JPH0645696A - タルボットフィルタ表面放射分布フィードバック半導体レーザアレイ - Google Patents
タルボットフィルタ表面放射分布フィードバック半導体レーザアレイInfo
- Publication number
- JPH0645696A JPH0645696A JP5099838A JP9983893A JPH0645696A JP H0645696 A JPH0645696 A JP H0645696A JP 5099838 A JP5099838 A JP 5099838A JP 9983893 A JP9983893 A JP 9983893A JP H0645696 A JPH0645696 A JP H0645696A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- array
- semiconductor laser
- sub
- distributed feedback
- feedback semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08018—Mode suppression
- H01S3/0804—Transverse or lateral modes
- H01S3/0805—Transverse or lateral modes by apertures, e.g. pin-holes or knife-edges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
- H01S5/187—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4062—Edge-emitting structures with an external cavity or using internal filters, e.g. Talbot filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、単一の遠フィールドローブを持ち
連続波の高品質レーザビームを生成する表面放射分布フ
ィードバック半導体レーザ装置のアレイを提供すること
を目的とする。 【構成】 表面放射分布フィードバック半導体レーザ装
置のアレイに基本的な横モードの振動を設定するように
タルボット空間的フィルタ28を具備している。アレイは
複数の並列に位置された表面放射分布フィードバック半
導体レーザ装置の第１、第２のサブアレイ20，22より構
成され、それら第１と第２のサブアレイ20，22がタルボ
ット距離に等しい長さの自由伝播領域24によって分離さ
れ、第１のサブアレイ20の各素子が第２のサブアレイの
素子の対応しているものとこの自由伝播領域を横切って
一直線に整列されている。タルボット空間的フィルタア
レイは自由伝播領域24中の複数の光吸収材料の島34より
構成されている。
連続波の高品質レーザビームを生成する表面放射分布フ
ィードバック半導体レーザ装置のアレイを提供すること
を目的とする。 【構成】 表面放射分布フィードバック半導体レーザ装
置のアレイに基本的な横モードの振動を設定するように
タルボット空間的フィルタ28を具備している。アレイは
複数の並列に位置された表面放射分布フィードバック半
導体レーザ装置の第１、第２のサブアレイ20，22より構
成され、それら第１と第２のサブアレイ20，22がタルボ
ット距離に等しい長さの自由伝播領域24によって分離さ
れ、第１のサブアレイ20の各素子が第２のサブアレイの
素子の対応しているものとこの自由伝播領域を横切って
一直線に整列されている。タルボット空間的フィルタア
レイは自由伝播領域24中の複数の光吸収材料の島34より
構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面放射分布フィード
バック半導体レーザに関し、特に基本的な横モードの振
動を設定するためにタルボット空間的フィルタを使用す
る表面放射分布フィードバック半導体レーザアレイに関
する。
バック半導体レーザに関し、特に基本的な横モードの振
動を設定するためにタルボット空間的フィルタを使用す
る表面放射分布フィードバック半導体レーザアレイに関
する。
【０００２】
【従来の技術】放射（レーザ）の刺激された放射による
光増幅は、単一方向性で単色性で最も重要なコヒーレン
ト可視光を生成する。刺激された放射は、原子のエネル
ギ状態が光量子の放射と共に量子転移において変化する
プロセスである。このようなプロセス中、光量子は励起
されたエネルギ状態において最初に原子を接近し、低い
エネルギ状態へ転移させるためにこの原子を誘導する。
原子のエネルギ状態が低くされる時、原子は光量子を放
射する。エネルギ転移を誘導する光量子から分離された
この放射された光量子は、原子の励起された状態と低い
エネルギ状態の間の差に等しいエネルギを有する。さら
に放射された光量子および誘導する光量子の両方は、誘
導する光量子が原子に接近する時に有する同じ方向に原
子を去る。これらの励起する光量子は互いに相対的な位
相においても正確である。つまりそれらはコヒーレント
である。このコヒーレントは、２つの光量子がそれらが
破壊的に干渉する任意の量によって位相が異なった場合
におけるエネルギ保存によって導かれ、それによってエ
ネルギ保存を破壊する。それ故、刺激された放射はコヒ
ーレント光量子増倍あるいは光増幅を誘導するプロセ
ス、すなわちレーザである。
光増幅は、単一方向性で単色性で最も重要なコヒーレン
ト可視光を生成する。刺激された放射は、原子のエネル
ギ状態が光量子の放射と共に量子転移において変化する
プロセスである。このようなプロセス中、光量子は励起
されたエネルギ状態において最初に原子を接近し、低い
エネルギ状態へ転移させるためにこの原子を誘導する。
原子のエネルギ状態が低くされる時、原子は光量子を放
射する。エネルギ転移を誘導する光量子から分離された
この放射された光量子は、原子の励起された状態と低い
エネルギ状態の間の差に等しいエネルギを有する。さら
に放射された光量子および誘導する光量子の両方は、誘
導する光量子が原子に接近する時に有する同じ方向に原
子を去る。これらの励起する光量子は互いに相対的な位
相においても正確である。つまりそれらはコヒーレント
である。このコヒーレントは、２つの光量子がそれらが
破壊的に干渉する任意の量によって位相が異なった場合
におけるエネルギ保存によって導かれ、それによってエ
ネルギ保存を破壊する。それ故、刺激された放射はコヒ
ーレント光量子増倍あるいは光増幅を誘導するプロセ
ス、すなわちレーザである。
【０００３】レーザ技術は、複数の異なる型式の活性の
媒体に上記された原理を適用することによって開発され
ている。半導体製造技術における進歩につながるこの分
野の最も新しい開発は、半導体レーザである。しかしな
がら、励起された状態において固体材料が存在するとき
に半導体レーザにおける刺激された放射は原子レーザと
異なって生じる。すなわち、半導体レーザにおける刺激
された放射は１以上の原子を含む。
媒体に上記された原理を適用することによって開発され
ている。半導体製造技術における進歩につながるこの分
野の最も新しい開発は、半導体レーザである。しかしな
がら、励起された状態において固体材料が存在するとき
に半導体レーザにおける刺激された放射は原子レーザと
異なって生じる。すなわち、半導体レーザにおける刺激
された放射は１以上の原子を含む。
【０００４】表面放射分布フィードバック半導体レーザ
は、半導体材料における刺激された放射を通って単一方
向性で単色性のコヒーレント可視光を生成する装置であ
る。このような装置は、接合部で結合される正にドープ
された領域および負にドープされた領域と、正にドープ
された領域の外表面にエッチングされた格子表面とを有
する。高導電性材料が付着されている格子表面は、コヒ
ーレント光量子エネルギフィールドが回折される手段を
与える。２次格子設計は、コヒーレント光量子放射の偏
向が１次回折により接合部の負にドープされた領域にエ
ッチングされた出力窓に垂直に向けられ、２次回折によ
って格子表面に並列に向けられることを可能にする。１
次回折は出力窓で単一方向性で、単色性のコヒーレント
可視光を生成し、２次回折は格子表面に平行に近接する
活性領域に光量子放射のフィードバックを供給する。
は、半導体材料における刺激された放射を通って単一方
向性で単色性のコヒーレント可視光を生成する装置であ
る。このような装置は、接合部で結合される正にドープ
された領域および負にドープされた領域と、正にドープ
された領域の外表面にエッチングされた格子表面とを有
する。高導電性材料が付着されている格子表面は、コヒ
ーレント光量子エネルギフィールドが回折される手段を
与える。２次格子設計は、コヒーレント光量子放射の偏
向が１次回折により接合部の負にドープされた領域にエ
ッチングされた出力窓に垂直に向けられ、２次回折によ
って格子表面に並列に向けられることを可能にする。１
次回折は出力窓で単一方向性で、単色性のコヒーレント
可視光を生成し、２次回折は格子表面に平行に近接する
活性領域に光量子放射のフィードバックを供給する。
【０００５】表面放射分布フィードバック半導体レーザ
装置の出力窓で生成された理論的な縦モードの近フィー
ルド強度プロフィルは、出力窓の中央のゼロ強度で非対
称である。対応している理論的な縦モードの遠フィール
ド強度プロフィルは、出力窓の中央に対して対称な２重
にローブである。これらの理論的な強度プロフィルは、
文献（1987年８月のAplied Physics Letters、第51巻、
第７号、第 472乃至 474頁）に開示されたような実際の
単一装置測定において実際に説明されている。
装置の出力窓で生成された理論的な縦モードの近フィー
ルド強度プロフィルは、出力窓の中央のゼロ強度で非対
称である。対応している理論的な縦モードの遠フィール
ド強度プロフィルは、出力窓の中央に対して対称な２重
にローブである。これらの理論的な強度プロフィルは、
文献（1987年８月のAplied Physics Letters、第51巻、
第７号、第 472乃至 474頁）に開示されたような実際の
単一装置測定において実際に説明されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、２次格
子設計において直線的なチャープな変化は、さらに所望
な理論的に実際に説明された強度プロフィルを生じる。
例えば、チャープな格子表面放射分布フィードバック半
導体レーザ装置の出力窓で生成された理論的な縦のモー
ドの近フィールド強度プロフィルは、出力窓の中央で不
所望なゼロ強度の不存在はない。さらに、対応している
理論的な縦モードの遠フィールド強度プロフィルは、所
望な単一ローブを有する。これらのさらに所望な理論的
な強度プロフィルは、「チャープな格子表面放射分布フ
ィードバック半導体レーザ」と題された関連した別出願
明細書に開示された実際の単一装置測定において実際に
説明されている。このような測定は、単一のチャープな
格子表面放射分布フィードバック半導体レーザ装置が２
０％までの効率の単一ローブの遠フィールドで所望な３
５０ｍＷの連続波パワーを生成することが可能である。
これらの装置の１以上が使用される幅広い様々な適用が
存在することが、単一のチャープな格子表面放射分布フ
ィードバック半導体装置の多くの所望な特徴から推論さ
れることができる。
子設計において直線的なチャープな変化は、さらに所望
な理論的に実際に説明された強度プロフィルを生じる。
例えば、チャープな格子表面放射分布フィードバック半
導体レーザ装置の出力窓で生成された理論的な縦のモー
ドの近フィールド強度プロフィルは、出力窓の中央で不
所望なゼロ強度の不存在はない。さらに、対応している
理論的な縦モードの遠フィールド強度プロフィルは、所
望な単一ローブを有する。これらのさらに所望な理論的
な強度プロフィルは、「チャープな格子表面放射分布フ
ィードバック半導体レーザ」と題された関連した別出願
明細書に開示された実際の単一装置測定において実際に
説明されている。このような測定は、単一のチャープな
格子表面放射分布フィードバック半導体レーザ装置が２
０％までの効率の単一ローブの遠フィールドで所望な３
５０ｍＷの連続波パワーを生成することが可能である。
これらの装置の１以上が使用される幅広い様々な適用が
存在することが、単一のチャープな格子表面放射分布フ
ィードバック半導体装置の多くの所望な特徴から推論さ
れることができる。
【０００７】本発明の主目的は、単一の遠フィールドロ
ーブにおいて１０ワットまでの連続波パワーを有する高
品質のレーザビームを生成する表面放射分布フィードバ
ック半導体レーザ装置のアレイを提供することである。
ーブにおいて１０ワットまでの連続波パワーを有する高
品質のレーザビームを生成する表面放射分布フィードバ
ック半導体レーザ装置のアレイを提供することである。
【０００８】本発明の別の目的は、表面放射分布フィー
ドバック半導体レーザ装置のアレイにおいて基本的な横
のモードの振動を設定するためにタルボット空間的フィ
ルタを使用することである。
ドバック半導体レーザ装置のアレイにおいて基本的な横
のモードの振動を設定するためにタルボット空間的フィ
ルタを使用することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、チャープな格
子表面放射分布フィードバック半導体レーザ装置のアレ
イが単一ローブの遠フィールドにおいて１０ワットまで
の連続波パワーを有する高品質なレーザビームを生成す
るために使用される装置に関するものである。この装置
は、基本的な横モード振動を設定するためにタルボット
空間的フィルタを使用することによって実現される。タ
ルボット空間的フィルタはチャープでない格子表面放射
分布フィードバック半導体レーザ装置のアレイにおいて
も使用されるが、後述されるようにこのようなアレイの
出力ビームの品質および全効率は所望なものではないこ
とに注目されるべきである。
子表面放射分布フィードバック半導体レーザ装置のアレ
イが単一ローブの遠フィールドにおいて１０ワットまで
の連続波パワーを有する高品質なレーザビームを生成す
るために使用される装置に関するものである。この装置
は、基本的な横モード振動を設定するためにタルボット
空間的フィルタを使用することによって実現される。タ
ルボット空間的フィルタはチャープでない格子表面放射
分布フィードバック半導体レーザ装置のアレイにおいて
も使用されるが、後述されるようにこのようなアレイの
出力ビームの品質および全効率は所望なものではないこ
とに注目されるべきである。
【００１０】本発明の好ましい実施例は、タルボット距
離として一般に知られている距離に等しい長さを有する
自由伝播領域によって分離される２つのチャープな表面
放射分布フィードバック半導体レーザ装置サブアレイよ
り実際に構成される装置である。各サブアレイにおい
て、従来技術において特定された型式の同様の数の並列
に位置されたチャープな格子表面放射分布フィードバッ
ク半導体レーザ装置が存在する。各サブアレイにおける
これらの並列に位置されたチャープな格子表面放射分布
フィードバック半導体レーザ装置あるいは素子は、素子
間の光吸収材料の「ストライプ」によって互いから横方
向に絶縁される。素子間の光吸収ストライプは任意の横
の位相が異なる導波体モードを吸収し、それによってサ
ブアレイ素子間の消滅する結合を阻止する。
離として一般に知られている距離に等しい長さを有する
自由伝播領域によって分離される２つのチャープな表面
放射分布フィードバック半導体レーザ装置サブアレイよ
り実際に構成される装置である。各サブアレイにおい
て、従来技術において特定された型式の同様の数の並列
に位置されたチャープな格子表面放射分布フィードバッ
ク半導体レーザ装置が存在する。各サブアレイにおける
これらの並列に位置されたチャープな格子表面放射分布
フィードバック半導体レーザ装置あるいは素子は、素子
間の光吸収材料の「ストライプ」によって互いから横方
向に絶縁される。素子間の光吸収ストライプは任意の横
の位相が異なる導波体モードを吸収し、それによってサ
ブアレイ素子間の消滅する結合を阻止する。
【００１１】２つのサブアレイは、第１のサブアレイに
おける各素子の１端部が自由伝播領域の一方の側の境界
をなし、第２のサブアレイにおける各素子の１端部が自
由伝播領域のもう他方の側の境界をなすように位置され
る。また、第１のサブアレイにおける各素子の境界をな
す端部は、第２のサブアレイにおける同様の数の素子の
１つの境界をなす端部と対応して一直線に整列する。さ
らに、光吸収材料「島」のアレイは、サブアレイ間の素
子のそれぞれ対応している対と一直線に整列した１つの
島が存在するように自由伝播領域の中央に位置される。
これらの島は、サブアレイ間の素子のそれぞれ対応して
いる対において存在する特定の導波体モードに対する空
間的フィルタとして付勢する。光吸収材料の島のこのア
レイが自由伝播領域の中間点あるいはタルボット距離の
中間点に位置される時、それはタルボット空間的フィル
タと呼ばれる。
おける各素子の１端部が自由伝播領域の一方の側の境界
をなし、第２のサブアレイにおける各素子の１端部が自
由伝播領域のもう他方の側の境界をなすように位置され
る。また、第１のサブアレイにおける各素子の境界をな
す端部は、第２のサブアレイにおける同様の数の素子の
１つの境界をなす端部と対応して一直線に整列する。さ
らに、光吸収材料「島」のアレイは、サブアレイ間の素
子のそれぞれ対応している対と一直線に整列した１つの
島が存在するように自由伝播領域の中央に位置される。
これらの島は、サブアレイ間の素子のそれぞれ対応して
いる対において存在する特定の導波体モードに対する空
間的フィルタとして付勢する。光吸収材料の島のこのア
レイが自由伝播領域の中間点あるいはタルボット距離の
中間点に位置される時、それはタルボット空間的フィル
タと呼ばれる。
【００１２】前述されたように、タルボット空間的フィ
ルタは基本的な横のモードの振動を設定するために使用
される。しかしながら、基本的な横のモードの振動を生
ずるため、各サブアレイにおける素子間に並列な結合が
存在し、各サブアレイ間の不所望な導波体モードを効果
的に瀘波しなければならない。タルボット空間的フィル
タは、２つの方法でこれらの並列結合および不所望な導
波体モード瀘波の要求を満たす。
ルタは基本的な横のモードの振動を設定するために使用
される。しかしながら、基本的な横のモードの振動を生
ずるため、各サブアレイにおける素子間に並列な結合が
存在し、各サブアレイ間の不所望な導波体モードを効果
的に瀘波しなければならない。タルボット空間的フィル
タは、２つの方法でこれらの並列結合および不所望な導
波体モード瀘波の要求を満たす。
【００１３】第１に、２つのチャープな格子表面放射分
布フィードバック半導体レーザ装置サブアレイはタルボ
ット距離によって分離され、各サブアレイにおける素子
間の並列結合は同位相の導波体モードのみを生じるの
で、位相が異なる導波体モードは良好に限定される。換
言すると、元のサブアレイソースからの同位相の導波体
モードおよび位相が異なる導波体モードの良好に限定さ
れたタルボットイメージのみが元のサブアレイソースか
らタルボット距離を離れて形成される。しかしながら、
これら２つの顕著な導波体モードの同位相の導波体モー
ドのみがタルボット距離における元のサブアレイの全素
子を横切る一定の位相プロフィルを示す。したがって、
本発明における第１のサブアレイと第２のサブアレイの
間の最も強い結合は、２つのサブアレイがタルボット距
離（あるいはその数倍）によって分離され、２つのサブ
アレイが互いに同位相である時に生じる。
布フィードバック半導体レーザ装置サブアレイはタルボ
ット距離によって分離され、各サブアレイにおける素子
間の並列結合は同位相の導波体モードのみを生じるの
で、位相が異なる導波体モードは良好に限定される。換
言すると、元のサブアレイソースからの同位相の導波体
モードおよび位相が異なる導波体モードの良好に限定さ
れたタルボットイメージのみが元のサブアレイソースか
らタルボット距離を離れて形成される。しかしながら、
これら２つの顕著な導波体モードの同位相の導波体モー
ドのみがタルボット距離における元のサブアレイの全素
子を横切る一定の位相プロフィルを示す。したがって、
本発明における第１のサブアレイと第２のサブアレイの
間の最も強い結合は、２つのサブアレイがタルボット距
離（あるいはその数倍）によって分離され、２つのサブ
アレイが互いに同位相である時に生じる。
【００１４】第２に、サブアレイにおける素子間の並列
結合から生じる顕著な位相が異なる導波体モードは、そ
の他全てのサブアレイ素子間の交互の位相プロフィルを
示す。この位相が異なる導波体モードは中央ローブを有
さない主として２重ローブの縦モードの遠フィールドの
強度プロフィルを生成し、一定の位相プロフィルを有す
る同位相の導波体モードは主として単一ローブの縦のモ
ードの遠フィールド強度プロフィルを生成する。このよ
うに、単一ローブの遠フィールド中にレーザビームのパ
ワーを集めることがさらに望ましいので、位相が異なる
導波体モードは望ましくなく、瀘波されなければならな
い。
結合から生じる顕著な位相が異なる導波体モードは、そ
の他全てのサブアレイ素子間の交互の位相プロフィルを
示す。この位相が異なる導波体モードは中央ローブを有
さない主として２重ローブの縦モードの遠フィールドの
強度プロフィルを生成し、一定の位相プロフィルを有す
る同位相の導波体モードは主として単一ローブの縦のモ
ードの遠フィールド強度プロフィルを生成する。このよ
うに、単一ローブの遠フィールド中にレーザビームのパ
ワーを集めることがさらに望ましいので、位相が異なる
導波体モードは望ましくなく、瀘波されなければならな
い。
【００１５】位相が異なる導波体モードは、タルボット
空間的フィルタの光吸収材料の島によって瀘波される。
タルボット距離の半分においてし、元のサブアレイソー
スにおける素子からの位相が異なる導波体モード半平面
タルボットイメージが元のサブアレイソース素子と一直
線に整列して最大値を有するから、この瀘波はタルボッ
トフィルタの島の位置に直接的に依存する。このよう
に、タルボット空間的フィルタの島の位置は位相が異な
る導波体モードの半平面タルボットイメージと直接的に
一致し、位相が異なる導波体モードはタルボット空間的
フィルタによって選択的に瀘波される。それ故、タルボ
ット空間的フィルタは基本的な横モードの振動を設定す
るための要求を満たし、その結果、優れた単一ローブの
遠フィールドを有する高品質のレーザを生じる。
空間的フィルタの光吸収材料の島によって瀘波される。
タルボット距離の半分においてし、元のサブアレイソー
スにおける素子からの位相が異なる導波体モード半平面
タルボットイメージが元のサブアレイソース素子と一直
線に整列して最大値を有するから、この瀘波はタルボッ
トフィルタの島の位置に直接的に依存する。このよう
に、タルボット空間的フィルタの島の位置は位相が異な
る導波体モードの半平面タルボットイメージと直接的に
一致し、位相が異なる導波体モードはタルボット空間的
フィルタによって選択的に瀘波される。それ故、タルボ
ット空間的フィルタは基本的な横モードの振動を設定す
るための要求を満たし、その結果、優れた単一ローブの
遠フィールドを有する高品質のレーザを生じる。
【００１６】
【実施例】図１を参照すると、チャープな格子表面放射
分布フィードバック半導体レーザ装置アレイ12を含んで
いる本発明の装置10の３次元底面図が示されている。こ
の装置10は、複数のエピタキシャル層16がその上に成長
される負に（Ｎ）ドープされたガリウム砒素材料化合物
（ＧａＡｓ）基板14より構成される。この装置10を製造
する方法は、分離したチャープな格子表面放射分布フィ
ードバック半導体レーザ装置のアレイを製造する代り
に、本発明の装置10が特性向上タルボット空間的フィル
タアレイ28を含んでいる自由伝播領域24によって分離さ
れる第１のサブアレイ20および第２のサブアレイ22にお
いて配置されているチャープな格子表面放射分布フィー
ドバック半導体レーザ装置アレイ12を含んで製造される
こと以外は「表面放射分布フィードバック半導体レーザ
ダイオード装置におけるチャープな格子を製造する装置
およびその方法」と題される関連した別出願明細書に記
載された方法と類似している。本発明の装置は、２つ以
上のサブアレイを有するチャープな格子表面放射分布フ
ィードバック半導体レーザ装置を含むように製造され、
それらが特性向上タルボット空間的フィルタアレイを含
んでいる自由伝播領域によって互いに全て分離されるこ
とができることに注目されるべきである。
分布フィードバック半導体レーザ装置アレイ12を含んで
いる本発明の装置10の３次元底面図が示されている。こ
の装置10は、複数のエピタキシャル層16がその上に成長
される負に（Ｎ）ドープされたガリウム砒素材料化合物
（ＧａＡｓ）基板14より構成される。この装置10を製造
する方法は、分離したチャープな格子表面放射分布フィ
ードバック半導体レーザ装置のアレイを製造する代り
に、本発明の装置10が特性向上タルボット空間的フィル
タアレイ28を含んでいる自由伝播領域24によって分離さ
れる第１のサブアレイ20および第２のサブアレイ22にお
いて配置されているチャープな格子表面放射分布フィー
ドバック半導体レーザ装置アレイ12を含んで製造される
こと以外は「表面放射分布フィードバック半導体レーザ
ダイオード装置におけるチャープな格子を製造する装置
およびその方法」と題される関連した別出願明細書に記
載された方法と類似している。本発明の装置は、２つ以
上のサブアレイを有するチャープな格子表面放射分布フ
ィードバック半導体レーザ装置を含むように製造され、
それらが特性向上タルボット空間的フィルタアレイを含
んでいる自由伝播領域によって互いに全て分離されるこ
とができることに注目されるべきである。
【００１７】図１の切断図に示されるように、サブアレ
イ20は複数の並列して位置されたチャープな格子表面放
射分布フィードバック半導体レーザ装置18より構成され
る。サブアレイ20の並列に位置されたチャープな格子表
面放射分布フィードバック半導体レーザ装置18あるいは
素子は、光吸収ＧａＡｓ材料の素子間のストライプ26に
よって互いから横方向に（Ｙ軸座標面に沿って）分離さ
れる。このように、横方向への結合はＧａＡｓ材料スト
ライプ間に生じない。全体のアレイ12のチャープな格子
表面30がエッチングバックの前に下部エピタキシャル層
32中までエッチングされ、オーバー成長処理は光吸収Ｇ
ａＡｓ材料の素子間のストライプ26を形成するために実
行される。このように、一定の周期性は全アレイ素子18
を横切るチャープな格子表面30に対して保証される。チ
ャープな格子表面放射分布フィードバック半導体レーザ
装置アレイ12は、第１のサブアレイ20における各素子18
が第２のサブアレイ22における素子18と一直線に整列す
るように形成され、それによって２つのサブアレイ20，
22の間のタルボット結合を助長する。整列したサブアレ
イ素子18の各対は、サブアレイ素子18' の対応している
対に関連している。図２を参照すると、図１のチャープ
な格子表面放射分布フィードバック半導体レーザ装置ア
レイ12が示されている。サブアレイ20，22は、タルボッ
ト距離に等しい長さ（ｚ軸座標方向）を有する自由伝播
領域24によって分離されている。タルボット距離は次の
式によって計算される。
イ20は複数の並列して位置されたチャープな格子表面放
射分布フィードバック半導体レーザ装置18より構成され
る。サブアレイ20の並列に位置されたチャープな格子表
面放射分布フィードバック半導体レーザ装置18あるいは
素子は、光吸収ＧａＡｓ材料の素子間のストライプ26に
よって互いから横方向に（Ｙ軸座標面に沿って）分離さ
れる。このように、横方向への結合はＧａＡｓ材料スト
ライプ間に生じない。全体のアレイ12のチャープな格子
表面30がエッチングバックの前に下部エピタキシャル層
32中までエッチングされ、オーバー成長処理は光吸収Ｇ
ａＡｓ材料の素子間のストライプ26を形成するために実
行される。このように、一定の周期性は全アレイ素子18
を横切るチャープな格子表面30に対して保証される。チ
ャープな格子表面放射分布フィードバック半導体レーザ
装置アレイ12は、第１のサブアレイ20における各素子18
が第２のサブアレイ22における素子18と一直線に整列す
るように形成され、それによって２つのサブアレイ20，
22の間のタルボット結合を助長する。整列したサブアレ
イ素子18の各対は、サブアレイ素子18' の対応している
対に関連している。図２を参照すると、図１のチャープ
な格子表面放射分布フィードバック半導体レーザ装置ア
レイ12が示されている。サブアレイ20，22は、タルボッ
ト距離に等しい長さ（ｚ軸座標方向）を有する自由伝播
領域24によって分離されている。タルボット距離は次の
式によって計算される。
【００１８】ｚT ＝２ｎeff Ｄ2 ／λ ここでｎeff は自由伝播領域における実効屈折率であ
り、Ｄは隣接するアレイ素子の中心上の間隔であり、λ
は全アレイ素子定在波の真空波長である。図２に示され
るアレイ12に関して、Ｄ＝５．０μｍ、ｎeff ＝３．４
７、およびλ＝０．８５μｍにおけるタルボット距離は
ｚT ＝２０４μｍである。
り、Ｄは隣接するアレイ素子の中心上の間隔であり、λ
は全アレイ素子定在波の真空波長である。図２に示され
るアレイ12に関して、Ｄ＝５．０μｍ、ｎeff ＝３．４
７、およびλ＝０．８５μｍにおけるタルボット距離は
ｚT ＝２０４μｍである。
【００１９】さらに図２にはタルボット空間フィルタア
レイ28が示されている。タルボット空間的フィルタアレ
イ28は、自由伝播領域24の中央、あるいはタルボット距
離ｚT の半分に位置されている光吸収ＧａＡｓ材料の複
数の「島」34より構成されている。これらの光吸収の島
34は、アレイ素子18' のそれぞれ対応している対と一直
線に整列する１つの島34が存在するように位置される。
光吸収の島34は、素子間のストライプ26を形成するため
に実行される同じエッチングバックあるいはオーバー成
長処理中に装置10に形成される。
レイ28が示されている。タルボット空間的フィルタアレ
イ28は、自由伝播領域24の中央、あるいはタルボット距
離ｚT の半分に位置されている光吸収ＧａＡｓ材料の複
数の「島」34より構成されている。これらの光吸収の島
34は、アレイ素子18' のそれぞれ対応している対と一直
線に整列する１つの島34が存在するように位置される。
光吸収の島34は、素子間のストライプ26を形成するため
に実行される同じエッチングバックあるいはオーバー成
長処理中に装置10に形成される。
【００２０】図３を参照すると、サブアレイソース36
（ｚ＝０）の単一の２２の素子サブアレイからの理論的
な同位相の導波体モードタルボットイメージと、サブア
レイソース38からのタルボット距離の半分（ｚ＝ｚT ／
２）と、およびサブアレイソース40（ｚ＝ｚT ）からの
全タルボット距離とを示すグラフが示されている。この
説明のため、上記に関連した単一の２２の素子サブアレ
イは本発明の装置の第１のサブアレイ20あるいは第２の
サブアレイ22のどちらかである。さらに図３を参照する
と、タルボット距離（ｚ＝ｚT ）の単一の２２の素子サ
ブアレイからの理論的な同位相の導波体モード位相プロ
フィル42のグラフが示されている。全タルボット距離に
おけるタルボットイメージ40はサブアレイソースイメー
ジ36に関して良好に形成され、位相プロフィル42は大部
分のタルボットイメージ40にわたって非常に平坦である
ことに注目すべきである。このように、単一のサブアレ
イからの理論的なタルボット強度40および位相42のプロ
フィルは全タルボット距離において示されるので、第１
のサブアレイ20および第２のサブアレイ22が本発明の装
置10において分離される距離は、２つのサブアレイ20，
22がタルボット距離によって分離されて２つのサブアレ
イ20，22が互いに同位相である時に第１のサブアレイ20
および第２のサブアレイ22の間の最も強い結合が生じる
ことが見られる。
（ｚ＝０）の単一の２２の素子サブアレイからの理論的
な同位相の導波体モードタルボットイメージと、サブア
レイソース38からのタルボット距離の半分（ｚ＝ｚT ／
２）と、およびサブアレイソース40（ｚ＝ｚT ）からの
全タルボット距離とを示すグラフが示されている。この
説明のため、上記に関連した単一の２２の素子サブアレ
イは本発明の装置の第１のサブアレイ20あるいは第２の
サブアレイ22のどちらかである。さらに図３を参照する
と、タルボット距離（ｚ＝ｚT ）の単一の２２の素子サ
ブアレイからの理論的な同位相の導波体モード位相プロ
フィル42のグラフが示されている。全タルボット距離に
おけるタルボットイメージ40はサブアレイソースイメー
ジ36に関して良好に形成され、位相プロフィル42は大部
分のタルボットイメージ40にわたって非常に平坦である
ことに注目すべきである。このように、単一のサブアレ
イからの理論的なタルボット強度40および位相42のプロ
フィルは全タルボット距離において示されるので、第１
のサブアレイ20および第２のサブアレイ22が本発明の装
置10において分離される距離は、２つのサブアレイ20，
22がタルボット距離によって分離されて２つのサブアレ
イ20，22が互いに同位相である時に第１のサブアレイ20
および第２のサブアレイ22の間の最も強い結合が生じる
ことが見られる。
【００２１】サブアレイ20，22内の素子18間の並列結合
度を示すため、単一のサブアレイ素子18からタルボット
距離における理論的な波の伝播強度を示すグラフ44が図
３に示されている。単一の素子18がタルボット距離で約
４つの近接する素子18に並列結合されることがこのグラ
フ44から見られる。このグラフからは見られないが、文
献（1988年のApplied Physics Letters 、第50巻、第９
号、第 816乃至 818頁）に記載されたように、サブアレ
イ20，22内の素子18間の高い並列結合度は同位相導波体
モードのみを生じ、位相が異なる導波体モードは自由伝
播領域24内に良好に限定されることが理論的および実際
的に証明されている。このように、サブアレイ20，22が
同位相である時に本発明の装置10における第１のサブア
レイと第２のサブアレイの間の最も強い結合が生じるの
で、逆位相導波体モードは瀘波されなければならない。
度を示すため、単一のサブアレイ素子18からタルボット
距離における理論的な波の伝播強度を示すグラフ44が図
３に示されている。単一の素子18がタルボット距離で約
４つの近接する素子18に並列結合されることがこのグラ
フ44から見られる。このグラフからは見られないが、文
献（1988年のApplied Physics Letters 、第50巻、第９
号、第 816乃至 818頁）に記載されたように、サブアレ
イ20，22内の素子18間の高い並列結合度は同位相導波体
モードのみを生じ、位相が異なる導波体モードは自由伝
播領域24内に良好に限定されることが理論的および実際
的に証明されている。このように、サブアレイ20，22が
同位相である時に本発明の装置10における第１のサブア
レイと第２のサブアレイの間の最も強い結合が生じるの
で、逆位相導波体モードは瀘波されなければならない。
【００２２】図４を参照すると、サブアレイソース（ｚ
＝ｚT ／２）からタルボット距離の半分の単一の２２の
素子サブアレイからの理論的な同位相の導波体モードお
よび逆位相導波体モードのタルボット距離を示すグラフ
が示されている。さらに図４を参照すると、本発明の装
置10による単一の２２素子タルボット空間的フィルタア
レイ50のブロック図が示されており、それらが各サブア
レイ素子18と一直線に整列する１つの空間的フィルタの
島34があるようにサブアレイソースからのタルボット距
離の半分に位置される。この説明において、上記に関し
た単一の２２の素子サブアレイは、本発明の装置10の第
１のサブアレイ20あるいは第２のサブアレイ22のどちら
かである。
＝ｚT ／２）からタルボット距離の半分の単一の２２の
素子サブアレイからの理論的な同位相の導波体モードお
よび逆位相導波体モードのタルボット距離を示すグラフ
が示されている。さらに図４を参照すると、本発明の装
置10による単一の２２素子タルボット空間的フィルタア
レイ50のブロック図が示されており、それらが各サブア
レイ素子18と一直線に整列する１つの空間的フィルタの
島34があるようにサブアレイソースからのタルボット距
離の半分に位置される。この説明において、上記に関し
た単一の２２の素子サブアレイは、本発明の装置10の第
１のサブアレイ20あるいは第２のサブアレイ22のどちら
かである。
【００２３】同位相導波体モードタルボットイメージ46
がタルボット空間的フィルタアレイの島34の間に集中し
た最大強度ピークを有することが図４におけるグラフか
ら見られる。しかしながら、逆位相導波体モードタルボ
ットイメージ48は、タルボット空間的フィルタアレイの
島34と一直線に整列して集中したそれらの最大値を有す
る。このように、タルボット空間的フィルタアレイは逆
位相導波体モードを選択的に瀘波し、同位相の導波体モ
ードを透過する。
がタルボット空間的フィルタアレイの島34の間に集中し
た最大強度ピークを有することが図４におけるグラフか
ら見られる。しかしながら、逆位相導波体モードタルボ
ットイメージ48は、タルボット空間的フィルタアレイの
島34と一直線に整列して集中したそれらの最大値を有す
る。このように、タルボット空間的フィルタアレイは逆
位相導波体モードを選択的に瀘波し、同位相の導波体モ
ードを透過する。
【００２４】図５を参照すると、２つの２２個の素子サ
ブアレイを含んでいるタルボットフィルタされたチャー
プな格子表面放射分布フィードバック半導体レーザアレ
イの理論的な縦モード遠フィールド強度プロフィルが示
されている。大部分のパワーが中央のローブ52に向けら
れるが、並列結合に要求される低充填係数から生じる顕
著なサイドローブ54が存在する。しかしながら、これら
のサイドローブ54におけるエネルギ量は、単一レベルの
２進光位相プレートを使用することによって中央のロー
ブ52に再び向けられる。同様の位相プレートは、効率の
顕著な損失のない「タルボット空洞において空間的フィ
ルタを使用するアレイダイオードレーザのコヒーレント
動作」に開示されたように過去に使用されている。本発
明の装置10におけるこのような位相プレートの使用は、
中央の遠フィールドローブ52における１０ワットまでの
連続波パワーを有する高品質のレーザビームを生成する
タルボットフィルタされたチャープな格子表面放射分布
フィードバック半導体レーザアレイ12を生じる。
ブアレイを含んでいるタルボットフィルタされたチャー
プな格子表面放射分布フィードバック半導体レーザアレ
イの理論的な縦モード遠フィールド強度プロフィルが示
されている。大部分のパワーが中央のローブ52に向けら
れるが、並列結合に要求される低充填係数から生じる顕
著なサイドローブ54が存在する。しかしながら、これら
のサイドローブ54におけるエネルギ量は、単一レベルの
２進光位相プレートを使用することによって中央のロー
ブ52に再び向けられる。同様の位相プレートは、効率の
顕著な損失のない「タルボット空洞において空間的フィ
ルタを使用するアレイダイオードレーザのコヒーレント
動作」に開示されたように過去に使用されている。本発
明の装置10におけるこのような位相プレートの使用は、
中央の遠フィールドローブ52における１０ワットまでの
連続波パワーを有する高品質のレーザビームを生成する
タルボットフィルタされたチャープな格子表面放射分布
フィードバック半導体レーザアレイ12を生じる。
【００２５】変化変換が本発明の技術的範囲から逸脱す
ることなしに上記された装置において行われるので、上
記に述べられた目的が有効に得られることが認められ、
上記説明に含まれ、添付図面に示されたものは全て例示
であり、発明を限定するものではない。
ることなしに上記された装置において行われるので、上
記に述べられた目的が有効に得られることが認められ、
上記説明に含まれ、添付図面に示されたものは全て例示
であり、発明を限定するものではない。
【図１】チャープな格子表面放射分布フィードバック半
導体レーザ装置のアレイを含んでいる本発明の装置の３
次元斜視図、および複数のチャープな格子表面放射分布
半導体レーザ装置のサブアレイを横切る装置の切断され
た一部の斜視図。
導体レーザ装置のアレイを含んでいる本発明の装置の３
次元斜視図、および複数のチャープな格子表面放射分布
半導体レーザ装置のサブアレイを横切る装置の切断され
た一部の斜視図。
【図２】タルボット空間的フィルタアレイを含んでいる
自由伝播領域によって分離された２つのチャープな格子
表面放射分布フィードバック半導体レーザ装置の平面
図。
自由伝播領域によって分離された２つのチャープな格子
表面放射分布フィードバック半導体レーザ装置の平面
図。
【図３】２２のチャープな格子表面放射分布フィードバ
ック半導体レーザ装置のサブアレイからの自由伝播領域
を横切る複数の平面の理論的なタルボットイメージ、お
よび２２のチャープな格子表面放射分布フィードバック
半導体レーザ装置のサブアレイからのタルボット平面の
理論的な位相プロフィルおよび単一のチャープな格子表
面放射分布フィードバック半導体レーザ装置からのタル
ボット平面の理論的な強度プロフィルを示しているグラ
フ。
ック半導体レーザ装置のサブアレイからの自由伝播領域
を横切る複数の平面の理論的なタルボットイメージ、お
よび２２のチャープな格子表面放射分布フィードバック
半導体レーザ装置のサブアレイからのタルボット平面の
理論的な位相プロフィルおよび単一のチャープな格子表
面放射分布フィードバック半導体レーザ装置からのタル
ボット平面の理論的な強度プロフィルを示しているグラ
フ。
【図４】２２のチャープな格子表面放射分布フィードバ
ック半導体レーザ装置のサブアレイからの理論的な同位
相導波体モードおよび逆位相導波体モードの半平面タル
ボットイメージを示しているグラフ。
ック半導体レーザ装置のサブアレイからの理論的な同位
相導波体モードおよび逆位相導波体モードの半平面タル
ボットイメージを示しているグラフ。
【図５】タルボット瀘波されたチャープな格子表面放射
分布フィードバック半導体レーザアレイの理論的な縦モ
ードの遠フィールドの強度プロフィルを示しているグラ
フ。
分布フィードバック半導体レーザアレイの理論的な縦モ
ードの遠フィールドの強度プロフィルを示しているグラ
フ。
12，28…アレイ、18…素子、20，22…サブアレイ、24…
自由伝播領域、26…ストライプ、34…島。
自由伝播領域、26…ストライプ、34…島。
Claims (11)
- 【請求項１】 表面放射分布フィードバック半導体レー
ザ装置のアレイが装置に形成され、このアレイから生成
された出力レーザビームが前記装置から出ることを可能
にするために出力窓が前記装置に形成されている誘電
体、金属および半導体材料の層を有する装置において、 前記アレイにおける前記放射分布フィードバック半導体
レーザ装置間に基本的な横モードの振動を設定するよう
に形成されているタルボット空間的フィルタを具備して
いることを特徴とする装置。 - 【請求項２】 表面放射分布フィードバック半導体レー
ザ装置のアレイが複数の並列に位置された表面放射分布
フィードバック半導体レーザ装置を有する第１のサブア
レイおよび複数の並列に位置された表面放射分布フィー
ドバック半導体レーザ装置を有する第２のサブアレイよ
り構成され、前記第１のサブアレイおよび前記第２のサ
ブアレイが自由伝播領域によって分離され、前記第１の
サブアレイにおける前記複数の表面放射分布フィードバ
ック半導体レーザ装置あるいは素子のそれぞれが前記第
２のサブアレイにおける前記複数の表面放射分布フィー
ドバック半導体レーザ装置あるいは素子の対応している
１つと前記自由伝播領域を横切って一直線に整列されて
いる請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 前記第１のサブアレイにおける前記並列
に位置された素子のそれぞれが素子間の光吸収材料スト
ライプによってそれぞれから横方向に絶縁され、前記第
２のサブアレイにおける前記並列に位置された素子のそ
れぞれが素子間の光吸収材料ストライプによって互いか
ら横方向に絶縁されている請求項２記載の装置。 - 【請求項４】 前記第１のサブアレイと前記第２のサブ
アレイを分離する前記自由伝播領域がタルボット距離に
等しい長さを有し、前記タルボット距離が次の式によっ
て表され、 ｚT ＝２ｎeff Ｄ2 ／λ ここでｎeff が前記自由伝播領域における実効屈折率で
あり、Ｄが前記並列に位置されたサブアレイ素子の中心
間の間隔であり、λが前記アレイ素子全ての定在波の真
空波長であり、ｚが前記並列に位置されたアレイ素子全
てで整列している座標である請求項３記載の装置。 - 【請求項５】 前記タルボット空間的フィルタアレイが
複数の光吸収材料の島より構成され、前記複数の光吸収
材料の島が前記タルボット距離の半分で前記自由伝播領
域にわたって前記装置に形成され、前記複数の対応して
いるサブアレイ間の素子の対のそれぞれの間に一直線に
整列した複数の光吸収材料の島の１つが存在するよう
に、前記複数の光吸収材料の島がそれぞれ前記複数の対
応しているサブアレイ間の素子の対の間に一直線に整列
している請求項４記載の装置。 - 【請求項６】 前記光吸収素子間のストライプおよび前
記光吸収の島が負にドープされたガリウム砒素化合物材
料によって形成されている請求項５記載の装置。 - 【請求項７】 前記表面放射分布フィードバック半導体
レーザ装置のアレイがチャープな格子表面放射分布フィ
ードバック半導体レーザ装置のアレイである請求項６記
載の装置。 - 【請求項８】 前記タルボット瀘波されたチャープな格
子表面放射分布フィードバック半導体レーザアレイから
発生された出るレーザビームがほぼ単一ローブの縦モー
ドの遠フィールドを有する請求項７記載の装置。 - 【請求項９】 前記ほぼ単一ローブの縦モードの遠フィ
ールドが１０ワットまでの連続波パワーを有する高品質
レーザビームである請求項８記載の装置。 - 【請求項１０】 複数の表面放射分布フィードバック半
導体レーザ装置サブアレイと、 少なくとも１つのタルボット空間的フィルタアレイとを
具備し、 前記少なくとも１つのタルボット空間的フィルタアレイ
が前記複数の表面放射分布フィードバック半導体レーザ
装置サブアレイ間の基本的な横モードの振動を設定して
いることを特徴とするタルボットフィルタ表面放射分布
フィードバック半導体レーザアレイ。 - 【請求項１１】 表面放射分布フィードバック半導体レ
ーザ装置のアレイが形成されており、前記アレイから生
成された出力レーザビームが出力されることのできる出
力窓が形成されている誘電体、金属および半導体材料の
積層構造において、 前記アレイにおける前記表面放射分布フィードバック半
導体レーザ装置間に基本的な横モードの振動を設定する
ように形成されているタルボット空間的フィルタアレイ
を具備していることを特徴とする誘電体、金属および半
導体材料の積層構造。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/873,314 US5282220A (en) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | Talbot filtered surface emitting distributed feedback semiconductor laser array |
| US873314 | 1992-04-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645696A true JPH0645696A (ja) | 1994-02-18 |
| JPH0773147B2 JPH0773147B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=25361387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5099838A Expired - Lifetime JPH0773147B2 (ja) | 1992-04-24 | 1993-04-26 | タルボットフィルタ表面放射分布フィードバック半導体レーザアレイ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5282220A (ja) |
| EP (1) | EP0567346B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0773147B2 (ja) |
| KR (1) | KR940006321A (ja) |
| DE (1) | DE69308063T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015173194A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5345466A (en) * | 1992-11-12 | 1994-09-06 | Hughes Aircraft Company | Curved grating surface emitting distributed feedback semiconductor laser |
| DE4407832A1 (de) * | 1994-03-09 | 1995-09-14 | Ant Nachrichtentech | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit einer definierten axialen Variation des Kopplungskoeffizienten und definierter axialer Verteilung der Phasenverschiebung |
| US7400264B2 (en) * | 2003-02-14 | 2008-07-15 | Energy Technology Group, Inc. | Automated meter reading system, communication and control network for automated meter reading, meter data collector, and associated methods |
| US7532392B1 (en) * | 2006-03-29 | 2009-05-12 | Hrl Laboratories | Dark channel array |
| KR101769312B1 (ko) * | 2009-03-05 | 2017-08-30 | 프레스코 테크놀로지 인크. | 표면 발광 반도체 디바이스에 의한 디지털 열 주입 |
| CN101841129B (zh) * | 2010-05-24 | 2011-06-29 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 单片集成锁相面发射分布反馈半导体激光器阵列 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4813762A (en) * | 1988-02-11 | 1989-03-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Coherent beam combining of lasers using microlenses and diffractive coupling |
| US4985897A (en) * | 1988-10-07 | 1991-01-15 | Trw Inc. | Semiconductor laser array having high power and high beam quality |
| US4972427A (en) * | 1989-09-14 | 1990-11-20 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Talbot cavity diode laser with uniform single-mode output |
| US5033054A (en) * | 1990-08-17 | 1991-07-16 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Phase conjugate laser |
-
1992
- 1992-04-24 US US07/873,314 patent/US5282220A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-23 EP EP93303200A patent/EP0567346B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-23 DE DE69308063T patent/DE69308063T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-23 KR KR1019930006844A patent/KR940006321A/ko not_active Ceased
- 1993-04-26 JP JP5099838A patent/JPH0773147B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015173194A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| US9882354B2 (en) | 2014-03-12 | 2018-01-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor laser device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0773147B2 (ja) | 1995-08-02 |
| EP0567346A2 (en) | 1993-10-27 |
| EP0567346B1 (en) | 1997-02-12 |
| DE69308063T2 (de) | 1997-09-25 |
| EP0567346A3 (en) | 1993-12-29 |
| DE69308063D1 (de) | 1997-03-27 |
| US5282220A (en) | 1994-01-25 |
| KR940006321A (ko) | 1994-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5365541A (en) | Mirror with photonic band structure | |
| JP3983933B2 (ja) | 半導体レーザ、および半導体レーザの製造方法 | |
| US4975923A (en) | Semiconductor diode laser array | |
| JPH012387A (ja) | 半導体ダイオード・レーザ・アレイ装置 | |
| Warren et al. | On‐axis far‐field emission from two‐dimensional phase‐locked vertical cavity surface‐emitting laser arrays with an integrated phase‐corrector | |
| US5345466A (en) | Curved grating surface emitting distributed feedback semiconductor laser | |
| EP0325251B1 (en) | Laser light source for generating beam collimated in at least one direction | |
| KR20010079633A (ko) | 주입형 레이저 | |
| US7457340B2 (en) | High coherent power, two-dimensional surface-emitting semiconductor diode array laser | |
| JPH0318086A (ja) | 半導体放射素子の放射光結合システムおよびこれを用いた放射光処理アレイ | |
| JP2524068B2 (ja) | チャ―プな格子の表面放射分布フィ―ドバック半導体レ―ザ装置 | |
| CN101841129A (zh) | 单片集成锁相面发射分布反馈半导体激光器阵列 | |
| US6959027B1 (en) | High-power coherent arrays of vertical cavity surface emitting lasers | |
| JP2023526771A (ja) | トポロジー絶縁体表面発光レーザシステム | |
| JPH0645696A (ja) | タルボットフィルタ表面放射分布フィードバック半導体レーザアレイ | |
| US4852113A (en) | Laser array with wide-waveguide coupling region | |
| Hardy et al. | Coupled-mode formulations for parallel-laser resonators with application to vertical-cavity semiconductor-laser arrays | |
| EP0456450B1 (en) | Phase locked laser arrays with single lobe output beam | |
| US5307183A (en) | Apparatus and method for fabricating a curved grating in a surface emitting distributed feedback semiconductor laser diode device | |
| Gong et al. | Lateral mode discrimination in surface emitting DBR lasers with cylindrical symmetry | |
| JPH04167484A (ja) | 光半導体装置 | |
| RU2109381C1 (ru) | Интегральный полупроводниковый лазер-усилитель | |
| Hardy et al. | Analysis of a dual grating-type surface emitting laser | |
| JP3269584B2 (ja) | 光子バンド構造を備えたミラーを使用するレーザ・アレイ結合 | |
| Mawst et al. | Two-dimensional surface-emitting leaky-wave coupled laser arrays |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080802 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090802 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090802 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100802 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110802 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120802 Year of fee payment: 17 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120802 Year of fee payment: 17 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130802 Year of fee payment: 18 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |