JPH06310759A - 画像装置 - Google Patents
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- JPH06310759A JPH06310759A JP12337993A JP12337993A JPH06310759A JP H06310759 A JPH06310759 A JP H06310759A JP 12337993 A JP12337993 A JP 12337993A JP 12337993 A JP12337993 A JP 12337993A JP H06310759 A JPH06310759 A JP H06310759A
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- common electrode
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
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- H10H20/85—Packages
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- Led Devices (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 画像装置での、画像アレイのフリップチップ
接続時の損傷を防止する。 【構成】 透明基板２にＬＥＤアレイ８をフリップチッ
プ接続し、その共通電極９をプリント基板４にクリップ
端子２０で接続する。ＬＥＤアレイ８は、クリップ端子
２０により均一に加圧され、フリップチップ接続時の損
傷がない。
接続時の損傷を防止する。 【構成】 透明基板２にＬＥＤアレイ８をフリップチッ
プ接続し、その共通電極９をプリント基板４にクリップ
端子２０で接続する。ＬＥＤアレイ８は、クリップ端子
２０により均一に加圧され、フリップチップ接続時の損
傷がない。
Description
【０００１】
【発明の利用分野】この発明は、ＬＥＤヘッドや、イメ
ージセンサ等の画像装置に関する。
ージセンサ等の画像装置に関する。
【０００２】
【従来技術】発明者は、画像アレイをガラス基板にフリ
ップチップ接続し、アレイ裏面の共通電極にはリードフ
レームを接続した画像装置を提案した（特開平４−３５
６，９７８号公報）。ここでのリードフレームは、画像
アレイを搭載したのと同じ主面に他端が接続される。
ップチップ接続し、アレイ裏面の共通電極にはリードフ
レームを接続した画像装置を提案した（特開平４−３５
６，９７８号公報）。ここでのリードフレームは、画像
アレイを搭載したのと同じ主面に他端が接続される。
【０００３】発明者はその後、フリップチップ接続時に
画像アレイが損傷するという問題に直面した。フリップ
チップ接続では、画像アレイをダイマウントした後、共
通電極の側から加圧して、リフロー炉等でフリップチッ
プ接続用のバンプを溶着する。溶着に必要な圧力は、ア
レイ当たりのバンプの数を６４〜１２８として、数Ｋｇ
程度となる。工程を単純化するため、多数の画像アレイ
を同時に加圧するので、特定のアレイに局所的に圧力が
加わり易い。例えば４０個の画像アレイを均一に加圧す
るのは困難である。これが画像アレイの損傷の原因であ
った。
画像アレイが損傷するという問題に直面した。フリップ
チップ接続では、画像アレイをダイマウントした後、共
通電極の側から加圧して、リフロー炉等でフリップチッ
プ接続用のバンプを溶着する。溶着に必要な圧力は、ア
レイ当たりのバンプの数を６４〜１２８として、数Ｋｇ
程度となる。工程を単純化するため、多数の画像アレイ
を同時に加圧するので、特定のアレイに局所的に圧力が
加わり易い。例えば４０個の画像アレイを均一に加圧す
るのは困難である。これが画像アレイの損傷の原因であ
った。
【０００４】
【発明の課題】この発明の課題は、1) 画像アレイのフ
リップチップ接続を容易にし、特にフリップチップ接続
時のアレイの損傷を防止し、2) 画像アレイを共通電極
を介して放熱し、3) 画像アレイをクリップ端子で静電
シールドし、4) 画像アレイの共通電極への配線抵抗を
小さくする、ことにある。
リップチップ接続を容易にし、特にフリップチップ接続
時のアレイの損傷を防止し、2) 画像アレイを共通電極
を介して放熱し、3) 画像アレイをクリップ端子で静電
シールドし、4) 画像アレイの共通電極への配線抵抗を
小さくする、ことにある。
【０００５】
【発明の構成】この発明は、受発光素子を集積化した画
像アレイを、透明基板の一方の主面にフリップチップ接
続した画像装置において、前記画像アレイのフリップチ
ップ接続部と反対側の主面に共通電極を設けると共に、
前記基板を挟むように配置したクリップ端子の一端を前
記共通電極に接続し、かつその他端を、透明基板からみ
て前記主面と反対側に設けた他の配線パターンに接続し
たことを特徴とする。ここで画像アレイには、例えばＬ
ＥＤアレイや、ＭＯＳＣＣＤアレイ、ＭＯＳ光センサア
レイ等を用いる。クリップ端子の他端は、透明基板と背
中合わせに配置した他の基板、例えばプリント基板、に
設けた配線パターン接続しても良く、あるいは透明基板
の反対側の主面に設けた配線パターンに接続しても良
い。
像アレイを、透明基板の一方の主面にフリップチップ接
続した画像装置において、前記画像アレイのフリップチ
ップ接続部と反対側の主面に共通電極を設けると共に、
前記基板を挟むように配置したクリップ端子の一端を前
記共通電極に接続し、かつその他端を、透明基板からみ
て前記主面と反対側に設けた他の配線パターンに接続し
たことを特徴とする。ここで画像アレイには、例えばＬ
ＥＤアレイや、ＭＯＳＣＣＤアレイ、ＭＯＳ光センサア
レイ等を用いる。クリップ端子の他端は、透明基板と背
中合わせに配置した他の基板、例えばプリント基板、に
設けた配線パターン接続しても良く、あるいは透明基板
の反対側の主面に設けた配線パターンに接続しても良
い。
【０００６】
【発明の作用】この発明では、クリップ端子を透明基板
を挟み込むように配置し、クリップ端子からの圧力を画
像アレイの共通電極に加える。そしてこの圧力と熱や超
音波振動等で、画像アレイをフリップチップ接続する。
クリップ端子からの圧力は、端子の厚さや材質，形状等
が一定なので一定となり、画像アレイに無理な力が加わ
り損傷することがない。用いたクリップ端子は、画像ア
レイの共通電極への電気的接続の他に、静電シールドや
放熱板の役割を兼ね、低抵抗で共通電極へ配線でき、面
積が広いので感光体ドラム等からの電磁ノイズに対する
静電シールドとして作用し、かつ共通電極を冷却して画
像アレイの過熱を防止する。
を挟み込むように配置し、クリップ端子からの圧力を画
像アレイの共通電極に加える。そしてこの圧力と熱や超
音波振動等で、画像アレイをフリップチップ接続する。
クリップ端子からの圧力は、端子の厚さや材質，形状等
が一定なので一定となり、画像アレイに無理な力が加わ
り損傷することがない。用いたクリップ端子は、画像ア
レイの共通電極への電気的接続の他に、静電シールドや
放熱板の役割を兼ね、低抵抗で共通電極へ配線でき、面
積が広いので感光体ドラム等からの電磁ノイズに対する
静電シールドとして作用し、かつ共通電極を冷却して画
像アレイの過熱を防止する。
【０００７】
【実施例】図１〜図４に、ＬＥＤヘッドを例に実施例を
示す。図１において、２はガラス等の透明基板で、４は
プリント基板等の他の基板であり、ガラス基板２と背中
合わせに密着して配置する。６はガラス基板２の一方の
主面に設けたデータバス、８はＬＥＤアレイで、９は金
等の共通電極、１０は半田等のバンプ、１２はデータバ
ス６側に設けた金等のバンプである。プリント基板４に
は切り欠き部１４を設け、ＬＥＤアレイ８からの光を外
へ導くようにする。１６はスイッチングＩＣで、ＬＥＤ
アレイ８をダイナミックドライブするためのスイッチン
グ回路を内蔵している。１８は基板４に設けた配線パタ
ーンである。２０はクリップ端子で、画像アレイ８の共
通電極９と、基板４の配線パターン１８とを接続する。
クリップ端子２０にはリン青銅等のバネ性のある材料を
用い、基板２，４を挟み込むように配置し、図の矢印の
ような加圧力を配線パターン１８と共通電極９とに加え
る。この加圧力をフリップチップ接続時の圧力として用
いると共に、基板２，４の固定にも用いる。
示す。図１において、２はガラス等の透明基板で、４は
プリント基板等の他の基板であり、ガラス基板２と背中
合わせに密着して配置する。６はガラス基板２の一方の
主面に設けたデータバス、８はＬＥＤアレイで、９は金
等の共通電極、１０は半田等のバンプ、１２はデータバ
ス６側に設けた金等のバンプである。プリント基板４に
は切り欠き部１４を設け、ＬＥＤアレイ８からの光を外
へ導くようにする。１６はスイッチングＩＣで、ＬＥＤ
アレイ８をダイナミックドライブするためのスイッチン
グ回路を内蔵している。１８は基板４に設けた配線パタ
ーンである。２０はクリップ端子で、画像アレイ８の共
通電極９と、基板４の配線パターン１８とを接続する。
クリップ端子２０にはリン青銅等のバネ性のある材料を
用い、基板２，４を挟み込むように配置し、図の矢印の
ような加圧力を配線パターン１８と共通電極９とに加え
る。この加圧力をフリップチップ接続時の圧力として用
いると共に、基板２，４の固定にも用いる。
【０００８】図２に、透明基板２のＬＥＤアレイ８側の
主面を示す。透明基板２の両端には、ＬＥＤアレイ８に
画像信号を供給するための駆動ＩＣ２２を設ける。駆動
ＩＣ２２には、画像信号を一時的に記憶するためのシフ
トレジスタと、ＬＥＤアレイ８を定電流駆動するための
定電流回路とを内蔵させる。そして駆動ＩＣ２２にデー
タバス６を図のように接続し、ＬＥＤアレイ８毎にジグ
ザグにデータバス６を折り返させる。またクリップ端子
２０は図に示すように、ＬＥＤアレイ８の裏面のほぼ全
面を被覆している。
主面を示す。透明基板２の両端には、ＬＥＤアレイ８に
画像信号を供給するための駆動ＩＣ２２を設ける。駆動
ＩＣ２２には、画像信号を一時的に記憶するためのシフ
トレジスタと、ＬＥＤアレイ８を定電流駆動するための
定電流回路とを内蔵させる。そして駆動ＩＣ２２にデー
タバス６を図のように接続し、ＬＥＤアレイ８毎にジグ
ザグにデータバス６を折り返させる。またクリップ端子
２０は図に示すように、ＬＥＤアレイ８の裏面のほぼ全
面を被覆している。
【０００９】駆動ＩＣ２２は定電流回路を内蔵している
ため、最も過熱し易いＩＣである。そこでクリップ端子
２４で、駆動ＩＣ２２を基板４の配線パターン１８に接
続する。クリップ端子２４は先端が駆動ＩＣ２２の近傍
に現れるように配置し、図示しない配線パターンを介し
て駆動ＩＣ２２に接続する。そしてクリップ端子２４に
より、駆動ＩＣ２２の熱をプリント基板４の側に逃が
す。好ましくは駆動ＩＣ２２の端面とクリップ端子２４
の先端との間隔Ｄを０．５〜３ｍｍとする。このように
すれば、駆動ＩＣ２２を多数のクリップ端子２４により
放熱し、過熱を防止することができる。
ため、最も過熱し易いＩＣである。そこでクリップ端子
２４で、駆動ＩＣ２２を基板４の配線パターン１８に接
続する。クリップ端子２４は先端が駆動ＩＣ２２の近傍
に現れるように配置し、図示しない配線パターンを介し
て駆動ＩＣ２２に接続する。そしてクリップ端子２４に
より、駆動ＩＣ２２の熱をプリント基板４の側に逃が
す。好ましくは駆動ＩＣ２２の端面とクリップ端子２４
の先端との間隔Ｄを０．５〜３ｍｍとする。このように
すれば、駆動ＩＣ２２を多数のクリップ端子２４により
放熱し、過熱を防止することができる。
【００１０】図３に、プリント基板４のスイッチングＩ
Ｃ１６側の配置を示す。鎖線で示した領域が配線パター
ン１８で、クリップ端子２０，２４は配線パターン１８
を介してスイッチングＩＣ１６等に接続する。
Ｃ１６側の配置を示す。鎖線で示した領域が配線パター
ン１８で、クリップ端子２０，２４は配線パターン１８
を介してスイッチングＩＣ１６等に接続する。
【００１１】図４に、フリップチップ接続の工程を示
す。クリップ端子２０，２４は例えば半田付けで接続
し、事前に半田メッキを施すと共に、半田付け部にクリ
ーム半田を塗布しておく。これと並行して、ダイマウン
タでＬＥＤアレイ８をダイマウントし、基板２に仮止め
しておく。次にクリップ端子２０，２４をセットする。
クリップ端子２０からの圧力は、その幅や厚さ，材質，
形状が一定であれば、一定となる。そして均一なクリッ
プ端子２０を製造することはきわめて容易で、各ＬＥＤ
アレイ８には均一な圧力が加わり、接続時にＬＥＤアレ
イ８が損傷することがない。クリップ端子２０，２４を
セットすることにより、基板２，４は仮止めされ、同時
にＬＥＤアレイ８はフリップチップ位置に固定される。
この状態で基板２，４を半田リフロー炉等をくぐらせ
る。するとクリップ端子２０，２４のクリーム半田が溶
融し、クリップ端子２０，２４の半田付けが行われる。
これによって基板２，４が一体に固定される。これと同
時にクリップ端子２０からの加圧力とリフロー炉の熱
で、バンプ１０，１２が溶着し、フリップチップ接続が
完成する。
す。クリップ端子２０，２４は例えば半田付けで接続
し、事前に半田メッキを施すと共に、半田付け部にクリ
ーム半田を塗布しておく。これと並行して、ダイマウン
タでＬＥＤアレイ８をダイマウントし、基板２に仮止め
しておく。次にクリップ端子２０，２４をセットする。
クリップ端子２０からの圧力は、その幅や厚さ，材質，
形状が一定であれば、一定となる。そして均一なクリッ
プ端子２０を製造することはきわめて容易で、各ＬＥＤ
アレイ８には均一な圧力が加わり、接続時にＬＥＤアレ
イ８が損傷することがない。クリップ端子２０，２４を
セットすることにより、基板２，４は仮止めされ、同時
にＬＥＤアレイ８はフリップチップ位置に固定される。
この状態で基板２，４を半田リフロー炉等をくぐらせ
る。するとクリップ端子２０，２４のクリーム半田が溶
融し、クリップ端子２０，２４の半田付けが行われる。
これによって基板２，４が一体に固定される。これと同
時にクリップ端子２０からの加圧力とリフロー炉の熱
で、バンプ１０，１２が溶着し、フリップチップ接続が
完成する。
【００１２】フリップチップ接続後のＬＥＤヘッドで
は、クリップ端子２０はＬＥＤアレイ８に対する静電シ
ールドとして働く。これはクリップ端子２０がＬＥＤア
レイ８の裏面の大部分を被覆するからである。またクリ
ップ端子２０は面積が広く、共通電極９をプリント基板
４の配線パターン１８に低抵抗で接続することができ
る。さらにクリップ端子２０は、ＬＥＤアレイ８の放熱
板として作用し、その過熱を防止することができる。駆
動ＩＣ２２には多数のクリップ端子２４をその近傍で接
続したので、クリップ端子２４を介して放熱させ、過熱
を防止することができる。
は、クリップ端子２０はＬＥＤアレイ８に対する静電シ
ールドとして働く。これはクリップ端子２０がＬＥＤア
レイ８の裏面の大部分を被覆するからである。またクリ
ップ端子２０は面積が広く、共通電極９をプリント基板
４の配線パターン１８に低抵抗で接続することができ
る。さらにクリップ端子２０は、ＬＥＤアレイ８の放熱
板として作用し、その過熱を防止することができる。駆
動ＩＣ２２には多数のクリップ端子２４をその近傍で接
続したので、クリップ端子２４を介して放熱させ、過熱
を防止することができる。
【００１３】
【発明の効果】この発明では、以下の効果が得られる。 1) 画像アレイのフリップチップ接続を容易にし、フリ
ップチップ接続時の画像アレイの損傷を防止する。 2) 画像アレイを共通電極からクリップ端子を介して放
熱し、画像アレイの温度上昇を防止する。 3) 画像アレイをクリップ端子で静電シールドし、誤動
作を防止する。 4) 画像アレイの共通電極への配線抵抗を小さくし、印
画品質を向上させる。
ップチップ接続時の画像アレイの損傷を防止する。 2) 画像アレイを共通電極からクリップ端子を介して放
熱し、画像アレイの温度上昇を防止する。 3) 画像アレイをクリップ端子で静電シールドし、誤動
作を防止する。 4) 画像アレイの共通電極への配線抵抗を小さくし、印
画品質を向上させる。
【図１】 実施例の画像装置の要部断面図
【図２】 実施例の画像装置での、透明基板の配置を示
す平面図
す平面図
【図３】 実施例の画像装置での、プリント基板の配置
を示す平面図
を示す平面図
【図４】 実施例の画像装置での、フリップチップ接続
工程を示す工程図
工程を示す工程図
２ ガラス基板 ４ プリント基板 ６ データバス ８ ＬＥＤアレイ ９ 共通電極 １０ バンプ １２ バンプ １６ スイッチングＩＣ １８ 配線パターン ２０ クリップ端子 ２２ 駆動ＩＣ ２４ クリップ端子
Claims (1)
- 【請求項１】 受発光素子を集積化した画像アレイを、
透明基板の一方の主面にフリップチップ接続した画像装
置において、 前記画像アレイのフリップチップ接続部と反対側の主面
に共通電極を設けると共に、 前記基板を挟むように配置したクリップ端子の、一端を
前記共通電極に接続し、かつその他端を、透明基板から
みて前記主面と反対側に設けた他の配線パターンに接続
したことを特徴とする、画像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12337993A JPH06310759A (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | 画像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12337993A JPH06310759A (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | 画像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310759A true JPH06310759A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14859127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12337993A Pending JPH06310759A (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | 画像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310759A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002100785A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-05 | Infineon Technologies Ag | 表面実装可能なオプトエレクトロニクスモジュールおよび該オプトエレクトロニクスモジュールを有するオプトエレクトロニクス結合ユニット |
| KR100419611B1 (ko) * | 2001-05-24 | 2004-02-25 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법 |
| JP2004287215A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 透過型光変調装置及びその実装方法 |
| JP2004325939A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Seiko Epson Corp | 光通信モジュール、光通信装置、及びその製造方法 |
| US7065275B2 (en) | 2003-06-18 | 2006-06-20 | Seiko Epson Corporation | Optic communications module, method for manufacturing the same, optic communications device, and electronic equipment |
| WO2006089510A2 (de) * | 2005-02-24 | 2006-08-31 | Wolfram Henning | Optisches halblξiterbauelement und zugehörige kontaktierungseinrichtung |
| US7693360B2 (en) | 2002-06-24 | 2010-04-06 | Nec Corporation | Optoelectronic hybrid integrated module and light input/output apparatus having the same as component |
-
1993
- 1993-04-26 JP JP12337993A patent/JPH06310759A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2002100785A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-05 | Infineon Technologies Ag | 表面実装可能なオプトエレクトロニクスモジュールおよび該オプトエレクトロニクスモジュールを有するオプトエレクトロニクス結合ユニット |
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| EP1174745A3 (de) * | 2000-07-18 | 2004-05-26 | Infineon Technologies AG | Optoelektronisches oberflächenmontierbares Modul |
| KR100419611B1 (ko) * | 2001-05-24 | 2004-02-25 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법 |
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| WO2006089510A3 (de) * | 2005-02-24 | 2007-01-11 | Wolfram Henning | Optisches halblξiterbauelement und zugehörige kontaktierungseinrichtung |
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