JPH0688229A - Electric control for rotation of magnetic zone of spattering target in double cylindrical magnetron - Google Patents
Electric control for rotation of magnetic zone of spattering target in double cylindrical magnetronInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は回転円筒スパッタリング
ターゲットを用いるタイプのマグネトロンに関し、特
に、係るスパッタリングターゲット内の磁石による磁場
の制御に付いての技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetron of a type using a rotating cylindrical sputtering target, and more particularly to a technique for controlling a magnetic field by a magnet in such a sputtering target.
【0002】[0002]
【従来の技術】円筒マグネトロンは基板へのフィルム蒸
着に広く使用され始めている。実例としては、太陽エネ
ルギーの一部をろ過して取り除き、ガラスを通過しない
ようにする目的で、ガラス基板表面上に絶縁と金属の積
層を蒸着形成する例がある。係る基板は、外部表面にス
パッタリング材料を含む、少なくとも一つ、通常二つの
回転円筒ターゲットを有している真空室へ、配置され
る。通常、不活性ガスおよび反応ガスの両方が、真空室
へ封入される。真空室密閉箱かあるいは分離した陽極を
基準として、スパッタリングターゲットの供給電圧によ
りプラズマが発生し、このプラズマはターゲット内に設
けられた固定磁石によりターゲットのスパッタリングゾ
ーンにそった部分に制限される。ターゲットをプラズマ
の電子およびイオンで照射し、ターゲットが固定スパッ
タリングゾーンを通過するとき、ターゲットの表面よ
り、材料がスパッタリングにより放出され、基板に付着
させられる。Cylindrical magnetrons have begun to be widely used for film deposition on substrates. An example is the deposition of a stack of insulation and metal on the surface of a glass substrate for the purpose of filtering out some of the solar energy and preventing it from passing through the glass. Such a substrate is placed in a vacuum chamber having at least one, and usually two, rotating cylindrical targets containing a sputtering material on the outer surface. Usually, both the inert gas and the reaction gas are enclosed in the vacuum chamber. Plasma is generated by the supply voltage of the sputtering target with the vacuum chamber closed box or the separated anode as a reference, and the plasma is limited to a portion along the sputtering zone of the target by a fixed magnet provided in the target. When the target is irradiated with plasma electrons and ions and the target passes through the fixed sputtering zone, the material is sputtered from the surface of the target and deposited on the substrate.
【0003】磁石は通常、永久磁石であり、回転円筒タ
ーゲット内で一直線上に配置され、ターゲットの回転に
対して固定される。スパッタリングゾーンは円筒スパッ
タリングターゲットの実質的に全長に沿って配置された
磁石により形成され、またターゲットの円周の狭い一部
分(円弧)でもって広がっている。通例、磁石はスパッ
タリングゾーンが円筒ターゲットの底部に位置し、その
すぐ下でコーティングされる基板の方を向いている。The magnets are usually permanent magnets, which are aligned in a rotating cylindrical target and are fixed with respect to the rotation of the target. The sputtering zone is formed by magnets located substantially along the entire length of the cylindrical sputtering target, and extends with a narrow portion (arc) of the circumference of the target. Typically, the magnet will have the sputtering zone located at the bottom of the cylindrical target and facing directly below it the substrate to be coated.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】最近になって、種々の
理由により、底部位置よりスパッタリング表面に沿って
円周方向にスパッタリングゾーンをある程度の距離移動
させることができるようにすることが望ましいと理解さ
れるようになった。係るスパッタリングゾーンの再配置
は材料がターゲットよりスパッタリングにより放出され
る角度を調節する。そのような調節機構を用いている二
重円筒マグネトロンシステムの一利用の例は、1990
年7月6日に出願された同時継続中の特許出願、出願番
号549,392に説明されている。スパッタリングゾー
ンの位置は、永久磁石がその内部に固定されているター
ゲットの回転軸を中心にして、永久磁石をある角度の範
囲で回転させて動かしている。これらの回転動作は円筒
ターゲット構造を取り外すかまたは手動によって実行さ
れていて、そのどちらも単調で時間がかかる。It has recently been appreciated that for various reasons it is desirable to be able to move the sputtering zone some distance in the circumferential direction from the bottom position along the sputtering surface. Came to be. Such repositioning of the sputtering zone controls the angle at which the material is ejected from the target by sputtering. An example of one use of a dual cylindrical magnetron system using such an adjustment mechanism is 1990.
It is described in co-pending patent application, application number 549,392, filed July 6, 2012. The position of the sputtering zone is moved by rotating the permanent magnet within a certain angle range around the rotation axis of the target in which the permanent magnet is fixed. These rotational movements have been performed either by removing the cylindrical target structure or manually, both of which are tedious and time consuming.
【0005】本発明の主たる目的は、円筒ターゲット内
のスパッタリングゾーン画定磁石の位置制御の改良機構
および改良技術を提供することにある。It is a primary object of the present invention to provide improved mechanisms and techniques for controlling the position of sputtering zone defining magnets within a cylindrical target.
【0006】[0006]
【問題を解決するための手段】本発明により前記目的お
よびその他の目的が達成される。本発明によれば、簡単
に、総括的にいえば、円筒ターゲット内に配置され、そ
の長さに沿って向けられた磁石のラインが、外部モータ
ーソース、例えば電気ステップモーター、に応答して、
ターゲット内で円周方向に可動可能なように回転的に支
持される。そのような磁石回転を達成するためには、タ
ーゲット内での冷却管への固定は冷却管を回転可能にす
ることによって実現できる。永久磁石を回転するための
モーターは冷却管を回転するように作動的に連結されて
いて、この目的のために、冷却管は回転ターゲットより
十分に長く外側へ延びている。モーターソースは中央ス
パッタリングシステムにより制御され、必要なときはい
つでも容易に自動的に磁石が再配置できるようになって
いる。The above and other objects are achieved by the present invention. According to the invention, briefly, generally speaking, a line of magnets arranged in a cylindrical target and oriented along its length is responsive to an external motor source, for example an electric step motor,
It is rotatably supported in the target so as to be movable in the circumferential direction. In order to achieve such magnet rotation, the fixing to the cooling tube in the target can be realized by making the cooling tube rotatable. A motor for rotating the permanent magnets is operatively connected to rotate the cooling tube, for which purpose the cooling tube extends sufficiently far beyond the rotating target. The motor source is controlled by a central sputtering system, allowing easy and automatic magnet repositioning whenever needed.
【0007】本発明の他の目的、特徴、利点は、好適な
実施例および添付図面により明らかになろう。Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the preferred embodiments and the accompanying drawings.
【0008】[0008]
【実施例】本発明の好適な実施例の詳細な説明の前に、
本発明を用いたマグネトロンシステムの全体を図1を参
照して総合的に説明する。点線の枠で示される箱11
は、スパッタリングが実行される真空室の金属壁であ
る。その室内に、長さ方向の軸を中心として回転可能な
ようにフレーム11で固定されている二つの回転スパッ
タリング円筒ターゲット構造体13および15が配置さ
れている。ターゲット構造体13および15は通常、お
互いにその軸が平行なように固定されているが、これは
必要な条件ではない。さらに、図1には二重ターゲット
構造体が示されているが、多くの利用分野では単に一つ
のターゲットのみ必要であり、三つ以上のターゲットを
用いることによって利点が得られる、その他の利用分野
もある。大抵の利用分野では二つの構造体13および1
5を使用するのが一般的である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Prior to a detailed description of the preferred embodiment of the present invention,
The entire magnetron system using the present invention will be comprehensively described with reference to FIG. Box 11 indicated by a dotted frame
Is the metal wall of the vacuum chamber in which sputtering is performed. Inside that chamber are arranged two rotating sputtering cylindrical target structures 13 and 15 which are fixed on a frame 11 so as to be rotatable about their longitudinal axes. The target structures 13 and 15 are usually fixed so that their axes are parallel to each other, but this is not a necessary condition. Further, while FIG. 1 shows a dual target structure, many applications require only one target and other applications where the benefits of using more than two targets can be obtained. There is also. In most applications two structures 13 and 1
It is common to use 5.
【0009】図1はマグネトロンが支持構造体19によ
り保持されている基板17を有することを示している。
支持構造体19は、基板17が連続的に真空室中を通過
するように、ローラーでもよい。真空室は、適当なポン
プシステム21を用いて、真空化される。真空室を横断
して配置されている穿孔管25のような適当な供給シス
テムにより、一つかそれ以上のガスがガス源23により
真空室へ供給される。用いられるガスは基板17に蒸着
される必要のあるフィルムに主として依存して決まって
くる。FIG. 1 shows that the magnetron has a substrate 17 carried by a support structure 19.
The support structure 19 may be a roller so that the substrate 17 continuously passes through the vacuum chamber. The vacuum chamber is evacuated using a suitable pump system 21. One or more gases are supplied to the vacuum chamber by the gas source 23 by a suitable supply system such as a perforated tube 25 located across the vacuum chamber. The gas used depends primarily on the film that needs to be deposited on the substrate 17.
【0010】ターゲット構造体13および15の部分と
して、それぞれ配置されるスパッタリング材よりなる円
筒部品27および29は、一般的には同一材料でも良い
が、基板17上に蒸着されるフィルムの性質によっては
異なった材料でも良い。真空室の外部に配置されている
電気モータ源31は、歯形ベルト33ならびにスピンド
ル39および41にそれぞれ固定されているプーリ35
および37を回転させて、ターゲットアセンブリを駆動
している。スパッタリング材27および29はそれぞれ
スピンドル39および41に固定されて、一緒に回転す
るようになっている。The cylindrical parts 27 and 29 of sputtering material, which are respectively arranged as parts of the target structures 13 and 15, may generally be the same material, but depending on the nature of the film deposited on the substrate 17. Different materials may be used. An electric motor source 31 arranged outside the vacuum chamber comprises a pulley 35 fixed to a toothed belt 33 and spindles 39 and 41, respectively.
And 37 are rotated to drive the target assembly. Sputtering materials 27 and 29 are fixed to spindles 39 and 41, respectively, for rotation therewith.
【0011】電源40より、通常、アースの電位に接続
されている真空室金属フレーム11かまたはその他の陽
極を基準として負の電圧を、スパッタリング表面に供給
し、真空室内にプラズマを形成している。対応する磁石
(図1には示されていない)の配置によって制御される
円筒スパッタリングターゲット27および29のスパッ
タリングゾーンに隣接して、プラズマは形成される。こ
れら磁石は、その対応するスパッタリングターゲット2
7および29の長さに沿って配置され、小さな円周距
離、即ち小さな円弧距離を有すような構造となってい
る。これら磁石は対応する冷却管43および45へ固定
して、スパッタリングターゲット27お29内に最も都
合の良いように配置される。これら冷却管は、対応する
円筒スパッタリングターゲット27および29の回転と
は独立して回転するように、それぞれのターゲットアセ
ンブリの部分を構成している。From the power source 40, a negative voltage is supplied to the sputtering surface with reference to the vacuum chamber metal frame 11 or another anode, which is usually connected to the ground potential, to form plasma in the vacuum chamber. . A plasma is formed adjacent to the sputtering zones of cylindrical sputtering targets 27 and 29 controlled by the placement of corresponding magnets (not shown in FIG. 1). These magnets have their corresponding sputtering targets 2
It is arranged along the length of 7 and 29 and has a small circumferential distance, ie a small arc distance. These magnets are fixed to the corresponding cooling tubes 43 and 45 and are most conveniently arranged in the sputtering targets 27 and 29. These cooling tubes form part of the respective target assembly so that they rotate independently of the rotation of the corresponding cylindrical sputtering targets 27 and 29.
【0012】このようにして、各ターゲットアセンブリ
に於ける磁石の位置、従って、各ターゲットアセンブリ
に於けるスパッタリングゾーンの位置がこれら冷却管の
回転により制御される。具体的には、プーリ47は管4
3へ固定されていて、歯形ベルト51を通じ、真空室外
にある電気モーターソース49により駆動される。同様
に、プーリ53は冷却管45に固定されていて、歯形ベ
ルト57を通じ、真空室外に位置する電気モータ源55
により回転可能な位置へ制御駆動される。モータ源49
および55はステップタイプが好ましく、対応する管4
3および45を選択した位置に保持し、対応するスパッ
タリングターゲット27および29と共には回転しない
ように支えている。In this way, the position of the magnets in each target assembly, and hence the position of the sputtering zone in each target assembly, is controlled by the rotation of these cooling tubes. Specifically, the pulley 47 is the tube 4
3 is fixed and is driven by an electric motor source 49 located outside the vacuum chamber through a toothed belt 51. Similarly, the pulley 53 is fixed to the cooling pipe 45, and through the toothed belt 57, the electric motor source 55 located outside the vacuum chamber is provided.
Is controlled and driven to a rotatable position. Motor source 49
Step types 55 and 55 are preferred and the corresponding tube 4
3 and 45 are held in selected positions and are held against rotation with the corresponding sputtering targets 27 and 29.
【0013】真空室外に配置されている冷却液供給廃棄
システム(図示せず)は、矢印61で示されるように、
管43および管45の管心へ冷却液を供給し、矢印63
で示されるように管の外壁とスピンドルの内壁の間のス
ペースより温度上昇した冷却液を廃液している。電気電
子システム59は電源40ならびに、モータ31、49
および55を含む図示されているマグネトロンシステム
の種々のパラメーターを制御している。A coolant supply and disposal system (not shown) located outside the vacuum chamber, as indicated by arrow 61,
The cooling liquid is supplied to the cores of the tubes 43 and 45, and the arrow 63
As shown in (3), the cooling liquid whose temperature has risen is discharged from the space between the outer wall of the pipe and the inner wall of the spindle. The electric / electronic system 59 includes a power source 40 and motors 31, 49.
And controlling various parameters of the magnetron system shown, including 55.
【0014】図1のシステムに於いて好適なターゲット
アセンブリの断面図が図2に示されている。その長さ方
向に沿った垂直の断面図が示されている。円筒スパッタ
リング材のターゲット71が一方の端でスピンドル73
に取り付けられ、他方の端でスピンドル75に取り付け
られている。支持ブロック77は公知の機械部分の詳細
を省略する一方、重要な構成部分に焦点をあてるため簡
略化して示されている。ブロック77は機械的の固定作
用に加えて、回転動作、電力および冷却液を供給する。A cross-sectional view of a preferred target assembly for the system of FIG. 1 is shown in FIG. A vertical cross-section along its length is shown. A cylindrical sputtering material target 71 has a spindle 73 at one end.
And to the spindle 75 at the other end. While the support block 77 omits details of known mechanical parts, it is shown in a simplified manner to focus on the important components. The block 77 supplies rotary movement, power and cooling fluid in addition to mechanical fixing action.
【0015】スパッタリングターゲット71内に冷却液
を通す冷却管79がある。これは、ターゲット71内に
て磁石81およびその支持構造83のためのスペースを
設けるため、偏心して固定されている。永久磁石はスパ
ッタリングターゲット71の実質的に全長に沿って、直
線上に配置されている。これら磁石を図2の下部より見
た図が図3に示される。図4が最も良く示しているが、
磁石は、円筒ターゲット71に沿って一定の周囲(放射
角)長に延びている。中央磁石81の相対する両側に補
助磁石85および87が配置されている。磁石は交互に
反転した極を有するように配置されている。従って、こ
れら磁石は、ターゲット71の実質的に全長に沿って、
狭い周長のスパッタリングゾーンを形成する。Inside the sputtering target 71 is a cooling pipe 79 for passing a cooling liquid. It is eccentrically fixed to provide space for the magnet 81 and its support structure 83 within the target 71. The permanent magnets are arranged in a straight line along substantially the entire length of the sputtering target 71. A view of these magnets as seen from the bottom of FIG. 2 is shown in FIG. Figure 4 shows the best,
The magnet extends along the cylindrical target 71 with a constant circumference (radiation angle). Auxiliary magnets 85 and 87 are arranged on opposite sides of the central magnet 81. The magnets are arranged with alternating poles. Therefore, these magnets are arranged along substantially the entire length of the target 71.
Form a narrow perimeter sputtering zone.
【0016】スパッタリングゾーンは、ターゲットアセ
ンブリの軸89を中心にして磁石アセンブリを回転させ
ることにより、ターゲット71の周囲に沿って移動され
る。偏心管部79は、その一方の端で、軸スリーブ即ち
ローラベアリング93によって、スピンドル75に対し
て、軸89を中心として回転可能な部材91に取り付け
られている。反対の端では、冷却管79の突出部95が
ターゲットアセンブリ軸89を中心として回転するよう
に取り付けられている。管95はスピンドル73を越え
て延び、例えばボールベアリング97によって、容易に
回転可能なように固定ブロック77にて支持されてい
る。スピンドル73は、例えば、ボールベアリング99
によって、固定ブロック77にて回転可能なように、支
持されている。図2では、便宜上、ベアリングおよび多
数のシールの詳細は省略されている。The sputtering zone is moved around the perimeter of the target 71 by rotating the magnet assembly about the axis 89 of the target assembly. The eccentric tube portion 79 is attached at its one end by means of a shaft sleeve or roller bearing 93 to a member 91 rotatable about a shaft 89 with respect to the spindle 75. At the opposite end, the projection 95 of the cooling tube 79 is mounted for rotation about the target assembly axis 89. The tube 95 extends beyond the spindle 73 and is supported by a fixed block 77 for easy rotation, for example by ball bearings 97. The spindle 73 is, for example, a ball bearing 99.
Is rotatably supported by the fixed block 77. In FIG. 2, details of the bearings and multiple seals have been omitted for convenience.
【0017】円筒スパッタリングターゲット71は、ス
ピンドル73に取り付けられている鎖歯車101によ
り、通常、一様な速度で回転する。歯形ベルト103を
通じ、鎖歯車101は図1のモーター31で示される外
部モータ源より駆動される。同様に、冷却管95、従っ
て、ターゲット71内の磁石アセンブリも、冷却管95
に固定された鎖歯車105により、独立して回転する。
歯形ベルト107は、図1に示されるステップモータ4
9または55に対応する外部モータ源へ連結されてい
る。磁石構造を回転させるためにステップモータを使用
すると、モータが停止できる360度の範囲で多数の異
なった回転位置の設定が可能という利点が得られる。The cylindrical sputtering target 71 is normally rotated at a uniform speed by the chain gear 101 attached to the spindle 73. Through the toothed belt 103, the chain gear 101 is driven by an external motor source represented by the motor 31 in FIG. Similarly, the cooling tube 95, and thus the magnet assembly in the target 71, also
It rotates independently by the chain gear 105 fixed to.
The tooth belt 107 is the step motor 4 shown in FIG.
It is connected to an external motor source corresponding to 9 or 55. The use of a stepper motor to rotate the magnet structure has the advantage that a large number of different rotational positions can be set in the 360 ° range in which the motor can be stopped.
【0018】電気エネルギは、スピンドル73に接触
し、また電圧源に接続されているブラッシュ109によ
り、ターゲット71へ供給される。冷却液は、給液管1
09およびプラスチック部材111を経由して管95の
内部へ供給される。ターゲットアセンブリを循環し、ブ
ロック77内のチェンバー113へ達する水は管115
を経由して廃液される。Electrical energy is supplied to the target 71 by a brush 109 which contacts the spindle 73 and is connected to a voltage source. Cooling liquid is the supply pipe 1
09 and the plastic member 111, and is supplied to the inside of the pipe 95. Water that circulates through the target assembly and reaches the chamber 113 in block 77 is pipe 115.
It is drained via.
【図1】本発明による二重円筒スパッタリングターゲッ
トマグネトロンの概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a dual cylindrical sputtering target magnetron according to the present invention.
【図2】円筒ターゲット、その支持機構および駆動機構
の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a cylindrical target, its support mechanism and drive mechanism.
【図3】図2のターゲット内の磁石を下から見た図であ
り、図4の3−3線に沿う断面図である。3 is a view of the magnet in the target of FIG. 2 seen from below, and is a cross-sectional view taken along line 3-3 of FIG.
【図4】図2の円筒ターゲットの4−4線に沿う断面図
である。4 is a cross-sectional view of the cylindrical target of FIG. 2, taken along line 4-4.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ミラン ローマン カーズ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94549 ラファイエッテ グロリア テラ ス 3291 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Milan Roman Cars California, USA 94549 Lafayette Gloria Terras 3291
Claims (10)
さに沿って且つその円周の狭い一部分で形成されるよう
に磁石が取り付けられた冷却管を取り囲むスパッタリン
グ材で構成される少なくとも一つの上記円筒ターゲット
を備える真空室を有するマグネトロンであって、上記タ
ーゲットは上記真空室および上記磁石に対して一つの長
手方向軸を中心として回転し、上記ターゲットはさらに
回転のために真空室外に配置されたモータに作動的に連
結されている上記マグネトロンにおいて、 上記冷却管を支え、上記冷却管が上記真空室に対して且
つ上記ターゲットとは独立して完全に回転可能させ、こ
れにより上記磁場ゾーンが上記ターゲットの周囲に沿っ
て移動する手段と、 上記ターゲットモータとは離れて上記真空室の外部に配
置されると共に上記冷却管に作動的に連結され、上記冷
却管を回転すると共に上記冷却管を上記真空室に対して
複数の回転位置のどこにも静止できるようにした電気モ
ータ源を含む手段と、及び上記真空室外に配置されると
共に上記モータ源の動作の制御のために上記モータ源に
接続される制御手段であって、これにより上記磁場ゾー
ンの円周上の位置を制御する制御手段と、を有すること
を特徴とするマグネトロン。1. At least one sputtered material comprising a cooling tube fitted with a magnet such that the magnetic field zone is formed along a predetermined length of the cylindrical target and in a narrow portion of its circumference. A magnetron having a vacuum chamber with a cylindrical target, wherein said target rotates about one longitudinal axis with respect to said vacuum chamber and said magnet, said target being further disposed outside the vacuum chamber for rotation. In the magnetron operatively connected to a motor, the cooling tube is supported to allow the cooling tube to rotate completely with respect to the vacuum chamber and independently of the target, whereby the magnetic field zone is When the means for moving along the circumference of the target and the target motor are placed outside the vacuum chamber, Means operatively connected to the cooling pipe for rotating the cooling pipe and allowing the cooling pipe to rest at any of a plurality of rotational positions with respect to the vacuum chamber; and Control means arranged outside the vacuum chamber and connected to the motor source for controlling the operation of the motor source, the control means controlling the circumferential position of the magnetic field zone. A magnetron that is characterized.
気信号に応答して、静止する複数の異なった安定回転位
置を有するステップモータを含むことを特徴とする請求
項1記載のマグネトロン。2. The magnetron of claim 1 wherein said motor source includes a stepper motor having a plurality of different stable rotational positions that are stationary in response to an electrical signal from said control means.
制御信号を入力して、上記複数の回転位置の一つで上記
ステップモータが新たにとるべき位置と、上記新たな位
置に移動するための回転動作の速度を指定することを特
徴とする請求項2記載のマグネトロン。3. The control means inputs a control signal to the step motor to move the step motor to a new position and a new position of the step motor at one of the plurality of rotational positions. The magnetron according to claim 2, wherein a speed of the rotating operation is designated.
置が実質的に360度の範囲に広がっていることを特徴
とする請求項1記載のマグネトロン。4. The magnetron according to claim 1, wherein the plurality of rotational positions of the cooling pipe rotating means are spread in a range of substantially 360 degrees.
グするためのマグネトロンにおいて、 実質的に互いに平行な中心軸を持つ円筒形スパッタリン
グ表面を有する少なくとも二つの細長いターゲット構造
体であって、この少なくとも二つの細長いターゲット構
造体の各々が、上記円筒形スパッタリング表面の内部に
存在し、スパッタリング表面の長さに沿って円周の狭い
一部分で延びる磁場ゾーンを形成する手段を有する上記
少なくとも二つの細長いターゲット構造体と、 上記ターゲット構造体に連結され、実質的に一様な速度
で上記スパッタリング表面を各軸を中心として回転させ
る手段と、 上記少なくとも二つの細長いターゲット構造体の各々の
磁石手段に接続され、対応する軸を中心として磁場ゾー
ンを設定された円弧上で回転させると共に上記円弧内の
目標固定位置に磁場ゾーンを保持する電気手段であっ
て、上記磁場ゾーンは相互に独立して回転可能であると
共に上記ターゲット構造体とも独立して回転可能である
上記電気手段と、および上記磁場ゾーンの電気回転手段
に接続され、上記磁場ゾーンの回転および位置を制御す
る手段と、を有することを特徴とするマグネトロン。5. A magnetron for coating a film on a substrate in a vacuum chamber, comprising: at least two elongated target structures having cylindrical sputtering surfaces with central axes that are substantially parallel to one another. The at least two elongated target structures each having means for forming a magnetic field zone within the cylindrical sputtering surface and extending in a narrow portion of a circumference along the length of the sputtering surface. A means coupled to the target structure for rotating the sputtering surface about each axis at a substantially uniform velocity, and a magnet means for each of the at least two elongated target structures, Rotate the magnetic field zone around the set arc on the set arc. Electrical means for holding a magnetic field zone at a target fixed position within the arc, wherein the magnetic field zones are rotatable independently of each other and independently of the target structure. And a means for controlling rotation and position of the magnetic field zone, the magnetron being connected to an electric rotation means of the magnetic field zone.
実質的に360度であることを特徴とする請求項5記載
のマグネトロン。6. The magnetron according to claim 5, wherein an arc range of the rotating means of the magnetic field zone is substantially 360 degrees.
制御手段からの電気信号に応答して、上記磁場ゾーンが
静止する複数の異なった安定回転位置を有することを特
徴とする請求項5記載のマグネトロン。7. The magnetic rotation means of the magnetic field zone has a plurality of different stable rotational positions at which the magnetic field zone rests in response to an electric signal from the control means. Magnetron.
一つで、上記回転手段が新たにとるべき位置、および上
記新たな位置に移動するための動作の速度を指定するた
めに上記磁場ゾーンの電気回転手段へ制御信号を入力す
ることを特徴とする請求項7記載のマグネトロン。8. The magnetic field for the control means to specify a position to be newly taken by the rotation means at one of the plurality of rotation positions and a speed of an operation for moving to the new position. 8. The magnetron according to claim 7, wherein a control signal is input to the electric rotating means of the zone.
テップモータであることを特徴とする請求項5記載のマ
グネトロン。9. The magnetron according to claim 5, wherein the electric rotating means of the magnetic field zone is an electric step motor.
表面の材料組成が異なっていることを特徴とする請求項
5記載のマグネトロン。10. The magnetron of claim 5, wherein the at least two sputtering surfaces have different material compositions.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US64737291A | 1991-01-29 | 1991-01-29 | |
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- 1992-01-29 JP JP1397892A patent/JPH0688229A/en active Pending
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