JPH0651238A - Laser - Google Patents
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- JPH0651238A JPH0651238A JP27870391A JP27870391A JPH0651238A JP H0651238 A JPH0651238 A JP H0651238A JP 27870391 A JP27870391 A JP 27870391A JP 27870391 A JP27870391 A JP 27870391A JP H0651238 A JPH0651238 A JP H0651238A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、指数関数的に減衰する
パルス波形を有するパルス状にレーザーを照射すること
ができるレーザー装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser device capable of irradiating a laser in a pulse shape having a pulse waveform that decays exponentially.
【0002】[0002]
【従来の技術】瞬間的なレーザー光を間欠的に照射する
レーザーとしてエキシマレーザーに代表されるパルス発
振のレーザーが知られている。このパルス発振のレーザ
ーは、数十ナノ秒という極めて短い時間に数百(mJ/
cm2 )の高エネルギーを照射することができるという
特徴を有している。2. Description of the Related Art A pulse oscillation laser represented by an excimer laser is known as a laser for intermittently irradiating a momentary laser beam. This pulsed laser emits hundreds (mJ / mJ) in an extremely short time of tens of nanoseconds.
It has a feature that it can be irradiated with high energy of cm 2 ).
【0003】エキシマレーザーの利用用途として知られ
ているものにガラス基板上に設けられた非晶質珪素半導
体をエキシマレーザーの照射によって結晶化する方法が
知られている。As a known application of an excimer laser, a method is known in which an amorphous silicon semiconductor provided on a glass substrate is crystallized by irradiation with an excimer laser.
【0004】この方法の特徴は、非晶質珪素を結晶化す
るのに充分なエネルギーを与えるこができるのと同時
に、下地のガラス基板に熱ダメージを与えることが無い
ということである。これは、実際にレーザーが照射され
ているのが数十ナノ秒と極めて短時間のため、非晶質珪
素半導体においてそのエネルギーのほとんど全てが吸収
されてしまうためである。The feature of this method is that sufficient energy can be applied to crystallize amorphous silicon, and at the same time, the underlying glass substrate is not damaged by heat. This is because the laser is actually irradiated for a very short time of several tens of nanoseconds, and almost all of the energy is absorbed in the amorphous silicon semiconductor.
【0005】また、パルス発振方式のレーザーに限ら
ず、レーザー光のビームを光学系によって成形すること
は良く知られている。すなわち、レーザー光のビームは
空間的には制御することが従来の技術においては可能な
のである。一方、レーザー照射によって非晶質珪素半導
体膜を結晶化させる場合等においては、強いエネルギー
密度を有するレーザー光から漸次弱いレーザー光を照射
する方法によって急激な固化に従う表面の荒れを防ぐ方
法等が知られている。Further, it is well known to form a beam of laser light by an optical system, not limited to a pulse oscillation type laser. That is, the beam of laser light can be spatially controlled in the conventional technique. On the other hand, in the case of crystallizing an amorphous silicon semiconductor film by laser irradiation, a method of preventing surface roughness due to abrupt solidification by irradiating a laser beam having a high energy density with a weak laser beam is known. Has been.
【0006】しかしながら、レーザービームのエネルギ
ー密度を時間的に漸次弱くしていくことによって、被照
射面表面の荒れを防ぐ方法又は被照射面に対する照射時
間を伸ばす方法については、実用化されていなかった。However, no method has been put into practical use as a method of gradually roughening the energy density of the laser beam over time to prevent the surface of the irradiated surface from becoming rough or to extend the irradiation time of the irradiated surface. .
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】従来のパルス照射型の
レーザー装置においては、時間的に一定のエネルギー密
度を有したレーザービームを間歇的に照射する形式であ
り、空間的エネルギー密度分布は光学系の工夫により制
御することができるが、時間的なエネルギー密度分布は
変化させることができなかった。A conventional pulse irradiation type laser device is a type in which a laser beam having a temporally constant energy density is intermittently irradiated, and the spatial energy density distribution is an optical system. However, the temporal energy density distribution could not be changed.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、パルス発振を
するレーザー発振装置と、該レーザー発振装置から発振
されたレーザー光をその進行方向から別の方向に分割す
るハーフミラーと、前記別の方向に分割されたレーザー
光をこの別な方向と同一方向でもって前記ハーフミラー
に入射させる光学系を有することを特徴とするレーザー
装置である。The present invention is directed to a laser oscillating device which performs pulse oscillation, a half mirror which divides a laser beam oscillated from the laser oscillating device into another direction from its traveling direction, and A laser device having an optical system for making a laser beam divided into directions enter the half mirror in the same direction as the other direction.
【0009】上記発明の構成において、パルス発振をす
るレーザー発振装置としては、代表的にはエキシマレー
ザー発振装置を用いることができる。レーザー光を分割
するハーフミラーとしては、レーザー光を1:1の割合
で分割するものが好ましい。In the structure of the above invention, an excimer laser oscillator can be typically used as the laser oscillator for pulse oscillation. The half mirror that splits the laser light is preferably one that splits the laser light at a ratio of 1: 1.
【0010】この発明の構成は、一度ハーフミラーによ
って分割されたレーザー光を再度同じハーフミラーに最
初分割された方向と同一方向をもって入射させ、最初に
被照射面に対して照射される前記分割された一方のレー
ザー光の照射終了直後に前記分割されたもう一方のレー
ザー光を照射させることによって、指数関数的に光量す
なわちエネルギー密度が減衰した時間分布を持つパルス
のレーザー光を得るものである。また、ハーフミラーに
よって分割された2つのパルスを別々の経路を経て同一
場所に異なる角度から照射する方法もあるが、この方法
においては第1のパルスと第2のパルスを有するのみと
なる。しかし、レーザー照射時間を伸ばすという効果は
有する。According to the configuration of the present invention, the laser light once divided by the half mirror is made incident again on the same half mirror in the same direction as the first divided direction, and the divided surface is first irradiated to the divided surface. Immediately after the end of the irradiation with the one laser beam, the other divided laser beam is irradiated to obtain a pulsed laser beam having a time distribution in which the light amount, that is, the energy density is exponentially attenuated. There is also a method of irradiating two pulses divided by a half mirror to the same place from different angles through different paths, but this method only has a first pulse and a second pulse. However, it has the effect of extending the laser irradiation time.
【0011】例えば、1:1に分割するハーフミラーを
用いた場合、最初被照射面に到達するパルスレーザー光
の光量は、発振時の約50%である。そして、残り約5
0%のレーザー光は再度ハーフミラーを通ることによっ
て半分の約25%となって、被照射面に対して指向する
ことになる。そして同じ行程を繰り返すことによって再
度約25%の半分の約12.5%のレーザー光が被照射
面に対して照射されることになる。もちろん、この例の
場合は、途中におけるレーザー光の損失を考えていない
が、レーザー光の損失を最低限に抑えることによって上
記の作用を得ることができる。For example, when a 1: 1 split half mirror is used, the amount of pulsed laser light that first reaches the surface to be illuminated is about 50% of that during oscillation. And about 5 remaining
By passing through the half mirror again, 0% of the laser light becomes about 25% of the half, and is directed to the irradiation surface. Then, by repeating the same process, about 12.5% of the laser light, which is half of about 25%, is irradiated again to the surface to be irradiated. Of course, in the case of this example, the loss of the laser beam in the middle is not taken into consideration, but the above effect can be obtained by minimizing the loss of the laser beam.
【0012】以下に実施例を示し本発明の構成を説明す
る。The structure of the present invention will be described below with reference to examples.
【0013】[0013]
〔実施例1〕本実施例は、パルスレーザー光を複数に分
割し、該複数に分割されたレーザー光を同一被照射場所
に照射するレーザー装置において、Lを光路差、cを光
の速さ、tをパルスレーザーのパルスの時間幅すなわち
パルス幅として、それぞれのレーザー光の光路差が以下
の条件、L=ctを満たすことを特徴とする構成であ
る。本実施例においては、ハーフミラーの透過率と反射
率の比は1:1である。本実施例において用いられるハ
ーフミラーは平坦性の高いガラス板または石英板上に反
射率の高い金属薄膜を成膜したものである。[Embodiment 1] In this embodiment, in a laser device that divides a pulsed laser light into a plurality of pieces and irradiates the laser light divided into a plurality of pieces onto the same irradiation location, L is an optical path difference and c is a speed of light. , T is the time width of the pulse of the pulse laser, that is, the pulse width, and the optical path difference of each laser light satisfies the following condition, L = ct. In this embodiment, the half mirror has a transmissivity / reflectance ratio of 1: 1. The half mirror used in this embodiment is formed by depositing a metal thin film having a high reflectance on a glass plate or a quartz plate having a high flatness.
【0014】本実施例の構成を図1に示す。図1におい
て、1はエキシマレーザー発振装置(KrF 波長24
8nm)であり発振周波数は可変であるが、20Hzに
固定して用いた。またパルスの時間幅は2×10-8se
cである。2はハーフミラーであり3はミラーであり、
4が被照射面であり必要に応じてレーザー照射を受ける
資料が選択される。本実施例において、エキシマレーザ
ー発振装置1で発振されたパルスレーザー光の一つのパ
ルスは、透過率と反射率が1:1であるハーフミラー2
によって被照射面4に向かうパルスとミラー3の一つに
向かうパルスに分割される。ミラー3の一つに指向した
パルスは、矢印で示す様な光路を通って再びハーフミラ
ー2に入射し、透過するパルスと被照射面4に向かうパ
ルスに分割される。この時に被照射面4に指向するレー
ザーパルスの光量は最初に被照射面4に指向したレーザ
ーパルスの光量の半分になっている。レーザーパルスの
光量とそのレーザーパルスのエネルギー密度は比例する
と考えられるので、この場合は被照射面に向かう第1の
レーザーパルスのエネルギー密度の半分のエネルギー密
度を第2のレーザーパルスが有することになる。そし
て、レーザーパルスが図1に示す4つのミラーで構成さ
れたループを回るたびにエネルギー密度が1/2ずつ減
衰したレーザーパルスが被照射面に照射されることにな
る。また、当然図1に示す装置の4つのミラーとハーフ
ミラーとは、微動機構およに微動回転機構が備えられて
おり、レーザーのパルス幅や発振周波数に対応して微調
整できることはいうまでもない。The structure of this embodiment is shown in FIG. In FIG. 1, 1 is an excimer laser oscillator (KrF wavelength 24
Although the oscillation frequency is variable, it was fixed at 20 Hz and used. The time width of the pulse is 2 × 10 -8 se
c. 2 is a half mirror, 3 is a mirror,
Reference numeral 4 is a surface to be irradiated, and a material to be laser-irradiated is selected as necessary. In this embodiment, one pulse of the pulsed laser light oscillated by the excimer laser oscillator 1 has a half mirror 2 having a transmittance and a reflectance of 1: 1.
Is divided into a pulse directed to the irradiated surface 4 and a pulse directed to one of the mirrors 3. The pulse directed to one of the mirrors 3 is again incident on the half mirror 2 through the optical path indicated by the arrow, and is split into a pulse that is transmitted and a pulse that is directed to the irradiated surface 4. At this time, the light quantity of the laser pulse directed to the irradiated surface 4 is half the light quantity of the laser pulse initially directed to the irradiated surface 4. Since it is considered that the light quantity of the laser pulse and the energy density of the laser pulse are proportional to each other, in this case, the second laser pulse has half the energy density of the first laser pulse toward the irradiation surface. . Then, each time the laser pulse goes around the loop constituted by the four mirrors shown in FIG. 1, the laser pulse whose energy density is attenuated by ½ is applied to the irradiation surface. Of course, the four mirrors and the half mirror of the apparatus shown in FIG. 1 are provided with a fine movement mechanism and a fine movement rotation mechanism, and it is needless to say that fine adjustment can be performed according to the pulse width and oscillation frequency of the laser. Absent.
【0015】本実施例においては、それぞれのレーザー
光の光行差LがL=ctを満たすように構成してあるの
で、それぞれのパルスは図2に示すようになる。すなわ
ち本実施例においては、L=2(x+y)=ctとなる
ように設けられているので、つぎつぎと被照射面に到達
するパルスは、丁度パルスの幅に相当する時間だけずれ
るので、図2に示すような時間分布を有することにな
る。In this embodiment, since the optical path difference L of each laser beam satisfies L = ct, each pulse is as shown in FIG. That is, in this embodiment, since L = 2 (x + y) = ct is provided, the pulses arriving at the surface to be irradiated are shifted by a time corresponding to the width of the pulse. It has a time distribution as shown in.
【0016】本実施例において、光の速さcは真空中で
のものである3×108 m/sを用いるとし、レーザー
のパルスの時間幅tは2×10-8sであるので、L=3
×108 ×2×10-8=6mとなり、本実施例において
はx+y=3mという条件を満たせばよいことになる。
なお、本実施例においては、2(x+y)<ctであれ
ば、レーザーパルスはそれぞれ重なりあい、2(x+
y)>ctであればレーザーパルスのそれぞれ間隔は広
がることになる。本発明の構成において、2(x+y)
<ctすなわちL<ctの場合を除外しているのは、レ
ーザーパルスが重なることによって有用なエネルギー密
度の時間的分布が得られないからである。In this embodiment, it is assumed that the speed of light c is 3 × 10 8 m / s, which is in vacuum, and the time width t of the laser pulse is 2 × 10 -8 s. L = 3
It becomes x10 8 x2 x10 -8 = 6 m, and in the present embodiment, the condition of x + y = 3 m should be satisfied.
In this embodiment, if 2 (x + y) <ct, the laser pulses overlap each other and 2 (x +).
If y)> ct, the laser pulse intervals are widened. In the configuration of the present invention, 2 (x + y)
The case of <ct, that is, L <ct is excluded because overlapping of the laser pulses does not provide a useful temporal distribution of energy density.
【0017】本実施例の場合、L=ctとすることによ
って得られる被照射点における時間Tと照射されるレー
ザー光のエネルギー密度Eとの関係を示したグラフが図
2である。図2においては光学系におけるレーザー光の
損失はないものとする。図2において、tがレーザーの
パルス幅であり実際に一つのパルスのレーザーが照射さ
れている時間である。このパルス幅の値は、10〜50
nsecであり、これに対してパルスからパルスまでの
時間間隔は、発振周波数が20Hzであれば0.5se
cであるので、パルスの時間幅tはパルスからパルスま
での時間間隔に比較して十分大きいことになる。図2に
おいては一つのパルスしか示されていないが、エキシマ
レーザー発振器から発振された次のパルスが図2の左の
方に存在し、一つ前のパルスは右の方に存在しているこ
とになる。すなわち、エキシマレーザー発振器1から発
振された時は、一つのパルスビームであったパルスビー
ムが時間的に分割されて被照射面に照射され、あたかも
時間的にレーザーパワ密度を変化させた連続ビームを照
射したかの様な効果が得られる様子が図2には示されて
いる。In the case of the present embodiment, FIG. 2 is a graph showing the relationship between the time T at the irradiated point and the energy density E of the irradiated laser light obtained by setting L = ct. In FIG. 2, it is assumed that there is no loss of laser light in the optical system. In FIG. 2, t is the pulse width of the laser, which is the time during which the laser is actually irradiated with one pulse. The value of this pulse width is 10-50
On the other hand, the time interval from pulse to pulse is 0.5 sec when the oscillation frequency is 20 Hz.
Therefore, the time width t of the pulse is sufficiently larger than the time interval from pulse to pulse. Although only one pulse is shown in FIG. 2, the next pulse emitted from the excimer laser oscillator exists on the left side of FIG. 2 and the previous pulse exists on the right side. become. That is, when the excimer laser oscillator 1 oscillates, a pulse beam, which is one pulse beam, is temporally divided and applied to the surface to be irradiated, and a continuous beam whose laser power density is changed temporally is generated. FIG. 2 shows how an effect similar to irradiation is obtained.
【0018】図2には、本発明の構成をとることによっ
て得られる特徴の一つである指数関数的に減衰するパル
スビームの特徴が示されている。すなわち、最初のパル
スのエネルギー密度(この場合、光量がエネルギー密度
に比例すると考える)の相対値が漸次1/2になってい
ることが示されている。FIG. 2 shows a characteristic of an exponentially attenuated pulse beam, which is one of the characteristics obtained by adopting the configuration of the present invention. That is, it is shown that the relative value of the energy density of the first pulse (in this case, the light quantity is considered to be proportional to the energy density) gradually becomes 1/2.
【0019】そしてこの場合、第1に到達したビームパ
ルスに対して、第2のビームパルスの強度は1/2にな
っており、さらに第3のビームパルスの強度は第2のビ
ームパルスに対して1/2になる。すなわちn番目のビ
ームパルスの強度は、図2に示すように第1番目のビー
ムパルスの強度に比較して(1/2)n -1倍(nは図2
に示す一つの長方形のパルスの第1番目からの数)にな
っていることになる。この結果、時間的には指数関数的
に減衰したレーザービームが被照射面に照射されること
になる。In this case, the intensity of the second beam pulse is 1/2 of that of the beam pulse reaching the first, and the intensity of the third beam pulse is more than that of the second beam pulse. Halves. That is, as shown in FIG. 2, the intensity of the nth beam pulse is (1/2) n -1 times as high as the intensity of the first beam pulse (where n is the value in FIG.
The number is from the first pulse of one rectangular pulse shown in (1). As a result, the laser beam, which is exponentially attenuated in time, is applied to the irradiation surface.
【0020】本発明の特徴は、本実施例の概要を示す図
1に示されるように光学系の配置によって、一つのレー
ザーパルスを図2に示すような時間的に(1/2)n-1
倍(nは図2に示す一つの長方形のパルスの第1番目か
らの数)で減衰していくレーザーパルス波形が得られる
ところにある。The feature of the present invention is that one laser pulse is temporally (1/2) n- as shown in FIG. 2 depending on the arrangement of the optical system as shown in FIG. 1 showing the outline of this embodiment. 1
This is where a laser pulse waveform that is attenuated by a factor of two (n is the number from the first of the rectangular pulses shown in FIG. 2) is obtained.
【0021】本実施例においいては、ハーフミラーの透
過率と反射率の比率を1:1としたが、これを1:1か
らずらすと指数関数的に減衰したパルスを得ることがで
きなくなる。In this embodiment, the ratio of the transmissivity and the reflectivity of the half mirror is set to 1: 1, but if it is deviated from 1: 1, it becomes impossible to obtain an exponentially attenuated pulse.
【0022】また、以上の説明において明らかなよう
に、本発明の構成はパルス発振またはワンショトのパル
スを照射するレーザー発振装置に適用することによって
指数関数的に減衰したレーザー光を得られるものであ
る。すなわち、本発明の構成においては、レーザー光の
一部をハーフミラーで分割し、分割したレーザー光の一
方の光路を稼ぐことによって遅延させ、この遅延させた
レーザー光を被照射面に向かう方向に指向させることに
よって、被照射面に時間差をもって指数関数的に減衰し
たパルス状のレーザー光を照射することを特徴とするも
のであるから、CWレーザー(連続的なレーザー)を用
いた場合には、上記の指数関数的に減衰したレーザー光
を得るという効果を得ることができない。Further, as apparent from the above description, the structure of the present invention is applied to a laser oscillating device for irradiating pulse oscillation or one shot pulse to obtain laser light which is exponentially attenuated. . That is, in the configuration of the present invention, a part of the laser light is divided by a half mirror, and delayed by making one optical path of the divided laser light, and the delayed laser light is directed toward the irradiated surface. The CW laser (continuous laser) is used when the CW laser (continuous laser) is used. It is not possible to obtain the above-described effect of obtaining the laser beam that is exponentially attenuated.
【0023】本実施例においては、KrFエキシマレー
ザー(波長248nm)を用いたが、その他のパルス発
振型レーザー装置であるXeFエキシマレーザー(波長
351nm)、ArFエキシマレーザー(波長193n
m)等を用いても本発明の効果が得られることはいうま
でもない。Although the KrF excimer laser (wavelength 248 nm) is used in this embodiment, other pulse oscillation type laser devices such as XeF excimer laser (wavelength 351 nm) and ArF excimer laser (wavelength 193 n) are used.
It goes without saying that the effects of the present invention can be obtained even if m) or the like is used.
【0024】また、図1に示すような本実施例1の構成
をとった場合、1つのハーフミラーと4つのミラーを用
いることによって、上記のような指数関数的に減衰した
パルスを有したパルスレーザー光が得られ、しかもミラ
ーの位置を変化させることによって指数関数的に減衰し
ていくパルスレーザー光の間隔を制御することができる
という別な特徴と有する。Further, when the configuration of the first embodiment as shown in FIG. 1 is adopted, the pulse having the exponentially attenuated pulse as described above is obtained by using one half mirror and four mirrors. Another feature is that laser light can be obtained, and the interval of pulsed laser light that attenuates exponentially can be controlled by changing the position of the mirror.
【0025】〔実施例2〕実施例1において説明したレ
ーザー装置をガラス基板上に成膜した非晶質珪素半導体
膜を結晶化させるために用いることも有用である。[Embodiment 2] It is also useful to use the laser device described in Embodiment 1 for crystallizing an amorphous silicon semiconductor film formed on a glass substrate.
【0026】すなわち、本実施例1で示した構成をとる
ことによって、パルス状のレーザー光による被照射面で
ある非晶質珪素半導体膜表面の溶融時間を延ばすことが
でき、半導体膜表面のあれを防ぐことができるととも
に、結晶性を著しく改善することができるからである。That is, by adopting the structure shown in the first embodiment, it is possible to prolong the melting time of the surface of the amorphous silicon semiconductor film which is the surface to be irradiated with the pulsed laser beam, and to improve the surface of the semiconductor film. This is because the crystallinity can be prevented and the crystallinity can be remarkably improved.
【0027】上記においては、非晶質珪素半導体膜をパ
ルス状のレーザーの照射によって結晶化させる例を述べ
たが、被照射面は非晶質珪素に限られたものではなく、
他の非単結晶半導体や炭素膜、その他アニールや物質の
表面を溶融させたい場合、あるいは広く一般にパルス状
のレーザー光すなわちパルス発振されるレーザー光を用
いてエネルギーを照射しようとする場合、本発明の構成
をそれらに応用することができる。In the above, an example in which the amorphous silicon semiconductor film is crystallized by irradiation with a pulsed laser has been described, but the surface to be irradiated is not limited to amorphous silicon,
The present invention is used when other non-single-crystal semiconductors, carbon films, other annealing, or when it is desired to melt the surface of a substance, or when it is intended to irradiate energy by using a generally pulsed laser beam, that is, a pulsed laser beam. The configuration of can be applied to them.
【0028】[0028]
【発明の効果】本発明の構成であるパルス発振されるレ
ーザー光の一つのパルスをハーフミラーによって2分割
し、該2分割された一方のパルスを別の一方のパルスに
対して遅延させるために長い光路を進ませ、その後また
2つのパルスを前記ハーフミラーによって併合すること
によって、指数関数的に減衰するパルスを有するレーザ
ー光を得ることができた。According to the present invention, one pulse of pulsed laser light is divided into two by a half mirror, and one of the two divided pulses is delayed with respect to another pulse. By traveling a long optical path and then merging the two pulses again by means of the half mirror, it was possible to obtain laser light with exponentially decaying pulses.
【図1】 本発明の構成を利用した実施例1におけるレ
ーザー装置を示す。FIG. 1 shows a laser device according to a first embodiment using the configuration of the present invention.
【図2】 実施例1におけるレーザー装置が被照射面に
対して照射するパルス状のレーザーの一つのパルスが、
被照射面に到達する際のエネルギー密度と時間との関係
を示す。FIG. 2 shows one pulse of a pulsed laser that the laser device according to the first embodiment irradiates an irradiation surface with
The relationship between the energy density and time when reaching the irradiated surface is shown.
1 パルス発振をするレーザー発振装置 2 ハーフミラー 3 ミラー 4 被照射面 1 Laser oscillator for pulse oscillation 2 Half mirror 3 Mirror 4 Irradiated surface
Claims (4)
割されたパルスレーザー光がパルス幅以上の時間差をも
って被照射面に照射されるように、分割されたそれぞれ
のパルスレーザー光の光路に光路差を設けたことを特徴
とするレーザー装置。1. A pulse laser beam is divided into a plurality of beams, and the divided pulse laser beam is irradiated onto a surface to be irradiated with a time difference equal to or more than a pulse width. A laser device characterized by having a difference.
複数に分割されたレーザー光を同一被照射場所に照射す
るレーザー装置において、Lを光路差、cを光の速さ、
tをパルスレーザーのパルス時間幅として、それぞれの
レーザー光の光路差が以下の条件である、 L≧ct を満たすことを特徴とするレーザー装置。2. A laser device in which a pulsed laser beam is divided into a plurality of two, and the plurality of divided laser beams are applied to the same irradiation location, L is an optical path difference, c is a speed of light,
A laser device characterized in that the optical path difference of each laser light satisfies the following condition, where L ≧ ct, where t is a pulse time width of a pulse laser.
レーザー発振器から発振されたレーザー光をその進行方
向から別の方向に分割するハーフミラーと、前記別の方
向に分割されたレーザー光を前記別な方向と同一方向で
もって前記ハーフミラーに入射させる光学系とを有する
レーザー装置であって、前記分割された2つのレーザー
光の光路差Lが、光の速さc、パルス発振の時間間隔t
との関係において、L≧ctを満たすことを特徴とする
レーザー装置。3. A laser oscillator that performs pulse oscillation, a half mirror that splits a laser beam oscillated from the laser oscillator in another direction from its traveling direction, and a laser beam split in the another direction. A laser device having an optical system for making the light incident on the half mirror in the same direction as above, wherein the optical path difference L between the two divided laser beams is the speed of light c and the time interval t of pulse oscillation.
A laser device satisfying L ≧ ct.
ーザー光をハーフミラーによって2分割し、ふたたび併
合し同じ照射方向とするレーザー装置であって、前記2
分割されたパルス状のレーザー光の一方を、別のもう一
方のパルス状のレーザー光に対して光路Lだけ長い光路
を有するよう設け、かつ該光路Lと前記パルスの時間幅
tと光の速さcとの関係がL=ctを満たすように構成
することによって、被照射面に対して照射されるパルス
状のレーザー光のパルスが指数関数的に減衰することを
特徴とするレーザー装置。4. A laser device in which a pulsed laser beam having a pulse time width t is divided into two by a half mirror and merged again in the same irradiation direction.
One of the divided pulsed laser beams is provided so as to have an optical path longer than the other pulsed laser beam by an optical path L, and the optical path L, the time width t of the pulse, and the speed of light. A laser device characterized in that the pulse of the pulsed laser light applied to the surface to be irradiated is attenuated exponentially by configuring so that the relationship with the height c satisfies L = ct.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27870391A JPH0651238A (en) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Laser |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27870391A JPH0651238A (en) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Laser |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0651238A true JPH0651238A (en) | 1994-02-25 |
Family
ID=17601015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27870391A Pending JPH0651238A (en) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Laser |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0651238A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6482687B2 (en) | 1994-07-28 | 2002-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing method |
JP2005148550A (en) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Gigaphoton Inc | Optical pulse stretcher and discharge-excited gas laser apparatus for exposure |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6371824A (en) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Japan Atom Energy Res Inst | Pulse width expansion device with pulse delay mechanism for pulsed laser light using high refractive index optical glass |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP27870391A patent/JPH0651238A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6371824A (en) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Japan Atom Energy Res Inst | Pulse width expansion device with pulse delay mechanism for pulsed laser light using high refractive index optical glass |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6482687B2 (en) | 1994-07-28 | 2002-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing method |
US6495404B1 (en) | 1994-07-28 | 2002-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing method |
US6753213B2 (en) | 1994-07-28 | 2004-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing method |
JP2005148550A (en) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Gigaphoton Inc | Optical pulse stretcher and discharge-excited gas laser apparatus for exposure |
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