JPH0668838B2 - 磁気デイスク - Google Patents
磁気デイスクInfo
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- JPH0668838B2 JPH0668838B2 JP60221032A JP22103285A JPH0668838B2 JP H0668838 B2 JPH0668838 B2 JP H0668838B2 JP 60221032 A JP60221032 A JP 60221032A JP 22103285 A JP22103285 A JP 22103285A JP H0668838 B2 JPH0668838 B2 JP H0668838B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
- G11B5/825—Disk carriers flexible discs
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は面内方向もしくは垂直方向の磁気記録として用
いる磁気デイスクの製造方法に関する。
いる磁気デイスクの製造方法に関する。
〔従来の技術〕 従来、磁気デイスクの1つとしてリジツド磁気デイスク
が用いられており、この磁気デイスクの基盤としては柔
軟性の少ないリジツドな材料が使用されている。
が用いられており、この磁気デイスクの基盤としては柔
軟性の少ないリジツドな材料が使用されている。
通常、リジツド磁気デイスクの基盤としては、アルミニ
ウム盤(例えばJIS A5086)が使われている。
ウム盤(例えばJIS A5086)が使われている。
このようなリジツド磁気デイスクは、一般に旋盤により
アルミニウムを施削し、ヘツドとデイスクのスペーシン
グを小さくし、高密度記録が行なえるようにデイスク表
面の研磨を行つた後に、蒸着、スピン塗布等によつて磁
性層を設けることによつて作られている。この場合、高
密度記録再生のためには、デイスクの表面粗さは平滑な
程好ましいが、中心線平均粗さRaが0.1μm以下の表面
を得ることは従来のアルミニウム基盤のデイスクでは困
難であつた。さらに基盤が柔軟性を欠くため、磁性層を
設ける際、ウエブが連続して塗布できない等の制約を受
けていた。さらに高密度記録にとつて表面に付着するご
みの影響が大きいためごみが付着せぬようデイスクを作
らねばならず、ただでさえ手間のかかる工程をより面倒
で複雑で、巨額の設備投資を必要とするものにしてい
た。
アルミニウムを施削し、ヘツドとデイスクのスペーシン
グを小さくし、高密度記録が行なえるようにデイスク表
面の研磨を行つた後に、蒸着、スピン塗布等によつて磁
性層を設けることによつて作られている。この場合、高
密度記録再生のためには、デイスクの表面粗さは平滑な
程好ましいが、中心線平均粗さRaが0.1μm以下の表面
を得ることは従来のアルミニウム基盤のデイスクでは困
難であつた。さらに基盤が柔軟性を欠くため、磁性層を
設ける際、ウエブが連続して塗布できない等の制約を受
けていた。さらに高密度記録にとつて表面に付着するご
みの影響が大きいためごみが付着せぬようデイスクを作
らねばならず、ただでさえ手間のかかる工程をより面倒
で複雑で、巨額の設備投資を必要とするものにしてい
た。
又、アルミニウムに代表されるように従来の基盤はリジ
ツドであるため柔軟性がなく、ヘツドがデイスクの磁性
層上をトレースする際非接触であらねばならず、このス
ペーシングが狭いままで一定に持続することは困難であ
り、信号のエラーを起こすことが多く、今後さらに記録
密度を上げるためヘツドとデイスク表面とのスペースを
更に小さくすることは極めて困難であつた。一方、スペ
ーシングが狭いままトレースして、たまたまヘツドがデ
イスク表面に接触するようなことが起こると基盤がリジ
ツドなため、ヘツドと磁性層の接触した表面に大きな衝
撃力が集中しやすく、表面破壊が発生し、デイスクの寿
命を短いものとしていた。
ツドであるため柔軟性がなく、ヘツドがデイスクの磁性
層上をトレースする際非接触であらねばならず、このス
ペーシングが狭いままで一定に持続することは困難であ
り、信号のエラーを起こすことが多く、今後さらに記録
密度を上げるためヘツドとデイスク表面とのスペースを
更に小さくすることは極めて困難であつた。一方、スペ
ーシングが狭いままトレースして、たまたまヘツドがデ
イスク表面に接触するようなことが起こると基盤がリジ
ツドなため、ヘツドと磁性層の接触した表面に大きな衝
撃力が集中しやすく、表面破壊が発生し、デイスクの寿
命を短いものとしていた。
さらに、上記の如き研磨したアルミニウム基盤自体が高
価であるという欠点があつた。
価であるという欠点があつた。
これに対して最近、デイスク基盤の両面に幅広で環状の
凹部を設け、一面に磁性層を有するフロツピーデイスク
又はフレキシブルデイスク(以下総称して「フレキシブ
ルデイスクシート」と称する)を磁性層を表面として基
盤の両面に貼り合わせ、フレキシブルデイスクシートと
裏面と基盤との間に間隙を持たせた磁気デイスクが提案
されている。
凹部を設け、一面に磁性層を有するフロツピーデイスク
又はフレキシブルデイスク(以下総称して「フレキシブ
ルデイスクシート」と称する)を磁性層を表面として基
盤の両面に貼り合わせ、フレキシブルデイスクシートと
裏面と基盤との間に間隙を持たせた磁気デイスクが提案
されている。
このタイプの磁気デイスクは磁気記録面が柔軟性をもつ
ため、たまたまヘツドが磁気記録面に接しても、更には
ヘツドと磁気記録面と接触させて、より高記録密度で記
録を行うようなときにも、リジツド・デイスクの場合と
異なり、磁性層の破壊がおこりにくい。このため、フレ
キシブルデイスクの技術がそのまま応用でき、表面が平
滑で且つ耐久性のある磁性層を磁気デイスク用の磁性層
として用いられるので従来のリジツド磁気デイスクの欠
点を解消できるものとして注目されている。
ため、たまたまヘツドが磁気記録面に接しても、更には
ヘツドと磁気記録面と接触させて、より高記録密度で記
録を行うようなときにも、リジツド・デイスクの場合と
異なり、磁性層の破壊がおこりにくい。このため、フレ
キシブルデイスクの技術がそのまま応用でき、表面が平
滑で且つ耐久性のある磁性層を磁気デイスク用の磁性層
として用いられるので従来のリジツド磁気デイスクの欠
点を解消できるものとして注目されている。
即ち、本発明の目的は、第1に基盤とフレキシブルデイ
スクの接着部が経時や変形により剥離しない磁気デイス
クを得ることであり、第2に瞬時接着が可能な磁気デイ
スクを得ることであり、第3にフレキシブルデイスクの
たるみのない磁気デイスクを得ることにある。
スクの接着部が経時や変形により剥離しない磁気デイス
クを得ることであり、第2に瞬時接着が可能な磁気デイ
スクを得ることであり、第3にフレキシブルデイスクの
たるみのない磁気デイスクを得ることにある。
上記の目的は以下の磁気デイスクにより達成される。
非磁性支持体の一方の面に強磁性粉末及び結合剤樹脂を
主体とする磁性層を有するフレキシブルデイスクを基盤
の少なくとも一側に該基盤と間隙を有するように貼着さ
れた磁気デイスクにおいて、接着剤として下記A群、B
群、C群及びD群の少なくとも何れか一群から選択され
る1種以上の接着剤を用いて、更に電子線照射されてい
ることを特徴とする磁気デイスク。
主体とする磁性層を有するフレキシブルデイスクを基盤
の少なくとも一側に該基盤と間隙を有するように貼着さ
れた磁気デイスクにおいて、接着剤として下記A群、B
群、C群及びD群の少なくとも何れか一群から選択され
る1種以上の接着剤を用いて、更に電子線照射されてい
ることを特徴とする磁気デイスク。
A群:ロジン系化合物、石油樹脂、テルペン樹脂、クマ
ロン樹脂及びブチルアクリレート/酢ビ共重合体の中か
ら選択される1種以上を60〜95重量%とアクリル酸エス
テル及びメタクリル酸エステルの中の少なくとも1種の
5〜40重量%からなる混合物 B群:アクリル酸とイソオクチルアクリレートとの共重
合体 C群:側鎖または主鎖末端にアクリロイル基を有するウ
レタンエラストマー及び側鎖または主鎖末端にアクリロ
イル基を有するポリエステルオリゴマーの中の少なくと
も1種 D群:側鎖または主鎖末端にアクリロイル基を有するウ
レタンエラストマー及び側鎖または主鎖末端にアクリロ
イル基を有するポリエステルオリゴマーの中の少なくと
も1種の60〜90重量%とアクリル系モノマーの少なくと
も1種の5〜20重量% 以下、本発明を詳細に説明する。
ロン樹脂及びブチルアクリレート/酢ビ共重合体の中か
ら選択される1種以上を60〜95重量%とアクリル酸エス
テル及びメタクリル酸エステルの中の少なくとも1種の
5〜40重量%からなる混合物 B群:アクリル酸とイソオクチルアクリレートとの共重
合体 C群:側鎖または主鎖末端にアクリロイル基を有するウ
レタンエラストマー及び側鎖または主鎖末端にアクリロ
イル基を有するポリエステルオリゴマーの中の少なくと
も1種 D群:側鎖または主鎖末端にアクリロイル基を有するウ
レタンエラストマー及び側鎖または主鎖末端にアクリロ
イル基を有するポリエステルオリゴマーの中の少なくと
も1種の60〜90重量%とアクリル系モノマーの少なくと
も1種の5〜20重量% 以下、本発明を詳細に説明する。
本発明で対象とする磁気デイスクは、第1図及び第2図
に断面図として例示するように基盤1の1図又は両面
(図示のものは両面に間隙3を介して支持体4と磁性層
5とよりなるフレキシブルデイスク2を貼りつけてあ
る。なお、7はデイスクを回軸させる回転軸の入る中心
孔である。
に断面図として例示するように基盤1の1図又は両面
(図示のものは両面に間隙3を介して支持体4と磁性層
5とよりなるフレキシブルデイスク2を貼りつけてあ
る。なお、7はデイスクを回軸させる回転軸の入る中心
孔である。
本発明で用いるフレキシブルデイスク2としては、いわ
ゆるフロツピーデイスクとして用いられている材料を用
いることができる。フレキシブルデイスクの支持体4と
しては、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチツク
フイルムが用いられ、2軸配向ポリエチレンテレフタレ
ートフイルム(PET)が好ましい。特に2軸配向ポリエ
チレンテレフタレートフイルムであつて、磁性層を設け
たものが、約70℃で48時間熱処理した後の収縮率が0.2
%以下で且つ縦横の収縮率の差が0.1%以下、好ましく
は0.05%以下になるようなものが好ましい。
ゆるフロツピーデイスクとして用いられている材料を用
いることができる。フレキシブルデイスクの支持体4と
しては、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチツク
フイルムが用いられ、2軸配向ポリエチレンテレフタレ
ートフイルム(PET)が好ましい。特に2軸配向ポリエ
チレンテレフタレートフイルムであつて、磁性層を設け
たものが、約70℃で48時間熱処理した後の収縮率が0.2
%以下で且つ縦横の収縮率の差が0.1%以下、好ましく
は0.05%以下になるようなものが好ましい。
また、フレキシブルデイスクの支持体としては、少くと
も磁性層を設ける側の面のRa(中心粗さ)が0.1μm以
下であることが好ましく、このような支持体を用いるこ
とによつて最終製品である磁気デイスクの記録密度を高
くすることができる。支持体に設ける磁性層5として
は、磁性酸化鉄や強磁性合金粉末をバインダー等と共に
塗布するもののみならず真空蒸着、スパツタリング、イ
オンプレーテイング等のベーパーデポジシヨン法、メツ
キ法等によつて形成したものでもよい。
も磁性層を設ける側の面のRa(中心粗さ)が0.1μm以
下であることが好ましく、このような支持体を用いるこ
とによつて最終製品である磁気デイスクの記録密度を高
くすることができる。支持体に設ける磁性層5として
は、磁性酸化鉄や強磁性合金粉末をバインダー等と共に
塗布するもののみならず真空蒸着、スパツタリング、イ
オンプレーテイング等のベーパーデポジシヨン法、メツ
キ法等によつて形成したものでもよい。
本発明に用いるデイスク基盤としては、例えば、断面形
状が第1図及び第2図に例示したものが用いられる。
状が第1図及び第2図に例示したものが用いられる。
間隙3は、ヘツドと磁性層5が接触する際、摩擦力を分
散して耐久性を強めること、および磁性層5がヘツドに
適当に接触できスペーシングも極めて狭くなり高密度記
録が可能となることの2つの目的で設けている。そのた
めに、間隙3の深さdは少くとも0.1mm以上必要であ
る。その他、間隙3があると、原因は明確でないが、磁
性層6に付着したゴミの影響も少ないようである。
散して耐久性を強めること、および磁性層5がヘツドに
適当に接触できスペーシングも極めて狭くなり高密度記
録が可能となることの2つの目的で設けている。そのた
めに、間隙3の深さdは少くとも0.1mm以上必要であ
る。その他、間隙3があると、原因は明確でないが、磁
性層6に付着したゴミの影響も少ないようである。
なお、第1図及び第2図には、内外周縁部分6が水平の
場合を示したが、傾斜していてもよい。また、基盤の内
径、外径や周縁部6の大きさは使用目的に応じて選ぶこ
とができる。
場合を示したが、傾斜していてもよい。また、基盤の内
径、外径や周縁部6の大きさは使用目的に応じて選ぶこ
とができる。
基盤の材料としてはアルミニウム、アルミニウム合金な
どの金属、ガラスもしくは合成樹脂、フイラー入りの樹
脂または、これらの組合せが用いられる。
どの金属、ガラスもしくは合成樹脂、フイラー入りの樹
脂または、これらの組合せが用いられる。
次に要求される事項としては安価なことである。本発明
で、例えば金属の代表であるアルミニウムを基盤に用い
ても、第1図からわかるように磁性層は基盤の表面粗さ
に影響されないので研磨の精度はさほど要求されず、研
磨等に要する費用は大きくなくてすむ。
で、例えば金属の代表であるアルミニウムを基盤に用い
ても、第1図からわかるように磁性層は基盤の表面粗さ
に影響されないので研磨の精度はさほど要求されず、研
磨等に要する費用は大きくなくてすむ。
ポリマー基盤は射出成型で大量に製造できるため一般に
安価である。
安価である。
さらに高温での保存によつて変形しないために、結晶性
ポリマーで耐熱性を有するか、またはガラス転位点が80
℃以上の非晶性ポリマーが好ましい。材料の具体例とし
ては、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリフ
エニレンサルフアイド、ポリサルフアイドポリイミド、
ポリサルホン、ポリアクリレート、ポリエーテルサルホ
ン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン
などがある。
ポリマーで耐熱性を有するか、またはガラス転位点が80
℃以上の非晶性ポリマーが好ましい。材料の具体例とし
ては、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリフ
エニレンサルフアイド、ポリサルフアイドポリイミド、
ポリサルホン、ポリアクリレート、ポリエーテルサルホ
ン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン
などがある。
なお、基盤の膨張係数の値を小さくするためにTiO2、Si
O2などの金属酸化物やBaSO4、ガラス繊維などを5〜35
重量%混入してもよい。
O2などの金属酸化物やBaSO4、ガラス繊維などを5〜35
重量%混入してもよい。
本発明における基盤の厚さは1〜5mm、貼りつけるフレ
キシブルデイスクの厚さは10〜100μmが一般的であ
り、磁気デイスクの寸法安定性は基盤のそれに支配され
るので、基盤としては寸法安定性のよいものを選ぶこと
が好ましい。
キシブルデイスクの厚さは10〜100μmが一般的であ
り、磁気デイスクの寸法安定性は基盤のそれに支配され
るので、基盤としては寸法安定性のよいものを選ぶこと
が好ましい。
磁気ヘツドのアームの材質は普通アルミニウムが使われ
るので、基盤の熱膨張係数は、アルミニウムの値(2.4
×10-5/℃)に近く、かつ吸湿膨張係数は小さい程よ
い。
るので、基盤の熱膨張係数は、アルミニウムの値(2.4
×10-5/℃)に近く、かつ吸湿膨張係数は小さい程よ
い。
前述の基盤に、フレキシブルデイスクを接着せしめるの
であるが、アクリル系接着剤としては、 ロジン、重合ロジン、水添ロジン、ロジンエステル
等の天然樹脂及びその変性品、脂肪族、脂環族、石油樹
脂及テルペン樹脂、テルペン、フエノール樹脂、クマロ
ン樹脂、ブチルアクリレート/酢ビ共重合体、エチレン
/酢ビ共重合体などの粘着付与樹脂1種以上60〜95wt%
とアクリル酸、メタアクリル酸、メチルアクリレート、
ブチルアクリレート、エチルメタアクリレート、テトラ
ヒドロフルフリルアクリレート、エチレングリコールメ
タクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、
トリエチレングリコールジアクリレートなどのアクリル
酸エステル、メタアクリル酸エステルなどのアクリル系
モノマー1種以上(5〜40wt%)との混合物。
であるが、アクリル系接着剤としては、 ロジン、重合ロジン、水添ロジン、ロジンエステル
等の天然樹脂及びその変性品、脂肪族、脂環族、石油樹
脂及テルペン樹脂、テルペン、フエノール樹脂、クマロ
ン樹脂、ブチルアクリレート/酢ビ共重合体、エチレン
/酢ビ共重合体などの粘着付与樹脂1種以上60〜95wt%
とアクリル酸、メタアクリル酸、メチルアクリレート、
ブチルアクリレート、エチルメタアクリレート、テトラ
ヒドロフルフリルアクリレート、エチレングリコールメ
タクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、
トリエチレングリコールジアクリレートなどのアクリル
酸エステル、メタアクリル酸エステルなどのアクリル系
モノマー1種以上(5〜40wt%)との混合物。
アクリル酸、イソオクチルアクリレート等の共重合
成物(重合率を約10%で中止したシロツプ)。
成物(重合率を約10%で中止したシロツプ)。
側鎖及びもしくは主鎖末端にアクリロイル基を有す
るウレタンエラストマー、ポリエステルオリゴマー。
るウレタンエラストマー、ポリエステルオリゴマー。
上記60〜90%にアクリル系モノマー5×20wt%、
粘着付与樹脂0〜30%あるいは軟化剤0〜20%を加えた
組成物ゴム系接着剤としては、ポリブタジエン、アクリ
ロニトリルブタジエン共重合体、天然ゴム、スチレンブ
タジエンゴムなどのゴム系樹脂1種以上とフエノールテ
ルペン、水素化ロジン等の粘着付与樹脂1種以上及びア
クリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル
などのアクリルモノマーあるいは酢酸ビニルなどのビニ
ルモノマー1種以上混合溶解した組成物などを用いるこ
とができる。これらの接着剤系には必要に応じて可塑
剤、充填剤などを配合してもよい。
粘着付与樹脂0〜30%あるいは軟化剤0〜20%を加えた
組成物ゴム系接着剤としては、ポリブタジエン、アクリ
ロニトリルブタジエン共重合体、天然ゴム、スチレンブ
タジエンゴムなどのゴム系樹脂1種以上とフエノールテ
ルペン、水素化ロジン等の粘着付与樹脂1種以上及びア
クリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル
などのアクリルモノマーあるいは酢酸ビニルなどのビニ
ルモノマー1種以上混合溶解した組成物などを用いるこ
とができる。これらの接着剤系には必要に応じて可塑
剤、充填剤などを配合してもよい。
接着効果を高めるため、基盤に溝若しくは穴を設けても
よい。接着層の厚みは1〜100μm、好ましくは3〜20
μmである。
よい。接着層の厚みは1〜100μm、好ましくは3〜20
μmである。
また、接着の際、接着をさせる面の一方もしくは両方
に、接着を容易にするためコロナ放電、グロー放電、火
焔処理などの物理的表面処理を行つてもよい。
に、接着を容易にするためコロナ放電、グロー放電、火
焔処理などの物理的表面処理を行つてもよい。
これらの接着剤を基盤の縁部(内周及外周)及びもしく
はフレキシブルデイスクに塗設したのち基盤にフレキシ
ブルデイスクを接着し、放射線照射する。
はフレキシブルデイスクに塗設したのち基盤にフレキシ
ブルデイスクを接着し、放射線照射する。
本発明の照射する放射線としては、電子線、γ線、β線
などを使用できるが、好ましくは電子線である。電子線
照射機としては走査型、非走査型のいずれでも採用でき
る。電子線としては、加速電圧が100〜1000kV、好まし
くは150〜300kVであり、吸収線量として0.1〜20Mrad、
好ましくは0.5から15Mradである。加速電圧が100kV以下
の場合は、エネルギーの透過量が不足し、1000kVを越え
ると重合に使われるエネルギー効率が低下し経済的で無
い。吸収線量として、0.1Mrad以下では硬化反応が不十
分で磁性層強度が得られず、20Mrad以上になると、硬化
に使用されるエネルギー効率が低下したり、被照射体が
発熱し、特にフレキシブルデイスクのプラステイツク支
持体が変形するので好ましくない。
などを使用できるが、好ましくは電子線である。電子線
照射機としては走査型、非走査型のいずれでも採用でき
る。電子線としては、加速電圧が100〜1000kV、好まし
くは150〜300kVであり、吸収線量として0.1〜20Mrad、
好ましくは0.5から15Mradである。加速電圧が100kV以下
の場合は、エネルギーの透過量が不足し、1000kVを越え
ると重合に使われるエネルギー効率が低下し経済的で無
い。吸収線量として、0.1Mrad以下では硬化反応が不十
分で磁性層強度が得られず、20Mrad以上になると、硬化
に使用されるエネルギー効率が低下したり、被照射体が
発熱し、特にフレキシブルデイスクのプラステイツク支
持体が変形するので好ましくない。
接着させたのちフレキシブルデイスクの支持体の異方性
を取り除くために熱処理を施すことも可能である。
を取り除くために熱処理を施すことも可能である。
熱処理の温度として好ましくはフレキシブルデイスクの
支持体のガラス転移点以上120℃以下であり、時間とし
ては温度に応じて24時間から3秒位で設定すればよい。
熱処理後は室温迄冷却する。
支持体のガラス転移点以上120℃以下であり、時間とし
ては温度に応じて24時間から3秒位で設定すればよい。
熱処理後は室温迄冷却する。
以下、実施例によつて本発明を具体的に説明するが、本
発明の範囲を限定するものではない。
発明の範囲を限定するものではない。
実施例 〔フレキシブルデイスクの調製〕 厚さ35μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフイ
ルム支持体の片面に次の組成を有する磁性液を乾燥及び
カレンダー後の磁性層の厚さが1.5μmになるように塗
布、乾燥、カレンダー処理し、磁性層を設け、ドーナツ
状シートに打抜きフレキシブルシートを作つた。
ルム支持体の片面に次の組成を有する磁性液を乾燥及び
カレンダー後の磁性層の厚さが1.5μmになるように塗
布、乾燥、カレンダー処理し、磁性層を設け、ドーナツ
状シートに打抜きフレキシブルシートを作つた。
磁性液I γ−Fe2O3 300重量部 PVC−Ac(塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体)(VYHH U
CC社製) 40重量部 エポキシ樹脂(エピコート1001 シエル化学社製)40重
量部 ポリアミド(バーサミド115 GM社製) 20重量部 メチルイソブチルケトン/キシロール(2/1) 800重
量部 〔基盤の調製〕 一方、ポリエーテルイミドにガラス繊維を30%含有せし
めた基盤を射出成型により形成した。
CC社製) 40重量部 エポキシ樹脂(エピコート1001 シエル化学社製)40重
量部 ポリアミド(バーサミド115 GM社製) 20重量部 メチルイソブチルケトン/キシロール(2/1) 800重
量部 〔基盤の調製〕 一方、ポリエーテルイミドにガラス繊維を30%含有せし
めた基盤を射出成型により形成した。
基盤の形状は第1図に示すとおりであり、デイスク基盤
の外径及び内径は夫々130mm及び40mmの貼りつける部分
6の長さは2mmであつた。また基盤の厚さは2mm、間隙3
の深さdは0.25mmであつた。
の外径及び内径は夫々130mm及び40mmの貼りつける部分
6の長さは2mmであつた。また基盤の厚さは2mm、間隙3
の深さdは0.25mmであつた。
上記フレキシブルデイスクと基盤を用いて以下の接着剤
で接着し:評価結果を第1表にまとめた。
で接着し:評価結果を第1表にまとめた。
実施例1 水添ロジン 75部 アクリル酸 20部 エチレングリコールジアクリレート 5部 基盤縁部に膜厚10μmとなるよう塗布しフレキシブルデ
イスクをのせて、165kV10Mradで照射した。
イスクをのせて、165kV10Mradで照射した。
実施例2 アクリル酸30部、イソオクチルアクリレート70部の共重
合シロツプ(重合率を10%にした)実施例1と同様にし
て磁気デイスクを得た。
合シロツプ(重合率を10%にした)実施例1と同様にし
て磁気デイスクを得た。
実施例3 ポリウレタンアクリレートエラストマー(東亜合成
(株)製Aronix1100) 70部 アクリル酸 10部 テルペン樹脂 20部 実施例1と同じようにして磁気デイスクを得た。
(株)製Aronix1100) 70部 アクリル酸 10部 テルペン樹脂 20部 実施例1と同じようにして磁気デイスクを得た。
実施例4 アクリロニトリルブタジエン共重合体(日本ゼオン
(株)製ニポール1432J) 70部 ブチルアクリレート 20部 酢酸ビニル 10部 実施例1と同じようにして磁気デイスクを得た。
(株)製ニポール1432J) 70部 ブチルアクリレート 20部 酢酸ビニル 10部 実施例1と同じようにして磁気デイスクを得た。
比較例1(熱硬化エポキシ樹脂) エポキシ樹脂 エピコート828(シエル(株)製) 100部 トリエチルアミン 5部 約10μm厚となるように基盤縁部に塗布しその上にフレ
キシブルデイスクをのせ60℃で5hr放置した。
キシブルデイスクをのせ60℃で5hr放置した。
比較例2(溶剤系) スチレンブタジエン共重合体 100部 メチルエチルケトン 300部 乾燥膜厚で10μmとなるように基盤像部に塗布し100℃
で10秒乾燥させたのちフレキシブルデイスクをのせ60℃
で5hr放置した。
で10秒乾燥させたのちフレキシブルデイスクをのせ60℃
で5hr放置した。
接着テスト方法 磁気デイスクのフレキシブルデイスクにマイラーテープ
を貼り180℃剥離を行つた。これを50回くり返し縁部の
はがれ状態を観察した。
を貼り180℃剥離を行つた。これを50回くり返し縁部の
はがれ状態を観察した。
〔発明の効果〕 本発明の磁気デイスクは基盤とフレキシブルデイスクと
の接着に要する時間が短かくしかも接着性良好である。
の接着に要する時間が短かくしかも接着性良好である。
第1図は本発明で対象としているタイプの磁気デイスク
の断面図であり、第2図は縁部の拡大である。
の断面図であり、第2図は縁部の拡大である。
Claims (1)
- 【請求項1】非磁性支持体の一方の面に強磁性粉末及び
結合剤樹脂を主体とする磁性層を有するフレキシブルデ
イスクを基盤の少なくとも一側に該基盤と間隙を有する
ように貼着された磁気デイスクにおいて、接着剤として
下記A群、B群、C群及びD群の少なくとも何れか一群
から選択される1種以上の接着剤を用いて、さらに電子
線照射されていることを特徴とする磁気デイスク。 A群:ロジン系化合物、石油樹脂、テルペン樹脂、クマ
ロン樹脂及びブチルアクリレート/酢ビ共重合体、エチ
レン/酢ビ共重合体の中から選択される1種以上の粘着
付与樹脂60〜95重量%とアクリル酸エステル及びメタク
リル酸エステルの中の少なくとも1種の5〜40重量%か
らなる混合物 B群:アクリル酸とイソオクチルアクリレートとの共重
合体 C群:側鎖または主鎖末端にアクリロイル基を有するウ
レタンエラストマー及び側鎖または主鎖末端にアクリロ
イル基を有するポリエステルオリゴマーの中の少なくと
も1種 D群:側鎖または主鎖末端にアクリロイル基を有するウ
レタンエラストマー及び側鎖または主鎖末端にアクリロ
イル基を有するポリエステルオリゴマーの中の少なくと
も1種の60〜90重量%とアクリル系モノマーの少なくと
も1種の5〜20重量%
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60221032A JPH0668838B2 (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 磁気デイスク |
US06/914,958 US4952435A (en) | 1985-10-03 | 1986-10-03 | Adhesive for a base-mounted flexible magnetic disc |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60221032A JPH0668838B2 (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 磁気デイスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6280829A JPS6280829A (ja) | 1987-04-14 |
JPH0668838B2 true JPH0668838B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=16760413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60221032A Expired - Fee Related JPH0668838B2 (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 磁気デイスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0668838B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4631609A (en) * | 1984-02-16 | 1986-12-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Stretched surface recording disk substrate |
JPS60185234A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-20 | Ricoh Co Ltd | 情報記録媒体 |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP60221032A patent/JPH0668838B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6280829A (ja) | 1987-04-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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