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JPH0666241B2 - 位置検出方法 - Google Patents

位置検出方法

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Publication number
JPH0666241B2
JPH0666241B2 JP60226999A JP22699985A JPH0666241B2 JP H0666241 B2 JPH0666241 B2 JP H0666241B2 JP 60226999 A JP60226999 A JP 60226999A JP 22699985 A JP22699985 A JP 22699985A JP H0666241 B2 JPH0666241 B2 JP H0666241B2
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JP
Japan
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alignment
mask
pattern
wafer
alignment pattern
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Expired - Lifetime
Application number
JP60226999A
Other languages
English (en)
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JPS6286819A (ja
Inventor
晃 稲垣
行雄 見坊
隆一 船津
朝宏 久迩
啓一 岡本
義弘 米山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60226999A priority Critical patent/JPH0666241B2/ja
Priority to EP86114040A priority patent/EP0220571B1/en
Priority to DE8686114040T priority patent/DE3672027D1/de
Priority to KR8608555A priority patent/KR900002083B1/ko
Priority to US06/918,004 priority patent/US4777641A/en
Publication of JPS6286819A publication Critical patent/JPS6286819A/ja
Publication of JPH0666241B2 publication Critical patent/JPH0666241B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は互いに近接して重畳する複数個の物体たとえば
マスクと半導体のウエハとのプロキシミテイアライナの
アライメント位置検出方法、とくにマスクのアライメン
トマークより両者の位置ズレ量を検出し、露光するアラ
イメントに好適なアライメント方法を含む位置検出方法
に関するものである。
〔発明の背景〕 現在のLSIにおいては、その線幅が1μm以下になろう
としている中で、代表的なプロキシミテイアライナにお
いてはその線幅が0.8μm以下を対象している。そのた
め、アライメント精度も0.3μm以下が必要となつてき
ている。
アライメント検出を実現する方法としては、アライメン
トパターンを拡大検出する方法、レーザを走査する方
法、および回析格子による位置拡大方法等があるが、本
発明においては、アライメントパターンを拡大検出する
方法に関するものである。
而して上記のアライメントパターンを拡大検出する方法
は、マスクとウエハのアライメントパターンとを対物レ
ンズにより拡大検出し、これを撮像素子上に結像して処
号処理によりアライメントを行なつている。そのためこ
の方法による場合は、前記に述べたアライメント精度0.
3μm以下には、アライメント検出精度の他にアライナ
の機械誤差およびマスク・ウエハ自身の寸法誤差等を含
んでいるので、アライメント検出精度そのものは0.1μ
m以下の高精度が必要である。
そこで、従来はたとえば、特公昭57−42971号公報に記
載されているように焦点深度の浅い対物レンズを使用
し、これによつてレンズの口径を大きくし、より多くの
光量をとつてコントラストの悪いパターンを撮像可能に
するものが発明されている。
然るに上記のように焦点深度の浅い対物レンズを使用し
た場合には、高精度なパターン像を得ようとすると、レ
ンズの倍率が40〜60倍,NAも0.5以上になり、かつ口径も
大きくなつて作動距離も小さいので、アライメントパタ
ーンが露光領域内にあるときには対物レンズが露光用X
線と干渉する恐れがある。
そのため、露光の度毎に対物レンズセツトを退避する必
要があつて、高スループツトを妨げたり、露光しながら
検出するのが不可能になる。
また従来の自動アライメント方法としてたとえば特開昭
57−64913号公報に記載されている如く、複数の平行線
よりなるマスク用ターゲツトと、ウエハに設けた複数の
平行線よりなるウエハ用ターゲツトとの間隔を非掛数倍
にし、両ターゲツトを重ね合せてマスクとウエハとの位
置合せを行なうさいにたとえマスク用の1本のターゲツ
トがウエハ用の1本のターゲツトに重なつたとしても両
ターゲツトの間隔が同一にならないので、マスク用ター
ゲツトとウエハ用ターゲツトとの判別ができ、これによ
つてマスクとウエハとの位置検出を行なうものが提案さ
れている。
しかるに上記の提案はマスクのアライメントパターンの
形状またはアライメント方法によりマスクとウエハとの
位置を検出するものであつて、その位置の検出精度を向
上させようとするものではない。
すなわち、マスクとウエハとが近接した場合には、マス
クのアライメントパターンの影がウエハ面上に発生して
この影の像がマスクアライメントパターンを取込むさい
に同時に取込んでしまうことになる。
そのため、 (i)マスクとウエハとが互いに平行でなく傾斜してい
る場合にはその傾斜角度によりウエハ上に発生するマス
クのアライメントパターンの影が変化するので、マスク
のアライメントパターンに対して影が対称にならない。
(II)照明光軸とマスクおよびウエハとにねじれが発生
した場合でも上記()と同様な現象が発生する。
ので、前記の如く検出精度が0.1μm以下の高精度が要
求される場合には、この影の影響が大きな問題になる。
しかるに上記の提案には、この点の対策について何等記
載されていないからである。
〔発明の目的〕
本発明は前記従来の問題点を解決し、高精度,高スルー
プツトを可能とするプロキシミテイアライナのアライメ
ント位置検出方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は前記の目的を達成するため発明したもので、先
づ前記分解能の小さなレンズについて検討すると、レー
リーの式よりNAとレンズの性能とはつぎのごとくにな
る。
ただしλは使用する波長である。
またNAが少ないほど作動距離が大きくなり、今NAが0.25
と、0.5との場合について上記式(1)(2)を計算す
ると、表1の如くになる。
上記第1表および式(1),(2)より明らかな如く、
解像度は低下するが、集点深度および作動距離等の設計
的要因の向上が大きい。
そこで、本発明はNAの小さい対物レンズにより拡大光学
系を使用している。
上記のように対物レンズは作動距離が長くなり、かつ集
点深度も深いので、露光領域または近くのパターン検出
においても露光光と干渉しないように斜方向に傾斜して
アライメントパターンの検出が可能になる。ただし位置
の検出方向は、1光軸について1方向(ウエハおよびマ
スク面上で検出光軸と直角な方向)のみなので、たとえ
ば3自由度検出(X.Y.θ)に対しては3光軸が必要であ
る。
また照明光をマスクのアライメント面と直角な方向から
照明光を入射した場合にはマスクのアライメントパター
ン全体にその影が重合するが、前記のように照明光をマ
スクのアライメント面と直角な方向の面に対して所定の
角度傾斜して入射した場合にはマスクのアライメントパ
ターンから入射方向の反射方向に影の位置がズレて発生
する。そこで本発明は影のないマスクのアライメントパ
ターンのみを利用して高精度のマスクのアライメント位
置検出を行なうものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を示す図面について説明する。第
1図(A)は本発明によるマスクアライメント装置の概
略構成を示す正面図、第1図(B)は第1図(A)の平
面図である。
同図において、1はウエハにして、上面にウエハパター
ン(図面せず)を形成している。3は透明な板からなる
マスクにして、上記ウエハ1とたとえば10μmの間隙量
2をもつて平行に配置し、その上面のチツプ5内のスト
リート6上にアライメントパターン7を3個形成し、そ
の下面の上記ウエハパターンに対応する位置にマスクパ
ターン(図示せず)を形成している。4は露光用X線に
して、上記マスク3の上方の図示しない位置に設けたX
線源から放射され、上記マスクパターンをウエハ1上に
たとえば30mm角の大きさをもつて焼付ける如くしてい
る、は3組(図示では1組)の照明光学系にして、夫
々光源9より白色の照明光をフアイバ10a,レンズ11,フ
イルタ10b,絞り12a,12b,レンズ13を介して上記アライメ
ント方向(Y矢視方向)に対して直角な面すなわち鉛直
線15に対して角度θを20゜にて傾斜する照明光軸16上の
上記露光用X線4の外方位置に配置されたミラー14が照
明光をウエハアライメントパターンおよびマスクアライ
メントパターンを照明する如くしている。20は3組(図
では1組)の検出光学系にして、夫々対物レンズ21,ミ
ラー22,結像レンズ23,TVカメラ25,モニタTV26,および処
理回路27から形成されている。上記対物レンズ21は上記
鉛直線15に対して上記照明光軸16と同一角度θ=20゜に
て傾斜する検出光軸28の上記露光用X線4の外方位置に
配置され、第2図(A)にウエハ1のウエハアライメン
トパターン18およびマスク3のマスクアライメントパタ
ーン19の検出部切断面を示す如く、上記鉛直線15上のウ
エハアライメントパターン18およびマスクアライメント
パターン19の中心位置Oをとおる上記検出光軸28と直角
な面を架空焦点面29とすると、この架空焦点面29と、ウ
エハアライメントパターン18およびマスクアライメント
パターン19との交点MF,WF間が焦点範囲Lとなり、モニ
タTV25に映像される画像が第2図(B)に示す如く、幅
方向中心位置のマスクパターン19では図の左側の交点MF
において最も焦点が合つておりこれより両側の長手方向
に行くに伴なつて焦点が外れる如く形成され、その両側
の2個のウエハパターン18では図の右側交点WFにおいて
最も焦点が合いこれより両側の長手方向に行くに伴なつ
て焦点が外れる如く形成される。上記両交点MFおよびWF
の範囲Lは前記第1表の結果から計算すると、視野にし
て26.3μmになる。このように合焦点範囲Lを大きくす
ることができるのは対物レンズ21のNAを小さくしたから
である。上記処理回路27は第3図にその回路図を示す如
きもので、30はサンプル・ホールド回路にして、上記TV
カメラ25より第4図(A)に示す如き映像信号31が入力
されたとき、第4図(B)に示す如くサンプリング位置
x1,x2,…xで一定間隔毎にサンプリングしてその値
y1,y2,…yをホールドする如くしている。32はサンプ
リング信号発生器にして、上記サンプル・ホールド発生
回路30をサンプリングさせる信号を発生する如くしてい
る。33はA/D変換器にして、上記サンプル・ホールド
回路30によりホールドされているアナログ信号をデイジ
タル信号に変換する如くしている。34はメモリにして、
上記A/D変換器33から出力されたデイジタル信号y1,y
2,…yを一時的に記憶する如くしている。35は演算回
路にして、第4図(B)に示す如くxを対称折返し点
とし、この点xを中心にして±jサンプリング位置に
着目してつぎの(3)式で示す対称性関係Z(x
を求める如くしている。
ただしmは着目しているウエハ1上の位置合せ用パター
ンの大きさを考えて最適に定められる値でたとえば第4
図(B)に示す如く定める。また上記演算回路35は上記
対称折返し点xを順次x1,x2,…xと変えて第4図
(C)に示す如く対称性関数Z(x)を求め、この
値の最少値を示す対称折返し点x0を求める如くしてい
る。したがつて、上記処理回路27は、上記TVカメラ25が
第2図(B)に示す如き映像を第4図(A)に示す映像
信号31に変換し、この映像信号31をサンプル・ホールド
回路30で一定間隔毎にサンプリングしてホールドし、こ
のホールドされた信号y1,y2,…yをA/D変換器33で
デイジタル信号y1,y2,…yに変換し、このデイジタル
信号y1,y2,…yを演算回路35で、第4図(B)に示す
如く対称折返し点xを中心として±jサンプリング位
置に着目して上記(3)式で示される上記対称折返し点
を順次x1,x2,…xと換えて対称性関数Z
(x)を求め、第4図(C)に示す如く求められた
(x)の最少値を示す折返し点x0を求める。この
対称折返し点x0は最も折返しパターンマツチングの良好
な位置であり、位置合せ用パターンの真の位置を示して
いる。また、本発明においては第2図よりマスクアライ
メントパターン19およびウエハアライメントパターン18
に同時に焦点を合致させることができるので、二重焦点
を単一光学系を使用して実現することができる。つぎに
第5図は本発明の実施例を示す複数物体の相対検出装置
を示す斜視図である。同図に示す如くベース36上にX軸
駆動モータ37によつてX矢印方向に移動自在に支持され
たXテーブル38を設け、このXテーブル38上にY軸駆動
モータ39によつてY矢印方向に移動自在に支持されたY
テーブル40を設け、このYテーブル40上に第1図に示す
ウエハ1が搭載支持されている。また複数個の脚41によ
り上記ウエハ1の上方位置に固定された支持台42を設
け、この支持台42の上記ウエハ1の上方位置に固定され
た上記マスク3を設け、かつ上記支持台42上の上記マス
ク3の周囲に放射状に上記3組の照明光学系および3
組の検出光学系20とを設け、上記3組の照明光学系
夫々フイアバ10aを介して接続する如く上記支持台42と
は別の位置に支持されたXeランプハウス43を設けてい
る。上記の構成であるから、Xeランプハウス43より3個
のフアイバ10aを介して3組の照明光学系が同時にマ
スク3およびウエハ1を照射し、かつ3組の検出光学系
20が同時に駆動してウエハ1と、マスク3とのX,Y,θ方
向のアライメント誤差量を同時に検出し、このアライメ
ント誤差量に相当する量に対称して上記Xテーブル38お
よびYテーブル40を移動してウエハ1と、マスク3との
アライメントを行なう。つぎに第6図は第5図に示す照
明光学系および検出光学系20を拡大して示す斜視図で
ある。同図に示す如く、照明光学系および検出光学系
20は同一のテーブル44上に搭載支持され、このテーブル
44は第5図に示す如く駆動モータ45により上記マスク3
の半径方向に移動自在に台46上に支持されこの台46は第
5図に示す支持台42上に固定支持されている。上記の構
成であるから、照明光学系および検出光学系20が同時
にマスク3に対して半径方向に移動することができる。
したがつてマスク3上のチツプ5内に形成されたストリ
ート6上に存在する多工程のためのアライメントパター
ン47に工程に応じて位置合せすることができ、かつこの
工程に応じた位置合せをたとえ上記チツプ5の大きさが
変化しても行なうことができる。第7図(A)乃至
(E)は検出パターンの実施例を示す。
同図(A)乃至(E)に示す如く、各マスクの検出パタ
ーン19a〜19eはつぎに述べる理由から間隔49をおいて複
数個の検出パターン片50から形成されている。
すなわち、第8図(A)に示す如く、ウエハ1とマスク
3とをたとえば10μmの間隙2をもつて平行に配置し、
これらウエハ1およびマスク3のアライメント面に対し
て直角な鉛直線15と、角度θをもつて傾斜する光軸13で
照明光を上記マスク3の下面のマスクパターン19を照射
すると、第8図(B)に示す如く、ウエハ1上に上記マ
スクパターン19の影51が発生するので、これを対物レン
ズ21を介してTVカメラ25に取込んだとき、上記影51がマ
スクパターン19の一部を囲むように形成され、この状態
で前記第3図に示す処理回路27により前記第4図(C)
に示す如く位置合せ用パターンの中心位置を求めること
になる。
そのため、第8図(B)に示すマスクパターン19の像か
ら前記第4図(A)に示すす如くTVカメラ25より映像信
号31を得るさいに、第9図(A)(B)に示す如くTVカ
メラ25の走査1ラインに相当する信号では、マスクパタ
ーン19の歪または信号のノイズなどにより求めた第9図
(C)に示す信号から高精度な位置情報を得ることがで
きない場合が多い。
そこで上記TVカメラ25の走査1ライン上のマスクパター
ン19の像を光学的もしくは信号処理により圧縮して上記
影の像による問題を解決しようと試みた。すなわちたと
えば第10図(A)に示す如くラスタ位置Cからm個のラ
スタ位置dまでの間をTVカメラ25が走査しながら各走査
ライン上のマスクパターン19の像を撮像して映像信号に
変換し前記第3図に示す処理回路27のサンプル・ホール
ド回路30により一定間隔毎にサンプリングしてその値
y1,y2,…yをホールドし、これをA/D変換器18でア
ナログ信号をデイジタル信号に変換したのち、デイジタ
ル信号をメモリ34で一時的に記憶し、演算回路35で第10
図(B)に示す如くデイジタル信号の和をとり、第10図
(C)に示す如く平均してその信号により最少値を示す
対称性折返し点を求めるものである。
しかるに上記の方法では第10図(A)から明らかな如く
TVカメラ25がm個のラスタ位置間を走査する過程でマス
クパターン19の像と同時に影の像51を撮像するためマス
クパターン19の位置を検出する精度が低下する。
そこで、本発明は第11図(A)に示す如くマスクパター
ン19をその像19′と影の像51とが交互に配置される如く
影の像51の大きさに相当する間隔49を有する複数個のマ
スクパターン片50を直線状に形成し、これによつて各マ
スクパターン片50の像に影の像51が取込まれないように
したものである。
したがつて前記第10図で述べたと同様な方法により第11
図(B)に示す如く信号の和をとり、第11図(C)に示
す如く平均してその信号を演算回路35で折返し点を求め
るさい、アライメントパターン19の位置を高精度に検出
することができるからである。なお、説明の都合上第1
図乃至第6図はアライメントパターンの形状を直線状に
形成している。
前記第7図(A)は光軸面48上にこれと平行に点線状を
したマスクアライメントパターン19aおよびこれの両側
に対称的に直線状をした2個のウエハアライメントパタ
ーン18aを配置した場合であり、同図(B)は光軸面48
上にこれと平行に点線状をしたマスクアライメントパタ
ーン19bおよびこれの両側に対称的に直線状をし、同一
間隔量で2個のウエハアライメントパターン18bと、3
個のマスクアライメントパターン19bとを交互に配置し
た場合であり、同図(C)は光軸面48上にこれと平行に
直線状をしたウエハアライメントパターン18cおよびこ
れの両側に対称的に直線状をした2個のウエハアライメ
ントパターン18cと、これら3個のウエハアライメント
パターン18cの中心部に上記光軸面48の長手方向の大き
さを小さく形成した3点の点線状をしたマスクアライメ
ントパターン19cとを配置した場合であり、同図(D)
は光軸面48上にこれと平行に直線状をしたウエハアライ
メントパターン18dと、点線状をしたマスクアライメン
トパターン19dを配置した場合であり、同図(E)は光
軸面48上にこれと平行に点線状をしたマスクアライメン
トパターン19eと、このマスクアライメントパターン19e
の両端側に上記光軸面48に対して対称的に傾斜している
直線状をした2個のウエハアライメントパターン18eを
配置した場合である。これらの図から明らかな如く、本
発明において、光軸面48に平行な面(同図紙面に対して
直角な面)に対して対称ならばアライメントを検出する
ことができる。また光軸面48は同図内で平行に移動して
もよい。何故ならば、上記以外の方向の面の場合には、
前記に述べた如く本発明においてはアライメント面に対
して斜方向に傾斜した方向から検出するため、光軸面46
に平行な面以外は非対称性が発生して高精度のアライメ
ント検出を行なうことができないからである。また第12
図(A)〜(C)は中央に1個のマスクアライメントパ
ターン19jおよびこれの両側に対象的に配置した2個の
ウエハアライメントパターン18iからなる3組のアライ
メントパターン49a,49b,49cの検出方向を示す図であ
る。すなわち同図(A)は、ウエハ1およびマスク3の
中心点O1に対して、1組のアライメントパターン49aを
Y方向の中心線O2上にX方向にマスクアライメントパタ
ーン19jと2個のウエハアライメントパターン18iとが配
列される如く配置し、他の2組のアライメントパターン
49b,49cを夫々X方向の中心線O3上に中心点O1に対して
同一距離離れた位置でY方向に1個マスクアライメント
パターン19jおよび2個のウエハアライメントパターン1
8iが配列される如く配置した場合であり、同図(B)は
ウエハ1およびマスク3の中心点O1をとおるX方向中心
線O3とY方向中心線O2とによつて仕切られた4個の面H,
I,J,Kの中3個の面I,J,Kに夫々アライメントパターン49
a,49b,49cに配置し、I,J面に配置されたアライメントパ
ターン49a,49bをX方向に1個のマスクアライメントパ
ターン19iと、2個のウエハアライメントパターン18iと
を配列し、K面に配置された1個のアライメントパター
ン49cをY方向に1個のマスクアライメントパターン19i
と、2個のウエハアライメントパターン18iとを配列し
た場合であり、同図(C)は、中心点O1を中心にして放
射状に3個のアライメントパターン49a,49b,49cを配置
し、その中1個のアライメントパターン49aをY方向に
1個のマスクアライメントパターン19iと、2個のウエ
ハアライメントパターン18iとを配列し、残り2個のア
ライメントパターン49b,49cを夫々斜方向に1個のマス
クアライメントパターン19iと、2個のウエハアライメ
ントパターン18iとを配列した場合である。要すれば、
3組のアライメントパターンにより3自由度の検出値が
得られれば良い。さらに各照明光学系の光軸が検出光学
系の光軸と対象的に配置されている場合には、暗視野で
も、対物レンズからの照明でも、あるいはこれらの複合
であつても行なうことができる。また上記実施例におい
ては、露光光としてX線を使用しているが、これに限定
されるものでなく粒子線あるいは白色光を使用すること
ができる。またアライメントパターンはアライメントパ
ターンを用としてとくに設置する必要がなく、ウエハお
よびマスクに近傍位置にできる像であればそれを使用す
ることができる。対物レンズは設計上NA0.4以下が望ま
しく、また検出光軸の傾斜角度は70゜以下を使用するこ
とが望ましい。
〔発明の効果〕
本発明は以上述べたる如くであるから、つぎに述べる如
き効果を有する。
(1)露光領域またはその付近のアライメントパターン
を検出する場合 (i)従来のように各露光領域をアライメントする度毎
に光学系を移動させるものにおいては、移動精度にサブ
μmオーダが必要であり、かつマスク面と、露光源との
間の限られたスペースを移動させるために最低2秒程度
必要であるから、セツト,退避で約4秒必要となる。露
光時間,検出,位置合せ、移動に約4秒かかるのを各ウ
エハ毎に繰返し行なうため、相当な時間が必要となる。
これに対して本発明は光学系を移動させる必要がないの
で、スループツトを向上することができる。
(ii)アライメントして直ちに露光または露光中にアラ
イメントを行なうことができるので、アライメント終了
から露光までの時間遅れ(約2秒)による、精度低下
(約0.05μm)を防止することができる。
(iii)従来のように露光領域毎に光学系を移動させる
ためには、移動させるための機構が必要になつて構成が
複雑になりかつ、移動に伴なつて光学系の各部品たとえ
ばレンズ系が移動して精度が低下する。これに対して本
発明は光学系を移動させないので、構成が簡単になり、
かつ精度を向上することができる。
(2)露光領域から離れたアライメントパターンを検出
する場合、 (i)露光領域と、検出位置とを同一または近い位置に
することができるので、マスク,ウエハの場所による寸
法誤差(〜0.05μm)によるアライメント誤差を防止す
ることができる。
(ii)ウエハ周辺のチツプ取得率を向上することができ
る。
(3)複数個の物体のアライメント面と直角な方向の面
に対して所定の角度をもつて傾斜しているアライメント
パターン光学系によりアライメントパターン位置よりズ
レした位置にアライメントパターンの影が発生するので
これを利用して影の影響を受けないアライメントパター
ンから複数個の物体のアライメント位置を検出するの
で、高精度の位置検出ができ、これによりたとえば半導
体回路の合せ精度向上,高集積化,歩留り向上などの効
果がある。
(4)上記(1)乃至(3)により構成が簡単でかつ高
精度の位置検出を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)は本発明の実施例を示すマスクアライメン
ト装置の概略構成を示す正面図、第1図(B)は第1図
(A)の平面図、第2図(A)はウエハアライメントパ
ターンおよびマスクアライメントパターンの検出部切断
面を示す図、第2図(B)はウエハアライメントパター
ンおよびマスクアライメントパターンの検出像を示す
図、第3図は第1図(A)に示す処理回路のブロツク
図、第4図(A)はTVカメラで得られた映像信号波形を
示す図、第4図(B)はサンプル・ホールド回路によつ
てサンプル・ホールドされる状態を示す図、第4図
(C)は演算回路によつて求められた対称関数の値を示
す図、第5図は本発明を適用した複数物体の相対検出装
置を示す斜視図、第6図は第5図に示す照明光学および
検出光学系の拡大斜視図、第7図は検出パターンを示す
図、第8図はウエハのアライメント面に発生するマスク
のアライメントパターンの影の説明図、第9図(A)
(B)(C)はTVカメラから入力した像と信号を示す
図、第10図(A)はマスクアライメントパターンの像を
圧縮処理する説明図、第10図(B)は第10図(A)に示
す2m間の信号の和を示す説明図、第10図(C)は平均の
信号を示す説明図、第11図(A)は本発明によるマスク
アライメントと影の像を示す説明図、第11図(B)は信
号の和を示す説明図、第11図(C)は平均の信号を示す
説明図、第12図はアライメントパターンの検出方向を示
す図である。 1……ウエハ、3……マスク、4……露光用X線、
…照明光学系、18……ウエハアライメントパターン、1
9,47……マスクアライメントパターン、20……検出光学
系、21……対物レンズ、25……TVカメラ、27……処理回
路、30……サンプル・ホールド回路、32……サンプリン
グ信号発生器、33……A/D変換器、34……メモリ、35
……演算回路、49……間隔、50……検出パターン片、51
……影。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久迩 朝宏 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 岡本 啓一 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 米山 義弘 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】互いに近接する如く重畳された複数個の物
    体を露光光と、同じ側からアライメント位置を検出する
    位置検出する方法において、上記露光光と干渉すること
    なくかつその検出光軸を上記複数個の物体のアライメン
    ト面と直角な方向の面に対して所定の角度をもって傾斜
    しているアライメントパターン拡大光学系と、上記露光
    光と干渉することなく、かつ照明光軸を上記複数個の物
    体のアライメント面と直角な方向の面に対して所定の角
    度をもって傾斜している照明光学系とを有し、上記アラ
    イメントパターンとして上記複数個の物体のアライメン
    ト面と直角な方向の面で対称性を有し、一方の物体のア
    ライメントパターンを他方の物体に発生する影に影響さ
    れないように形成されたアライメントパターンを使用し
    て上記1個の検出光軸で1個のアライメント方向を検出
    することを特徴とする位置検出方法。
  2. 【請求項2】前記一方のアライメントパターンは間隔を
    有する如く複数個のパターン片にて形成し、上記間隔内
    にアライメントパターンの影が入るように構成されてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の位置検
    出方法。
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