[go: up one dir, main page]

JPH0697212A - ダイボンディング装置および前記装置を使用した半導体装置の製造方法 - Google Patents

ダイボンディング装置および前記装置を使用した半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH0697212A
JPH0697212A JP24451592A JP24451592A JPH0697212A JP H0697212 A JPH0697212 A JP H0697212A JP 24451592 A JP24451592 A JP 24451592A JP 24451592 A JP24451592 A JP 24451592A JP H0697212 A JPH0697212 A JP H0697212A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cap
pellets
tape
die bonding
die
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24451592A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Iwasa
賢二 岩佐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP24451592A priority Critical patent/JPH0697212A/ja
Publication of JPH0697212A publication Critical patent/JPH0697212A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H01L2221/68322Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support

Landscapes

  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体ペレットを所望の位置にダイボンディン
グするダイボンディング装置において、半導体ペレット
が貼付られたテープからのペレットの分離を容易にしダ
イボンディング装置の作業性の向上を図る。 【構成】半導体ペレットを所望の位置にダイボンディン
グする装置において、各々切断された状態でテープ上に
貼付された半導体ペレットを有するリングを保持する装
置と、前記リング下に位置しその上部が張板で形成され
空気の入排出により凹凸状に変形するように形成された
キャップと、前記キャップ内に配置されたニードルと、
前記キャップ内の空気を入排出する装置と、前記半導体
ペレットを認識する装置と前記ペレットを保持しダイボ
ンディングステージに搬送後ダイボンディングを行うコ
レットアームを有するものである。 【効果】テープに貼付られたペレットを確実に分離する
ことが可能となり、さらにダイボンデイング作業を行う
ペレットの認識が確実にできるため、ダイボンディング
装置の作業性が大幅に向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本願発明は半導体装置の製造に係
り、特にリードフレームあるいはセラミック上のボンデ
ィング位置にペレットをボンディングする装置のペレッ
ト供給部分の装置に適用して有効な技術に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造におけるダイボンデイ
ング工程は、一般にリング状の治具にテープを貼り付
け、さらに前記リング内に半導体ウエハを貼付た後ダイ
シングにより前記半導体ウエハのペレットを各々切断
し、その後ダイボンディング毎に各ペレットを認識装置
にて認識し外観検査およびペレットの位置認識を行な
う。このために、前記テープ下面からニードルにより突
き上げ、その突き上げた半導体ペレットをコレットアー
ムにより保持し所望の位置にダイボンディングを行うの
が一般的である。このようなダイボンディング装置の突
き上げ部を示したものとして特開平3−22458号が
ある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記した手段に
おいてはダイボンディング対象となるペレットの認識は
平面上であり、テープ上で近接してペレットが位置して
いるため、ペレット認識において誤認識を起こすという
課題があった。またテープ上でニードルによるペレット
の突き上げを行うとテープとペレットが分離せず不良を
発生するという課題が発生した。
【0004】本願発明の目的は上記したような問題を発
生し、ダイボンディングにおけるペレットの認識および
分離の容易なダイボンディング装置を提供することにあ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものものを示せば下記のとおりであ
る。
【0006】すなわち各々切断された状態でテープ上に
貼付された半導体ペレットを有するリングを保持する装
置と、前記リング下に位置しその上部が張板で空気の入
排出により凹凸状に変形するように形成されたキャップ
と、前記キャップ内に配置されたニードルと、前記キャ
ップ内の空気を入排出する機構と、前記半導体ペレット
を認識する装置と前記ペレットを保持しダイボンディン
グステージに搬送後ダイボンディングを行うコレットア
ームを有するダイボンデイング装置であり、また、各々
切断された状態でテープ上に貼付された半導体ペレット
を用意する工程と、前記テープ下に突き上げキャップを
接触させ、その後突き上げキャップ内に空気を送りこ
み、キャップ先端部に形成された張板を凸状に変形させ
ペレットを押し上げる工程と、前記押し上げられたペレ
ットを認識する工程と、前記キャップ内の空気を排気し
前記張板を凹状に変形させる工程と、前記キャップ内に
配置されたニードルによりペレットを完全にテープから
分離させる工程と、前記分離したペレットをコレットで
吸着しダイボンデイング位置に搬送しダイボンデイング
を行うダイボンデイング方法である。
【0007】
【作用】上記した手段によればニードルが内部に配置さ
れたキャップの先端部に張板を形成し、キャップ部分を
空気の入排出を制御することによりペレットの位置を他
のペレットの位置と変化させることが可能となるため認
識精度が大幅に向上するとともにペレットの周囲がテー
プと分離し、またキャップ内部の空気を排気することに
よって張板をテープから分離した状態で、ニードルによ
り分離することが可能となるためテープからペレットを
分離する際の不良が大幅に低減するという効果が得られ
る。
【0008】
【実施例】図1は本願発明のダイボンディング装置の概
略図、図2乃至図3は本願発明のダイボンディング装置
の実施例の要部である突き上げキャップの作動を示した
一部断面側面図である。
【0009】図1に示したように本願発明の実施例であ
るダイボンディング装置は、ペレット供給部A、位置決
めポケット部B、前記ペレットを所望の部材に取り付け
るボンディングステージCおよび前記製造部間でペレッ
トを搬送し、ダイボンディングを行うコレットアームか
らなる。
【0010】ペレット供給部Aは半導体ペレット8がテ
ープ9にて保持され貼付られたリング状の治具6と前記
リング6下に位置し、内部にニードル4を有する突き上
げキャップ1とからなっている。そして前記リング6は
図示しないX−Yテーブル上に配置されている。
【0011】前記突き上げキャップ1はその先端に取り
付けられ、ステンレス等で形成された変形可能な張板2
と前記キャップ1内に取り付けられたニードルホルダ3
および前記ホルダに取付けられたニードル4からなる。
前記キャップ1には空気を入排出するための穴5が形成
されさらにエア入排出パイプ14が取り付けられる構成
と成っている。
【0012】ペレット供給部Aの上方にはコレットアー
ム7が備え付けられ、テープ9上面に配置されたペレッ
ト8を真空吸着し、タブ等のダイボンディング部に搬送
し取付ける構成となっている。また認識装置13もリン
グ上方に配置されている。
【0013】位置決めポケット部10はダイボンディン
グを行うために正規な位置とするために設けられてい
る。ポケットはその周囲が斜面状に形成され、ペレット
8がポケット内に位置しやすいように形成されている。
【0014】ボンデイングステージ部Cはリードフレー
ム11がヒートブロック12等の上面に配置されペレッ
ト8を取付ける構成となっている。
【0015】次に本実施例の製造工程について説明す
る。
【0016】まずペレット供給部Aにおいて、リング6
に保持されたテープ9上に貼付されダイシング工程によ
って各々フルカットあるいはハーフカット状態に切断さ
れた半導体ペレット8を用意し、図示しないローダから
リング6をペレット供給部Aに搬送する。
【0017】次に、前記リング6下に位置しその上部が
ステンレス等からなる張板2で形成され空気の入排出に
より凹凸状に変形するように形成されたキャップ1と、
前記キャップ内に配置されニードルホルダ3に取り付け
られたニードル4と、前記キャップ1内の空気を入排出
する機構とを有する突き上げキャップ1にキャップと前
記テープを接触させた後、パイプ14を通してエアを封
入する。このエア封入によってステンレス等から成る張
板2を凸状に変形させる(図2参照)。この時、前記突
き上げられ他のペレットより上に位置されたペレット8
をペレット上部に配置された認識装置13により認識し
外観検査およびペレット8の位置方向を確認する。この
後ペレット8の位置方向が正規でないものについては図
示しないX−Yテーブルを動かし正規の位置方向とす
る。
【0018】次に前記エア穴5よりキャップ1内のエア
を排出し、前記張板2を凹状に変形させる。この時前工
程にてペレット8周囲は一度テープ9から離れているの
で、ペレットはテープ9から分離しやすくなっている
(図3参照)。
【0019】次に前記ニードル4を突き上げ前記張板2
に形成された穴15よりペレット8を突き上げ完全にテ
ープ9より剥離させる。
【0020】次に前記突き上げられたペレット8を図示
しないコレットアームに取付けられたコレット7により
保持し、位置決めステージ10に搬送し位置決めステー
ジに配置する。搬送されたペレット8は位置決めステー
ジ10によってダイボンディング時の方向に位置合わせ
される。
【0021】この後さらにコレット7によって再度ペレ
ットが吸着保持され、ダイボンデイングを行うヒートブ
ロック等のボンディングステージ12に搬送し、ダイボ
ンディングステージ上のリードフレームのタブ等のダイ
ボンディング部にペレットを固着させる。以下一般的な
方法を用いて封止以下の工程を行う。
【0022】以上本願発明を本願の背景と成った技術に
基ずいて説明したが、本願は上記実施例に限定されるこ
となく種々変更可能であることはいうまでもない。すな
わち上記張板はステンレスを使用したが、張板であれば
他のものを使用しても構わない。またダイボンディング
を行うリードフレームはタブレスタイプのものでも構わ
ないしセラミックベースを使用するものでもかまわな
い。また中間位置決めステージを使用しないダイレクト
ピックアップ方式を使用するものに適用しても良い。
【0023】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものの効果を記載すれば下記のとおりである。
【0024】すなわちダイボンディング装置において、
テープに貼付られたペレットを確実に分離することが可
能となり、さらにダイボンデイング作業を行うペレット
の認識が確実にできるため、ダイボンディング装置の作
業性が大幅に向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】突き上げキャップを使用したダイボンディング
装置を示した概略図。
【図2】本願発明のダイボンディング装置の実施例の要
部である突き上げキャップ示した一部断面側面図。
【図3】本願発明のダイボンディング装置の実施例の要
部である突き上げキャップ示した一部断面側面図。
【符号の説明】
1..突き上げキャップ、2..ステンレス板、3..
ニードル台、4..ニードル、5..エア穴、6..リ
ング、7..コレット、8..ペレット、9..テー
プ、10..位置決めステージ、11..リードフレー
ム、12..ヒートブロック、13..認識装置、1
4..パイプ、15..穴

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】各々切断された状態でテープ上に貼付され
    た半導体ペレットを有するリングと、前記リング下に位
    置し、その上部が張板で形成され空気の入排出により凹
    凸状に変形するように形成された突き上げキャップと、
    前記キャップ内に配置されたニードルと、前記キャップ
    内の空気を入排出する機構と、前記半導体ペレットを認
    識する装置と前記ペレットを保持しダイボンディングス
    テージに搬送後ダイボンディングを行うコレットアーム
    を有することを特徴とするダイボンデイング装置。
  2. 【請求項2】各々切断された状態でテープ上に貼付され
    た半導体ペレットを前記テープより前記ペレットを分離
    し、所望の位置にダイボンディングを行うダイボンディ
    ング装置において、各々切断された状態でテープ上に貼
    付された半導体ペレットを用意する工程と、前記テープ
    下に突き上げキャップを接触させ、その後突き上げキャ
    ップ内に空気を送りこみ、キャップ先端部に形成された
    張板を凸状に変形させペレットを押し上げる工程と、前
    記押し上げられたペレットを認識する工程と、前記キャ
    ップ内の空気を排気し前記張板を凹状に変形させる工程
    と、前記キャップ内に配置されたニードルによりペレッ
    トを完全にテープから分離させる工程と、前記分離した
    ペレットをコレットで吸着しダイボンデイング位置に搬
    送しダイボンデイングを行うことを特徴とするダイボン
    デイング方法。
JP24451592A 1992-09-14 1992-09-14 ダイボンディング装置および前記装置を使用した半導体装置の製造方法 Pending JPH0697212A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24451592A JPH0697212A (ja) 1992-09-14 1992-09-14 ダイボンディング装置および前記装置を使用した半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24451592A JPH0697212A (ja) 1992-09-14 1992-09-14 ダイボンディング装置および前記装置を使用した半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0697212A true JPH0697212A (ja) 1994-04-08

Family

ID=17119830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24451592A Pending JPH0697212A (ja) 1992-09-14 1992-09-14 ダイボンディング装置および前記装置を使用した半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0697212A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007043654A1 (ja) * 2005-10-14 2007-04-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法ならびにチップ剥離装置およびチップ剥離方法
DE102007046431A1 (de) * 2007-09-28 2008-11-13 Siemens Ag Ablösen mehrere Bauelemente mittels einer gezielten Krümmung einer Bauelement-Trägerfolie
JP2011228473A (ja) * 2010-04-20 2011-11-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の製造方法および半導体製造装置
US20120312482A1 (en) * 2008-03-26 2012-12-13 Fujitsu Semiconductor Limited Method and apparatus for peeling electronic component
JP2013067411A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Lintec Corp シート貼付装置及びシート貼付方法
KR20140051508A (ko) * 2012-10-22 2014-05-02 (주)제이티 소자제거모듈 및 그를 가지는 소자제거장치
US20150214088A1 (en) * 2010-08-31 2015-07-30 Tokyo Electron Limited Pickup method and pickup device
JP2015142135A (ja) * 2014-01-29 2015-08-03 セメス株式会社Semes Co., Ltd. ダイエジェクティング装置
JP2018120983A (ja) * 2017-01-26 2018-08-02 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101218662B1 (ko) * 2005-10-14 2013-01-18 파나소닉 주식회사 칩 픽업 장치, 칩 픽업 방법, 칩 박리 장치 및 칩 박리방법
JP2007109936A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法ならびにチップ剥離装置およびチップ剥離方法
WO2007043654A1 (ja) * 2005-10-14 2007-04-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法ならびにチップ剥離装置およびチップ剥離方法
US8192578B2 (en) 2005-10-14 2012-06-05 Panasonic Corporation Chip pickup apparatus, chip pickup method, chip releasing device and chip releasing method
DE102007046431A1 (de) * 2007-09-28 2008-11-13 Siemens Ag Ablösen mehrere Bauelemente mittels einer gezielten Krümmung einer Bauelement-Trägerfolie
US8828186B2 (en) 2008-03-26 2014-09-09 Fujitsu Semiconductor Limited Method and apparatus for peeling electronic component
US20120312482A1 (en) * 2008-03-26 2012-12-13 Fujitsu Semiconductor Limited Method and apparatus for peeling electronic component
US8991464B2 (en) * 2008-03-26 2015-03-31 Fujitsu Semiconductor Limited Method and apparatus for peeling electronic component
JP2011228473A (ja) * 2010-04-20 2011-11-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の製造方法および半導体製造装置
US20150214088A1 (en) * 2010-08-31 2015-07-30 Tokyo Electron Limited Pickup method and pickup device
JP2013067411A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Lintec Corp シート貼付装置及びシート貼付方法
KR20140051508A (ko) * 2012-10-22 2014-05-02 (주)제이티 소자제거모듈 및 그를 가지는 소자제거장치
JP2015142135A (ja) * 2014-01-29 2015-08-03 セメス株式会社Semes Co., Ltd. ダイエジェクティング装置
JP2018120983A (ja) * 2017-01-26 2018-08-02 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4990051A (en) Pre-peel die ejector apparatus
US7284941B2 (en) Method and apparatus for picking up a semiconductor chip, method and apparatus for removing a semiconductor chip from a dicing tape, and a method of forming a perforated dicing tape
US7886798B2 (en) Expanding method and expanding device
US7887665B2 (en) Expanding method and expanding device
US4850780A (en) Pre-peel die ejector apparatus
US3747198A (en) Tailless wedge bonding of gold wire to palladium-silver cermets
US6759274B2 (en) Semiconductor chip pick-up method
JPH09167779A (ja) 半導体製造装置
JPH0697212A (ja) ダイボンディング装置および前記装置を使用した半導体装置の製造方法
JPH10189690A (ja) 半導体チップのピックアップ方法及びピックアップ装置
US6620028B2 (en) Apparatus for cutting a wafer
JPH09181150A (ja) 半導体チップのピックアップ装置及びこれを用いたピックアップ方法
JP2002353296A (ja) ウェハの保護テープ剥離装置およびウェハのマウント装置
JP2000091403A (ja) ダイピックアップ方法およびそれを用いた半導体製造装置ならびに半導体装置の製造方法
JPH08203962A (ja) チップ位置決め装置、チップステージおよびインナリードボンディング装置ならびに方法
JPH08293538A (ja) ピックアップ方法および装置
JPH05211184A (ja) ダイボンディング装置
JPH1092907A (ja) 半導体チップのピックアップユニット及びそのピックア ップ方法
JPH0661347A (ja) チップ剥離の方法及び装置
JPH0917840A (ja) 半導体チップの分離装置およびその分離方法
JP2003086612A (ja) ダイボンディング方法
JPH06232133A (ja) バンプ形成装置
JPH06232132A (ja) バンプ形成装置
KR200156152Y1 (ko) 웨이퍼 척킹장치
JP2006237504A (ja) 半導体チップ剥離装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法