JPH0656872B2 - Lead frame for semiconductor device - Google Patents
Lead frame for semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPH0656872B2 JPH0656872B2 JP60049434A JP4943485A JPH0656872B2 JP H0656872 B2 JPH0656872 B2 JP H0656872B2 JP 60049434 A JP60049434 A JP 60049434A JP 4943485 A JP4943485 A JP 4943485A JP H0656872 B2 JPH0656872 B2 JP H0656872B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- finger
- lead frame
- semiconductor device
- resist
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H10W70/424—
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はIC,LSI等の半導体チツプを固定するのに
用いるリードフレームに係り、特に半導体チツプの電極
と接続されるフインガの形状に改良を加えた半導体装置
のリードフレームに関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a lead frame used for fixing a semiconductor chip such as an IC or LSI, and more particularly to a semiconductor in which a shape of a finger connected to an electrode of the semiconductor chip is improved. The present invention relates to a lead frame of a device.
従来より半導体チツプを樹脂モールドで一体化して複数
ピンを突設した半導体装置の組立てには金属性のリード
フレームが用いられている。このリードフレームは薄い
金属板をプレスで打ち抜いたり、エツチングなどによつ
て形成されており、その形状は第7図に示すように、半
導体チツプ1を取り付ける矩形のタブ2をその4隅にお
いて支持するタブリード3と、タブ2の周縁に内端を臨
ませる複数のフインガ4と、これらフインガ4及びタブ
リード3の外端を支持する枠部5と、枠部5の両側縁に
沿つて定間隔に設けられたスプロケツト孔6とからなつ
ている。2. Description of the Related Art Conventionally, a metallic lead frame has been used for assembling a semiconductor device in which a semiconductor chip is integrated with a resin mold and a plurality of pins are projected. This lead frame is formed by punching a thin metal plate with a press or by etching, and its shape supports rectangular tabs 2 for mounting the semiconductor chip 1 at its four corners, as shown in FIG. The tab leads 3, a plurality of fingers 4 having inner ends facing the periphery of the tabs 2, a frame 5 supporting the fingers 4 and outer ends of the tab leads 3, and provided at regular intervals along both side edges of the frame 5. And the sprocket holes 6 formed therein.
このようなリードフレーム7を用いて半導体装置を組み
立てるには、まずタブ2上に半導体チツプ1を取り付け
た後、半導体チツプ1の各電極とこれに対応するフイン
ガ4の内端をワイヤあるいはワイヤを用いず直接に接続
し、その後矩形枠部5の内側領域を合成樹脂でモールド
し半導体チツプ1を被覆し、次いで枠部5を切除し、フ
ラツトリードあるいはインライン型の半導体装置を得る
のである。In order to assemble a semiconductor device using such a lead frame 7, first, the semiconductor chip 1 is mounted on the tab 2, and then each electrode of the semiconductor chip 1 and the inner end of the finger 4 corresponding thereto is attached with a wire or a wire. Direct connection is made without using it, then the inner region of the rectangular frame portion 5 is molded with a synthetic resin to cover the semiconductor chip 1, and then the frame portion 5 is cut off to obtain a flat lead or in-line type semiconductor device.
ところで、リードフレーム7には細いタブリード3やフ
インガ4が設けられるが、近年小型でピン数の多い半導
体装置が望まれ、フインガ4数も増大する傾向にある。
従つて一本のフインガ4の幅もますます小さくならざる
を得ず、例えば0.3mm程度である。By the way, although the lead frame 7 is provided with thin tab leads 3 and fingers 4, a semiconductor device having a small number and a large number of pins is desired in recent years, and the number of fingers 4 tends to increase.
Therefore, the width of one finger 4 is inevitably smaller and is, for example, about 0.3 mm.
このようなフインガ4を半導体装置の組立に用いる場
合、その可撓性によつて寸法誤差を吸収して半導体チツ
プの電極に接続することができるのであるが、隣接する
フインガ4と接触し易く、接続作業が非常に困難となる
とともに、断線などのおそれも生じる。When such a finger 4 is used for assembling a semiconductor device, it is possible to absorb a dimensional error due to its flexibility and connect it to the electrode of the semiconductor chip, but it is easy to contact the adjacent finger 4, Connection work becomes very difficult, and there is a risk of disconnection.
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、フインガに
適度な可撓性及び剛性をもたせ、半導体装置の組立作業
を容易にし、且つ安定したフインガ接続が得られる半導
体装置のリードフレームを提供しようとするものであ
る。The present invention has been made in view of the above points, and provides a lead frame for a semiconductor device, which allows the finger to have appropriate flexibility and rigidity, facilitates the assembly work of the semiconductor device, and provides stable finger connection. Is what you are trying to do.
上記目的を達成するための構成として、本発明は、一端
側が半導体チップの電極に直接接続されるフィンガを備
えた半導体装置のリードフレームにおいて、前記フィン
ガの両端部を除く中間の部分の例えばあらかじめ設定さ
れた面に、当該フィンガの長手方向に沿って延びる条溝
を形成したことを特徴としている。As a configuration for achieving the above object, the present invention provides a lead frame of a semiconductor device having a finger whose one end side is directly connected to an electrode of a semiconductor chip, in which an intermediate portion other than both ends of the finger is preset, for example. It is characterized in that a groove extending in the longitudinal direction of the finger is formed on the formed surface.
第1図はフインガの一部を横断面にして示した斜視図、
第2図はフインガ先端部の縦断面図である。図におい
て、フインガ4は導電性金属箔からなり、中央部下面に
その長手方向下に沿つて条溝4aを有し、両側にはフラン
ジ部4b,4c を備えている。条溝4aは第3図の二点鎖線で
示すように、フインガ4の基部4d及び先端部4eを除く中
間部分に形成され、この中間部における断面形状を略々
コ字状として少い材料で曲げに対する断面二次モーメン
トを増大させている。FIG. 1 is a perspective view showing a cross section of a part of a finger,
FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of the tip of the finger. In the figure, the finger 4 is made of a conductive metal foil, has a groove 4a on the lower surface of the central portion along the lower side in the longitudinal direction, and has flange portions 4b, 4c on both sides. As shown by the chain double-dashed line in FIG. 3, the groove 4a is formed in an intermediate portion of the finger 4 excluding the base portion 4d and the tip portion 4e. The second moment of area for bending is increased.
またフインガ4の先端部4eは半導体チツプ1の電極と接
続されるバンプ4fが形成されている。この先端部4eと中
間部分を連結する部分の下面には前記条溝4aと略直交す
る方向の凹部4gが形成され、凹部4gより先方がフインガ
4上面より突出するバンプ4fを構成する。Further, a bump 4f connected to the electrode of the semiconductor chip 1 is formed on the tip 4e of the finger 4. A concave portion 4g in a direction substantially orthogonal to the groove 4a is formed on a lower surface of a portion connecting the tip portion 4e and the intermediate portion, and a bump 4f protruding from the concave portion 4g from the upper surface of the finger 4 is formed.
なお、このフィンガ以外は、前記従来例と同等に構成さ
れているので、同等と見なせるリードフレームの各部の
説明は省略する。It should be noted that, except for this finger, the lead frame has the same structure as that of the conventional example, and therefore description of each part of the lead frame which can be regarded as equivalent is omitted.
第4図はフインガ4の他の例を示した斜視図であつて、
前記実施例のフインガ4の上面に更に金属薄膜4hを積層
したものである。このようにすることでフインガ4の剛
性を更に増加させることができる。FIG. 4 is a perspective view showing another example of the finger 4.
A metal thin film 4h is further laminated on the upper surface of the finger 4 of the embodiment. By doing so, the rigidity of the finger 4 can be further increased.
第5図は上記フインガ構造のリードフレームを成形する
工程を示すものである。FIG. 5 shows a step of molding the lead frame having the finger structure.
まず(a),(b)図に示すようにポリイミド,ポリエステル
等の合成樹脂からなる厚さ35μ〜70μ程度のフイルム8
にプツシユバツク法によるプレス加工でデイバイス孔9
を設ける。プツシユバツク法は(a)図の如くまず押型に
よつて所望部分を打ち抜き、次いで受型を再度上昇させ
て(b)図の如く切抜片10を一度穿つたデイバイス孔9内
に嵌合保持させる加工方法である。従つて、加工後はフ
イルム8はデイバイス孔9が開口されない(b)図の状態
で維持され、一枚のシートとして取扱うことができる。
尚、このデイバイス孔9の形成時には、その他前記スプ
ロケツト孔6等の窓部も同時に成形することができる。First, as shown in FIGS. (A) and (b), a film 8 made of synthetic resin such as polyimide or polyester and having a thickness of about 35 μ to 70 μ is used.
Pressed by push-back method to make device holes 9
To provide. In the push back method, as shown in (a), a desired portion is first punched out by a pressing die, then the receiving die is raised again, and (b) as shown in the figure, the cutout piece 10 is fitted and held in the device hole 9 once drilled. Is the way. Therefore, after processing, the film 8 is maintained in the state of the device hole 9 in which the device holes 9 are not opened, and can be handled as a single sheet.
When the device hole 9 is formed, other window portions such as the sprocket hole 6 can be formed at the same time.
次に開口されない前記フイルム8上には(c)図の如く銅
などの導電性金属層11が無電解メツキ,蒸着などの手段
にて形成される。更に導電性金属層11の上には(d)図の
ようにフオトレジスト層12が塗布され、もしくは、厚さ
150 μ程度のドライフイルム状レジスト層が貼着され、
フオトマスク13をかけて所望パターンに露光した後洗浄
することにより、感光した部分のみ取り除かれて(e)図
の如きレジスト層12が導電性金属層11上に形成される。
プツシユバツク後のこの導電性金属層やフオトレジスト
層は切抜片10の不要な脱落を防止する仮止め手段として
の機能を有するもので、フイルムのように薄状物のプツ
シユバツクされた物のように脱落し易いものの仮止めに
特に有効である。Next, a conductive metal layer 11 made of copper or the like is formed on the film 8 which is not opened by a means such as electroless plating or vapor deposition as shown in FIG. Further, a photoresist layer 12 is applied on the conductive metal layer 11 as shown in FIG.
A dry film-like resist layer of about 150 μ is attached,
By exposing to a desired pattern by applying a photomask 13 and then washing, only the exposed portion is removed to form a resist layer 12 as shown in FIG.
The conductive metal layer and photoresist layer after push-back have a function as a temporary fixing means for preventing unnecessary detachment of the cut-out piece 10, so that it can be removed like a thin-film push-backed article such as a film. Although it is easy to do, it is especially effective for temporary fixing.
次にこのフイルム8上に亜セレン酸や苛性ソーダ等によ
り剥離処理を施し、ニツケルなどの金属を電鋳成形する
と、(f)図に示すようにレジスト層12が形成されていな
い導電性金属層11の上に所望パターンのリードフレーム
7が形成される。Next, a peeling treatment is performed on the film 8 with selenious acid, caustic soda, or the like, and a metal such as nickel is electroformed. As a result, as shown in (f), the conductive metal layer 11 on which the resist layer 12 is not formed is formed. A lead frame 7 having a desired pattern is formed on the above.
ニツケルなどの金属でリードフレームを電鋳する際、0.
07%以下の光沢剤(カーボンが0.01〜0.04%,イオウが
0.01〜0.04%でこれらの合計が0.07%以下)が使用され
る。光沢剤の含有率は通常0.1 %程度であるが、このよ
うに含有率が高いと、ICチツプとの接合時におけるリ
ードフレームの温度上昇により、ニツケルが脆化する。
そのため光沢剤の含有率は0.07%以下に制限する必要が
ある。また光沢剤を全く含有しなければ、機械的強度が
十分に得られず、加工時の変形によつて隣のリードと短
絡する恐れがある。When electroforming the lead frame with metal such as nickel, 0.
07% or less brightener (0.01-0.04% carbon, sulfur
0.01 to 0.04% and the sum of these is 0.07% or less) is used. The content of the brightening agent is usually about 0.1%, but if the content is high like this, the temperature of the lead frame at the time of joining with the IC chip causes the nickel to become brittle.
Therefore, the content of the brightener must be limited to 0.07% or less. Further, if no brightening agent is contained, sufficient mechanical strength cannot be obtained, and there is a risk of short-circuiting with the adjacent lead due to deformation during processing.
電鋳形成後にレジスト層12を除去して、次いでデイバイ
ス孔9を含む窓部を閉鎖している切抜片10を抜き落せ
ば、(g)図の如き断面のリードフレーム7が合成樹脂フ
イルム8上に形成されるのである。この場合、導電性金
属層11は電鋳のための導電性を確保するために設ける程
度の厚さ例えば5〜10μ程度であるので、抜き落し力は
小さくて済みリードフレーム13を変形させることはな
い。After electroforming, the resist layer 12 is removed, and then the cut-out piece 10 that closes the window portion including the device hole 9 is pulled out, so that the lead frame 7 having the cross section as shown in FIG. Is formed in. In this case, since the conductive metal layer 11 has a thickness, for example, about 5 to 10 μ, which is provided to secure conductivity for electroforming, the pull-out force is small and the lead frame 13 cannot be deformed. Absent.
尚、上記実施例においては、リードフレーム7は合成樹
脂フイルム8上に形成したが、合成樹脂フイルム8の代
りに導電性の金属ステンレスフイルム等を用いることも
できる。Although the lead frame 7 is formed on the synthetic resin film 8 in the above embodiment, a conductive metallic stainless film or the like may be used instead of the synthetic resin film 8.
この場合は、第5図(c)に示す如き銅などからなる導電
性金属層11を新たに設けることがなく、ステンレスフイ
ルム8の上にフオトレジスト層12を形成し、直接電鋳に
よつてステンレスフイルム上にニツケル,銅,金やそれ
らの合金等からなるリードフレーム7を形成することが
可能である。In this case, the conductive metal layer 11 made of copper or the like as shown in FIG. 5 (c) is not newly provided, and the photoresist layer 12 is formed on the stainless film 8 and directly electroformed. It is possible to form the lead frame 7 made of nickel, copper, gold or alloys thereof on the stainless film.
第6図は上記製造工程におけるフインガ部のレジストパ
ターンを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a resist pattern of a finger portion in the above manufacturing process.
フインガ部では、所望パターンのフインガ用レジスト層
12の他に、フインガ4に対応する位置の非レジスト部14
中央に、その長手方向に沿つたレジスト部12a が形成さ
れており、このレジスト部12a に対応して前述の条溝4a
が形成されるのである。In the finger part, the resist layer for the finger of the desired pattern
In addition to 12, the non-resist portion 14 at the position corresponding to the finger 4
A resist portion 12a is formed along the longitudinal direction in the center, and the above-mentioned groove 4a is formed corresponding to the resist portion 12a.
Is formed.
また非レジスト部14の先端にはレジスト層11によつて分
離された円形の非レジスト部15が形成されており、この
ようなレジスト層11を有する金属上に電鋳作用を施す
と、電鋳開始後初期にあつてはフインガ4本体は、レジ
スト層11によつて分離された円形の非レジスト部15上に
成長する金属層と別個に形成されていくが、電鋳が更に
進行すると分離されていた非レジスト部15上の金属とフ
インガ本体とはレジスト層11を越えて連結する。そして
電鋳によつて積層される金属の厚みは電流密度によつて
左右されるから、平板状のフインガ4本体部に比べ点状
の非レジスト部15上の金属層はより肉厚となり、第2図
に示すようなバンプ4fを形成する。Further, a circular non-resist portion 15 separated by the resist layer 11 is formed at the tip of the non-resist portion 14, and when electroforming is performed on a metal having such a resist layer 11, electroforming is performed. In the initial stage after the start, the finger 4 main body is formed separately from the metal layer growing on the circular non-resist portion 15 separated by the resist layer 11, but is separated as the electroforming further progresses. The metal on the non-resist portion 15 and the main body of the finger that have been used are connected to each other across the resist layer 11. Since the thickness of the metal laminated by electroforming depends on the current density, the metal layer on the dot-shaped non-resist portion 15 becomes thicker than that of the flat-shaped finger 4 main body portion. A bump 4f as shown in FIG. 2 is formed.
尚、第4図に示すような金属薄膜4hを形成する場合に
は、前述の電鋳成形工程に加えて、第2次の電鋳成形を
施せば良い。When forming the metal thin film 4h as shown in FIG. 4, a second electroforming process may be performed in addition to the electroforming process described above.
またニツケルなどの金属でリードフレームを電鋳する
際、光沢剤が含有されない層と光沢剤が含有された層の
二層を重ね合わせたリードフレームを作ることもでき
る。光沢剤を入れないで電鋳すると、表面が粗面化され
凹凸の著しいものとなりこのためICチツプとの接合時
の温度集中、特に圧接状態で接合する際の温度集中が起
こり易く、接合を確実なものとすることができる。一
方、接合面と反対側に光沢剤入りの層を設ければ、リー
ドフレームとしての機械的強度を確保することができ
る。なお、光沢剤の含有率は前記実施例で述べたように
0.07%以下に制限する方が望ましい。Also, when electroforming a lead frame with a metal such as nickel, it is possible to make a lead frame in which two layers, a layer not containing a brightening agent and a layer containing a brightening agent, are superposed. If electroforming is performed without adding a brightener, the surface will be roughened and the irregularities will become remarkable, so temperature concentration during joining with the IC chip, especially when joining in a pressure-welded state, tends to occur, ensuring reliable joining. It can be anything. On the other hand, if a layer containing a brightener is provided on the side opposite to the joint surface, the mechanical strength of the lead frame can be secured. The content of the brightening agent is the same as described in the above example.
It is desirable to limit it to 0.07% or less.
本発明は以上の通りであり、フィンガの両端部を除く長
手方向の中間部に、長手方向に沿って条溝を設けたの
で、フインガに適度な可撓性及び剛性をもたせることが
でき、半導体装置の組立作業が容易となる。またフイン
ガの断線による接続不良をなくし、安定した性能をもつ
半導体装置を製造することが可能となる。The present invention is as described above, and since the groove is provided along the longitudinal direction at the intermediate portion in the longitudinal direction excluding both ends of the finger, the finger can have appropriate flexibility and rigidity. Assembly work of the device becomes easy. Further, it becomes possible to manufacture a semiconductor device having stable performance by eliminating connection failure due to disconnection of fingers.
第1図は本発明実施例のフインガの一部を断面した斜視
図、第2図はフインガの長手方向の断面図、第3図はフ
インガの一部を示す平面図、第4図は本発明におけるフ
インガの他の実施例を示す斜視図、第5図は本発明実施
例におけるリードフレームの製造工程を示す図、第6図
はフインガ部のレジストパターンを拡大して示す図、第
7図は一般的なリードフレーム形状を示す平面図であ
る。 2……タブ、3……タブリード、4……フインガ、4a…
…条溝、7……リードフレーム、F……フインガの長手
方向。FIG. 1 is a perspective view showing a cross section of a part of a finger of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross sectional view in the longitudinal direction of the finger, FIG. 3 is a plan view showing a part of the finger, and FIG. FIG. 5 is a perspective view showing another embodiment of the finger in FIG. 5, FIG. 5 is a view showing a manufacturing process of a lead frame in the embodiment of the present invention, FIG. 6 is an enlarged view of a resist pattern of a finger portion, and FIG. It is a top view which shows a general lead frame shape. 2 ... tab, 3 ... tab lead, 4 ... finger, 4a ...
… Slits, 7 …… Lead frame, F …… Longitudinal direction of finger.
フロントページの続き (72)発明者 坂田 栄二 福岡県田川郡方城町大字伊方4680番地 九 州日立マクセル株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−2535(JP,A) 特開 昭61−101059(JP,A) 実開 昭55−99150(JP,U)Continued Front Page (72) Eiji Sakata Eiji Sakata 4680 Ikata, Katshiro-cho, Tagawa-gun, Fukuoka Prefecture Kyushu Hitachi Maxell Co., Ltd. (56) Reference JP 57-2535 (JP, A) JP 61- 101059 (JP, A) Actually opened 55-99150 (JP, U)
Claims (1)
れるフィンガを備えた半導体装置のリードフレームにお
いて、前記フィンガの先端部と基端部を除く中間の部分
に、当該フィンガの長手方向に沿って条溝を形成したこ
とを特徴とする半導体装置のリードフレーム。1. In a lead frame of a semiconductor device having a finger whose tip portion is directly connected to an electrode of a semiconductor chip, at a middle portion of the finger excluding the tip portion and the base end portion in the longitudinal direction of the finger. A lead frame for a semiconductor device, characterized in that a groove is formed along the lead frame.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60049434A JPH0656872B2 (en) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | Lead frame for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60049434A JPH0656872B2 (en) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | Lead frame for semiconductor device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7691593A Division JPH0766954B2 (en) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208859A JPS61208859A (en) | 1986-09-17 |
| JPH0656872B2 true JPH0656872B2 (en) | 1994-07-27 |
Family
ID=12830996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60049434A Expired - Lifetime JPH0656872B2 (en) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | Lead frame for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0656872B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2857492B2 (en) * | 1990-11-28 | 1999-02-17 | シャープ株式会社 | TAB package |
| JPH06196603A (en) * | 1992-12-23 | 1994-07-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Manufacture of lead frame |
| TWI623076B (en) * | 2016-11-02 | 2018-05-01 | Fusheng Electronics Corporation | Lead frame manufacturing method |
| TW201901894A (en) * | 2017-05-18 | 2019-01-01 | 復盛精密工業股份有限公司 | Method for manufacturing lead frame with line and structure thereof |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5824441Y2 (en) * | 1978-12-28 | 1983-05-25 | 富士通株式会社 | semiconductor equipment |
| JPS572535A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-07 | Hitachi Ltd | Lead structure |
-
1985
- 1985-03-14 JP JP60049434A patent/JPH0656872B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61208859A (en) | 1986-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2548939B2 (en) | Lead frame for IC card | |
| JPH0656872B2 (en) | Lead frame for semiconductor device | |
| JP2549277B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH0722191B2 (en) | Method for manufacturing lead frame of semiconductor device | |
| JP2532075B2 (en) | Manufacturing method of film carrier with bump | |
| JPH0766954B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2001007274A (en) | Resin-sealed semiconductor device, circuit member used therefor, and method of manufacturing circuit member | |
| JPH0719865B2 (en) | Method for manufacturing lead frame of semiconductor device | |
| JPH05308092A (en) | Semiconductor device | |
| JP2614171B2 (en) | Multi-row contact pin and method of manufacturing the same | |
| JPH06104318A (en) | Semiconductor device manufacturing intermediate and manufacturing method thereof | |
| JP2509882B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH0564853B2 (en) | ||
| JP2556325B2 (en) | Lead frame for IC card | |
| JPH0564855B2 (en) | ||
| JP2528765B2 (en) | Lead frames for semiconductor devices | |
| JPS61208858A (en) | Manufacture of lead frame of semiconductor device | |
| JP2528766B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH05267546A (en) | Semiconductor device | |
| JPH0437042A (en) | Film carrier, semiconductor device using film carrier and its manufacture | |
| JPH069216B2 (en) | Lead carrier film | |
| JPH047850A (en) | Tape carrier | |
| JPS62128132A (en) | Electronic part packaged circuit and manufacture thereof | |
| JPS5831429Y2 (en) | Watch board | |
| JPH07106481A (en) | Semiconductor device |