JPH07105520B2 - 非晶質半導体太陽電池 - Google Patents
非晶質半導体太陽電池Info
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- JPH07105520B2 JPH07105520B2 JP2003193A JP319390A JPH07105520B2 JP H07105520 B2 JPH07105520 B2 JP H07105520B2 JP 2003193 A JP2003193 A JP 2003193A JP 319390 A JP319390 A JP 319390A JP H07105520 B2 JPH07105520 B2 JP H07105520B2
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はPIN構造を有する非晶質半導体太陽電池に関
し、特にバンドギャップを変化させたＩ層を備えた非晶
質半導体太陽電池に関するものである。
し、特にバンドギャップを変化させたＩ層を備えた非晶
質半導体太陽電池に関するものである。
非晶質半導体太陽電池の光電変換効率を向上させる為
に、非晶質シリコン（ａ−Si）よりもバンドギャップの
狭い非晶質シリコン・ゲルマニウム（ａ−SiGe）や、バ
ンドギャップの広い非晶質シリコン・カーボン（ａ−Si
C）などａ−Si系合金をＩ層に用いた太陽電池の研究が
進められている。
に、非晶質シリコン（ａ−Si）よりもバンドギャップの
狭い非晶質シリコン・ゲルマニウム（ａ−SiGe）や、バ
ンドギャップの広い非晶質シリコン・カーボン（ａ−Si
C）などａ−Si系合金をＩ層に用いた太陽電池の研究が
進められている。
この理由はａ−Siよりバンドギャップの狭い材料は、長
波長光に対する感度の向上に有効であり、他方ａ−Siよ
りバンドギャップの広い材料は、短波長光に対する電圧
因子損失の低減に有効であるからである。さらにこれら
の材料を用いた太陽電池を複数個積層した、積層型太陽
電池がこれらの材料の有効性を生かし、高効率化を達成
しうる太陽電池として開発が進められている。
波長光に対する感度の向上に有効であり、他方ａ−Siよ
りバンドギャップの広い材料は、短波長光に対する電圧
因子損失の低減に有効であるからである。さらにこれら
の材料を用いた太陽電池を複数個積層した、積層型太陽
電池がこれらの材料の有効性を生かし、高効率化を達成
しうる太陽電池として開発が進められている。
かつて、これらａ−si系合金材料をＩ層に用いた太陽電
池は、ａ−SiをＩ層に用いた太陽電池に比べ、低い変換
効率しか得られていなかったが、近年における研究によ
って、以下のような問題点が明らかとなり、それに対す
る改良がなされている。
池は、ａ−SiをＩ層に用いた太陽電池に比べ、低い変換
効率しか得られていなかったが、近年における研究によ
って、以下のような問題点が明らかとなり、それに対す
る改良がなされている。
まず第１にＩ層とＰ層との界面の問題である。例えばＩ
層としてバンドギャップの狭いａ−SiGeを用い、Ｐ層と
してａ−SiCを用いた場合、該界面においてバンドギャ
ップの不連続が生じ、これが界面での再結合を増加さ
せ、開放電圧（Voc）や曲線因子（F.F.）の低下の原因
となっていた。これに対し第７図で示したバンド構造図
のごとく該界面に界面層を導入し、そのバンドギャップ
に勾配をつけて、バンドギャップの不連続をなくすこと
によって、VocやF.F.が向上することが既に報告されて
いる。
層としてバンドギャップの狭いａ−SiGeを用い、Ｐ層と
してａ−SiCを用いた場合、該界面においてバンドギャ
ップの不連続が生じ、これが界面での再結合を増加さ
せ、開放電圧（Voc）や曲線因子（F.F.）の低下の原因
となっていた。これに対し第７図で示したバンド構造図
のごとく該界面に界面層を導入し、そのバンドギャップ
に勾配をつけて、バンドギャップの不連続をなくすこと
によって、VocやF.F.が向上することが既に報告されて
いる。
第２にａ−Si系合金の膜質がａ−Siに比べて劣ることで
ある。従ってこれらａ−Si系合金材料とＩ層の全域に用
いた太陽電池では、F.F.の低下が著しい。これに対し第
８図で示したバンド構造図のごとく、Ｉ層中で合金材料
の組成比を変化させ、バンドギャップを変化させること
によってＩ層の膜質を部分的に膜質の良好なａ−Siの膜
質に近づけ長波長光に対する高い感度や電圧因子損失の
低減などａ−Si系合金材料の特長を保ちつつ、F.F.を向
上させうることが最近報告された（特開昭64−7118
2）。またこの時Ｉ層のバンドギャップを連続的に変化
させ勾配をつけることによって電界が生じ、その電界が
キャリアの移動を促進する働きのあることが示されてい
る。
ある。従ってこれらａ−Si系合金材料とＩ層の全域に用
いた太陽電池では、F.F.の低下が著しい。これに対し第
８図で示したバンド構造図のごとく、Ｉ層中で合金材料
の組成比を変化させ、バンドギャップを変化させること
によってＩ層の膜質を部分的に膜質の良好なａ−Siの膜
質に近づけ長波長光に対する高い感度や電圧因子損失の
低減などａ−Si系合金材料の特長を保ちつつ、F.F.を向
上させうることが最近報告された（特開昭64−7118
2）。またこの時Ｉ層のバンドギャップを連続的に変化
させ勾配をつけることによって電界が生じ、その電界が
キャリアの移動を促進する働きのあることが示されてい
る。
以上のごとく、ａ−Si系合金材料を用いた太陽電池は近
年改良がなされているものの、その有効性を十分に生か
した高効率の太陽電池を得るには至っておらず、その特
性の改善が必要とされていた。
年改良がなされているものの、その有効性を十分に生か
した高効率の太陽電池を得るには至っておらず、その特
性の改善が必要とされていた。
従来のａ−Si系合金材料をＩ層に用いた太陽電池におい
ては、特にF.F.がａ−Si太陽電池のF.F.に比べて低く、
またVocもＩ層のバンドギャップから予想される値に比
べて低い値しか得られていなかった。これは光発生した
キャリアの分離と電極への収集が不十分であること、及
びＩ層とドープ層との界面におけるキャリアの再結合や
逆方向拡散が大きいことがその原因であると考えられ
る。
ては、特にF.F.がａ−Si太陽電池のF.F.に比べて低く、
またVocもＩ層のバンドギャップから予想される値に比
べて低い値しか得られていなかった。これは光発生した
キャリアの分離と電極への収集が不十分であること、及
びＩ層とドープ層との界面におけるキャリアの再結合や
逆方向拡散が大きいことがその原因であると考えられ
る。
本発明は上記の点に鑑みて創案されたものであり、Ｉ層
内におけるバンドギャップの変化に新たな改良を加える
ことによって、ａ−Si系合金材料の特長を生かし、光電
変換効率の向上を図った非晶質半導体太陽電池を提供す
ることを目的としている。
内におけるバンドギャップの変化に新たな改良を加える
ことによって、ａ−Si系合金材料の特長を生かし、光電
変換効率の向上を図った非晶質半導体太陽電池を提供す
ることを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕 上記の目的を達成するために本発明の非晶質半導体太陽
電池は、非晶質半導体膜からなり、光入射側から、ｐ型
不純物ドープ層、ｉ層、ｎ型不純物ドープ層の順のPIN
構造を有する非晶質半導体太陽電池において、前記ｐ型
不純物ドープ層の側端部と接する前記ｉ層のバンドギャ
ップは、前記ｐ型不純物ドープ層のバンドギャップより
広く不連続であり、前記ｐ型不純物ドープ層側から漸減
して、前記ｐ型不純物ドープ層及び前記ｎ型不純物ドー
プ層のバンドギャップよりも狭い領域を有することを特
徴とする。
電池は、非晶質半導体膜からなり、光入射側から、ｐ型
不純物ドープ層、ｉ層、ｎ型不純物ドープ層の順のPIN
構造を有する非晶質半導体太陽電池において、前記ｐ型
不純物ドープ層の側端部と接する前記ｉ層のバンドギャ
ップは、前記ｐ型不純物ドープ層のバンドギャップより
広く不連続であり、前記ｐ型不純物ドープ層側から漸減
して、前記ｐ型不純物ドープ層及び前記ｎ型不純物ドー
プ層のバンドギャップよりも狭い領域を有することを特
徴とする。
さらに、前記非晶質半導体太陽電池において、前記領域
と前記ｎ型不純物ドープ層との間の前記ｉ層のバンドギ
ャップは不連続に変化してなることを特徴とする。
と前記ｎ型不純物ドープ層との間の前記ｉ層のバンドギ
ャップは不連続に変化してなることを特徴とする。
上記のようにＩ層のＰ型不純物ドープ層端におけるバン
ドギャップを、該Ｐ型不純物ドープ層のバンドギャップ
よりも広くすることによって、キャリアの再結合と逆方
向拡散を低減することができ、F.F.とVocを大巾に向上
することができる。従来Ｉ層とＰ型不純物ドープ層との
間でバンドギャップを連続的につなぐことは、界面での
バンドギャップの不連続に起因する界面準位を介した再
結合を低減すること、及び導電帯あるいは価電子帯に存
在するキャリアの移動を、バンドギャップのバリアによ
って阻止されることのないように意図されたものであ
る。発明者はＩ層のバンドギャップをＰ型不純物ドープ
層端において、該Ｐ型不純物ドープ層のバンドギャップ
より大きくしても、界面準位を介した再結合は増加しな
いこと、実質的に拡散電位が拡大した効果によって、逆
方向拡散が抑制されることを見い出した。
ドギャップを、該Ｐ型不純物ドープ層のバンドギャップ
よりも広くすることによって、キャリアの再結合と逆方
向拡散を低減することができ、F.F.とVocを大巾に向上
することができる。従来Ｉ層とＰ型不純物ドープ層との
間でバンドギャップを連続的につなぐことは、界面での
バンドギャップの不連続に起因する界面準位を介した再
結合を低減すること、及び導電帯あるいは価電子帯に存
在するキャリアの移動を、バンドギャップのバリアによ
って阻止されることのないように意図されたものであ
る。発明者はＩ層のバンドギャップをＰ型不純物ドープ
層端において、該Ｐ型不純物ドープ層のバンドギャップ
より大きくしても、界面準位を介した再結合は増加しな
いこと、実質的に拡散電位が拡大した効果によって、逆
方向拡散が抑制されることを見い出した。
また、Ｉ層のバンドギャップの上記のような構造によっ
て、Ｉ層内におけるバンドギャップの差が大きくなり、
バンドギャップの勾配に起因する電界を強めることがで
きる。その結果光発生キャリアの分離と電極への移動
が、促進され、F.F.の向上が実現しうる。
て、Ｉ層内におけるバンドギャップの差が大きくなり、
バンドギャップの勾配に起因する電界を強めることがで
きる。その結果光発生キャリアの分離と電極への移動
が、促進され、F.F.の向上が実現しうる。
一方Ｉ層中において、バンドギャップが、該Ｉ層の両方
のバンドギャップよりも狭い領域を有することは、上記
のごとく、バンドギャップに勾配をつける作用のほか次
の作用がある。
のバンドギャップよりも狭い領域を有することは、上記
のごとく、バンドギャップに勾配をつける作用のほか次
の作用がある。
即ちＩ層にａ−SiC等ａ−Siよりバンドギャップの広い
材料を適用した場合には、バンドギャップを狭くしてａ
−Siの膜質に近づけることによって電圧因子損失を抑制
したまま、F.F.を向上させることが可能となる。
材料を適用した場合には、バンドギャップを狭くしてａ
−Siの膜質に近づけることによって電圧因子損失を抑制
したまま、F.F.を向上させることが可能となる。
またＩ層にａ−SiGe等ａ−Siよりバンドギャップの狭い
材料を適用した場合には、バンドギャップの狭い領域で
長波長光の吸収を有効に行うことができる。勿論Ｉ層中
でａ−SiCからａ−SiGeまで連続的にバンドギャップを
変化させることで、上記の２つの効果を組合わせること
も可能である。本発明は以上のような作用を太陽電池に
適用するものである。
材料を適用した場合には、バンドギャップの狭い領域で
長波長光の吸収を有効に行うことができる。勿論Ｉ層中
でａ−SiCからａ−SiGeまで連続的にバンドギャップを
変化させることで、上記の２つの効果を組合わせること
も可能である。本発明は以上のような作用を太陽電池に
適用するものである。
〔実施例〕 以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第１図は本発明の一実施例として非晶質半導体太陽電池
の構造を模式的に示す断面図である。第１図において、
１はステンレス基板である。このステンレス基板上にＮ
型ａ−Si層２を膜厚1000Å程度堆積し、その上に真性層
３として、組成を次第に変えた、Ｉ型ａ−SiGe層3a、Ｉ
型ａ−SiC層3bをあわせて3000Å程度堆積しさらにその
上にＰ型ａ−SiC層４を膜厚100Å程度堆積してPIN構造
を形成する。この上に透明導電膜５を厚厚600Å程度形
成し、最後にAlの集電極６を形成する。この時真性層３
の形成においては、まずN/I界面ではａ−Siを形成し次
第に膜中のGeの組成を増やし膜厚2200Åまで堆積し、次
いで膜中のGeの組成を減らし膜厚2600Åの時点でGeの組
成を０とし次いでカーボンの組成を０から次第に増やし
て膜厚3000Åまで形成するように構成している。このよ
うな元素の組成を変化させるには、真性層３をプラズマ
CVD法によって形成する際に、シランガス（SiH4）とゲ
ルマンガス（GeH4）およびSiH4とメタンガス（CH4）の
流量比を第２図のごとく変えて形成することによって実
現される。
の構造を模式的に示す断面図である。第１図において、
１はステンレス基板である。このステンレス基板上にＮ
型ａ−Si層２を膜厚1000Å程度堆積し、その上に真性層
３として、組成を次第に変えた、Ｉ型ａ−SiGe層3a、Ｉ
型ａ−SiC層3bをあわせて3000Å程度堆積しさらにその
上にＰ型ａ−SiC層４を膜厚100Å程度堆積してPIN構造
を形成する。この上に透明導電膜５を厚厚600Å程度形
成し、最後にAlの集電極６を形成する。この時真性層３
の形成においては、まずN/I界面ではａ−Siを形成し次
第に膜中のGeの組成を増やし膜厚2200Åまで堆積し、次
いで膜中のGeの組成を減らし膜厚2600Åの時点でGeの組
成を０とし次いでカーボンの組成を０から次第に増やし
て膜厚3000Åまで形成するように構成している。このよ
うな元素の組成を変化させるには、真性層３をプラズマ
CVD法によって形成する際に、シランガス（SiH4）とゲ
ルマンガス（GeH4）およびSiH4とメタンガス（CH4）の
流量比を第２図のごとく変えて形成することによって実
現される。
即ちN/I界面ではGeH4の流量は０であり、次第にGeH4の
流量を増やし膜厚2200Åの時点でGeH4/（SiH4＋GeH4）
＝15％として、次いでGeH4の流量を次第に減らし膜厚26
00Åの時点でSiH4のみとし、次いでCH4の流量を０から
次第に増やし膜厚3000Åの時点でCH4/（CH4＋SiH4）＝5
0％となるように形成する。ここでCH4/（CH4＋SiH4）＝
50％とした時のバンドギャップは2.1eVであり、Ｐ型ａ
−SiCのバンドギャップは1.9eVである。
流量を増やし膜厚2200Åの時点でGeH4/（SiH4＋GeH4）
＝15％として、次いでGeH4の流量を次第に減らし膜厚26
00Åの時点でSiH4のみとし、次いでCH4の流量を０から
次第に増やし膜厚3000Åの時点でCH4/（CH4＋SiH4）＝5
0％となるように形成する。ここでCH4/（CH4＋SiH4）＝
50％とした時のバンドギャップは2.1eVであり、Ｐ型ａ
−SiCのバンドギャップは1.9eVである。
このようにSiH4とGeH4あるいはSiH4とCH4の流量比を変
えることでＩ層のバンドギャップを第３図のごとく勾配
をつけて形成することが可能である。
えることでＩ層のバンドギャップを第３図のごとく勾配
をつけて形成することが可能である。
上記のように構成したａ−SiGe太陽電池と、従来の構造
を持つ太陽電池の電流−電圧特性を第４図に示してい
る。ここで従来の構造とは、実施例に示したＩ層作製時
におけるCH4ガスの流量変化をＰ層端でCH4/（CH4＋Si
H4）＝25％としてバンドギャップをＰ層と同じ1.9eVと
したものでありその時のバンド構造図は第８図のように
なっている。測定時の光源はAMIスペクトル100mW/cm2の
光を波長660nm以上の光だけ透過するようなフィルター
を通し、長波長の光により行った。第４図において破線
で示した曲線が従来のａ−SiGe太陽電池の電流−電圧特
性であり、実線で示した曲線が本発明の実施例によるａ
−SiGe太陽電池の電流−電圧特性である。またこれらの
特性を下表に示している。下表に示したように、開放電
圧と曲線因子が向上し、最大出力で約13％の向上が見ら
れる。このことは、Ｉ層のＰ層端におけるバンドギャッ
プをＰ層よりも広くすることで、キャリアの逆方向の拡
散と、再結合との低減ができていることを示している。
を持つ太陽電池の電流−電圧特性を第４図に示してい
る。ここで従来の構造とは、実施例に示したＩ層作製時
におけるCH4ガスの流量変化をＰ層端でCH4/（CH4＋Si
H4）＝25％としてバンドギャップをＰ層と同じ1.9eVと
したものでありその時のバンド構造図は第８図のように
なっている。測定時の光源はAMIスペクトル100mW/cm2の
光を波長660nm以上の光だけ透過するようなフィルター
を通し、長波長の光により行った。第４図において破線
で示した曲線が従来のａ−SiGe太陽電池の電流−電圧特
性であり、実線で示した曲線が本発明の実施例によるａ
−SiGe太陽電池の電流−電圧特性である。またこれらの
特性を下表に示している。下表に示したように、開放電
圧と曲線因子が向上し、最大出力で約13％の向上が見ら
れる。このことは、Ｉ層のＰ層端におけるバンドギャッ
プをＰ層よりも広くすることで、キャリアの逆方向の拡
散と、再結合との低減ができていることを示している。
次に本発明による他の実施例について述べる。非晶質太
陽電池の構造を示す断面図は第１図と同様であるが、Ｉ
層におけるGeの組成の変化法を変えたものである。Ｉ層
の形成の際におけるSiH4とGeH4の流量比及びSiH4とCH4
の流量比を第５図のごとく変えて形成したものである。
Ｉ層のN/I界面側の半分をａ−Siとし、P/I界面側では、
GeH4（GeH4/SiH4）＝7.5％から15％に増やし次いでGeH4
の流量比を次第に減らし膜厚2600Åの時点でSiH4のみと
して、次いでCH4の流量を０から次第に増やして膜厚300
0Åの時点でCH4/（CH4＋SiH4）＝50％となるように形成
する。この時のバンドギャップは第６図のごとくなって
いる。
陽電池の構造を示す断面図は第１図と同様であるが、Ｉ
層におけるGeの組成の変化法を変えたものである。Ｉ層
の形成の際におけるSiH4とGeH4の流量比及びSiH4とCH4
の流量比を第５図のごとく変えて形成したものである。
Ｉ層のN/I界面側の半分をａ−Siとし、P/I界面側では、
GeH4（GeH4/SiH4）＝7.5％から15％に増やし次いでGeH4
の流量比を次第に減らし膜厚2600Åの時点でSiH4のみと
して、次いでCH4の流量を０から次第に増やして膜厚300
0Åの時点でCH4/（CH4＋SiH4）＝50％となるように形成
する。この時のバンドギャップは第６図のごとくなって
いる。
上記のように構成したａ−SiGe太陽電池の電流−電圧特
性を第４図中の一点鎖線で示す。また、その特性を下表
に示す。下表に示したように本実施例においては、従来
と比較して短絡電流は減少するものの、開放電圧と曲線
因子が向上し、最大出力で約８％の向上が見られる。こ
のように、Ｉ層中において、そのバンドギャップがステ
ップ状に変化しても特性は大きく低下することはなく、
むしろ特性の良いａ−Si膜を用いることで開放電圧と曲
線因子が向上することがわかった。
性を第４図中の一点鎖線で示す。また、その特性を下表
に示す。下表に示したように本実施例においては、従来
と比較して短絡電流は減少するものの、開放電圧と曲線
因子が向上し、最大出力で約８％の向上が見られる。こ
のように、Ｉ層中において、そのバンドギャップがステ
ップ状に変化しても特性は大きく低下することはなく、
むしろ特性の良いａ−Si膜を用いることで開放電圧と曲
線因子が向上することがわかった。
〔発明の効果〕 以上のように本発明によれば、Ｉ層とＰ型不純物ドープ
層との界面において該Ｉ層のバンドギャップを該Ｐ型不
純物ドープ層のバンドギャップよりも広くしかつＩ層中
でバンドギャップの変化させることによって高効率の太
陽電池を得ることができる。
層との界面において該Ｉ層のバンドギャップを該Ｐ型不
純物ドープ層のバンドギャップよりも広くしかつＩ層中
でバンドギャップの変化させることによって高効率の太
陽電池を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例としてのａ−SiGe太陽電池の
構造を模式的に示す断面図、第２図は本発明による一実
施例におけるＩ層の作製時におけるGeH4/（SiH4＋Ge
H4）及びCH4/（CH4＋SiH4）の時間的変化図、第３図は
該実施例により作製された太陽電池のバンド構造図、第
４図は本発明によるａ−SiGe太陽電池の電流−電圧特性
の１例を示す図、第５図は本発明による他の実施例にお
けるGeH4/（SiH4＋GeH4）及びCH4/（SiH4＋CH4）の時間
的変化図、第６図は該実施例により作製された太陽電池
のバンド構造図、第７図，第８図は実施例において比較
を行った従来の構造を持つ太陽電池のバンド構造図であ
る。 １……ステンレス基板、２……Ｎ型ａ−Si層、３……真
性層、3a……Ｉ型ａ−SiGe層、3b……Ｉ型ａ−SiC層、
４……Ｐ型ａ−SiC層、５……透明導電膜層、６……Al
集電極
構造を模式的に示す断面図、第２図は本発明による一実
施例におけるＩ層の作製時におけるGeH4/（SiH4＋Ge
H4）及びCH4/（CH4＋SiH4）の時間的変化図、第３図は
該実施例により作製された太陽電池のバンド構造図、第
４図は本発明によるａ−SiGe太陽電池の電流−電圧特性
の１例を示す図、第５図は本発明による他の実施例にお
けるGeH4/（SiH4＋GeH4）及びCH4/（SiH4＋CH4）の時間
的変化図、第６図は該実施例により作製された太陽電池
のバンド構造図、第７図，第８図は実施例において比較
を行った従来の構造を持つ太陽電池のバンド構造図であ
る。 １……ステンレス基板、２……Ｎ型ａ−Si層、３……真
性層、3a……Ｉ型ａ−SiGe層、3b……Ｉ型ａ−SiC層、
４……Ｐ型ａ−SiC層、５……透明導電膜層、６……Al
集電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 康美 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 三宮 仁 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 伊藤 学 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−55077（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−199466（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−71182（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−258975（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】非晶質半導体膜からなり、光入射側から、
ｐ型不純物ドープ層、ｉ層、ｎ型不純物ドープ層の順の
PIN構造を有する非晶質半導体太陽電池において、 前記ｐ型不純物ドープ層の側端部と接する前記ｉ層のバ
ンドギャップは、前記ｐ型不純物ドープ層のバンドギャ
ップより広く不連続であり、前記ｐ型不純物ドープ層側
から漸減して、前記ｐ型不純物ドープ層及び前記ｎ型不
純物ドープ層のバンドギャップよりも狭い領域を有する
ことを特徴とする非晶質半導体太陽電池。 - 【請求項２】前記領域と前記ｎ型不純物ドープ層との間
の前記ｉ層のバンドギャップは不連続に変化してなるこ
とを特徴とする請求項第１項記載の非晶質半導体太陽電
池。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003193A JPH07105520B2 (ja) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | 非晶質半導体太陽電池 |
| US07/638,571 US5104455A (en) | 1990-01-09 | 1991-01-07 | Amorphous semiconductor solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003193A JPH07105520B2 (ja) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | 非晶質半導体太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03208376A JPH03208376A (ja) | 1991-09-11 |
| JPH07105520B2 true JPH07105520B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=11550575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003193A Expired - Fee Related JPH07105520B2 (ja) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | 非晶質半導体太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105520B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008004813A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Sharp Corp | シリコン系薄膜光電変換素子の製造方法、製造装置およびシリコン系薄膜光電変換素子 |
-
1990
- 1990-01-09 JP JP2003193A patent/JPH07105520B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03208376A (ja) | 1991-09-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |