングによって、またはマスクを通して蒸着する
ことによって、そして例えば1またはそれ以上のディス
プレイシンボル、例えば文字、数値、単語、グラフィッ
ク等々を従来通りにディスプレイ上に見ることができ
る。それによって形成された電極には、多数の操作を含
む種々の方法で指令することができる。上記の装置にお
いて物質6として使用するもう一つの組成物は、次の成
分を記載された比率で含むものである。
【化35】
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C09K 19/32 9279−4H 19/46 9279−4H 19/58 9279−4H G02F 1/13 500 9225−2K (71)出願人 594063164 エスティーシー ピーエルシー 英国 ロンドン ダブリューシー2アール 1ディーユー ワンハンドレッドアンド ナインティース ストランド エスティー シーハウス (番地なし) (72)発明者 チャン ローレンス カム ミング 英国 ノース ハンバーサイド エイチユ ー8 8エヌエヌ ハル ホルダーネス ロード リー ストリート 112 (72)発明者 コーテス ディヴィッド 英国 ハートフォードシャー シーエム23 5イーワイ ビショップス ストートフ ォード ブラックブッシュ 12 (72)発明者 ジェメル ピーター アレン 英国 チェシャー ダブリューエイ7 2 ユーエイチ ランコーン パレス フィー ルズ ザ ノール 71 (72)発明者 グレイ ジョージ ウィリアム 英国 ノース ハンバーサイド エイチユ ー164ディーワイ コッティンガム ニュ ーゲート ストリート グレンウッド (番地なし) (72)発明者 レイシー ディヴィッド 英国 ノース ハンバーサイド エイチユ ー8 9エヌダブリュー ハル キルデイ ル クローズ 19 (72)発明者 トイニー ケニス ジョンソン 英国 ノース ハンバーサイド エイチユ ー6 8キューダブリュー ハル ホール ロード 25 (72)発明者 ヤング ダニエル ジェイムズ スティー ブン 英国 ヨークシャー ディーエヌ12 3ビ ージードンカスター コーニスブロー ヨ ーク ウェイ 2
Claims (2)
- 【請求項1】 傾斜スメクティックホストにおいて16
から160のPs値を示す液晶物質を含むことを特徴と
するフェロエレクトリック液晶ディスプレイ装置。 - 【請求項2】 室温において傾斜キラルスメクティック
相を有し、高温においてコレステリック相を有するα−
ヒドロキシカルボン酸誘導体の液晶物質を含むことを特
徴とするフェロエレクトリック液晶ディスプレイ装置。
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