JPH0634236U - Low pressure CVD equipment - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】生成物の成長レイトを安定させ、メンテナンス
作業の労力を削減する。
【構成】エッチングガスを尾管部内及び接続管内に導入
するエッチングガスラインと、エッチングガスの流量を
制御する流量制御手段と、尾管部内及び接続管内を真空
排気手段で排気した状態で尾管部内及び接続管内にエッ
チングガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段と
を設け、尾管部内及び接続管内に積層される生成物をエ
ッチングすることを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。
(57) [Summary] [Purpose] To stabilize the growth rate of products and reduce the labor of maintenance work. [Composition] An etching gas line for introducing an etching gas into the tail pipe portion and the connecting pipe, a flow rate control means for controlling the flow rate of the etching gas, and a tail pipe portion in a state where the tail pipe portion and the connecting pipe are exhausted by a vacuum exhaust means. And a plasma generating means for generating plasma of an etching gas in the connecting pipe to etch a product stacked in the tail pipe portion and in the connecting pipe.
Description
【０００１】[0001]
本考案は、減圧ＣＶＤ装置に係わるものであり、特に、ＣＶＤ膜の成長レイト の安定性向上とメンテナンスにかかる労力の削減の為の減圧ＣＶＤ装置の改良に 関するものである。 The present invention relates to a low pressure CVD apparatus, and more particularly to an improvement of the low pressure CVD apparatus for improving the stability of the growth rate of a CVD film and reducing the labor required for maintenance.
【０００２】[0002]
従来の減圧ＣＶＤ装置を図面を用いて説明する。 図３は、従来の減圧ＣＶＤ装置の構成図である。 図３において、減圧ＣＶＤ装置は、一端をその径を小さくした尾管部１１とし 温度制御される反応管１０と、この尾管部１１にシール材２１を介してその一端 が接続される接続管２０と、この接続管２０の他端にその一端が接続される排気 管３０と、この排気管３０の他端に接続される真空排気装置４０とで構成されて いる。 A conventional low pressure CVD apparatus will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a configuration diagram of a conventional low pressure CVD apparatus. In FIG. 3, the low-pressure CVD apparatus has a reaction tube 10 whose one end is a tail tube portion 11 having a reduced diameter and whose temperature is controlled, and a connecting tube whose one end is connected to this tail tube portion 11 via a sealing material 21. 20, an exhaust pipe 30 having one end connected to the other end of the connecting pipe 20, and a vacuum exhaust device 40 connected to the other end of the exhaust pipe 30.
【０００３】 反応管１０は例えば石英製であり、真空排気装置４０は例えば一連のロータリ ーポンプ４１とメカニカルブースターポンプ４２である。そして、シール材２１ を介して尾管部１１に接続される接続管２０の一端にはシール材２１の劣化を防 止する為に冷却水２２が供給される。The reaction tube 10 is made of, for example, quartz, and the vacuum exhaust device 40 is, for example, a series of a rotary pump 41 and a mechanical booster pump 42. Then, cooling water 22 is supplied to one end of the connecting pipe 20 connected to the tail pipe portion 11 via the sealing material 21 in order to prevent deterioration of the sealing material 21.
【０００４】 次に、従来の減圧ＣＶＤ装置の動作を説明する。 図４は図３に示す減圧ＣＶＤ装置の動作を説明するフローチャート図である。 図４において、ステップ（１）で、温度制御された反応管１０の他端より反応 管１０内にボート１２上にのせたウエハー１３をローディングした後、反応管１ ０を密閉して真空排気装置４０で反応管１０内を真空排気する。Next, the operation of the conventional low pressure CVD apparatus will be described. FIG. 4 is a flow chart for explaining the operation of the low pressure CVD apparatus shown in FIG. In FIG. 4, in step (1), the wafer 13 placed on the boat 12 is loaded into the reaction tube 10 from the other end of the temperature-controlled reaction tube 10, and then the reaction tube 10 is hermetically closed to evacuate the apparatus. At 40, the inside of the reaction tube 10 is evacuated.
【０００５】 次に、ステップ（２）で、反応管１０内に所定の流量の反応ガスＧ１を導入し て、反応管１０内を所定の真空度に保ち、反応管１０内のウエハー１３上に化学 反応による生成物を積層させＣＶＤ膜を形成する。次に、ステップ（３）で、反 応管１０内をリークさせて大気圧とし、ボート１２を反応管１０より引き出し、 ウエハー１３を取り出す。Next, in step (2), a reaction gas G 1 having a predetermined flow rate is introduced into the reaction tube 10 to maintain the reaction tube 10 at a predetermined vacuum degree, and then onto the wafer 13 in the reaction tube 10. The CVD film is formed by laminating the products of the chemical reaction. Next, in step (3), the inside of the reaction tube 10 is leaked to atmospheric pressure, the boat 12 is pulled out from the reaction tube 10, and the wafer 13 is taken out.
このような従来の技術にあっては、反応ガスを例えばＳｉ2Ｃｌ2＋ＮＨ3とし た場合、高温での生成物はＳｉＮ（窒化シリコン）であり、低温での生成物は白 い粉状のＮＨ4Ｃｌ2（塩化アンモニウム）となる。従って反応管１０の内部のウ エハー１３及び反応管１０の内壁にはＳｉＮが積層されるが、尾管部１１及び接 続管２０は接続管２０の一端に冷却水２２が供給されて低温となっている為、そ の内壁にはＮＨ4Ｃｌ2が集中的に積層されることとなる。従って、工程を複数回 繰り返すと尾管部１１内及び接続管２０内に繰り返し積層されたＮＨ4Ｃｌ2は、 反応管１０内の真空排気特性を変動させ、ウエハー１３上に形成されるＣＶＤ膜 の成長レイトを不安定にするという問題点があり、尾管部１１内及び接続管２０ 内に積層された生成物を除去する為には、定期的に接続管２０を反応管１０及び 排気管３０より取外さなければならず、そのメンテナンス作業の労力が大きいと いう問題点があった。 本考案は、従来の有するこのような問題点に鑑みてなされたものであり、その 目的とするところは、ウエハー上に形成されるＣＶＤ膜の成長レイトを安定させ 、メンテナンス作業の労力を削減できる減圧ＣＶＤ装置を提供することである。In such a conventional technique, when the reaction gas is Si 2 Cl 2 + NH 3 , for example, the product at high temperature is SiN (silicon nitride), and the product at low temperature is white powder. It becomes NH 4 Cl 2 (ammonium chloride). Therefore, SiN is laminated on the wafer 13 inside the reaction tube 10 and the inner wall of the reaction tube 10, but the tail pipe part 11 and the connection pipe 20 are cooled at a low temperature by supplying the cooling water 22 to one end of the connection pipe 20. Therefore, NH 4 Cl 2 is concentratedly laminated on the inner wall. Therefore, when the process is repeated a plurality of times, the NH 4 Cl 2 repeatedly stacked in the tail tube portion 11 and the connection tube 20 changes the vacuum exhaust characteristic in the reaction tube 10, and the CVD film formed on the wafer 13 is changed. However, in order to remove the products stacked in the tail pipe section 11 and the connecting pipe 20, the connecting pipe 20 is regularly connected to the reaction pipe 10 and the exhaust pipe. There was a problem that the maintenance work required a great deal of work because it had to be removed. The present invention has been made in view of the above conventional problems, and an object thereof is to stabilize the growth rate of a CVD film formed on a wafer and reduce the labor of maintenance work. It is to provide a low pressure CVD apparatus.
【０００６】[0006]
上記目的を達成するために、本考案は、温度制御され一端をその径を小さくし た尾管部とする反応管と、この尾管部に接続管を介して接続される排気管と、こ の接続管を冷却する冷却手段と、この排気管に接続される真空排気手段とからな り、前記反応管内に反応ガスを導入し前記排気手段で前記反応管内を排気した状 態で前記反応管内のウエハー上に化学反応による生成物を積層させる減圧ＣＶＤ 装置において、 エッチングガスを前記尾管部及び前記接続管内に導入するエッチングガスライ ンと、前記エッチングガスの流量を制御する流量制御手段と、前記尾管部内及び 前記接続管内を前記真空排気手段で排気した状態で前記尾管部内及び前記接続管 内に前記エッチングガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを設け、前 記尾管部内及び前記接続管内に積層される前記生成物をエッチングすることを特 徴とする減圧ＣＶＤ装置である。 In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a reaction tube whose temperature is controlled and whose one end is a small tail tube section, and an exhaust tube connected to this tail tube section through a connecting tube. And a vacuum evacuation means connected to the exhaust pipe. The reaction gas is introduced into the reaction tube and the reaction tube is evacuated by the evacuation means. In a low pressure CVD apparatus for stacking products by a chemical reaction on a wafer of, an etching gas line for introducing an etching gas into the tail tube portion and the connecting tube, and a flow rate control means for controlling a flow rate of the etching gas, Plasma generating means for generating plasma of the etching gas in the tail tube portion and in the connecting tube in a state where the tail tube portion and the connecting tube are exhausted by the vacuum exhausting means, The low pressure CVD apparatus is characterized by etching the product laminated in the tail tube section and in the connection tube.
【０００７】[0007]
このような本考案では、エッチングガスラインは、尾管部内及び接続管内に積 層する生成物をエッチングするエッチングガスを尾管部内及び接続管内に導入し 、流量制御手段は、エッチングガスの流量を制御し、プラズマ発生手段は尾管部 内及び接続管内にエッチングガスのプラズマを発生させ、尾管部内及び接続管内 に積層する生成物をエッチングさせる。 In this invention, the etching gas line introduces the etching gas for etching the product accumulated in the tail pipe portion and the connecting pipe into the tail pipe portion and the connecting pipe, and the flow rate control means controls the flow rate of the etching gas. The plasma generation means controls the plasma of the etching gas in the tail tube portion and the connecting tube to etch the products stacked in the tail tube portion and the connecting tube.
【０００８】[0008]
次に、本考案の実施例について図面を用いて説明する。 尚、以下の図面において、図３と重複する部分は同一番号を付してその説明は 適宜に省略する。 図１は本考案の一実施例を示す構成図である。 図１において、減圧ＣＶＤ装置は、一端をその径を小さくした尾管部１１とし 温度制御される反応管１０と、この尾管部１１にシール材２１を介してその一端 が接続される接続管２０と、この接続管２０の他端にその一端が接続される排気 管３０と、この排気管３０の他端に接続される真空排気装置４０とで構成されて いる。 Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same parts as those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be appropriately omitted. FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the low-pressure CVD apparatus has a reaction tube 10 whose one end is a tail tube portion 11 having a reduced diameter and whose temperature is controlled, and a connecting tube whose one end is connected to this tail tube portion 11 through a sealing material 21. 20, an exhaust pipe 30 having one end connected to the other end of the connecting pipe 20, and a vacuum exhaust device 40 connected to the other end of the exhaust pipe 30.
【０００９】 反応管１０は例えば石英製であり、真空排気装置４０は例えば一連のロータリ ーポンプ４１とメカニカルブースターポンプ４２である。そして、シール材２１ を介して尾管部１１に接続される接続管２０の一端にはシール材２１の劣化を防 止する為に冷却水２２が供給される。The reaction tube 10 is made of, for example, quartz, and the vacuum exhaust device 40 is, for example, a series of a rotary pump 41 and a mechanical booster pump 42. Then, cooling water 22 is supplied to one end of the connecting pipe 20 connected to the tail pipe portion 11 via the sealing material 21 in order to prevent deterioration of the sealing material 21.
【００１０】 接続管２０には、尾管部１１内及び接続管２０内に積層されるＮＨ4Ｃｌ2をエ ッチングするエッチングガスＧ２として例えばＣＦ4＋Ｏ2を尾管部１１内及び接 続管２０内に導入するエッチングガスライン６０が設けられ、尾管部１１及び接 続管２０には、尾管部１１内及び接続管２０内を真空排気装置４０で排気した状 態で尾管部１１内及び接続管２０内にエッチングガスＧ２のプラズマを発生させ るプラズマ発生装置５０が設けられている。In the connecting pipe 20, for example, CF 4 + O 2 is used as an etching gas G 2 for etching NH 4 Cl 2 laminated in the tail pipe portion 11 and in the connecting pipe 20, in the tail pipe portion 11 and the connecting pipe. 20 is provided with an etching gas line 60, and the tail pipe portion 11 and the connecting pipe 20 are exhausted from the tail pipe portion 11 and the connecting pipe 20 by a vacuum exhaust device 40. A plasma generator 50 that generates plasma of the etching gas G2 is provided inside and inside the connecting pipe 20.
【００１１】 そしてエッチングガスライン６０にはエッチングガスＧ２の流量を制御する流 量制御装置７０が設けられ、プラズマ発生装置５０は、例えば高周波電源５１と この高周波電源５１に接続され尾管部１１及び接続管２０の外周部にそって設け られるコイル５２であり、流量制御装置７０は例えば一連の開閉弁７１とマスフ ローコントローラー７２とで構成されている。A flow rate control device 70 for controlling the flow rate of the etching gas G2 is provided in the etching gas line 60, and the plasma generator 50 is connected to the high frequency power source 51 and the high frequency power source 51, for example, and the tail tube portion 11 and The flow rate control device 70 is a coil 52 provided along the outer peripheral portion of the connecting pipe 20, and is composed of, for example, a series of open / close valves 71 and a mass flow controller 72.
【００１２】 次に、図１に示す実施例の動作を説明する。 図２は図１に示す実施例の動作を説明するフローチャート図である。 図２において、ステップ（１）で、温度制御された反応管１０の他端より反応 管１０内にボート１２上にのせたウエハー１３をローディングした後、反応管１ ０を密閉して真空排気装置４０で反応管１０内を真空排気する。Next, the operation of the embodiment shown in FIG. 1 will be described. FIG. 2 is a flow chart for explaining the operation of the embodiment shown in FIG. In FIG. 2, in step (1), the wafer 13 placed on the boat 12 is loaded into the reaction tube 10 from the other end of the temperature-controlled reaction tube 10, and then the reaction tube 10 is hermetically closed to evacuate the apparatus. At 40, the inside of the reaction tube 10 is evacuated.
【００１３】 次に、ステップ（２）で、反応管１０内に所定の流量の反応ガスＧ１として例 えばＳｉ2Ｃｌ2＋ＮＨ3を導入して、反応管１０内を所定の真空度に保ち、反応 管１０内のウエハー１３上にＳｉＮを積層させＣＶＤ膜を形成する。この場合、 尾管部１１内及び接続管２０内にはＮＨ4Ｃｌ2が積層される。Next, in step (2), for example, Si 2 Cl 2 + NH 3 is introduced into the reaction tube 10 as a reaction gas G 1 at a predetermined flow rate to maintain the inside of the reaction tube 10 at a predetermined vacuum degree. SiN is laminated on the wafer 13 in the reaction tube 10 to form a CVD film. In this case, NH 4 Cl 2 is laminated in the tail pipe portion 11 and the connection pipe 20.
【００１４】 次に、ステップ（３）で、真空排気装置４０で反応管１０内を真空排気した状 態で、開閉弁７１を開き、マスフローコントローラー７２を通して所定の流量の エッチングガスＧ２として例えばＣＦ4＋Ｏ2を尾管部１１内及び接続管２０内に 導入し、尾管部１１内及び接続管２０内の真空度を所定の値に保つ。次に、コイ ル５２に高周波電源５１より高周波の電力を供給して尾管部１１内及び接続管２ ０内にＣＦ4＋Ｏ2のプラズマを発生させ、尾管部１１内及び接続管２０内に積層 されたＮＨ4Ｃｌ2をエッチングする。 次に、ステップ（４）で、反応管１０内をリークさせて大気圧とし、ボート１ ２を反応管１０より引き出し、ウエハー１３を取り出す。Next, in step (3), the opening / closing valve 71 is opened in a state where the reaction tube 10 is evacuated by the vacuum evacuation device 40, and the etching gas G 2 having a predetermined flow rate such as CF 4 is opened through the mass flow controller 72. + O 2 is introduced into the tail pipe portion 11 and the connecting pipe 20 to maintain the degree of vacuum in the tail pipe portion 11 and the connecting pipe 20 at a predetermined value. Next, high-frequency power is supplied to the coil 52 from the high-frequency power source 51 to generate CF 4 + O 2 plasma in the tail tube section 11 and the connecting tube 20 to generate the CF 4 + O 2 plasma in the tail tube section 11 and the connecting tube 20. The NH 4 Cl 2 laminated on the substrate is etched. Next, in step (4), the inside of the reaction tube 10 is leaked to atmospheric pressure, the boat 12 is pulled out from the reaction tube 10, and the wafer 13 is taken out.
【００１５】 このように、ウエハー１３にＣＶＤ膜を形成するステップ（２）の後に、尾管 部１１内及び接続管２０内に積層された生成物をエッチングするステップ（３） の工程が入っているので、尾管部１１内及び接続管２０内に積層された生成物が 残留したままの状態となることはなく、反応管１０内の真空排気特性を変動させ ず、ウエハー１３上に形成されるＣＶＤ膜の成長レイトを安定化することができ る。また、尾管部１１内及び接続管２０内に積層された生成物を除去する為に定 期的に接続管２０を反応管１０及び排気管３０より取外す必要もなくなり、その メンテナンス作業の労力を削減することとなる。As described above, after the step (2) of forming the CVD film on the wafer 13, the step (3) of etching the products stacked in the tail tube portion 11 and the connecting tube 20 is included. Therefore, the products stacked in the tail tube portion 11 and the connecting tube 20 are not left in a state of remaining, and the evacuation characteristics in the reaction tube 10 are not changed and are formed on the wafer 13. The growth rate of the CVD film can be stabilized. Further, it is not necessary to regularly remove the connecting pipe 20 from the reaction pipe 10 and the exhaust pipe 30 in order to remove the products stacked in the tail pipe portion 11 and the connecting pipe 20, which reduces the labor required for the maintenance work. It will be reduced.
【００１６】[0016]
本考案は、以上説明したように、エッチングガスを尾管部内及び接続管内に導 入するエッチングガスラインと、エッチングガスの流量を制御する流量制御装置 と、尾管部内及び接続管内を真空排気装置で排気した状態で尾管部内及び接続管 内にエッチングガスのプラズマを発生させるプラズマ発生装置とを設け、尾管部 内及び接続管内に積層される生成物をエッチングするように構成されているので 、尾管部内及び接続管内に生成物を残留させないようにできる。従って、ウエハ ー上に形成されるＣＶＤ膜の成長レイトを安定させメンテナンス作業の労力を削 減できる減圧ＣＶＤ装置を提供することができる。 As described above, the present invention provides an etching gas line for introducing an etching gas into the tail pipe portion and the connection pipe, a flow rate control device for controlling the flow rate of the etching gas, and a vacuum exhaust device for the tail pipe portion and the connection pipe. A plasma generator for generating plasma of etching gas is provided in the tail pipe part and the connection pipe in a state of being exhausted at, and is configured to etch the products stacked in the tail pipe part and the connection pipe. The product can be prevented from remaining in the tail pipe portion and the connecting pipe. Therefore, it is possible to provide a low pressure CVD apparatus capable of stabilizing the growth rate of the CVD film formed on the wafer and reducing the labor of maintenance work.
【図１】本考案の一実施例を示す構成図である。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示す実施例の動作を説明するフローチャ
ート図である。FIG. 2 is a flow chart for explaining the operation of the embodiment shown in FIG.
【図３】従来の減圧ＣＶＤ装置の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a conventional low pressure CVD apparatus.
【図４】図３に示す減圧ＣＶＤ装置の動作を説明するフ
ローチャート図である。FIG. 4 is a flow chart for explaining the operation of the low pressure CVD apparatus shown in FIG.
１０ 反応菅 １１ 尾菅部 １３ ウエハー ２０ 接続菅 ２２ 冷却水 ３０ 排気菅 ４０ 真空排気装置 ５０ プラズマ発生装置 ６０ エッチングガスライン ７０ 流量制御装置 Ｇ１ 反応ガス Ｇ２ エッチングガス 10 reaction tube 11 tail tube section 13 wafer 20 connection tube 22 cooling water 30 exhaust tube 40 vacuum exhaust apparatus 50 plasma generator 60 etching gas line 70 flow controller G1 reaction gas G2 etching gas
Claims (1)
管部とする反応管と、この尾管部に接続管を介して接続
される排気管と、この接続管を冷却する冷却手段と、こ
の排気管に接続される真空排気手段とからなり、前記反
応管内に反応ガスを導入し前記排気手段で前記反応管内
を排気した状態で前記反応管内のウエハー上に化学反応
による生成物を積層させる減圧ＣＶＤ装置において、 エッチングガスを前記尾管部内及び前記接続管内に導入
するエッチングガスラインと、前記エッチングガスの流
量を制御する流量制御手段と、前記尾管部内及び前記接
続管内を前記真空排気手段で排気した状態で前記尾管部
内及び前記接続管内に前記エッチングガスのプラズマを
発生させるプラズマ発生手段とを設け、前記尾管部内及
び前記接続管内に積層される前記生成物をエッチングす
ることを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。1. A reaction tube whose temperature is controlled and whose one end is a tail pipe part having a reduced diameter, an exhaust pipe connected to this tail pipe part through a connecting pipe, and a cooling means for cooling this connecting pipe. And a vacuum evacuation unit connected to the exhaust pipe, wherein a reaction gas is introduced into the reaction tube and the reaction unit is evacuated by the evacuation unit to stack the product of the chemical reaction on the wafer in the reaction tube. In the low-pressure CVD apparatus, an etching gas line for introducing an etching gas into the tail pipe section and the connection pipe, a flow rate control means for controlling a flow rate of the etching gas, and a vacuum exhaust of the tail pipe section and the connection pipe. A plasma generating means for generating plasma of the etching gas is provided in the tail pipe part and the connection pipe in a state of being evacuated by means, and the plasma is generated in the tail pipe part and the connection pipe. A low pressure CVD apparatus, characterized in that the product to be layered is etched.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6823992U JPH0634236U (en) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | Low pressure CVD equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6823992U JPH0634236U (en) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | Low pressure CVD equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0634236U true JPH0634236U (en) | 1994-05-06 |
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ID=13368036
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP6823992U Withdrawn JPH0634236U (en) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | Low pressure CVD equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634236U (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08218173A (en) * | 1995-02-14 | 1996-08-27 | Nec Corp | Atmospheric cvd device |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP6823992U patent/JPH0634236U/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08218173A (en) * | 1995-02-14 | 1996-08-27 | Nec Corp | Atmospheric cvd device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19970306 |