JPH0685641A - マイクロ波スイッチ - Google Patents
マイクロ波スイッチInfo
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- JPH0685641A JPH0685641A JP25735892A JP25735892A JPH0685641A JP H0685641 A JPH0685641 A JP H0685641A JP 25735892 A JP25735892 A JP 25735892A JP 25735892 A JP25735892 A JP 25735892A JP H0685641 A JPH0685641 A JP H0685641A
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- control
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＭＩＣ化ＳＰＤＴスイッチの制御の簡略化
を行う。 【構成】 ＳＰＤＴスイッチの制御端子４，５の前段に
差動増幅回路等による対称制御電圧発生回路１９を内蔵
する。 【効果】 単一電源でＳＰＤＴスイッチを制御すること
が可能となると共に、スイッチの制御回路の簡略化を図
ることができる。
を行う。 【構成】 ＳＰＤＴスイッチの制御端子４，５の前段に
差動増幅回路等による対称制御電圧発生回路１９を内蔵
する。 【効果】 単一電源でＳＰＤＴスイッチを制御すること
が可能となると共に、スイッチの制御回路の簡略化を図
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はマイクロ波スイッチに
関し、特にＭＭＩＣ（Microwave MonolithicIntegrated
Circuit)におけるＳＰＤＴ（Single Pole,Double Thro
w) スイッチの構成方法に関するものである。
関し、特にＭＭＩＣ（Microwave MonolithicIntegrated
Circuit)におけるＳＰＤＴ（Single Pole,Double Thro
w) スイッチの構成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＳＰＤＴスイッチの構成図を図４
に示す。ＳＰＤＴスイッチは単一の入力端子への入力
を、２つの信号線路の出力端子のいずれかに切り換えて
出力するための高周波スイッチである。図４において、
１は単一の入力端子、２は第１の系路の出力端子，３は
第２の系路の出力端子、６は第１の信号線路をＯＮ，Ｏ
ＦＦする第１系路スイッチＦＥＴ、７は第１の系路の出
力を接地する第１系路接地ＦＥＴ、８は第２の信号系路
をＯＮ，ＯＦＦする第２系路スイッチＦＥＴ、９は第２
系路の出力を接地するための第２系路接地ＦＥＴ、４は
第１のＦＥＴ６のゲートに接続された第１の制御端子、
１０はゲート抵抗、５は第２のＦＥＴ８のゲートに接続
された第２の制御端子、１１は接地である。
に示す。ＳＰＤＴスイッチは単一の入力端子への入力
を、２つの信号線路の出力端子のいずれかに切り換えて
出力するための高周波スイッチである。図４において、
１は単一の入力端子、２は第１の系路の出力端子，３は
第２の系路の出力端子、６は第１の信号線路をＯＮ，Ｏ
ＦＦする第１系路スイッチＦＥＴ、７は第１の系路の出
力を接地する第１系路接地ＦＥＴ、８は第２の信号系路
をＯＮ，ＯＦＦする第２系路スイッチＦＥＴ、９は第２
系路の出力を接地するための第２系路接地ＦＥＴ、４は
第１のＦＥＴ６のゲートに接続された第１の制御端子、
１０はゲート抵抗、５は第２のＦＥＴ８のゲートに接続
された第２の制御端子、１１は接地である。
【０００３】次に動作について説明する。ＭＭＩＣに用
いられるＦＥＴには、ノーマリオン形ＦＥＴがよく用い
られる。ノーマリオン形ＦＥＴは、ゲート端子に０Ｖが
印加されるとドレイン端子−ソース端子間が導通し、Ｆ
ＥＴがＯＮ状態となる。ゲート端子にピンチオフ電圧Ｖ
p （例えば−５Ｖ）を印加するとドレイン端子−ソース
端子間は非導通となり、ＦＥＴはＯＦＦ状態となる。
いられるＦＥＴには、ノーマリオン形ＦＥＴがよく用い
られる。ノーマリオン形ＦＥＴは、ゲート端子に０Ｖが
印加されるとドレイン端子−ソース端子間が導通し、Ｆ
ＥＴがＯＮ状態となる。ゲート端子にピンチオフ電圧Ｖ
p （例えば−５Ｖ）を印加するとドレイン端子−ソース
端子間は非導通となり、ＦＥＴはＯＦＦ状態となる。
【０００４】図４の回路において、制御端子４に０Ｖ
を、制御端子５にＶp を印加すると、第１系路スイッチ
ＦＥＴ６及び第２系路接地ＦＥＴ９がＯＮ状態となり、
第２系路スイッチＦＥＴ８及び第１系路接地ＦＥＴ７が
ＯＦＦ状態となるので、入力端子１と第１の出力端子２
との間が導通し、入力端子１と第２の出力端子３との間
が非導通となり、入力信号が第１の出力端子２に出力さ
れる。
を、制御端子５にＶp を印加すると、第１系路スイッチ
ＦＥＴ６及び第２系路接地ＦＥＴ９がＯＮ状態となり、
第２系路スイッチＦＥＴ８及び第１系路接地ＦＥＴ７が
ＯＦＦ状態となるので、入力端子１と第１の出力端子２
との間が導通し、入力端子１と第２の出力端子３との間
が非導通となり、入力信号が第１の出力端子２に出力さ
れる。
【０００５】次に、制御端子４にＶp を、制御端子５に
０Ｖを印加すると、第１系路スイッチＦＥＴ６及び第２
系路接地ＦＥＴ９がＯＦＦ状態となり、第１系路接地Ｆ
ＥＴ７及び第２系路スイッチＦＥＴ８がＯＮ状態となる
ので、入力端子１と第２の出力端子３との間が導通し、
入力端子１と第１の出力端子２との間が非導通となり、
出力信号は第２の出力端子３に出力される。
０Ｖを印加すると、第１系路スイッチＦＥＴ６及び第２
系路接地ＦＥＴ９がＯＦＦ状態となり、第１系路接地Ｆ
ＥＴ７及び第２系路スイッチＦＥＴ８がＯＮ状態となる
ので、入力端子１と第２の出力端子３との間が導通し、
入力端子１と第１の出力端子２との間が非導通となり、
出力信号は第２の出力端子３に出力される。
【０００６】以上のように、第１の制御端子４及び第２
の制御端子５に、お互いに対称に０Ｖ及びＶp を印加す
ることによって、入力端子１に入力した高周波信号を、
第１の出力端子２と、第２の出力端子３のいずれかに切
り換えて出力することができる。
の制御端子５に、お互いに対称に０Ｖ及びＶp を印加す
ることによって、入力端子１に入力した高周波信号を、
第１の出力端子２と、第２の出力端子３のいずれかに切
り換えて出力することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のＳＰＤＴスイッ
チは以上のように構成されているので、スイッチを駆動
するためには、互いに対称な電圧を得ることのできる２
系統の制御電圧を必要としていた。
チは以上のように構成されているので、スイッチを駆動
するためには、互いに対称な電圧を得ることのできる２
系統の制御電圧を必要としていた。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、対称な２系統の制御信号を必要
とせず、１系統の制御電圧で駆動することのできるマイ
クロ波用ＳＰＤＴスイッチを得ることを目的とする。
ためになされたもので、対称な２系統の制御信号を必要
とせず、１系統の制御電圧で駆動することのできるマイ
クロ波用ＳＰＤＴスイッチを得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係るＳＰＤＴ
スイッチは、一対の制御端子の前段に、入力制御信号か
ら正転，反転の一対の制御信号を作成する差動増幅回路
等の対称制御信号作成回路を内蔵したものである。
スイッチは、一対の制御端子の前段に、入力制御信号か
ら正転，反転の一対の制御信号を作成する差動増幅回路
等の対称制御信号作成回路を内蔵したものである。
【００１０】
【作用】この発明においては、ＳＰＤＴスイッチでは、
制御端子４と制御端子５には互いに対称な電圧が印加さ
れることに着目し、対称制御信号作成回路により単一制
御電圧入力から対称な２系統の電圧を発生し、ＳＰＤＴ
スイッチの第１の制御端子４と第２の制御端子５とに印
加するから、単一制御電圧でＳＰＤＴスイッチを駆動す
ることができる。
制御端子４と制御端子５には互いに対称な電圧が印加さ
れることに着目し、対称制御信号作成回路により単一制
御電圧入力から対称な２系統の電圧を発生し、ＳＰＤＴ
スイッチの第１の制御端子４と第２の制御端子５とに印
加するから、単一制御電圧でＳＰＤＴスイッチを駆動す
ることができる。
【００１１】
【実施例】実施例１．図１は本発明の一実施例によるＳ
ＰＤＴスイッチを示す。図１において、１ないし１１は
従来例と同じものを示す。１３，１４は差動増幅回路１
９を構成する一対のＦＥＴ、１２は各ＦＥＴ１３，１４
のドレイン抵抗、１５は両ＦＥＴ１３，１４のドレイン
電圧端子、１６，１７は上記両ＦＥＴ１３，１４のゲー
トに接続された差動構成のゲート電圧端子、１８は接地
であり、１９は差動増幅回路よりなる対称制御電圧作成
回路である。
ＰＤＴスイッチを示す。図１において、１ないし１１は
従来例と同じものを示す。１３，１４は差動増幅回路１
９を構成する一対のＦＥＴ、１２は各ＦＥＴ１３，１４
のドレイン抵抗、１５は両ＦＥＴ１３，１４のドレイン
電圧端子、１６，１７は上記両ＦＥＴ１３，１４のゲー
トに接続された差動構成のゲート電圧端子、１８は接地
であり、１９は差動増幅回路よりなる対称制御電圧作成
回路である。
【００１２】次に動作について説明する。上記差動増幅
回路１９において、ドレイン電圧端子１５にＶcc，ゲー
ト電圧端子１６にＶ1 ，ゲート電圧端子１７にＶ2 を印
加したとき、端子４及び端子５に発生する電圧をそれぞ
れＶ3 ，Ｖ4 とすると、各端子の電圧の関係は図２とな
る。
回路１９において、ドレイン電圧端子１５にＶcc，ゲー
ト電圧端子１６にＶ1 ，ゲート電圧端子１７にＶ2 を印
加したとき、端子４及び端子５に発生する電圧をそれぞ
れＶ3 ，Ｖ4 とすると、各端子の電圧の関係は図２とな
る。
【００１３】図２に示されるように、差動増幅回路はＦ
ＥＴ１３及びＦＥＴ１４のゲート電圧の差（Ｖ1 −Ｖ2
）によって、端子４及び端子５の電圧が変化する。
今、Ｖ4＝Ｖcc，Ｖ3 ＝０Ｖとなる（Ｖ1 −Ｖ2 ）を＋
Ｖ5 ，Ｖ4 ＝０Ｖ，Ｖ3 ＝Ｖccとなる電圧（Ｖ1 −Ｖ2
）を−Ｖ5 とする。端子１６と端子１７の間の電位差
を＋Ｖ5 に設定すると端子４にＶccが、端子５に０Ｖが
発生する。逆に、端子１６と端子１７の間の電位差を−
Ｖ5 に設定すると、端子４に０Ｖが、端子５にＶccが発
生する。
ＥＴ１３及びＦＥＴ１４のゲート電圧の差（Ｖ1 −Ｖ2
）によって、端子４及び端子５の電圧が変化する。
今、Ｖ4＝Ｖcc，Ｖ3 ＝０Ｖとなる（Ｖ1 −Ｖ2 ）を＋
Ｖ5 ，Ｖ4 ＝０Ｖ，Ｖ3 ＝Ｖccとなる電圧（Ｖ1 −Ｖ2
）を−Ｖ5 とする。端子１６と端子１７の間の電位差
を＋Ｖ5 に設定すると端子４にＶccが、端子５に０Ｖが
発生する。逆に、端子１６と端子１７の間の電位差を−
Ｖ5 に設定すると、端子４に０Ｖが、端子５にＶccが発
生する。
【００１４】よって、端子１５に印加するＶccをＦＥＴ
６，７，８，９のピンチオフ電圧Ｖp に設定し、端子１
７を＋Ｖ5 に固定し、端子１６を０Ｖと２×（＋Ｖ5 ）
ことで切り換えると、端子４及び５には端子１６の状態
によって０ＶもしくはＶp が発生する。すなわち、端子
１６への一つの電圧の制御によって、ＳＰＤＴを駆動す
るのに必要な２種類の電圧を得ることができる。
６，７，８，９のピンチオフ電圧Ｖp に設定し、端子１
７を＋Ｖ5 に固定し、端子１６を０Ｖと２×（＋Ｖ5 ）
ことで切り換えると、端子４及び５には端子１６の状態
によって０ＶもしくはＶp が発生する。すなわち、端子
１６への一つの電圧の制御によって、ＳＰＤＴを駆動す
るのに必要な２種類の電圧を得ることができる。
【００１５】従って、以上のように各端子の電圧を設定
し、１つの電圧の制御により対称な制御信号を出力端子
４，５に発生する差動増幅回路１９を内蔵してＳＰＤＴ
スイッチをＭＭＩＣにより構成することにより、単一電
源で制御可能なＳＰＤＴスイッチを実現することができ
る。またこの際、このＳＰＤＴスイッチの制御端子を１
つに削減することができるので、制御電圧を発生させる
制御回路の構成を簡略化することができる効果もある。
し、１つの電圧の制御により対称な制御信号を出力端子
４，５に発生する差動増幅回路１９を内蔵してＳＰＤＴ
スイッチをＭＭＩＣにより構成することにより、単一電
源で制御可能なＳＰＤＴスイッチを実現することができ
る。またこの際、このＳＰＤＴスイッチの制御端子を１
つに削減することができるので、制御電圧を発生させる
制御回路の構成を簡略化することができる効果もある。
【００１６】実施例２．図３は、本発明の第２の実施例
によるＳＰＤＴスイッチを示す。２０はインバータ回
路、２１は制御電圧入力端子、２２は端子２１への信号
より端子４，５に対称な制御信号を発生する対称制御電
圧発生回路である。本実施例のように、端子４，５の前
段にインバータ回路２０を内蔵すると、端子２１に０Ｖ
を印加した場合、端子４には０Ｖ，端子５にはＶp が印
加される。逆に、端子２１にＶp を印加した場合、端子
４にはＶp ，端子５には０Ｖが印加される。従って、単
一電源でＳＰＤＴスイッチを制御するのに必要な２系統
の電圧を得ることができ、単一電源で制御可能なＳＰＤ
Ｔスイッチが実現される。また制御電圧を発生する回路
の構成も非常に簡略化することができる。
によるＳＰＤＴスイッチを示す。２０はインバータ回
路、２１は制御電圧入力端子、２２は端子２１への信号
より端子４，５に対称な制御信号を発生する対称制御電
圧発生回路である。本実施例のように、端子４，５の前
段にインバータ回路２０を内蔵すると、端子２１に０Ｖ
を印加した場合、端子４には０Ｖ，端子５にはＶp が印
加される。逆に、端子２１にＶp を印加した場合、端子
４にはＶp ，端子５には０Ｖが印加される。従って、単
一電源でＳＰＤＴスイッチを制御するのに必要な２系統
の電圧を得ることができ、単一電源で制御可能なＳＰＤ
Ｔスイッチが実現される。また制御電圧を発生する回路
の構成も非常に簡略化することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ＭＭ
ＩＣ化ＳＰＤＴスイッチにおいて、制御信号を入力する
回路に差動増幅回路等の対称な制御電圧を作成する回路
を内蔵したので、単一制御電圧入力で、スイッチング動
作をさせることが可能になる効果がある。また、ＳＰＤ
Ｔスイッチの制御電圧を発生する制御回路の構成を簡略
化することができる利点をも有する。
ＩＣ化ＳＰＤＴスイッチにおいて、制御信号を入力する
回路に差動増幅回路等の対称な制御電圧を作成する回路
を内蔵したので、単一制御電圧入力で、スイッチング動
作をさせることが可能になる効果がある。また、ＳＰＤ
Ｔスイッチの制御電圧を発生する制御回路の構成を簡略
化することができる利点をも有する。
【図１】本発明の一実施例によるＳＰＤＴスイッチを示
す回路図。
す回路図。
【図２】差動増幅回路による対称制御電圧発生回路の動
作を示す図。
作を示す図。
【図３】本発明の第２の実施例によるＳＰＤＴスイッチ
を示す図。
を示す図。
【図４】従来のＳＰＤＴスイッチを示す回路図。
１ 入力端子 ２ 出力端子 ３ 出力端子 ４ 制御端子 ５ 制御端子 ６ 第１系路スイッチＦＥＴ ７ 第１系路接地ＦＥＴ ８ 第２系路スイッチＦＥＴ ９ 第２系路接地ＦＥＴ １０ ゲート抵抗 １１ 接地 １２ ドレイン抵抗 １３ ＦＥＴ １４ ＦＥＴ １５ ドレイン電圧端子 １６ ゲート電圧端子 １７ ゲート電圧端子 １８ 接地 １９ 差動増幅回路による対称制御電圧発生回路 ２０ インバータ回路 ２１ 制御電圧入力端子 ２２ 対称制御電圧発生回路
Claims (3)
- 【請求項１】 モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭ
ＩＣ）により構成されるＳＰＤＴ（Single Pole, Doubl
e Throw ）スイッチにおいて、 該ＳＰＤＴスイッチの制御信号入力部に、制御信号入力
に対し、正転出力と反転出力とからなる対称な制御電圧
を発生する対称制御電圧発生回路を内蔵したことを特徴
とするマイクロ波スイッチ。 - 【請求項２】 上記対称制御電圧発生回路は、差動増幅
回路からなるものであることを特徴とする請求項１記載
のマイクロ波スイッチ。 - 【請求項３】 上記対称制御電圧発生回路は、インバー
タ回路を有してなるものであることを特徴とする請求項
１記載のマイクロ波スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25735892A JPH0685641A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | マイクロ波スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25735892A JPH0685641A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | マイクロ波スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685641A true JPH0685641A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17305278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25735892A Pending JPH0685641A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | マイクロ波スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685641A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2007336186A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | スイッチ回路 |
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| JP2011055129A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Toshiba Corp | 半導体スイッチ |
| JP2012060668A (ja) * | 2011-11-16 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | 高周波半導体スイッチ装置 |
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| US9312853B2 (en) | 2012-08-09 | 2016-04-12 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | High frequency semiconductor switch circuit and high frequency radio system including same |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP25735892A patent/JPH0685641A/ja active Pending
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