JPH06289347A - Optical waveguide device and manufacturing method thereof - Google Patents
Optical waveguide device and manufacturing method thereofInfo
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- JPH06289347A JPH06289347A JP7661893A JP7661893A JPH06289347A JP H06289347 A JPH06289347 A JP H06289347A JP 7661893 A JP7661893 A JP 7661893A JP 7661893 A JP7661893 A JP 7661893A JP H06289347 A JPH06289347 A JP H06289347A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は光通信などに用いる光変調器などの
光導波路素子に関するもので、特に光ファイバーとの結
合損失や伝搬損失の少ない光導波路素子の構造とその製
造方法を提供することを目的とする。
【構成】 複数の屈折率の同じ誘電体透光性基板1、2
を、前記誘電体透光性基板1、2よりも屈折率の低い層
3を介して直接接合し、少なくともその一方の基板に光
の閉じこめられた光導波路5、6を有するようにした構
成からなる。
(57) [Summary] [Object] The present invention relates to an optical waveguide device such as an optical modulator used for optical communication, and particularly to a structure of an optical waveguide device having a small coupling loss with an optical fiber and a propagation loss and a manufacturing method thereof. The purpose is to provide. [Structure] A plurality of dielectric transparent substrates 1 and 2 having the same refractive index
Is directly bonded via the layer 3 having a lower refractive index than the dielectric transparent substrates 1 and 2, and at least one of the substrates has optical waveguides 5 and 6 in which light is confined. Become.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光導波路を使った光強
度変調、光スイッチング、偏波面制御、伝搬モード制御
などを行う、各種光導波路素子の高性能化に関する構造
とその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure for improving the performance of various optical waveguide elements and a method for manufacturing the same, which performs optical intensity modulation using an optical waveguide, optical switching, polarization plane control, propagation mode control and the like. Is.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、光導波路素子、例えば、光変調
器、光スイッチ、光偏波面制御素子、光伝搬モード制御
素子などは、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)またはタンタ
ル酸リチウム(LiTaO3)などの電気光学効果を有する誘電
体単結晶に、単一モード伝搬の光導波路を形成し、その
形状を工夫するとともに、電極を適当な形で設け、電気
光学効果により、光導波路通過光を制御して行ってい
る。例えば、ア−ル.アルフェルネス氏(R. Alfernes
s)による、”ウエイブガイド エレクトロオプティッ
ク モデュレイタ−ズ”アイ・イ−・イ−・イ− トラ
ンザクションズ オンマイクロウエ−ブ アンド テク
ニ−ク−ズ、ボリュ−ム エム・アイ・ティ−30、ナ
ンバ−8、第1121頁−第1137頁(1982年)
("Waveguide Electrooptic Modulators" IEEE Transac
tions on Microwave and Techniques, Vol. MTT-30, N
o.8, 1121-1137(1982))にはこのような各種光導波路素
子の構成について記述してある。また光導波路の製造方
法については、例えば、アイ.カミノウ氏(I. Kamino
w)による、”オプティカル ウエイブガイド モデュ
レイタ−ズ”アイ・イ−・イ−・イ− トランザクショ
ンズ オン マイクロウエイブ アンド テクニ−ク−
ズ、ボリュ−ム エム・アイ・ティ−23、ナンバ−
1、第57頁−第70頁(1975年)("Optical Wav
eguide Modulators" IEEE Transactions on Microwave
and Techniques, Vol. MTT-23, No.1, 57-70(1975))
に各種記述されている。例えば、ニオブ酸リチウムやタ
ンタル酸リチウムを高温で熱処理して、Liをアウト−
ディフュ−ズ(out-diffuse)して屈折率を変化させた
り、チタンなどの金属を蒸着し、高温で熱拡散すること
により、拡散部分の屈折率を他の部分よりも少し高くす
ることによって、光を閉じこめるようにしている。チタ
ン拡散を用いたマッハーゼンダー型光変調器の例は例え
ば、日本特許公開公報、特開昭63−261219号に
記載してある。この他、所定部分に金属マスクをして、
200から300℃の燐酸中でプロトンイオン交換を行
い、屈折率を一部変え、光導波路を形成する方法なども
知られている。しかし、アウト−ディフュ−ジョン(ou
t-diffusion)や熱拡散、表面からのイオン交換などの
よる製造方法は、いずれも表面からの拡散処理により光
導波路を形成していることから、光導波路の断面形状
が、拡散に従った形状になるため、色々不都合がある。2. Description of the Related Art Conventionally, an optical waveguide device such as an optical modulator, an optical switch, an optical polarization plane control device, an optical propagation mode control device, etc. has been manufactured by using lithium niobate (LiNbO 3 ) or lithium tantalate (LiTaO 3 ). The optical waveguide of single mode propagation is formed on the dielectric single crystal having the electro-optical effect of, and the shape of the optical waveguide is devised, and the electrode is provided in an appropriate shape, and the light passing through the optical waveguide is controlled by the electro-optical effect. I am going. For example, al. R. Alfernes
s), "Wave Guide Electro-Optic Modulators" I-Y-I-Transactions on Microwave and Techniques, Volume MI T-30, Number 8, 1121 to 1137 (1982)
("Waveguide Electrooptic Modulators" IEEE Transac
tions on Microwave and Techniques, Vol. MTT-30, N
o.8, 1121-1137 (1982)) describes the configuration of such various optical waveguide devices. For the method of manufacturing the optical waveguide, see, for example, Eye. Mr. I. Kamino
w), "Optical Wave Guide Modulators" I-Y-I-Transactions on Microwave and Technology-
Z, Volume MI IT-23, Number
1, pp. 57-70 (1975) ("Optical Wav
eguide Modulators "IEEE Transactions on Microwave
and Techniques, Vol. MTT-23, No.1, 57-70 (1975))
Are described in various. For example, heat treatment of lithium niobate or lithium tantalate at high temperature to remove Li-
By changing the refractive index by out-diffuse, or vapor-depositing a metal such as titanium and thermally diffusing at high temperature, by making the refractive index of the diffusion part a little higher than other parts, I try to trap the light. An example of a Mach-Zehnder type optical modulator using titanium diffusion is described in, for example, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 63-261219. In addition, a metal mask is applied to a predetermined part,
A method of forming an optical waveguide by performing proton ion exchange in phosphoric acid at 200 to 300 ° C. to partially change the refractive index is also known. However, out-diffusion (ou
In all manufacturing methods such as t-diffusion), thermal diffusion, and ion exchange from the surface, the optical waveguide is formed by diffusion treatment from the surface, so the cross-sectional shape of the optical waveguide is Therefore, there are various inconveniences.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】大きな課題の一つに、
光導波路と光ファイバーとの結合損失がある。光ファイ
バーの断面形状は円形であるのに対して、従来の光導波
路の形状は、表面からの拡散によるため逆三角形に似た
形状であり、かつ導波光の強度の最も強い部分が、表面
近くにあるため、光ファイバーとの光結合があまりうま
くいかず、そこで大きな損失を生じていた。光導波路素
子では、光の結合損失の低減は極めて重要な課題となっ
ている。[Problems to be Solved by the Invention]
There is a coupling loss between the optical waveguide and the optical fiber. While the cross-sectional shape of an optical fiber is circular, the shape of a conventional optical waveguide is similar to an inverted triangle because it is diffused from the surface, and the portion with the strongest guided light intensity is near the surface. Therefore, the optical coupling with the optical fiber did not work very well, resulting in a large loss. In optical waveguide devices, reduction of light coupling loss has become an extremely important issue.
【0004】また拡散処理を行うことにより、拡散前よ
りも光伝搬損失が増大するという課題もあった。チタン
拡散光導波路の場合、通常数dB/cm程度の伝搬損失
が生ずる。伝搬損失の低減も光導波路素子の大きな課題
となっている。There is also a problem that the light propagation loss is increased by performing the diffusion process as compared with that before the diffusion. In the case of a titanium diffusion optical waveguide, a propagation loss of about several dB / cm usually occurs. Reducing propagation loss is also a major issue for optical waveguide devices.
【0005】また同じく拡散処理により光損傷が大きく
なるという課題もあった。これは、強度の強い光ないし
は短波長の光を拡散型光導波路に入れると、伝搬損失が
時間とともに増大するというものである。これはイオン
の光導波路中への拡散により、光導波路中に電子のトラ
ップが増大することによると考えられている。There is also a problem that the light damage is increased by the diffusion process. This is because when light of high intensity or light of short wavelength is introduced into the diffusion type optical waveguide, the propagation loss increases with time. It is considered that this is due to an increase in electron traps in the optical waveguide due to diffusion of ions into the optical waveguide.
【0006】拡散などの処理によらずに光導波路を形成
する方法として、例えば前述のカミノウ氏(Kaminow)
の文献には、タンタル酸リチウムの上にニオブ酸リチウ
ムを結晶成長させたり、ニオブ酸リチウムやタンタル酸
リチウムの上に、スパッタリングにより、ニオブ酸リチ
ウムの薄膜を形成して、その部分に光導波路を形成する
方法などが記述されている。また日本特許公開公報、特
開昭52ー23355号には、やはり、タンタル酸リチ
ウムなどの基板上にニオブ酸リチウムなどを液相、気
相、溶融などの各種方法によりエピタキシャル成長させ
て光導波路を形成する方法が記述されている。しかしこ
れの各種薄膜結晶成長技術を用いた光導波路形成方法に
もいくつかの問題点がある。第1に、エピタキシャル成
長膜は成長速度や成長時に発生する結晶内の歪の問題か
ら、5μm以上の膜厚を、実用的に得ることが困難であ
り生産性が非常に悪い。また5μm以下の薄膜では、光
の閉じこめられている部分であるコア径が約10μmあ
る光ファイバーとの結合特性が悪くなる。As a method of forming an optical waveguide without using a process such as diffusion, for example, the above-mentioned Kaminow (Kaminow)
In the reference, a lithium niobate crystal is grown on lithium tantalate, or a thin film of lithium niobate is formed on lithium niobate or lithium tantalate by sputtering, and an optical waveguide is formed on the thin film. The method of forming the layer is described. In Japanese Patent Laid-Open Publication No. 52-23355, again, an optical waveguide is formed by epitaxially growing lithium niobate or the like on a substrate such as lithium tantalate by various methods such as liquid phase, vapor phase and melting. How to do is described. However, there are some problems in the optical waveguide forming method using various thin film crystal growth techniques. First, it is difficult to obtain a film thickness of 5 μm or more practically and the productivity is extremely poor in the epitaxial growth film due to the problem of the growth rate and strain in the crystal generated during the growth. On the other hand, in the case of a thin film having a thickness of 5 μm or less, the coupling characteristics with an optical fiber having a core diameter of about 10 μm, which is a light confined portion, deteriorates.
【0007】また結晶成長ができるためには結晶格子の
間隔がほぼ同じでないと良好な単結晶薄膜が得られない
という厳しい条件がある。そのため、タンタル酸リチウ
ム基板上に、良好なニオブ酸リチウム結晶膜を形成する
ことは極めて困難であり、そのため多くはニオブータン
タル混晶膜の成長で行われている。ニオブ酸リチウムの
場合、混晶膜よりも、純粋のニオブ酸リチウムの方が、
光導波路特性全般に優れている。In addition, there is a severe condition that a good single crystal thin film cannot be obtained unless the intervals of crystal lattices are substantially the same in order to be able to grow crystals. Therefore, it is extremely difficult to form a good lithium niobate crystal film on a lithium tantalate substrate, and for this reason, most of the growth is carried out by growing a niobium-tantalum mixed crystal film. In the case of lithium niobate, pure lithium niobate is more
Excellent overall optical waveguide characteristics.
【0008】また同種材料のエピタキシャル成長は可能
であるが、結晶方位が同じとなるため、基板と成長させ
た薄膜の間に有効な屈折率差を得ることが困難であり、
が一様な基板となり、光導波路を形成できないなどの課
題があった。Although it is possible to epitaxially grow the same kind of material, it is difficult to obtain an effective refractive index difference between the substrate and the grown thin film because the crystal orientation is the same.
However, there is a problem that the substrate becomes uniform and the optical waveguide cannot be formed.
【0009】このような薄膜形成技術を用いた場合、そ
の膜質が良好でなければ、仮に厚くつんでも、光伝搬損
失が大きくなったり、光損傷が大きくなるため好ましく
ない。When such a thin film forming technique is used, if the film quality is not good, even if it is thick, the light propagation loss and the optical damage will be large, which is not preferable.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、屈折率の同じ透光性基板を、少なくとも2枚、前記
透光性基板よりも屈折率の低い層を介して直接接合し、
少なくともその一方の基板に光の閉じこめられた光導波
路を有するように構成したものである。In order to solve the above problems, at least two translucent substrates having the same refractive index are directly bonded through a layer having a lower refractive index than the translucent substrate,
At least one of the substrates has an optical waveguide in which light is confined.
【0011】[0011]
【作用】上記の構成とすることにより、光ファイバーと
の結合損失が少く、伝搬損失および光損傷の少ない光導
波路素子が得られる。With the above structure, an optical waveguide device having a small coupling loss with an optical fiber and a small propagation loss and optical damage can be obtained.
【0012】[0012]
【実施例】以下本発明の実施例の光導波路素子、特に光
変調器に適用した場合の構成とその製造方法について、
図面を参照しながら説明する。The following is a description of the configuration and manufacturing method thereof when applied to an optical waveguide device of an embodiment of the present invention, particularly an optical modulator.
A description will be given with reference to the drawings.
【0013】(実施例1)本実施例の構造の第1の例を
図1および図2に示す。図1は、光変調器に適用した場
合を示したもので、1は透光性の基板、2は基板1と同
じ屈折率を有する透光性の薄い基板、3は、基板1およ
び2の少なくとも一方の基板表面に形成された低屈折率
層で、基板1および2を直接接合している。4は基板2
に形成された入出力光導波路部、5は入力部から二つに
分岐されたうちの一方の分岐光導波路、6は他方の分岐
光導波路、7および8は分岐光導波路6の両側に形成さ
れた電極である。図2はその中心部分の断面図で、図に
おいて、1、2、3、5、6、7、8の各構成要素の名
称は、図1と同じである。分岐光導波路5、6は、断面
頭の部分が台形となっており、いわゆるリッジ型光導波
路の構造となっている。入出力光導波路4の断面形状も
同じになっている。9は導波光伝搬部を示したものであ
る。光変調器の構成そのものは、いわゆるマッハーゼン
ダー型と呼ばれるもので、入力部より入射した光を、二
つに分岐し、分岐した一方の光導波路に電界を加え、電
気光学効果により、光導波路部の屈折率を変えて導波光
の伝搬速度を変え、再結合部での光の位相が異なるよう
にすることにより、出力部の光の強度を変調するように
したものである。(Embodiment 1) A first example of the structure of this embodiment is shown in FIGS. 1 and 2. FIG. 1 shows a case where it is applied to an optical modulator. 1 is a transparent substrate, 2 is a thin transparent substrate having the same refractive index as the substrate 1, and 3 is a substrate 1 and 2. The low refractive index layer formed on the surface of at least one of the substrates directly joins the substrates 1 and 2. 4 is substrate 2
The input / output optical waveguide portion 5 formed at 1 is one of the branched optical waveguides branched from the input portion into two, 6 is the other branched optical waveguide, and 7 and 8 are formed on both sides of the branched optical waveguide 6. It is an electrode. FIG. 2 is a sectional view of the central portion thereof, and in the figure, the names of the respective constituent elements 1, 2, 3, 5, 6, 7, 8 are the same as those in FIG. The branch optical waveguides 5 and 6 have a trapezoidal cross-section head portion, and have a so-called ridge-type optical waveguide structure. The cross-sectional shape of the input / output optical waveguide 4 is also the same. Reference numeral 9 shows a guided light propagation section. The configuration itself of the optical modulator is so-called Mach-Zehnder type, and the light incident from the input part is split into two, and an electric field is applied to one of the branched optical waveguides, and the optical waveguide part is created by the electro-optic effect. The light intensity of the output portion is modulated by changing the refractive index of the light source to change the propagation speed of the guided light so that the phase of the light at the recombination portion is different.
【0014】透光性の基板として、大きな電気光学効果
を有するニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを
用いた。それぞれ屈折率は、常光に対して、2.29お
よび2.18である。これらの屈折率は、結晶方位によ
っても微妙に異なる。本実施例では全く同一材料で同一
結晶方位の材料同士の組合せを用いた。また低屈折率層
として酸化珪素または窒化珪素を用いた。それぞれ屈折
率は約1.5および2.0である。基板に用いるニオブ
酸リチウムおよびタンタル酸リチウムに対して、酸化珪
素および窒化珪素は、ともに屈折率が十分小さいため、
この低屈折率層の厚みをある程度以上厚くすることによ
り、一方の基板に光を閉じこめることができ、光導波路
の形成が可能となる。具体的には、光導波路を形成する
側の薄い方の基板2の厚みを7μm、基板1の厚みを4
00μm、低屈折率層3の厚みを2μmとした。さらに
基板2の光導波路形成部をいわゆるリッジ構造とするこ
とにより、リッジ下部の部分の方が、その他の部分より
も実効的屈折率が大きくなるため、光はリッジ下部に閉
じこめられ、それによりリッジ下部が光導波路として作
用する構造とした。リッジ頭部でっぱりの高さは2μ
m、光導波路幅は7μm、分岐光導波路部の長さは2c
m、光導波路部全体の長さは3cmとした。電極はアル
ミニウムを用いた。As the transparent substrate, lithium niobate or lithium tantalate having a large electro-optical effect was used. The respective refractive indices are 2.29 and 2.18 for ordinary light. These refractive indices slightly vary depending on the crystal orientation. In this embodiment, a combination of materials having completely the same material and the same crystal orientation was used. Further, silicon oxide or silicon nitride was used as the low refractive index layer. The indices of refraction are about 1.5 and 2.0, respectively. Since silicon oxide and silicon nitride both have sufficiently small refractive indexes as compared with lithium niobate and lithium tantalate used for the substrate,
By increasing the thickness of the low refractive index layer to a certain extent or more, light can be confined in one of the substrates, and an optical waveguide can be formed. Specifically, the thickness of the thinner substrate 2 on the side where the optical waveguide is formed is 7 μm, and the thickness of the substrate 1 is 4 μm.
The thickness of the low refractive index layer 3 was 00 μm and 2 μm. Further, by forming the optical waveguide forming portion of the substrate 2 into a so-called ridge structure, the portion under the ridge has a larger effective refractive index than the other portions, so that the light is confined under the ridge, whereby the ridge is formed. The structure is such that the lower part functions as an optical waveguide. The height of the ridge head is 2μ
m, the optical waveguide width is 7 μm, and the length of the branch optical waveguide portion is 2 c
m, and the total length of the optical waveguide portion was 3 cm. Aluminum was used for the electrodes.
【0015】この場合の導波路形状は、頭部が台形ない
しは矩形であとは均一の屈折率からなることにより、導
波光の中心は、光導波路の中心付近になり、かつ円形に
近い形となる。入出力光導波路部断面も同じ形状であ
り、したがって、光ファイバーのコア部(直径約10μ
m)の円形光導波路部構造との結合効率は極めて良好と
なる。実際、光ファイバーとの結合損失は、屈折率の整
合をとった接着材を用いて接着固定することにより、片
面で0.5dB以下となった。従来のニオブ酸リチウム
やタンタル酸リチウムを用いた拡散型光導波路を用いた
場合、同様の接着固定方法で、結合損失は1.0dB以
上であったことから大幅に改善された。In this case, the waveguide has a trapezoidal or rectangular head portion and has a uniform refractive index, so that the center of the guided light is near the center of the optical waveguide and has a shape close to a circle. . The cross sections of the input and output optical waveguides have the same shape.
The coupling efficiency with the circular optical waveguide structure of m) becomes extremely good. In fact, the coupling loss with the optical fiber was 0.5 dB or less on one side by adhesively fixing it with an adhesive material having a matching refractive index. When a conventional diffusion-type optical waveguide using lithium niobate or lithium tantalate was used, the bonding loss was 1.0 dB or more by the same adhesive fixing method, which was a great improvement.
【0016】また光導波路として、イオン拡散処理を行
なわない純粋の単結晶としての光学特性を有する透光性
基板を用いているため、光の伝搬損失も極めて小さくす
ることができた。具体的には、いずれの組合せにおいて
も、0.5dB/cm以下の光導波路伝搬損失が容易に
得られ、この面でも特性が改善された。Further, since the light transmissive substrate having the optical characteristics as a pure single crystal which is not subjected to the ion diffusion treatment is used as the optical waveguide, the propagation loss of light can be made extremely small. Specifically, in any combination, an optical waveguide propagation loss of 0.5 dB / cm or less was easily obtained, and the characteristics were improved also in this aspect.
【0017】また入射光の強度を0dBmから20dB
mまで変えて、光損傷の様子をみたが、ほとんど光損傷
は見られなっかた。これは、拡散処理を行わずに光導波
路を形成できるため、電子トラップの非常に少ない良好
の単結晶基板が用いられることによる効果と考えられ
る。これにより光損傷の面からも改善の効果が見られ
た。光変調器としての性能は、従来のニオブ酸リチウム
やタンタル酸リチウムを用いた拡散型光導波路で構成し
たものとほぼ同様の性能が得られた。なお測定は1.3
μmの波長で行った。Further, the intensity of incident light is changed from 0 dBm to 20 dB.
Although the state of light damage was observed after changing to m, almost no light damage was observed. This is considered to be an effect due to the use of a good single crystal substrate with very few electron traps, since an optical waveguide can be formed without performing diffusion processing. As a result, the effect of improvement was also seen in terms of light damage. The performance as an optical modulator was almost the same as that of a conventional diffusion type optical waveguide using lithium niobate or lithium tantalate. The measurement is 1.3
It was performed at a wavelength of μm.
【0018】ここで直接接合について説明する。直接接
合は有機物の接着剤を用いずに、無機材料同士を表面の
分子間力、界面の静電気力などによって接合するもので
ある。したがって接合する基板の熱膨張率が異なると、
温度変化に対して接合部に歪が発生し、接合強度があま
り大きくとれない、温度変化に対する信頼性に乏しいな
どの難点があった。したがって生産性がよく、信頼性の
高い直接接合を行なおうとすると、接合する基板同士の
熱膨張率が同じ方が好ましい。しかし一般に光導波路素
子に用いられる単結晶誘電体や単結晶半導体は、材料間
でその熱膨張率は大きく異なるし、また結晶方位によっ
ても熱膨張率は微妙に変化する。したがって本実施例の
ように、同一材料で同一結晶方位の基板同士を組み合わ
せれば、熱膨張率をほぼ完全に同一にすることができる
ため、生産性、信頼性の高い直接接合の得られるもので
ある。Here, the direct joining will be described. Direct bonding is a method of bonding inorganic materials to each other by an intermolecular force on the surface or an electrostatic force on the interface without using an organic adhesive. Therefore, if the substrates to be joined have different coefficients of thermal expansion,
Distortion is generated in the joint portion with respect to temperature change, the joint strength is not so large, and reliability with respect to temperature change is poor. Therefore, in order to perform direct bonding with high productivity and high reliability, it is preferable that the substrates to be bonded have the same coefficient of thermal expansion. However, the coefficient of thermal expansion of a single crystal dielectric or a single crystal semiconductor that is generally used for an optical waveguide element greatly differs between materials, and the coefficient of thermal expansion also slightly changes depending on the crystal orientation. Therefore, as in this embodiment, by combining substrates made of the same material and having the same crystal orientation, the coefficients of thermal expansion can be made to be almost completely the same, so that direct bonding with high productivity and reliability can be obtained. Is.
【0019】なお、透光性基板として、ニオブ酸リチウ
ムまたはタンタル酸リチウム以外に、他の透光性で電気
光学効果を有する誘電体基板である、チタン酸バリウム
(屈折率:2.4)、ニオブ酸カリウム(屈折率:2.
2)、チタノリン酸カリウム(屈折率:1.7)などを
用いても、低屈折率層を介して直接接合による光導波路
を形成した場合、ほぼ同様の効果を得ることができる。
また低屈折率誘電体材料として、酸化珪素または窒化珪
素以外に、酸化亜鉛(屈折率:2.0)、酸化アルミニ
ウム(屈折率:1.6)や酸化インジウム(屈折率:
2.0)などの各種金属酸化物、また各種ソーダガラス
(屈折率:約1.5)や光学ガラス(屈折率:1.5−
1.8)を用いても、同様の構成と同様の効果が得られ
る。As the translucent substrate, other than lithium niobate or lithium tantalate, other translucent dielectric substrate having an electro-optical effect, barium titanate (refractive index: 2.4), Potassium niobate (refractive index: 2.
Even if 2) or potassium titanophosphate (refractive index: 1.7) is used, substantially the same effect can be obtained when an optical waveguide is formed by direct bonding via a low refractive index layer.
In addition to silicon oxide or silicon nitride, zinc oxide (refractive index: 2.0), aluminum oxide (refractive index: 1.6), or indium oxide (refractive index:
2.0) various metal oxides, various soda glass (refractive index: about 1.5) and optical glass (refractive index: 1.5-
Even if 1.8) is used, the same effect as the similar configuration can be obtained.
【0020】(実施例2)本実施例の光導波路素子の製
造方法の第1の例を示す。(Embodiment 2) A first example of a method of manufacturing an optical waveguide device of this embodiment will be described.
【0021】まず鏡面研磨された屈折率および熱膨張率
の同じ2枚の誘電体透光性基板の表面を、きわめて清浄
にし、その少なくとも一つの基板表面に、所定の厚みの
酸化珪素または窒化珪素層を化学気相成長法(CVD)
やスパッタリングなどによって形成した。その後それぞ
れの基板表面を、親水化処理した。具体的には、過酸化
水素ーアンモニアー水からなる溶液に浸すことによって
行った。その後その表面を純水に浸すことによって、水
構成成分を表面に付着させる水処理を行った後、すぐに
一様に重ねあわせると、基板表面に吸着した水、水酸
基、水素によって、容易に直接接合が得られた。この状
態で、100℃以上の温度で熱処理を行うと、その接合
は更に強化された。次に、光導波路を形成しようとする
側の基板を、機械的研磨およびエッチングにより、薄板
化していった。10から7μmまで薄板化した後、薄板
化した方の基板上にホトリソグラフィー技術により、実
施例1で示した光導波路構造のパターンにエッチングマ
スクを形成し、エッチングにより、光導波路部以外を2
μmエッチング除去した。マスクとしてはクロムー金を
用いた。エッチング液としては、弗酸系エッチング液を
用いた。その後マスクを除去し、電極を通常のホトリソ
グラフィーとエッチング技術により形成した。これによ
り実施例1に示す光導波路素子の構造を得た。First, the surfaces of two mirror-polished dielectric transparent substrates having the same refractive index and the same thermal expansion coefficient are made extremely clean, and at least one of the substrates has a predetermined thickness of silicon oxide or silicon nitride. Layer chemical vapor deposition (CVD)
It was formed by sputtering or sputtering. After that, the surface of each substrate was hydrophilized. Specifically, it was performed by immersing in a solution of hydrogen peroxide-ammonia-water. After that, by immersing the surface in pure water, the water constituents are made to adhere to the surface, and then immediately and evenly overlaid, and the water, hydroxyl groups, and hydrogen adsorbed on the substrate surface easily and directly A bond was obtained. In this state, heat treatment at a temperature of 100 ° C. or higher further strengthened the bond. Next, the substrate on the side where the optical waveguide is to be formed was thinned by mechanical polishing and etching. After thinning the thickness from 10 to 7 μm, an etching mask is formed on the thinned substrate by the photolithography technique in the pattern of the optical waveguide structure shown in Example 1, and the portions other than the optical waveguide portion are removed by etching.
It was removed by etching by μm. Chrome-gold was used as the mask. A hydrofluoric acid-based etching solution was used as the etching solution. After that, the mask was removed, and the electrodes were formed by usual photolithography and etching techniques. Thus, the structure of the optical waveguide device shown in Example 1 was obtained.
【0022】この素子の光ファイバーとの結合特性、伝
搬損失、光損傷特性は、いずれも実施例1で述べた通り
である。The coupling characteristic of this element with the optical fiber, the propagation loss, and the optical damage characteristic are as described in the first embodiment.
【0023】(実施例3)本実施例の光導波路素子の製
造方法の第2の例を示す。(Embodiment 3) A second example of the method of manufacturing the optical waveguide device of the present embodiment will be described.
【0024】実施例2と同様にして、少なくとも一方の
基板表面に低屈折率層を有する誘電体透光性基板を作成
した。その後両基板を重ね合わせて、100から200
0Vの直流電圧を加えると、直接接合が得られた。その
時基板を加熱すると直接接合がより短時間で可能となっ
た。いずれにしても実施例2で示した方法よりも、より
低温で直接接合強度を強化することができた。その後、
実施例2で示したと同一の処理を行うことにより、実施
例1に示す構造の光導波路素子を得た。これらの素子の
特性は実施例1に述べた通りである。In the same manner as in Example 2, a dielectric transparent substrate having a low refractive index layer on the surface of at least one substrate was prepared. After that, stack both substrates, and
A direct junction was obtained when a DC voltage of 0 V was applied. At that time, when the substrates were heated, direct bonding became possible in a shorter time. In any case, the direct bonding strength could be strengthened at a lower temperature than the method shown in Example 2. afterwards,
By performing the same treatment as that in Example 2, an optical waveguide device having the structure shown in Example 1 was obtained. The characteristics of these devices are as described in the first embodiment.
【0025】(実施例4)本実施例の光導波路素子の製
造方法の第3の例を示す。(Embodiment 4) A third example of the method of manufacturing the optical waveguide device of the present embodiment will be described.
【0026】実施例2と同様にして、少なくとも一方の
基板表面に低屈折率層を有する誘電体透光性基板を作成
し、その表面を親水化処理および水処理をして、重ね合
わせることにより、基板同士を直接接合した。その後両
基板の接合部分に、実施例3と同様にして、100から
2000Vの直流電圧を加えると、直接接合が強化され
た。この場合実施例3で示したよりもより強い接合強度
がより低温で得られた。その後実施例2で示したと同一
の処理を行うことにより、実施例1に示す構造の光導波
路素子を得た。これらの素子の特性は実施例1に述べた
通りである。In the same manner as in Example 2, a dielectric translucent substrate having a low refractive index layer on at least one substrate surface was prepared, and the surface thereof was subjected to hydrophilic treatment and water treatment, and superposed. , The substrates were directly bonded to each other. Then, when a direct current voltage of 100 to 2000 V was applied to the bonded portions of both substrates in the same manner as in Example 3, the direct bonding was strengthened. In this case, a stronger bond strength than that shown in Example 3 was obtained at a lower temperature. Then, the same treatment as in Example 2 was performed to obtain the optical waveguide device having the structure in Example 1. The characteristics of these devices are as described in the first embodiment.
【0027】(実施例5)本実施例の光導波路素子の製
造方法の第4の例を示す。(Embodiment 5) A fourth example of the method of manufacturing the optical waveguide device of the present embodiment will be described.
【0028】透光性基板の少なくとも一方の表面に、そ
れよりも屈折率の低い低融点ガラス材料からなる層をス
パッタリングなどにより形成した。次にその低融点ガラ
ス層を介して重ね合わせ、その低融点ガラスの融点近傍
に加熱することにより、基板同士を直接接合した。その
後実施例2で示したと同一の処理を行うことにより、実
施例1に示す構造の光導波路素子を得た。これらの素子
の特性は実施例1に述べた通りである。On at least one surface of the translucent substrate, a layer made of a low melting point glass material having a lower refractive index than that was formed by sputtering or the like. Next, the low-melting glass layers were superposed on each other and heated to near the melting point of the low-melting glass to directly bond the substrates. Then, the same treatment as in Example 2 was performed to obtain the optical waveguide device having the structure in Example 1. The characteristics of these devices are as described in the first embodiment.
【0029】ガラスによる接合は、熱処理温度として、
用いた低融点ガラスの融点以上にすれば容易に溶融接合
するが、そこまで温度を上げなくても、用いるガラスの
軟化点近傍で保持しても接合した。その場合には、ガラ
ス層の形成時の膜厚がほぼ保たれた。融点以上で熱処理
すると、一般に、当初の膜厚よりも薄くなったがとくに
悪影響はなかった。ガラスとして、融点が300℃のも
のから800℃のものまで用いたが、その融点に合わせ
て適当な温度、すなわち軟化点以上の温度で熱処理する
ことにより、良好な特性が得られた。In the case of glass bonding, the heat treatment temperature is
If the melting point of the low-melting glass used is higher than the melting point, the melt-bonding will be easy. However, even if the temperature is not raised to that temperature, the glass will be bonded even if it is held near the softening point of the glass used. In that case, the film thickness at the time of forming the glass layer was almost maintained. When the heat treatment was carried out at the melting point or higher, the film thickness generally became thinner than the initial film thickness, but there was no particular adverse effect. As the glass, glass having a melting point of 300 ° C. to 800 ° C. was used, and good characteristics were obtained by heat treatment at an appropriate temperature according to the melting point, that is, a temperature equal to or higher than the softening point.
【0030】上記各実施例1から5の場合、いずれも基
板同士の熱膨張率が全く同じであることから、接着強度
向上のための熱処理温度を、より高温でより容易に行う
ことができる。その場合、薄板化のための加工を、強度
の研磨などで行っても、剥離がない、あるいは光導波路
素子として、より高温まで安定に動作するなどの効果が
得られた。In each of Examples 1 to 5 described above, since the substrates have exactly the same coefficient of thermal expansion, the heat treatment temperature for improving the adhesive strength can be increased more easily. In that case, even if the processing for thinning is performed by strong polishing or the like, the effect of no peeling or stable operation at higher temperatures as an optical waveguide element was obtained.
【0031】実施例2及び4で示した親水化および水処
理による直接接合は、それぞれの基板表面に水中の水、
水酸基、水素などが表面吸着し、そのイオンの結合力で
接合したと考えられる。この状態で熱処理を行うと、接
合界面から次第に水が抜け、水酸基の水素や直接吸着し
ていた水素が抜け、残された酸素と誘電体透光性誘電体
基板表面の元素が反応して、接合が強化されると考えら
れる。The direct bonding by hydrophilization and water treatment shown in Examples 2 and 4 was carried out by adding water in water to the surface of each substrate.
It is considered that hydroxyl groups, hydrogen, etc. were adsorbed on the surface and bonded by the binding force of the ions. When heat treatment is performed in this state, water gradually escapes from the bonding interface, hydrogen in the hydroxyl group and hydrogen adsorbed directly escapes, and the remaining oxygen reacts with the element on the surface of the dielectric translucent dielectric substrate, It is believed that the bond is strengthened.
【0032】実施例3および4で示した接合界面に直流
電圧を加える直接接合法では、接合界面でイオンの移動
がおこり、その静電的な力で接合が行われると考えられ
る。In the direct bonding method of applying a DC voltage to the bonding interface shown in Examples 3 and 4, it is considered that ions move at the bonding interface and the bonding is performed by the electrostatic force.
【0033】いずれの実施例においても、代表的寸法に
ついて記述したが、良好な光導波路が形成される範囲で
あれば、とくにこれに限定されるものではない。In each of the embodiments, the representative dimensions are described, but the dimensions are not particularly limited as long as a good optical waveguide is formed.
【0034】また実施例ではマッハ−ゼンダー構成の光
変調器の例で説明したが、光変調器としてこの構造に限
定されるものではなく、光導波路を利用した構造であれ
ば同様に適用できることは原理的に明かである。また光
変調器の構造において、スイッチング的に変調すれば光
スイッチとして使用できることも明らかである。また光
導波路導波光を各種手段により制御することにより実現
できる光導波路素子、例えば光偏波面制御素子、光伝搬
モード制御素子、光位相整合制御などにも適用できるこ
とは明らかである。Further, in the embodiment, the example of the optical modulator having the Mach-Zehnder structure has been described, but the optical modulator is not limited to this structure, and the same applies to any structure using an optical waveguide. It is clear in principle. It is also clear that the structure of the optical modulator can be used as an optical switch if it is modulated in a switching manner. Further, it is obvious that the present invention can be applied to an optical waveguide element that can be realized by controlling the optical waveguide guided light by various means, for example, an optical polarization plane control element, an optical propagation mode control element, an optical phase matching control and the like.
【0035】また本実施例では、2枚の誘電体透光性基
板の一方にのみ光導波路素子を形成したが、両基板に光
導波路素子を形成することも可能である。また3枚以上
の誘電体透光性基板を直接接合し、それぞれに光導波路
素子を形成することも可能である。In the present embodiment, the optical waveguide element is formed on only one of the two dielectric transparent substrates, but it is also possible to form the optical waveguide element on both substrates. It is also possible to directly bond three or more dielectric translucent substrates and form an optical waveguide element on each.
【0036】[0036]
【発明の効果】本発明は、以上説明したような構成と製
造方法から成るので、以下に記載されるような効果を示
す。The present invention has the above-described structure and manufacturing method, and therefore exhibits the following effects.
【0037】光導波路として、均一層状の構造が得られ
ることから、光導波路断面形状の対称性が良く、また光
の伝搬中心をほぼ薄板中央にすることができ、またその
厚みを自在にでき、それにより光ファイバーとの結合損
失を大幅に低減できる。Since a uniform layered structure is obtained as the optical waveguide, the cross-sectional shape of the optical waveguide has good symmetry, and the center of light propagation can be set at the center of the thin plate, and its thickness can be freely set. As a result, the coupling loss with the optical fiber can be significantly reduced.
【0038】また光導波路として、材料組成の選択自由
度が大きいことから、例えば拡散処理していない良好の
単結晶誘電体基板を用いることができるため、光伝搬損
失が少なく、また光損傷の少ない光導波路素子を得るこ
とができる。Further, since the optical waveguide has a large degree of freedom in selecting the material composition, for example, a good single crystal dielectric substrate not subjected to diffusion treatment can be used, so that the light propagation loss is small and the optical damage is small. An optical waveguide device can be obtained.
【0039】また同一物質からなる接合なので、熱膨張
率が全く同じであることから、直接接合の生産性、信頼
性を高められ、また高温まで特性が安定であるなどの効
果がある。Further, since they are made of the same material, they have exactly the same coefficient of thermal expansion, so that the productivity and reliability of direct joining can be improved, and the characteristics are stable even at high temperatures.
【0040】本実施例では、光変調器の構成の例を示し
たが、本実施例の特徴が光導波路の構成そのものにある
ことから、基本的には光導波路を用いた各種光導波路素
子に広く一般的に適用できるものであり、光変調器に限
らず、光スイッチ、偏波面制御、伝搬モード制御、光の
位相整合制御などの光導波路素子に適用できるものであ
る。In this embodiment, an example of the structure of the optical modulator is shown. However, since the feature of this embodiment lies in the structure of the optical waveguide itself, it is basically applied to various optical waveguide devices using the optical waveguide. It can be widely and generally applied, and is not limited to an optical modulator, but can be applied to an optical waveguide device such as an optical switch, a polarization plane control, a propagation mode control, and an optical phase matching control.
【図1】本発明の第1の実施例の構成図FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第1の実施例の断面図FIG. 2 is a sectional view of the first embodiment of the present invention.
1、2 透光性基板 3 低屈折率層 4 入出力光導波路部 5 第1の分岐光導波路 6 第2の分岐光導波路 7、8 電極 9 導波光伝搬部 1, 2 Transparent substrate 3 Low refractive index layer 4 Input / output optical waveguide section 5 First branched optical waveguide 6 Second branched optical waveguide 7, 8 Electrode 9 Guided light propagation section
Claims (18)
透光性基板を、前記誘電体透光性基板よりも屈折率の低
い層を介して直接接合し、少なくともその一方の基板に
光の閉じこめられた光導波路を有することを特徴とする
光導波路素子。1. A plurality of dielectric transparent substrates having the same refractive index and the same thermal expansion coefficient are directly bonded to each other through a layer having a lower refractive index than the dielectric transparent substrate, and at least one of the substrates is bonded. An optical waveguide device having an optical waveguide in which light is confined.
物質からなることを特徴とする請求項1記載の光導波路
素子。2. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the dielectric transparent substrate is made of a substance having an electro-optical effect.
はタンタル酸リチウムからなることを特徴とする請求項
1記載の光導波路素子。3. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the dielectric transparent substrate is made of lithium niobate or lithium tantalate.
とを特徴とする請求項1記載の光導波路素子。4. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the low refractive index layer at the joint portion is a metal oxide.
を特徴とする請求項1記載の光導波路素子。5. The optical waveguide element according to claim 1, wherein the low refractive index layer at the junction is made of silicon oxide.
を特徴とする請求項1記載の光導波路素子。6. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the low refractive index layer at the junction is made of silicon nitride.
特徴とする請求項1記載の光導波路素子。7. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the low refractive index layer at the joint portion is made of glass.
光が閉じこめられるに十分な厚み以上であることを特徴
とする請求項1から7のいずれかに記載の光導波路素
子。8. The optical waveguide element according to claim 1, wherein the low refractive index layer at the joint portion has a thickness of at least a thickness sufficient for confining light in the transparent substrate. .
透光性基板を、表面を平滑かつ清浄にし、少なくともそ
の基板の一方の表面に、前記基板よりも屈折率の低い材
料からなる層を形成し、両基板表面を親水化処理および
水処理した後、前記低屈折率層を介して重ね合わせて直
接接合し、100℃以上で加熱することによって、直接
接合強度を向上させた後、少なくとも一方の基板に光導
波路を形成したことを特徴とする光導波路素子の製造方
法。9. A plurality of dielectric translucent substrates having the same refractive index and the same thermal expansion coefficient are made to have a smooth and clean surface, and at least one of the substrates is made of a material having a lower refractive index than the substrate. After forming a layer and hydrophilizing and water-treating both substrate surfaces, they are directly bonded by superposing them through the low refractive index layer and heated at 100 ° C. or higher to improve the direct bonding strength. A method for manufacturing an optical waveguide element, characterized in that an optical waveguide is formed on at least one of the substrates.
体透光性基板を、表面を平滑かつ清浄にし、少なくとも
その基板の一方の表面に、前記基板よりも屈折率の低い
材料からなる層を形成し、低屈折率層を介して両基板を
重ね合わせて基板接合部に電圧を加えることにより直接
接合した後、少なくとも一方の基板に光導波路を形成し
たことを特徴とする光導波路素子の製造方法。10. A plurality of dielectric translucent substrates having the same refractive index and the same thermal expansion coefficient are made to have smooth and clean surfaces, and at least one of the substrates is made of a material having a lower refractive index than the substrates. An optical waveguide element characterized in that a layer is formed, both substrates are superposed via a low refractive index layer and directly bonded by applying a voltage to the substrate bonding portion, and then an optical waveguide is formed on at least one substrate. Manufacturing method.
体透光性基板を、表面を平滑かつ清浄にし、少なくとも
その基板の一方の表面に、前記基板よりも屈折率の低い
材料からなる層を形成し、両基板表面を親水化処理およ
び水処理した後、前記低屈折率層を介して重ね合わせて
直接接合し、基板接合部に電圧を加えることによって、
直接接合強度を向上させた後、少なくとも一方の基板に
光導波路を形成したことを特徴とする光導波路素子の製
造方法。11. A plurality of dielectric translucent substrates having the same refractive index and the same thermal expansion coefficient are made to have a smooth and clean surface, and at least one of the substrates is made of a material having a lower refractive index than that of the substrate. After forming a layer, and hydrophilizing treatment and water treatment on both substrate surfaces, by superposing them directly through the low refractive index layer and directly bonding, by applying a voltage to the substrate bonding portion,
A method for manufacturing an optical waveguide device, characterized in that an optical waveguide is formed on at least one of the substrates after improving the direct bonding strength.
性基板を、表面を平滑かつ清浄にし、少なくともその基
板の一方の表面に、前記基板よりも屈折率の低い材料か
らなる低融点ガラス層を形成し、該低融点ガラス層を介
して重ね合わせ、熱処理により、前記低融点ガラス層の
接着力によって接合した後、少なくとも一方の基板に光
導波路を形成したことを特徴とする光導波路素子の製造
方法。12. A light-transmissive substrate having a plurality of refractive indexes and the same thermal expansion coefficient, the surface of which is made smooth and clean, and at least one surface of the substrate has a low melting point made of a material having a refractive index lower than that of the substrate. An optical waveguide characterized in that a glass layer is formed, superposed through the low-melting glass layer, bonded by heat treatment by an adhesive force of the low-melting glass layer, and then an optical waveguide is formed on at least one substrate. Device manufacturing method.
からなることを特徴とする請求項10から13のいずれ
かに記載の光導波路素子の製造方法。13. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 10, wherein the transparent substrate is made of a substance having an electro-optical effect.
ンタル酸リチウムからなることを特徴とする請求項10
から13のいずれかに記載の光導波路素子の製造方法。14. The transparent substrate is made of lithium niobate or lithium tantalate.
14. The method for manufacturing an optical waveguide device according to any one of 1 to 13.
ことを特徴とする請求項10から13のいずれかに記載
の光導波路素子の製造方法。15. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 10, wherein the low refractive index layer at the joint portion is a metal oxide.
とを特徴とする請求項10から13のいずれかに記載の
光導波路素子の製造方法。16. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 10, wherein the low refractive index layer at the junction is made of silicon oxide.
とを特徴とする請求項10から13のいずれかに記載の
光導波路素子の製造方法。17. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 10, wherein the low refractive index layer at the junction is made of silicon nitride.
を特徴とする請求項10から13のいずれかに記載の光
導波路素子の製造方法。18. The method for manufacturing an optical waveguide device according to claim 10, wherein the low refractive index layer at the joint portion is made of glass.
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JP7661893A JPH06289347A (en) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | Optical waveguide device and manufacturing method thereof |
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003270467A (en) * | 2002-01-09 | 2003-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of optical waveguide device, optical waveguide device, coherent light source and optical apparatus using the optical waveguide device |
EP1245993A3 (en) * | 2001-03-30 | 2003-12-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide device and travelling-wave optical modulator |
WO2004111710A1 (en) * | 2003-06-10 | 2004-12-23 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Electrooptic modulation element |
WO2006035992A1 (en) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Optically functional device |
JP2006276519A (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Waveguide type optical device |
US7295742B2 (en) | 2002-05-31 | 2007-11-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical element and method for producing the same |
US8743917B2 (en) | 2009-12-14 | 2014-06-03 | Panasonic Corporation | Wavelength conversion light source, optical element and image display device |
-
1993
- 1993-04-02 JP JP7661893A patent/JPH06289347A/en active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1245993A3 (en) * | 2001-03-30 | 2003-12-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide device and travelling-wave optical modulator |
US6819851B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-11-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide device and a travelling-wave optical modulator |
JP2003270467A (en) * | 2002-01-09 | 2003-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of optical waveguide device, optical waveguide device, coherent light source and optical apparatus using the optical waveguide device |
US7548678B2 (en) | 2002-05-31 | 2009-06-16 | Panasonic Corporation | Optical element and method for producing the same |
US7295742B2 (en) | 2002-05-31 | 2007-11-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical element and method for producing the same |
KR100765346B1 (en) * | 2003-06-10 | 2007-10-10 | 니뽄 덴신 덴와 가부시키가이샤 | Electrooptic modulation element |
US7433111B2 (en) | 2003-06-10 | 2008-10-07 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Electrooptic modulation element |
WO2004111710A1 (en) * | 2003-06-10 | 2004-12-23 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Electrooptic modulation element |
WO2006035992A1 (en) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Optically functional device |
US7389030B2 (en) | 2004-09-29 | 2008-06-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Optically functional device |
JP5278986B2 (en) * | 2004-09-29 | 2013-09-04 | 日本碍子株式会社 | Light modulator |
JP2006276519A (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Waveguide type optical device |
US8743917B2 (en) | 2009-12-14 | 2014-06-03 | Panasonic Corporation | Wavelength conversion light source, optical element and image display device |
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