JPH07107190B2 - 光化学気相成長方法 - Google Patents
光化学気相成長方法Info
- Publication number
- JPH07107190B2 JPH07107190B2 JP59062959A JP6295984A JPH07107190B2 JP H07107190 B2 JPH07107190 B2 JP H07107190B2 JP 59062959 A JP59062959 A JP 59062959A JP 6295984 A JP6295984 A JP 6295984A JP H07107190 B2 JPH07107190 B2 JP H07107190B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- vapor deposition
- deposition method
- photochemical
- photochemical vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、光化学気相成長方法、特に光化学反応を利用
することにより、低温プロセスにて高純度のシリコン原
子と炭素原子を有する薄膜を形成し得る新規な気相成長
薄膜製造方法に関するものである。
することにより、低温プロセスにて高純度のシリコン原
子と炭素原子を有する薄膜を形成し得る新規な気相成長
薄膜製造方法に関するものである。
光化学気相成長装置（以下、光CVD装置と略称する）
は、反応容器と、該反応容器内に原料ガスを導入する手
段と、該原料ガスに高エネルギ光を照射する手段とを備
え、光化学反応を利用して該反応容器内に設けた基板上
に薄膜を堆積するものである。
は、反応容器と、該反応容器内に原料ガスを導入する手
段と、該原料ガスに高エネルギ光を照射する手段とを備
え、光化学反応を利用して該反応容器内に設けた基板上
に薄膜を堆積するものである。
従来の代表的光CVD装置の原理構成図を第１図に示す。
ここで１は光束、２は窓、３は反応容器、４は原料ガス
導入バルブ、５は薄膜、６は基板、７は排気口を示す。
ここで１は光束、２は窓、３は反応容器、４は原料ガス
導入バルブ、５は薄膜、６は基板、７は排気口を示す。
従来のこの種の光CVD装置は、光エネルギを流用するこ
とにより、原料ガスを分解して成膜する方式のものであ
る。例えばシランガスを反応容器３に導入し、エキシマ
レーザー（excimerlaser）等の高エネルギ光を照射し、
基板上に水素化シリコン膜を形成する例等が知られてい
る。しかしこれらの例でも、光エネルギだけで成膜する
ため、成長速度が遅く、水素とシリコン原子との結合も
十分でなく、膜の電気的な性質に劣る欠点があつた。
とにより、原料ガスを分解して成膜する方式のものであ
る。例えばシランガスを反応容器３に導入し、エキシマ
レーザー（excimerlaser）等の高エネルギ光を照射し、
基板上に水素化シリコン膜を形成する例等が知られてい
る。しかしこれらの例でも、光エネルギだけで成膜する
ため、成長速度が遅く、水素とシリコン原子との結合も
十分でなく、膜の電気的な性質に劣る欠点があつた。
例えばシランガスを分解して、水素化シリコン膜を形成
するためには、 SiH4→Si＊＋2H2 2iH4 ＊→SiH＊＋H2＋Ｈ（＊は励起状態を示す） 等の反応が考えられるが、それぞれの解離のために必要
なエネルギは異なる。これらのすべてに対して一つの波
長の光だけで処理することは困難である。
するためには、 SiH4→Si＊＋2H2 2iH4 ＊→SiH＊＋H2＋Ｈ（＊は励起状態を示す） 等の反応が考えられるが、それぞれの解離のために必要
なエネルギは異なる。これらのすべてに対して一つの波
長の光だけで処理することは困難である。
本発明の目的は、上記のような従来の光化学気相成長方
法における欠点を改め、膜の成長速度が早く、化合物薄
膜の形成を可能とし、電気的機械的性質の優れたシリコ
ン原子と炭素原子を有する薄膜を形成し、かつ膜のパタ
ーニングの容易な光化学気相成長方法を提供することに
ある。
法における欠点を改め、膜の成長速度が早く、化合物薄
膜の形成を可能とし、電気的機械的性質の優れたシリコ
ン原子と炭素原子を有する薄膜を形成し、かつ膜のパタ
ーニングの容易な光化学気相成長方法を提供することに
ある。
上記の目的をもって、請求項１の発明は、反応容器内に
原料ガスを導入し、該原料ガスに光を照射し、光化学反
応を利用して前記反応容器内に配置されている基板上に
堆積膜を形成する光化学気相成長方法において、前記反
応容器内にメタンガスとシランガスを導入し、該メタン
ガスとシランガスのそれぞれの光の吸収スペクトルにそ
れぞれ合わせた波長を有する複数種の光を、それぞれ照
射して光化学反応を正起させ、シリコン原子と炭素原子
を有する化合物を基板上に堆積することを特徴とする光
化学気相成長方法を提供する。
原料ガスを導入し、該原料ガスに光を照射し、光化学反
応を利用して前記反応容器内に配置されている基板上に
堆積膜を形成する光化学気相成長方法において、前記反
応容器内にメタンガスとシランガスを導入し、該メタン
ガスとシランガスのそれぞれの光の吸収スペクトルにそ
れぞれ合わせた波長を有する複数種の光を、それぞれ照
射して光化学反応を正起させ、シリコン原子と炭素原子
を有する化合物を基板上に堆積することを特徴とする光
化学気相成長方法を提供する。
上記の目的をもって、請求項２の発明は、前記複数種の
項は赤外光と紫外光である特許請求の範囲第１項に記載
の光化学気相成長方法を提供する。
項は赤外光と紫外光である特許請求の範囲第１項に記載
の光化学気相成長方法を提供する。
上記の目的をもって、請求項３の発明は、前記複数種の
光は同時に照射される特許請求の範囲第１項または第２
項に記載の光化学気相成長方法を提供する。
光は同時に照射される特許請求の範囲第１項または第２
項に記載の光化学気相成長方法を提供する。
上記の目的をもって、請求項４の発明は、前記複数種の
光は前記基板に向けて照射される特許請求の範囲第１項
乃至第３項に記載の光化学気相成長方法を提供する。
光は前記基板に向けて照射される特許請求の範囲第１項
乃至第３項に記載の光化学気相成長方法を提供する。
上記の目的をもって、請求項５の発明は、前記化合物は
前記基板に向けて照射された前記複数種の光が合わさっ
た部分に形成される特許請求の範囲第１項に記載の光化
学気相成長方法を提供する。
前記基板に向けて照射された前記複数種の光が合わさっ
た部分に形成される特許請求の範囲第１項に記載の光化
学気相成長方法を提供する。
例えばシランガスを分解して水素化シリコン膜を形成す
る際、本発明によれば、水素の励起に必要な紫外光及び
SiH、SiH2等の励起に有効な赤外光を合せて照射するこ
とにより、水素化シリコンの成長速度を高め、かつ水素
との結合力を強めることができ、水素化シリコン膜の電
気的性質も改善することが可能となる。
る際、本発明によれば、水素の励起に必要な紫外光及び
SiH、SiH2等の励起に有効な赤外光を合せて照射するこ
とにより、水素化シリコンの成長速度を高め、かつ水素
との結合力を強めることができ、水素化シリコン膜の電
気的性質も改善することが可能となる。
第２図は本発明の実施例で21は波長λＡなる光束、22は
波長λＢなる光束で、反応容器24内に置かれた基板28を
同時に照射する。一方バルブ25及びバルブ26から異なる
原料ガスＡ、Ｂをバルブ25、26を通して反応容器内に排
気口29から排気しながら流す。
波長λＢなる光束で、反応容器24内に置かれた基板28を
同時に照射する。一方バルブ25及びバルブ26から異なる
原料ガスＡ、Ｂをバルブ25、26を通して反応容器内に排
気口29から排気しながら流す。
波長λＡは原料ガスＡに対して、波長λＢは原料ガスＢ
に対して活性化する波長を選択する。
に対して活性化する波長を選択する。
基板28上の光λＡ、光λＢの重つた点に化合物ABの薄膜
27が成長する。
27が成長する。
前記では、SiH4の分解したガス種SiH、SiH2、H2、Ｈ等
に、各々合せた波長の光を照射する場合であつたが、別
々の原料ガスを導入し、それぞれのガスに適合するよう
な複数の波長の光を照射する場合も考えられる。
に、各々合せた波長の光を照射する場合であつたが、別
々の原料ガスを導入し、それぞれのガスに適合するよう
な複数の波長の光を照射する場合も考えられる。
すなわち、メタンガス及びシランガスを同時に反応容器
内に導き、メタンガスの励起用として、3.3μ前後の赤
外光及びシランガス分解用として、エキシマレーザー等
の紫外光を同時に照射することにより、両者の化合物で
あるSiC膜を形成することができる。
内に導き、メタンガスの励起用として、3.3μ前後の赤
外光及びシランガス分解用として、エキシマレーザー等
の紫外光を同時に照射することにより、両者の化合物で
あるSiC膜を形成することができる。
照射光及び原料ガスは二つに限られず、多数のガス又は
波長光を使うことにより、更に効率的に反応を促進させ
ることもできる。
波長光を使うことにより、更に効率的に反応を促進させ
ることもできる。
以上説明したように、本発明を実施することにより、以
下に述べる効果が得られるものである。
下に述べる効果が得られるものである。
従来の方式より、反応速度を早めるため、シリコン
原子と炭素原子を有する膜の成長速度が遅い。
原子と炭素原子を有する膜の成長速度が遅い。
シリコン原子と炭素原子を有する化合物の薄膜を容
易に形成できる。
易に形成できる。
化合物間の結合力を強めるため、シリコン原子と炭
素原子を有する膜膜の電気的、機械的性質が改善され
る。
素原子を有する膜膜の電気的、機械的性質が改善され
る。
複数の光の合わさつたところに、局所的にシリコン
原子と炭素原子を有する膜が形成するため、シリコン原
子と炭素原子を有する膜膜のパターニングが容易にでき
る。
原子と炭素原子を有する膜が形成するため、シリコン原
子と炭素原子を有する膜膜のパターニングが容易にでき
る。
第１図は従来の光化学気相成長装置の概略を示す図、第
２図は本発明を実施する光化学気相成長装置を示す説明
図である。 １……反応光、２……窓 ３……反応容器、４……原料ガス導入バルブ ５……膜、６……基板 ７……排気口、21、22……反応光 23……窓材、24……反応容器 25、26……原料ガス導入バルブ 27……膜、28……基板 29……排気口
２図は本発明を実施する光化学気相成長装置を示す説明
図である。 １……反応光、２……窓 ３……反応容器、４……原料ガス導入バルブ ５……膜、６……基板 ７……排気口、21、22……反応光 23……窓材、24……反応容器 25、26……原料ガス導入バルブ 27……膜、28……基板 29……排気口
Claims (5)
- 【請求項１】反応容器内に原料ガスを導入し、該原料ガ
スに光を照射し、光化学反応を利用して前記反応容器内
に配置されている基板上に堆積膜を形成する光化学気相
成長方法において、前記反応容器内にメタンガスとシラ
ンガスを導入し、該メタンガスとシランガスのそれぞれ
の光の吸収スペクトルにそれぞれ合わせた波長を有する
複数種の光を、それぞれ照射して光化学反応を生起さ
せ、シリコン原子と炭素原子を有する化合物を基板上に
堆積することを特徴とする光化学気相成長方法。 - 【請求項２】前記複数種の光は赤外光と紫外光である特
許請求の範囲第１項に記載の光化学気相成長方法。 - 【請求項３】前記複数種の光は同時に照射される特許請
求の範囲第１項または第２項に記載の光化学気相成長方
法。 - 【請求項４】前記複数種の光は前記基板に向けて照射さ
れる特許請求の範囲第１項乃至第３項に記載の光化学気
相成長方法。 - 【請求項５】前記化合物は前記基板に向けて照射された
前記複数種の光が合わさった部分に形成される特許請求
の範囲第１項に記載の光化学気相成長方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59062959A JPH07107190B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 光化学気相成長方法 |
| US06/714,575 US4581249A (en) | 1984-03-30 | 1985-03-21 | Photochemical vapor deposition method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59062959A JPH07107190B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 光化学気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60206445A JPS60206445A (ja) | 1985-10-18 |
| JPH07107190B2 true JPH07107190B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=13215364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59062959A Expired - Fee Related JPH07107190B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 光化学気相成長方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4581249A (ja) |
| JP (1) | JPH07107190B2 (ja) |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60211077A (ja) * | 1984-04-05 | 1985-10-23 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 合金導電膜の形成方法 |
| JPS61104614A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| DE3610401A1 (de) * | 1985-03-28 | 1987-02-12 | Sumitomo Electric Industries | Halbleiterelement und verfahren zu dessen herstellung und gegenstand, in dem dieses element verwendet wird |
| US4719122A (en) * | 1985-04-08 | 1988-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | CVD method and apparatus for forming a film |
| US5294285A (en) * | 1986-02-07 | 1994-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the production of functional crystalline film |
| US4918028A (en) * | 1986-04-14 | 1990-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for photo-assisted epitaxial growth using remote plasma with in-situ etching |
| US4772565A (en) * | 1986-05-21 | 1988-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing solid-state image sensor |
| US4681640A (en) * | 1986-08-06 | 1987-07-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Laser-induced chemical vapor deposition of germanium and doped-germanium films |
| JPH0774452B2 (ja) * | 1986-11-27 | 1995-08-09 | キヤノン株式会社 | 光化学気相成長法による機能性堆積膜の形成方法 |
| US5308651A (en) * | 1986-12-25 | 1994-05-03 | Kawasaki Steel Corp. | Photochemical vapor deposition process |
| US5171610A (en) * | 1990-08-28 | 1992-12-15 | The Regents Of The University Of Calif. | Low temperature photochemical vapor deposition of alloy and mixed metal oxide films |
| EP0909989A1 (en) * | 1990-09-26 | 1999-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photolithographic processing method and apparatus |
| WO2004077536A1 (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-10 | Japan Science And Technology Agency | 空中配線の製造方法及びその空中配線の製造装置 |
| GB2432363B (en) * | 2005-11-16 | 2010-06-23 | Epichem Ltd | Hafnocene and zirconocene precursors, and use thereof in atomic layer deposition |
| TWI425110B (zh) * | 2007-07-24 | 2014-02-01 | Sigma Aldrich Co | 以化學相沉積法製造含金屬薄膜之方法 |
| TWI382987B (zh) * | 2007-07-24 | 2013-01-21 | Sigma Aldrich Co | 應用於化學相沉積製程的有機金屬前驅物 |
| CN101827956A (zh) * | 2007-09-14 | 2010-09-08 | 西格玛-奥吉奇公司 | 采用基于单环戊二烯基钛的前体通过原子层沉积制备含钛薄膜的方法 |
| EP2191034B1 (en) * | 2007-09-14 | 2013-03-13 | Sigma-Aldrich Co. LLC | Methods of preparing thin films by atomic layer deposition using monocyclopentadienyl triamino zirconium precursors |
| WO2011011299A1 (en) | 2009-07-21 | 2011-01-27 | Sigma-Aldrich Co. | Compositions and methods of use for forming titanium- containing thin films |
| SG178267A1 (en) | 2009-08-07 | 2012-03-29 | Sigma Aldrich Co Llc | High molecular weight alkyl-allyl cobalttricarbonyl complexes and use thereof for preparing dielectric thin films |
| WO2011115878A1 (en) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Sigma-Aldrich Co. | Methods for preparing thin fillms by atomic layer deposition using hydrazines |
| KR101847953B1 (ko) | 2010-08-27 | 2018-04-11 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 몰리브덴(ｉｖ) 아미드 전구체 및 원자층 증착용으로서의 그것의 용도 |
| CN104136448B (zh) | 2012-01-26 | 2015-12-02 | 辛格玛艾瑞契有限责任公司 | 钼烯丙基络合物和其于薄膜沉积中的用途 |
| US10155783B2 (en) | 2013-05-28 | 2018-12-18 | Merck Patent Gmbh | Manganese complexes and use thereof for preparing thin films |
| EP3063157B8 (en) | 2013-10-28 | 2019-07-10 | Safc Hitech, Inc. | Metal complexes containing amidoimine ligands |
| EP3116884B1 (en) | 2014-03-13 | 2017-08-16 | Sigma-Aldrich Co. LLC | Molybdenum silylcyclopentadienyl and silylallyl complexes and use thereof in thin film deposition |
| EP3310819B1 (de) | 2015-06-17 | 2019-06-12 | Basf Se | Zusammensetzung zur sofortbeendigung einer radikalischen polymerisation |
| US9793108B2 (en) * | 2015-06-25 | 2017-10-17 | Applied Material, Inc. | Interconnect integration for sidewall pore seal and via cleanliness |
| KR20180114159A (ko) | 2016-02-19 | 2018-10-17 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 몰리브덴 카르보닐 전구체를 사용하는 몰리브덴 박막의 증착 |
| WO2018046391A1 (en) | 2016-09-09 | 2018-03-15 | Merck Patent Gmbh | Metal complexes containing allyl ligands |
| WO2018086730A1 (en) | 2016-11-08 | 2018-05-17 | Merck Patent Gmbh | Metal complexes containing cyclopentadienyl ligands |
| KR20200022009A (ko) | 2017-06-23 | 2020-03-02 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 선택적 필름 성장을 위한 원자층 증착 방법 |
| CN111655899A (zh) | 2018-02-12 | 2020-09-11 | 默克专利有限公司 | 使用无氧共反应物气相沉积钌的方法 |
| CN111837074B (zh) * | 2018-03-02 | 2023-11-03 | Asml荷兰有限公司 | 形成图案化的材料层的方法和设备 |
| JP7146946B2 (ja) * | 2018-05-31 | 2022-10-04 | イビデン株式会社 | ３Ｃ－ＳｉＣ膜を調製するためのプロセス |
| CN114746573B (zh) | 2019-11-20 | 2024-05-10 | 默克专利有限公司 | 用于选择性形成含金属膜的化合物及方法 |
| CN114945705A (zh) | 2020-01-16 | 2022-08-26 | 默克专利有限公司 | 沉积在钌-氮化钛膜上的含钌膜及其形成方法 |
| KR20220137707A (ko) | 2020-02-04 | 2022-10-12 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 금속-함유 필름을 선택적으로 형성하는 방법 |
| JP2023527037A (ja) | 2020-05-26 | 2023-06-26 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 金属元素膜上に蒸着されたモリブデン含有膜を形成する方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT329717B (de) * | 1973-03-28 | 1976-05-25 | Vianova Kunstharz Ag | Anordnung und verfahren zum harten von anstrichstoffen und uberzugen mittels von irasern emittierter infrarot-strahlung |
| US4104438A (en) * | 1975-01-20 | 1978-08-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Gas-barrier coated films, sheets or foils and method of preparation |
| US4059461A (en) * | 1975-12-10 | 1977-11-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for improving the crystallinity of semiconductor films by laser beam scanning and the products thereof |
| US4181751A (en) * | 1978-05-24 | 1980-01-01 | Hughes Aircraft Company | Process for the preparation of low temperature silicon nitride films by photochemical vapor deposition |
| US4371587A (en) * | 1979-12-17 | 1983-02-01 | Hughes Aircraft Company | Low temperature process for depositing oxide layers by photochemical vapor deposition |
| US4401689A (en) * | 1980-01-31 | 1983-08-30 | Rca Corporation | Radiation heated reactor process for chemical vapor deposition on substrates |
| US4324854A (en) * | 1980-03-03 | 1982-04-13 | California Institute Of Technology | Deposition of metal films and clusters by reactions of compounds with low energy electrons on surfaces |
| US4435445A (en) * | 1982-05-13 | 1984-03-06 | Energy Conversion Devices, Inc. | Photo-assisted CVD |
| US4447469A (en) * | 1982-06-10 | 1984-05-08 | Hughes Aircraft Company | Process for forming sulfide layers by photochemical vapor deposition |
| US4522845A (en) * | 1983-06-20 | 1985-06-11 | Varian Associates, Inc. | Process for producing a layer of a metal silicide by applying multichromatic radiation |
| US4490211A (en) * | 1984-01-24 | 1984-12-25 | International Business Machines Corporation | Laser induced chemical etching of metals with excimer lasers |
| DE3407089A1 (de) * | 1984-02-27 | 1985-08-29 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zur lichtinduzierten, fotolytischen abscheidung |
| JPS60178622A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP59062959A patent/JPH07107190B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1985
- 1985-03-21 US US06/714,575 patent/US4581249A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4581249A (en) | 1986-04-08 |
| JPS60206445A (ja) | 1985-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07107190B2 (ja) | 光化学気相成長方法 | |
| US4702936A (en) | Gas-phase growth process | |
| US5705224A (en) | Vapor depositing method | |
| Eden | Photochemical vapor deposition | |
| US4685976A (en) | Multi-layer semiconductor processing with scavenging between layers by excimer laser | |
| TW200307762A (en) | Deposition methods utilizing microwave excitation, and deposition apparatuses | |
| US5308651A (en) | Photochemical vapor deposition process | |
| González et al. | Photo-induced chemical vapour deposition of silicon oxide thin films | |
| Haigh | Mechanisms of metallo‐organic vapor phase epitaxy and routes to an ultraviolet‐assisted process | |
| Carlsson et al. | Progress in chemical vapor deposition | |
| JPS63317675A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| Larciprete | Photoprocesses in organometallics | |
| EP0298126B1 (en) | Optical cvd process | |
| JPH0351675B2 (ja) | ||
| Roy | Laser chemical vapour deposition | |
| JP2629773B2 (ja) | 多層薄膜の形成方法 | |
| JP2841694B2 (ja) | 光ｃｖｄ方法 | |
| JP2770578B2 (ja) | 光ｃｖｄ方法 | |
| JPS63303071A (ja) | 光、プラズマ重畳ｃｖｄ法 | |
| JP2577543B2 (ja) | 単結晶薄膜成長装置 | |
| JPS5642350A (en) | Formation of insulating film | |
| JPH0294430A (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JPH01730A (ja) | 多層薄膜の形成方法 | |
| JPH10226599A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS62219917A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |