JPH06342942A - 赤外線センサの製造方法 - Google Patents
赤外線センサの製造方法Info
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- JPH06342942A JPH06342942A JP5131892A JP13189293A JPH06342942A JP H06342942 A JPH06342942 A JP H06342942A JP 5131892 A JP5131892 A JP 5131892A JP 13189293 A JP13189293 A JP 13189293A JP H06342942 A JPH06342942 A JP H06342942A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 6
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 23
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 9
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 abstract description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018459 Al—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229940046892 lead acetate Drugs 0.000 description 1
- 230000003340 mental effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 素子毎の感度特性のバラツキをなくし，フォ
トリソグラフィー工程およびそのマスク等を増やすこと
なく，大量生産・低コスト化を図ると共に，基板内部側
の隠れた面を吸光部として利用可能とし，小型化・高感
度化を図る。 【構成】 赤外線を吸収して熱に変換する吸光部が設け
られた熱分離構造部と，熱分離構造部の温度上昇を検知
する温度検知手段とを有する赤外線センサの製造方法に
おいて，熱分離構造部に電極を形成する工程と，電極表
面に電気化学的処理を施して吸光部を形成する工程とを
備えている。
トリソグラフィー工程およびそのマスク等を増やすこと
なく，大量生産・低コスト化を図ると共に，基板内部側
の隠れた面を吸光部として利用可能とし，小型化・高感
度化を図る。 【構成】 赤外線を吸収して熱に変換する吸光部が設け
られた熱分離構造部と，熱分離構造部の温度上昇を検知
する温度検知手段とを有する赤外線センサの製造方法に
おいて，熱分離構造部に電極を形成する工程と，電極表
面に電気化学的処理を施して吸光部を形成する工程とを
備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，赤外線を吸収して熱に
変換する吸光部が設けられた熱分離構造部と，熱分離構
造部の温度上昇を検知する温度検知手段とを有する赤外
線センサの製造方法に関する。
変換する吸光部が設けられた熱分離構造部と，熱分離構
造部の温度上昇を検知する温度検知手段とを有する赤外
線センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に，赤外線センサは，非接触の温度
計として利用されており，例えば，物体の検出や，特殊
環境下における温度計測等に使用されている。具体的に
は，溶鉱炉の温度測定，火災報知器，あるいは男子用ト
イレの自動洗水器等がある。
計として利用されており，例えば，物体の検出や，特殊
環境下における温度計測等に使用されている。具体的に
は，溶鉱炉の温度測定，火災報知器，あるいは男子用ト
イレの自動洗水器等がある。
【０００３】一方，近年，シリコンのマイクロマシーニ
ング技術を用いた高感度の赤外線センサが精力的に研究
・開発されている。これらの赤外線センサは，シリコン
のマイクロマシーニング技術を用いることにより，熱容
量が小さく，熱抵抗の大きな熱分離構造部を作製し，さ
らに熱分離構造部上に赤外線吸収剤を塗布して吸光部を
形成し，入射赤外光の吸収による熱分離構造部の温度上
昇をサーモパイル等で検出するものである。
ング技術を用いた高感度の赤外線センサが精力的に研究
・開発されている。これらの赤外線センサは，シリコン
のマイクロマシーニング技術を用いることにより，熱容
量が小さく，熱抵抗の大きな熱分離構造部を作製し，さ
らに熱分離構造部上に赤外線吸収剤を塗布して吸光部を
形成し，入射赤外光の吸収による熱分離構造部の温度上
昇をサーモパイル等で検出するものである。
【０００４】図６は，シリコンのマイクロマシーニング
技術を用いた赤外線センサ素子の一例を示し，ｐ型基板
６０１にｎ型コピタキシャル層６０２が形成され，裏面
からのエレクトロケミカルエッチングにより，熱分離構
造部であるカンチレバービーム６０３が形成される。ま
た，カンチレバービーム６０３の上面には，ゴールドブ
ラック等の赤外線吸光剤からなる赤外線吸光部６０４お
よび赤外線吸光部６０４の温度上昇を検知するサーモパ
イル６０５が形成されている。
技術を用いた赤外線センサ素子の一例を示し，ｐ型基板
６０１にｎ型コピタキシャル層６０２が形成され，裏面
からのエレクトロケミカルエッチングにより，熱分離構
造部であるカンチレバービーム６０３が形成される。ま
た，カンチレバービーム６０３の上面には，ゴールドブ
ラック等の赤外線吸光剤からなる赤外線吸光部６０４お
よび赤外線吸光部６０４の温度上昇を検知するサーモパ
イル６０５が形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記従
来の技術によれば，髪の毛等を用いて人手によって個々
の素子毎に塗布する方法で，ゴールドブラック等の赤外
線吸光剤を分散させたエポキシ樹脂を熱分離構造部上に
塗布して吸光部を形成するため，素子毎に赤外線吸光剤
の塗布量が異なってしまい，熱容量および表面積の違い
から素子毎の感度特性にバラツキが出るという問題点が
あった。
来の技術によれば，髪の毛等を用いて人手によって個々
の素子毎に塗布する方法で，ゴールドブラック等の赤外
線吸光剤を分散させたエポキシ樹脂を熱分離構造部上に
塗布して吸光部を形成するため，素子毎に赤外線吸光剤
の塗布量が異なってしまい，熱容量および表面積の違い
から素子毎の感度特性にバラツキが出るという問題点が
あった。
【０００６】また，人手による処理であるため，換言す
れば，バッチプロセスでないため，大量生産性に乏し
く，コスト高になるという問題点があった。特に，熱分
離構造部が破損し易いため，人手による塗布工程では，
作業中の熱分離構造部の破損による歩留り低下を引き起
こし易く，コスト高の要因となっていた。また，塗布作
業そのものが，顕微鏡（拡大鏡）下での微細作業となる
ため，作業者への肉体的・精神的な負担が大きいという
不都合もあった。
れば，バッチプロセスでないため，大量生産性に乏し
く，コスト高になるという問題点があった。特に，熱分
離構造部が破損し易いため，人手による塗布工程では，
作業中の熱分離構造部の破損による歩留り低下を引き起
こし易く，コスト高の要因となっていた。また，塗布作
業そのものが，顕微鏡（拡大鏡）下での微細作業となる
ため，作業者への肉体的・精神的な負担が大きいという
不都合もあった。
【０００７】また，ゴールドブラック等の赤外線吸光剤
を，蒸着あるいはスプレー塗布し，不必要な部分をリフ
トオフする方法も知られており，髪の毛等を用いて塗布
する場合と比較して生産性が格段に向上するものの，リ
フトオフのためのフォトリソグラフィー工程およびその
マスクとを必要とするという問題点があった。
を，蒸着あるいはスプレー塗布し，不必要な部分をリフ
トオフする方法も知られており，髪の毛等を用いて塗布
する場合と比較して生産性が格段に向上するものの，リ
フトオフのためのフォトリソグラフィー工程およびその
マスクとを必要とするという問題点があった。
【０００８】さらに，手塗り，蒸着，スプレーのいずれ
の方法を用いても，吸光部は基板表面にしか形成できな
いため，基板内部側の隠れた面を吸光部として有効利用
することができないという問題点があった。
の方法を用いても，吸光部は基板表面にしか形成できな
いため，基板内部側の隠れた面を吸光部として有効利用
することができないという問題点があった。
【０００９】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であって，素子毎の感度特性のバラツキをなくし，フォ
トリソグラフィー工程およびそのマスク等を増やすこと
なく，大量生産・低コスト化を図ると共に，基板内部側
の隠れた面を吸光部として利用可能とし，小型化・高感
度化を図ることを目的とする。
であって，素子毎の感度特性のバラツキをなくし，フォ
トリソグラフィー工程およびそのマスク等を増やすこと
なく，大量生産・低コスト化を図ると共に，基板内部側
の隠れた面を吸光部として利用可能とし，小型化・高感
度化を図ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために，赤外線を吸収して熱に変換する吸光部が
設けられた熱分離構造部と，熱分離構造部の温度上昇を
検知する温度検知手段とを有する赤外線センサの製造方
法において，熱分離構造部に電極を形成する工程と，電
極表面に電気化学的処理を施して吸光部を形成する工程
とを備えた赤外線センサの製造方法を提供するものであ
る。
成するために，赤外線を吸収して熱に変換する吸光部が
設けられた熱分離構造部と，熱分離構造部の温度上昇を
検知する温度検知手段とを有する赤外線センサの製造方
法において，熱分離構造部に電極を形成する工程と，電
極表面に電気化学的処理を施して吸光部を形成する工程
とを備えた赤外線センサの製造方法を提供するものであ
る。
【００１１】なお，前記電気化学的処理として，電解重
合，電着，めっき電着塗装で代表される電気化学的析出
反応を用いた赤外線センサの製造方法とする。また，電
気化学的処理として，エッチングで代表される電気化学
的溶解反応を用いた赤外線センサの製造方法とする。ま
た，電気化学的処理として，陽極酸化を行なった後，金
属塩を含む電解液中で二次電解を行なうか，あるいは陽
極酸化の電解液に金属塩を添加することによって行なわ
れる電解着色を用いた赤外線センサの製造方法とする。
合，電着，めっき電着塗装で代表される電気化学的析出
反応を用いた赤外線センサの製造方法とする。また，電
気化学的処理として，エッチングで代表される電気化学
的溶解反応を用いた赤外線センサの製造方法とする。ま
た，電気化学的処理として，陽極酸化を行なった後，金
属塩を含む電解液中で二次電解を行なうか，あるいは陽
極酸化の電解液に金属塩を添加することによって行なわ
れる電解着色を用いた赤外線センサの製造方法とする。
【００１２】
【作用】本発明の赤外線センサの製造方法は，熱分離構
造部に電極を形成し，その電極表面に電気化学的処理を
施して吸光部を形成することにより，吸光剤を均一（定
量的）に含有した吸光部を形成する。また，熱分離構造
部の裏側にも電極を形成し，同様に熱分離構造部の裏側
にも吸光部を形成する。
造部に電極を形成し，その電極表面に電気化学的処理を
施して吸光部を形成することにより，吸光剤を均一（定
量的）に含有した吸光部を形成する。また，熱分離構造
部の裏側にも電極を形成し，同様に熱分離構造部の裏側
にも吸光部を形成する。
【００１３】
【実施例】以下，本発明の赤外線センサの製造方法につ
いて，〔実施例１〕，〔実施例２〕，〔実施例３〕の順
に図面を参照して詳細に説明する。
いて，〔実施例１〕，〔実施例２〕，〔実施例３〕の順
に図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】〔実施例１〕図１は，実施例１の赤外線セ
ンサの構成を示し，シリコン基板１０１の表面に，Ｓｉ
3 Ｎ4 膜の熱分離構造部１０２が形成され，さらに熱分
離構造部１０２上に白金電極１０３が形成されている。
また，白金電極１０３の表面には，電気化学的処理によ
り，白金黒が電着されて，吸光部１０４が形成されてい
る。また，１０５は，熱分離構造部１０２を形成するた
めのエッチング液導入口である開口部を示す。
ンサの構成を示し，シリコン基板１０１の表面に，Ｓｉ
3 Ｎ4 膜の熱分離構造部１０２が形成され，さらに熱分
離構造部１０２上に白金電極１０３が形成されている。
また，白金電極１０３の表面には，電気化学的処理によ
り，白金黒が電着されて，吸光部１０４が形成されてい
る。また，１０５は，熱分離構造部１０２を形成するた
めのエッチング液導入口である開口部を示す。
【００１５】なお，ここでは，図を見やすくするため
に，熱分離構造部１０２の温度上昇を検知する検知手段
を省略してあるが，ポリシリコンダイオード等を形成す
れば良く，例えば，Technical Digest of 9th Sensor S
ymposium，1990，pp７１〜７４に記述されている方法を
適用することができる。
に，熱分離構造部１０２の温度上昇を検知する検知手段
を省略してあるが，ポリシリコンダイオード等を形成す
れば良く，例えば，Technical Digest of 9th Sensor S
ymposium，1990，pp７１〜７４に記述されている方法を
適用することができる。
【００１６】図２（ａ），（ｂ）は，図１の赤外線セン
サをＡ−Ｂの切断線で切断した場合の断面図を示す。
サをＡ−Ｂの切断線で切断した場合の断面図を示す。
【００１７】以上の構成において，図２（ａ），（ｂ）
を参照して，実施例１の赤外線センサの製造方法につい
て説明する。先ず，図２（ａ）に示すように，シリコン
基板１０１の表面に，熱酸化，ＣＶＤ等の手法により酸
化膜２０１を形成し，ポリシリコン犠牲層２０２をＣＶ
Ｄ等の手法により形成し，Ｓｉ3 Ｎ4 膜２０３をＣＶＤ
等の手法により形成し，白金電極１０３を形成し，Ｓｉ
3 Ｎ4 膜２０４を形成する。ここで，ポリシリコン犠牲
層２０２および白金電極１０３の形成には，フォトリソ
グラフィー・エッチング工程が含まれている。
を参照して，実施例１の赤外線センサの製造方法につい
て説明する。先ず，図２（ａ）に示すように，シリコン
基板１０１の表面に，熱酸化，ＣＶＤ等の手法により酸
化膜２０１を形成し，ポリシリコン犠牲層２０２をＣＶ
Ｄ等の手法により形成し，Ｓｉ3 Ｎ4 膜２０３をＣＶＤ
等の手法により形成し，白金電極１０３を形成し，Ｓｉ
3 Ｎ4 膜２０４を形成する。ここで，ポリシリコン犠牲
層２０２および白金電極１０３の形成には，フォトリソ
グラフィー・エッチング工程が含まれている。
【００１８】次に，図２（ａ）の状態から，ポリシリコ
ン犠牲層２０２に達する開口部１０５を，ドライエッチ
ング等の手法により形成し，フッ酸および硝酸からなる
混酸でポリシリコン犠牲層２０２を犠牲エッチングによ
り除去し，続いてポリシリコン犠牲層２０２の下部の位
置していた部分の酸化膜２０１をフッ酸により除去し，
さらにヒドラジン等のアルカリ液でシリコン基板１０１
を表面より異方性エッチングして，図２（ｂ）に示すよ
うに，キャビティ２０５および熱分離構造部１０２を形
成する。
ン犠牲層２０２に達する開口部１０５を，ドライエッチ
ング等の手法により形成し，フッ酸および硝酸からなる
混酸でポリシリコン犠牲層２０２を犠牲エッチングによ
り除去し，続いてポリシリコン犠牲層２０２の下部の位
置していた部分の酸化膜２０１をフッ酸により除去し，
さらにヒドラジン等のアルカリ液でシリコン基板１０１
を表面より異方性エッチングして，図２（ｂ）に示すよ
うに，キャビティ２０５および熱分離構造部１０２を形
成する。
【００１９】このようにして形成した構造体２０６を，
図３に示すように，１００ｍｌ当りヘキサクロロ白金
（ＩＶ）酸（Ｈ2 〔ＰｔＣｌ6 〕）３ｇ，酢酸鉛０．０
３ｇを含むめっき液３０１を満たしためっき槽３０２に
入れ，構造体２０６の白金電極１０３を電源３０４に接
続し，同様にめっき槽３０２に入れられている白金対極
３０３を電源３０４に接続する。
図３に示すように，１００ｍｌ当りヘキサクロロ白金
（ＩＶ）酸（Ｈ2 〔ＰｔＣｌ6 〕）３ｇ，酢酸鉛０．０
３ｇを含むめっき液３０１を満たしためっき槽３０２に
入れ，構造体２０６の白金電極１０３を電源３０４に接
続し，同様にめっき槽３０２に入れられている白金対極
３０３を電源３０４に接続する。
【００２０】続いて，印加電圧５Ｖ程度で，１分毎に電
源の極性を切り換えながら，電気めっきを行なうと，約
１０分で白金電極１０３に白金黒３０５（すなわち，吸
光部１０４）が電着される。その後，構造体２０６を水
洗し，希硫酸中で１分間ずつ極性を変えながら電解清浄
して，構造体２０６を赤外線センサとして取り出し，製
造工程を終了する。
源の極性を切り換えながら，電気めっきを行なうと，約
１０分で白金電極１０３に白金黒３０５（すなわち，吸
光部１０４）が電着される。その後，構造体２０６を水
洗し，希硫酸中で１分間ずつ極性を変えながら電解清浄
して，構造体２０６を赤外線センサとして取り出し，製
造工程を終了する。
【００２１】実施例１によれば，熱分離構造部に白金電
極を形成し，表面に白金黒を電着する手法を例に説明し
たが，電極表面を黒色化する電気化学的処理方法は，他
にも種々知られており，例えば，半導体プロセスで多用
されているＡｌ−Ｓｉ合金や，あるいはＡｌ−Ｇｅ合金
により電極を形成し，硫酸中で陽極酸化により黒色化し
ても良い。また，陽極酸化後に，Ｎｉ塩あるいはＣｕ塩
等の金属塩を含む電解液中で二次電荷し，電解着色によ
り黒色化しても良い。また，陽極酸化の後，細孔内に色
素を担持する方法でも良い。また，吸光部を形成する電
極の材料を回路等の配線材料と同一のものとすれば，フ
ォトリソグラフィー工程およびそのマスクを共通化で
き，それぞれ（一工程および一枚）節約することができ
る。
極を形成し，表面に白金黒を電着する手法を例に説明し
たが，電極表面を黒色化する電気化学的処理方法は，他
にも種々知られており，例えば，半導体プロセスで多用
されているＡｌ−Ｓｉ合金や，あるいはＡｌ−Ｇｅ合金
により電極を形成し，硫酸中で陽極酸化により黒色化し
ても良い。また，陽極酸化後に，Ｎｉ塩あるいはＣｕ塩
等の金属塩を含む電解液中で二次電荷し，電解着色によ
り黒色化しても良い。また，陽極酸化の後，細孔内に色
素を担持する方法でも良い。また，吸光部を形成する電
極の材料を回路等の配線材料と同一のものとすれば，フ
ォトリソグラフィー工程およびそのマスクを共通化で
き，それぞれ（一工程および一枚）節約することができ
る。
【００２２】〔実施例２〕実施例２では，半導体基板の
主面に赤外線センサ素子が形成され，その裏面に赤外線
フィルターが形成された赤外線センサにおいて，熱分離
構造部の隠れた背面に吸光部を形成した場合の製造方法
を示す。
主面に赤外線センサ素子が形成され，その裏面に赤外線
フィルターが形成された赤外線センサにおいて，熱分離
構造部の隠れた背面に吸光部を形成した場合の製造方法
を示す。
【００２３】以下，図４を参照して，実施例２の赤外線
センサの製造方法について説明する。ｐ型基板４０１の
主面に赤外線センサ素子である熱分離構造部４０２が形
成され，ｐ型基板４０１の裏面をｎ型エピタキシャル層
４０３までエレクトロケミカルエッチングすることによ
り，キャビティ４０４および赤外線フィルター４０５が
形成されている。ここで，熱分離構造部４０２の背面
（図中の上面）には，白金電極（図示せず）が形成され
ているものとする。このようにして形成した構造体４０
６を，実施例１と同様に，図３に示しためっき槽３０２
に入れると，開口部４０７からキャビティ４０４内にめ
っき液３０１が侵入し，熱分離構造部４０２の隠れた背
面（内側）に白金黒が電着され，吸光部４０８が形成さ
れる。
センサの製造方法について説明する。ｐ型基板４０１の
主面に赤外線センサ素子である熱分離構造部４０２が形
成され，ｐ型基板４０１の裏面をｎ型エピタキシャル層
４０３までエレクトロケミカルエッチングすることによ
り，キャビティ４０４および赤外線フィルター４０５が
形成されている。ここで，熱分離構造部４０２の背面
（図中の上面）には，白金電極（図示せず）が形成され
ているものとする。このようにして形成した構造体４０
６を，実施例１と同様に，図３に示しためっき槽３０２
に入れると，開口部４０７からキャビティ４０４内にめ
っき液３０１が侵入し，熱分離構造部４０２の隠れた背
面（内側）に白金黒が電着され，吸光部４０８が形成さ
れる。
【００２４】このように実施例２によれば，従来の方法
では吸光部が形成できなかった隠れた面（内側）にも容
易に吸光部を形成することができ，赤外線センサの構成
の多様化を図ることができる。
では吸光部が形成できなかった隠れた面（内側）にも容
易に吸光部を形成することができ，赤外線センサの構成
の多様化を図ることができる。
【００２５】〔実施例３〕実施例３では，小型化・低コ
スト化および高感度化を図った赤外線センサとして，赤
外線センサ素子が形成された半導体基板と，反射鏡が形
成された基板とからなる赤外線センサの製造方法を示
す。
スト化および高感度化を図った赤外線センサとして，赤
外線センサ素子が形成された半導体基板と，反射鏡が形
成された基板とからなる赤外線センサの製造方法を示
す。
【００２６】以下，図５（ａ），（ｂ）を参照して，実
施例３の赤外線センサの製造方法について説明する。ｐ
型基板５０１に赤外線センサ素子である熱分離構造部５
０２が形成され，ｐ型基板５０１の一方の面（図中の上
面）をｎ型エピタキシャル層５０３までエレクトロケミ
カルエッチングすることにより，キャビティ５０４およ
び赤外線フィルター５０５が形成されている。ここで，
熱分離構造部５０２の両面（図中の上・下面）には，白
金電極（図示せず）が形成されているものとする。この
ようにして形成した構造体５０６を，実施例１と同様
に，図３に示しためっき槽３０２に入れると，開口部５
０７からキャビティ５０４内にめっき液３０１が侵入
し，熱分離構造部５０２の白金電極面に白金黒が電着さ
れ，熱分離構造部５０２の両面に吸光部５０８が形成さ
れる。
施例３の赤外線センサの製造方法について説明する。ｐ
型基板５０１に赤外線センサ素子である熱分離構造部５
０２が形成され，ｐ型基板５０１の一方の面（図中の上
面）をｎ型エピタキシャル層５０３までエレクトロケミ
カルエッチングすることにより，キャビティ５０４およ
び赤外線フィルター５０５が形成されている。ここで，
熱分離構造部５０２の両面（図中の上・下面）には，白
金電極（図示せず）が形成されているものとする。この
ようにして形成した構造体５０６を，実施例１と同様
に，図３に示しためっき槽３０２に入れると，開口部５
０７からキャビティ５０４内にめっき液３０１が侵入
し，熱分離構造部５０２の白金電極面に白金黒が電着さ
れ，熱分離構造部５０２の両面に吸光部５０８が形成さ
れる。
【００２７】同図（ａ）で作製した赤外線センサ素子が
形成された半導体基板（構造体５０６）を，同図（ｂ）
に示すように，反射鏡５０９が形成された基板５１０と
接合して赤外線センサを形成する。
形成された半導体基板（構造体５０６）を，同図（ｂ）
に示すように，反射鏡５０９が形成された基板５１０と
接合して赤外線センサを形成する。
【００２８】実施例３の赤外線センサは，熱分離構造部
５０２の両面に吸光部５０８が形成されているので，小
型化・低コスト化・高感度化を実現することができる。
５０２の両面に吸光部５０８が形成されているので，小
型化・低コスト化・高感度化を実現することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
熱分離構造部に電極を形成し，その電極表面に電気化学
的処理を施して吸光部を形成するため，素子毎の感度特
性のバラツキをなくし，フォトリソグラフィー工程およ
びそのマスク等を増やすことなく，大量生産・低コスト
化を図ると共に，基板内部側の隠れた面を吸光部として
利用可能とし，小型化・高感度化を図ることができる。
熱分離構造部に電極を形成し，その電極表面に電気化学
的処理を施して吸光部を形成するため，素子毎の感度特
性のバラツキをなくし，フォトリソグラフィー工程およ
びそのマスク等を増やすことなく，大量生産・低コスト
化を図ると共に，基板内部側の隠れた面を吸光部として
利用可能とし，小型化・高感度化を図ることができる。
【図１】実施例１の赤外線センサの構成図である。
【図２】実施例１の赤外線センサの製造方法を示す説明
図である。
図である。
【図３】実施例１の赤外線センサの製造方法を示す説明
図である。
図である。
【図４】実施例２の赤外線センサの製造方法を示す説明
図である。
図である。
【図５】実施例３の赤外線センサの製造方法を示す説明
図である。
図である。
【図６】従来のシリコンのマイクロマシーニング技術を
用いた赤外線センサ素子の一例を示す説明図である。
用いた赤外線センサ素子の一例を示す説明図である。
１０１ シリコン基板 １０２ 熱分離構造部 １０３ 白金電極 １０４ 吸光部 ４０１，５０１ ｐ型基板 ４０２，５０２ 熱分離構造部 ４０３，５０３ ｎ型エピタキシャル層 ４０４，５０４ キャビティ ４０５，５０５ 赤外線フィルター ４０８，５０８ 吸光部
Claims (4)
- 【請求項１】 赤外線を吸収して熱に変換する吸光部が
設けられた熱分離構造部と，前記熱分離構造部の温度上
昇を検知する温度検知手段とを有する赤外線センサの製
造方法において，前記熱分離構造部に電極を形成する工
程と，前記電極表面に電気化学的処理を施して吸光部を
形成する工程とを備えたことを特徴とする赤外線センサ
の製造方法。 - 【請求項２】 前記電気化学的処理は，電解重合，電
着，めっき電着塗装で代表される電気化学的析出反応で
あることを特徴とする請求項１記載の赤外線センサの製
造方法。 - 【請求項３】 前記電気化学的処理は，エッチングで代
表される電気化学的溶解反応であることを特徴とする請
求項１記載の赤外線センサの製造方法。 - 【請求項４】 前記電気化学的処理は，陽極酸化を行な
った後，金属塩を含む電解液中で二次電解を行なうか，
あるいは陽極酸化の電解液に金属塩を添加することによ
って行なわれる電解着色であることを特徴とする請求項
１記載の赤外線センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5131892A JPH06342942A (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | 赤外線センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5131892A JPH06342942A (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | 赤外線センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06342942A true JPH06342942A (ja) | 1994-12-13 |
Family
ID=15068596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5131892A Pending JPH06342942A (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | 赤外線センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06342942A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100392044B1 (ko) * | 2000-03-30 | 2003-07-22 | 가부시끼가이샤 도시바 | 적외선 센서 및 그 제조 방법 |
| JP2004037297A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Denso Corp | 赤外線センサとその製造方法 |
-
1993
- 1993-06-02 JP JP5131892A patent/JPH06342942A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100392044B1 (ko) * | 2000-03-30 | 2003-07-22 | 가부시끼가이샤 도시바 | 적외선 센서 및 그 제조 방법 |
| JP2004037297A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Denso Corp | 赤外線センサとその製造方法 |
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