[go: up one dir, main page]

JPH0660326A - Thin film magnetic head and its production - Google Patents

Thin film magnetic head and its production

Info

Publication number
JPH0660326A
JPH0660326A JP23155092A JP23155092A JPH0660326A JP H0660326 A JPH0660326 A JP H0660326A JP 23155092 A JP23155092 A JP 23155092A JP 23155092 A JP23155092 A JP 23155092A JP H0660326 A JPH0660326 A JP H0660326A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
insulator
layer
lead
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23155092A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junichi Sato
順一 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP23155092A priority Critical patent/JPH0660326A/en
Publication of JPH0660326A publication Critical patent/JPH0660326A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

PURPOSE:To maintain a satisfactory insulating property even at the time of reducing the gap between shield layers. CONSTITUTION:With respect to the thin film magnetic head where a lower gap insulating layer 32, an MR film 31, a protective insulator 34 for this film 31, a lead 26, and an upper gap insulating layer 33 are successively laminated between a lower shield layer 30 and an upper shield layer 35, the upper face of the protective insulator 34 and that of the lead 26 are so flattened that they are placed in the same plane. The MR film 31 is formed on the lower shield layer 30 through the lower gap insulating layer 32 between them, and the insulator 34 to protect the MR film 31 from etching is formed in a prescribed part on the MR film 31, and the lead 26 is formed on the insulator 34 and the MR film 31, and upper faces of the lead 26 and the insulator 34 are flattened. The upper shield layer 35 is formed on these upper faces with the upper gap insulating layer 33 between them.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等の磁気
媒体からの再生を行う磁気抵抗ヘッド(Magneto
Resistive head、以下MRヘッドと称
する)を少なくとも有する薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive head (Magneto) for reproducing from a magnetic medium such as a magnetic disk.
The present invention relates to a thin film magnetic head having at least a resistive head (hereinafter referred to as an MR head) and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、磁気ディスク等の磁気媒体用の薄
膜磁気ヘッドとして、MRヘッドが実用化され始めてい
る。MRヘッドは、磁化に依存して電気抵抗が変化する
という磁気抵抗効果を利用しているおり、その性質上、
不要な磁界を遮断するためのシールド層を両側に設け、
その間にギャップ絶縁層を介してMR素子及びMRリー
ドを設けることにより構成されている。
2. Description of the Related Art In recent years, MR heads have begun to be put into practical use as thin film magnetic heads for magnetic media such as magnetic disks. The MR head uses the magnetoresistive effect that the electric resistance changes depending on the magnetization, and by its nature,
Providing shield layers on both sides to block unnecessary magnetic fields,
It is configured by providing an MR element and an MR lead with a gap insulating layer interposed therebetween.

【0003】図5は、再生用のMRヘッドと記録用のイ
ンダクティブヘッドとを組み合わせて構成される従来の
薄膜磁気ヘッドの一部を、磁気媒体に対向する底面側か
ら概略的に表したものである。
FIG. 5 schematically shows a part of a conventional thin-film magnetic head constructed by combining a reproducing MR head and a recording inductive head from the bottom side facing the magnetic medium. is there.

【0004】同図において、50は浮上用のスライダの
後端面側に、図示しない絶縁性の下地膜を介して形成さ
れた下部シールド層であり、この下部シールド層50と
上部シールド層55との間には、下部ギャップ絶縁層5
2、MR素子のMR膜51、このMR膜51をエッチン
グ等から保護するための絶縁体54、リード56、及び
上部ギャップ絶縁層53が順次積層されている。このよ
うにして形成された再生用のMRヘッドの上には、その
コアとして下部磁性層66及び上部磁性層69を具備す
る記録用のインダクティブヘッドが積層されている。
In the figure, reference numeral 50 denotes a lower shield layer formed on the rear end surface side of the flying slider via an insulating underlayer film (not shown). The lower shield layer 50 and the upper shield layer 55 are composed of Between the lower gap insulating layer 5
2. An MR film 51 of an MR element, an insulator 54 for protecting the MR film 51 from etching, a lead 56, and an upper gap insulating layer 53 are sequentially laminated. On the reproducing MR head thus formed, the recording inductive head having the lower magnetic layer 66 and the upper magnetic layer 69 as its core is laminated.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来のこの種のMRヘ
ッドでは、MR膜51上の読み取りトラック幅に相当す
る部分に保護用の絶縁体54が形成され、その上にリー
ド56が形成されるため、図5に示されているように、
リード56と絶縁体54との間に段差が生じてしまう。
そしてこの上に上部ギャップ絶縁層53が積層されるた
め、段差部分で絶縁が不完全となり、上部ギャップ絶縁
層53の膜厚を薄くした場合に、リード56と上部シー
ルド層55とが短絡したり電流漏れを引き起こしてヘッ
ド特性が大幅に悪化するという問題が生じる。
In the conventional MR head of this type, a protective insulator 54 is formed on a portion of the MR film 51 corresponding to the read track width, and a lead 56 is formed thereon. Therefore, as shown in FIG.
A step is created between the lead 56 and the insulator 54.
Then, since the upper gap insulating layer 53 is laminated on this, insulation is incomplete at the step portion, and when the film thickness of the upper gap insulating layer 53 is reduced, the lead 56 and the upper shield layer 55 are short-circuited. There arises a problem that current leakage is caused and head characteristics are significantly deteriorated.

【0006】特に、MRヘッドの分解能を高めるために
は、下部シールド層50と上部シールド層55との間隔
を磁気媒体上の記録磁化のビット間隔(磁化反転距離)
よりやや小さい値以下に保つことが必要であり、高密度
記録においてはこの磁化反転距離が数千Åとなるので、
MR膜51を含むMR素子の膜厚が約2000Å程度で
あるとすると、上部ギャップ絶縁層53の膜厚は0.1
μm程度であることが要求されるからより深刻な問題と
なる。
In particular, in order to improve the resolution of the MR head, the distance between the lower shield layer 50 and the upper shield layer 55 is set to the bit distance of the recording magnetization on the magnetic medium (magnetization reversal distance).
It is necessary to keep the value below a little smaller value, and this magnetization reversal distance becomes several thousand Å in high density recording.
Assuming that the thickness of the MR element including the MR film 51 is about 2000 Å, the thickness of the upper gap insulating layer 53 is 0.1.
Since it is required to be about μm, it becomes a more serious problem.

【0007】従って本発明は、シールド層間の間隔を小
さくした場合にも良好な絶縁性を維持することのできる
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するものであ
る。
Therefore, the present invention provides a thin film magnetic head capable of maintaining a good insulating property even when the distance between the shield layers is reduced, and a method of manufacturing the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、下部シ
ールド層と上部シールド層との間に、下部ギャップ絶縁
層とMR膜とこのMR膜の保護絶縁体とリードと上部ギ
ャップ絶縁層とが順次積層されている薄膜磁気ヘッドで
あって、保護絶縁体の上面とリードの上面とがほぼ同一
の平面内に位置するように平坦化されている薄膜磁気ヘ
ッドが提供される。
According to the present invention, a lower gap insulating layer, an MR film, a protective insulator for the MR film, leads, and an upper gap insulating layer are provided between the lower shield layer and the upper shield layer. A thin film magnetic head in which the upper surface of the protective insulator and the upper surface of the lead are flattened in substantially the same plane.

【0009】上述の上部シールド層上にインダクティブ
ヘッドが積層形成されているかもしれない。
An inductive head may be laminated on the above-mentioned upper shield layer.

【0010】また、本発明によれば、下部シールド層上
に下部ギャップ絶縁層を介してMR膜を形成し、このM
R膜上の所定部分にMR膜をエッチングから保護する絶
縁体を形成し、絶縁体上及びMR膜上にリードを形成
し、リードと絶縁体との上面を平坦化し、平坦化したこ
れらの上面上に上部ギャップ絶縁層を介して上部シール
ド層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供され
る。
According to the present invention, the MR film is formed on the lower shield layer with the lower gap insulating layer interposed therebetween.
An insulator that protects the MR film from etching is formed at a predetermined portion on the R film, leads are formed on the insulator and the MR film, the upper surfaces of the lead and the insulator are flattened, and these flattened upper surfaces are formed. Provided is a method of manufacturing a thin film magnetic head, on which an upper shield layer is formed via an upper gap insulating layer.

【0011】上述の平坦化がエッチバック法によって行
われることが好ましい。
It is preferable that the above-mentioned flattening is performed by an etch back method.

【0012】上述の上部シールド層上にインダクティブ
ヘッドが積層形成されるかもしれない。
An inductive head may be formed on the upper shield layer described above.

【0013】[0013]

【作用】絶縁体上及びMR膜上にリードを形成した後、
リードと絶縁体との上面を平坦化し、平坦化したこれら
の上面上に上部ギャップ絶縁層を形成するようにしたの
で、上部ギャップ絶縁層が平坦になり、その膜厚を小さ
くしても絶縁性が充分保たれることとなる。また、その
上方に形成されるインダクティブヘッドの磁性層(コ
ア)の形状に歪みがなくなり、書き込み効率が向上す
る。
After the lead is formed on the insulator and the MR film,
Since the upper surfaces of the lead and the insulator are flattened and the upper gap insulating layer is formed on these flattened upper surfaces, the upper gap insulating layer becomes flat and the insulating property is reduced even if the film thickness is reduced. Will be sufficiently maintained. Further, the shape of the magnetic layer (core) of the inductive head formed thereabove is free from distortion, and the writing efficiency is improved.

【0014】[0014]

【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。The present invention will be described in detail with reference to the following examples.

【0015】図2は、本発明の一実施例として、複合型
の薄膜磁気ヘッドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを
示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a flying type magnetic head unit provided with a composite type thin film magnetic head as one embodiment of the present invention.

【0016】同図に示すように、本実施例の浮上型磁気
ヘッドユニットは、スライダ20とその(磁気媒体に対
するヘッドユニットの相対的走行方向に関して)後端面
上に設けられた2つの薄膜磁気ヘッド21とその保護膜
22とから主として構成されている。スライダ20は、
例えばAl23 −TiC等のセラミック材料によるセ
ラミック構造体23とそのセラミック構造体23の後端
面にAl23 又はSiO2 等の電気絶縁材料をスパッ
タして形成される下地膜24とから構成されている。
As shown in the figure, the flying type magnetic head unit of this embodiment comprises a slider 20 and two thin film magnetic heads provided on its rear end face (with respect to the relative traveling direction of the head unit to the magnetic medium). 21 and its protective film 22. The slider 20 is
For example, a ceramic structure 23 made of a ceramic material such as Al 2 O 3 —TiC and a base film 24 formed by sputtering an electrically insulating material such as Al 2 O 3 or SiO 2 on the rear end surface of the ceramic structure 23. It is configured.

【0017】薄膜磁気ヘッド21は下地膜24上に形成
される薄膜素子であり、これらヘッド21には保護膜2
2の表面に露出するように形成された4つの電極25が
4つのリード26をそれぞれ介して接続されている。
The thin film magnetic head 21 is a thin film element formed on the base film 24, and the head 21 has a protective film 2 formed thereon.
Four electrodes 25 formed so as to be exposed on the surface of No. 2 are connected via four leads 26, respectively.

【0018】保護膜22はAl23 又はSiO2 等を
スパッタして形成されており、薄膜磁気ヘッド21、下
地膜24、及びリード26の全面を覆うように形成され
ている。
The protective film 22 is formed by sputtering Al 2 O 3 or SiO 2 or the like, and is formed so as to cover the entire surfaces of the thin film magnetic head 21, the base film 24, and the leads 26.

【0019】図3は、薄膜磁気ヘッド21の構造をより
詳細に示すために図2のAA線で切断した部分断面図で
ある。
FIG. 3 is a partial sectional view taken along the line AA of FIG. 2 to show the structure of the thin film magnetic head 21 in more detail.

【0020】上述したセラミック構造体23の後端面上
に形成された下地膜24上には、下部シールド層30が
形成されており、この下部シールド層30上には、下部
ギャップ絶縁層32が形成されており、その上にパーマ
ロイ等によるMR膜31が形成されている。MR膜31
上には、エッチング等からこの膜を保護するための絶縁
体34が形成される。その上に、リード26(図2)が
形成されている。絶縁体34及びリード26の上面が、
後述するごとく平坦化された後、上部ギャップ絶縁層3
3が形成される。上部ギャップ絶縁層33の上には、上
部シールド層35が形成されている。
A lower shield layer 30 is formed on the base film 24 formed on the rear end surface of the ceramic structure 23 described above, and a lower gap insulating layer 32 is formed on the lower shield layer 30. The MR film 31 made of permalloy or the like is formed thereon. MR film 31
An insulator 34 for protecting this film from etching or the like is formed on the top. The lead 26 (FIG. 2) is formed on it. The upper surfaces of the insulator 34 and the lead 26 are
After being flattened as described later, the upper gap insulating layer 3
3 is formed. An upper shield layer 35 is formed on the upper gap insulating layer 33.

【0021】これら下部シールド層30、下部ギャップ
絶縁層32、MR膜31、絶縁体34、リード26、上
部ギャップ絶縁層33、及び上部シールド層35が再生
用のMRヘッド部を構成している。上部シールド層35
上には、Al23 等をスパッタすることにより絶縁膜
37が形成されている。
The lower shield layer 30, the lower gap insulating layer 32, the MR film 31, the insulator 34, the lead 26, the upper gap insulating layer 33, and the upper shield layer 35 constitute a reproducing MR head portion. Upper shield layer 35
An insulating film 37 is formed on top by sputtering Al 2 O 3 or the like.

【0022】絶縁膜37上には、パーマロイ等の軟磁性
膜をめっき等することにより下部磁性層46が形成され
ており、その上にAl23 又はSiO2 等の絶縁膜4
7に挟まれてCu又はAu等によるコイル導体48が設
けられており、さらにその上にパーマロイ等の軟磁性膜
をめっき等することにより上部磁性層49が形成されて
いる。
A lower magnetic layer 46 is formed on the insulating film 37 by plating a soft magnetic film such as permalloy, and an insulating film 4 such as Al 2 O 3 or SiO 2 is formed thereon.
A coil conductor 48 made of Cu, Au, or the like is provided between the electrodes 7 and 7, and an upper magnetic layer 49 is formed on the coil conductor 48 by plating a soft magnetic film such as permalloy.

【0023】下部磁性層46及び上部磁性層49は、磁
気媒体に対向する面Bとは反対側の部分49aで互いに
結合されており、これにより記録用のインダクティブヘ
ッド部のコアを構成している。コイル導体48は、下部
磁性層46及び上部磁性層49の結合部49aの回りを
うず巻き状に巻回するように形成されている。
The lower magnetic layer 46 and the upper magnetic layer 49 are connected to each other at a portion 49a on the side opposite to the surface B facing the magnetic medium, and thus constitute the core of the inductive head portion for recording. . The coil conductor 48 is formed so as to be spirally wound around the coupling portion 49a of the lower magnetic layer 46 and the upper magnetic layer 49.

【0024】上部磁性層49の上には、前述した保護膜
22が形成されている。
The protective film 22 described above is formed on the upper magnetic layer 49.

【0025】なお、下部磁性層46が上部シールド層3
5の機能をも果たすように兼用する構成としてもよいこ
とは明らかである。この場合、当然のことながら絶縁膜
37は省略される。
The lower magnetic layer 46 is the upper shield layer 3.
It is obvious that the dual-purpose structure may be used so as to fulfill the function of 5. In this case, as a matter of course, the insulating film 37 is omitted.

【0026】図1は、本実施例における薄膜磁気ヘッド
21を磁気媒体に対向する底面側(図3の面B側)から
概略的に表したものであり、図4はその製造工程を表し
ている。
FIG. 1 schematically shows the thin film magnetic head 21 in this embodiment from the bottom surface side (the surface B side in FIG. 3) facing the magnetic medium, and FIG. 4 shows its manufacturing process. There is.

【0027】まず図4(A)を参照すると、下地膜24
(図3)上にパーマロイ等の軟磁性膜をめっき等するこ
とにより下部シールド層30が形成される。この下部シ
ールド層30は少なくともMR膜31の素子領域を覆う
ように設けられており、1〜2μm程度の膜厚で形成さ
れる。
First, referring to FIG. 4A, the base film 24
(FIG. 3) The lower shield layer 30 is formed by plating a soft magnetic film such as permalloy on the top. The lower shield layer 30 is provided so as to cover at least the element region of the MR film 31, and is formed with a film thickness of about 1 to 2 μm.

【0028】この下部シールド層30上には、Al2
3 をスパッタすること等により下部ギャップ絶縁層32
が積層形成される。
Al 2 O is formed on the lower shield layer 30.
The lower gap insulating layer 32 is formed by sputtering 3
Are laminated.

【0029】下部ギャップ絶縁層32上には、パーマロ
イ等をスパッタして約300〜600Å程度の膜厚のM
R膜31を形成しさらにTiをスパッタしてバイアスを
与えるための約500〜1500Åの膜厚のシャント層
を形成した後、これらをパターニングしてMR素子が形
成される。シャント層の代わりにソフト・フィルム・バ
イアス層等を形成してもよい。また、成膜順序はこれと
逆であってもよい。
On the lower gap insulating layer 32, permalloy or the like is sputtered to form M having a film thickness of about 300 to 600 Å.
After forming the R film 31 and further sputtering Ti to form a shunt layer having a film thickness of about 500 to 1500 Å for applying a bias, these are patterned to form an MR element. A soft film bias layer or the like may be formed instead of the shunt layer. The film forming order may be reversed.

【0030】MR素子上の読取り幅を決定する所定範囲
には、後に実行されるリード及び上部ギャップ絶縁層形
成時のエッチング(イオンミリング等)からMR膜31
を保護するための絶縁体34′が形成される。この絶縁
体34′は、Al23 をスパッタすることによって約
0.1μm程度の膜厚に形成される。
The MR film 31 is included in a predetermined range that determines the read width on the MR element from the etching (ion milling or the like) when the lead and the upper gap insulating layer are formed later.
An insulator 34 'is formed to protect the substrate. This insulator 34 'is formed by sputtering Al 2 O 3 to have a film thickness of about 0.1 μm.

【0031】次いで図4(B)に示すように、絶縁体3
4′、MR膜31、及び下部ギャップ絶縁層32上に、
リード26′が形成される。このリード26′は、Cu
等を約0.3μm程度の膜厚にめっきしてパターニング
することによって形成される。
Then, as shown in FIG.
4 ′, the MR film 31, and the lower gap insulating layer 32,
Leads 26 'are formed. This lead 26 'is made of Cu
Etc. are formed by plating and patterning a film having a film thickness of about 0.3 μm.

【0032】MRリード26′の形成後、例えばレジス
トを塗布して凸部をレジストのエッチングと共に除去す
るエッチバック法等の平坦化技術を用いてリード26′
及び絶縁体34′の上面がほぼ同一平面内に位置するよ
うに平坦化処理する。平坦化処理されて、リード26の
高さと絶縁体34の高さがほぼ等しくなった状態が図4
(C)に示されている。
After forming the MR lead 26 ', the lead 26' is applied by a flattening technique such as an etch-back method in which a resist is applied to remove the convex portion together with the resist etching.
And a flattening process so that the upper surfaces of the insulators 34 'are substantially in the same plane. FIG. 4 shows a state in which the height of the lead 26 and the height of the insulator 34 are substantially equalized by the flattening process.
It is shown in (C).

【0033】次いで図4(D)に示すように、その上に
Al23 をスパッタすること等により上部ギャップ絶
縁層33が積層形成され、さらに、この上部ギャップ絶
縁層33上の少なくともMR素子を覆う領域には、パー
マロイ等の軟磁性膜をめっき等することにより1.5〜
3μm程度の膜厚の上部シールド層35が形成される。
Next, as shown in FIG. 4D, an upper gap insulating layer 33 is laminated on the upper gap insulating layer 33 by sputtering Al 2 O 3 or the like, and at least the MR element on the upper gap insulating layer 33 is formed. The area that covers is coated with a soft magnetic film such as Permalloy to 1.5-
The upper shield layer 35 having a film thickness of about 3 μm is formed.

【0034】図1に示すように、上部シールド層35の
上には、前述した絶縁膜37(図3)を介して下部磁性
層46が形成されており、その上に絶縁膜47(図3)
及びコイル導体48(図3)を挟んで上部磁性層49が
形成される。
As shown in FIG. 1, a lower magnetic layer 46 is formed on the upper shield layer 35 via the insulating film 37 (FIG. 3) described above, and an insulating film 47 (FIG. 3) is formed thereon. )
The upper magnetic layer 49 is formed so as to sandwich the coil conductor 48 (FIG. 3).

【0035】このように本実施例によれば、MRリード
26′の形成後、平坦化処理が行われて絶縁体34′部
分の段差を小さくしたりほぼ除去しているため、換言す
れば、リード26及び絶縁体34の上面がほぼ同一平面
内に位置するようにしているため、その上に形成される
上部ギャップ絶縁層33の膜厚を約0.1μm程度に薄
くしても良好な絶縁性を保つことができる。その結果、
より優れた分解能を有しつつ耐圧の高いMRヘッドを提
供することができる。さらに、このように平坦化される
ことによりMRヘッドの上に形成されるインダクティブ
ヘッドのコアを構成する下部磁性層46及び上部磁性層
49の形状が歪みのない良好な平坦形状となるため、書
き込み効率の良好なインダクティブヘッドが得られる。
As described above, according to the present embodiment, after the MR lead 26 'is formed, the flattening process is performed to reduce or substantially eliminate the step in the insulator 34' portion. In other words, Since the upper surfaces of the lead 26 and the insulator 34 are located substantially in the same plane, good insulation can be achieved even if the film thickness of the upper gap insulating layer 33 formed thereon is reduced to about 0.1 μm. You can keep your sex. as a result,
It is possible to provide an MR head having a higher breakdown voltage while having a better resolution. Further, by thus flattening, the shapes of the lower magnetic layer 46 and the upper magnetic layer 49, which form the core of the inductive head formed on the MR head, have a good flat shape without distortion. An inductive head with good efficiency can be obtained.

【0036】なお、平坦化技術としては、上述したエッ
チバック法の他に公知の種々の方法が適用可能である。
As the flattening technique, various known methods other than the above-mentioned etch back method can be applied.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、絶縁体上及びMR膜上にリードを形成した後、リー
ドと絶縁体との上面を平坦化し、平坦化したこれらの上
面上に上部ギャップ絶縁層を形成するようにしたので、
上部ギャップ絶縁層が平坦になり、その膜厚を小さくし
ても絶縁性が充分保たれることとなる。また、その上方
に形成されるインダクティブヘッドの磁性層(コア)の
形状に歪みがなくなり、書き込み効率が向上する。その
結果、耐圧の高い優れた分解能を有すると共に書き込み
特性の優れた薄膜磁気ヘッド得ることができる。
As described above in detail, according to the present invention, after the leads are formed on the insulator and the MR film, the upper surfaces of the leads and the insulator are flattened, and the flattened upper surfaces are formed. Since the upper gap insulating layer is formed on
The upper gap insulating layer becomes flat, and the insulating property is sufficiently maintained even if the film thickness is reduced. Further, the shape of the magnetic layer (core) of the inductive head formed thereabove is free from distortion, and the writing efficiency is improved. As a result, it is possible to obtain a thin film magnetic head having a high breakdown voltage and an excellent resolution and an excellent writing characteristic.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図2の実施例における薄膜磁気ヘッドの一部構
成を磁気媒体に対向する底面側から概略的に示す底面図
である。
FIG. 1 is a bottom view schematically showing a partial configuration of a thin film magnetic head in the embodiment of FIG. 2 from the bottom side facing a magnetic medium.

【図2】本発明の一実施例として、複合型薄膜磁気ヘッ
ドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを示す斜視図であ
る。
FIG. 2 is a perspective view showing a flying type magnetic head unit including a composite type thin film magnetic head as one embodiment of the present invention.

【図3】図2のAA線による部分断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

【図4】図2の実施例における薄膜磁気ヘッドの製造工
程の一部を表す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a part of the manufacturing process of the thin film magnetic head in the embodiment of FIG.

【図5】従来の薄膜磁気ヘッドの一部構成を磁気媒体に
対向する底面側から概略的に示す底面図である。
FIG. 5 is a bottom view schematically showing a part of the configuration of the conventional thin film magnetic head from the bottom side facing the magnetic medium.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

23 セラミック構造体 26、26′ リード 30 下部シールド層 31 MR膜 32 下部ギャップ絶縁層 33 上部ギャップ絶縁層 34、34′ 絶縁体 35 上部シールド層 46 下部磁性層 49 上部磁性層 23 ceramic structure 26, 26 'lead 30 lower shield layer 31 MR film 32 lower gap insulating layer 33 upper gap insulating layer 34, 34' insulator 35 upper shield layer 46 lower magnetic layer 49 upper magnetic layer

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下部シールド層と上部シールド層との間
に、下部ギャップ絶縁層と磁気抵抗膜と該磁気抵抗膜の
保護絶縁体とリードと上部ギャップ絶縁層とが順次積層
されている薄膜磁気ヘッドであって、前記保護絶縁体の
上面と前記リードの上面とがほぼ同一平面内に位置する
ように平坦化されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。
1. A thin film magnetic in which a lower gap insulating layer, a magnetoresistive film, a protective insulator for the magnetoresistive film, a lead, and an upper gap insulating layer are sequentially laminated between a lower shield layer and an upper shield layer. A thin-film magnetic head, wherein the head is flattened so that the upper surface of the protective insulator and the upper surface of the lead are substantially in the same plane.
【請求項2】 前記上部シールド層上にインダクティブ
ヘッドが積層形成されていることを特徴とする請求項1
に記載の薄膜磁気ヘッド。
2. The inductive head is laminated on the upper shield layer.
The thin film magnetic head described in 1.
【請求項3】 下部シールド層上に下部ギャップ絶縁層
を介して磁気抵抗膜を形成し、該磁気抵抗膜上の所定部
分に該磁気抵抗膜をエッチングから保護する絶縁体を形
成し、該絶縁体上及び該磁気抵抗膜上にリードを形成
し、前記リードと前記絶縁体との上面を平坦化し、平坦
化した該上面上に上部ギャップ絶縁層を介して上部シー
ルド層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
3. A magnetoresistive film is formed on a lower shield layer via a lower gap insulating layer, and an insulator for protecting the magnetoresistive film from etching is formed on a predetermined portion of the magnetoresistive film. A lead is formed on the body and the magnetoresistive film, the upper surfaces of the lead and the insulator are flattened, and an upper shield layer is formed on the flattened upper surface via an upper gap insulating layer. And a method for manufacturing a thin film magnetic head.
【請求項4】 前記平坦化がエッチバック法によって行
われることを特徴とする請求項3に記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
4. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 3, wherein the flattening is performed by an etch back method.
【請求項5】 前記上部シールド層上にインダクティブ
ヘッドを積層形成することを特徴とする請求項3又は4
に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
5. The inductive head is laminated on the upper shield layer.
7. A method of manufacturing a thin film magnetic head according to.
JP23155092A 1992-08-07 1992-08-07 Thin film magnetic head and its production Pending JPH0660326A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23155092A JPH0660326A (en) 1992-08-07 1992-08-07 Thin film magnetic head and its production

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23155092A JPH0660326A (en) 1992-08-07 1992-08-07 Thin film magnetic head and its production

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0660326A true JPH0660326A (en) 1994-03-04

Family

ID=16925256

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23155092A Pending JPH0660326A (en) 1992-08-07 1992-08-07 Thin film magnetic head and its production

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0660326A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7548400B2 (en) 2004-03-02 2009-06-16 Tdk Corporation Thin-film magnetic head comprising bias layers having a large length in track width direction

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7548400B2 (en) 2004-03-02 2009-06-16 Tdk Corporation Thin-film magnetic head comprising bias layers having a large length in track width direction

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5168409A (en) Integrated magnetic head having a magnetic layer functioning as both a magnetic shield and a magnetic pole
US5751522A (en) Combined-type thin film magnetic head with inductive magnetic head having low-inductive core
JP2000113437A (en) Manufacturing method for magnetic head device, magnetic head device and intermediate product of magnetic head device
JPH11110717A (en) Thin film single magnetic pole head
JPH0916925A (en) Induction and mr type hybrid magnetic head and its manufacture
JP2001229512A (en) Thin film magnetic head and method of manufacture
JP2731506B2 (en) Magnetoresistive magnetic head and method of manufacturing the same
JP2000113425A (en) Thin film magnetic head and manufacture thereof
JP3553393B2 (en) Method for manufacturing thin-film magnetic head
JPH0652517A (en) Thin film magnetic head and its manufacture
JPH0660326A (en) Thin film magnetic head and its production
JPH08167123A (en) Magnetic head manufacturing method, substrate having magnetic head element group, and method of manufacturing substrate having magnetic head element group
JPH0660328A (en) Thin film magnetic head and its production
JP2000293816A (en) Thin film magnetic head and its production
JP3521553B2 (en) Thin film magnetic head
JPH10228610A (en) Shield type magnetoresistance effect thin film magnetic head
JP3128407B2 (en) Thin film magnetic head
JP2948182B2 (en) Recording / playback separation type magnetic head
JP3171183B2 (en) Recording / playback separation combined magnetic head
JPH06267027A (en) Magnetoresistance effect type thin film magnetic head
JP2000090417A (en) Thin-film magnetic head
JPH05242433A (en) Magnetic head
JPH0817022A (en) Production of combined thin-film magnetic head
JPH0589433A (en) Thin film magnetic head
JPH06274836A (en) Magneto-resistance effect type magnetic head and its production

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20001031