JPH07106541A - Ccd element prevented from darkening - Google Patents
Ccd element prevented from darkeningInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、各種点検監視用のCC
Dカメラに係り、特に使用原子力プラント内の放射線環
境下において使用可能な暗化防止CCD素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a CC for various inspection and monitoring.
The present invention relates to a D camera, and particularly to an anti-darkening CCD element that can be used in a radiation environment in a nuclear power plant in use.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、原子力プラント内での放射線の高
線量環境下における保守点検は、作業員の被曝等から困
難な場所が多いため、特に高線量環境下に設置されてい
る機器の保守点検には、固定式あるいは天井等に敷設し
た軌道に沿って走行する移動式の監視装置が実用化され
ており、これらの監視装置には視覚系として電荷結合素
子(Charge Coupled Device ,以下CCD素子と略称す
る)カメラが搭載されている。2. Description of the Related Art In recent years, maintenance and inspection in a high dose environment of radiation in a nuclear power plant has been difficult in many places due to exposure of workers, so maintenance and inspection of equipment installed especially in a high dose environment. In the field, fixed type or mobile type monitoring devices that run along a track laid on the ceiling have been put into practical use, and these monitoring devices include charge coupled devices (CCD devices) as visual systems. An abbreviated camera is installed.
【0003】図4の斜視図はCCDカメラを用いた移動
式監視装置の概略構成を示すもので、点検ルートに沿っ
て敷設された軌道1には視覚点検ロボット2が懸架さ
れ、この視覚点検ロボット2は操作盤3の操作によって
ホストコンピュータ4を介して制御される。なお、軌道
1には前記ホストコンピュータ4に接続された信号伝送
路5が設置され、操作盤3とホストコンピュータ4には
信号伝送器6が接続されている。The perspective view of FIG. 4 shows a schematic structure of a mobile monitoring device using a CCD camera. A visual inspection robot 2 is suspended on a track 1 laid along the inspection route. 2 is controlled by the operation of the operation panel 3 via the host computer 4. A signal transmission path 5 connected to the host computer 4 is installed on the track 1, and a signal transmitter 6 is connected to the operation panel 3 and the host computer 4.
【0004】軌道1に懸架された視覚点検ロボット2
は、電気回路を内包する車体7と、この車体7上面に一
体化して設けられた駆動機構8により回転される図示し
ないラックピニオンとガイド車輪9、および前記車体7
の下面に設けられて、ある範囲内で水平旋回、俯仰旋回
の可能な雲台10と、この雲台10に取付けられたCCDカ
メラ11から構成されている。A visual inspection robot 2 suspended on a track 1
Is a vehicle body 7 including an electric circuit, a rack pinion and a guide wheel 9 (not shown) rotated by a drive mechanism 8 integrally provided on the upper surface of the vehicle body 7, and the vehicle body 7
It is composed of a platform 10 provided on the lower surface of the platform and capable of horizontal and vertical rotation within a certain range, and a CCD camera 11 attached to the platform 10.
【0005】このCCDカメラ11は、監視対象を撮影す
る光学レンズと、その後部に配置して投影された映像を
電気信号に変換する多数のCCD単体を平面にマトリク
ス状に並べたCCD素子、およびプリアンプ等で構成し
ている。This CCD camera 11 has an optical lens for photographing an object to be monitored, a CCD element in which a large number of CCDs arranged at the rear of the lens to convert a projected image into an electric signal are arranged in a matrix on a plane, and It consists of a preamplifier and so on.
【0006】また、車体7が内包する電気回路には、雲
台10を制御する制御回路と、CCDカメラ11の撮像信号
を周波数変調して伝送する信号伝送回路、および駆動機
構8の起動、停止を制御する回路、さらに信号伝送路5
と接触して信号の授受を行う接触集電子等が含まれてい
る。なお、前記制御回路には信号伝送路5と信号の授受
を行う信号伝送器、およびマイクロコンピュータが含ま
れている。The electric circuit contained in the vehicle body 7 includes a control circuit for controlling the platform 10, a signal transmission circuit for frequency-modulating and transmitting the image pickup signal of the CCD camera 11, and a start / stop of the drive mechanism 8. Control circuit, and signal transmission line 5
It includes a contact current collector or the like that comes into contact with and exchanges signals. The control circuit includes a signal transmitter for exchanging signals with the signal transmission path 5, and a microcomputer.
【0007】軌道1の断面は底部の一部が欠如した長方
形とし、駆動機構8のガイド車輪9は底辺の両側内側に
載置されて、図示しないラックピニオンは同じく図示し
ない軌道1内のラック軌条に噛合され、これより視覚点
検ロボット2が移動できるようにしてある。The cross section of the track 1 is a rectangle with a part of the bottom cut off, the guide wheels 9 of the drive mechanism 8 are mounted on both inner sides of the bottom side, and the rack and pinion (not shown) is also a rack rail in the track 1 (not shown). , So that the visual inspection robot 2 can move.
【0008】したがって、この視覚点検ロボット2を軌
道1上で移動して、たとえ放射線環境下においても、原
子力発電プラント内をCCDカメラ11で撮影し、その撮
像信号を操作盤3に送って、各種機器の状態を操作盤3
上の例えばCRTによるモニタ3aにて監視される。Therefore, the visual inspection robot 2 is moved on the track 1 to photograph the inside of the nuclear power plant with the CCD camera 11 even in a radiation environment, and the image pickup signal is sent to the operation panel 3 to perform various operations. Operation panel 3
It is monitored by the monitor 3a such as a CRT above.
【0009】以上のように、一般に、原子力プラント内
部は狭く、一運転サイクルも約1年と長いことから視覚
点検ロボット2については、その撮像手段としてCCD
カメラ11を多用しているが、このCCDカメラ11の特徴
としては、固体撮像素子を使用して小型、軽量で耐振性
および耐衝撃性にも優れ、寿命も長いことが挙げられ
る。As described above, in general, the inside of a nuclear power plant is narrow, and one operation cycle is as long as about one year. Therefore, the visual inspection robot 2 has a CCD as its image pickup means.
Although the camera 11 is frequently used, the CCD camera 11 is characterized in that it uses a solid-state image sensor, is small and lightweight, has excellent vibration resistance and impact resistance, and has a long life.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】従来のCCDカメラ11
におけるCCD素子には、下記のような温度依存性の劣
化と、放射線による影響を受けるという課題がある。 (1) 温度依存性の劣化は、CCD素子の温度が上昇する
と、CCD素子に流れる暗電流が増加する。図5の温度
特性図に示すように温度が上昇するにつれて暗電流が増
加し、この暗電流が増加することによって映像信号のS
/N比が悪くなり、熱雑音として映像に現れる。[Problem to be Solved by the Invention] Conventional CCD camera 11
The CCD device in (1) has the following problems of temperature-dependent deterioration and being affected by radiation. (1) Deterioration of temperature dependence is such that when the temperature of the CCD element rises, the dark current flowing in the CCD element increases. As shown in the temperature characteristic diagram of FIG. 5, as the temperature rises, the dark current increases, and the dark current increases to increase the S of the video signal.
The / N ratio deteriorates and appears as thermal noise in the image.
【0011】CCDカメラ11に採用されるCCD素子に
おいては、黒レベルを決めるためのオプティカルブラッ
ク領域として、CCD素子の一部をアルミニウム蒸着に
よる遮光膜で遮蔽しているが、このオプティカルブラッ
ク領域に流れる暗電流も温度の上昇により増加し、映像
信号の黒レベルが変動する。In the CCD element used in the CCD camera 11, a part of the CCD element is shielded by a light-shielding film formed by aluminum vapor deposition as an optical black area for determining the black level. The dark current also increases as the temperature rises, and the black level of the video signal fluctuates.
【0012】これら映像信号のS/N比の低下、および
黒レベル変動の対策としては、温度補正を行って、通常
状態においてCCDカメラ11として保証する温度の0〜
40℃の範囲における使用上に支障がないようにしてい
る。As a measure against the decrease of the S / N ratio of these video signals and the fluctuation of the black level, the temperature is corrected so that the temperature of the temperature guaranteed by the CCD camera 11 in the normal state is 0 to 0.
It is designed so that there is no problem in use in the range of 40 ° C.
【0013】(2) 放射線による影響としては、CCD素
子に放射線(主にエネルギーの大きいγ線)が照射され
るとCCD素子の絶縁層が損傷し、この損傷が進むにし
たがって絶縁層の諸特性は劣化する。すなわち、絶縁層
と半導体基板であるシリコンとの界面に界面順位(再結
合中心)が発生して劣化現象を引き起こす。(2) The influence of radiation is that when the CCD element is irradiated with radiation (mainly γ-rays with large energy), the insulating layer of the CCD element is damaged, and as the damage progresses, various characteristics of the insulating layer. Deteriorates. That is, an interface order (recombination center) is generated at the interface between the insulating layer and silicon that is the semiconductor substrate, causing a deterioration phenomenon.
【0014】この結果、CCD素子の暗電流(レンズか
らの光を遮光したときに流れる信号電流)が増加し、映
像信号のS/N比(映像信号の出力信号と出力信号内に
含まれているノイズ成分との比、すなわち、定格信号出
力と光を遮光したときの出力の比をデシベルで表したも
の)が悪くなる。As a result, the dark current of the CCD element (the signal current flowing when the light from the lens is blocked) increases, and the S / N ratio of the video signal (the output signal of the video signal and the output signal is included in the output signal). The ratio to the noise component present, that is, the ratio between the rated signal output and the output when light is blocked is expressed in decibels).
【0015】図6の放射線特性図は放射線積算線量が増
加した時のオプティカルブラック領域と映像信号領域の
暗電流特性を示す。この図6のように放射線積算線量の
増加に伴い、オプティカルブラック領域の暗電流、およ
び映像信号領域の暗電流は共に増加する。The radiation characteristic diagram of FIG. 6 shows the dark current characteristics of the optical black region and the image signal region when the integrated radiation dose is increased. As shown in FIG. 6, the dark current in the optical black region and the dark current in the video signal region both increase with an increase in the cumulative radiation dose.
【0016】しかも、オプティカルブラック領域の暗電
流は、映像信号領域の暗電流よりも増加する傾向にあ
る。通常、CCD素子においては、オプティカルブラッ
ク領域の暗電流は黒レベルを決めているが、このオプテ
ィカルブラック領域の暗電流が映像信号領域の暗電流よ
りも相対的に増えることにより、映像の基準が負の方向
にずれて全体が黒くなった映像となってしまう。Moreover, the dark current in the optical black area tends to increase more than the dark current in the video signal area. Normally, in a CCD element, the dark current in the optical black region determines the black level. However, the dark current in the optical black region relatively increases as compared with the dark current in the image signal region, so that the image reference becomes negative. The image shifts in the direction of and the whole image becomes black.
【0017】以上はCCD素子が温度および放射線の単
一環境から受ける影響であるが、原子力プラント内に設
置されたCCDカメラ11のCCD素子は、必然的に温度
の影響と放射線の影響を複合的に受ける。The above is the influence of the temperature and radiation on the CCD element, but the CCD element of the CCD camera 11 installed in the nuclear power plant inevitably combines the influence of temperature and the influence of radiation. To receive.
【0018】先ずCCD素子は放射線の影響よりも温度
の影響を受ける。しかし、CCD素子において温度によ
り暗電流が増加した場合には、通常は温度補正範囲内で
あることから支障なく映像を映し出すことができる。し
かしながら、この状態で長時間放射線環境下にCCDカ
メラ11を配置しておくと、CCD素子は放射線の影響に
より暗電流が増加する。First, the CCD element is affected by temperature rather than radiation. However, when the dark current increases in the CCD element due to temperature, it is usually within the temperature correction range, so that an image can be displayed without any trouble. However, if the CCD camera 11 is placed in a radiation environment for a long time in this state, dark current increases in the CCD element due to the influence of radiation.
【0019】図7の暗電流差特性図は、オプティカルブ
ラック領域と映像信号領域の暗電流差と温度および放射
線積算線量の関係を示す。この図7のように暗電流差が
温度補正範囲より大きくなると、映像の基準が負の方向
にずれる。このような現象は操作盤3のモニタ3aによ
りCCDカメラ11からの映像を見ている場合に、全体の
黒レベルおよび映像信号が負の方向にシフトした映像
で、画像全体が黒くなって明瞭な映像が得られなくな
る。The dark current difference characteristic diagram of FIG. 7 shows the relationship between the dark current difference between the optical black area and the video signal area, and the temperature and the integrated radiation dose. If the dark current difference becomes larger than the temperature correction range as shown in FIG. 7, the image reference is shifted in the negative direction. When the image from the CCD camera 11 is being viewed on the monitor 3a of the operation panel 3, such a phenomenon is an image in which the entire black level and the image signal are shifted in the negative direction, and the entire image becomes black and is clear. The image cannot be obtained.
【0020】このような映像暗化現象は、CCD素子が
放射線を浴びることにより絶縁層に絶縁劣化が生じ、さ
らに、オプティカルブラック領域を形成する遮光膜のア
ルミニウム蒸着部分が電路となって電流が流れ、これに
より暗電流が増加することが想定される。In such an image darkening phenomenon, when the CCD element is exposed to radiation, insulation deterioration occurs in the insulating layer, and further, the aluminum vapor deposition portion of the light shielding film forming the optical black region serves as an electric path to flow a current. It is expected that this will increase the dark current.
【0021】本発明の目的とするところは、CCD素子
のオプティカルブラック領域に設ける遮光膜に非導電性
材料を使用して、放射線環境下での暗電流増加を防止し
た暗化防止CCD素子を提供することにある。An object of the present invention is to provide an anti-darkening CCD device which prevents an increase in dark current under a radiation environment by using a non-conductive material for a light shielding film provided in an optical black region of the CCD device. To do.
【0022】[0022]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明に係る暗化防止CCD素子は、p型半導体基板の
表面に形成した絶縁層上に配置された複数の電極および
フォトダイオードと、映像信号の黒レベルを決めるオプ
ティカルブラック領域とするために前記電極の一部を遮
光膜により遮光したCCD素子において、前記遮光膜を
非導電性材料としたことを特徴とする。In order to achieve the above object, an anti-darkening CCD element according to the present invention comprises a plurality of electrodes and a photodiode arranged on an insulating layer formed on the surface of a p-type semiconductor substrate, In a CCD element in which a part of the electrode is shielded by a light-shielding film to form an optical black region that determines a black level of a video signal, the light-shielding film is made of a non-conductive material.
【0023】[0023]
【作用】本発明によれば、放射線環境下において、若し
もCCD素子の絶縁層に絶縁劣化が発生しても、オプテ
ィカルブラック領域を形成する遮光膜が非導電性材料で
あるため電路とはならず、暗電流が増加しないことから
映像に暗化現象が発生しない。According to the present invention, even if the insulation deterioration of the insulating layer of the CCD element occurs in a radiation environment, the light-shielding film forming the optical black region is a non-conductive material, so that there is no electric path. In addition, since the dark current does not increase, the darkening phenomenon does not occur in the image.
【0024】[0024]
【実施例】本発明の一実施例について図面を参照して説
明する。なお、上記した従来技術と同じ構成部分につい
ては同一符号を付して詳細な説明を省略する。図1の基
本構成図はCCDカメラに用いるCCD素子の基本構成
を表し、図1(a)は平面図で、図1(b)は図1
(a)のb−b矢視断面図を示す。また、図2の斜視図
はCCD単体の構成を示している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that the same components as those in the above-described conventional technique are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. The basic configuration diagram of FIG. 1 shows the basic configuration of a CCD element used in a CCD camera, FIG. 1 (a) is a plan view, and FIG. 1 (b) is FIG.
The bb arrow sectional drawing of (a) is shown. Further, the perspective view of FIG. 2 shows the configuration of the CCD alone.
【0025】図2に示すように、CCD単体12は例えば
シリコンのp型半導体基板13の表面に、酸化被膜により
形成した絶縁層14上に電極15を配置した構造としてお
り、この電極15に電圧を印加すると、絶縁層14とp型半
導体基板13との近傍に空乏層16(電位の井戸)が形成さ
れ、この空乏層16に電荷を注入すれば一時的にアナログ
量として記憶される。As shown in FIG. 2, the CCD 12 has a structure in which an electrode 15 is arranged on an insulating layer 14 formed of an oxide film on the surface of a p-type semiconductor substrate 13 made of, for example, silicon. Is applied, a depletion layer 16 (potential well) is formed in the vicinity of the insulating layer 14 and the p-type semiconductor substrate 13, and if charges are injected into the depletion layer 16, the depletion layer 16 is temporarily stored as an analog amount.
【0026】前記空乏層16に注入する電荷を、電極15近
傍に配設したフォトダイオード17において光電変換によ
り発生させることにより、光入力によるCCDとするこ
とができる。一般に光入力によるCCD素子は、図1に
示すようにCCD単体を近接して多数配置すると共に一
体に構成し、その受光面に映像を投影して夫々のCCD
単体に入力された光による電荷を蓄積させ、この蓄えら
れた電荷を順次取り出すことにより映像の撮影を可能と
している。The charge injected into the depletion layer 16 is generated by photoelectric conversion in the photodiode 17 arranged in the vicinity of the electrode 15, whereby a CCD can be formed by light input. Generally, as shown in FIG. 1, a CCD device using light input is configured by arranging a plurality of CCDs close to each other and integrally forming them, and projecting an image on the light receiving surface of each CCD.
It is possible to capture an image by accumulating charges due to light input to a single body and sequentially taking out the accumulated charges.
【0027】図1(a)に示すように、CCDカメラ11
に使用するCCD素子18は、p型半導体基板13の表面に
多数のCCD単体をマトリクス状に配置して多数の画素
(撮像対象物の光学的パタンを2次元の格子に分割した
ときの格子の1つの升目)を形成する。As shown in FIG. 1A, the CCD camera 11
The CCD element 18 used for is a matrix of a large number of CCDs arranged on the surface of the p-type semiconductor substrate 13 and has a large number of pixels (a lattice of an optical pattern of an object to be imaged divided into a two-dimensional lattice). Form one square).
【0028】このCCD素子18の中央は受像部19とし、
上部には掃き出しドレイン20、下部に水平CCD21を、
また縦方向にフォトダイオード17および垂直CCD22を
形成している。さらに、受光面側の一部はオプティカル
ブラック領域23を形成するために、例えば絶縁体で遮光
性に富んだ合成樹脂、紙等の非導電性材料による遮光膜
24で覆って構成している。An image receiving portion 19 is provided at the center of the CCD element 18,
Sweep drain 20 at the top, horizontal CCD 21 at the bottom,
Further, a photodiode 17 and a vertical CCD 22 are formed in the vertical direction. Further, in order to form the optical black region 23 on a part of the light-receiving surface side, for example, a light-shielding film made of a non-conductive material such as synthetic resin or paper which is an insulator and has a high light-shielding property.
It is covered with 24.
【0029】これにより、図1(b)に示すようにCC
D素子18は、受光面側を上として順に、オプティカルブ
ラック領域23にのみ遮光膜24が設けられ、フォトダイオ
ード17と図示しない電極15、次いで酸化被膜の絶縁層1
4、さらにp型半導体13で構成される。As a result, as shown in FIG.
The D element 18 is provided with a light shielding film 24 only in the optical black region 23 in order from the light receiving surface side upward, the photodiode 17 and the electrode 15 not shown, and then the insulating layer 1 of the oxide film.
4 and further comprises a p-type semiconductor 13.
【0030】次に上記構成による作用について説明す
る。CCD素子18の受光面には、図示しない光学レンズ
等により撮影映像が投影され、CCD素子18における各
CCD単体の電極15に電圧が加わると、各電極15の下の
p型半導体13の表面に空乏層16ができ、この空乏層16に
投影映像の各部に対応したフォトダイオード17により、
その光量に応じて光電変換によって生じた電荷が蓄えら
れる。Next, the operation of the above configuration will be described. On the light receiving surface of the CCD element 18, a photographed image is projected by an optical lens or the like (not shown), and when a voltage is applied to the electrode 15 of each CCD unit in the CCD element 18, the surface of the p-type semiconductor 13 under each electrode 15 is applied. A depletion layer 16 is formed, and by the photodiode 17 corresponding to each part of the projected image on the depletion layer 16,
The charges generated by photoelectric conversion are stored according to the amount of light.
【0031】次に、各電極15に加える電圧をパルス状態
にして、このパルス電圧をずらすことにより各空乏層16
に蓄積された電荷を順次移動させて行き、最終的に映像
信号として得られる。この時に出力される映像信号の一
例を図3の出力特性図に示す。Next, the voltage applied to each electrode 15 is pulsed, and the pulse voltage is shifted so that each depletion layer 16
The electric charges accumulated in are sequentially moved and finally obtained as a video signal. An example of the video signal output at this time is shown in the output characteristic diagram of FIG.
【0032】電荷の転送順序は図1において水平方向で
あり、図3に示すように各CCD単体からブランキング
信号25,映像信号26,オプティカルブラック信号27が順
次繰り返して出力される。この信号をオプティカルブラ
ック信号(黒レベル)27を基準として信号処理すること
により、操作盤3のモニタ3a上に鮮明な撮影映像が映
し出される。The transfer order of charges is horizontal in FIG. 1, and as shown in FIG. 3, the blanking signal 25, the video signal 26, and the optical black signal 27 are sequentially and repeatedly output from each CCD alone. By performing signal processing on this signal with the optical black signal (black level) 27 as a reference, a clear photographed image is displayed on the monitor 3a of the operation panel 3.
【0033】本発明のCCD素子18においては、オプテ
ィカルブラック領域23を形成するための遮光膜24が非導
電性材料としているため、放射線環境下での長時間使用
により放射線積算線量が大となり、若しも絶縁層14が絶
縁劣化しても、これにより暗電流が増加することはな
い。In the CCD element 18 of the present invention, since the light-shielding film 24 for forming the optical black region 23 is made of a non-conductive material, the accumulated radiation dose becomes large due to long-term use in a radiation environment, and Even if insulation of the insulating layer 14 deteriorates, the dark current does not increase.
【0034】したがって、放射線を浴びることにより撮
影画像の暗化は生じないから、CCDカメラ11に採用す
れば、原子力プラント内における監視対象機器の点検を
支障なく行うことができる。Therefore, since the photographed image is not darkened by being exposed to the radiation, if the CCD camera 11 is used, the equipment to be monitored in the nuclear power plant can be inspected without any trouble.
【0035】また、上記一実施例では移動式監視装置に
ついて説明したが、他に固定式監視装置に使用しても同
様の作用、効果が得られる、なお、移動式監視装置の場
合には、通過断面積および重量の関係からCCDカメラ
11の遮蔽は困難であるが、固定式監視装置の場合には、
遮蔽を施すことによりさらに画像の暗化を防止すること
が容易に可能となる。Further, although the mobile type monitoring device has been described in the above-mentioned one embodiment, the same action and effect can be obtained even if it is used for the fixed type monitoring device. In the case of the mobile type monitoring device, CCD camera due to cross-sectional area and weight
Shielding 11 is difficult, but in the case of fixed monitoring equipment,
By providing the shielding, it becomes possible to easily prevent the image from being darkened.
【0036】[0036]
【発明の効果】以上本発明によれば、CCDカメラによ
る監視装置が放射線環境下の使用に際しても撮影画像に
暗化が発生せず、原子力プラントにおいて使用する監視
装置の信頼性が向上し、監視対象機器の点検を容易に実
施できる効果がある。As described above, according to the present invention, even when the monitoring device using the CCD camera is used in a radiation environment, the captured image is not darkened, the reliability of the monitoring device used in the nuclear power plant is improved, and the monitoring is performed. This has the effect of easily inspecting the target equipment.
【図1】本発明に係る一実施例のCCD素子の基本構造
で、(a)は平面図、(b)は(a)のb−b矢視断面
図。FIG. 1 is a basic structure of a CCD device according to an embodiment of the present invention, in which (a) is a plan view and (b) is a sectional view taken along the line bb of (a).
【図2】CCD単体の斜視図。FIG. 2 is a perspective view of a CCD alone.
【図3】映像信号の出力特性図。FIG. 3 is an output characteristic diagram of a video signal.
【図4】CCDカメラによる移動式監視装置の斜視図。FIG. 4 is a perspective view of a mobile monitoring device using a CCD camera.
【図5】CCD素子の温度による暗電流特性図。FIG. 5 is a dark current characteristic diagram according to the temperature of a CCD element.
【図6】CCD素子の放射線積算線量による暗電流特性
図。FIG. 6 is a dark current characteristic diagram of a CCD device according to a cumulative radiation dose.
【図7】CCD素子の暗電流差特性図。FIG. 7 is a dark current difference characteristic diagram of a CCD element.
1…軌道、2…視覚点検ロボット、3…操作盤、3a…
モニタ、4…ホストコンピュータ、5…信号伝送路、6
…信号伝送器、7…車体、8…駆動機構、9…ガイド車
輪、10…雲台、11…CCDカメラ、12…CCD単体、13
…p型半導体基板、14…絶縁層、15…電極、16…空乏
層、17…フォトダイオード、18…CCD素子、19…受像
部、20…掃き出しドレイン、21…水平CCD、22…垂直
CCD、23…オプティカルブラック領域、24…遮光膜、
25…ブランキング信号、26…映像信号、27…オプティカ
ルブラック信号。1 ... Orbit, 2 ... Visual inspection robot, 3 ... Control panel, 3a ...
Monitor, 4 ... Host computer, 5 ... Signal transmission path, 6
... signal transmitter, 7 ... vehicle body, 8 ... drive mechanism, 9 ... guide wheel, 10 ... pan, 11 ... CCD camera, 12 ... CCD single unit, 13
... p-type semiconductor substrate, 14 ... Insulating layer, 15 ... Electrode, 16 ... Depletion layer, 17 ... Photodiode, 18 ... CCD element, 19 ... Image receiving part, 20 ... Sweep drain, 21 ... Horizontal CCD, 22 ... Vertical CCD, 23 ... Optical black area, 24 ... Light-shielding film,
25 ... Blanking signal, 26 ... Video signal, 27 ... Optical black signal.
Claims (1)
上に配置された複数の電極およびフォトダイオードと、
映像信号の黒レベルを決めるオプティカルブラック領域
とするために前記電極の一部を遮光膜により遮光したC
CD素子において、前記遮光膜を非導電性材料としたこ
とを特徴とする暗化防止CCD素子。1. A plurality of electrodes and a photodiode arranged on an insulating layer formed on the surface of a p-type semiconductor substrate,
In order to form an optical black region that determines the black level of the video signal, a part of the electrode is shielded by a light shielding film C
In a CD element, an anti-darkening CCD element characterized in that the light shielding film is made of a non-conductive material.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5242997A JPH07106541A (en) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | Ccd element prevented from darkening |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5242997A JPH07106541A (en) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | Ccd element prevented from darkening |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07106541A true JPH07106541A (en) | 1995-04-21 |
Family
ID=17097360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5242997A Pending JPH07106541A (en) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | Ccd element prevented from darkening |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07106541A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006156545A (en) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Canon Inc | Photoelectric conversion device, multichip type image sensor, and contact type image sensor |
JP2008537774A (en) * | 2005-02-28 | 2008-09-25 | アドバンスト フューエル リサーチ、インク. | Apparatus and method for detecting radiation |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP5242997A patent/JPH07106541A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006156545A (en) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Canon Inc | Photoelectric conversion device, multichip type image sensor, and contact type image sensor |
JP2008537774A (en) * | 2005-02-28 | 2008-09-25 | アドバンスト フューエル リサーチ、インク. | Apparatus and method for detecting radiation |
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