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JPH06313900A - Liquid crystal element - Google Patents

Liquid crystal element

Info

Publication number
JPH06313900A
JPH06313900A JP10273893A JP10273893A JPH06313900A JP H06313900 A JPH06313900 A JP H06313900A JP 10273893 A JP10273893 A JP 10273893A JP 10273893 A JP10273893 A JP 10273893A JP H06313900 A JPH06313900 A JP H06313900A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
film
electrode
gradation
crystal element
Prior art date
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Granted
Application number
JP10273893A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2962968B2 (en
Inventor
Shuzo Kaneko
修三 金子
Katsuhiko Shinjo
克彦 新庄
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP10273893A priority Critical patent/JP2962968B2/en
Publication of JPH06313900A publication Critical patent/JPH06313900A/en
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Publication of JP2962968B2 publication Critical patent/JP2962968B2/en
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Abstract

PURPOSE:To enable high orientation characteristics to be obtained and stable intermediate gradation display to be performed. CONSTITUTION:This liquid crystal element is composed of liquid crystal FLC clamped between electrodes 1902 and 1905 as a pair, and features that at least one electrode 1905 on an electrode substrate has a plurality of stripe type projections 1906 formed at a different gap in one picture element at an intersection with the other electrode 1902, and a lower resistance layer 1907 of electric conductivity equal to or above 10<-8>/cm formed over the projections 1906. According to this construction, an inversion domain allowing the easy control of area is formed, and hysteresis is reduced, thereby enabling good intermediate gradation display to be provided.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は表示装置や液晶プリンタ
ーに用いられる液晶素子に関し、特に、メモリ特性を有
する強誘電性液晶を用いて良好な表示特性を実現するに
好ましい液晶素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal element used in a display device or a liquid crystal printer, and more particularly to a liquid crystal element which is preferable for realizing good display characteristics by using a ferroelectric liquid crystal having a memory characteristic.

【0002】[0002]

【従来の技術】強誘電性液晶(FLC)はその高速性、
メモリ性などの利点に注目され、表示素子、ライトバル
ブなどのために積極的に利用されている。
2. Description of the Related Art Ferroelectric liquid crystal (FLC) has high speed,
Attention has been paid to advantages such as memory properties, and it is actively used for display devices, light valves, and the like.

【0003】上記利点を生かしたターゲットとして、光
シャッタアレイ、単純マトリクス駆動による高精細表示
装置、光導電体と組み合わせた高密度記録のライトバル
ブなどが挙げられる。さらに薄膜トランジスタ(TF
T)などを用いたアクティブマトリクス駆動による動画
像表示にも期待がよせられている。
Targets that take advantage of the above advantages include an optical shutter array, a high-definition display device driven by a simple matrix, and a light valve for high-density recording combined with a photoconductor. Furthermore, thin film transistors (TF
There are also expectations for moving image display by active matrix driving using T).

【0004】さらにFLCの表示能力を高めるために不
可欠な課題として、良好な中間調を得るための多大な努
力がなされている。
Further, as an indispensable subject for enhancing the display capability of FLC, great efforts have been made to obtain good halftone.

【0005】例えば、ひとつの画素内に、白黒のドメイ
ンの混在状態を作り出すものとして、特開昭59−19
3427明細書中に記載のように電極基板の自然発生的
なムラあるいは意図的に微小モザイクパターンを付与す
ることによる方法、または特開昭61−166590記
載の絶縁層厚みに階段状分布をつけることにより階調を
得る方法などが挙げられる。さらには特開昭64−77
023に欠陥の多い配向状態を得ることによる方法が開
示されている。
For example, Japanese Patent Laid-Open No. 59-19 discloses a method for creating a mixed state of black and white domains in one pixel.
3427 A method by spontaneously giving unevenness in the electrode substrate or intentionally providing a minute mosaic pattern as described in the specification, or providing a stepwise distribution in the insulating layer thickness described in JP-A-61-166590. There is a method of obtaining gradation by the method. Furthermore, JP-A-64-77
023 discloses a method by obtaining an alignment state with many defects.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記のような方法によ
り、中間調状態を作り出すことは確認されているが、さ
らに画素内で均一化された中間調あるいは制御された階
調特性が望まれている。
It has been confirmed that a halftone state is created by the above method, but it is further desired to have uniform halftones or controlled gradation characteristics in the pixel. There is.

【0007】さらにコントラストを良好に保つには、中
間調表示状態においてなるべく欠陥の観察されない配向
状態が望ましい。
In order to keep the contrast even better, it is desirable to have an alignment state in which no defects are observed as much as possible in the halftone display state.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は上記技術課題を
解決し、良好な配向性と均一で安定した中間調を得、か
つ制御のしやすい階調設計が実現される液晶素子を提供
することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above technical problems and provides a liquid crystal device which achieves good orientation, uniform and stable halftone, and a gradation design which is easy to control. The purpose is to

【0009】その為、本発明は一対の電極間に液晶を挟
持した液晶素子であって、該基板の少なくとも一方の電
極上には他方の電極との交差部で形成される一画素内に
おいて、異なるスペースをなして形成された複数のスト
ライプ状凸部と、該凸部上に設けられた10-8S/cm
以上の導電率を有する低抵抗層を有することを特徴とす
るものである。
Therefore, the present invention is a liquid crystal element in which a liquid crystal is sandwiched between a pair of electrodes, and within one pixel formed on at least one electrode of the substrate at the intersection with the other electrode, A plurality of stripe-shaped convex portions formed with different spaces, and 10 −8 S / cm provided on the convex portions.
It is characterized by having a low resistance layer having the above conductivity.

【0010】そして、スペースの変化は一画素にわたっ
て勾配をなす用に形成することで最適な階調素子を提供
する。
The space change is formed so as to form a gradient over one pixel to provide an optimum gradation element.

【0011】[0011]

【作用】本発明では特にストライプ状の凹凸構造を一画
素内でそのピッチ又はスペースに変化の勾配をもたせて
やるように形成する。このようにすることで、画素内で
FLCの反転閾値に勾配ができ、階調信号に応じて所定
方向に延びるライン状の反転ドメインが形成されて良好
な反転面積制御がなれさ、均一な階調特性が得られる。
In the present invention, a stripe-shaped uneven structure is formed so that the pitch or space thereof has a gradient of change within one pixel. By doing so, the FLC inversion threshold has a gradient within the pixel, a linear inversion domain extending in a predetermined direction is formed in accordance with the grayscale signal, and good inversion area control is unsuccessful. A tonality characteristic is obtained.

【0012】更には、階調駆動時に不要なイオンが残ら
ないのでヒステリシスが小さくなる。
Furthermore, since unnecessary ions do not remain during gradation driving, hysteresis is reduced.

【0013】[0013]

【実施例】【Example】

(好適な実施態様の説明)図1は本発明の一実施態様に
よる液晶素子の構造の一例を示す模式図である。
Description of Preferred Embodiments FIG. 1 is a schematic view showing an example of the structure of a liquid crystal element according to an embodiment of the present invention.

【0014】図に示す一対の基体間に強誘電性液晶をは
さみ素子となす。
Ferroelectric liquid crystal is used as a sandwiching element between a pair of substrates shown in the figure.

【0015】そして、階調表示の為に反転しきい値を変
化させしきい値に所定方向の勾配をもたせて反転ドメイ
ンがライン状に所定方向に広がるようにストライプ凸部
が設けられており、又反転による電場、イオンの残留、
移動等による悪影響を防止する為に導電率が10-8S/
cm以上の低抵抗膜を設ける。
Then, for gradation display, a stripe convex portion is provided so that the inversion domain is linearly spread in a predetermined direction by changing the inversion threshold value so that the threshold value has a gradient in a predetermined direction. In addition, electric field due to inversion, residual ion,
Conductivity is 10 -8 S / to prevent adverse effects due to movement, etc.
A low resistance film of cm or more is provided.

【0016】以下この構成につき詳述する。This structure will be described in detail below.

【0017】図1はマルチプレクス駆動するマトリクス
基体の片側(図1では走査電極側となる下基板)の電極
構成として、上記のピッチに勾配を持たせた凹凸形状を
パターニング、あるいは、マスクデポにより付与した例
を示し、例として凸部のライン幅を4μmとして、ライ
ン間のスペース幅を2μmから、10μmまでほぼ0.
5μmで次々に変化させて形成したものの概略構成図を
示し、図の上基板、下基板の透明電極交差部により画素
を形成する。
FIG. 1 shows an electrode structure on one side (a lower substrate which is the scanning electrode side in FIG. 1) of a matrix substrate which is driven by multiplex, and the uneven shape having the above-mentioned pitch is provided by patterning or mask deposition. As an example, the line width of the convex portion is 4 μm, and the space width between the lines is from about 2 μm to 10 μm.
A schematic configuration diagram of the layers formed by sequentially changing the thickness of 5 μm is shown, and pixels are formed by the transparent electrode intersections of the upper and lower substrates in the figure.

【0018】1901は上基板でガラス、石英、プラス
チック等の透明基体、1902は、ITO、SnO2
In23等の透明電極である。また、1903はポリイ
ミド、ナイロンその他の樹脂をラビングしたもの、また
はSiO、SiO2等の斜方蒸着により得られた配向膜
である。
Reference numeral 1901 is an upper substrate, which is a transparent substrate such as glass, quartz, or plastic, and 1902 is ITO, SnO 2 ,
It is a transparent electrode such as In 2 O 3 . Reference numeral 1903 denotes a rubbing film of polyimide, nylon or other resin, or an alignment film obtained by oblique vapor deposition of SiO, SiO 2 or the like.

【0019】一方、下基板を形成する1904、190
5は上記1901、1902と同様の透明基体、透明電
極であり、該透明電極上にストライプ凸部1906を設
けてある。さらに本発明においてはこの上に低抵抗層1
907を設けている。
On the other hand, the lower substrates 1904 and 190 are formed.
Reference numeral 5 denotes a transparent substrate and a transparent electrode similar to those in the above 1901 and 1902, and stripe convex portions 1906 are provided on the transparent electrode. Further, in the present invention, the low resistance layer 1 is formed on this.
907 is provided.

【0020】次に必要に応じて配向膜1908を設ける
が、該配向膜は上記1903と同様のライビング膜また
は斜方蒸着膜により、内部の液晶に一軸配向性を与える
ものであっても良いし、またはシランカップリング剤の
皮膜や無機の単純蒸着膜で形成した非一軸配向処理膜で
あっても良い。または上記低抵抗層1907に直接必要
に応じた配向処理を施すことで配向膜1908は省略さ
れても良い。
Next, if necessary, an alignment film 1908 is provided. The alignment film may be a riving film similar to the above 1903 or an oblique vapor deposition film to give uniaxial alignment to the internal liquid crystal. Alternatively, a non-uniaxially oriented film formed of a film of a silane coupling agent or an inorganic simple vapor deposition film may be used. Alternatively, the alignment film 1908 may be omitted by directly subjecting the low resistance layer 1907 to an alignment treatment as needed.

【0021】なお、上記上・下の基板の配向処理による
一軸性付与方向は、上記ストライプ凸部長手方向に近い
様にした方が、配向性の面では良好であるが、これ以外
の方向を選んでもよい。
It should be noted that the direction of imparting uniaxiality due to the alignment treatment of the upper and lower substrates should be close to the longitudinal direction of the stripe protrusions in terms of the orientation, but the other directions should be taken. You may choose.

【0022】そして、上下基板外側には、クロスニコル
に配置した偏光板を設けている。
On the outer sides of the upper and lower substrates, polarizing plates arranged in crossed Nicols are provided.

【0023】上記凸部を形成する材質としては、特にA
l,Ti,Au,Pt,Crなどの金属又はSnO2
In23,ITOなどの透明導電酸化物などが最も好ま
しいが、別の突起体の形成要素としては、SiO2その
他の無機物、さらには、ポリイミド、ポリアミド、その
他の樹脂が、公知の堆積ないしはパターニング技術によ
り形成される。
As a material for forming the above-mentioned convex portion, in particular, A
1, metal such as Ti, Au, Pt, Cr or SnO 2 ,
Although transparent conductive oxides such as In 2 O 3 and ITO are most preferable, SiO 2 and other inorganic substances as well as polyimide, polyamide, and other resins are known as deposition elements for forming other protrusions. It is formed by a patterning technique.

【0024】ストライプ突起部の上記ライン幅として
は、使用する液晶セル厚よりも大きい範囲が良く好まし
くは、2μm〜10μmである。また、突起ストライプ
長さとしては、最大のスペース幅より長く、さらに好ま
しくは、一画素長さ程度、或は、一画素長さ以上で、例
えば走査電極の電極長全域で連続したものであっもよ
い。
The line width of the stripe protrusions is preferably in a range larger than the thickness of the liquid crystal cell used, and is preferably 2 μm to 10 μm. Further, the protrusion stripe length is longer than the maximum space width, more preferably about one pixel length or more than one pixel length, and for example, it may be continuous over the entire electrode length of the scanning electrode. Good.

【0025】上記凸部間のスペース幅としては、やは
り、セル厚程度以上もたせたほうが配向性の面で好まし
く、上限としては20μm程度の範囲で変化させたもの
であることで、階調性に良好な効果をもたらす。
It is preferable that the space width between the convex portions is equal to or larger than the cell thickness in terms of orientation, and the upper limit is changed in the range of about 20 μm, so that the gradation is improved. Bring a good effect.

【0026】上記したようなスペースに変化の勾配をつ
けたストライプ凹凸による階調作用について以下に説明
する。
The gradation effect due to the stripe unevenness in which the above-mentioned space has a change gradient will be described below.

【0027】まず、突起部は、階調ドメインの発生ポイ
ントを各画素で均一化する。突起部は他の部分にくらべ
液晶に対して作用電界が強い部分となり、電界印加時に
明確に優先された応答をする。この効果は、特に突起が
導電性の部材で形成された時に大きいが、比較的に絶縁
性の場合でも、他の部分との容量比による同様の電界効
果が考えられる。
First, the protrusions make uniform the generation points of the gradation domain in each pixel. The protrusion has a stronger working electric field than the other parts with respect to the liquid crystal, and gives a clearly prioritized response when the electric field is applied. This effect is particularly great when the projection is formed of a conductive member, but even if it is relatively insulating, a similar electric field effect due to the capacitance ratio with other parts can be considered.

【0028】また突起部近傍では微妙な分子配列の変化
などが考えられ、特に電界をトルクとして受け易い部分
が形成されることなども効果としてあげられる。
Further, a slight change in the molecular arrangement may be considered in the vicinity of the protrusion, and in particular, the formation of a portion that easily receives an electric field as torque is also effective.

【0029】次にスペースに変化をつけたことによる階
調の直線性(ガンマ)の形成作用は、上記突起部に優先
された反転応答のスペース部への伝播効果が大きな要因
と考えられる。すなわち、電場印加によりスイングされ
た液晶分子がドメインとしてラッチ(固定化)される過
程において、伝播効果が強く作用し、上記スペース幅の
小さな部分が全体として先に反転ドメインとして固定化
され、この結果として、図2に示すように画素内で面積
的に制御された階調性のある反転部分が形成されると見
られる。
Next, it is considered that the effect of forming the linearity (gamma) of the gradation by changing the space is largely due to the effect of propagating the inversion response to the space portion, which is prioritized to the protrusion portion. That is, in a process in which liquid crystal molecules swung by an electric field are latched (immobilized) as domains, a strong propagation effect is exerted, and the portion with a small space width is first immobilized as an inversion domain as a whole. As a result, it is considered that an inversion portion having an area-controlled gradation is formed in the pixel as shown in FIG.

【0030】さらに上記スペース変化に勾配をつけたこ
とにより、与えるパルスの波高値、パルス幅その他、パ
ルス波形を変調することによる階調制御は、スムーズな
ガンマ特性を持つ。これは、反転ドメイン面積の広がり
が、スペースの最も細かい部分からの伝播効果を従属的
に拾うことにより、段階的なスペースの変化に対して連
続的な階調性を作り出している為と思われる。
Further, since the space change is provided with a gradient, the gradation control by modulating the peak value of the applied pulse, the pulse width, and the pulse waveform has a smooth gamma characteristic. This is because the spread of the inversion domain area is dependent on the propagation effect from the finest part of the space to create a continuous gradation with respect to the stepwise change of the space. .

【0031】本発明は上記勾配をつけたことによる連続
的な階調性の形成の傾向に着目し、更に本発明では低抵
抗膜1907を設けることにより上記効果を増大する。
The present invention pays attention to the tendency of formation of continuous gradation due to the above-mentioned gradient, and further, the present invention enhances the above effect by providing the low resistance film 1907.

【0032】図3に本発明セルの画素拡大断面形状を再
び示す。上記低抵抗膜1907は、上述の伝播効果によ
る閾値勾配分布をより明確にすると考えられる。
FIG. 3 shows again the enlarged sectional shape of the pixel of the cell of the present invention. It is considered that the low resistance film 1907 makes the threshold gradient distribution due to the above-described propagation effect clearer.

【0033】すなわち、特に公知のポリピロール、ポリ
アニリン、ポリアセチレン等の有機導電性膜、あるいは
ポリイミドネポリシロキサン、その他の樹脂等を母体と
してSnO2、In23、その他の導電性微粒子の分散
された膜を、スピンコート、またはディッピングにより
溶液状態からの製膜により適度な膜厚(50Åないしは
1000Å、望ましくは100Åないしは500Å)に
形成した場合、表面張力等の要因により前記スペースの
細かなところと、間隔の広いところでは皮膜被覆度に差
が出来、スペースの細かな部分では凹凸の凹部高さが平
均的に大きくなると考えられる。
That is, particularly known organic conductive films of polypyrrole, polyaniline, polyacetylene, etc., or polyimide nepolysiloxane, other resins, etc. as a matrix are dispersed SnO 2 , In 2 O 3 , and other conductive fine particles. When a film is formed by spin coating or dipping from a solution state to an appropriate film thickness (50 Å or 1000 Å, preferably 100 Å or 500 Å), there are small spaces in the space due to factors such as surface tension, It is considered that there is a difference in the film coverage in a wide space, and the height of the concave and convex portions becomes large on average in a small space.

【0034】この結果、上記スペースの細かい部分での
閾値はより低下させられるとともに、上記皮膜被覆によ
るもともとの突起部のエッジ部を滑らかにする効果もあ
り、同時に配向性も向上する。また、そのために、突起
部高さをさらに高くすることが出来るために、前記電界
効果も充分に大きく作用することが出来、非常に良好な
階調性が実現される。
As a result, the threshold value in the small space portion is further lowered, and the edge portion of the original protrusion portion due to the film coating is smoothed, and at the same time the orientation is improved. Therefore, since the height of the protrusion can be further increased, the electric field effect can be sufficiently large, and very good gradation can be realized.

【0035】図4は本発明構成により得られた典型的な
階調特性をV−T特性として示すものである(実線)。
図中点線で示すものは本構成で上記低抵抗膜を設けなか
った場合のV−T特性を比較例として示すものであり、
本発明により階調特性は明らかに改善されている。な
お、ここで印加した駆動電圧のパルス幅は約20μse
cである。
FIG. 4 shows a typical gradation characteristic obtained by the constitution of the present invention as a VT characteristic (solid line).
The dotted line in the figure shows the VT characteristics in the case where the low resistance film is not provided in this configuration as a comparative example,
The gradation characteristics are obviously improved by the present invention. The pulse width of the drive voltage applied here is about 20 μse.
c.

【0036】本発明で設ける上記低抵抗膜とは、その導
電率が10-4S/cm程度から10-8S/cm程度のも
のが最適である。上記膜として10-4S/cmより大き
な導電率であると、画素間の電気的導通が無視できなく
なり、該膜も画素電極として下地の透明電極と同様にパ
ターニングする必要がある。
The low resistance film provided in the present invention is optimally one having a conductivity of about 10 -4 S / cm to 10 -8 S / cm. When the film has a conductivity of more than 10 −4 S / cm, electrical conduction between pixels cannot be ignored, and the film needs to be patterned as a pixel electrode in the same manner as the underlying transparent electrode.

【0037】また、10-8S/cm未満の導電率になる
と、良好な階調特性を得るためにはたとえば駆動波形
上、画素をリセットするための時間幅を数百μsec以
上必要とするなどの障害を生じる。
Further, when the conductivity is less than 10 -8 S / cm, in order to obtain good gradation characteristics, for example, a time width for resetting a pixel needs to be several hundreds μsec or more on the driving waveform. Cause obstacles.

【0038】またこの膜の膜厚も、電圧印加時の液晶分
圧を考慮して、あまり厚くはしないほうが良く、せいぜ
い1000Å以下、望ましくは透過率等考慮すると50
0Å以下が望ましい。
The thickness of this film is preferably not too thick in consideration of the partial pressure of the liquid crystal when a voltage is applied, at most 1000 Å or less, preferably 50 in consideration of the transmittance and the like.
0 Å or less is desirable.

【0039】一方、上記低抵抗膜を設ける場合の前記ス
トライプ突起高さは500Åないし4000Åの範囲程
度が、突起の効果上、または、配向を乱さないものとし
て最適である。
On the other hand, the height of the stripe protrusions in the case of providing the low resistance film is preferably in the range of 500Å to 4000Å because of the effect of the protrusions or the one not disturbing the orientation.

【0040】以下、さらに代表的な実施例について説明
する。
Further typical examples will be described below.

【0041】(実施例1)本実施例の素子(セル)にお
ける凹凸パターンの基本構成の一例として、ストライプ
状凸部は、約2000Åの高さのITOであり、該凸部
間のスペースに、最小2μmから、0.5μmステップ
で最大10μmまで、順次スペース幅の変化に勾配を持
たせて凹凸を形成した。
(Example 1) As an example of the basic structure of the concavo-convex pattern in the element (cell) of the present example, the stripe-shaped convex portions are ITO having a height of about 2000 Å, and the spaces between the convex portions are Concavities and convexities were formed by gradually changing the space width with a gradient from a minimum of 2 μm to a maximum of 10 μm in 0.5 μm steps.

【0042】次に低抵抗膜としてポリアニリンと分子量
が200ないし300程度の有機強酸(たとえばCSA
(カンファースルホン酸))をN−メチルピロリドン
(NMP)とルーブチルセロソルブ(nBC)の混合液
媒中に各0.7wt%、0.3wt%程度溶解した溶液
をスピナー条件1500r.p.m.、20secでス
ピンコートすることで上記凹凸上に形成した。なお、同
じ材料をディッピングによっても適度な膜厚に形成でき
る。さらには、別の方法として公知の電解重合膜として
形成することもできる。上記条件で最適な膜厚として
は、別のITO付きガラス基板に塗布したもので約40
0Åであり、この膜の導電率を測定したところ約10-7
S/cmの導電率が得られた。
Next, as a low resistance film, polyaniline and an organic strong acid having a molecular weight of about 200 to 300 (eg, CSA) are used.
(Camphorsulfonic acid)) was dissolved in a mixed liquid medium of N-methylpyrrolidone (NMP) and rubutyl cellosolve (nBC) in an amount of about 0.7 wt% and about 0.3 wt%, respectively. p. m. It was formed on the irregularities by spin coating for 20 sec. Note that the same material can be formed with an appropriate thickness by dipping. Further, as another method, a known electrolytic polymerization film can be formed. The optimum film thickness under the above conditions is about 40 when coated on another glass substrate with ITO.
It is 0Å, and the conductivity of this film was measured to be about 10 -7
A conductivity of S / cm was obtained.

【0043】一方、上記凹凸パターン基板と対向する基
板にはITO上に上記ポリアニリンを、溶液濃度を調整
し約50Å設けたものを、約1.2μm径のシリカビー
ズスペーサを介して配置し、セルとした。
On the other hand, on the substrate facing the above-mentioned concavo-convex pattern substrate, the above-mentioned polyaniline provided on ITO by adjusting the solution concentration to provide about 50Å is arranged through a silica bead spacer having a diameter of about 1.2 μm to form a cell. And

【0044】なお、本セルでの液晶配向処理としては、
上記凹凸パターン基板、または、対向基板の両方とも、
あるいは対向基板のみに、おおむね上記ストライプの長
手方向に平行方向へのラビング処理を行なうことで、セ
ル中に充填した液晶を配向させることが出来た。
The liquid crystal alignment treatment in this cell is as follows.
Both the uneven pattern substrate or the counter substrate,
Alternatively, the liquid crystal filled in the cell could be aligned by subjecting only the counter substrate to a rubbing treatment in a direction substantially parallel to the longitudinal direction of the stripe.

【0045】上記セルの階調特性は前記図4の実線に示
すものであり、良好な階調性を示した。
The gradation characteristic of the above-mentioned cell is shown by the solid line in FIG. 4 and shows good gradation characteristics.

【0046】(実施例2)上記実施例1で形成した凹凸
パターン上のポリアニリン皮膜上に、ポリイミド配向膜
(LQ1802)をLB膜として約30Å形成し、一方
対向基板としてはITO上に直接上記ポリイミド配向膜
を形成し、双方とも上記同様おおむねストライプ長手方
向に平行方向のラビングを行ないセルとした。これには
上記実施例1と異なる液晶を注入し、配向させた。階調
性の結果は同様良好であった。
Example 2 A polyimide alignment film (LQ1802) was formed as an LB film on the polyaniline film on the concavo-convex pattern formed in Example 1 by about 30Å, while the opposite substrate was directly formed on ITO by the above polyimide. An alignment film was formed, and both were roughly rubbed in the direction parallel to the stripe longitudinal direction in the same manner as above to obtain cells. A liquid crystal different from that in Example 1 was injected into this and aligned. Gradation results were similarly good.

【0047】(実施例3)上記低抵抗膜としてSnO2
にアンチモンドープを施した粒径約100Åの導電性微
粒子をポリシロキサンと混合した塗布型SnO2によ
り、凹凸パターン上に皮膜を形成した。この膜の導電率
も約10-7S/cm程度のものが得られる。
Example 3 SnO 2 was used as the low resistance film.
The conductive fine particles having a particle size of about 100Å subjected to antimony-doped by coating type SnO 2 mixed with polysiloxane to form a film on the uneven pattern. The conductivity of this film is about 10 −7 S / cm.

【0048】さらに本皮膜上に上記LB膜(LQ180
2)を30Å形成し、ラビングしたものを用いた。その
他の構成は実施例1や2と同じである。
Furthermore, the LB film (LQ180
2) was formed by 30Å and rubbed. Other configurations are the same as those in the first and second embodiments.

【0049】配向は非常に良好であり、階調性も図4実
線で示すものより良かった。
The orientation was very good and the gradation was also better than that shown by the solid line in FIG.

【0050】本例での上記微粒子による短周期的な表面
凹凸が良好な配向性や階調特性にさらなる効果を付加し
ているようである。
The short-period surface irregularities due to the fine particles in this example seem to add a further effect to good orientation and gradation characteristics.

【0051】(実施例4)実施例3においてアンチモン
のドープ量、導電性微粒子の大きさ、ポリシロキサンと
該粒子の混合比等を変えて被膜を形成した基体サンプル
を多数種類形成した。
(Example 4) In Example 3, a large number of types of substrate samples each having a film formed thereon were formed by changing the doping amount of antimony, the size of conductive fine particles, the mixing ratio of polysiloxane and the particles, and the like.

【0052】これらのうちから導電率が10-10S/c
m乃至10-2S/cmの範囲内のサンプルを選び同様の
液晶素子の試料を作成した。そして、中間調表示を行い
ヒステリシス特性について評価した。その結果を下表
1、2に示す。
Of these, the conductivity is 10 -10 S / c
A sample in the range of m to 10 -2 S / cm was selected and a similar liquid crystal element sample was prepared. Then, halftone display was performed to evaluate the hysteresis characteristic. The results are shown in Tables 1 and 2 below.

【0053】[0053]

【表1】 [Table 1]

【0054】[0054]

【表2】 ここで◎印はヒステリシス特性の点から中間調表示用の
素子として特に良好、○印は良好、△印は適用可能、×
印は不適である。
[Table 2] Here, ⊚ is particularly good as an element for displaying a halftone from the viewpoint of hysteresis characteristics, ○ is good, Δ is applicable, ×
The mark is inappropriate.

【0055】従って、低抵抗膜としては10-8乃至10
-4S/cmの導電率をもつ膜が特に好ましいことがわか
る。
Therefore, as the low resistance film, 10 −8 to 10
It can be seen that a film having a conductivity of −4 S / cm is particularly preferable.

【0056】図5は本実施例による液晶表示素子を有す
る画像表示装置の構成を示す。装置は、液晶表示素子と
しての500×500のマトリクスのパネル1801、
クロック1802、同期回路1803、及びシフトレジ
スタ1804、アナログスイッチ1805などからなる
走査波形発生器1806、及び例えばフレームメモリ1
807などからの映像情報を駆動信号に変換出力する情
報信号発生器1808とからなる。これらは実装上、マ
トリクス基板の上下の片側もしくは両側、左右の片側な
いし両側に振り分けられて結合されても良い。中間調信
号としての情報信号波形の印加方法としては、階調情報
を付与する方法として通常考えられる電圧変調がある
が、本実施例においては特にカイラルスメクチックC相
の層方向への弾性伝播的に結合されるドメインを利用す
るため、その伝播時間を制御する意味でパルス幅変調、
位相変調などの駆動方式も有効である。
FIG. 5 shows the structure of an image display device having a liquid crystal display element according to this embodiment. The device is a panel 1801 of a 500 × 500 matrix as a liquid crystal display element,
A scanning waveform generator 1806 including a clock 1802, a synchronizing circuit 1803, a shift register 1804, an analog switch 1805, and the frame memory 1, for example.
And an information signal generator 1808 for converting and outputting video information from 807 or the like into a drive signal. In terms of mounting, these may be distributed by being connected to one side or both sides above and below the matrix substrate and one side or both sides on the left and right sides. As a method of applying an information signal waveform as a halftone signal, there is a voltage modulation which is usually considered as a method of giving gradation information, but in the present embodiment, especially in the elastic propagation in the layer direction of the chiral smectic C phase. In order to control the propagation time of the combined domain, pulse width modulation,
Driving methods such as phase modulation are also effective.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
中間調表示の再現性を良好に保ち、所望の印加信号−透
過率特性(γ特性)を持つ中間調表示を行うことができ
る。また、素子の構成をさほど複雑にすることなく、良
好な中間調表示を、より高速、高階調数、高精細なもの
として行うことができる。
As described above, according to the present invention,
It is possible to maintain good reproducibility of halftone display and perform halftone display having a desired applied signal-transmittance characteristic (γ characteristic). In addition, good halftone display can be performed at higher speed, with a higher number of gradations, and with higher definition, without complicating the structure of the element so much.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施態様による液晶素子の構造を示
す模式図である。
FIG. 1 is a schematic view showing a structure of a liquid crystal element according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明による液晶素子のドメイン反転の様子を
示す模式図である。
FIG. 2 is a schematic view showing a state of domain inversion of a liquid crystal element according to the present invention.

【図3】本発明による液晶素子の模式的断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal device according to the present invention.

【図4】本発明による液晶素子の印加電圧と透過率の関
係を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the applied voltage and the transmittance of the liquid crystal element according to the present invention.

【図5】本発明の一実施例による液晶素子を用いた表示
装置のブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram of a display device using a liquid crystal device according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1901 透明基体 1902 透明電極 1903 配向膜 1904 透明基体 1905 透明電極 1906 ストライプ状凸部 1907 低抵抗膜 1908 配向膜 1901 Transparent substrate 1902 Transparent electrode 1903 Alignment film 1904 Transparent substrate 1905 Transparent electrode 1906 Striped convex portion 1907 Low resistance film 1908 Alignment film

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一対の電極間に液晶を挟持した液晶素子
であって、該基板の少なくとも一方の電極上には他方の
電極との交差部で形成される一画素内において、異なる
スペースをなして形成された複数のストライプ状凸部
と、該凸部上に設けられた10-8S/cm以上の導電率
を有する低抵抗層を有することを特徴とする液晶素子。
1. A liquid crystal element in which liquid crystal is sandwiched between a pair of electrodes, wherein different spaces are formed in at least one electrode of the substrate at one pixel formed at an intersection with the other electrode. A liquid crystal element comprising: a plurality of stripe-shaped convex portions formed by the above-described method, and a low resistance layer having a conductivity of 10 −8 S / cm or more provided on the convex portions.
【請求項2】 前記スペースの変化は一画素にわたって
勾配をなしていることを特徴とする請求項1に記載の液
晶素子。
2. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the change of the space has a gradient over one pixel.
【請求項3】 前記低抵抗層の導電率は10-4S/cm
以下であることを特徴とする請求項1に記載の液晶素
子。
3. The conductivity of the low resistance layer is 10 −4 S / cm.
The liquid crystal element according to claim 1, wherein:
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