JPH0674191B2 - 非酸化物系セラミツクのメタライズ層 - Google Patents
非酸化物系セラミツクのメタライズ層Info
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- JPH0674191B2 JPH0674191B2 JP8736786A JP8736786A JPH0674191B2 JP H0674191 B2 JPH0674191 B2 JP H0674191B2 JP 8736786 A JP8736786 A JP 8736786A JP 8736786 A JP8736786 A JP 8736786A JP H0674191 B2 JPH0674191 B2 JP H0674191B2
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- 229910052575 non-oxide ceramic Inorganic materials 0.000 title claims description 27
- 239000011225 non-oxide ceramic Substances 0.000 title claims description 27
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title claims description 6
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 2
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical group 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001293 FEMA 3089 Substances 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- -1 and in particular Substances 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は例えば非酸化物系セラミックよりなるセラミッ
クヒータの電極部の接合や、非酸化物系セラミック基板
上への導電路の形成等に有効に用いられる非酸化物系セ
ラミックのメタライズ層に関する。
クヒータの電極部の接合や、非酸化物系セラミック基板
上への導電路の形成等に有効に用いられる非酸化物系セ
ラミックのメタライズ層に関する。
一般にセラミックは金属に比べ強度，耐熱性，耐蝕性に
すぐれ、なかでも窒化ケイ素，炭化ケイ素をはじめとす
る非酸化物系セラミックは上記特性に加えて耐熱衝撃性
も高いために近年その応用が広く期待されている。その
一例としてこれらの特性を生かしたTiN−Si3N4系の複合
非酸化物系セラミックヒータや、さらに高熱伝導性を生
かしたSiC,AlN等のセラミック基板が知られている。
すぐれ、なかでも窒化ケイ素，炭化ケイ素をはじめとす
る非酸化物系セラミックは上記特性に加えて耐熱衝撃性
も高いために近年その応用が広く期待されている。その
一例としてこれらの特性を生かしたTiN−Si3N4系の複合
非酸化物系セラミックヒータや、さらに高熱伝導性を生
かしたSiC,AlN等のセラミック基板が知られている。
上記セラミックヒータやセラミック基板においては、ヒ
ータへの電極の接続、基板上への導電路の形成のために
非酸化物系セラミック表面にメタライズ層を形成するこ
とが不可欠である。また一般に非酸化物系セラミック部
品と金属部品とを接合する場合にもメタライズ層を形成
させることも多い。
ータへの電極の接続、基板上への導電路の形成のために
非酸化物系セラミック表面にメタライズ層を形成するこ
とが不可欠である。また一般に非酸化物系セラミック部
品と金属部品とを接合する場合にもメタライズ層を形成
させることも多い。
このようなメタライズ層としては，例えば特開昭59−91
684号公報に開示されているようなNIメッキを施した後
エージングする等の方法が知られている。
684号公報に開示されているようなNIメッキを施した後
エージングする等の方法が知られている。
しかしながら上記公報に記載の方法をはじめとして従来
のメタライズ層では、非酸化物系セラミックとの付着強
度が十分でなく、はがれが発生し易いという問題があっ
た。さらに従来のメタライズ層においては特に高温時に
表面が酸化され易く、例えばセラミックヒータの電極部
にメタライズ層を施し、金属電極を圧接して導電性を保
つ構造においては、この酸化は導電性阻害の原因となり
長期間の使用のうちに徐々にセラミックヒータへの通電
が困難になるという問題を生じる。
のメタライズ層では、非酸化物系セラミックとの付着強
度が十分でなく、はがれが発生し易いという問題があっ
た。さらに従来のメタライズ層においては特に高温時に
表面が酸化され易く、例えばセラミックヒータの電極部
にメタライズ層を施し、金属電極を圧接して導電性を保
つ構造においては、この酸化は導電性阻害の原因となり
長期間の使用のうちに徐々にセラミックヒータへの通電
が困難になるという問題を生じる。
そこで本発明は上記の如き従来のメタライズ層を問題を
解消し、付着強度が大きいとともに、導電性にすぐれた
新規なメタライズ層を提供することを目的とする。
解消し、付着強度が大きいとともに、導電性にすぐれた
新規なメタライズ層を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、少くともPt,Pd,R
h,Ir,Ru,Osから選ばれた１以上の金属と、Cr,Ni,Fe,Co
から選ばれた１以上の金属と、C,B,Si,Pから選ばれた１
以上の元素とを含んでなり、非酸化物系セラミック上に
被覆された第１被覆層と、 前記第１被覆層上に被覆され、Au,Ag,Cu,Alから選ばれ
た１以上の金属を含んでなる第２被覆層とを備えたメタ
ライズ層を技術的手段として採用するものである。
h,Ir,Ru,Osから選ばれた１以上の金属と、Cr,Ni,Fe,Co
から選ばれた１以上の金属と、C,B,Si,Pから選ばれた１
以上の元素とを含んでなり、非酸化物系セラミック上に
被覆された第１被覆層と、 前記第１被覆層上に被覆され、Au,Ag,Cu,Alから選ばれ
た１以上の金属を含んでなる第２被覆層とを備えたメタ
ライズ層を技術的手段として採用するものである。
上記手段によれば非酸化物系セラミック上に被覆された
第１被覆層は、主にその組成中に含まれるPt,Pd,Rh,Ir,
Ru,Osから選ばれた１以上の金属の触媒〔作用〕により
非酸化物系セラミックと濡れ性よく結合するとともに、
上記第１被覆層上に被覆された第２被覆層が大きな導電
性を確保する。
第１被覆層は、主にその組成中に含まれるPt,Pd,Rh,Ir,
Ru,Osから選ばれた１以上の金属の触媒〔作用〕により
非酸化物系セラミックと濡れ性よく結合するとともに、
上記第１被覆層上に被覆された第２被覆層が大きな導電
性を確保する。
従って本発明よれば、非酸化物系セラミックに対して大
きな付着強度と導電性を有するメタライズ層を形成させ
ることができる。
きな付着強度と導電性を有するメタライズ層を形成させ
ることができる。
以下、本発明を図に示す実施例に基づいて説明する。第
１図は、本発明による非酸化物系セラミックのメタライ
ズ層を説明する断面図で、１は窒化ケイ素（Si3N4），
窒化チタン（TiN）を主成分とする非酸化物系の導電性
のセラミック試験片で、この試験片は以下に説明する工
程で製作した。
１図は、本発明による非酸化物系セラミックのメタライ
ズ層を説明する断面図で、１は窒化ケイ素（Si3N4），
窒化チタン（TiN）を主成分とする非酸化物系の導電性
のセラミック試験片で、この試験片は以下に説明する工
程で製作した。
平均粒径0.8μの窒化ケイ素，平均粒径0.5μの窒化チタ
ンの所要量を秤量し、窒化ケイ素41mol％，窒化チタン5
5.4mol％の組成の混合粉末を調整した。またこの混合粉
末は、MgAl2O42.2mol％,Y2O31.4mol％の焼結助剤を含
む。この混合粉末を溶媒としての水に投入して、12時間
混合した。このように組成混合された混合粉末を乾燥
し、造粒した。次に所定の大きさにプレス成形し、その
後1750℃で４時間窒素雰囲気中で焼成して焼結体を形成
した。しかる後に焼結体の表面研摩を行い、メタライズ
用の非酸化物系セラミック試験片１とした。
ンの所要量を秤量し、窒化ケイ素41mol％，窒化チタン5
5.4mol％の組成の混合粉末を調整した。またこの混合粉
末は、MgAl2O42.2mol％,Y2O31.4mol％の焼結助剤を含
む。この混合粉末を溶媒としての水に投入して、12時間
混合した。このように組成混合された混合粉末を乾燥
し、造粒した。次に所定の大きさにプレス成形し、その
後1750℃で４時間窒素雰囲気中で焼成して焼結体を形成
した。しかる後に焼結体の表面研摩を行い、メタライズ
用の非酸化物系セラミック試験片１とした。
第１図における２は本発明のメタライズ層４を構成する
第１被覆層で以下の工程により製作した。
第１被覆層で以下の工程により製作した。
Pt,Pd,Rh,Ir,Ru,Osよりなる遷移金属群（以下元素群Ｉ
と称する）からはPtを、Cr,Ni,Fe,Coよりなる遷移金属
群（以下元素群IIと称する）からはNi−Crを、B,C,Si,P
からなる元素群（以下元素群IIIと称する）からはＰを
選んで、第１表に示した配合割合で秤量し、3wt％のエ
チルセルロースを溶解したテレピン油に混合してペース
ト状にした。次にこのペーストを試験片の一方の面にス
クリーン印刷し、乾燥後10-4〜10-3Torrの減圧下で1200
℃10分間保持して熱処理を行ない第１被覆層２を形成し
た。
と称する）からはPtを、Cr,Ni,Fe,Coよりなる遷移金属
群（以下元素群IIと称する）からはNi−Crを、B,C,Si,P
からなる元素群（以下元素群IIIと称する）からはＰを
選んで、第１表に示した配合割合で秤量し、3wt％のエ
チルセルロースを溶解したテレピン油に混合してペース
ト状にした。次にこのペーストを試験片の一方の面にス
クリーン印刷し、乾燥後10-4〜10-3Torrの減圧下で1200
℃10分間保持して熱処理を行ない第１被覆層２を形成し
た。
第１図における３は、本発明のメタライズ層４を構成す
る第２被覆層でこの第２被覆層を第１被覆層上に形成さ
せるには、試験片１の第１被覆層２形成箇所以外の部分
をテープでマスクした後通常用いられる公知の化学メッ
キ法にてAgよりなる第２被覆層３を形成した。
る第２被覆層でこの第２被覆層を第１被覆層上に形成さ
せるには、試験片１の第１被覆層２形成箇所以外の部分
をテープでマスクした後通常用いられる公知の化学メッ
キ法にてAgよりなる第２被覆層３を形成した。
なお上記第１被覆層2,第２被覆層３の膜厚はともに10μ
である。
である。
次に以上のようにして形成したメタライズ層４の付着強
度及び比抵抗の測定結果を第１表に示す。付着強度は第
２図に示すように直径3mmのコバール（Fe−Co−Ni合
金）棒５を銀ロー６を用いて前記メタライズ層４上に接
合し図中矢印方向に引張り力を加え、破断した時の力を
測定した。
度及び比抵抗の測定結果を第１表に示す。付着強度は第
２図に示すように直径3mmのコバール（Fe−Co−Ni合
金）棒５を銀ロー６を用いて前記メタライズ層４上に接
合し図中矢印方向に引張り力を加え、破断した時の力を
測定した。
またメタライズ層４の比抵抗測定には第３図に示すよう
にメタライズ層４上に50mmの間隔で設けた接点7,8間の
抵抗値を測定した。ここで基板であるセラミック試験片
１の比抵抗は約２×10-3Ωcmで、メタライズ層４の比抵
抗に較べれば十分に大きいため、この場合には抵抗値
は、試験片１に形成したメタライズ層４の値とみなすこ
とができる。
にメタライズ層４上に50mmの間隔で設けた接点7,8間の
抵抗値を測定した。ここで基板であるセラミック試験片
１の比抵抗は約２×10-3Ωcmで、メタライズ層４の比抵
抗に較べれば十分に大きいため、この場合には抵抗値
は、試験片１に形成したメタライズ層４の値とみなすこ
とができる。
また第１表には本実施例と比較するため、本発明の第２
被覆層３を欠くものを比較例として示した（サンプルN
o.2,4,8,10,13）。
被覆層３を欠くものを比較例として示した（サンプルN
o.2,4,8,10,13）。
上記実験により得られた第１表の結果に基づいて本発明
による二層構造メタライズ層４における各構成要素間の
作用効果を説明する。
による二層構造メタライズ層４における各構成要素間の
作用効果を説明する。
本発明の第１被覆層２の役割は、主に非酸化物系セラミ
ックとの強固な接合を確保することにある。その接合原
理は、以下のようなものと考えれれる。例えば窒化ケイ
素のような非酸化物系セラミックは一般に強固な共有結
合を持っており、他の物質と結合するためにはこの共有
結合を切断しなければ接合剤の充分な融合がおこらず、
接合強度が上らないということが本発明者らの研究によ
って明らかになっている。本発明においては、金属群Ｉ
から選ばれたPtがまず非酸化物系セラミックの共有結合
に対して触媒的に働き、この共有係合を切断する役割り
を果す。次に元素群IIから選ばれた金属元素であるNr−
Ciは共有結合が切れ分解したセラミック中に拡散し拡散
層を形づくる。さらに元素群IIIより選ばれた元素Ｐは
金属組成物の融点降下及び金属元素が溶融した時の流動
性を増すように、粘度を低下させる働きをする。以上の
３者の効果が奏合して第１表のサンプルNo.2,4,8,10,13
に実証されるような非酸化物セラミックと金属の強固な
接合に基づく付着力の大きいメタライズ層４を形づくる
ことができる。
ックとの強固な接合を確保することにある。その接合原
理は、以下のようなものと考えれれる。例えば窒化ケイ
素のような非酸化物系セラミックは一般に強固な共有結
合を持っており、他の物質と結合するためにはこの共有
結合を切断しなければ接合剤の充分な融合がおこらず、
接合強度が上らないということが本発明者らの研究によ
って明らかになっている。本発明においては、金属群Ｉ
から選ばれたPtがまず非酸化物系セラミックの共有結合
に対して触媒的に働き、この共有係合を切断する役割り
を果す。次に元素群IIから選ばれた金属元素であるNr−
Ciは共有結合が切れ分解したセラミック中に拡散し拡散
層を形づくる。さらに元素群IIIより選ばれた元素Ｐは
金属組成物の融点降下及び金属元素が溶融した時の流動
性を増すように、粘度を低下させる働きをする。以上の
３者の効果が奏合して第１表のサンプルNo.2,4,8,10,13
に実証されるような非酸化物セラミックと金属の強固な
接合に基づく付着力の大きいメタライズ層４を形づくる
ことができる。
このようにして形成した第１被覆層２の比抵抗値は、サ
ンプルNo.2,4,8,10,13からもわかるように最も低いもの
で1.3×10-5Ωcm、高いもので9.5×10-5Ωcmと10-5のオ
ーダーの値を持っている。この比抵抗値は試験片１の比
抵抗２×10-3Ωcmと比較すればかなり低い値ではあるが
後述の応用例で詳しく示すように圧接型のヒータ電極と
して使用するためにはまだ十分に低い値ではない。
ンプルNo.2,4,8,10,13からもわかるように最も低いもの
で1.3×10-5Ωcm、高いもので9.5×10-5Ωcmと10-5のオ
ーダーの値を持っている。この比抵抗値は試験片１の比
抵抗２×10-3Ωcmと比較すればかなり低い値ではあるが
後述の応用例で詳しく示すように圧接型のヒータ電極と
して使用するためにはまだ十分に低い値ではない。
一方、Au,Ag,Cu,Al等は金属元素中でも最も低い比抵抗
値を持ち、それぞれ2.2×10-6,1.62×10-6,1.72×10-6,
2.65×10-6Ωcmである。しかしながら、サンプルNo.16
の実験でも明らかなようにこれのみでは非酸化物系セラ
ミック上にほとんど付着させることができず:Agを用い
てメッキあるいはペースト焼付け等の他の方法で行って
も簡単にはがれてしまう。またそればかりではなく、た
とえ付着しているように見えてもその比抵抗値は1.5×1
0-4Ωcmで、Ag自体の比抵抗を２ケタ上ってしまう。こ
れはAgとセラミックの濡れ性が悪いためで、このため形
成したAgのメタライズ層が多孔質となることに起因して
いる。
値を持ち、それぞれ2.2×10-6,1.62×10-6,1.72×10-6,
2.65×10-6Ωcmである。しかしながら、サンプルNo.16
の実験でも明らかなようにこれのみでは非酸化物系セラ
ミック上にほとんど付着させることができず:Agを用い
てメッキあるいはペースト焼付け等の他の方法で行って
も簡単にはがれてしまう。またそればかりではなく、た
とえ付着しているように見えてもその比抵抗値は1.5×1
0-4Ωcmで、Ag自体の比抵抗を２ケタ上ってしまう。こ
れはAgとセラミックの濡れ性が悪いためで、このため形
成したAgのメタライズ層が多孔質となることに起因して
いる。
これに対して第１表のサンプルNo.3,5,9,11,14に示すよ
うに第１被覆層２の上にAgの第２被覆層３を設けること
で、メタライズ層４の付着強度をあまり下げることな
く、メタライズ層の比抵抗値を10-6Ωcmオーダーまで１
ケタ近く大幅に下げることができることが明らかとなっ
た。特にサンプルNo.9においては、Ag自体の比抵抗の約
２倍程度にまで低下させることができた。
うに第１被覆層２の上にAgの第２被覆層３を設けること
で、メタライズ層４の付着強度をあまり下げることな
く、メタライズ層の比抵抗値を10-6Ωcmオーダーまで１
ケタ近く大幅に下げることができることが明らかとなっ
た。特にサンプルNo.9においては、Ag自体の比抵抗の約
２倍程度にまで低下させることができた。
このように10-6Ωcmオーダーという低い比抵抗値を得る
ためには、第１被覆層２の組成範囲が重要で、元素群Ｉ
のPtは５〜60mol％、元素群IIのNi,Crは38〜93mol％、
元素群IIIのＰは２〜24mol％の範囲で10-6Ωcm台の低い
比抵抗値を得ることができる（サンプルNo.3,5,9,11,1
4）。これは、特に上記組成範囲で形成される第１被覆
層２の非酸化物系セラミックに対する濡れ性及び付着性
が良好なため第１被覆層２自体が緻密なものとなり、そ
の結果その上に形成される第２被覆層３もそれにともな
って同様に緻密なものとなった結果であると考えられ
る。第１被覆層２が上記組成の範囲外にある場合はサン
プルNo.1,6,7,12,15のように緻密なAgの層が形成され
ず、比抵抗は下がらない。
ためには、第１被覆層２の組成範囲が重要で、元素群Ｉ
のPtは５〜60mol％、元素群IIのNi,Crは38〜93mol％、
元素群IIIのＰは２〜24mol％の範囲で10-6Ωcm台の低い
比抵抗値を得ることができる（サンプルNo.3,5,9,11,1
4）。これは、特に上記組成範囲で形成される第１被覆
層２の非酸化物系セラミックに対する濡れ性及び付着性
が良好なため第１被覆層２自体が緻密なものとなり、そ
の結果その上に形成される第２被覆層３もそれにともな
って同様に緻密なものとなった結果であると考えられ
る。第１被覆層２が上記組成の範囲外にある場合はサン
プルNo.1,6,7,12,15のように緻密なAgの層が形成され
ず、比抵抗は下がらない。
上記実施例に使用したTiN−Si3N4系複合セラミックは適
度の導電性を有し、セラミックヒータとして使用でき、
また上記実施例のメタライズ層４はこのヒータの電極と
して用いられて有効である。第４図は自動車排ガス浄化
用フィルタの再生用ヒータとして用いたセラミックヒー
タを示すもので、TiN−Si3N4セラミックヒータ10の両端
の電極部11,12に上記実施例におけるサンプル９の組成
を用い、第１被覆層2,第２被覆層３を形成させ、表面に
銀メッキしたコバール電極13を第４図のＡ−Ａ断面であ
る第５図に示す構造で圧接したものである。すなわち、
セラミックヒータ10の貫通穴10aにボルト状電極13aを挿
通し、反対側からスペーサ14を介してナット15を溶接し
両側から押え付けるように電極13が保持されている。
度の導電性を有し、セラミックヒータとして使用でき、
また上記実施例のメタライズ層４はこのヒータの電極と
して用いられて有効である。第４図は自動車排ガス浄化
用フィルタの再生用ヒータとして用いたセラミックヒー
タを示すもので、TiN−Si3N4セラミックヒータ10の両端
の電極部11,12に上記実施例におけるサンプル９の組成
を用い、第１被覆層2,第２被覆層３を形成させ、表面に
銀メッキしたコバール電極13を第４図のＡ−Ａ断面であ
る第５図に示す構造で圧接したものである。すなわち、
セラミックヒータ10の貫通穴10aにボルト状電極13aを挿
通し、反対側からスペーサ14を介してナット15を溶接し
両側から押え付けるように電極13が保持されている。
本発明によるメタライズ層４の比抵抗低減効果をさらに
確認するため前記ヒータと、第２被覆層３を持たないも
のとで、図中Raの接触抵抗を測定したところ第２表のよ
うにAg第２被覆層２を設けることで、初期の接触抵抗を
1/3まで下げることができた。この接触抵抗の下がる理
由は次のように考えられる。すなわち金属どうしの接触
面における導電性は、接触している互いの金属の比抵抗
と、それぞれの接触表面が凹凸であるためその接触面積
とに関係しており、表面をAgの層にすることにより接触
部の比抵抗が下ると共にさらに表面のAgは軟らかいた
め、電極を圧接した場合に接触面積が増大するためと考
えられる。
確認するため前記ヒータと、第２被覆層３を持たないも
のとで、図中Raの接触抵抗を測定したところ第２表のよ
うにAg第２被覆層２を設けることで、初期の接触抵抗を
1/3まで下げることができた。この接触抵抗の下がる理
由は次のように考えられる。すなわち金属どうしの接触
面における導電性は、接触している互いの金属の比抵抗
と、それぞれの接触表面が凹凸であるためその接触面積
とに関係しており、表面をAgの層にすることにより接触
部の比抵抗が下ると共にさらに表面のAgは軟らかいた
め、電極を圧接した場合に接触面積が増大するためと考
えられる。
さらにこのメタライズ層４の耐熱性をみるため、800℃
の炉内で耐久試験を行った。結果は第２表のように第２
被覆層３のないものでは表面が黒く酸化していき抵抗が
大きく上昇してしまうのに対し、第２被覆層３を有する
ものではほとんど抵抗上昇は起きなかった。これは第２
被覆層３なしでは、接触面である第１被覆層２表面が酸
化され易く次第に内部まで酸化が進んでいくのに対し、
第２被覆層３を有するものではAgが酸化されにくく保護
層の役割りを果し第１被覆層２の酸化を防ぐとともに、
またAgの層は酸化が進行し酸化銀となってもかなりの導
電性を保っているためであると考えられる。
の炉内で耐久試験を行った。結果は第２表のように第２
被覆層３のないものでは表面が黒く酸化していき抵抗が
大きく上昇してしまうのに対し、第２被覆層３を有する
ものではほとんど抵抗上昇は起きなかった。これは第２
被覆層３なしでは、接触面である第１被覆層２表面が酸
化され易く次第に内部まで酸化が進んでいくのに対し、
第２被覆層３を有するものではAgが酸化されにくく保護
層の役割りを果し第１被覆層２の酸化を防ぐとともに、
またAgの層は酸化が進行し酸化銀となってもかなりの導
電性を保っているためであると考えられる。
以上のように本発明のメタライズ層４は極めて高い耐熱
性を有し、従って本発明は例えばディーゼル機関から排
出される排ガス中の炭素微粒子を取り除くディーゼルパ
ティキュレートフィルタの再生用ヒータの電極部に用い
られてきわめて有効である。すなわち、この種のヒータ
には窒化ケイ素と窒化チタンとを含有する非酸化物系セ
ラミックが用いられ、また排気ガスにされされ非常に高
温になる部位に用いられるためである。
性を有し、従って本発明は例えばディーゼル機関から排
出される排ガス中の炭素微粒子を取り除くディーゼルパ
ティキュレートフィルタの再生用ヒータの電極部に用い
られてきわめて有効である。すなわち、この種のヒータ
には窒化ケイ素と窒化チタンとを含有する非酸化物系セ
ラミックが用いられ、また排気ガスにされされ非常に高
温になる部位に用いられるためである。
次に本発明による非酸化物系セラミックはTiN−Si3N4複
合セラミックに限らず、SiC,AlN等の共有結合を有する
他の非酸化物系セラミックに対しても適用できる。また
第２被覆層３はAgの他にCu,Au,Alであっても同様に比抵
抗低減効果が得られる。第３表にこれらの実験結果を示
す。なお第３表の実験においてAl層の付着強度試験には
Alロー材を使用した。以上のように導電性の非酸化物系
セラミックスばかりでなく絶縁性のAlN等への低比抵抗
メタライズ層の形成が可能で、これらは非酸化物系セラ
ミックを電気回路用基板として利用した場合の導電回路
形成に適している。
合セラミックに限らず、SiC,AlN等の共有結合を有する
他の非酸化物系セラミックに対しても適用できる。また
第２被覆層３はAgの他にCu,Au,Alであっても同様に比抵
抗低減効果が得られる。第３表にこれらの実験結果を示
す。なお第３表の実験においてAl層の付着強度試験には
Alロー材を使用した。以上のように導電性の非酸化物系
セラミックスばかりでなく絶縁性のAlN等への低比抵抗
メタライズ層の形成が可能で、これらは非酸化物系セラ
ミックを電気回路用基板として利用した場合の導電回路
形成に適している。
また、本発明の第１被覆層２の第１表のものに限らず、
元素群ＩとしてはPtの他にPd,Rh,Ir,Ru,Osが使用可能で
あり、元素群IIとしてはNi−Cr合金の他に、Ni,Cr,Fe,C
oが使用可能であり、元素群IIIとしてはＰの他にSi,B,C
が使用可能である。これらの実験結果を第４表に示す。
元素群ＩとしてはPtの他にPd,Rh,Ir,Ru,Osが使用可能で
あり、元素群IIとしてはNi−Cr合金の他に、Ni,Cr,Fe,C
oが使用可能であり、元素群IIIとしてはＰの他にSi,B,C
が使用可能である。これらの実験結果を第４表に示す。
第１図は本発明のメタライズ層の構造を示す断面模式
図、第２図，第３図は、それぞれこのメタライズ層の付
着強度，比抵抗の測定方法を示す模式図、第４図は本発
明のメタライズ層を適用したセラミックヒータの形状を
説明する正面図、第５図は第４図におけるＡ−Ａ断面図
である。 １……非酸化物系セラミック,2……第１被覆層,3……第
２被覆層。
図、第２図，第３図は、それぞれこのメタライズ層の付
着強度，比抵抗の測定方法を示す模式図、第４図は本発
明のメタライズ層を適用したセラミックヒータの形状を
説明する正面図、第５図は第４図におけるＡ−Ａ断面図
である。 １……非酸化物系セラミック,2……第１被覆層,3……第
２被覆層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丹羽 準 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 影山 照高 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】少くともPt,Pd,Rh,Ir,Ru,Osから選ばれた
１以上の金属と、Cr,Ni,Fe,Coから選ばれた１以上の金
属と、C,B,Si,Pから選ばれた１以上の元素とを含んでな
り、非酸化物系セラミック上に被覆された第１被覆層
と、 前記第１被覆層上に被覆され、Au,Ag,Cu,Alから選ばれ
た１以上の金属を含んでなる第２被覆層とを備えたこと
を特徴とする非酸化物系セラミックのメタライズ層。 - 【請求項２】前記Pt,Pd,Rh,Ir,Ru,Osより選ばれた１以
上の金属の含有量が５〜60mol％、前記Cr,Ni,Fe,Coより
選ばれた１以上の金属の含有量が38〜93mol％、前記B,
C,Si,Pより選ばれた１以上の元素の含有量が２〜24mol
％の範囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の非酸化物系セラミックのメタライズ層。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8736786A JPH0674191B2 (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 非酸化物系セラミツクのメタライズ層 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8736786A JPH0674191B2 (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 非酸化物系セラミツクのメタライズ層 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62246890A JPS62246890A (ja) | 1987-10-28 |
| JPH0674191B2 true JPH0674191B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=13912924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8736786A Expired - Lifetime JPH0674191B2 (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 非酸化物系セラミツクのメタライズ層 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0674191B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109111243A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-01-01 | 界首永恩机电科技有限公司 | 一种陶瓷工艺品表面喷施复合铜粉末的方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111574243A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-25 | 深圳市国瓷永丰源瓷业有限公司 | 一种光亮贵金属制剂及其应用 |
-
1986
- 1986-04-16 JP JP8736786A patent/JPH0674191B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109111243A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-01-01 | 界首永恩机电科技有限公司 | 一种陶瓷工艺品表面喷施复合铜粉末的方法 |
| CN109111243B (zh) * | 2018-09-20 | 2020-12-11 | 界首永恩机电科技有限公司 | 一种陶瓷工艺品表面喷施复合铜粉末的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62246890A (ja) | 1987-10-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |