JPH07109898B2 - 透明樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
透明樹脂封止形半導体装置Info
- Publication number
- JPH07109898B2 JPH07109898B2 JP63252807A JP25280788A JPH07109898B2 JP H07109898 B2 JPH07109898 B2 JP H07109898B2 JP 63252807 A JP63252807 A JP 63252807A JP 25280788 A JP25280788 A JP 25280788A JP H07109898 B2 JPH07109898 B2 JP H07109898B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- resin package
- resin
- semiconductor device
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、測光用受光素子などを対象に、半導体チップ
を透明樹脂パッケージ、特にトランスファ成形法でモー
ルドした樹脂パッケージに封止して成る透明樹脂封止形
半導体装置に関する。
を透明樹脂パッケージ、特にトランスファ成形法でモー
ルドした樹脂パッケージに封止して成る透明樹脂封止形
半導体装置に関する。
頭記した透明樹脂封止形半導体装置として、樹脂パッケ
ージの表面一部に、樹脂パッケージの内部に封止した受
光素子の受光面と対面する鏡面の透光窓部を形成すると
ともに、該透光窓部を除くパッケージ表面を全て梨地面
と成したものが特願昭62−329134として同じ出願人によ
り既に提案されている。
ージの表面一部に、樹脂パッケージの内部に封止した受
光素子の受光面と対面する鏡面の透光窓部を形成すると
ともに、該透光窓部を除くパッケージ表面を全て梨地面
と成したものが特願昭62−329134として同じ出願人によ
り既に提案されている。
次に、上記した従来の透明樹脂封止形半導体装置の構成
を第５図に示す。図において、１は受光素子としての半
導体チップ、２は半導体チップ１をマウントしたダイパ
ット、３は外部リード、４はボンディングワイヤ、５が
透明樹脂パッケージである。ここで樹脂パッケージ５
は、半導体チップ１の受光面と対面する透光窓部5aの領
域Ａが鏡面であり、該透光窓部5aを除く外表面（上，
下、側面）が全て梨地面5bとして形成されている。
を第５図に示す。図において、１は受光素子としての半
導体チップ、２は半導体チップ１をマウントしたダイパ
ット、３は外部リード、４はボンディングワイヤ、５が
透明樹脂パッケージである。ここで樹脂パッケージ５
は、半導体チップ１の受光面と対面する透光窓部5aの領
域Ａが鏡面であり、該透光窓部5aを除く外表面（上，
下、側面）が全て梨地面5bとして形成されている。
また、前記の樹脂パッケージ５は、第６図で示すトラン
スファ成形金型６を用いてモールドされる。ここで金型
６は上型6a,下型6bから成り、キャビテイ6cを画成する
金型の内周壁面は、前記樹脂パッケージ５の鏡面を成す
透光窓部5a,梨地面5bに対応する領域がそれぞれ平滑
面，粗面加工されている。そして、金型６に対し図示の
ように半導体チップなどをキャビテイ内にセットし、こ
の状態で透明樹脂を注入することにより、第５図のよう
に半導体チップ１などの部品を封止した樹脂パッケージ
５がモールドされる。
スファ成形金型６を用いてモールドされる。ここで金型
６は上型6a,下型6bから成り、キャビテイ6cを画成する
金型の内周壁面は、前記樹脂パッケージ５の鏡面を成す
透光窓部5a,梨地面5bに対応する領域がそれぞれ平滑
面，粗面加工されている。そして、金型６に対し図示の
ように半導体チップなどをキャビテイ内にセットし、こ
の状態で透明樹脂を注入することにより、第５図のよう
に半導体チップ１などの部品を封止した樹脂パッケージ
５がモールドされる。
このようにして作られた透明樹脂封止形半導体装置で
は、鏡面である透光窓部5aに入射する正規の測光光線は
そのまま透明樹脂５の層内を透過して半導体チップ１の
受光面に入射されるのに対し、透光窓部5a以外のパッケ
ージ表面に入射した周囲からの迷光は梨地面5bで殆どが
乱反射して散乱して導体チップ１に殆ど到達することが
なく、これにより半導体装置の動作特性の信頼性向上が
図れる。
は、鏡面である透光窓部5aに入射する正規の測光光線は
そのまま透明樹脂５の層内を透過して半導体チップ１の
受光面に入射されるのに対し、透光窓部5a以外のパッケ
ージ表面に入射した周囲からの迷光は梨地面5bで殆どが
乱反射して散乱して導体チップ１に殆ど到達することが
なく、これにより半導体装置の動作特性の信頼性向上が
図れる。
ところで、前記した透明樹脂封止形半導体装置の樹脂パ
ッケージをトランスファ成形する場合には、製作面，特
に成形品を金型から離型する際に次汁のような問題点が
発生する。
ッケージをトランスファ成形する場合には、製作面，特
に成形品を金型から離型する際に次汁のような問題点が
発生する。
すなわち、第５図で述べたように従来の樹脂パッケージ
５はパッケージ側面が梨地面であり、これに対応して第
６図に示したトランスファ成形金型６のキャビテイ周壁
面も粗面加工されている。ここで離型状態を表す第７図
で樹脂パッケージ５の外形コーナー部，およびこれに対
応する金型６の断面形状を拡大して示すと、図示から明
らかなように梨地面である樹脂パッケージ５の側面は、
凹凸状に成るアンダーカットの形状を呈している。この
ために、金型６の樹脂を注入して樹脂パッケージ５をモ
ールドした後、離型工程で金型６を矢印方向に開くと、
成形品である樹脂パッケージ側面の表面に形成された凸
部Ｐと金型側の壁面凸部Ｑとが干渉し合って両者の間に
かじりが生じる。
５はパッケージ側面が梨地面であり、これに対応して第
６図に示したトランスファ成形金型６のキャビテイ周壁
面も粗面加工されている。ここで離型状態を表す第７図
で樹脂パッケージ５の外形コーナー部，およびこれに対
応する金型６の断面形状を拡大して示すと、図示から明
らかなように梨地面である樹脂パッケージ５の側面は、
凹凸状に成るアンダーカットの形状を呈している。この
ために、金型６の樹脂を注入して樹脂パッケージ５をモ
ールドした後、離型工程で金型６を矢印方向に開くと、
成形品である樹脂パッケージ側面の表面に形成された凸
部Ｐと金型側の壁面凸部Ｑとが干渉し合って両者の間に
かじりが生じる。
一方、透明な樹脂パッケージ５の成形材料であるエポキ
シ樹脂は、樹脂パッケージとしての透明度の維持を図る
ために通常は補強材を添加しないまま使用している。し
かしながら補強材を添加しないエポキシ樹脂は高温（80
℃以上）状態になると強度が低下する。このために前述
のように離型の過程で樹脂パッケージ５の金型６側から
かじりによる外部応力が加わると、樹脂パッケージ５に
クラック（割れ），反りが生じたり、半導体チップなど
の封止部品と樹脂との間が剥離するなどのトラブルが発
生し、これが品質，歩留りの低下を招く大きな原因とな
る。
シ樹脂は、樹脂パッケージとしての透明度の維持を図る
ために通常は補強材を添加しないまま使用している。し
かしながら補強材を添加しないエポキシ樹脂は高温（80
℃以上）状態になると強度が低下する。このために前述
のように離型の過程で樹脂パッケージ５の金型６側から
かじりによる外部応力が加わると、樹脂パッケージ５に
クラック（割れ），反りが生じたり、半導体チップなど
の封止部品と樹脂との間が剥離するなどのトラブルが発
生し、これが品質，歩留りの低下を招く大きな原因とな
る。
なお、前記のような梨地面のアンダーカットに対応して
金型側のキャビテイ側面部にルーズコアなども設けて対
処することも考えられるが、この方式では金型構造が複
雑となり、特に多数個取りのトランスファ成形金型で殆
ど実用に供しえない。
金型側のキャビテイ側面部にルーズコアなども設けて対
処することも考えられるが、この方式では金型構造が複
雑となり、特に多数個取りのトランスファ成形金型で殆
ど実用に供しえない。
本発明は上記の点にかんがみ成されたものであり、樹脂
パッケージに改良の手を加えることにより、半導体装置
としての動作特性面でいさささかの悪影響を与えること
なく、しかもトランスファ成形の離型過程で樹脂パッケ
ージに不当な外部応力が加わるのを回避して品質，歩留
りの向上が図れるようにした透明樹脂封止形半導体装置
を提供することを目的とする。
パッケージに改良の手を加えることにより、半導体装置
としての動作特性面でいさささかの悪影響を与えること
なく、しかもトランスファ成形の離型過程で樹脂パッケ
ージに不当な外部応力が加わるのを回避して品質，歩留
りの向上が図れるようにした透明樹脂封止形半導体装置
を提供することを目的とする。
本発明は、上述の目的を達成するため、受光素子を含む
半導体チップをトランスファ成形法により透明樹脂パッ
ケージに封止して成る半導体装置であって、樹脂パッケ
ージにおける半導体チップと対面する透光窓部を粗さ0.
05μｍ以下の鏡面、該透光窓部を除くパッケージ上下面
を粗さ２〜15μｍの梨地面とするとともに、パッケージ
側面を抜き勾配５〜15゜のテーパをつけた粗さ0.1〜0.3
μｍの鏡面と成したことを特徴としている。
半導体チップをトランスファ成形法により透明樹脂パッ
ケージに封止して成る半導体装置であって、樹脂パッケ
ージにおける半導体チップと対面する透光窓部を粗さ0.
05μｍ以下の鏡面、該透光窓部を除くパッケージ上下面
を粗さ２〜15μｍの梨地面とするとともに、パッケージ
側面を抜き勾配５〜15゜のテーパをつけた粗さ0.1〜0.3
μｍの鏡面と成したことを特徴としている。
上記のように樹脂パッケージの側面を鏡面と成すことに
よりこの部分にアンダーカットの形成がなく、かつ抜き
勾配のテーパを付けることにより、樹脂パッケージをモ
ールドするトランファ成形の離型工程では成形品である
樹脂パッケージと金型との間でかじりなどの干渉なしに
金型を開くことができ、これにより樹脂パッケージに不
当な外部応力の加わることがなくなる。
よりこの部分にアンダーカットの形成がなく、かつ抜き
勾配のテーパを付けることにより、樹脂パッケージをモ
ールドするトランファ成形の離型工程では成形品である
樹脂パッケージと金型との間でかじりなどの干渉なしに
金型を開くことができ、これにより樹脂パッケージに不
当な外部応力の加わることがなくなる。
一方、当該半導体装置を測光システムの製品に組込む場
合には、設計面で半導体装置に対し側方から余分な迷光
が入光するのを阻止するような遮光構造とするの一般的
である。しかも、受光素子の動作特性として、受光面に
対し正規な透光角度と直角に近い角度で側方から透光し
た迷光で受光素子が誤動作することは殆どない。したが
って半導体チップを封止した樹脂パッケージの側面を鏡
面と成しても、この側面に入射する迷光で半導体装置が
誤動作するなどの動作性能面での悪影響を及ぼすおそれ
はない。
合には、設計面で半導体装置に対し側方から余分な迷光
が入光するのを阻止するような遮光構造とするの一般的
である。しかも、受光素子の動作特性として、受光面に
対し正規な透光角度と直角に近い角度で側方から透光し
た迷光で受光素子が誤動作することは殆どない。したが
って半導体チップを封止した樹脂パッケージの側面を鏡
面と成しても、この側面に入射する迷光で半導体装置が
誤動作するなどの動作性能面での悪影響を及ぼすおそれ
はない。
第１図，第２図は本発明実施例の構成図、第３図は第１
図の半導体装置に対応するトランスファ成形金型の構成
断面図、第４図は離型状態を表した要部の部分拡大図で
あり、第５図，第７図に対応する同一部材には同じ符号
が付してある。
図の半導体装置に対応するトランスファ成形金型の構成
断面図、第４図は離型状態を表した要部の部分拡大図で
あり、第５図，第７図に対応する同一部材には同じ符号
が付してある。
すなわち、本発明により半導体チップ１などを封止した
樹脂パッケージ５について、半導体チップ１の受光面と
対面するパッケージの透光窓部5aを鏡面、該透光窓部5a
の領域を除くパッケージの上下面を梨地面5bとするとと
もに、パッケージ周側面5cを抜き勾配のテーパ（テーパ
角度θ）をつけた鏡面と成して構成されている。また、
かかる樹脂パッケージ５をモールドするトランスファ成
形金型６は、第３図のように樹脂パッケージ５の周側面
5cと対応するキャビテイ6cの周側面が平滑に仕上げ加工
されている。
樹脂パッケージ５について、半導体チップ１の受光面と
対面するパッケージの透光窓部5aを鏡面、該透光窓部5a
の領域を除くパッケージの上下面を梨地面5bとするとと
もに、パッケージ周側面5cを抜き勾配のテーパ（テーパ
角度θ）をつけた鏡面と成して構成されている。また、
かかる樹脂パッケージ５をモールドするトランスファ成
形金型６は、第３図のように樹脂パッケージ５の周側面
5cと対応するキャビテイ6cの周側面が平滑に仕上げ加工
されている。
なお、実際の製品では、樹脂パッケージ５における透光
窓部5aの鏡面の粗さを0.05μmS以下、梨地面5bの粗さを
２〜15μmS程度、側面5cの粗さを0.1〜0.3μmS程度、ま
た抜き勾配の角度θを５〜15゜程度に設定し、この仕様
の条件に合わせてトランスファ成形金型６のキャビテイ
6cの壁面が平滑，粗面加工されている。
窓部5aの鏡面の粗さを0.05μmS以下、梨地面5bの粗さを
２〜15μmS程度、側面5cの粗さを0.1〜0.3μmS程度、ま
た抜き勾配の角度θを５〜15゜程度に設定し、この仕様
の条件に合わせてトランスファ成形金型６のキャビテイ
6cの壁面が平滑，粗面加工されている。
ここで、第３図の金型６を用いて樹脂パッケージ５をモ
ールドすると、トランスファ成形の離型工程で金型６を
開く際の状態は第４図で表すようになる。つまり樹脂パ
ッケージ５の周側面は鏡面を成していてアンダーカット
となる部分がないので、第７図で述べたような樹脂パッ
ケージ５と金型６との間のかじり干渉の発生がなく、こ
れにより樹脂パッケージ５に不当な外部応力を加えるこ
となく離型させて金型６より取出すことができるきる。
ールドすると、トランスファ成形の離型工程で金型６を
開く際の状態は第４図で表すようになる。つまり樹脂パ
ッケージ５の周側面は鏡面を成していてアンダーカット
となる部分がないので、第７図で述べたような樹脂パッ
ケージ５と金型６との間のかじり干渉の発生がなく、こ
れにより樹脂パッケージ５に不当な外部応力を加えるこ
となく離型させて金型６より取出すことができるきる。
なお、樹脂パッケージ５で封止された受光素子としての
半導体チップ１に対し、鏡面を成す樹脂パッケージ５の
周側面5cへ向けて側方より迷光を投光しても、受光素子
が誤動作するおそれのないことがテスト結果からも十分
確認されている。
半導体チップ１に対し、鏡面を成す樹脂パッケージ５の
周側面5cへ向けて側方より迷光を投光しても、受光素子
が誤動作するおそれのないことがテスト結果からも十分
確認されている。
本発明による樹脂封止形半導体装置は、以上説明したよ
うに構成されているので、次記の効果を奏する。
うに構成されているので、次記の効果を奏する。
（１）樹脂パッケージの周側面を抜き勾配のテーパを付
けた鏡面と成したことにより、トランスファ成形の離型
工程で金型を開く際に、成形品である樹脂パッケージに
不当な外部応力を加わることがなく、これにより樹脂パ
ッケージにクラック，反り、ないし封止部品と樹脂との
間が剥離するなどと言ったトラブルを確実に回避して製
品の品質，歩留りを大幅に向上できる。
けた鏡面と成したことにより、トランスファ成形の離型
工程で金型を開く際に、成形品である樹脂パッケージに
不当な外部応力を加わることがなく、これにより樹脂パ
ッケージにクラック，反り、ないし封止部品と樹脂との
間が剥離するなどと言ったトラブルを確実に回避して製
品の品質，歩留りを大幅に向上できる。
（２）樹脂パッケージの側面を鏡面としたことにより半
導体装置の動作性能面に悪影響を及ぼすことなく、しか
も透光窓部を除く樹脂パッケージの上下面を梨地面とし
たことにより、周囲からの入射迷光による誤動作を防止
して半導体装置としての高信頼性が得られる。
導体装置の動作性能面に悪影響を及ぼすことなく、しか
も透光窓部を除く樹脂パッケージの上下面を梨地面とし
たことにより、周囲からの入射迷光による誤動作を防止
して半導体装置としての高信頼性が得られる。
第１図は本発明実施例による樹脂封止形半導体装置の構
成断面図、第２図は第１図の上面図、第３図は第１図に
対応するトランスファ成形金型の構成図、第４図は第３
図の金型による離型状態を表した部分拡大図、第５図は
従来における樹脂封止形半導体装置の構成断面図、第６
図は第５図に対応するトランスファ成形金型の構成図、
第７図は第５図の金型による離型状態を表した部分拡大
図である。図において、 1:半導体チップ、5:透明樹脂パッケージ、5a:透光窓部
（鏡面）、5b:梨地面、5c:側面（鏡面）、6:トランスフ
ァ成形金型、θ：抜き勾配のテーパ角度。
成断面図、第２図は第１図の上面図、第３図は第１図に
対応するトランスファ成形金型の構成図、第４図は第３
図の金型による離型状態を表した部分拡大図、第５図は
従来における樹脂封止形半導体装置の構成断面図、第６
図は第５図に対応するトランスファ成形金型の構成図、
第７図は第５図の金型による離型状態を表した部分拡大
図である。図において、 1:半導体チップ、5:透明樹脂パッケージ、5a:透光窓部
（鏡面）、5b:梨地面、5c:側面（鏡面）、6:トランスフ
ァ成形金型、θ：抜き勾配のテーパ角度。
フロントページの続き (72)発明者 野本 高安 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−153869（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−21878（ＪＰ，Ａ) 実開 昭51−60769（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】受光素子を含む半導体チップをトランスフ
ァ成形法により透明樹脂パッケージに封止して成る半導
体装置であって、樹脂パッケージにおける半導体チップ
と対面する透光窓部を粗さ0.05μｍ以下の鏡面、該透光
窓部を除くパッケージ上下面を粗さ２〜15μｍの梨地面
とするとともに、パッケージ側面を抜き勾配５〜15゜の
テーパをつけた粗さ0.1〜0.3μｍと鏡面と成したことを
特徴とする透明樹脂封止形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63252807A JPH07109898B2 (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 透明樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63252807A JPH07109898B2 (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 透明樹脂封止形半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02100374A JPH02100374A (ja) | 1990-04-12 |
| JPH07109898B2 true JPH07109898B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=17242493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63252807A Expired - Lifetime JPH07109898B2 (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 透明樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109898B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3958864B2 (ja) * | 1998-05-21 | 2007-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 透明樹脂封止光半導体装置 |
| JP5936810B2 (ja) | 2009-09-11 | 2016-06-22 | ローム株式会社 | 発光装置 |
| JP7102675B2 (ja) * | 2017-05-09 | 2022-07-20 | ローム株式会社 | 光学装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5160769U (ja) * | 1974-11-07 | 1976-05-13 | ||
| JPH0719893B2 (ja) * | 1986-07-16 | 1995-03-06 | キヤノン株式会社 | 光半導体装置 |
| JPS63153869A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-27 | Nec Corp | 光半導体装置のトランスフア−モ−ルド装置 |
-
1988
- 1988-10-06 JP JP63252807A patent/JPH07109898B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02100374A (ja) | 1990-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7410836B2 (en) | Method for fabricating a photosensitive semiconductor package | |
| US5622873A (en) | Process for manufacturing a resin molded image pick-up semiconductor chip having a window | |
| US6353257B1 (en) | Semiconductor package configuration based on lead frame having recessed and shouldered portions for flash prevention | |
| JPH07109898B2 (ja) | 透明樹脂封止形半導体装置 | |
| US5598038A (en) | Resin encapsulated semiconductor device | |
| CN117096166A (zh) | 图像传感器封装结构及相关方法 | |
| JP2002094035A (ja) | 光透過用キャップ及びその製造方法 | |
| JP3061121B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH02101776A (ja) | 光センサ用パッケージとその製造方法 | |
| CN203950835U (zh) | 光电元件的封装体 | |
| JP4070775B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100214882B1 (ko) | 글래스 리드 탑재형 플라스틱 팩키지 및 그 제조방법 | |
| JP2851991B2 (ja) | 光結合素子 | |
| JPH065905A (ja) | 光学装置用リードフレームおよびこれを使用した光学装置の製造方法 | |
| JPS60111432A (ja) | 半導体装置用樹脂封止金型 | |
| EP1364414B1 (en) | A lead frame for an opto-coupler | |
| JPH02103967A (ja) | 光センサ用パッケージ | |
| JPH0370913B2 (ja) | ||
| KR101926721B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| JPH05218508A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPS5889844A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0770676B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08250527A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| KR940005711B1 (ko) | 이중몰딩 패키지 및 몰드 금형 | |
| JPH03142939A (ja) | 樹脂封止型半導体素子の成形方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071122 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 13 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 13 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |