JPH06338005A - 磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気記録再生装置Info
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- JPH06338005A JPH06338005A JP5145399A JP14539993A JPH06338005A JP H06338005 A JPH06338005 A JP H06338005A JP 5145399 A JP5145399 A JP 5145399A JP 14539993 A JP14539993 A JP 14539993A JP H06338005 A JPH06338005 A JP H06338005A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ノイズに対して、信号振幅の大きな検出が可
能な磁気記録再生装置を得ること。 【構成】 １はＭＲ素子、２はインダクタンス素子、３
はキャパシタンス素子で、これらは、図のような並列共
振回路を構成し、等価的にインピーダンス４を呈し、キ
ャパシタンス５，６、トランジスタ７と組み合わせてコ
ルピッツ型発振回路を成している。等価インピーダンス
４がＭＲ素子１の抵抗Ｒの変化により、インダクティブ
になると、このコルピッツ型発振回路は発振し、出力端
子８に正弦波発振信号が得られる。抵抗Ｒの変化によ
り、キャパシティブになると、コルピッツ型発振回路を
構成せず、発振は停止し、出力端子に信号は現れない。
全構成としては、磁気テープなどの媒体磁化により、抵
抗Ｒが変化するので、この変化により発振或いは発振停
止の状態となり、逆に、この状態から磁気テープなどの
信号を検出できる。
能な磁気記録再生装置を得ること。 【構成】 １はＭＲ素子、２はインダクタンス素子、３
はキャパシタンス素子で、これらは、図のような並列共
振回路を構成し、等価的にインピーダンス４を呈し、キ
ャパシタンス５，６、トランジスタ７と組み合わせてコ
ルピッツ型発振回路を成している。等価インピーダンス
４がＭＲ素子１の抵抗Ｒの変化により、インダクティブ
になると、このコルピッツ型発振回路は発振し、出力端
子８に正弦波発振信号が得られる。抵抗Ｒの変化によ
り、キャパシティブになると、コルピッツ型発振回路を
構成せず、発振は停止し、出力端子に信号は現れない。
全構成としては、磁気テープなどの媒体磁化により、抵
抗Ｒが変化するので、この変化により発振或いは発振停
止の状態となり、逆に、この状態から磁気テープなどの
信号を検出できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果を利用し
て、磁気ディスクまたは磁気テープから記録情報を読み
出す磁気記録再生装置に関するものである。
て、磁気ディスクまたは磁気テープから記録情報を読み
出す磁気記録再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気抵抗効果を利用する磁気再生
素子は、例えば、西川著：「磁気記録の理論」朝倉書店
１９８６．７月版９頁に記載されている。即ち、図４に
示す如くＭＲ（磁気抵抗）素子１、直流電源１３、電流
制限抵抗１４、リード線１５，１６、信号出力端子１
７，１８より構成されており、磁気記録層１９の中の媒
体磁化２０から発生する垂直方向磁界Ｈｙにより、ＭＲ
素子１の磁化が、図４に示す如くｉ方向からＭ方向に変
化し、ＭＲ素子１の電気抵抗率ρがｉとＭのなす角θに
よって △ρ＝△ρmｃｏｓ2θ （５） だけ変化し、これに応じてＭＲ素子の端子電圧ｅが、図
４（ｂ）の等価回路で示したように変化するので、これ
を再生信号として取り出す。尚、△ρmはρの最大変化
量である。
素子は、例えば、西川著：「磁気記録の理論」朝倉書店
１９８６．７月版９頁に記載されている。即ち、図４に
示す如くＭＲ（磁気抵抗）素子１、直流電源１３、電流
制限抵抗１４、リード線１５，１６、信号出力端子１
７，１８より構成されており、磁気記録層１９の中の媒
体磁化２０から発生する垂直方向磁界Ｈｙにより、ＭＲ
素子１の磁化が、図４に示す如くｉ方向からＭ方向に変
化し、ＭＲ素子１の電気抵抗率ρがｉとＭのなす角θに
よって △ρ＝△ρmｃｏｓ2θ （５） だけ変化し、これに応じてＭＲ素子の端子電圧ｅが、図
４（ｂ）の等価回路で示したように変化するので、これ
を再生信号として取り出す。尚、△ρmはρの最大変化
量である。
【０００３】ここで、ＭＲ素子はＮｉ−Ｆｅなどの薄膜
で、予め直流電源１３から電流制限抵抗１４を通して、
ＭＲ素子１に記録トラック幅２１方向に平行にｉなる直
流電流を流しておく。
で、予め直流電源１３から電流制限抵抗１４を通して、
ＭＲ素子１に記録トラック幅２１方向に平行にｉなる直
流電流を流しておく。
【０００４】実際には感度を上げるためと、直線性を向
上させるために、図５（ａ）にＭ0で示すようにバイア
ス磁界を外部から印加することにより、基準の動作角θ
0を４５°とし、同図（ｂ）に示すように、式（５）で
表される抵抗率変化の中腹の点にもってくる。
上させるために、図５（ａ）にＭ0で示すようにバイア
ス磁界を外部から印加することにより、基準の動作角θ
0を４５°とし、同図（ｂ）に示すように、式（５）で
表される抵抗率変化の中腹の点にもってくる。
【０００５】このときのＭＲ素子１の全抵抗Ｒの値をＲ
0とし、動作角θが±△θだけ変化した場合、全抵抗は
（Ｒ0±△Ｒ）に変わるものとする。従来、一般にＭＲ
素子１として用いられているＮｉ−Ｆｅや、Ｃｏ−Ｆｅ
の薄膜の場合、△Ｒ／Ｒ0の値は２〜３％と非常に小さ
いものである。
0とし、動作角θが±△θだけ変化した場合、全抵抗は
（Ｒ0±△Ｒ）に変わるものとする。従来、一般にＭＲ
素子１として用いられているＮｉ−Ｆｅや、Ｃｏ−Ｆｅ
の薄膜の場合、△Ｒ／Ｒ0の値は２〜３％と非常に小さ
いものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のＭＲヘッドから
の再生信号の取り出し方は、図４（ｂ）の等価回路に示
すように、ＭＲ素子１の両端に誘起される電圧をそのま
ま利用していたので、次のような欠点があった。
の再生信号の取り出し方は、図４（ｂ）の等価回路に示
すように、ＭＲ素子１の両端に誘起される電圧をそのま
ま利用していたので、次のような欠点があった。
【０００７】即ち、ＭＲ素子１の抵抗分Ｒの変化分を△
Ｒとすると、外部磁界が零の時の抵抗分Ｒ0との比△Ｒ
／Ｒ0の値は、２〜３％であるので、検出感度が低い。
Ｒとすると、外部磁界が零の時の抵抗分Ｒ0との比△Ｒ
／Ｒ0の値は、２〜３％であるので、検出感度が低い。
【０００８】本発明はかかる課題を解決するためになさ
れたもので、微弱な変化しかない抵抗分可変素子のみか
らの出力ではなくて、ノイズに対して信号振幅の大きな
検出が可能な磁気記録再生装置を得ることを目的とす
る。
れたもので、微弱な変化しかない抵抗分可変素子のみか
らの出力ではなくて、ノイズに対して信号振幅の大きな
検出が可能な磁気記録再生装置を得ることを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の磁気記録再生装置は、請求項１におい
て、磁気抵抗素子、インダクタンス素子、及びキャパシ
タンス素子からなる並列共振回路と、２つの直列接続し
たキャパシタンス素子と、を並列に接続した回路をトラ
ンジスタに接続してなるコルピッツ型発振回路であっ
て、前記磁気抵抗素子の抵抗変化をリアクタンスの変化
に変換して、前記コルピッツ型発振回路の発振出力を、
前記磁気抵抗素子からの記録情報として読み出すもので
あり、請求項２において、（磁気抵抗素子、インダクタ
ンス素子、及びキャパシタンス素子からなる並列共振回
路と、もしくは、）磁気抵抗素子、インダクタンス素
子、及びキャパシタンス素子からなる並列共振回路と直
列に接続したインダクタンス素子と、キャパシタンス素
子と、を並列に接続した回路をトランジスタに設けたハ
ートレイ型発振回路であって、前記磁気抵抗素子の抵抗
変化をリアクタンスの変化に変換して、前記ハートレイ
型発振回路の発振出力を、前記磁気抵抗素子からの記録
情報として読み出すものであり、請求項３において、磁
気抵抗素子、インダクタンス素子、及びキャパシタンス
素子からなる並列共振回路と、キャパシタンス素子とを
直列に接続した回路を、トランジスタに接続してなるコ
ルピッツ型発振回路であって、前記磁気抵抗素子の抵抗
変化をリアクタンスの変化に変換して、前記コルピッツ
型発振回路の発振出力を、前記磁気抵抗素子からの記録
情報として読み出すものであり、さらに請求項４におい
て、磁気抵抗素子、インダクタンス素子、及びキャパシ
タンス素子からなる並列共振回路と、インダクタンス素
子を直列に接続した回路を、トランジスタに接続してな
るハートレイ型の発振回路であって、前記磁気抵抗素子
の抵抗変化をリアクタンスの変化に変換して、前記ハー
トレイ型発振回路の発振出力を、前記磁気抵抗素子から
の記録情報として読み出すものである。
めに、この発明の磁気記録再生装置は、請求項１におい
て、磁気抵抗素子、インダクタンス素子、及びキャパシ
タンス素子からなる並列共振回路と、２つの直列接続し
たキャパシタンス素子と、を並列に接続した回路をトラ
ンジスタに接続してなるコルピッツ型発振回路であっ
て、前記磁気抵抗素子の抵抗変化をリアクタンスの変化
に変換して、前記コルピッツ型発振回路の発振出力を、
前記磁気抵抗素子からの記録情報として読み出すもので
あり、請求項２において、（磁気抵抗素子、インダクタ
ンス素子、及びキャパシタンス素子からなる並列共振回
路と、もしくは、）磁気抵抗素子、インダクタンス素
子、及びキャパシタンス素子からなる並列共振回路と直
列に接続したインダクタンス素子と、キャパシタンス素
子と、を並列に接続した回路をトランジスタに設けたハ
ートレイ型発振回路であって、前記磁気抵抗素子の抵抗
変化をリアクタンスの変化に変換して、前記ハートレイ
型発振回路の発振出力を、前記磁気抵抗素子からの記録
情報として読み出すものであり、請求項３において、磁
気抵抗素子、インダクタンス素子、及びキャパシタンス
素子からなる並列共振回路と、キャパシタンス素子とを
直列に接続した回路を、トランジスタに接続してなるコ
ルピッツ型発振回路であって、前記磁気抵抗素子の抵抗
変化をリアクタンスの変化に変換して、前記コルピッツ
型発振回路の発振出力を、前記磁気抵抗素子からの記録
情報として読み出すものであり、さらに請求項４におい
て、磁気抵抗素子、インダクタンス素子、及びキャパシ
タンス素子からなる並列共振回路と、インダクタンス素
子を直列に接続した回路を、トランジスタに接続してな
るハートレイ型の発振回路であって、前記磁気抵抗素子
の抵抗変化をリアクタンスの変化に変換して、前記ハー
トレイ型発振回路の発振出力を、前記磁気抵抗素子から
の記録情報として読み出すものである。
【００１０】
【作用】本発明は、磁気抵抗（ＭＲ）素子などの抵抗分
可変素子をインダクタンス，キャパシタンス素子と組み
合わせて共振回路を構成し、抵抗変化をリアクタンスの
変化に変換して、前述の共振回路などから成る発振回路
の発振条件に近い条件を満たすことにより、微弱な抵抗
変化を発振の有無に転換し、それにより外部磁界の検出
感度を大幅に向上している。
可変素子をインダクタンス，キャパシタンス素子と組み
合わせて共振回路を構成し、抵抗変化をリアクタンスの
変化に変換して、前述の共振回路などから成る発振回路
の発振条件に近い条件を満たすことにより、微弱な抵抗
変化を発振の有無に転換し、それにより外部磁界の検出
感度を大幅に向上している。
【００１１】
（実施例１）図１は本発明の第１の実施例を示す回路図
である。同図において、１はＭＲ素子、２はインダクタ
ンス素子、３はキャパシタンス素子で、これらは、図の
ような並列共振回路を構成し、等価的にインピーダンス
４を構成し、キャパシタンス５，６とを組み合わせてト
ランジスタ７のベース・コレクタ間に結合してコルピッ
ツ型発振回路を成している。
である。同図において、１はＭＲ素子、２はインダクタ
ンス素子、３はキャパシタンス素子で、これらは、図の
ような並列共振回路を構成し、等価的にインピーダンス
４を構成し、キャパシタンス５，６とを組み合わせてト
ランジスタ７のベース・コレクタ間に結合してコルピッ
ツ型発振回路を成している。
【００１２】そして、等価インピーダンス４がＭＲ素子
１の抵抗Ｒの変化により、インダクティブになると、こ
のコルピッツ型発振回路は発振し、出力端子８に正弦波
発振信号が得られる。一方、同じく抵抗Ｒの変化によ
り、キャパシティブになると、図１はコルピッツ型発振
回路を構成せず、発振は停止し、出力端子に信号は現れ
ない。全構成としては、磁気テープなどの媒体磁化によ
り、抵抗Ｒが変化するので、この変化により図１の回路
は発振或いは発振停止の状態となり、逆に、この状態か
ら磁気テープなどの信号を検出できる。
１の抵抗Ｒの変化により、インダクティブになると、こ
のコルピッツ型発振回路は発振し、出力端子８に正弦波
発振信号が得られる。一方、同じく抵抗Ｒの変化によ
り、キャパシティブになると、図１はコルピッツ型発振
回路を構成せず、発振は停止し、出力端子に信号は現れ
ない。全構成としては、磁気テープなどの媒体磁化によ
り、抵抗Ｒが変化するので、この変化により図１の回路
は発振或いは発振停止の状態となり、逆に、この状態か
ら磁気テープなどの信号を検出できる。
【００１３】次に、図１の点線の枠で囲んだ等価インピ
ーダンス４の動作につき詳述する。
ーダンス４の動作につき詳述する。
【００１４】端子１１，１２からみたインピーダンスＺ
は、 Ｚ＝[{(R+jωL)/jωC}/{R+jωL+(1/jωC)}] ＝[R+jω{L(1-ω2LC)-CR2}]/{1-ω2(LC+C2R2)} （１） で表され、リアクタンス分Ｘは、 Ｘ＝ω{L(1-ω2LC)-CR2}/{1-ω2(LC+C2R2)} （２） となる。ここで抵抗分ＲがＲ0を中心値として、±△Ｒ
変化すると、 Ｒ＝Ｒ0±△Ｒ （３） で表され、式（２）は、 X=ω{L(1-ω2LC)-C(R0±△R)2}/[1-ω2{LC-C2(R0±△R)2}] （４） となる。このリアクタンス分は角周波数ωと共に図３の
ように変化し、その変化は、Ｒ＝Ｒ0のときは実線で示
すように、Ｒ＝Ｒ0＋△Ｒのときは破線で示すように、
Ｒ＝Ｒ0−△Ｒのときには一点鎖線で示すようになる。
即ち、特定の角周波数での等価インピーダンス４のリア
クタンス成分をＲの変化により、インダクティブにもキ
ャパシティブにもすることが可能となる。
は、 Ｚ＝[{(R+jωL)/jωC}/{R+jωL+(1/jωC)}] ＝[R+jω{L(1-ω2LC)-CR2}]/{1-ω2(LC+C2R2)} （１） で表され、リアクタンス分Ｘは、 Ｘ＝ω{L(1-ω2LC)-CR2}/{1-ω2(LC+C2R2)} （２） となる。ここで抵抗分ＲがＲ0を中心値として、±△Ｒ
変化すると、 Ｒ＝Ｒ0±△Ｒ （３） で表され、式（２）は、 X=ω{L(1-ω2LC)-C(R0±△R)2}/[1-ω2{LC-C2(R0±△R)2}] （４） となる。このリアクタンス分は角周波数ωと共に図３の
ように変化し、その変化は、Ｒ＝Ｒ0のときは実線で示
すように、Ｒ＝Ｒ0＋△Ｒのときは破線で示すように、
Ｒ＝Ｒ0−△Ｒのときには一点鎖線で示すようになる。
即ち、特定の角周波数での等価インピーダンス４のリア
クタンス成分をＲの変化により、インダクティブにもキ
ャパシティブにもすることが可能となる。
【００１５】尚、図３において、ωR0は、Ｒ＝Ｒ0の
時、式（４）の分母が零になる角周波数、ω +△Rは、Ｒ
＝Ｒ0＋△Ｒの時、式（４）の分母が零になる角周波
数、ω -△RはＲ＝Ｒ0−△Ｒの時、式（４）の分母が零
となる角周波数である。そして、図３に斜線で示した等
価インピーダンス４がインダクティブになる範囲での
み、図１のコルピッツ型発振器が発振するので、特定の
Ｒ値（ＲCとする）よりも大きなＲの範囲で発振するよ
うに図１の回路定数Ｌ，Ｃ，Ｃ1，Ｃ2を設定できる。こ
の場合、図４（ａ）において、磁気記録装置１９の媒体
磁化２０による媒体表面垂直磁界Ｈｙの強度により、Ｍ
Ｒ素子１の抵抗率ρが式（５）のように変化するので、
媒体磁化２０と図１の発振回路の発振，発振停止の二つ
の状態を、図６（ａ）〜（ｄ）に示すように媒体磁化の
極性に対応させることができ、媒体磁化２０の向きを検
出できる。
時、式（４）の分母が零になる角周波数、ω +△Rは、Ｒ
＝Ｒ0＋△Ｒの時、式（４）の分母が零になる角周波
数、ω -△RはＲ＝Ｒ0−△Ｒの時、式（４）の分母が零
となる角周波数である。そして、図３に斜線で示した等
価インピーダンス４がインダクティブになる範囲での
み、図１のコルピッツ型発振器が発振するので、特定の
Ｒ値（ＲCとする）よりも大きなＲの範囲で発振するよ
うに図１の回路定数Ｌ，Ｃ，Ｃ1，Ｃ2を設定できる。こ
の場合、図４（ａ）において、磁気記録装置１９の媒体
磁化２０による媒体表面垂直磁界Ｈｙの強度により、Ｍ
Ｒ素子１の抵抗率ρが式（５）のように変化するので、
媒体磁化２０と図１の発振回路の発振，発振停止の二つ
の状態を、図６（ａ）〜（ｄ）に示すように媒体磁化の
極性に対応させることができ、媒体磁化２０の向きを検
出できる。
【００１６】（実施例２）図２は本発明の第２の実施例
を示す回路図である。また図２において、図１と同一も
しくは同一の機能を有するものには同一の符号を付して
いる。即ち、本実施例では、図１のコルピッツ型発振回
路の代わりに、ハートレイ型発振回路を用いるものであ
る。図２に示す例では、等価インピーダンス４は、その
リアクタンス分が、インダクティブとなる範囲で動作し
ており、Ｌ2として発振回路を構成しているが、Ｌ1を等
価インピーダンス４で置き代えて発振回路を構成するこ
ともできる。
を示す回路図である。また図２において、図１と同一も
しくは同一の機能を有するものには同一の符号を付して
いる。即ち、本実施例では、図１のコルピッツ型発振回
路の代わりに、ハートレイ型発振回路を用いるものであ
る。図２に示す例では、等価インピーダンス４は、その
リアクタンス分が、インダクティブとなる範囲で動作し
ており、Ｌ2として発振回路を構成しているが、Ｌ1を等
価インピーダンス４で置き代えて発振回路を構成するこ
ともできる。
【００１７】（実施例３）本発明の第３の実施例として
図示してないが、次のようなものもある。即ち、第１，
第２の実施例では、等価インピーダンス４のリアクタン
ス分が、図３に示すインダクティブとなる範囲を使用し
ていたが、図３に示すキャパシティブとなる範囲を使用
することもできる。
図示してないが、次のようなものもある。即ち、第１，
第２の実施例では、等価インピーダンス４のリアクタン
ス分が、図３に示すインダクティブとなる範囲を使用し
ていたが、図３に示すキャパシティブとなる範囲を使用
することもできる。
【００１８】具体例として、この場合、等価インピーダ
ンス４を図１のコルピッツ型発振回路の５のＣ1あるい
は６のＣ2に置き代えて、また、図２のハートレイ型発
振回路の１０のＣ′に置き代えて使用することになる。
ンス４を図１のコルピッツ型発振回路の５のＣ1あるい
は６のＣ2に置き代えて、また、図２のハートレイ型発
振回路の１０のＣ′に置き代えて使用することになる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明は、新しい機
能として従来の微弱な抵抗変化による信号出力（振幅：
数ｍＶ）の代わりに、記録媒体の磁化の向きにより大振
幅の高周波信号（振幅：数Ｖ）の発振の有無という大き
な効果（検出感度の向上）が得られる。
能として従来の微弱な抵抗変化による信号出力（振幅：
数ｍＶ）の代わりに、記録媒体の磁化の向きにより大振
幅の高周波信号（振幅：数Ｖ）の発振の有無という大き
な効果（検出感度の向上）が得られる。
【００２０】また、性能，効率の向上として、抵抗変化
のみによる熱擾乱ノイズの大きい方式の代わりに、抵抗
変化をリアクタンス変化に変換し、高周波信号の発振の
有無という信号振幅対ノイズの大きな信号検出方式を提
供できる。
のみによる熱擾乱ノイズの大きい方式の代わりに、抵抗
変化をリアクタンス変化に変換し、高周波信号の発振の
有無という信号振幅対ノイズの大きな信号検出方式を提
供できる。
【図１】本発明の第１の実施例のコルピッツ型発振回路
図である。
図である。
【図２】本発明を実施したハートレイ型発振回路であ
る。
る。
【図３】本発明の基本となる磁気抵抗（ＭＲ）素子を含
む共振回路の素子の抵抗Ｒが変化した場合のリアクタン
ス分を表す図である。
む共振回路の素子の抵抗Ｒが変化した場合のリアクタン
ス分を表す図である。
【図４】従来のＭＲ素子を用いる信号再生ヘッドの動作
原理を示す図である。
原理を示す図である。
【図５】従来のＭＲ素子を感度，直線性を改善して動作
させる方法を示す説明図である。
させる方法を示す説明図である。
【図６】記録媒体磁化の極性と、図１，図２の回路の発
振状態との関係を示す図である。
振状態との関係を示す図である。
１ 磁気抵抗（ＭＲ）素子 ２ 等価インピーダンスを構成するインダクタンス ３ キャパシタンス ４ 等価インピーダンス ５，６ コルピッツ型発振回路を構成するキャパシタン
ス ７ トランジスタ ８ 発振出力端子 ９，１０ それぞれハートレイ型発振回路を構成するイ
ンダクタンス，キャパシタンス １１，１２ 等価インピーダンスの端子 １３ ＭＲ素子用の直流電源 １４ 電流制限抵抗 １５，１６ リード線 １７，１８ 信号出力端子 １９ ディスク，テープなどの媒体の磁気記録層 ２０ 媒体磁化 Ｈｙ 媒体磁化による媒体表面の磁界の垂直成分 ｉ 直流電源によりＭＲ素子の中を流れる電流 Ｍ ＨｙによりＭＲ素子の磁化が回転する向き θ ｉとＭがなす角 ｅ １７，１８間に発生する信号出力 ２１ 磁気記録層上における記録トラック幅 Ｍ0 Ｍの中心値 θ0 Ｍ0のなす角で４５° ＋△θ θ0からの増分 −△θ θ0からの減分
ス ７ トランジスタ ８ 発振出力端子 ９，１０ それぞれハートレイ型発振回路を構成するイ
ンダクタンス，キャパシタンス １１，１２ 等価インピーダンスの端子 １３ ＭＲ素子用の直流電源 １４ 電流制限抵抗 １５，１６ リード線 １７，１８ 信号出力端子 １９ ディスク，テープなどの媒体の磁気記録層 ２０ 媒体磁化 Ｈｙ 媒体磁化による媒体表面の磁界の垂直成分 ｉ 直流電源によりＭＲ素子の中を流れる電流 Ｍ ＨｙによりＭＲ素子の磁化が回転する向き θ ｉとＭがなす角 ｅ １７，１８間に発生する信号出力 ２１ 磁気記録層上における記録トラック幅 Ｍ0 Ｍの中心値 θ0 Ｍ0のなす角で４５° ＋△θ θ0からの増分 −△θ θ0からの減分
Claims (4)
- 【請求項１】 磁気抵抗素子、インダクタンス素子、及
びキャパシタンス素子からなる並列共振回路と、２つの
直列接続したキャパシタンス素子と、を並列に接続した
回路をトランジスタに接続してコルピッツ型発振回路を
構成し、前記磁気抵抗素子の抵抗変化をリアクタンスの
変化に変換して発振条件を制御することにより、記録情
報による前記磁気抵抗素子の抵抗変化を前記コルピッツ
型発振回路の発振出力の有無に変換して前記記録情報を
読み出すことを特徴とする磁気記録再生装置。 - 【請求項２】 磁気抵抗素子、インダクタンス素子、及
びキャパシタンス素子からなる並列共振回路と直列に接
続したインダクタンス素子と、キャパシタンス素子と、
を並列に接続した回路をトランジスタに接続してハート
レイ型発振回路を構成し、前記磁気抵抗素子の抵抗変化
をリアクタンスの変化に変換して発振条件を制御するこ
とにより、記録情報による前記磁気抵抗素子の抵抗変化
を前記ハートレイ型発振回路の発振出力の有無に変換し
て前記記録情報を読み出すことを特徴とする磁気記録再
生装置。 - 【請求項３】 磁気抵抗素子、インダクタンス素子、及
びキャパシタンス素子からなる並列共振回路と、キャパ
シタンス素子とを直列に接続した回路を、トランジスタ
に接続してコルピッツ型発振回路を構成し、前記磁気抵
抗素子の抵抗変化をリアクタンスの変化に変換して発振
条件を制御することにより、記録情報による前記磁気抵
抗素子の抵抗変化を前記コルピッツ型発振回路の発振出
力の有無に変換して前記記録情報を読み出すことを特徴
とする磁気記録再生装置。 - 【請求項４】 磁気抵抗素子、インダクタンス素子、及
びキャパシタンス素子からなる並列共振回路と、インダ
クタンス素子とを直列に接続した回路を、トランジスタ
に接続してハートレイ型発振回路を構成し、前記磁気抵
抗素子の抵抗変化をリアクタンスの変化に変換して発振
条件を制御することにより、記録情報による前記磁気抵
抗素子の抵抗変化を前記ハートレイ型発振回路の発振出
力の有無に変換して前記記録情報を読み出すこと特徴と
する磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145399A JPH06338005A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145399A JPH06338005A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338005A true JPH06338005A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=15384363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5145399A Pending JPH06338005A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338005A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100358455B1 (ko) * | 1999-03-17 | 2002-10-25 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 데이터 기억용 자기 저항 헤드의 광대역 판독을 위한리드백 증폭기 |
| US6975110B2 (en) | 2003-04-23 | 2005-12-13 | Keio University | Magnetic sensor utilizing magnetoresistance effect, method for driving magnetic sensor utilizing magnetoresistance effect and magnetic recording systems |
-
1993
- 1993-05-26 JP JP5145399A patent/JPH06338005A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100358455B1 (ko) * | 1999-03-17 | 2002-10-25 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 데이터 기억용 자기 저항 헤드의 광대역 판독을 위한리드백 증폭기 |
| US6975110B2 (en) | 2003-04-23 | 2005-12-13 | Keio University | Magnetic sensor utilizing magnetoresistance effect, method for driving magnetic sensor utilizing magnetoresistance effect and magnetic recording systems |
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