JPH06283641A - Lead frame and its manufacture - Google Patents
Lead frame and its manufactureInfo
- Publication number
- JPH06283641A JPH06283641A JP5069739A JP6973993A JPH06283641A JP H06283641 A JPH06283641 A JP H06283641A JP 5069739 A JP5069739 A JP 5069739A JP 6973993 A JP6973993 A JP 6973993A JP H06283641 A JPH06283641 A JP H06283641A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- conductor
- lead
- conductor pattern
- insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 42
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 20
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 20
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に用いるリー
ドフレーム及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame used for a semiconductor device and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体チップの高集積化とともにこれを
搭載するリードフレームはますます多ピン化しリードが
ファインピッチとなる傾向にある。多ピンのリードフレ
ームを製造する場合、その加工限界は一般にリードフレ
ーム材の材厚に依存するから、多ピン化を図るためには
薄厚の材料を使用しなければならない。最近のリードフ
レームの量産品でインナーリードピッチが２００μｍと
いった製品では、材厚が１２５μｍ程度の材料が使用さ
れている。しかしながら、リードを高密度に形成するた
め材厚を薄くするとリードフレームの強度が低下して変
形しやすくなるから、むやみに材厚を薄くすることもで
きない。2. Description of the Related Art As semiconductor chips become more highly integrated, lead frames on which they are mounted have more and more pins and the leads tend to have a fine pitch. When manufacturing a multi-pin lead frame, the working limit thereof generally depends on the thickness of the lead frame material, and therefore a thin material must be used in order to achieve multi-pins. In recent mass-produced lead frame products having an inner lead pitch of 200 μm, a material having a material thickness of about 125 μm is used. However, if the material thickness is made thin in order to form the leads at a high density, the strength of the lead frame is lowered and the lead frame is easily deformed. Therefore, it is not possible to reduce the material thickness unnecessarily.
【０００３】一方、半導体チップの高集積化とともに半
導体チップからの発熱が問題となっており、樹脂封止タ
イプの半導体装置では熱放散性を改善するためヒートス
プレッダーを内蔵した製品が提供されている。図６はヒ
ートスプレッダーを有する樹脂封止タイプの半導体装置
でもっとも一般的な構造の製品である。図で５がヒート
スプレッダーであり、ヒートスプレッダー５は両面接着
フィルム６によりインナーリード７の下面に接合されて
いる。On the other hand, as semiconductor chips become highly integrated, heat generation from the semiconductor chips has become a problem, and in resin-sealed semiconductor devices, products having a built-in heat spreader are provided in order to improve heat dissipation. . FIG. 6 shows a product having the most general structure in a resin-sealed type semiconductor device having a heat spreader. In the figure, 5 is a heat spreader, and the heat spreader 5 is joined to the lower surface of the inner lead 7 by a double-sided adhesive film 6.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
リードフレームの製造方法ではリードフレームの多ピン
化、リードピッチのファイン化を図ることが非常に困難
であり、また一方、半導体チップの発熱量が増大してい
ることからパッケージの熱放散特性も改善しなければな
らないといった問題点があった。また、図６に示すよう
な半導体装置では部品点数も多く、ヒートスプレッダー
５を接合するための製造工程が煩雑でコスト高になると
いった問題点もあった。As described above, in the conventional lead frame manufacturing method, it is very difficult to increase the number of pins in the lead frame and the lead pitch to be finer. Since the amount of heat generation is increasing, there is a problem that the heat dissipation characteristic of the package must be improved. In addition, the semiconductor device as shown in FIG. 6 has a large number of parts, and the manufacturing process for joining the heat spreader 5 is complicated and costly.
【０００５】本発明はこれら問題点を解消すべくなされ
たものであり、リードピッチのファイン化を有効に図る
ことができるとともに、熱放散特性の良いパッケージと
して提供することができ、また製造も容易なリードフレ
ーム及びその製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made to solve these problems, and can effectively achieve a fine lead pitch, can be provided as a package having good heat dissipation characteristics, and can be easily manufactured. To provide a lead frame and a method for manufacturing the same.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、リードフレーム
において、半導体チップを支持する放熱体部が絶縁体に
よって被覆され、該絶縁体上に前記半導体チップに接続
される導体パターンが支持されて設けられたことを特徴
とする。また、前記導体パターンのインナーリードが半
導体チップに一括ボンディングによって接続するパター
ンに形成されたことを特徴とする。また、前記導体パタ
ーンのアウターリードにリードを補強するための厚めっ
きが施されたことを特徴とする。また、前記放熱体部に
樹脂を流通させるための通孔が設けられたことを特徴と
する。The present invention has the following constitution in order to achieve the above object. That is, in the lead frame, the radiator part supporting the semiconductor chip is covered with an insulator, and the conductor pattern connected to the semiconductor chip is supported and provided on the insulator. Also, the inner lead of the conductor pattern is formed in a pattern to be connected to the semiconductor chip by collective bonding. Further, the outer lead of the conductor pattern is thickly plated to reinforce the lead. In addition, a through hole for circulating the resin is provided in the heat radiator portion.
【０００７】また、導体パターンとは別層に放熱体部を
設けたリードフレームの製造方法において、長尺な導体
の帯状体を加工して前記放熱体部を有するベース材を設
け、該ベース材を絶縁体によって被覆し、前記ベース材
上に銅箔等の導体材を被着して前記絶縁体上に導体層を
設け、該導体層をエッチングして所定の導体パターンを
形成することを特徴とする。Further, in a method of manufacturing a lead frame in which a radiator part is provided on a layer different from the conductor pattern, a long conductor strip is processed to provide a base material having the radiator part, and the base member is provided. Is covered with an insulator, a conductor material such as a copper foil is deposited on the base material to form a conductor layer on the insulator, and the conductor layer is etched to form a predetermined conductor pattern. And
【０００８】[0008]
【作用】本発明に係るリードフレームは放熱体部上に絶
縁体を介して導体パターンが支持されるから薄厚の導体
材を使用して導体パターンを形成することができ、微細
な導体パターンを容易に形成することができる。また、
放熱体部が絶縁体を介して導体パターンに接合されるこ
とから放熱性に優れたリードフレームとして提供でき
る。薄厚の導体材を使用した場合でもアウターリードに
厚めっきを施すことによってふつうのリードフレームと
同様に実装できる製品として提供できる。また、リード
フレームの製造にあたっては、長尺な導体の帯状体を基
材に使用してその上に導体パターンを形成することによ
って、リードフレームの製造を能率的に行うことがで
き、ファインパターンのリードフレームであっても容易
に製造することができる。In the lead frame according to the present invention, since the conductor pattern is supported on the heat radiator through the insulator, the conductor pattern can be formed using a thin conductor material, and a fine conductor pattern can be easily formed. Can be formed. Also,
Since the radiator part is joined to the conductor pattern via the insulator, it can be provided as a lead frame having excellent heat dissipation. Even if a thin conductor material is used, it can be provided as a product that can be mounted in the same manner as a normal lead frame by plating the outer lead with a thick plating. Further, in manufacturing the lead frame, by using a long conductor strip as a base material and forming a conductor pattern on the base material, the lead frame can be manufactured efficiently and a fine pattern can be formed. Even a lead frame can be easily manufactured.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るリードフレ
ームの製造方法の一実施例を示す説明図である。本実施
例ではまず、長尺な帯状体の銅材を使用してこれをプレ
ス加工あるいはエッチング加工することにより図２に示
すような放熱体部１０ａ、アウターリード穴１０ｂ、通
孔１０ｃ、ガイドホール１０ｄを有するベース材１０を
形成する。銅材は放熱性を考慮して０．２ｍｍ程度の厚
さのものを使用する。もちろん銅以外の材料を使用して
もよい。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an explanatory view showing an embodiment of a lead frame manufacturing method according to the present invention. In this embodiment, first, a long strip-shaped copper material is used and pressed or etched to form a radiator portion 10a, outer lead holes 10b, through holes 10c, guide holes as shown in FIG. A base material 10 having 10d is formed. A copper material having a thickness of about 0.2 mm is used in consideration of heat dissipation. Of course, materials other than copper may be used.
【００１０】上記のようにして形成したベース材１０に
対しポリイミドをキャスティングし、ベース材１０の上
下面にポリイミド１２を被着するとともにアウターリー
ド穴１０ｂ、通孔１０ｃ内にポリイミド１２を充填し
て、ベース材１０の全体を図１(a) に示すようにポリイ
ミド１２で被覆する。ポリイミド１２の被膜は０．０５
ｍｍ厚程度とし、ポリイミドは半硬化の状態とする。な
お、ベース材１０を被覆する材料は電気的絶縁性を有す
るものであればポリイミドに限るものではなく、適宜絶
縁体を使用できる。Polyimide is cast on the base material 10 formed as described above, polyimide 12 is adhered to the upper and lower surfaces of the base material 10, and the outer lead holes 10b and the through holes 10c are filled with the polyimide 12. The entire base material 10 is covered with a polyimide 12 as shown in FIG. Polyimide 12 coating is 0.05
The thickness is about mm, and the polyimide is in a semi-cured state. The material that coats the base material 10 is not limited to polyimide as long as it has electrical insulation, and an insulator can be used as appropriate.
【００１１】次に、上記のポリイミドを被着したベース
材に対しパンチングあるいはエッチングによりアウター
リード孔１２ａ、通孔１２ｂ、ガイドホール孔１２ｃを
設ける（図１(b) ）。このアウターリード孔１２ａ等を
設ける操作は製品でポリイミドが不要となる部分を除去
するためのものである。次に、図１(c) に示すようにベ
ース材１０の上面にベース材１０と同幅で銅箔１４を接
合して導体層を設ける。銅箔１４は導体パターンを形成
するためのもので、０．０７mm程度の薄厚のものを使用
する。銅箔１４を接合した後、ポリイミド１２をキュア
して銅箔１４を完全に接合する。なお、銅箔１４のかわ
りに他の導体材を使用することもできる。Next, outer lead holes 12a, through holes 12b, and guide hole holes 12c are formed in the base material coated with the above polyimide by punching or etching (FIG. 1 (b)). The operation of providing the outer lead holes 12a and the like is to remove a portion of the product where the polyimide is unnecessary. Next, as shown in FIG. 1C, a copper foil 14 having the same width as the base material 10 is bonded to the upper surface of the base material 10 to form a conductor layer. The copper foil 14 is for forming a conductor pattern, and has a thin thickness of about 0.07 mm. After bonding the copper foil 14, the polyimide 12 is cured to completely bond the copper foil 14. Instead of the copper foil 14, another conductor material can be used.
【００１２】図１(d) に導体パターンを形成した状態を
示す。１４ａは半導体チップ接合部、１４ｂはインナー
リード、１４ｃはアウターリード、１４ｄはガイドホー
ルである。図のように半導体チップ接合部１４ａの下面
にはポリイミド１２の被着層を介して銅材の放熱体部１
０ａが接合され、アウターリード１４ｃ部分はポリイミ
ドが除去されてアウターリード１４ｃのみが露出する。
なお、放熱体部１０ａに設けた通孔１２ｂは樹脂封止す
る際に上下に樹脂を流通させるためのものである。導体
パターンの適宜部位には所要のめっきを施してもよい。
こうして、放熱体部１０ａを一体に組み込んだリードフ
レームを得ることができる。FIG. 1D shows a state in which a conductor pattern is formed. Reference numeral 14a is a semiconductor chip bonding portion, 14b is an inner lead, 14c is an outer lead, and 14d is a guide hole. As shown in the figure, on the lower surface of the semiconductor chip joint portion 14a, a heat dissipating body portion 1 made of a copper material is provided with an adhesion layer of polyimide 12 interposed therebetween.
0a is joined, the polyimide is removed from the outer lead 14c portion, and only the outer lead 14c is exposed.
The through holes 12b provided in the radiator portion 10a are for allowing the resin to flow vertically when the resin is sealed. Required plating may be applied to appropriate portions of the conductor pattern.
In this way, a lead frame in which the radiator portion 10a is integrally incorporated can be obtained.
【００１３】図３に上記リードフレームに半導体チップ
１６を搭載して樹脂封止した半導体装置の断面図を示
す。１８は封止樹脂である。半導体チップ１６は半導体
チップ接合部１４ａに接合され、インナーリード１４ｂ
とワイヤボンディングされて樹脂封止される。アウター
リード１４ｃは切断され、所定形状に曲げ成形される。
本実施例の半導体装置では導体パターンの下面に放熱体
部１０ａが電気的絶縁層であるポリイミド１２を介して
接合され、放熱体を内蔵した半導体装置として提供され
る。FIG. 3 shows a sectional view of a semiconductor device in which the semiconductor chip 16 is mounted on the lead frame and resin-sealed. 18 is a sealing resin. The semiconductor chip 16 is bonded to the semiconductor chip bonding portion 14a, and the inner lead 14b
And wire-bonded and resin-sealed. The outer lead 14c is cut and bent into a predetermined shape.
In the semiconductor device of the present embodiment, the radiator portion 10a is bonded to the lower surface of the conductor pattern via the polyimide 12 which is an electrically insulating layer, and is provided as a semiconductor device incorporating a radiator.
【００１４】なお、本実施例の場合、アウターリード１
４ｃが薄厚であるためにアウターリード１４ｃの曲げ成
形性が不十分であったり、リードの実装強度が得られな
い場合には、アウターリード１４ｃにあらかじめめっき
を施して肉厚に形成することも可能である。このように
アウターリード１４ｃを補強することによって通常の半
導体装置と同様な取扱いによって実装することが可能で
ある。In the case of this embodiment, the outer lead 1
If the outer lead 14c has insufficient bending formability due to the thin thickness of 4c, or if the lead mounting strength cannot be obtained, the outer lead 14c may be pre-plated to have a large thickness. Is. By reinforcing the outer leads 14c in this way, it is possible to mount the semiconductor device in the same manner as a normal semiconductor device.
【００１５】また、上記実施例ではポリイミド１２によ
ってリード材１０を被覆してポリイミド１２にアウター
リード孔１２ａ等を透設した後に銅箔１４を貼着した
が、場合によってはポリイミド１２でリード材１０を被
覆した後に銅箔１４を貼着し、ポリイミド１２をエッチ
ングしてアウターリード孔１２ａを設けるようにするこ
ともできる。この場合は、銅箔１４を貼着するかわりに
スパッタリング法等で導体層を設けることができる。In the above embodiment, the lead material 10 is covered with the polyimide 12 and the outer lead holes 12a and the like are formed through the polyimide 12 and then the copper foil 14 is adhered thereto. It is also possible to adhere the copper foil 14 after coating the above and to etch the polyimide 12 to provide the outer lead holes 12a. In this case, the conductor layer can be provided by a sputtering method or the like instead of sticking the copper foil 14.
【００１６】上記実施例のリードフレームは前述したよ
うにベース材１０に銅箔１４を接合するようにしている
から薄厚の銅箔材を使用することができ、導体パターン
を形成する際にきわめて微細なパターンを容易に形成で
きるという利点がある。また、放熱体部１０ａと導体パ
ターンとはポリイミド１２を介して一体に接合されて提
供され、放熱体部１０ａを後から接合するといった方法
とくらべて能率的な製造が可能になるという利点があ
る。As described above, the lead frame of the above embodiment is configured such that the copper foil 14 is bonded to the base material 10, so that a thin copper foil material can be used, and it is extremely fine when forming a conductor pattern. There is an advantage that various patterns can be easily formed. In addition, the radiator portion 10a and the conductor pattern are provided by being integrally joined via the polyimide 12, and there is an advantage that efficient manufacturing is possible as compared with the method of joining the radiator portion 10a later. .
【００１７】図４はリードフレームの製造方法として他
の実施例を示す。この実施例ではベース材１０を図２に
示すように所定パターンに形成し、ポリイミド１２で全
面を被覆して硬化させた後、その上に接着剤２０を塗布
することを特徴とする（図４(a) ）。接着剤２０を塗布
した後の工程は上記実施例と同様で、アウターリード孔
１２ａ等を透設し（図４(b) ）、銅箔１４を貼着し（図
４(c) ）、銅箔１４をエッチングしてインナーリード１
４ｂ、アウターリード１４ｃ等の導体パターンを形成す
る。この製造方法による場合も上記例と同様に放熱体部
１０ａを一体に組み込んだリードフレームとして提供す
ることができる。FIG. 4 shows another embodiment as a method of manufacturing a lead frame. This embodiment is characterized in that the base material 10 is formed in a predetermined pattern as shown in FIG. 2, the entire surface is covered with polyimide 12 and cured, and then the adhesive 20 is applied thereon (FIG. 4). (a)). The steps after applying the adhesive 20 are the same as those in the above-mentioned embodiment, the outer lead holes 12a and the like are transparently formed (FIG. 4 (b)), the copper foil 14 is attached (FIG. 4 (c)), and the copper Inner lead 1 by etching foil 14
Conductor patterns such as 4b and outer leads 14c are formed. Also in the case of this manufacturing method, it is possible to provide a lead frame in which the radiator portion 10a is integrally incorporated as in the above example.
【００１８】図５は半導体チップと一括ボンディングす
るＴＡＢテープとして使用できるリードフレームを製造
する方法を示す。この場合には、ベース材１０を形成す
る際に半導体チップを収納するデバイスホール部、ウイ
ンドウホール部に合わせて加工し、ポリイミド１２で被
覆した後、デバイスホール１２ｄ、ウインドウホール１
２ｅを透設し（図５(a) ）、銅箔１４を貼着し（図５
(c) ）、銅箔１４をエッチングして導体パターンを形成
する（図５(d) ）。FIG. 5 shows a method of manufacturing a lead frame which can be used as a TAB tape for collectively bonding with semiconductor chips. In this case, when the base material 10 is formed, it is processed in accordance with the device hole portion and the window hole portion for accommodating the semiconductor chip, and after being covered with the polyimide 12, the device hole 12d and the window hole 1 are formed.
2e is transparently provided (Fig. 5 (a)), and the copper foil 14 is attached (Fig. 5).
(c)), the copper foil 14 is etched to form a conductor pattern (FIG. 5 (d)).
【００１９】導体パターンをエッチングしてパターン形
成することによって、図５(d) に示すように、デバイス
ホール１２ｄ、ウインドウホール１２ｅを有するＴＡＢ
テープ用のリードフレームとして得ることができる。こ
のリードフレームはベース材１０が放熱体部１０ａとし
て組み込まれた製品として得られるから、ＴＡＢテープ
として利用できて熱放散性に優れたリードフレームとし
て提供することができる。このリードフレームも、薄厚
の銅箔１４を利用することによって、従来のＴＡＢテー
プと同様に導体パターンをきわめてファインなパターン
で形成することができる。By etching the conductor pattern to form a pattern, a TAB having a device hole 12d and a window hole 12e as shown in FIG. 5 (d).
It can be obtained as a lead frame for tape. Since this lead frame is obtained as a product in which the base material 10 is incorporated as the radiator portion 10a, it can be used as a TAB tape and can be provided as a lead frame excellent in heat dissipation. Also in this lead frame, by using the thin copper foil 14, the conductor pattern can be formed in an extremely fine pattern as in the conventional TAB tape.
【００２０】なお、上記実施例のリードフレームの製造
方法はリードフレームのプレス加工あるいはエッチング
加工といった従来の製造工程がそのまま利用でき、従来
の製造装置を利用して製造できる点においても有用であ
る。The lead frame manufacturing method of the above embodiment is also useful in that the conventional manufacturing process such as press working or etching processing of the lead frame can be used as it is, and the manufacturing can be performed using the conventional manufacturing apparatus.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明に係るリードフレームによれば、
上述したように、微細な導体パターンを有するとともに
放熱体部を一体形成したリードフレームとして得られる
から、リードフレームの多ピン化に好適に対応できると
ともに、高集積化された半導体チップの搭載にも好適な
リードフレームとして提供することができる。また、本
発明に係るリードフレームの製造方法によれば、放熱体
部を有してかつ微細な導体パターンを有するリードフレ
ームを効率的に製造することができる等の著効を奏す
る。According to the lead frame of the present invention,
As described above, since it can be obtained as a lead frame having a fine conductor pattern and a radiator part integrally formed, it can be suitably applied to the multi-pin lead frame and can also be mounted on a highly integrated semiconductor chip. It can be provided as a suitable lead frame. Further, according to the lead frame manufacturing method of the present invention, it is possible to effectively manufacture a lead frame having a radiator portion and a fine conductor pattern, and the like.
【図１】リードフレームの製造方法の一実施例を示す説
明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of a method of manufacturing a lead frame.
【図２】リードフレームの製造に利用するベース材の形
成例を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory view showing an example of forming a base material used for manufacturing a lead frame.
【図３】半導体装置の形成例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a formation example of a semiconductor device.
【図４】リードフレームの製造方法の他の実施例を示す
説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing another embodiment of the lead frame manufacturing method.
【図５】リードフレームの製造方法のさらに他の実施例
を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory view showing still another embodiment of the method of manufacturing the lead frame.
【図６】放熱体を有する半導体装置の従来例を示す説明
図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a conventional example of a semiconductor device having a radiator.
１０ ベース材 １０ａ 放熱体部 １２ ポリイミド １２ａ アウターリード孔 １２ｂ 通孔 １２ｄ デバイスホール １２ｅ ウインドウホール １４ 銅箔 １４ａ 半導体チップ接合部 １４ｂ インナーリード １４ｃ アウターリード １４ｄ ガイドホール孔 １６ 半導体チップ １８ 封止樹脂 ２０ 接着剤 10 Base Material 10a Heat Dissipator 12 Polyimide 12a Outer Lead Hole 12b Through Hole 12d Device Hole 12e Window Hole 14 Copper Foil 14a Semiconductor Chip Joint 14b Inner Lead 14c Outer Lead 14d Guide Hole Hole 16 Semiconductor Chip 18 Sealing Resin 20 Adhesive
Claims (5)
体によって被覆され、該絶縁体上に前記半導体チップに
接続される導体パターンが支持されて設けられたことを
特徴とするリードフレーム。1. A lead frame, characterized in that a heat-dissipating portion supporting a semiconductor chip is covered with an insulator, and a conductor pattern connected to the semiconductor chip is supported on the insulator.
チップに一括ボンディングによって接続するパターンに
形成されたことを特徴とする請求項１記載のリードフレ
ーム。2. The lead frame according to claim 1, wherein the inner lead of the conductor pattern is formed in a pattern to be connected to the semiconductor chip by collective bonding.
を補強するための厚めっきが施されたことを特徴とする
請求項１または２記載のリードフレーム。3. The lead frame according to claim 1, wherein the outer lead of the conductor pattern is plated with a thick material to reinforce the lead.
が設けられたことを特徴とする請求項１、２または３記
載のリードフレーム。4. The lead frame according to claim 1, 2 or 3, wherein a through hole for allowing resin to flow is provided in the heat radiating portion.
たリードフレームの製造方法において、 長尺な導体の帯状体を加工して前記放熱体部を有するベ
ース材を設け、 該ベース材を絶縁体によって被覆し、 前記ベース材上に銅箔等の導体材を被着して前記絶縁体
上に導体層を設け、 該導体層をエッチングして所定の導体パターンを形成す
ることを特徴とするリードフレームの製造方法。5. A method of manufacturing a lead frame, wherein a radiator part is provided in a layer different from a conductor pattern, wherein a long conductor strip is processed to provide a base material having the radiator part. Is coated with an insulator, a conductor material such as copper foil is deposited on the base material to form a conductor layer on the insulator, and the conductor layer is etched to form a predetermined conductor pattern. And a method for manufacturing a lead frame.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5069739A JPH06283641A (en) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | Lead frame and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5069739A JPH06283641A (en) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | Lead frame and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283641A true JPH06283641A (en) | 1994-10-07 |
Family
ID=13411485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5069739A Pending JPH06283641A (en) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | Lead frame and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283641A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989011096A1 (en) * | 1988-05-09 | 1989-11-16 | Terumo Kabushiki Kaisha | Enzyme sensor |
-
1993
- 1993-03-29 JP JP5069739A patent/JPH06283641A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989011096A1 (en) * | 1988-05-09 | 1989-11-16 | Terumo Kabushiki Kaisha | Enzyme sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5859471A (en) | Semiconductor device having tab tape lead frame with reinforced outer leads | |
| US5286679A (en) | Method for attaching a semiconductor die to a leadframe using a patterned adhesive layer | |
| US7589404B2 (en) | Semiconductor device | |
| US5652461A (en) | Semiconductor device with a convex heat sink | |
| US6482674B1 (en) | Semiconductor package having metal foil die mounting plate | |
| US6049125A (en) | Semiconductor package with heat sink and method of fabrication | |
| US6586834B1 (en) | Die-up tape ball grid array package | |
| JP2002057241A (en) | Semiconductor package including transplantable conductive pattern, and manufacturing method thereof | |
| KR100268505B1 (en) | Caarrier film | |
| JP2001345414A (en) | Lead frame, semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment | |
| KR0156622B1 (en) | Semiconductor leadframe and the manufacturing method | |
| US20050212107A1 (en) | Circuit device and manufacturing method thereof | |
| US6207354B1 (en) | Method of making an organic chip carrier package | |
| JP3427492B2 (en) | Semiconductor device with convex heat sink and method of manufacturing the convex heat sink | |
| JPH06283641A (en) | Lead frame and its manufacture | |
| EP0723293A1 (en) | Semiconductor device with a heat sink and method of producing the heat sink | |
| KR0148110B1 (en) | Lead frame and semiconductor device using the same | |
| JPS61241954A (en) | Semiconductor device | |
| JPH08172142A (en) | Semiconductor package, its manufacturing method, and semiconductor device | |
| JP2000174168A (en) | Semiconductor device | |
| JP2003078098A (en) | Composite lead frame and method of manufacturing the same | |
| JP2883065B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH06168986A (en) | Tab tape and its manufacture | |
| JPH07326690A (en) | Package for semiconductor device and semiconductor device | |
| JPH0311641A (en) | Semiconductor device |