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JPH06314677A - Cleaning apparatus - Google Patents

Cleaning apparatus

Info

Publication number
JPH06314677A
JPH06314677A JP12790993A JP12790993A JPH06314677A JP H06314677 A JPH06314677 A JP H06314677A JP 12790993 A JP12790993 A JP 12790993A JP 12790993 A JP12790993 A JP 12790993A JP H06314677 A JPH06314677 A JP H06314677A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
cleaning
carrier
horizontal direction
respect
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12790993A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Osako
雅之 大迫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP12790993A priority Critical patent/JPH06314677A/en
Publication of JPH06314677A publication Critical patent/JPH06314677A/en
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PURPOSE:To restrain a watermark from being produced safely and with good efficiency in the cleaning treatment of a semiconductor wafer by installing a conveyance means by which the wafer is pulled up from a treatment tank which cleans the wafer at the end by keeping a state that a pattern face is tilted by a prescribed angle with reference to the horizontal direction. CONSTITUTION:A cleaning apparatus is provided with a plurality of cleaning tanks 2 to 4 in which cleaning liquids 6 to 8 are housed and with a drying device 5 which dries a semiconductor wafer which has been cleaned sequentially by the plurality of treatment tanks 2 to 4. The cleaning apparatus is provided with conveyance means 11, 21 which pull up the semiconductor wafer from the cleaning tank 4 which cleans the semiconductor wafer at the end in a cleaning process by keeping a state that a pattern face is tilted by a prescribed angle with reference to the horizontal direction. For example, bottom parts of one pair of U-shaped chucks 30, 31 in a conveyance part 21 are formed to be a rectlinear shape which is tilted by 20 deg. with reference to the horizontal direction, and a carrier 11 is supported in a tilted state. As a result, a semiconductor wafer is conveyed in a tilted state.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術(図10及び図11) 発明が解決しようとする課題(図10及び図11) 課題を解決するための手段(図1〜図9) 作用(図1〜図9) 実施例 (1)第1実施例(図1〜図5) (2)第2実施例(図6〜図8) (3)他の実施例(図9) 発明の効果[Table of Contents] The present invention will be described in the following order. Industrial Application Conventional Technology (FIGS. 10 and 11) Problems to be Solved by the Invention (FIGS. 10 and 11) Means for Solving the Problems (FIGS. 1 to 9) Operation (FIGS. 1 to 9) ) Example (1) 1st Example (FIGS. 1-5) (2) 2nd Example (FIGS. 6-8) (3) Other Example (FIG. 9) Effect of invention

【0002】[0002]

【産業上の利用分野】本発明は洗浄装置に関し、特に半
導体ウエハの洗浄装置に適用して好適なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning apparatus, and is particularly suitable for application to a semiconductor wafer cleaning apparatus.

【0003】[0003]

【従来の技術】従来、半導体装置の製造では、前工程や
取扱い中に受けた半導体ウエハ表面の有機及び無機の汚
染を除去するために半導体ウエハを洗浄する工程が設け
られており、この場合の洗浄手段として例えば図10に
示すような洗浄装置1が用いられている。すなわち洗浄
装置1においては、第1〜第3の処理槽2、3、4及び
乾燥装置5から構成され、被洗浄対象の半導体ウエハに
対して硫酸及び過酸化水素水の混合液でなる洗浄液6
(以下、これを薬液と呼ぶ)が注入された第1の処理槽
2で化学反応を利用して表面に付着した汚染を分解除去
した後、第2の処理槽3で純水4を用いて薬液6を洗い
流し、続く第3の処理槽4で純水8を用いて最終的に薬
液6を洗い流した後乾燥装置5で乾燥させるようになさ
れている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the manufacture of semiconductor devices, a step of cleaning a semiconductor wafer has been provided in order to remove organic and inorganic contamination on the surface of the semiconductor wafer which has been received in the preceding steps and during handling. For example, a cleaning device 1 as shown in FIG. 10 is used as the cleaning means. That is, the cleaning apparatus 1 includes the first to third processing tanks 2, 3, 4 and the drying apparatus 5, and the cleaning solution 6 is a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution for the semiconductor wafer to be cleaned.
(Hereinafter, referred to as a chemical solution) In a first treatment tank 2 into which a chemical solution has been injected, a chemical reaction is used to decompose and remove contaminants adhering to the surface, and then pure water 4 is used in a second treatment tank 3. The chemical solution 6 is washed away, and the chemical solution 6 is finally washed away using pure water 8 in the third treatment tank 4 and then dried by the drying device 5.

【0004】この場合半導体ウエハ10においては、図
11に示すような直方体形状の底のないキヤリア11に
所定数(例えは25枚程度)ずつ収納され、これを1ロツ
トとして各ロツトごとに洗浄処理されている。このため
キヤリア11においては、対向する一対の側壁11A及
び11Bの内側に等間隔かつ平行に半導体ウエハ10の
周側部を支持する複数本の溝11Cがそれぞれ形成され
ると共にその底付近には当該溝11Cと垂直に一対の棒
状のウエハ支持部材12A及び12Bが配設され、これ
により半導体ウエハ10を対向する一対の溝11C間に
差し込むようにして収め得るようになされている。
In this case, in the semiconductor wafer 10, a predetermined number (for example, about 25) of semiconductor wafers 10 are stored in a rectangular parallelepiped-shaped carrier 11 having no bottom, and each lot is used as a cleaning process. Has been done. Therefore, in the carrier 11, a plurality of grooves 11C for supporting the peripheral side portions of the semiconductor wafer 10 are formed inside the pair of opposed side walls 11A and 11B at equal intervals in parallel, and the grooves 11C are formed near the bottom of the grooves 11C. A pair of rod-shaped wafer support members 12A and 12B are arranged perpendicularly to the groove 11C, so that the semiconductor wafer 10 can be inserted and inserted between the pair of opposed grooves 11C.

【0005】またこの種の洗浄装置1(図10)では、
キヤリア11を第1〜第3の処理槽2〜4及び乾燥装置
5間を人手によつて搬送するようになされている。この
ためキヤリア11においては、当該溝11Cの形成され
た一対の側壁11A及び11Bの外側上端にそれぞれつ
ば状の把持部11D及び11Eが形成され、これにより
搬送の際に支持し易くなされている。
Further, in this type of cleaning device 1 (FIG. 10),
The carrier 11 is manually transported between the first to third processing tanks 2 to 4 and the drying device 5. Therefore, in the carrier 11, brim-shaped gripping portions 11D and 11E are formed at the outer upper ends of the pair of side walls 11A and 11B in which the groove 11C is formed, which facilitates the support during transportation.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところでこのような洗
浄装置1では、通常、乾燥装置5としてスピンドライヤ
が用いられている。スピンドライヤは、半導体ウエハ1
0を高速で回転させることによつてその表面に付着して
いる水滴を遠心力で飛ばすもので、これにより各半導体
ウエハ10を乾燥させることができるようになされてい
る。
By the way, in such a cleaning apparatus 1, a spin dryer is usually used as the drying apparatus 5. Spin dryer is semiconductor wafer 1
By rotating 0 at a high speed, water drops adhering to the surface of the semiconductor wafer 10 are blown off by a centrifugal force, whereby each semiconductor wafer 10 can be dried.

【0007】ところが半導体ウエハ10においては、例
えばパターン面にパターンが形成されているときのよう
に表面に微少な凹凸がある場合には、スピンドライヤを
用いた乾燥作業では凹部に溜まつた微少な水滴を除去し
きれないことがある。この場合半導体ウエハ10ではこ
の水滴によつて酸化膜(ウオータマーク)が形成され、
この結果続く配線処理時にパターン抜け等のパターン不
良が発生する問題があつた。
On the other hand, in the semiconductor wafer 10, if there are minute irregularities on the surface, for example, when a pattern is formed on the pattern surface, the drying operation using a spin dryer will cause minute irregularities accumulated in the concave portions. Water droplets may not be removed completely. In this case, an oxide film (watermark) is formed on the semiconductor wafer 10 by the water droplets,
As a result, there is a problem that a pattern defect such as a pattern omission occurs during the subsequent wiring process.

【0008】この問題を解決するための1つの手法とし
て、半導体ウエハ10を乾燥させる工程において、当該
半導体ウエハ10の表面にイソプロピルアルコール等で
なる揮発性の高い有機溶剤を塗布する方法が提案されて
いる。これは当該有機溶剤が水滴を包み込んで蒸発する
ことを利用する手法で、これにより半導体ウエハ10の
表面に付着している微少な水滴を確実に取り除くことが
できる。
As one method for solving this problem, there has been proposed a method of applying a highly volatile organic solvent such as isopropyl alcohol to the surface of the semiconductor wafer 10 in the step of drying the semiconductor wafer 10. There is. This is a method utilizing the fact that the organic solvent wraps the water droplets and evaporates, by which the minute water droplets adhering to the surface of the semiconductor wafer 10 can be reliably removed.

【0009】ところがこのような方法では、有機溶剤を
用いるために爆発の危険があるなど安全上の問題が残さ
れている。
However, in such a method, there is a safety problem such as the danger of explosion because an organic solvent is used.

【0010】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、半導体ウエハの洗浄処理時におけるウオータマーク
の発生を安全かつ効率良く抑制し得る洗浄装置を実現し
ようとするものである。
The present invention has been made in consideration of the above points, and is intended to realize a cleaning apparatus capable of safely and efficiently suppressing the generation of a watermark during a cleaning process of a semiconductor wafer.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、洗浄液6〜8を収容する複数の処
理槽2〜4及び複数の処理槽2〜4によつて順次洗浄し
た半導体ウエハ10を乾燥させる乾燥装置5を有する洗
浄装置において、洗浄工程のうち最後に半導体ウエハ1
0を洗浄する処理槽4から半導体ウエハ10をパターン
面が水平方向に対して所定角度傾いた状態を保持しなが
ら引き上げる搬送手段11、21を設けた。
In order to solve the above problems, according to the present invention, a plurality of processing tanks 2 to 4 containing cleaning liquids 6 to 8 and semiconductor wafers sequentially cleaned by the plurality of processing tanks 2 to 4 are used. In the cleaning device having the drying device 5 for drying the semiconductor wafer 10,
Transfer means 11 and 21 are provided to lift the semiconductor wafer 10 from the processing bath 4 for cleaning 0 while keeping the pattern surface inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal direction.

【0012】また本発明においては、搬送手段11、2
1は、複数枚の半導体ウエハ10を平行及び並列に収納
すると共に収納した半導体ウエハ10の周側面と対向す
る一対の側壁11A、11Bの外側にそれぞれ水平なつ
ば状の突起11C、11Dが形成された半導体ウエハ1
0のキヤリア11と、キヤリア11に収納された半導体
ウエハ10のパターン面が水平方向に対して所定角度傾
くようにキヤリア11の各突起11C、11Dをそれぞ
れ支持すると共に、この状態を保持しながらキヤリア1
1を引き上げる支持手段21とでなるようにした。
Further, in the present invention, the conveying means 11, 2
1, a plurality of semiconductor wafers 10 are housed in parallel and in parallel, and horizontal rib-shaped projections 11C and 11D are formed on the outer sides of a pair of side walls 11A and 11B facing the peripheral side surfaces of the housed semiconductor wafers 10, respectively. Semiconductor wafer 1
No. 0 carrier 11 and each projection 11C, 11D of the carrier 11 so that the pattern surface of the semiconductor wafer 10 housed in the carrier 11 is inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal direction, and the carrier is held while maintaining this state. 1
1 and the supporting means 21 for pulling up.

【0013】さらに本発明においては、搬送手段21
は、複数枚の半導体ウエハ10を平行及び並列に収納す
ると共に収納した半導体ウエハ10の周側面と対向する
一対の側壁の外側にそれぞれ水平方向に対して所定角度
傾いたつば状の突起44D及び44Eが形成された半導
体ウエハ10のキヤリア44と、各突起44D及び44
Eが水平となるように各突起44D及び44Eをそれぞ
れ支持すると共に、この状態を保持しながらキヤリア4
4を引き上げる支持手段41とでなるようにした。
Further, in the present invention, the conveying means 21
Is a flange-shaped protrusion 44D and 44E that accommodates a plurality of semiconductor wafers 10 in parallel and in parallel and that is inclined outward at a predetermined angle with respect to the horizontal direction to the outside of a pair of side walls facing the peripheral side surfaces of the accommodated semiconductor wafers 10. The carrier 44 of the semiconductor wafer 10 on which the protrusions are formed and the protrusions 44D and 44
Each of the protrusions 44D and 44E is supported so that E becomes horizontal, and the carrier 4 is held while maintaining this state.
4 and supporting means 41 for pulling up.

【0014】さらに本発明においては、洗浄液6〜8を
収容する複数の処理槽2〜4及び複数の処理槽2〜4に
おいて順次洗浄した半導体ウエハ10を乾燥させる乾燥
装置5を有する洗浄装置において、複数枚の半導体ウエ
ハ10を平行及び並列に収納する半導体ウエハ10のキ
ヤリア11、44と、洗浄工程のうち最後に半導体ウエ
ハ10を洗浄する処理槽4内の洗浄液8に浸漬され、載
置されたキヤリア11、44を半導体ウエハ10のパタ
ーン面が水平方向に対して所定角度傾くように当該洗浄
液8中において支持する支持手段50、51とを設け、
支持手段を上方に向けて平行移動させるように引き上げ
るようにした。
Further, in the present invention, in a cleaning apparatus having a plurality of processing tanks 2 to 4 containing the cleaning liquids 6 to 8 and a drying device 5 for drying the semiconductor wafer 10 sequentially cleaned in the plurality of processing tanks 2 to 4, The carriers 11 and 44 for storing the plurality of semiconductor wafers 10 in parallel and in parallel and the cleaning liquid 8 in the processing tank 4 for cleaning the semiconductor wafers 10 at the end of the cleaning process were immersed and placed. Support means 50, 51 for supporting the carriers 11, 44 in the cleaning liquid 8 such that the pattern surface of the semiconductor wafer 10 is inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal direction are provided.
The supporting means was pulled up so as to move in parallel upward.

【0015】さらに本発明においては、洗浄液6〜8を
収容する複数の処理槽2〜4及び複数の処理槽2〜4に
おいて順次洗浄した半導体ウエハ10を乾燥させる乾燥
装置5を有する洗浄装置において、洗浄工程のうち最後
に半導体ウエハ10を洗浄する処理槽4内の洗浄液8中
において半導体ウエハをパターン面が水平方向に対して
所定角度傾くように支持する支持手段21、41、50
及び51を設け、半導体ウエハ10を支持手段21、4
1、50及び51が支持した状態を保持しながら当該処
理槽内の洗浄液を排出するようにした。
Further, in the present invention, in a cleaning apparatus having a plurality of processing tanks 2 to 4 for containing the cleaning liquids 6 to 8 and a drying device 5 for drying the semiconductor wafer 10 sequentially cleaned in the plurality of processing tanks 2 to 4, Supporting means 21, 41, 50 for supporting the semiconductor wafer so that the pattern surface is inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal direction in the cleaning liquid 8 in the processing tank 4 for cleaning the semiconductor wafer 10 at the end of the cleaning step.
And 51 for supporting the semiconductor wafer 10 on the supporting means 21, 4
The cleaning liquid in the processing tank was discharged while maintaining the state in which 1, 50 and 51 were supported.

【0016】[0016]

【作用】洗浄工程のうち最後に半導体ウエハ10を洗浄
する処理槽4から半導体ウエハ10を当該半導体ウエハ
10のパターン面が鉛直方向に対して所定角度傾いた状
態を保持しながら引き上げることによつて、ウオータマ
ークの発生を抑制することができる。従つて半導体ウエ
ハ10の洗浄処理時におけるウオータマークの発生を安
全かつ効率良く抑制し得る洗浄装置を実現できる。
In the final step of the cleaning process, the semiconductor wafer 10 is pulled up from the processing tank 4 for cleaning the semiconductor wafer 10 while maintaining the state in which the pattern surface of the semiconductor wafer 10 is inclined at a predetermined angle with respect to the vertical direction. It is possible to suppress the generation of watermarks. Therefore, it is possible to realize a cleaning device capable of safely and efficiently suppressing the generation of watermarks during the cleaning process of the semiconductor wafer 10.

【0017】[0017]

【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0018】(1)第1実施例 図10及び図11との対応部分に同一符号を付して示す
図1において、20は全体として半導体ウエハの洗浄装
置を示し、半導体ウエハ10(図11)を収納するキヤ
リア11(図11)と当該キヤリア11を第1〜第3の
処理槽2〜4及び乾燥装置5間において予めプログラム
された洗浄処理手順に従つて順次搬送する搬送部21と
からなる半導体ウエハ10の搬送手段21が設けられて
いる。この場合搬送部21においては、先ずキヤリア1
1を第1の処理槽2上まで搬送すると共に当該キヤリア
11を下ろしてこれを当該第1の処理槽2内に注入され
ている薬液6に浸漬することにより、キヤリア11に収
められた各半導体ウエハ10(以下、これを単に半導体
ウエハ10と呼ぶ)を薬液6で洗浄するようになされて
いる。
(1) First Embodiment In FIG. 1 in which parts corresponding to those in FIGS. 10 and 11 are designated by the same reference numerals, 20 denotes a semiconductor wafer cleaning apparatus as a whole, and the semiconductor wafer 10 (FIG. 11). 11 (FIG. 11) for housing the carrier 11 and a carrier unit 21 for sequentially carrying the carrier 11 between the first to third processing tanks 2 to 4 and the drying device 5 in accordance with a pre-programmed cleaning procedure. A transfer means 21 for the semiconductor wafer 10 is provided. In this case, in the carrying section 21, first, the carrier 1
1 is transferred to the first processing tank 2, the carrier 11 is lowered, and the carrier 11 is immersed in the chemical solution 6 injected into the first processing tank 2. The wafer 10 (hereinafter, simply referred to as a semiconductor wafer 10) is cleaned with the chemical liquid 6.

【0019】搬送部21は、この後所定時間が経過する
と当該キヤリア11を薬液6から引き上げると共に当該
キヤリア11を第2の処理槽3上まで搬送し、この後当
該キヤリア11を下ろしてこれを当該第2の処理槽3内
に注入されている純水7に浸漬することにより、半導体
ウエハ10を純水7で洗浄して薬液6を洗い流すように
なされている。さらに搬送部21においては、この後所
定時間が経過すると当該キヤリア11を第2の処理槽3
内から引き上げると共に当該キヤリア11を第3の処理
槽4上まで搬送し、この後キヤリア11を下ろしてこれ
を当該第3の処理槽4内に注入されている純水8に浸漬
することにより、半導体ウエハ10を純水8で洗浄して
薬液6を最終的に洗い流すようになされている。
After a lapse of a predetermined time, the carrier section 21 pulls up the carrier 11 from the chemical solution 6 and carries the carrier 11 onto the second processing tank 3, and then lowers the carrier 11 to carry it. The semiconductor wafer 10 is washed with the pure water 7 and the chemical solution 6 is washed away by immersing the semiconductor wafer 10 in the pure water 7 poured into the second processing bath 3. Further, in the transport unit 21, after a predetermined time has elapsed, the carrier 11 is transferred to the second processing tank 3
By pulling the carrier 11 from the inside and transporting the carrier 11 onto the third processing tank 4, and then lowering the carrier 11 and immersing the carrier 11 in pure water 8 injected into the third processing tank 4, The semiconductor wafer 10 is washed with pure water 8 to finally wash away the chemical liquid 6.

【0020】この後搬送部21は、所定時間が経過する
と当該キヤリア11を第3の処理槽4内から引き上げた
後、当該キヤリア11を乾燥装置5内の所定位置まで搬
送して置くことにより、半導体ウエハ10を乾燥させる
ようになされている。
After this, the transport section 21 pulls up the carrier 11 from the inside of the third processing tank 4 after a lapse of a predetermined time, and then transports the carrier 11 to a predetermined position in the drying device 5 and places it. The semiconductor wafer 10 is dried.

【0021】実際上搬送部21は、図2及び図3に示す
ようなU字状に形成された一対のチヤツク30及び31
を有し、当該各チヤツク30及び31の底辺部30A及
び31Aの上側面がそれぞれキヤリア11の異なる把持
部11C又は11D(図8)の下側面と当接するように
引つかけることによりキヤリア11を支持し得るように
なされている。
In practice, the transport section 21 has a pair of chucks 30 and 31 formed in a U-shape as shown in FIGS.
And holding the bottom sides 30A and 31A of the respective chucks 30 and 31 so that the upper side surfaces of the respective bottom side portions 30A and 31A come into contact with the lower side surfaces of the different grip portions 11C or 11D (FIG. 8) of the carrier 11, respectively. It is designed to be supportive.

【0022】この場合各チヤツク30及び31はそれぞ
れ第1及び第2のチヤツク取り付け部32及び33を下
側面に取り付けられており、また当該第1及び第2のチ
ヤツク取り付け部32及び33は所定の駆動機構(図示
せず)によつてそれぞれ各チヤツク30及び31が相対
する位置関係を保つように図1の上下左右方向及び図1
の紙面の裏側から表側に向かう方向並びに図1の紙面の
表側から裏側に向かう方向に自在に移動できるようにな
され、これによりチヤツク30及び31によつて支持し
たキヤリア11を洗浄処理手順に従つて順次搬送し得る
ようになされている。
In this case, each of the chucks 30 and 31 has a first and a second chuck mounting portion 32 and 33 mounted on the lower surface thereof, and the first and the second chuck mounting portion 32 and 33 have a predetermined shape. The vertical and horizontal directions of FIG. 1 and the vertical direction of FIG. 1 are maintained so that the respective chucks 30 and 31 maintain a relative positional relationship by a driving mechanism (not shown).
It is possible to freely move in the direction from the back side to the front side of the paper surface of FIG. 1 and in the direction from the front side to the back side of the paper surface of FIG. It can be sequentially transported.

【0023】実施例の場合、チヤツク30及び31にお
いては、その底辺部30A及び31Aが矢印a(図1及
び図3)で示す水平方向に対して20〔°〕程度傾いた直
線状に形成されている。従つて搬送部21においては、
図1からも分かるように、キヤリア11を水平方向に対
して20〔°〕程度傾けた状態で支持し、この結果図4に
示すように、当該キヤリア11に収納された各半導体ウ
エハ10を鉛直方向に対して常に20〔°〕程度傾いた状
態で搬送するようになされている。
In the case of the embodiment, the bottom portions 30A and 31A of the chucks 30 and 31 are formed in a straight line inclined by about 20 [°] with respect to the horizontal direction indicated by the arrow a (FIGS. 1 and 3). ing. Therefore, in the transport unit 21,
As can be seen from FIG. 1, the carrier 11 is supported in a state of being inclined by about 20 [°] with respect to the horizontal direction. As a result, as shown in FIG. 4, each semiconductor wafer 10 housed in the carrier 11 is vertically supported. It is designed so that it is always inclined by about 20 ° with respect to the direction.

【0024】またこの場合搬送部21においては、キヤ
リア11に収納された各半導体ウエハ10のパターン面
が常に上向きになるようにキヤリア11を支持するよう
になされ、これによりキヤリア11を各処理槽内2〜4
から引き上げる際に各半導体ウエハ10のパターン面に
表面に付着した薬液6及び純水7、8でなる洗浄液が当
該パターン面の傾きに沿つて滑らかに滑り落ちることに
よつて当該パターン面上に水滴が残り難くするようにな
されている。
Further, in this case, in the carrying section 21, the carrier 11 is supported so that the pattern surface of each semiconductor wafer 10 housed in the carrier 11 is always directed upward. 2-4
When the semiconductor wafer 10 is pulled up from the cleaning surface, the cleaning liquid composed of the chemical liquid 6 and the pure water 7, 8 attached to the surface of the pattern of each semiconductor wafer 10 slides down smoothly along the inclination of the pattern surface. It is designed to make it difficult to remain.

【0025】またこの実施例の場合、第3の処理槽4に
おいては、石英を基材として約30〔リツトル〕の容量を
もつ大きさに形成され、抵抗率が17.5〜18.0〔MΩ・c
m〕の超純水が毎分25〔リツトル〕の割合で槽下部から
アツプフローするように供給されている。
In the case of this embodiment, the third processing tank 4 is made of quartz as a base material and has a capacity of about 30 [liters] and a resistivity of 17.5 to 18.0 [MΩ · c].
m) of ultrapure water is supplied at a rate of 25 [liters] per minute so as to upflow from the bottom of the tank.

【0026】以上の構成において、搬送部21は洗浄処
理手順に従つて半導体ウエハ10のキヤリア11を順次
搬送し、当該キヤリア11を第1〜第3の処理槽2〜4
に収容された薬液6又は純水7、8に浸漬することによ
つて半導体ウエハ10を洗浄すると共に、この後当該キ
ヤリア11を乾燥装置5の所定位置まで搬送することに
より半導体ウエハ10を乾燥させる。このとき搬送部2
1においては、キアリア11を水平方向に対して20
〔°〕程度傾いた状態で搬送するために、結果的に各半
導体ウエハ10を鉛直方向に対して20〔°〕の傾き角を
保持した状態で搬送する。
In the above structure, the transfer section 21 sequentially transfers the carrier 11 of the semiconductor wafer 10 in accordance with the cleaning processing procedure, and the carrier 11 is transferred to the first to third processing tanks 2 to 4.
The semiconductor wafer 10 is washed by immersing it in the chemical solution 6 or pure water 7 and 8 contained in the semiconductor wafer 10, and then the carrier 11 is conveyed to a predetermined position of the drying device 5 to dry the semiconductor wafer 10. . At this time, the transport unit 2
In 1, the Caria 11 is set to 20 in the horizontal direction.
In order to convey the semiconductor wafers in an inclined state of about [°], the semiconductor wafers 10 are conveyed in a state of holding an inclination angle of 20 ° with respect to the vertical direction.

【0027】この場合図5からも明らかなように、半導
体ウエハ10は洗浄作業の最後の処理槽(この実施例の
場合には第3の処理槽4)から引き上げる際の傾き状態
によつて乾燥処理終了後におけるウオータマークの発生
率が異なり、例えば傾いた角度θがパターン面が上方を
向いた状態で鉛直方向に対して10〜30〔°〕の範囲内に
ある場合が最もウオータマークの発生率が低いことが実
験で確かめられている。これは半導体ウエハ10を洗浄
液から引き上げる際に半導体ウエハ10を10〜30〔°〕
程度傾けた状態で引き上げる場合が最も水切りが良く、
従つて処理槽から引き上げる段階で半導体ウエハ10の
表面上から水分をより多く除去できるためと考えられ
る。
In this case, as is apparent from FIG. 5, the semiconductor wafer 10 is dried by the tilted state when the semiconductor wafer 10 is pulled up from the last processing tank (the third processing tank 4 in this embodiment) of the cleaning operation. The occurrence rate of watermarks after processing is different, for example, when the tilt angle θ is in the range of 10 to 30 (°) with respect to the vertical direction with the pattern surface facing upward, the occurrence of watermarks is the highest. Experiments have confirmed that the rate is low. This is because when the semiconductor wafer 10 is pulled out from the cleaning liquid, the semiconductor wafer 10 is moved by 10 to 30 [°].
Draining is best when pulling up with a slight tilt,
Therefore, it is considered that more water can be removed from the surface of the semiconductor wafer 10 at the stage of pulling up from the processing tank.

【0028】従つてこの洗浄装置20では、当該キヤリ
ア11に収納された各半導体ウエハ10をパターン面が
上向きに鉛直方向に対して20〔°〕程度傾いた状態で第
3の処理槽4から引き上げることから、このような簡易
な方法で効率良くウオータマークの発生を抑制できるも
のと考えられる。
Therefore, in this cleaning device 20, each semiconductor wafer 10 housed in the carrier 11 is pulled up from the third processing tank 4 with the pattern surface inclined upward by about 20 [°] with respect to the vertical direction. Therefore, it is considered that the watermark generation can be efficiently suppressed by such a simple method.

【0029】以上の構成によれば、第1〜第3の処理槽
2〜3及び乾燥装置4からなる半導体ウエハ10の洗浄
装置5において、当該各処理槽2〜3及び乾燥装置4に
加えて一対のU字状のチヤツク30及び31を有する搬
送部21を設け、当該各チヤツク30及び31で半導体
ウエハ10のキヤリア11の把持部11C及び11Dを
引つかけるように支持した状態でキヤリア11を搬送す
ると共に、このとき当該チヤツク30及び31の底辺部
30A及び31Aを水平方向に対して20〔°〕程度傾く
ように形成したことにより、当該キヤリア30及び31
に収納された各半導体ウエハ10をパターン面が上向き
に鉛直方向に対して20〔°〕程度傾いた状態を保持しな
がら第3の処理槽4から引き上げることができ、かくし
て効率良くウオータマークの発生を抑制することができ
る。
According to the above configuration, in the cleaning device 5 for the semiconductor wafer 10 including the first to third processing baths 2 to 3 and the drying device 4, in addition to the respective processing baths 2 to 3 and the drying device 4. A carrier unit 21 having a pair of U-shaped chucks 30 and 31 is provided, and the carrier 11 is supported in such a manner that the grips 11C and 11D of the carrier 11 of the semiconductor wafer 10 are hooked by the chucks 30 and 31, respectively. At the same time as the conveyance, the bottom portions 30A and 31A of the chucks 30 and 31 are formed so as to be inclined by about 20 [°] with respect to the horizontal direction.
The semiconductor wafers 10 housed in the wafer can be pulled up from the third processing tank 4 while keeping the pattern surface inclined upward by about 20 [°] with respect to the vertical direction, thus efficiently generating watermarks. Can be suppressed.

【0030】従つて半導体ウエハ10の歩留りを低減さ
せ得ると共に、この結果としてパターン不良のない半導
体ウエハ10を安定的に得ることができる。また有機溶
剤の使用を必要とせずに効率良くかつ容易にウオータマ
ークの発生を抑制することができるために洗浄作業の安
全性を向上させ得ると共に、現在使用している洗浄装置
を用いて簡易な改造をするだけで実施することができ
る。
Therefore, the yield of the semiconductor wafer 10 can be reduced, and as a result, the semiconductor wafer 10 without pattern defects can be stably obtained. In addition, since it is possible to efficiently and easily suppress the generation of watermarks without requiring the use of an organic solvent, it is possible to improve the safety of the cleaning work, and at the same time, using the cleaning device currently in use It can be implemented simply by modifying it.

【0031】(2)第2実施例 図1との対応部分に同一符号を付して示す図6は、本発
明による半導体ウエハの洗浄装置40の第2実施例を示
し、搬送部41の各チヤツク42及び43の形状とキヤ
リア44の側壁に当該各チヤツク42及び43を引つか
けるための突起が形成されていることを除いて図1に示
す洗浄装置20と同様に形成されている。すなわち洗浄
装置40においては、図7に示すように、チヤツク取り
付け部32及び33に取り付けられたチヤツク42及び
43の底辺部42A及び43Aが水平方向に対して傾き
をもたないように(すなわち水平に)形成されている。
(2) Second Embodiment FIG. 6, in which parts corresponding to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, shows a second embodiment of the semiconductor wafer cleaning apparatus 40 according to the present invention, and each of the transfer parts 41. It is formed in the same manner as the cleaning device 20 shown in FIG. 1 except that the shapes of the chucks 42 and 43 and the side wall of the carrier 44 are formed with protrusions for hooking the respective chucks 42 and 43. That is, in the cleaning device 40, as shown in FIG. 7, the bottom portions 42A and 43A of the chucks 42 and 43 attached to the chuck attaching portions 32 and 33 do not have an inclination with respect to the horizontal direction (that is, the horizontal direction). Formed).

【0032】またキヤリア44においては、キヤリア1
1と同様に形成された筐体44Aの把持部44B及び4
4Cの下側に水平方向に対して20〔°〕程度傾いたつば
状のチヤツク引つかけ部44D及び45Eが相対するよ
うにそれぞれ形成されている。この場合搬送部41にお
いては、各チヤツク42及び43の底辺部42A及び4
3Aの上側面がそれぞれチヤツク引つかけ部44A及び
45Aの下側面と当接するように支持するようになされ
ている。
In the carrier 44, the carrier 1
Gripping portions 44B and 4 of the housing 44A formed in the same manner as 1
Collar-shaped chuck hooking portions 44D and 45E, which are inclined about 20 [°] with respect to the horizontal direction, are formed on the lower side of 4C so as to face each other. In this case, in the transport section 41, the bottom side portions 42A and 4 of the respective chucks 42 and 43 are
The upper side surface of 3A is supported so as to abut the lower side surfaces of the chuck hooking portions 44A and 45A, respectively.

【0033】またこの場合搬送部41においては、キヤ
リア44に収納された半導体ウエハ10のパターン面が
常に上向きになるようにしてキヤリア44を搬送するよ
うになされている。
Further, in this case, in the carrying section 41, the carrier 44 is carried so that the pattern surface of the semiconductor wafer 10 housed in the carrier 44 is always directed upward.

【0034】以上の構成において、当該洗浄装置40で
はチヤツク42及び43の底面部42A及び43Aの上
側面がそれぞれキヤリア44のチヤツク引つかけ部44
D及び44Eの下側面と当接するようにしてキヤリア4
4を支持するために、図6からも分かるように、当該キ
ヤリア44を水平方向に対して20〔°〕程度傾いた状態
で搬送する。
In the above-described structure, in the cleaning device 40, the upper surfaces of the bottom portions 42A and 43A of the chucks 42 and 43 are the carrier catching portions 44 of the carrier 44, respectively.
The carrier 4 is brought into contact with the lower side surfaces of D and 44E.
In order to support 4, the carrier 44 is conveyed in a state of being inclined by about 20 [°] with respect to the horizontal direction, as can be seen from FIG.

【0035】従つて当該洗浄装置40では、キヤリア4
4に収納された各半導体ウエハ10をパターン面が鉛直
方向に対して20〔°〕程度の傾き角をもつ状態で第3の
処理槽4から引き上げることができ、この結果第1実施
例と同様に効率良くウオータマークの発生を抑制できる
と考えられる。
Therefore, in the cleaning device 40, the carrier 4
Each of the semiconductor wafers 10 stored in 4 can be pulled out from the third processing bath 4 in a state where the pattern surface has an inclination angle of about 20 [°] with respect to the vertical direction, and as a result, the same as in the first embodiment. It is considered that the generation of watermarks can be suppressed efficiently.

【0036】以上の構成によれば、搬送部41のチヤツ
ク42及び43を底辺部44A及び44Bを水平方向に
対して傾きのないように形成すると共に、キヤリア44
における半導体ウエハ10の周側部と対向する側壁の外
側面にそれぞれ水平方向に対して20〔°〕程度傾いたつ
ば状のチヤツク引つかけ部44D及び44Eを形成し、
搬送部41が当該チヤツク42及び43の底辺部42A
及び43Aの上側面を当該チヤツク引つかけ部44A及
び44Bの下側面に当接するようにしてキヤリア44を
支持するようにしたことにより、当該キヤリア44に収
納された各半導体ウエハ10をパターン面が鉛直方向に
対して20〔°〕程度傾いた状態で第3の処理槽から引き
上げることができ、かくして容易かつ効果的にウオータ
マークの発生を抑制し得る洗浄装置を実現できる。
According to the above construction, the chucks 42 and 43 of the transport unit 41 are formed so that the bottom portions 44A and 44B are not inclined with respect to the horizontal direction, and the carrier 44 is also provided.
In the outer surface of the side wall of the semiconductor wafer 10 facing the peripheral side portion of the semiconductor wafer 10, collar-shaped chuck hooking portions 44D and 44E inclined by about 20 [°] with respect to the horizontal direction are formed.
The transport unit 41 is the bottom portion 42A of the chucks 42 and 43.
And 43A so that the upper surface of each of the chucks 44A and 44B is brought into contact with the lower surface of each of the chuck hooking portions 44A and 44B to support the carrier 44. The cleaning apparatus can be pulled up from the third processing tank in a state of being inclined by about 20 [°] with respect to the vertical direction, and thus a cleaning device capable of easily and effectively suppressing the generation of watermarks can be realized.

【0037】(3)他の実施例 なお上述の第1実施例においては、チヤツク30及び3
1の底辺部30A及び31Aを水平方向に対して20
〔°〕程度傾くように形成するようにした場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、チヤツク30及び3
1の底辺部30A及び31Aの傾き角度θとしてはこの
他の値であつても良い。
(3) Other Embodiments In the above first embodiment, the chucks 30 and 3 are used.
The bottom part 30A and 31A of 1 is 20 with respect to the horizontal direction.
Although the case where it is formed so as to be inclined by about [°] has been described, the present invention is not limited to this, and the chucks 30 and 3 are not limited to this.
The tilt angle θ of the bottom portions 30A and 31A of 1 may be other values.

【0038】また上述の第2実施例においては、内側に
溝が形成されたキヤリア44の側壁に水平方向に対して
20〔°〕程度傾くようにチヤツク引つかけ部44D及び
44Eを形成するようにした場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、キヤリア44のチヤツク引つかけ
部44D及び44Eの傾き状態としてはこの他の角度で
も良い。
Further, in the above-mentioned second embodiment, the side wall of the carrier 44 having the groove formed inside is horizontally oriented.
The case where the chuck catching portions 44D and 44E are formed so as to be inclined by about 20 [°] has been described, but the present invention is not limited to this, and the tilting state of the chuck catching portions 44D and 44E of the carrier 44 is described. Other angles may also be used.

【0039】さらに上述の第1及び第2実施例において
は、チヤツク30及び31の底辺部30A及び31Aが
水平方向に対して20〔°〕程度傾くように形成し、又は
キヤリア44の側壁に水平方向に対して20〔°〕程度傾
いたチヤツク引つかけ部44D及び44Eを形成するこ
とによつて、搬送時に当該キヤリア11又は44に収納
された半導体ウエハ10をパターン面が上向きに鉛直方
向に対して20〔°〕程度傾くようにした場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、例えば図9に示すよう
に、半導体ウエハ10のキヤリア11又は44を水切れ
の良い籠50に20〔°〕程度の傾きをもつたすのこ51
を介して置き、当該籠50を第3の処理槽4内の純水8
に浸漬することによつてキヤリア11又は44に収納さ
れた各半導体ウエハ10を純水8で洗浄すると共に、当
該キヤリア11又は44を第3の処理槽4から取り出す
場合には籠50ごと鉛直方向に引き上げるようにしても
良い。
Further, in the above-described first and second embodiments, the bottom portions 30A and 31A of the chucks 30 and 31 are formed so as to be inclined by about 20 [°] with respect to the horizontal direction, or the side walls of the carrier 44 are horizontal. By forming the chuck hooking portions 44D and 44E which are inclined by about 20 [°] with respect to the direction, the pattern surface of the semiconductor wafer 10 housed in the carrier 11 or 44 at the time of transportation is vertically upward. The case of tilting about 20 [°] has been described, but the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 9, for example, the carrier 11 or 44 of the semiconductor wafer 10 is placed in a basket 50 with good drainage. Degree of slope 51
And place the basket 50 in the third treatment tank 4 with pure water 8
When each semiconductor wafer 10 housed in the carrier 11 or 44 is washed with pure water 8 by immersing in the carrier 11 or 44, and when the carrier 11 or 44 is taken out from the third processing tank 4, the basket 50 and the vertical direction are taken together. It may be pulled up to.

【0040】この場合キヤリア11又は44を、収納し
ている各半導体ウエハ10のパターン面が上向きになる
ようにすのこ51上に載置することによつて第1及び第
2実施例と同様の効果を得ることができる。
In this case, the carrier 11 or 44 is placed on the sludge 51 so that the pattern surface of each of the semiconductor wafers 10 housed therein faces upward, whereby the same effect as in the first and second embodiments is obtained. Can be obtained.

【0041】またこの場合籠50及びすのこ51を一体
形成するようにしても良く、要は、第3の処理槽4内に
おいて半導体ウエハ10のパターン面が上向きに20
〔°〕程度傾くようにキヤリア11又は44を支持する
所定の支持手段上に当該キヤリア11又は44を載置す
ると共に、当該支持手段をこの状態を保持しながら第3
の処理槽4から引き上げるようにするのであれば、支持
手段の形状及び構成としてはこの他種々の形状及び構成
を適用できる。
Further, in this case, the basket 50 and the slats 51 may be integrally formed, that is, the point is that the pattern surface of the semiconductor wafer 10 faces upward in the third processing tank 4.
While the carrier 11 or 44 is placed on a predetermined support means that supports the carrier 11 or 44 so as to be inclined by about [°], the third means while maintaining the support means in this state
If the support means is pulled up from the processing tank 4, various other shapes and configurations can be applied to the support means.

【0042】さらに上述の第1及び第2実施例において
は、チヤツク30及び31の底辺部30A及び31Aが
水平方向に対して20〔°〕程度傾くように形成し、又は
キヤリア44の側壁に水平方向に対して20〔°〕程度傾
いたチヤツク引つかけ部44D及び44Eを形成するこ
とによつて、搬送時に当該キヤリア11又は44に収納
された半導体ウエハ10をパターン面が上向きに鉛直方
向に対して20〔°〕程度傾くようにした場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、例えば図9に示すよう
に、半導体ウエハ10のキヤリア11又は44を水切れ
の良い籠50に20〔°〕程度の傾きをもつたすのこ51
を介して置き、当該籠50を第3の処理槽4内の純水8
に浸漬することによつてキヤリア11又は44に収納さ
れた各半導体ウエハ10を純水8で洗浄すると共に、洗
浄終了後に当該第3の処理槽4から純水8を抜くように
しても良い。
Further, in the above-described first and second embodiments, the bottom portions 30A and 31A of the chucks 30 and 31 are formed so as to be inclined by about 20 [°] with respect to the horizontal direction, or the side walls of the carrier 44 are horizontally arranged. By forming the chuck hooking portions 44D and 44E which are inclined by about 20 [°] with respect to the direction, the pattern surface of the semiconductor wafer 10 housed in the carrier 11 or 44 at the time of transportation is vertically upward. The case of tilting about 20 [°] has been described, but the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 9, for example, the carrier 11 or 44 of the semiconductor wafer 10 is placed in a basket 50 with good drainage. Degree of slope 51
And place the basket 50 in the third treatment tank 4 with pure water 8
Each semiconductor wafer 10 stored in the carrier 11 or 44 may be washed with pure water 8 by immersing in the carrier 11 or 44, and the pure water 8 may be withdrawn from the third processing tank 4 after the washing is completed.

【0043】この場合キヤリア11又は44を、収納し
ている各半導体ウエハ10のパターン面が上向きに鉛直
方向に対して20〔°〕程度傾くようにすのこ51上に載
置することによつて第1及び第2実施例と同様の効果を
得ることができる。
In this case, the carrier 11 or 44 is placed on the sludge 51 so that the pattern surface of each of the semiconductor wafers 10 housed therein is inclined upward by about 20 [°] with respect to the vertical direction. The same effects as those of the first and second embodiments can be obtained.

【0044】さらに上述の実施例においては、搬送部2
1及び41がチヤツク30及び31又は42及び43を
キヤリア11又は44の把持部11C又は11D、若し
くはチヤツク引つかけ部44D及び44Eに引つかける
ことによつて当該キヤリア11又は44を支持するよう
にした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
要は、キヤリア11又は44に収納された半導体ウエハ
10が鉛直方向に対して20〔°〕程度傾いた状態で支持
するのであれば、キヤリア11又は44の支持手段とし
てはこの他種々の手段を適用できる。
Further, in the above embodiment, the transport section 2
1 and 41 support the carriers 11 or 44 by hooking the chucks 30 and 31 or 42 and 43 to the grips 11C or 11D of the carriers 11 or 44, or the chuck hooks 44D and 44E. However, the present invention is not limited to this,
In short, if the semiconductor wafer 10 housed in the carrier 11 or 44 is supported in a state of being inclined by about 20 [°] with respect to the vertical direction, various other means may be used as the supporting means of the carrier 11 or 44. Applicable.

【0045】[0045]

【発明の効果】上述のように本発明によれば、半導体ウ
エハを洗浄工程の最後の処理槽から引き上げる際に当該
半導体ウエハをパターン面が鉛直方向に対して所定角度
上向きに傾いた状態を保持しながら当該最後の処理槽内
から引き上げるようにしたことにより、ウオータマーク
の発生率を低減させることができ、かくして半導体ウエ
ハの洗浄処理時におけるウオータマークの発生を安全か
つ効率良く抑制し得る洗浄装置を実現できる。
As described above, according to the present invention, when the semiconductor wafer is pulled out from the last processing bath in the cleaning step, the semiconductor wafer is kept in a state in which the pattern surface is inclined upward by a predetermined angle with respect to the vertical direction. However, since it is pulled out from the last processing tank, the rate of generation of watermarks can be reduced, and thus the cleaning apparatus capable of safely and efficiently suppressing the generation of watermarks during the cleaning processing of semiconductor wafers. Can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による半導体ウエハの洗浄装置の第1実
施例を示す略線的な平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view showing a first embodiment of a semiconductor wafer cleaning apparatus according to the present invention.

【図2】第1実施例による搬送部のチヤツクを示す略線
的な正面図である。
FIG. 2 is a schematic front view showing a check of the transport unit according to the first embodiment.

【図3】第1実施例による搬送部のチヤツクを示す略線
的な側面図である。
FIG. 3 is a schematic side view showing a check of the transport unit according to the first embodiment.

【図4】キヤリアの傾きに伴う当該キヤリアに収納され
ている半導体ウエハの傾き状態の説明に供する概念的な
略線図である。
FIG. 4 is a conceptual schematic diagram for explaining a tilted state of a semiconductor wafer housed in the carrier due to tilting of the carrier.

【図5】キヤリアの引き上げ角度とウオータマークの発
生率との関係の説明に供する特性曲線図である。
FIG. 5 is a characteristic curve diagram for explaining the relationship between the pulling angle of the carrier and the rate of occurrence of watermarks.

【図6】本発明による半導体ウエハの洗浄装置の第2実
施例を示す略線的な平面図である。
FIG. 6 is a schematic plan view showing a second embodiment of the semiconductor wafer cleaning apparatus according to the present invention.

【図7】第2実施例による搬送部のチヤツクを示す略線
的な側面図である。
FIG. 7 is a schematic side view showing a check of the transport section according to the second embodiment.

【図8】第2実施例によるキヤリアを示す略線的な側面
図である。
FIG. 8 is a schematic side view showing a carrier according to a second embodiment.

【図9】他の実施例の説明に供する略線図である。FIG. 9 is a schematic diagram for explaining another embodiment.

【図10】従来の半導体ウエハの洗浄装置を示す略線的
な平面図である。
FIG. 10 is a schematic plan view showing a conventional semiconductor wafer cleaning apparatus.

【図11】半導体ウエハのキヤリアを示す略線的な斜視
図である。
FIG. 11 is a schematic perspective view showing a carrier of a semiconductor wafer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、20、40……洗浄装置、2〜4……処理槽、5…
…乾燥装置、6……薬液、7、8……純水、10……半
導体ウエハ、11、44……キヤリア、11C、11D
……把持部、21、41……搬送部、30、31、4
2、43……チヤツク、30A、31A、42A、43
A……底辺部、44D、44E……チヤツク引つかけ
部、θ……傾き角度。
1, 20, 40 ... Cleaning device, 2-4 ... Processing tank, 5 ...
... Drying device, 6 ... Chemical liquid, 7, 8 ... Pure water, 10 ... Semiconductor wafer, 11, 44 ... Carrier, 11C, 11D
...... Gripping section, 21, 41 …… Transporting section, 30, 31, 4
2, 43 ... Check, 30A, 31A, 42A, 43
A: bottom part, 44D, 44E: check hooking part, θ: tilt angle.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】洗浄液を収容する複数の処理槽及び上記複
数の処理槽によつて順次洗浄した半導体ウエハを乾燥さ
せる乾燥装置を有する洗浄装置において、 洗浄工程のうち最後に半導体ウエハを洗浄する上記処理
槽から上記半導体ウエハをパターン面が水平方向に対し
て所定角度傾いた状態を保持しながら引き上げる搬送手
段を具えることを特徴とする洗浄装置。
1. A cleaning apparatus having a plurality of processing tanks containing a cleaning liquid and a drying device for drying semiconductor wafers sequentially cleaned by the plurality of processing tanks, wherein the semiconductor wafer is cleaned at the end of the cleaning step. A cleaning apparatus comprising: a transfer unit that lifts the semiconductor wafer from the processing tank while holding the pattern surface inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal direction.
【請求項2】上記搬送手段は、 複数枚の上記半導体ウエハを平行及び並列に収納すると
共に収納した上記半導体ウエハの周側面と対向する一対
の側壁の外側にそれぞれ水平なつば状の突起が形成され
た上記半導体ウエハのキヤリアと、 上記キヤリアに収納された上記半導体ウエハのパターン
面が水平方向に対して所定角度傾くように上記キヤリア
の上記各突起をそれぞれ支持すると共に、この状態を保
持しながら上記キヤリアを引き上げる支持手段とを具え
ることを特徴とする請求項1に記載の洗浄手段。
2. The transfer means stores a plurality of the semiconductor wafers in parallel and in parallel, and horizontal rib-shaped projections are formed on the outer sides of a pair of side walls facing the peripheral side surfaces of the stored semiconductor wafers. While supporting the respective projections of the carrier such that the carrier of the semiconductor wafer and the pattern surface of the semiconductor wafer housed in the carrier are inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal direction, while maintaining this state. The cleaning means according to claim 1, further comprising a support means for pulling up the carrier.
【請求項3】上記搬送手段は、 複数枚の上記半導体ウエハを平行及び並列に収納すると
共に収納した上記半導体ウエハの周側面と対向する一対
の側壁の外側にそれぞれ水平方向に対して所定角度傾い
たつば状の突起が形成された上記半導体ウエハのキヤリ
アと、 上記各突起が水平となるように上記各突起をそれぞれ支
持すると共に、この状態を保持しながら上記キヤリアを
引き上げる支持手段とを具えることを特徴とする請求項
1に記載の洗浄手段。
3. The transfer means stores a plurality of semiconductor wafers in parallel and in parallel, and inclines a predetermined angle with respect to the horizontal direction on the outside of a pair of side walls facing the peripheral side surfaces of the stored semiconductor wafers. The semiconductor wafer carrier is provided with a brim-shaped protrusion, and each of the protrusions is supported so that the protrusion is horizontal, and supporting means for pulling up the carrier while maintaining this state. The cleaning means according to claim 1, wherein:
【請求項4】洗浄液を収容する複数の処理槽及び上記複
数の処理槽において順次洗浄した半導体ウエハを乾燥さ
せる乾燥装置を有する洗浄装置において、 複数枚の上記半導体ウエハを平行及び並列に収納する上
記半導体ウエハのキヤリアと、 上記洗浄工程のうち最後に半導体ウエハを洗浄する上記
処理槽内の上記洗浄液に浸漬され、載置された上記キヤ
リアを上記半導体ウエハのパターン面が水平方向に対し
て所定角度傾くように当該洗浄液中において支持する支
持手段とを具え、上記支持手段を上方に向けて平行移動
させるように引き上げることを特徴とする洗浄装置。
4. A cleaning apparatus having a plurality of processing tanks containing a cleaning liquid and a drying device for drying semiconductor wafers sequentially cleaned in the plurality of processing tanks, wherein the plurality of semiconductor wafers are stored in parallel and in parallel. The carrier of the semiconductor wafer and the carrier which is immersed in the cleaning liquid in the processing bath for cleaning the semiconductor wafer at the end of the cleaning step and placed on the carrier are arranged at a predetermined angle with respect to the horizontal direction of the pattern surface of the semiconductor wafer. A cleaning apparatus comprising: a supporting unit that supports the cleaning liquid so as to incline, and pulls up the supporting unit so that the supporting unit moves upward in parallel.
【請求項5】洗浄液を収容する複数の処理槽及び上記複
数の処理槽において順次洗浄した半導体ウエハを乾燥さ
せる乾燥装置を有する洗浄装置において、 上記洗浄工程のうち最後に半導体ウエハを洗浄する上記
処理槽内の上記洗浄液中において上記半導体ウエハをパ
ターン面が水平方向に対して所定角度傾くように支持す
る支持手段を具え、上記半導体ウエハを上記支持手段が
支持した状態を保持しながら当該処理槽内の上記洗浄液
を排出するようにしたことを特徴とする洗浄装置。
5. A cleaning apparatus having a plurality of processing tanks containing a cleaning liquid and a drying device for drying semiconductor wafers sequentially cleaned in the plurality of processing tanks, wherein the processing for cleaning the semiconductor wafer is the last step of the cleaning step. In the processing tank, there is provided a supporting means for supporting the semiconductor wafer in the cleaning liquid in the tank so that the pattern surface is inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal direction, while maintaining the state in which the semiconductor wafer is supported by the supporting means. The cleaning device is configured to discharge the cleaning liquid.
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