JPH06310629A - 半導体集積回路用パッケージ - Google Patents
半導体集積回路用パッケージInfo
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- JPH06310629A JPH06310629A JP5093138A JP9313893A JPH06310629A JP H06310629 A JPH06310629 A JP H06310629A JP 5093138 A JP5093138 A JP 5093138A JP 9313893 A JP9313893 A JP 9313893A JP H06310629 A JPH06310629 A JP H06310629A
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱特性が良い構造の放熱ヒートシンクを有
する半導体集積回路用パッケージを得る。 【構成】 放熱ヒートシンク本体１０の内部には、放熱
ヒートシンク本体１０の一方側面から他方側面にかけて
延び、放熱ヒートシンク本体１０を貫通する複数の空洞
部１１が設けられる。これらの複数の空洞部１１の底面
が、放熱ヒートシンク本体１０の側面全体に２行８列に
規則正しく配置されており、放熱ヒートシンク本体１０
の中央部を含む、平面上の全領域に空洞部１１が設けら
れる。 【効果】 空洞の内周面をも放熱面として利用すること
ができ、空洞は風の通気性が非常に優れているため、放
熱ヒートシンクの放熱特性を向上させることができる。
する半導体集積回路用パッケージを得る。 【構成】 放熱ヒートシンク本体１０の内部には、放熱
ヒートシンク本体１０の一方側面から他方側面にかけて
延び、放熱ヒートシンク本体１０を貫通する複数の空洞
部１１が設けられる。これらの複数の空洞部１１の底面
が、放熱ヒートシンク本体１０の側面全体に２行８列に
規則正しく配置されており、放熱ヒートシンク本体１０
の中央部を含む、平面上の全領域に空洞部１１が設けら
れる。 【効果】 空洞の内周面をも放熱面として利用すること
ができ、空洞は風の通気性が非常に優れているため、放
熱ヒートシンクの放熱特性を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は放熱特性が改善された
放熱用のヒートシンクを有する半導体集積回路用パッケ
ージに関するものである。
放熱用のヒートシンクを有する半導体集積回路用パッケ
ージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、大規模半導体集積回路（以下、
「ＬＳＩ」と略す）は、製造の微細加工技術の進歩と、
ｐＭＯＳＦＥＴとｎＭＯＳＦＥＴを用いた相補型金属酸
化膜半導体（以下、「ＣＭＯＳ」と略す）回路や、ＣＭ
ＯＳとバイポーラトランジスタとを一つのチップ上に形
成し回路を構成するＢｉＣＭＯＳ回路といった回路技術
の発展により様々な機能を実現することが可能になって
きた。特にＣＭＯＳやＢｉＣＭＯＳで構成される論理回
路では、定常状態では直流電流が流れない回路構成にな
っており動作時のみ電力を消費するため、低消費電力で
ありながら高速動作が可能となっている。
「ＬＳＩ」と略す）は、製造の微細加工技術の進歩と、
ｐＭＯＳＦＥＴとｎＭＯＳＦＥＴを用いた相補型金属酸
化膜半導体（以下、「ＣＭＯＳ」と略す）回路や、ＣＭ
ＯＳとバイポーラトランジスタとを一つのチップ上に形
成し回路を構成するＢｉＣＭＯＳ回路といった回路技術
の発展により様々な機能を実現することが可能になって
きた。特にＣＭＯＳやＢｉＣＭＯＳで構成される論理回
路では、定常状態では直流電流が流れない回路構成にな
っており動作時のみ電力を消費するため、低消費電力で
ありながら高速動作が可能となっている。
【０００３】しかし、例えば、日経マイクロデバイス１
９９１年４月号(p.p38-50)等の文献に開示されているよ
うに、ＬＳＩの動作周波数は年々向上しているため、こ
れに伴い消費電力も増加し、信頼性確保の面から通常の
ＬＳＩ（収納用）パッケージでＬＳＩを収納することは
下記の理由で不可能となる傾向にある。
９９１年４月号(p.p38-50)等の文献に開示されているよ
うに、ＬＳＩの動作周波数は年々向上しているため、こ
れに伴い消費電力も増加し、信頼性確保の面から通常の
ＬＳＩ（収納用）パッケージでＬＳＩを収納することは
下記の理由で不可能となる傾向にある。
【０００４】一般にシリコンのＬＳＩでは、信頼性確保
の点からチップの最高接合温度Ｔｊｍａｘを指標にして
おり、以下の式で表現される。
の点からチップの最高接合温度Ｔｊｍａｘを指標にして
おり、以下の式で表現される。
【０００５】 Ｔｊｍａｘ＝Ｔａｍａｘ＋Ｐｄｍａｘ * （θｊｃ＋θｃａ）＝１００〜１２５℃…(I) (I) 式において、ＴａｍａｘはＬＳＩを動作させる周囲
温度の最大値、ＰｄｍａｘはＬＳＩの消費電力、θｊｃ
はＬＳＩチップからチップを実装したＬＳＩパッケージ
までの熱抵抗、θｃａはＬＳＩパッケージから周囲の雰
囲気（外気）までの熱抵抗である。なお、熱抵抗θｊ
ｃ，θｃａはそれぞれ使用するＬＳＩパッケージ及び使
用環境によって固有の値を持つ。
温度の最大値、ＰｄｍａｘはＬＳＩの消費電力、θｊｃ
はＬＳＩチップからチップを実装したＬＳＩパッケージ
までの熱抵抗、θｃａはＬＳＩパッケージから周囲の雰
囲気（外気）までの熱抵抗である。なお、熱抵抗θｊ
ｃ，θｃａはそれぞれ使用するＬＳＩパッケージ及び使
用環境によって固有の値を持つ。
【０００６】例えば、２８１のピンのセラミックＰＧＡ
（Pin Grid Array Package) を用いた場合の許容消費電
力Ｐｄｍａｘを求める場合を考える。
（Pin Grid Array Package) を用いた場合の許容消費電
力Ｐｄｍａｘを求める場合を考える。
【０００７】２８１ピンのセラミックＰＧＡの場合、熱
抵抗は通常のヒートシンク無し、無風の時、θｊｃ＋θ
ｃａ＝３０℃／Ｗ程度である。これに最高接合温度Ｔｊ
ｍａｘ＝１００℃、周囲温度最大値Ｔａｍａｘ＝７５℃
（ＴＴＬに代表される半導体集積回路の製品の温度保証
範囲）という条件下で、Ｐｄｍａｘ＝０．８３Ｗとな
る。
抵抗は通常のヒートシンク無し、無風の時、θｊｃ＋θ
ｃａ＝３０℃／Ｗ程度である。これに最高接合温度Ｔｊ
ｍａｘ＝１００℃、周囲温度最大値Ｔａｍａｘ＝７５℃
（ＴＴＬに代表される半導体集積回路の製品の温度保証
範囲）という条件下で、Ｐｄｍａｘ＝０．８３Ｗとな
る。
【０００８】ここで許容消費電力Ｐｄｍａｘを１Ｗ以上
にするためには、Ｔａｍａｘを小さくするか、ＬＳＩパ
ッケージの熱抵抗θｊｃ，θｃａを下げるしか方法はな
く、通常は放熱用のヒートシンクをＬＳＩパッケージに
装着し外部からの強制送風により熱抵抗θｃａを下げる
方法が採られる。
にするためには、Ｔａｍａｘを小さくするか、ＬＳＩパ
ッケージの熱抵抗θｊｃ，θｃａを下げるしか方法はな
く、通常は放熱用のヒートシンクをＬＳＩパッケージに
装着し外部からの強制送風により熱抵抗θｃａを下げる
方法が採られる。
【０００９】以上のことから、ＬＳＩパッケージにも例
えば、図６及び図７に示すような放熱ヒートシンクを取
付けたＬＳＩパッケージが採用されており、この放熱ヒ
ートシンクに風を送ることでＬＳＩチップの発熱による
温度上昇を抑えている。
えば、図６及び図７に示すような放熱ヒートシンクを取
付けたＬＳＩパッケージが採用されており、この放熱ヒ
ートシンクに風を送ることでＬＳＩチップの発熱による
温度上昇を抑えている。
【００１０】図６及び図７で示したＬＳＩパッケージ
は、例えば１９８７年９月版のＮＥＣ社のパンフレット
である『ゲートアレイスタンダードセル』のＬＳＩパッ
ケージラインアップの項や、『ＴＲＯＮ ＮＯＷ 〜Ｔ
ＲＯＮ仕様関連製品のすべて〜』（１９９０年１２月
ＴＲＯＮ協会発行）におけるｐ．ｐ２２−２３の『ＧＭ
ＩＣＲＯ Ｆ３２／３００ ＭＰＵ ＭＢ９２３０１』
等に掲載されている。
は、例えば１９８７年９月版のＮＥＣ社のパンフレット
である『ゲートアレイスタンダードセル』のＬＳＩパッ
ケージラインアップの項や、『ＴＲＯＮ ＮＯＷ 〜Ｔ
ＲＯＮ仕様関連製品のすべて〜』（１９９０年１２月
ＴＲＯＮ協会発行）におけるｐ．ｐ２２−２３の『ＧＭ
ＩＣＲＯ Ｆ３２／３００ ＭＰＵ ＭＢ９２３０１』
等に掲載されている。
【００１１】図６及び図７において、図６はＬＳＩパッ
ケージの上面形状を示す上面図であり、図７は図６のＡ
−Ａ断面を示す断面図である。図６及び図７に示すよう
に、ダイパッド７の表面上に搭載されたＬＳＩチップ４
はＬＳＩパッケージ本体１内に収納される。また、ＬＳ
Ｉチップ４は金属ワイヤー５及び外部リードピン２を介
して、外部信号との授受が可能となっている。また、３
はＬＳＩパッケージ本体の蓋である。一方、ダイパッド
の裏面上には放熱ヒートシンク６が形成される。放熱ヒ
ートシンク６の上面は複数の小さな円柱が突出した形状
を有している。このため、図６の上面図において、上下
左右どの方向から風が吹いてもその放熱特性を同一にで
きるという特徴を有している。
ケージの上面形状を示す上面図であり、図７は図６のＡ
−Ａ断面を示す断面図である。図６及び図７に示すよう
に、ダイパッド７の表面上に搭載されたＬＳＩチップ４
はＬＳＩパッケージ本体１内に収納される。また、ＬＳ
Ｉチップ４は金属ワイヤー５及び外部リードピン２を介
して、外部信号との授受が可能となっている。また、３
はＬＳＩパッケージ本体の蓋である。一方、ダイパッド
の裏面上には放熱ヒートシンク６が形成される。放熱ヒ
ートシンク６の上面は複数の小さな円柱が突出した形状
を有している。このため、図６の上面図において、上下
左右どの方向から風が吹いてもその放熱特性を同一にで
きるという特徴を有している。
【００１２】したがって、例えばＬＳＩを収納した、図
６及び図７で示した構造のＬＳＩパッケージをプリント
基板上に実装した場合は、ＬＳＩパッケージを内蔵する
マイクロコンピュータ等の装置の筐体の熱設計を容易に
行えるという利点がある。
６及び図７で示した構造のＬＳＩパッケージをプリント
基板上に実装した場合は、ＬＳＩパッケージを内蔵する
マイクロコンピュータ等の装置の筐体の熱設計を容易に
行えるという利点がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図６及び図７
に示す構成の従来の放熱ヒートシンク６の形状では、放
熱ヒートシンク６の最外周部分と最内周部分（中央部）
とを比較した場合、外部から吹いてきた風の温度が外周
で上昇されたのち内周部に到達するため、内周部で熱が
こもり放熱特性が悪化するという問題点があった。
に示す構成の従来の放熱ヒートシンク６の形状では、放
熱ヒートシンク６の最外周部分と最内周部分（中央部）
とを比較した場合、外部から吹いてきた風の温度が外周
で上昇されたのち内周部に到達するため、内周部で熱が
こもり放熱特性が悪化するという問題点があった。
【００１４】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、放熱特性が良い構造の放熱用のヒートシ
ンクを有する半導体集積回路用パッケージを得ることを
目的とする。
されたもので、放熱特性が良い構造の放熱用のヒートシ
ンクを有する半導体集積回路用パッケージを得ることを
目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる請求項
１記載の半導体集積回路用パッケージは、半導体集積回
路を収納し、放熱用のヒートシンクを備えており、前記
ヒートシンクの中央部を通り、前記ヒートシンクを貫通
する少なくとも１つの空洞を、前記ヒートシンクに設け
ている。
１記載の半導体集積回路用パッケージは、半導体集積回
路を収納し、放熱用のヒートシンクを備えており、前記
ヒートシンクの中央部を通り、前記ヒートシンクを貫通
する少なくとも１つの空洞を、前記ヒートシンクに設け
ている。
【００１６】望ましくは、請求項２記載の半導体集積回
路用パッケージのように、前記空洞の断面形状は四角形
である。
路用パッケージのように、前記空洞の断面形状は四角形
である。
【００１７】望ましくは、請求項３記載の半導体集積回
路用パッケージのように、前記空洞の断面形状は円形で
ある。
路用パッケージのように、前記空洞の断面形状は円形で
ある。
【００１８】この発明にかかる請求項４記載の半導体集
積回路用パッケージは、半導体集積回路を収納し、放熱
用のヒートシンクを備えており、前記ヒートシンクは、
空洞が前記ヒートシンクの中央部を通る少なくとも１つ
の筒体から構成される。
積回路用パッケージは、半導体集積回路を収納し、放熱
用のヒートシンクを備えており、前記ヒートシンクは、
空洞が前記ヒートシンクの中央部を通る少なくとも１つ
の筒体から構成される。
【００１９】望ましくは、請求項５記載の半導体集積回
路用パッケージのように、前記筒体は複数存在し、所定
の配列で各々が積み重なって配置される。
路用パッケージのように、前記筒体は複数存在し、所定
の配列で各々が積み重なって配置される。
【００２０】
【作用】この発明における請求項１、請求項２及び請求
項３記載の半導体集積回路用パッケージは、ヒートシン
クの中央部を通り、ヒートシンクを貫通する少なくとも
１つの空洞を、ヒートシンクに設けている。
項３記載の半導体集積回路用パッケージは、ヒートシン
クの中央部を通り、ヒートシンクを貫通する少なくとも
１つの空洞を、ヒートシンクに設けている。
【００２１】したがって、空洞の内周面をも放熱面とし
て利用することができる。また、空洞は風の通気性が非
常に優れているため、ヒートシンクの中央部を通る空洞
の存在により、ヒートシンクの中央部と外周部との間に
温度差が生じることもない。
て利用することができる。また、空洞は風の通気性が非
常に優れているため、ヒートシンクの中央部を通る空洞
の存在により、ヒートシンクの中央部と外周部との間に
温度差が生じることもない。
【００２２】この発明における請求項４及び請求項５記
載の半導体集積回路用パッケージにおけるヒートシンク
は、空洞がヒートシンクの中央部を通る少なくとも１つ
の筒体から構成されるしたがって、筒体の空洞の内周面
をも放熱面として利用することができる。また、筒体の
空洞は風の通気性が非常に優れているため、ヒートシン
クの中央部を通る空洞の存在により、ヒートシンクの中
央部と外周部との間に温度差が生じることもない。
載の半導体集積回路用パッケージにおけるヒートシンク
は、空洞がヒートシンクの中央部を通る少なくとも１つ
の筒体から構成されるしたがって、筒体の空洞の内周面
をも放熱面として利用することができる。また、筒体の
空洞は風の通気性が非常に優れているため、ヒートシン
クの中央部を通る空洞の存在により、ヒートシンクの中
央部と外周部との間に温度差が生じることもない。
【００２３】
【実施例】＜第１の実施例＞図１及び図２は、この発明
の第１の実施例であるＬＳＩパッケージの構成を示す図
である。図１はその上面形状を示す上面図であり、図２
は図１のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。
の第１の実施例であるＬＳＩパッケージの構成を示す図
である。図１はその上面形状を示す上面図であり、図２
は図１のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。
【００２４】図１及び図２に示すように、ダイパッド７
の裏面に形成され、形状が直方体の放熱ヒートシンク本
体１０の内部には、放熱ヒートシンク本体１０の一方側
面から他方側面にかけて（図１の上下方向に）延び、放
熱ヒートシンク本体１０を貫通し、断面形状が四角形の
複数の空洞部１１が設けられている。これらの複数の空
洞部１１の底面が、図２に示すように、放熱ヒートシン
ク本体１０の側面全体に２行８列に規則正しく配置され
ており、放熱ヒートシンク本体１０の中央部を含む、放
熱ヒートシンク本体１０のほぼ全領域に空洞部１１が設
けられる。なお、他の構成は図６及び図７で示した従来
のＬＳＩパッケージと同様であるため、説明は省略す
る。
の裏面に形成され、形状が直方体の放熱ヒートシンク本
体１０の内部には、放熱ヒートシンク本体１０の一方側
面から他方側面にかけて（図１の上下方向に）延び、放
熱ヒートシンク本体１０を貫通し、断面形状が四角形の
複数の空洞部１１が設けられている。これらの複数の空
洞部１１の底面が、図２に示すように、放熱ヒートシン
ク本体１０の側面全体に２行８列に規則正しく配置され
ており、放熱ヒートシンク本体１０の中央部を含む、放
熱ヒートシンク本体１０のほぼ全領域に空洞部１１が設
けられる。なお、他の構成は図６及び図７で示した従来
のＬＳＩパッケージと同様であるため、説明は省略す
る。
【００２５】このように、放熱ヒートシンク本体１０を
貫通する四角柱状の空洞部１１を複数個設けることによ
り、複数の空洞部１１それぞれの内周面をも放熱面とす
ることができる。すなわち、第１の実施例の放熱ヒート
シンク本体１０の構造と図６及び図７で示した従来例の
放熱ヒートシンク６の構造とを比較した場合、空洞部１
１内の内周面（特に、図２の水平方向に形成される内周
面）をも放熱面とできることから、従来より放熱面積を
大きくすることができ、放熱特性をより良いものに改善
することができる。
貫通する四角柱状の空洞部１１を複数個設けることによ
り、複数の空洞部１１それぞれの内周面をも放熱面とす
ることができる。すなわち、第１の実施例の放熱ヒート
シンク本体１０の構造と図６及び図７で示した従来例の
放熱ヒートシンク６の構造とを比較した場合、空洞部１
１内の内周面（特に、図２の水平方向に形成される内周
面）をも放熱面とできることから、従来より放熱面積を
大きくすることができ、放熱特性をより良いものに改善
することができる。
【００２６】加えて、複数の空洞部１１はそれぞれ極め
て風の通気性がよく、少なくとも１つの空洞部１１は放
熱ヒートシンク本体１０の中央部に設けられるため、放
熱ヒートシンク本体の最外周部分と最内周部分（中央
部）との間に温度差が生じことによる放熱特性の悪化と
いう問題も解決される。
て風の通気性がよく、少なくとも１つの空洞部１１は放
熱ヒートシンク本体１０の中央部に設けられるため、放
熱ヒートシンク本体の最外周部分と最内周部分（中央
部）との間に温度差が生じことによる放熱特性の悪化と
いう問題も解決される。
【００２７】＜第２の実施例＞図３はこの発明の第２の
実施例であるＬＳＩパッケージの断面形状を示す断面図
である。なお、第２の実施例のＬＳＩパッケージの上面
形状は、図１で示した第１の実施例の上面図と同様であ
り、図３はそのＢ−Ｂ断面図に相当する。
実施例であるＬＳＩパッケージの断面形状を示す断面図
である。なお、第２の実施例のＬＳＩパッケージの上面
形状は、図１で示した第１の実施例の上面図と同様であ
り、図３はそのＢ−Ｂ断面図に相当する。
【００２８】図３に示すように、ダイパッド７の裏面に
形成され、形状が直方体の放熱ヒートシンク本体１０の
内部には、放熱ヒートシンク本体１０の一方側面から他
方側面にかけて（図１の上下方向）に延び、放熱ヒート
シンク本体１０を貫通し、断面形状が円形の複数の空洞
部１２が設けられている。これらの複数の空洞部１２の
底面が、図３に示すように、放熱ヒートシンク本体１０
の側面全体に２行８列に規則正しく配置されており、放
熱ヒートシンク本体１０の中央部を含む、平面上の全領
域に空洞部１２が設けられる。なお、他の構成は図６及
び図７で説明した従来例と同様であるため、説明は省略
する。
形成され、形状が直方体の放熱ヒートシンク本体１０の
内部には、放熱ヒートシンク本体１０の一方側面から他
方側面にかけて（図１の上下方向）に延び、放熱ヒート
シンク本体１０を貫通し、断面形状が円形の複数の空洞
部１２が設けられている。これらの複数の空洞部１２の
底面が、図３に示すように、放熱ヒートシンク本体１０
の側面全体に２行８列に規則正しく配置されており、放
熱ヒートシンク本体１０の中央部を含む、平面上の全領
域に空洞部１２が設けられる。なお、他の構成は図６及
び図７で説明した従来例と同様であるため、説明は省略
する。
【００２９】このように、放熱ヒートシンク本体１０を
貫通する円柱状の空洞部１２を複数個設けることによ
り、複数の空洞部１２それぞれの内周面をも放熱面とす
ることができる。このため、従来より放熱面積を大きく
することができ、放熱特性をより良いものに改善するこ
とができる。
貫通する円柱状の空洞部１２を複数個設けることによ
り、複数の空洞部１２それぞれの内周面をも放熱面とす
ることができる。このため、従来より放熱面積を大きく
することができ、放熱特性をより良いものに改善するこ
とができる。
【００３０】加えて、複数の空洞部１２はそれぞれ極め
て風の通気性がよく、少なくとも１つの空洞部１２は放
熱ヒートシンク本体１０の中央部に設けられるため、放
熱ヒートシンク本体の最外周部分と最内周部分（中央
部）との間に温度差が生じことによる放熱特性の悪化と
いう問題も解決される。
て風の通気性がよく、少なくとも１つの空洞部１２は放
熱ヒートシンク本体１０の中央部に設けられるため、放
熱ヒートシンク本体の最外周部分と最内周部分（中央
部）との間に温度差が生じことによる放熱特性の悪化と
いう問題も解決される。
【００３１】さらに、放熱ヒートシンク本体１０に形成
される空洞部１２の形状を加工しやすい円柱（円筒）形
状にしたため、空洞部１２を比較的容易に形成できる利
点を有する。
される空洞部１２の形状を加工しやすい円柱（円筒）形
状にしたため、空洞部１２を比較的容易に形成できる利
点を有する。
【００３２】＜第３の実施例＞図４及び図５は、この発
明の第３の実施例であるＬＳＩパッケージの構成を示す
図である。図４はその上面形状を示す上面図であり、図
５は図４のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
明の第３の実施例であるＬＳＩパッケージの構成を示す
図である。図４はその上面形状を示す上面図であり、図
５は図４のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【００３３】図４及び図５に示すように、ダイパッド７
の裏面に放熱ヒートシンク用基板１４が形成され、この
放熱ヒートシンク用基板１４上に、内部に空洞１３Ａが
設けられた複数の円筒体１３を積み重ねることにより、
放熱ヒートシンク本体２０を構成している。これら複数
の円筒体１３は、図５に示すように、３行８列に規則正
しく配置され、それぞの軸心方向はすべて同一（図４の
上下方向）である。このように、放熱ヒートシンク本体
２０のほぼ全領域が複数の円筒体１３により構成される
ため、当然のことながら、放熱ヒートシンク本体２０の
中央部にも、円筒体１３が設けられる。なお、１５は、
円筒体１３，１３間及び円筒体１３，放熱ヒートシンク
用基板１４間を接着する接着材である。また、他の構成
は図６及び図７で説明した従来例と同様であるため、説
明は省略する。
の裏面に放熱ヒートシンク用基板１４が形成され、この
放熱ヒートシンク用基板１４上に、内部に空洞１３Ａが
設けられた複数の円筒体１３を積み重ねることにより、
放熱ヒートシンク本体２０を構成している。これら複数
の円筒体１３は、図５に示すように、３行８列に規則正
しく配置され、それぞの軸心方向はすべて同一（図４の
上下方向）である。このように、放熱ヒートシンク本体
２０のほぼ全領域が複数の円筒体１３により構成される
ため、当然のことながら、放熱ヒートシンク本体２０の
中央部にも、円筒体１３が設けられる。なお、１５は、
円筒体１３，１３間及び円筒体１３，放熱ヒートシンク
用基板１４間を接着する接着材である。また、他の構成
は図６及び図７で説明した従来例と同様であるため、説
明は省略する。
【００３４】このように、放熱ヒートシンク本体２０
を、放熱ヒートシンク用基板１４と内部に空洞１３Ａが
設けられた複数の円筒体１３とで形成することにより、
各円筒体１３の空洞１３Ａの内周面をも放熱面とするこ
とができる。このため、従来より放熱面積を大きくする
ことができ、放熱特性をより良いものに改善することが
できる。
を、放熱ヒートシンク用基板１４と内部に空洞１３Ａが
設けられた複数の円筒体１３とで形成することにより、
各円筒体１３の空洞１３Ａの内周面をも放熱面とするこ
とができる。このため、従来より放熱面積を大きくする
ことができ、放熱特性をより良いものに改善することが
できる。
【００３５】加えて、各円筒体１３の空洞１３Ａはそれ
ぞれ風の通気性がよく、少なくとも１つの円筒体１３は
放熱ヒートシンク本体２０の中央部に設けられるため、
放熱ヒートシンク本体の最外周部分と最内周部分（中央
部）との間に温度差が生じことによる放熱特性の悪化と
いう問題も回避される。
ぞれ風の通気性がよく、少なくとも１つの円筒体１３は
放熱ヒートシンク本体２０の中央部に設けられるため、
放熱ヒートシンク本体の最外周部分と最内周部分（中央
部）との間に温度差が生じことによる放熱特性の悪化と
いう問題も回避される。
【００３６】＜その他＞放熱ヒートシンク本体１０に設
ける空洞として、第１の実施例では断面形状が四角形の
空洞、第２の実施例では断面形状が円形の空洞を示した
が、これ以外の断面形状の空洞でよい。また、空洞の数
は１つでもよい。ただし、少なくとも１つの空洞が放熱
ヒートシンク本体１０の中央部を貫通する必要がある。
ける空洞として、第１の実施例では断面形状が四角形の
空洞、第２の実施例では断面形状が円形の空洞を示した
が、これ以外の断面形状の空洞でよい。また、空洞の数
は１つでもよい。ただし、少なくとも１つの空洞が放熱
ヒートシンク本体１０の中央部を貫通する必要がある。
【００３７】また、放熱ヒートシンク本体の形状も、第
１及び第２の実施例の放熱ヒートシンク本体１０のよう
に直方体で形成する必要はなく、円柱等の他の形状でで
もよい。
１及び第２の実施例の放熱ヒートシンク本体１０のよう
に直方体で形成する必要はなく、円柱等の他の形状でで
もよい。
【００３８】また、第３の実施例では筒体として、円筒
体１３を示したが、これ以外の形状の筒体でもよい。ま
た、筒体の数は１つでもよい。だだし、少なくとも１つ
の筒体が放熱ヒートシンク本体２０の中央部に配置され
る必要がある。
体１３を示したが、これ以外の形状の筒体でもよい。ま
た、筒体の数は１つでもよい。だだし、少なくとも１つ
の筒体が放熱ヒートシンク本体２０の中央部に配置され
る必要がある。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明における
請求項１、請求項２及び請求項３記載の半導体集積回路
用パッケージは、ヒートシンクの中央部を通り、ヒート
シンクを貫通する少なくとも１つの空洞を、ヒートシン
クに設けている。
請求項１、請求項２及び請求項３記載の半導体集積回路
用パッケージは、ヒートシンクの中央部を通り、ヒート
シンクを貫通する少なくとも１つの空洞を、ヒートシン
クに設けている。
【００４０】その結果、空洞の内周面をも放熱面として
利用することができ、空洞は風の通気性が非常に優れて
おり、ヒートシンクの中央部を通る空洞の存在により、
ヒートシンクの中央部と外周部との間に温度差が生じる
こともないため、放熱特性を大幅に向上させることがで
きる。
利用することができ、空洞は風の通気性が非常に優れて
おり、ヒートシンクの中央部を通る空洞の存在により、
ヒートシンクの中央部と外周部との間に温度差が生じる
こともないため、放熱特性を大幅に向上させることがで
きる。
【００４１】加えて、請求項３記載の半導体集積回路用
パッケージは、空洞の断面形状を円形にすることによ
り、空洞を比較的容易に形成できる効果も奏する。
パッケージは、空洞の断面形状を円形にすることによ
り、空洞を比較的容易に形成できる効果も奏する。
【００４２】また、この発明における請求項４及び請求
項５記載の半導体集積回路用パッケージにおけるヒート
シンクは、空洞がヒートシンクの中央部を通る少なくと
も１つの筒体から構成される。
項５記載の半導体集積回路用パッケージにおけるヒート
シンクは、空洞がヒートシンクの中央部を通る少なくと
も１つの筒体から構成される。
【００４３】その結果、筒体の空洞の内周面をも放熱面
として利用することができ、筒体の空洞は風の通気性が
非常に優れており、ヒートシンクの中央部を通る空洞の
存在により、ヒートシンクの中央部と外周部との間に温
度差が生じることもないため、放熱特性を大幅に向上さ
せることができる。
として利用することができ、筒体の空洞は風の通気性が
非常に優れており、ヒートシンクの中央部を通る空洞の
存在により、ヒートシンクの中央部と外周部との間に温
度差が生じることもないため、放熱特性を大幅に向上さ
せることができる。
【図１】第１の実施例のＬＳＩパッケージの上面形状を
示す上面図である。
示す上面図である。
【図２】第１の実施例のＬＳＩパッケージの断面形状を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】第２の実施例のＬＳＩパッケージの断面形状を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】第３の実施例のＬＳＩパッケージの上面形状を
示す上面図である。
示す上面図である。
【図５】第３の実施例のＬＳＩパッケージの断面形状を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】従来のＬＳＩパッケージの上面形状を示す上面
図である。
図である。
【図７】従来のＬＳＩパッケージの断面形状を示す断面
図である。
図である。
【符号の説明】 １ ＬＳＩパッケージ本体 ４ ＬＳＩチップ １０ 放熱ヒートシンク本体 １１ 空洞部 １２ 空洞部 １３ 円筒体 １４ 放熱ヒートシンク用基板
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体集積回路を収納し、放熱用のヒー
トシンクを備えた半導体集積回路用パッケージにおい
て、 前記ヒートシンクの中央部を通り、前記ヒートシンクを
貫通する少なくとも１つの空洞を、前記ヒートシンクに
設けたことを特徴とする半導体集積回路用パッケージ。 - 【請求項２】 前記空洞の断面形状は四角形である請求
項１記載の半導体集積回路用パッケージ。 - 【請求項３】 前記空洞の断面形状は円形である請求項
１記載の半導体集積回路用パッケージ。 - 【請求項４】 半導体集積回路を収納し、放熱用のヒー
トシンクを備えた半導体集積回路用パッケージにおい
て、 前記ヒートシンクは、空洞が前記ヒートシンクの中央部
を通る少なくとも１つの筒体から構成されることを特徴
とする半導体集積回路用パッケージ。 - 【請求項５】 前記筒体は複数存在し、所定の配列で各
々が積み重なって配置される請求項４記載の半導体集積
回路用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5093138A JPH06310629A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 半導体集積回路用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5093138A JPH06310629A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 半導体集積回路用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310629A true JPH06310629A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14074171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5093138A Pending JPH06310629A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 半導体集積回路用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310629A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6043980A (en) * | 1997-02-24 | 2000-03-28 | Fujitsu Limited | Heat sink and information processor using it |
| US6501652B2 (en) | 1997-02-24 | 2002-12-31 | Fujitsu Limited | Heat sink and information processor using it |
| USD543953S1 (en) | 2003-09-02 | 2007-06-05 | Cubic Wafer, Inc. | Wing portion of a butterfly-style inside-out heat sink |
-
1993
- 1993-04-20 JP JP5093138A patent/JPH06310629A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6043980A (en) * | 1997-02-24 | 2000-03-28 | Fujitsu Limited | Heat sink and information processor using it |
| US6172872B1 (en) | 1997-02-24 | 2001-01-09 | Fujitsu Limited | Heat sink and information processor using it |
| US6301111B1 (en) | 1997-02-24 | 2001-10-09 | Fujitsu Limited | Heat sink and information processor using it |
| US6501652B2 (en) | 1997-02-24 | 2002-12-31 | Fujitsu Limited | Heat sink and information processor using it |
| USD543953S1 (en) | 2003-09-02 | 2007-06-05 | Cubic Wafer, Inc. | Wing portion of a butterfly-style inside-out heat sink |
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