JPH0657044B2 - Light beam irradiation device - Google Patents
Light beam irradiation deviceInfo
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- JPH0657044B2 JPH0657044B2 JP58228932A JP22893283A JPH0657044B2 JP H0657044 B2 JPH0657044 B2 JP H0657044B2 JP 58228932 A JP58228932 A JP 58228932A JP 22893283 A JP22893283 A JP 22893283A JP H0657044 B2 JPH0657044 B2 JP H0657044B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、コンピュータやファクシミリ等、外部からの
ディジタル画像情報により変調された光ビームを記録媒
体上に走査して、画像の記録を行なう、光ビーム照射装
置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light beam for recording an image by scanning a recording medium with a light beam modulated by digital image information from the outside such as a computer and a facsimile. The present invention relates to an irradiation device.
従来例の構成とその問題点 近年、コンピュータやファクシミリ等からの文字,図形
等の画像信号を、レーザビーム等の光ビームを用いて記
録する装置が広く用いられている。2. Description of the Related Art In recent years, devices for recording image signals such as characters and figures from a computer or a facsimile by using a light beam such as a laser beam have been widely used in recent years.
以下、従来の光ビーム照射装置について、第1図〜第4
図を用いて説明する。第1図は半導体レーザを用いた従
来の光ビーム照射装置の概略構成図で、1は半導体レー
ザ、2はコリメータレンズ、3はポリゴン偏向器、4は
結像レンズ、5はレーザビーム、6は感光体、7は駆動
回路であり、駆動回路7から出力される駆動信号8によ
って半導体レーザ1が駆動される。Hereinafter, a conventional light beam irradiation apparatus will be described with reference to FIGS.
It will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a conventional light beam irradiation apparatus using a semiconductor laser. 1 is a semiconductor laser, 2 is a collimator lens, 3 is a polygon deflector, 4 is an imaging lens, 5 is a laser beam, and 6 is a laser beam. The photosensitive member 7 is a drive circuit, and the drive signal 8 output from the drive circuit 7 drives the semiconductor laser 1.
半導体レーザ1は駆動回路7により画像に応じて光強度
変調され、変調されたレーザ光はコリメータレンズ2で
平行化され、ポリゴン偏向器3により感光体6上を偏向
走査される。感光体6上では、レーザビーム5は結像レ
ンズ4により適当なビーム径に集束されている。ここで
感光体6上を走査されるレーザビーム5が、第2図に示
す如く、感光体6の回転方向に直交する偏向方向を主走
査方向、また感光体6の回転移動に伴なって走査される
方向を副走査方向と称す。第2図において、9A,9
B,9C,10A,10B,10C,11A,11B,
11Cはデジタル画素であり、主走査方向のデジタル画
素情報及び副走査方向のデジタル画素情報に応じて、レ
ーザビーム5を変調して感光体6上を露光することによ
り、画像を記録することができる。第2図ではデジタル
画素10Bがレーザビーム5の照射部となっている。こ
のときレーザビーム5の露光部を顕像化する方式をネガ
現象、また非露光部を顕像化する方式をポジ現象と呼
ぶ。The semiconductor laser 1 is subjected to light intensity modulation according to an image by the drive circuit 7, the modulated laser light is collimated by the collimator lens 2, and the polygon deflector 3 deflects and scans the photoconductor 6. On the photoconductor 6, the laser beam 5 is focused by the imaging lens 4 to have an appropriate beam diameter. As shown in FIG. 2, the laser beam 5 scanned on the photoconductor 6 scans the deflection direction orthogonal to the rotation direction of the photoconductor 6 in the main scanning direction and as the photoconductor 6 rotates. This direction is called the sub-scanning direction. In FIG. 2, 9A, 9
B, 9C, 10A, 10B, 10C, 11A, 11B,
Reference numeral 11C is a digital pixel, and an image can be recorded by modulating the laser beam 5 and exposing the photoconductor 6 according to the digital pixel information in the main scanning direction and the digital pixel information in the sub-scanning direction. . In FIG. 2, the digital pixel 10B is the irradiation part of the laser beam 5. At this time, a method of making the exposed portion of the laser beam 5 visible is called a negative phenomenon, and a method of making the non-exposed portion visible is called a positive phenomenon.
第5図は従来例における光ビーム照射装置の回路ブロッ
ク図で、15,16,17は照射中の光ビームを含んだ
主走査方向1ライン分の画素情報を記憶するシフトレジ
スタである。つまり、シフトレジスタ15は第2図に示
す主走査方向のデジタル画素9A,9B,9C,……9
Nの画素情報を記憶するものであり、同様にシフトレジ
スタ16はデジタル画素10A,10B,10C,……
10Nの画素情報を、シフトレジスタ17はデジタル画
素11A,11B,11C,……11Nの画素情報をそ
れぞれ記憶する。18は現在照射すべき画素およびそれ
に隣接あるいは斜め隣接する全部で9点の画素の画素情
報が光照射情報か非照射情報かを判別する判別回路であ
る。FIG. 5 is a circuit block diagram of a light beam irradiation device in a conventional example, and reference numerals 15, 16 and 17 are shift registers for storing pixel information for one line in the main scanning direction including the light beam being irradiated. That is, the shift register 15 includes the digital pixels 9A, 9B, 9C, ... 9 in the main scanning direction shown in FIG.
The pixel information of N is stored, and similarly, the shift register 16 includes digital pixels 10A, 10B, 10C, ...
The shift register 17 stores the pixel information of 10N and the pixel information of the digital pixels 11A, 11B, 11C, ... Reference numeral 18 denotes a discriminating circuit for discriminating whether the pixel information of the pixel to be currently irradiated and the pixel information of a total of nine points adjacent or obliquely adjacent thereto is light irradiation information or non-irradiation information.
次に動作を説明する。画像信号は照射中の光ビームを含
んだ主走査ラインの画素情報を記憶するシフトレジスタ
16および上下に隣接する主走査ラインの画素情報を記
憶するシフトレジスタ15〜17に記憶される。これら
のシフトレジスタ15〜17より、照射中の画素とこれ
に隣接および斜め隣接する画素との全部で9点の画素情
報を得ることができ、これらの画素情報を判別回路18
に入れる。判別回路18はこれらの画素情報が光照射情
報か非照射情報かを判別して、半導体レーザの光ビーム
スポット径を大きくする制御信号19を出す。半導体レ
ーザの駆動回路7は現在照射中の画素10Bの光照射情
報10B′と制御信号19とにより半導体レーザの光ビ
ームスポット径を大きくして、感光体を露光するもので
ある。Next, the operation will be described. The image signal is stored in the shift register 16 that stores the pixel information of the main scanning line including the light beam being irradiated and the shift registers 15 to 17 that store the pixel information of the vertically adjacent main scanning lines. From these shift registers 15 to 17, it is possible to obtain a total of nine points of pixel information of the pixel being irradiated and the pixels adjacent thereto and diagonally adjacent thereto.
Put in. The discriminating circuit 18 discriminates whether the pixel information is light irradiation information or non-irradiation information, and outputs a control signal 19 for increasing the light beam spot diameter of the semiconductor laser. The semiconductor laser drive circuit 7 increases the light beam spot diameter of the semiconductor laser according to the light irradiation information 10B ′ of the pixel 10B currently being irradiated and the control signal 19 to expose the photoconductor.
第6図は、照射中の画素およびこれに隣接あるいは斜め
隣接する画素の合計9点の画素情報が全て光照射情報の
場合、光ビームスポット径を大きくした場合の例であ
る。また、他の例として、照射中の画素および少なくと
もそれに隣接する4個の画素の画素情報が全て光照射情
報のとき、光ビームスポット径を大きくする場合もあ
る。このようにして照射スポット20,21を大きなス
ポット径とすることにより、副走査方向のピッチむらを
補正し、ポジ現像の場合の非画像部の黒スジを無くすよ
うにしている。また非照射部に隣接する画素9B,9
C,9D,9E,10B,10E,11B,11C,1
1D,11Eのスポット径は大きくしないので、従来の
様な画像が細るという欠点も除かれる。なお、図におけ
る一画素分の微小黒スジ22は、現像実験の結果、画像
に出てこないことがわかった。FIG. 6 shows an example in which the light beam spot diameter is increased when the pixel information of a total of nine points of the pixel being irradiated and the pixels adjacent thereto or diagonally adjacent thereto is all light irradiation information. As another example, when the pixel information of the pixel being irradiated and at least the four pixels adjacent thereto are all light irradiation information, the light beam spot diameter may be increased. By making the irradiation spots 20 and 21 have large spot diameters in this way, pitch unevenness in the sub-scanning direction is corrected and black streaks in the non-image area in the case of positive development are eliminated. In addition, the pixels 9B, 9 adjacent to the non-irradiated portion
C, 9D, 9E, 10B, 10E, 11B, 11C, 1
Since the spot diameters of 1D and 11E are not increased, the defect that the image becomes thin as in the conventional case is also eliminated. As a result of the development experiment, it was found that the minute black stripes 22 for one pixel in the figure did not appear in the image.
第7図および第8図により半導体レーザの光ビームスポ
ット径を大きくする一具体例について説明する。第7図
において、半導体レーザの駆動電流をaからbへと大き
くすると、レーザ光の光強度はa1からb1へと増加す
る。第8図において、光強度に対応する感光体上の光ビ
ームスポットの光強度分布はa2,b2のようにガウス
状になっているので、感光体の顕像される光量のしきい
値をEtとすると、それぞれの光強度に対してビームス
ポット径がa3からb3へと拡大される。従って半導体
レーザの駆動電流を増加する事により、光ビームスポッ
ト径を大きくする事ができる。A specific example of increasing the light beam spot diameter of the semiconductor laser will be described with reference to FIGS. 7 and 8. In FIG. 7, when the driving current of the semiconductor laser is increased from a to b, the light intensity of the laser light increases from a 1 to b 1 . In FIG. 8, since the light intensity distribution of the light beam spot on the photoconductor corresponding to the light intensity has a Gaussian shape like a 2 and b 2 , the threshold value of the amount of light visualized on the photoconductor is shown. Let Et be Et, the beam spot diameter is expanded from a 3 to b 3 for each light intensity. Therefore, the light beam spot diameter can be increased by increasing the driving current of the semiconductor laser.
第9図は半導体レーザの駆動回路の一例で、この回路
は、照射中の光ビームスポットに隣接する4点の画素の
画素情報が全て光照射情報のとき、光ビームスポット径
を大きくするものである。判別回路18の制御信号19
によりトランジスタ23に電流が流れ、レーザ駆動用ト
ランジスタ24の電流に加算されて、半導体レーザ1を
駆動するので、結果として感光体上の光ビームスポット
径を大きくする事ができる。FIG. 9 shows an example of a semiconductor laser drive circuit. This circuit increases the light beam spot diameter when the pixel information of four pixels adjacent to the light beam spot being irradiated is all light irradiation information. is there. Control signal 19 of discrimination circuit 18
As a result, a current flows through the transistor 23 and is added to the current of the laser driving transistor 24 to drive the semiconductor laser 1. As a result, the diameter of the light beam spot on the photoconductor can be increased.
しかしながら本方式では黒線の交差部においては、現像
特性によって交差部のふとりやつぶれが生じ交差部のシ
ャープさが得られないという欠点を有していた。However, this method has a drawback in that, at the intersection of black lines, the edge of the intersection is freckled or crushed due to the developing characteristics, and the sharpness of the intersection cannot be obtained.
発明の目的 本発明は上記従来の欠点を解消するものであり、黒線部
交差部の線のシャープさや、あるいはなめらかさを得る
光ビーム照射装置を提供することを目的としている。An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned conventional drawbacks, and an object of the present invention is to provide a light beam irradiation apparatus which can obtain the sharpness or smoothness of the line at the intersection of the black line portions.
発明の構成 上記目的を達成するため、本発明の光ビーム照射装置
は、ディジタル画素で構成された画像情報に応じて変調
された光ビームを出射する光源と、この光源からの光ビ
ームを記録媒体上に結像しかつ走査する走査手段と、現
在照射中の光ビームスポットに隣接する画素および斜め
隣接する画素の画素情報の少なくとも一部を記憶してい
る記憶手段と、この記憶手段の各記憶情報が光照射情報
か非光照射情報かを判別する判別手段と、この判別手段
の判別結果によって現在照射中の光ビームスポット径を
大きくする制御手段とを備え、前記制御手段は、現在照
射中の光ビームスポットに隣接および斜め隣接する8点
の画素情報のうち、連続して隣り合う少なくとも4点の
画素情報が未照射情報の場合に、前記光ビームスポット
径を大きくして画像の交差部のエッジをシャープにする
か、前記光ビームスポット径を小さくして画像の交差部
のエッジをなめらかにする構成としたものである。In order to achieve the above object, the light beam irradiation device of the present invention is a light source that emits a light beam that is modulated according to image information that is composed of digital pixels, and a recording medium that records the light beam from this light source. Scanning means for forming an image on and scanning, a storage means for storing at least a part of pixel information of a pixel adjacent to a light beam spot currently being irradiated and a pixel obliquely adjacent thereto, and each storage of the storage means. The information processing apparatus further includes a determination unit that determines whether the information is light irradiation information or non-light irradiation information, and a control unit that increases the diameter of the light beam spot that is currently being irradiated according to the result of the determination made by the determination unit. Of the pixel information of 8 points adjacent to and obliquely adjacent to the light beam spot, the light beam spot diameter is increased when the pixel information of at least 4 points adjacent to each other is unirradiated information. The edge of the intersecting portion of the image is sharpened or the diameter of the light beam spot is reduced to smooth the edge of the intersecting portion of the image.
実施例の説明 以下、本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
する。Description of Embodiments An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第13図は本発明の実施例を示しており、この実施例
は、照射される光ビームスポット径を大きくして画像の
交差部のエッジをシャープにしたり、あるいは光ビーム
スポット径を小さくして画像の交差部のエッジをなめら
かにするようにしたもので、照射中の画素34に隣接及
び斜め隣接する8点の画素の画素情報のうち、連続して
隣り合う少なくとも4点〔本実施例では画素35〜3
8〕の画素情報が非照射情報の場合、光ビームスポット
径を変化させるものである。ポジ現像の場合、光ビーム
スポット径を34aと大きくすると、画像の交差部がシ
ャープになる。なお、光ビームスポット径を34bと小
さくすると、交差部がなめらかになる。FIG. 13 shows an embodiment of the present invention. In this embodiment, the irradiated light beam spot diameter is increased to sharpen the edges at the intersections of the images, or the light beam spot diameter is decreased. The edges of the intersections of the images are made smooth, and at least four points which are adjacent to each other continuously in the pixel information of eight points of pixels which are adjacent to and obliquely adjacent to the pixel 34 being illuminated [in the present embodiment, Pixels 35-3
When the pixel information [8] is non-irradiation information, the light beam spot diameter is changed. In the case of positive development, when the light beam spot diameter is increased to 34a, the intersection of images becomes sharp. If the light beam spot diameter is reduced to 34b, the intersection becomes smooth.
又、第10図はネガ現像の場合、主走査方向に隣接する
白線に対して黒線25が細る場合、変調時間を長くして
黒線25aの細りを補正した例、第11図は黒線26が
ふとる場合、変調時間を短くして、黒線26aのふとり
を補正した例である。第12図は変調時間を補正する回
路の回路図およびその各部信号波形図であり、遅延回路
27により変調駆動信号28をTD時間遅らせた信号2
9と、もとの駆動信号28とを、論理積回路30又は論
理和回路31に通すことにより信号32,33を得、変
調時間の伸長又は圧縮を行なっている。In the case of negative development, FIG. 10 shows an example of correcting the thinning of the black line 25a by lengthening the modulation time when the black line 25 becomes thinner than the white line adjacent in the main scanning direction, and FIG. 11 shows the black line. In the case where 26 is fuzzy, the modulation time is shortened to correct the fuzzy black line 26a. FIG. 12 is a circuit diagram and its signal waveforms diagram of a circuit for correcting the modulation time, signal 2 obtained by delaying the modulated drive signal 28 T D time by the delay circuit 27
9 and the original drive signal 28 are passed through an AND circuit 30 or an OR circuit 31 to obtain signals 32 and 33, and the modulation time is expanded or compressed.
上記各実施例では、光源として半導体レーザ1を用いた
が、CRT,LEDアレイ等を光源にした光ビームであ
れば何でもよい。Although the semiconductor laser 1 is used as the light source in each of the above embodiments, any light beam using a CRT, LED array, or the like as the light source may be used.
発明の効果 以上説明したように本発明によれば、現在照射中の光ビ
ームスポットに隣接あるいは斜め隣接する画素情報を判
別して光ビームスポット径を大きくするようにしたの
で、ピッチむらを防ぐ回路を用いて黒線交差部における
画像のシャープさ、なめらかさを補正し、画像の向上を
図り得る。EFFECTS OF THE INVENTION As described above, according to the present invention, the light beam spot diameter is increased by discriminating the pixel information adjacent or obliquely adjacent to the light beam spot currently being irradiated. Can be used to correct the sharpness and smoothness of the image at the intersection of the black lines to improve the image.
第1図は従来の光ビーム照射装置の概略構成図、第2図
は光ビームの走査方向の説明図、第3図は副走査方向の
ピッチむらによる画質劣化の説明図、第4図は従来のピ
ッチむら補正の説明図、第5図は従来例における光ビー
ム照射装置の要部の回路ブロック図、第6図は同光ビー
ム照射装置によるピッチむら補正の説明図、第7図は同
光ビーム照射装置における半導体レーザの駆動電流とレ
ーザ光強度との関係の説明図、第8図は光ビームスポッ
トの分布説明図、第9図は別の例における半導体レーザ
の駆動回路の回路図、第10図は画像の細りを補正した
図、第11図は画像のふとりを補正した図、第12図は
変調時間の補正回路の回路図、第13図は画像の交差部
のシャープさ、なめらかさを補正した図である。 1……半導体レーザ、3……ポリゴン偏向器、5……レ
ーザビーム、7……駆動回路、15,16,17……シ
フトレジスタ、18…判別回路、27…遅延回路、30
…論理積回路、31…論理和回路。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a conventional light beam irradiation device, FIG. 2 is an explanatory diagram of a scanning direction of a light beam, FIG. 3 is an explanatory diagram of image quality deterioration due to pitch unevenness in a sub scanning direction, and FIG. FIG. 5 is a circuit block diagram of a main part of a light beam irradiation device in a conventional example, FIG. 6 is an explanatory diagram of pitch unevenness correction by the light beam irradiation device, and FIG. FIG. 8 is an explanatory view of the relationship between the driving current of the semiconductor laser and the laser light intensity in the beam irradiation device, FIG. 8 is an explanatory view of the distribution of the light beam spot, and FIG. FIG. 10 is a diagram in which image thinning is corrected, FIG. 11 is a diagram in which image fringing is corrected, FIG. 12 is a circuit diagram of a modulation time correction circuit, and FIG. 13 is sharpness and smoothness at intersections of images. It is the figure which corrected. 1 ... Semiconductor laser, 3 ... Polygon deflector, 5 ... Laser beam, 7 ... Driving circuit, 15, 16, 17 ... Shift register, 18 ... Discrimination circuit, 27 ... Delay circuit, 30
... AND circuit, 31 ... OR circuit.
Claims (1)
て変調された光ビームを出射する光源と、この光源から
の光ビームを記録媒体上に結像しかつ走査する走査手段
と、現在照射中の光ビームスポットに隣接する画素およ
び斜め隣接する画素の画素情報の少なくとも一部を記憶
している記憶手段と、この記憶手段の各記憶情報が光照
射情報か非光照射情報かを判別する判別手段と、この判
別手段の判別結果によって現在照射中の光ビームスポッ
ト径を大きくする制御手段とを備え、前記制御手段は、
現在照射中の光ビームスポットに隣接および斜め隣接す
る8点の画素情報のうち、連続して隣り合う少なくとも
4点の画素情報が未照射情報の場合に、前記光ビームス
ポット径を大きくして画像の交差部のエッジをシャープ
にするか、前記光ビームスポット径を小さくして画像の
交差部のエッジをなめらかにする構成としたことを特徴
とする光ビーム照射装置。1. A light source for emitting a light beam modulated according to image information composed of digital pixels, a scanning means for forming an image of the light beam from the light source on a recording medium and scanning the recording medium, and present irradiation. A storage unit that stores at least a part of pixel information of a pixel adjacent to a light beam spot inside and a pixel that is diagonally adjacent to each other, and determines whether each storage information of the storage unit is light irradiation information or non-light irradiation information. And a control unit that increases the diameter of the light beam spot currently being irradiated according to the determination result of the determination unit.
When the pixel information of at least four points that are adjacent to each other out of the pixel information of eight points that are adjacent to and obliquely adjacent to the light beam spot that is currently being irradiated is unirradiated information, the light beam spot diameter is increased and the image is increased. The light beam irradiation device is characterized in that the edge of the intersection is sharpened or the diameter of the light beam spot is reduced to make the edge of the image smooth.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58228932A JPH0657044B2 (en) | 1983-12-03 | 1983-12-03 | Light beam irradiation device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58228932A JPH0657044B2 (en) | 1983-12-03 | 1983-12-03 | Light beam irradiation device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60120660A JPS60120660A (en) | 1985-06-28 |
JPH0657044B2 true JPH0657044B2 (en) | 1994-07-27 |
Family
ID=16884113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58228932A Expired - Lifetime JPH0657044B2 (en) | 1983-12-03 | 1983-12-03 | Light beam irradiation device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0657044B2 (en) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2751326C3 (en) * | 1977-11-17 | 1985-05-09 | Dr.-Ing. Rudolf Hell Gmbh, 2300 Kiel | Method for recording written or pictorial information |
JPS568112A (en) * | 1979-07-03 | 1981-01-27 | Canon Inc | Scanning type image recorder |
JPS5727962A (en) * | 1980-07-19 | 1982-02-15 | Tatsurou Okamura | Construction material |
JPS5726962A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoradiation method for recorder |
-
1983
- 1983-12-03 JP JP58228932A patent/JPH0657044B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60120660A (en) | 1985-06-28 |
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