JPH06273782A - Production of liquid crystal display device - Google Patents
Production of liquid crystal display deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置の製造方
法に係り、特にアクティブマトリックス型液晶表示装置
の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly to a method of manufacturing an active matrix type liquid crystal display device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶表示装置は、薄型、低消費電力等の
特徴を活かして、テレビあるいはグラフィックディスプ
レイなどの表示素子として盛んに利用されている。2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices have been widely used as display elements for televisions, graphic displays and the like by taking advantage of their features such as thinness and low power consumption.
【０００３】中でも、薄膜トランジスタ（Thin Film Tr
ansistor；以下、ＴＦＴと略称）をスイッチング素子と
して用いたアクティブマトリックス型液晶表示装置は、
高速応答性に優れ、高精細化に適しており、ディスプレ
イ画面の高画質化、大型化、カラー画像化を実現するも
のとして注目されている。また、スイッチング用アクテ
ィブ素子としてはＴＦＴの他にも薄膜ダイオードのよう
な非線形素子が用いられる。Among them, a thin film transistor (Thin Film Tr
An active matrix type liquid crystal display device using an ansistor (hereinafter abbreviated as TFT) as a switching element is
It excels in high-speed responsiveness, is suitable for high definition, and has been attracting attention as a material for realizing high image quality, large size, and color imaging of display screens. In addition to TFTs, nonlinear elements such as thin film diodes are used as active elements for switching.
【０００４】このようなアクティブマトリックス型液晶
表示装置の表示素子部分は一般的に、マトリックス状に
直交するように配設された複数の信号配線および複数の
走査配線と、ＴＦＴのようなスイッチング用アクティブ
素子と、これに接続された画素電極が配設されたアクテ
ィブ素子アレイ基板と、これに対向して配置される対向
電極が形成された対向基板と、これら基板間に挟持され
る液晶組成物と、さらに各基板の外表面側に貼設される
偏光板とからその主要部分が構成されている。The display element portion of such an active matrix type liquid crystal display device generally has a plurality of signal wirings and a plurality of scanning wirings arranged orthogonally in a matrix and a switching active active material such as a TFT. An element, an active element array substrate on which pixel electrodes connected to the element are arranged, an opposite substrate on which an opposite electrode is formed opposite to the element, and a liquid crystal composition sandwiched between the substrates. Further, the main part is composed of a polarizing plate attached to the outer surface side of each substrate.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、画面の
高精細化や多画素化が進むにつれて、信号配線や走査配
線の本数が増加するとともにその線幅も微細化が進ん
で、信号配線と走査配線との交差部での層間絶縁不良
（層間ショート）の発生する確率が高くなり、また信号
配線や走査配線とスイッチング用アクティブ素子の接続
端との接続不良の発生する確率が高くなって、画面に点
欠陥あるいは線欠陥が発生するという問題がある。However, as the definition of the screen and the number of pixels are increased, the number of signal wirings and scanning wirings is increased and the line width thereof is also miniaturized. The probability of inter-layer insulation failure (inter-layer short-circuit) at the intersection with and becomes higher, and the probability of connection failure between the signal wiring / scanning wiring and the connection end of the active element for switching also increases. There is a problem that point defects or line defects occur.
【０００６】特に層間ショート不良は最終製造工程に近
くなるまで発見が難しく、実際上補修が困難である。し
かも層間ショート不良により発生する点欠陥や線欠陥は
画面の表示品位を致命的に低下させてしまう。In particular, an interlayer short-circuit defect is difficult to find until it comes close to the final manufacturing process, and it is practically difficult to repair it. Moreover, point defects and line defects caused by the interlayer short-circuiting defect seriously deteriorate the display quality of the screen.
【０００７】そこで上記のような層間ショート不良を抑
止する方策として、Ｔａ、Ａｌのような導電性の良好な
金属で信号配線などを形成し、その表面に陽極酸化によ
る緻密な酸化膜を形成して表面の良好な絶縁特性を実現
するとともに、内部は陽極酸化されないままの金属状態
に残して配線として良好な導電性を実現するという技術
が提案されている。Therefore, as a measure for suppressing the above-mentioned interlayer short circuit failure, a signal wiring or the like is formed of a metal having good conductivity such as Ta or Al, and a dense oxide film by anodic oxidation is formed on the surface thereof. A technique has been proposed in which a good insulating property of the surface is realized and a good conductivity is realized as a wiring by leaving the inside in a metal state without being anodized.
【０００８】しかしながら、このような陽極酸化により
得られる酸化膜は、緻密で絶縁特性は良好であるもの
の、エッチング加工が難しく高精度で微細なパターンを
得ることが困難である。ＴＦＴの接続端と信号配線等と
を接続するためには陽極酸化膜にコンタクトホールを形
成しなければならないが、このとき陽極酸化膜はエッチ
ング加工が難しいために高精度で微細なコンタクトホー
ルを得ることが容易ではないという問題がある。However, although the oxide film obtained by such anodization is dense and has good insulation characteristics, it is difficult to perform etching and it is difficult to obtain a highly precise and fine pattern. A contact hole must be formed in the anodic oxide film in order to connect the connection end of the TFT to the signal wiring or the like. At this time, since the anodic oxide film is difficult to etch, a fine contact hole is obtained with high accuracy. The problem is that it is not easy.
【０００９】そこで従来は、コンタクトホールを形成す
る部分をあらかじめレジストで被覆しておき、その部分
には酸化膜が形成されないようにするという技術が提案
されれている。しかしながら、通常、陽極酸化は等方的
に進行するので金属層の膜厚方向だけでなく面方向にも
酸化が進行し、レジストで被覆されている部分まで陽極
酸化が進んでしまう。またそのようにレジストのエッジ
の下部にまで陽極酸化が進んでその部分が膨らんだ陽極
酸化膜により押し上げられるなどして剥がれてしまう。
その結果、高精度で微細なパターンにコンタクトホール
を形成することが容易ではないという問題がある。Therefore, conventionally, a technique has been proposed in which a portion where a contact hole is formed is coated with a resist in advance so that an oxide film is not formed in that portion. However, since the anodic oxidation normally proceeds isotropically, the oxidization proceeds not only in the film thickness direction of the metal layer but also in the surface direction, and the anodic oxidation progresses to the portion covered with the resist. In addition, the anodic oxidation progresses to the lower part of the edge of the resist in this way, and the part is peeled off by being pushed up by the swollen anodic oxide film.
As a result, there is a problem that it is not easy to form a contact hole in a highly precise and fine pattern.
【００１０】本発明は、このような問題を解決するため
に成されたもので、その目的は、陽極酸化膜による層間
絶縁膜を形成しその層間絶縁膜に高精度で微細なコンタ
クトホールを形成する際の、信号配線や走査配線などの
層間ショート不良に起因した点欠陥や線欠陥の問題を解
消して、高い表示品位を実現することのできる液晶表示
装置の製造方法を提供することにある。The present invention has been made to solve such a problem, and an object thereof is to form an interlayer insulating film by an anodic oxide film and form a highly precise and fine contact hole in the interlayer insulating film. A method of manufacturing a liquid crystal display device capable of realizing high display quality by solving the problems of point defects and line defects due to interlayer short circuit defects such as signal wirings and scanning wirings. .
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板上に交差
するように走査配線および信号配線を形成し該走査配線
および該信号配線の交差部ごとに該走査配線および該信
号配線に接続されるスイッチング素子を形成し前記スイ
ッチング素子に接続される画素電極を形成してスイッチ
ング素子アレイ基板を形成し、前記スイッチング素子ア
レイ基板に間隙を有して対向基板を対向配置し、前記ス
イッチング素子アレイ基板と前記対向基板との間に液晶
組成物を封入して液晶表示装置を製造するにあたり、前
記走査配線を第１の金属層で形成し、前記走査配線の少
なくとも一部分に前記第１の金属層とは異なる材料から
なる第２の金属層を形成し、前記第１の金属層の露出し
た部分および前記第２の金属層の露出した部分の少なく
とも表面を陽極酸化し、前記第２の金属層の陽極酸化さ
れた部分を除去して、第１の金属層または第２の金属層
の陽極酸化されていない部分を表面に露出させて走査配
線のコンタクト部を形成することを特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises forming a scanning wiring and a signal wiring so as to intersect with each other on the substrate, and forming the scanning wiring and the signal wiring. A switching element connected to the scanning wiring and the signal wiring is formed at each intersection of the above, a pixel electrode connected to the switching element is formed to form a switching element array substrate, and a gap is formed in the switching element array substrate. In order to manufacture a liquid crystal display device in which a counter substrate is disposed so as to face each other and a liquid crystal composition is enclosed between the switching element array substrate and the counter substrate, the scan wiring is formed of a first metal layer. A second metal layer made of a material different from that of the first metal layer is formed on at least a part of the scan line, and the exposed portion of the first metal layer and the At least the surface of the exposed portion of the second metal layer is anodized, and the anodized portion of the second metal layer is removed, so that the first metal layer or the second metal layer is not anodized. It is characterized in that the contact portion of the scanning wiring is formed by exposing the portion on the surface.
【００１２】あるいは、本発明の製造方法は、上記のよ
うな走査配線の製造のみならず信号配線の製造について
も適用することができる。Alternatively, the manufacturing method of the present invention can be applied not only to the above-described manufacture of scan wiring but also to the manufacture of signal wiring.
【００１３】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、基板上に交差するように走査配線および信号配線を
形成し該走査配線および該信号配線の交差部ごとに該走
査配線および該信号配線に接続されるスイッチング素子
を形成し前記スイッチング素子に接続される画素電極を
形成してスイッチング素子アレイ基板を形成し、前記ス
イッチング素子アレイ基板に間隙を有して対向基板を対
向配置し、前記スイッチング素子アレイ基板と前記対向
基板との間に液晶組成物を封入して液晶表示装置を製造
するにあたり、走査配線を形成する第１の金属層とは異
なる材料からなる第２の金属層を前記走査配線によって
被覆される位置に形成し、前記第２の金属層の上を被覆
するように前記第１の金属層からなる走査配線を形成
し、前記第１の金属層の露出した部分および前記第２の
金属層の露出した部分の少なくとも表面を陽極酸化し、
前記第２の金属層の陽極酸化された部分を除去して、第
２の金属層の陽極酸化されていない部分を表面に露出さ
せて走査配線のコンタクト部を形成することを特徴とし
ている。According to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, the scanning wiring and the signal wiring are formed so as to intersect with each other on the substrate, and the scanning wiring and the signal wiring are provided at each intersection of the scanning wiring and the signal wiring. Forming a switching element connected to the switching element, forming a pixel electrode connected to the switching element to form a switching element array substrate, and disposing a counter substrate with a gap in the switching element array substrate so as to face the switching element. When manufacturing a liquid crystal display device by encapsulating a liquid crystal composition between the element array substrate and the counter substrate, the second metal layer made of a material different from the first metal layer forming the scan wiring is scanned. Forming a scan wiring formed of the first metal layer so as to cover the second metal layer, the scan wiring being formed at a position covered by the wiring; The exposed portion and at least the surface of the exposed portion of the second metal layer by anodizing,
The non-anodized portion of the second metal layer is removed to expose the non-anodized portion of the second metal layer on the surface to form a contact portion of the scanning wiring.
【００１４】あるいは、本発明の製造方法は、上記のよ
うな走査配線の製造のみならず信号配線の製造について
も適用することができる。Alternatively, the manufacturing method of the present invention can be applied not only to the above-described manufacturing of scanning wiring but also to manufacturing of signal wiring.
【００１５】なお、前記の第１の金属層の材料として
は、例えばタンタル（Ｔａ）やアルミニウム（Ａｌ）な
ど、導電性が良好でかつそれを陽極酸化して得られる酸
化膜の絶縁特性が良好な金属材料を好適に用いることが
できる。あるいはこの金属材料としては、複数種類の金
属の合金や金属に添加物を添加した化合物などを用いて
もよい。As a material of the first metal layer, for example, tantalum (Ta), aluminum (Al), or the like has good conductivity and an oxide film obtained by anodizing it has good insulating properties. A suitable metal material can be preferably used. Alternatively, as the metal material, an alloy of plural kinds of metals or a compound obtained by adding an additive to a metal may be used.
【００１６】また前記の第２の金属層としては、その陽
極酸化により得られる酸化膜が前記の第１の金属層に用
いた材料よりもエッチング除去などの加工性が良好な金
属材料であることが望ましい。このような第２の金属層
に用いるに好適な材料としては、例えばモリブデン（Ｍ
ｏ）がある。あるいはこの金属材料としては、前記の金
属に他金属を付加した合金や添加物を付加した化合物な
どを用いてもよい。The oxide film obtained by anodic oxidation of the second metal layer is a metal material having better workability such as etching removal than the material used for the first metal layer. Is desirable. As a material suitable for use in such a second metal layer, for example, molybdenum (M
o) Alternatively, as the metal material, an alloy obtained by adding another metal to the above metal, a compound obtained by adding an additive, or the like may be used.
【００１７】また、第１の発明において第１の金属層お
よび第２の金属層を陽極酸化する深さ（陽極酸化する表
面からの厚さ）については、第２の金属層に被覆された
第１の金属層が酸化膜化しない程度までとすることが望
ましい。その部分の第１の金属層までも酸化膜化する
と、第２の金属層の酸化膜を除去して露出させて得られ
るコンタクト部の表面も酸化膜となっているために導電
性が不足して接続不良を起こすことがあるからである。
すなわち、陽極酸化の深さは、第２の金属層の厚さ以内
とすることが望ましい。Further, in the first invention, the depth of anodizing the first metal layer and the second metal layer (thickness from the surface to be anodized) is the same as that of the second metal layer. It is desirable that the first metal layer does not become an oxide film. If even the first metal layer in that portion is formed into an oxide film, the surface of the contact portion obtained by removing and exposing the oxide film of the second metal layer is also an oxide film, resulting in insufficient conductivity. This may cause connection failure.
That is, the depth of anodic oxidation is preferably within the thickness of the second metal layer.
【００１８】また、前記のコンタクト部を形成する際に
は、少なくとも第２の金属層の陽極酸化された部分を除
去すればよいことは上述の通りだが、このとき、さらに
エッチングなどを進めてその下の陽極酸化されていない
第１の金属層の上部まで部分的に刻削してもよい。ある
いはちょうど第２の金属層全部を除去して、その下にあ
った第１の金属層の表面を露出させてもよい。As described above, at the time of forming the contact portion, at least the anodized portion of the second metal layer may be removed. At this time, however, etching or the like is further advanced. It may be partially carved to the top of the underlying, non-anodized first metal layer. Alternatively, just the entire second metal layer may be removed to expose the underlying surface of the first metal layer.
【００１９】また、第２の発明において第２の金属層を
陽極酸化する深さとしては、第２の金属層全体にわたっ
て酸化膜化してしまうと導電性の良好なコンタクト部を
形成できなくなるので、少なくとも底層部は酸化されず
に残るようにすればよい。Further, in the second invention, as the depth of anodic oxidation of the second metal layer, if an oxide film is formed over the entire second metal layer, a contact portion having good conductivity cannot be formed. At least the bottom layer may be left unoxidized.
【００２０】また、前記のスイッチング素子としては、
ＴＦＴでもよく、あるいは薄膜ダイオードのような非線
形素子でもよい。Further, as the switching element,
It may be a TFT or a non-linear element such as a thin film diode.
【００２１】[0021]
【作用】例えばＴａのように、導電性が良好で、かつ酸
化膜となったときに絶縁性が良好だかエッチング加工等
が困難な材料を信号配線などを形成する材料としての第
１の金属層として用いて、その上のコンタクトホール
（コンタクト部）を形成すべき部分に、酸化膜となった
ときに第１の金属層の酸化膜と比較してエッチング等に
対する加工性が良好となるような第２の金属層を特定の
パターンに形成しているので、陽極酸化後にはその第２
の金属層の酸化膜を容易に除去することができ、その除
去した部分から第１の金属層を露出させてコンタクト部
を形成することができる。こうしてコンタクト部として
露出した部分の第１の金属層は、陽極酸化時には第２の
金属層により被覆されていたので酸化膜化されておらず
導電性が良好なままに保たれているので、ＴＦＴの接続
端等との接続性が良好である。またそれ以外の部分は陽
極酸化によって形成された緻密で絶縁性の良好な酸化膜
で被覆されているので、層間絶縁不良を効果的に抑える
ことができる。また上記のように第２の金属層をエッチ
ング除去してコンタクト部を形成しているので、従来の
レジストを用いる場合に較べて高精度で微細なパターニ
ングが可能となる。 以上の結果、信号配線や走査配線
などの層間ショート不良に起因した点欠陥や線欠陥の問
題を解消することができる。The first metal layer as a material for forming the signal wiring is made of a material, such as Ta, which has good conductivity and which has a good insulating property when it becomes an oxide film and is difficult to be etched. When it becomes an oxide film in a portion where a contact hole (contact portion) is to be formed, the workability against etching or the like becomes better than that of the oxide film of the first metal layer. Since the second metal layer is formed in a specific pattern, the second metal layer is not
The oxide film of the metal layer can be easily removed, and the contact portion can be formed by exposing the first metal layer from the removed portion. Since the first metal layer of the portion exposed as the contact portion is covered with the second metal layer at the time of anodic oxidation, it is not formed into an oxide film and the conductivity is kept good. It has good connectivity with the connection end and the like. Further, since the other portions are covered with a dense and highly insulating oxide film formed by anodic oxidation, defective interlayer insulation can be effectively suppressed. Further, since the contact portion is formed by etching away the second metal layer as described above, it is possible to perform fine patterning with higher accuracy than in the case of using a conventional resist. As a result, it is possible to solve the problems of point defects and line defects due to interlayer short circuit defects such as signal wiring and scanning wiring.
【００２２】[0022]
【実施例】以下、本発明に係る液晶表示装置の製造方法
の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。Embodiments of the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００２３】（実施例１）図１左は、本発明に係る第１
の実施例の製造方法を示す一部省略平面図、図１右はそ
のＡ−Ａ´断面図である。なお図１においては図示の簡
潔化のために、特に本発明の特徴的な部分である走査配
線などのコンタクト部（接続パッド部分）近傍を中心に
示した。以下、説明の簡潔化のために、そのようなコン
タクト部近傍の製造工程を中心として詳細に説明する。
また、以下図１、図３の平面図中の斜線部分は陽極酸化
されて酸化膜となった部分を示している。(Embodiment 1) FIG. 1 left shows the first embodiment of the present invention.
1 is a partially omitted plan view showing the manufacturing method of the embodiment of FIG. For simplification of the drawing, FIG. 1 mainly shows the vicinity of a contact portion (connection pad portion) such as a scanning wiring which is a characteristic portion of the present invention. Hereinafter, for simplification of the description, the manufacturing process in the vicinity of such a contact portion will be mainly described in detail.
In addition, the shaded portions in the plan views of FIGS. 1 and 3 below indicate the portions that have been anodized to become oxide films.
【００２４】まず、ＴＦＴ素子アレイ基板に用いられる
石英ガラスのような絶縁基板１上にＴａ薄膜を3000オン
グストローム成膜し、これをパターニングして第１の金
属層３を形成する。この第１の金属層３は、本実施例で
は端部に接続パッド５の部分を有しゲート電極と一体形
成の走査配線として用いた。このときのパターニングの
方式としては通常のフォトリソグラフィ法を用いればよ
い。（ａ） 続いて、その走査配線の接続パッド部分５上に、Ｍｏ膜
を3000オングストローム成膜し、これを所定のコンタク
ト部となるべき部分を覆うような形状にパターニングし
て第２の金属層７を形成する。この第２の金属層７のパ
ターニングも通常のフォトリソグラフィで行なえばよ
い。（ｂ） そして、信号配線（つまり第１の金属層３および第２の
金属層７）に電圧を印加して第２の金属層７の表面の陽
極酸化を行なうとともに第１の金属層３の露出している
部分の表面の陽極酸化を行なって、第１の金属層３の酸
化膜（Ｔａ2 Ｏ5 ）９および第２の金属層の酸化膜（Ｍ
ｏＯ）１１を形成する。（ｃ） このとき、第１の金属層および第２の金属層を陽極酸化
する深さ（表面からの陽極酸化する部分の厚さ）につい
ては、第２の金属層に被覆された第１の金属層が酸化膜
化しない深さまで行なった。コンタクト部となるべき第
１の金属層までも酸化膜化すると、最終的に得られるコ
ンタクト部の表面も絶縁性の高い酸化膜であることにな
り、導電性が不足して接続不良を起こすからである。し
たがって陽極酸化の深さは第２の金属層の厚さ以内とす
ればよい。続いて、少なくとも第２の金属層の酸化膜の
部分すなわちＭｏＯ（酸化モリブデン）となった部分を
エッチング除去する。このときのエッチングには、例え
ばＴＦＴのＡｌ配線などのエッチングに用いられるよう
な通常の塩酸系のエッチャントなどを用いて信号配線の
表面からエッチングすればよく、レジストの使用は省略
することができる。これは、第１の金属層３表面の酸化
膜（Ｔａ2 Ｏ5 ）９は通常のエッチャントに対して反応
が極めて低い一方、第２の金属層７の酸化膜（ＭｏＯ）
１１はその反応が大きくエッチングされやすく、この特
性を利用して第２の金属層７の酸化膜１１を選択的にエ
ッチング除去することができるからである。このように
レジストの使用を省略できるので、従来の製造方法にお
けるコンタクト部形成後のコンタクト部へのレジスト残
りの問題や、レジスト形成〜剥離までの工程の煩雑化の
問題も本発明では解消することができる。First, a Ta thin film of 3000 angstrom is formed on an insulating substrate 1 such as quartz glass used for a TFT element array substrate, and this is patterned to form a first metal layer 3. In the present embodiment, the first metal layer 3 has a portion of the connection pad 5 at the end and is used as a scanning wiring integrally formed with the gate electrode. As a patterning method at this time, an ordinary photolithography method may be used. (A) Subsequently, a Mo film is formed on the connection pad portion 5 of the scanning wiring in a thickness of 3000 angstrom, and the Mo film is patterned into a shape so as to cover a portion to be a predetermined contact portion, and the second metal layer is formed. Form 7. The patterning of this second metal layer 7 may also be performed by ordinary photolithography. (B) Then, a voltage is applied to the signal wiring (that is, the first metal layer 3 and the second metal layer 7) to anodize the surface of the second metal layer 7, and The surface of the exposed portion is anodized to form the oxide film (Ta 2 O 5 ) 9 of the first metal layer 3 and the oxide film (M 2 of the second metal layer).
oO) 11 is formed. (C) At this time, regarding the depth of anodizing the first metal layer and the second metal layer (the thickness of the portion anodized from the surface), the first metal layer covered with the second metal layer should be The process was performed to a depth at which the metal layer did not become an oxide film. If even the first metal layer to be the contact portion is formed into an oxide film, the surface of the contact portion finally obtained will also be an oxide film with high insulating properties, resulting in insufficient conductivity and poor connection. Is. Therefore, the depth of anodic oxidation may be within the thickness of the second metal layer. Subsequently, at least a portion of the oxide film of the second metal layer, that is, a portion that becomes MoO (molybdenum oxide) is removed by etching. At this time, the etching may be performed from the surface of the signal wiring using a normal hydrochloric acid-based etchant used for etching Al wiring of TFT, and the use of resist may be omitted. This is because the oxide film (Ta 2 O 5 ) 9 on the surface of the first metal layer 3 has a very low reaction to an ordinary etchant, while the oxide film (MoO) on the second metal layer 7 is very low.
This is because the reaction of No. 11 is large and is easily etched, and by utilizing this characteristic, the oxide film 11 of the second metal layer 7 can be selectively removed by etching. Since the use of the resist can be omitted in this way, the present invention also solves the problem of residual resist on the contact portion after the contact portion is formed in the conventional manufacturing method and the problem of complication of the steps from resist formation to peeling. You can
【００２５】こうして絶縁性の高い第２の金属層７の酸
化膜１１の部分を除去して、その下にそれまで被覆され
ていた酸化されていない導電性の高い第１の金属層３の
部分が露出する。こうして導電性の良好な部分を露出さ
せてコンタクト部１３を得ることができる。（ｄ） その後は、例えばＴＦＴ、信号配線、透明電極、周辺駆
動回路等を一般的な製造プロセス通りに形成し、また上
記で得られたコンタクト部に例えば周辺駆動回路の接続
端などを接続してＴＦＴアレイ基板を形成し、絶縁基板
上に透明電極からなる対向電極を配設して対向基板を形
成し、ＴＦＴアレイ基板と対向基板とを対向配置して所
定のセルギャップを有するように組み合わせ周囲を封止
して空セルを形成し、その空セルに液晶組成物を封入、
挟持させて、液晶表示装置を完成する。Thus, the portion of the oxide film 11 of the second metal layer 7 having a high insulating property is removed and the portion of the first metal layer 3 having a high conductivity which has been covered thereunder and has not been oxidized. Is exposed. In this way, the contact portion 13 can be obtained by exposing the portion having good conductivity. (D) After that, for example, a TFT, a signal wiring, a transparent electrode, a peripheral drive circuit, etc. are formed according to a general manufacturing process, and the contact portion obtained above is connected to, for example, a connection end of the peripheral drive circuit. To form a TFT array substrate, and to form a counter substrate by arranging a counter electrode made of a transparent electrode on an insulating substrate, and arranging the TFT array substrate and the counter substrate so as to face each other and combining them so as to have a predetermined cell gap. The periphery is sealed to form an empty cell, and the liquid crystal composition is enclosed in the empty cell,
The liquid crystal display device is completed by sandwiching it.
【００２６】なお、前記の第１の金属層３の材料として
は、本実施例ではＴａ（タンタル）を用いたが、この他
にもＡｌのような導電性が良好でかつそれを陽極酸化し
て得られる酸化膜の絶縁特性が良好な金属材料を好適に
用いることができる。Although Ta (tantalum) was used as the material of the first metal layer 3 in the present embodiment, other than this, it has good conductivity such as Al and is anodized. A metal material having a good insulating property of the oxide film obtained as described above can be preferably used.
【００２７】また前記の第２の金属層７としては、本実
施例ではＭｏ（モリブデン）を用いたが、この他にも、
陽極酸化により得られる酸化膜が第１の金属層に用いた
材料よりもエッチング除去などの加工性が良好な金属材
料を用いることができる。Although Mo (molybdenum) is used as the second metal layer 7 in this embodiment, in addition to this,
A metal material whose oxide film obtained by anodic oxidation has better workability such as etching removal than the material used for the first metal layer can be used.
【００２８】また、前記の第１の金属層３および第２の
金属層７を陽極酸化する深さ（陽極酸化する表面からの
厚さ）については、本実施例では第２の金属層７のほぼ
全部を陽極酸化した後にその酸化膜１１を全部除去した
が、この他にも、例えば図２（ａ）に示すように第２の
金属層７の表面までは酸化して酸化膜１１とし底層部２
０１はそのままの金属状態に残しておき、酸化膜１１の
部分だけを除去しその下の金属部分として残った底層部
２０１を露出させてコンタクト部１３としてもよい。あ
るいは、図２（ｂ）に示すように、第１の金属層３の陽
極酸化されずに残った表層部分２０３をも一部削るよう
な深さにまでエッチングしてもよい。ただしこの場合に
も、第１の金属層３の表層部分２０３は酸化することを
避けるようにすることが望ましい。この表層部分２０３
が酸化すると絶縁性が高くエッチング除去も困難な酸化
膜Ｔａ2 Ｏ5 となり、その下の導電性が良好な金属部分
を露出させることが困難になるからである。したがって
陽極酸化の深さは第２の金属層７の厚さ以内とすること
が望ましい。Regarding the depth at which the first metal layer 3 and the second metal layer 7 are anodized (thickness from the surface to be anodized), in the present embodiment, the second metal layer 7 is formed. Although almost all of the oxide film 11 was removed after being anodized, in addition to this, as shown in FIG. 2A, for example, the surface of the second metal layer 7 is oxidized to form the oxide film 11 and the bottom layer. Part 2
It is also possible to leave 01 as the metal state as it is, remove only the oxide film 11 portion, and expose the bottom layer portion 201 remaining as a metal portion thereunder to form the contact portion 13. Alternatively, as shown in FIG. 2B, the surface layer portion 203 of the first metal layer 3 that remains without being anodized may be etched to such a depth as to partially remove it. However, also in this case, it is desirable to avoid oxidizing the surface layer portion 203 of the first metal layer 3. This surface layer 203
Is oxidized to form an oxide film Ta 2 O 5 which has a high insulating property and is difficult to remove by etching, and it becomes difficult to expose a metal portion thereunder having good conductivity. Therefore, it is desirable that the depth of anodic oxidation be within the thickness of the second metal layer 7.
【００２９】また、本実施例では、本発明を走査配線の
端部のコンタクト部に適用した場合を示したが、本発明
はこの他にも例えば信号配線の端部の接続パッド部分な
どにも適用することができることは言うまでもない。Further, although the present embodiment shows the case where the present invention is applied to the contact portion at the end portion of the scanning wiring, the present invention is also applicable to the connection pad portion at the end portion of the signal wiring, for example. It goes without saying that it can be applied.
【００３０】また、本実施例ではスイッチング素子とし
てＴＦＴを用いた場合を示したが、この他にも薄膜ダイ
オードのような非線形素子を用いることもできる。Further, although the case where the TFT is used as the switching element is shown in the present embodiment, other than this, a non-linear element such as a thin film diode may be used.
【００３１】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、本発明の液晶表示装置の各部位の形成材料などの変
更が種々可能であることは言うまでもない。In addition, it goes without saying that various changes can be made to the material for forming each part of the liquid crystal display device of the present invention without departing from the scope of the present invention.
【００３２】（実施例２）図３左は、本発明に係る第２
の実施例の製造方法を示す一部省略平面図、図３右はそ
のＡ−Ａ´断面図である。なお図３においても図示の簡
潔化のために、特に本発明の特徴的な部分である走査配
線などのコンタクト部（接続パッド部分）近傍を中心に
示している。(Embodiment 2) FIG. 3 left shows a second embodiment of the present invention.
3 is a partially omitted plan view showing a manufacturing method of the embodiment of FIG. Note that in FIG. 3 as well, for simplification of the drawing, the vicinity of a contact portion (connection pad portion) such as a scanning wiring, which is a characteristic portion of the present invention, is mainly shown.
【００３３】まず、ＴＦＴ素子アレイ基板を形成する石
英ガラスのような絶縁基板３０１上に、Ｍｏ膜を3000オ
ングストローム成膜し、これをエッチングによりパター
ニングして、後工程で形成する第１の金属層３０３から
なる走査配線の接続パッドとして第２の金属層３０５を
形成する。このときのパターニングの方法としては例え
ば通常のフォトリソグラフィによるエッチングを用いれ
ばよい。（ａ） そしてこの第２の金属層３０５からなる接続パッドを含
む基板表面を被覆するようにＴａ薄膜を3000オングスト
ローム成膜し、これをパターニングして第１の金属層３
０３からなる走査配線を形成するとともにその第１の金
属層３０３の接続パッドに対応する部分を除去して窓３
０７を明ける。第１の金属層３０３は、本実施例では端
部に接続パッド部分を有しゲート電極と一体の走査配線
とした。この他にも本発明は信号配線等にも適用するこ
とができることは言うまでもない。このときのパターニ
ングも通常のフォトリソグラフィで行なえばよい。
（ｂ） そして、走査配線に電圧を印加して（つまり第１の金属
層３０３およびこれに接触している第２の金属層３０５
に電圧を印加して）第２の金属層３０５の表面の陽極酸
化を行なうとともに第１の金属層３０３の露出している
部分の表面の陽極酸化を行なって、第１の金属層３０３
の酸化膜（Ｔａ2 Ｏ5 ）３０９および第２の金属層３０
５の酸化膜（ＭｏＯ）３１１を形成する。（ｃ） このとき、第１の金属層３０３および第２の金属層３０
５を陽極酸化する深さ（表面からの陽極酸化する部分の
厚さ）については、第１の金属層３０３および第２の金
属層３０５の表面部分だけを酸化し、第２の金属層３０
５の少なくとも底層部３１３は酸化されないで第２の金
属層３０５のＭｏ膜のまま残るように行なった。第２の
金属層３０５の底層部３１３までも酸化させると、最終
的に得られるコンタクト部はそのような絶縁性の高い酸
化膜からしか形成されないことになり、導電性が不足し
て接続不良を起こすからである。また、第１の金属層３
０３と第２の金属層３０５とが接触する界面は酸化され
ない部分を少なくとも一部残すようにすることが望まし
い。第１の金属層３０３と第２の金属層３０５との界面
にまで酸化が進むと、その部分で両者の電気的接続が絶
縁されてしまい、第２の金属層３０５が接続パッドとし
て機能しなくなる恐れがあるからである。First, a Mo film of 3000 angstrom is formed on an insulating substrate 301 such as quartz glass for forming a TFT element array substrate, and the Mo film is patterned by etching to form a first metal layer formed in a later step. A second metal layer 305 is formed as a connection pad for the scan wiring made of 303. As a patterning method at this time, for example, ordinary etching by photolithography may be used. (A) Then, a Ta thin film is formed in a thickness of 3000 Å so as to cover the surface of the substrate including the connection pads made of the second metal layer 305, and the Ta thin film is patterned to form the first metal layer 3
And a portion of the first metal layer 303 corresponding to the connection pad is removed to form the window 3
Open at 07. In this embodiment, the first metal layer 303 has a connection pad portion at the end and is a scanning wiring integrated with the gate electrode. In addition to this, it goes without saying that the present invention can be applied to signal wiring and the like. Patterning at this time may also be performed by ordinary photolithography.
(B) Then, a voltage is applied to the scanning wiring (that is, the first metal layer 303 and the second metal layer 305 in contact with the first metal layer 303).
The surface of the second metal layer 305 is anodized and the surface of the exposed portion of the first metal layer 303 is anodized to apply the voltage to the first metal layer 303.
Oxide film (Ta 2 O 5 ) 309 and second metal layer 30
5 oxide film (MoO) 311 is formed. (C) At this time, the first metal layer 303 and the second metal layer 30
Regarding the depth of anodic oxidation of 5 (thickness of the portion anodized from the surface), only the surface portions of the first metal layer 303 and the second metal layer 305 are oxidized, and the second metal layer 30
5 was performed so that at least the bottom layer portion 313 of No. 5 was not oxidized and remained as the Mo film of the second metal layer 305. If the bottom layer portion 313 of the second metal layer 305 is also oxidized, the contact portion to be finally obtained will be formed only from such an oxide film having a high insulating property, resulting in insufficient conductivity and poor connection. Because it wakes up. In addition, the first metal layer 3
It is desirable that the interface where 03 and the second metal layer 305 contact each other is such that at least a part that is not oxidized is left. When the oxidation progresses to the interface between the first metal layer 303 and the second metal layer 305, the electrical connection between the two is insulated at that portion, and the second metal layer 305 does not function as a connection pad. Because there is a fear.
【００３４】続いて、第２の金属層３０５の酸化膜３１
１すなわちＭｏＯ（酸化モリブデン）の部分をエッチン
グ除去する。このときのエッチングには、例えばＴＦＴ
のＡｌ配線などのエッチングに用いられるような通常の
塩酸系のエッチャントなどを用いてエッチングすればよ
く、レジストの使用は省略することができる。これは、
第１の金属層３０３表面の酸化膜（Ｔａ2 Ｏ5 ）３０９
は通常のエッチャントに対して反応が極めて低いのでエ
ッチングされずに残る一方、第２の金属層３０５の酸化
膜（ＭｏＯ）３１１はその反応が大きくエッチングされ
やすいので、この特性を利用して第２の金属層３０５の
酸化膜３１１を選択的にエッチング除去することができ
るからである。このようにレジストの使用を省略できる
ので、従来の製造方法におけるコンタクト部形成後のコ
ンタクト部へのレジスト残りの問題や、レジスト形成か
ら剥離までの煩雑化な工程が必要であるという問題も本
発明は解消することができる。Then, the oxide film 31 of the second metal layer 305 is formed.
1. That is, the MoO (molybdenum oxide) portion is removed by etching. For etching at this time, for example, TFT
The etching may be performed by using a normal hydrochloric acid-based etchant or the like used for etching the Al wiring, and the use of the resist can be omitted. this is,
Oxide film (Ta 2 O 5 ) 309 on the surface of the first metal layer 303
Has a very low reaction with an ordinary etchant and remains without being etched, while the oxide film (MoO) 311 of the second metal layer 305 has a large reaction and is easily etched. This is because the oxide film 311 of the metal layer 305 can be selectively removed by etching. Since the use of the resist can be omitted in this manner, the problem of the resist remaining on the contact portion after the contact portion is formed in the conventional manufacturing method and the problem that a complicated process from resist formation to peeling is required are also present. Can be resolved.
【００３５】こうして、絶縁性の高い酸化膜３１１の部
分を除去して、その下にそれまで被覆されていた、酸化
されていない導電性の良好な第２の金属層３０５が露出
する。こうして露出した部分を導電性の良好なコンタク
ト部３１５として得ることができる。（ｄ） その後は、ＴＦＴ、信号配線、透明電極、周辺駆動回路
等を一般的な製造プロセス通りに形成し、また上記で得
られたコンタクト部に例えば周辺駆動回路の接続端など
を接続してＴＦＴアレイ基板を形成し、絶縁基板上に透
明電極からなる対向電極を配設して対向基板（図示省
略）を形成し、ＴＦＴアレイ基板と対向基板とを対向配
置して所定のセルギャップを有するように組み合わせ周
囲を封止して空セルを形成し、その空セルに液晶組成物
を封入、挟持させて、液晶表示装置を完成する。Thus, the portion of the oxide film 311 having a high insulating property is removed, and the second metal layer 305 having good conductivity which is not oxidized and is covered thereunder is exposed. The exposed portion can be obtained as the contact portion 315 having good conductivity. (D) After that, the TFT, the signal wiring, the transparent electrode, the peripheral drive circuit, etc. are formed by a general manufacturing process, and the contact portion obtained above is connected to, for example, the connection end of the peripheral drive circuit. A TFT array substrate is formed, a counter electrode made of a transparent electrode is provided on an insulating substrate to form a counter substrate (not shown), and the TFT array substrate and the counter substrate are arranged to face each other and have a predetermined cell gap. Thus, the periphery of the combination is sealed to form an empty cell, and the liquid crystal composition is enclosed and sandwiched in the empty cell to complete the liquid crystal display device.
【００３６】なお、前記の第１の金属層３０３の材料と
しては、本実施例ではＴａ（タンタル）を用いたが、こ
の他にもＡｌのような導電性が良好でかつそれを陽極酸
化して得られる酸化膜の絶縁特性が良好な金属材料を好
適に用いることができる。As the material of the first metal layer 303, Ta (tantalum) was used in this embodiment, but other than this, it has good conductivity like Al and is anodized. A metal material having a good insulating property of the oxide film obtained as described above can be preferably used.
【００３７】また前記の第２の金属層３０５としては、
本実施例ではＭｏ（モリブデン）を用いたが、この他に
も、陽極酸化されていない状態のときの導電性が高くか
つその陽極酸化により得られる酸化膜３１１が第１の金
属層３０３の酸化膜３０９よりもエッチング除去などの
加工性が良好な金属材料を用いることができる。As the second metal layer 305,
Although Mo (molybdenum) is used in the present embodiment, in addition to this, the oxide film 311 obtained by the anodic oxidation which has high conductivity in the non-anodized state is the oxidation of the first metal layer 303. It is possible to use a metal material which has better workability than the film 309 such as etching removal.
【００３８】また、本実施例では、本発明を走査配線の
端部のコンタクト部に適用した場合を示したが、本発明
はこの他にも例えば信号配線の端部の接続パッド部分な
どにも適用することができることは言うまでもない。Further, in the present embodiment, the case where the present invention is applied to the contact portion at the end portion of the scanning wiring is shown, but the present invention is also applied to the contact pad portion at the end portion of the signal wiring, for example. It goes without saying that it can be applied.
【００３９】また、本実施例ではスイッチング素子とし
てＴＦＴを用いた場合を示したが、この他にも薄膜ダイ
オードのような非線形素子を用いることもできる。Further, although the case where the TFT is used as the switching element is shown in the present embodiment, other than this, a non-linear element such as a thin film diode may be used.
【００４０】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、本発明の液晶表示装置の各部位の形成材料などの変
更が種々可能であることは言うまでもない。In addition, it goes without saying that various changes can be made to the material for forming each part of the liquid crystal display device of the present invention without departing from the scope of the present invention.
【００４１】[0041]
【発明の効果】以上、詳細な説明で明示したように、本
発明によれば、陽極酸化膜による層間絶縁膜を形成しそ
の層間絶縁膜に高精度で微細なコンタクトホールを形成
する際の、信号配線や走査配線などの層間ショート不良
に起因した点欠陥や線欠陥の問題を解消して、高い表示
品位を実現することのできる液晶表示装置の製造方法を
提供することができる。As described above in detail, according to the present invention, when an interlayer insulating film made of an anodic oxide film is formed and a fine contact hole is formed in the interlayer insulating film with high accuracy, It is possible to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device capable of realizing high display quality by solving the problems of point defects and line defects caused by interlayer short circuit defects such as signal wiring and scanning wiring.
【図１】本発明の第１の実施例の製造方法を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a manufacturing method according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施例の製造方法におけるコン
タクト部の形成方法の別例を示す図。FIG. 2 is a view showing another example of the method of forming the contact portion in the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２の実施例の製造方法を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing method according to the second embodiment of the present invention.
１…絶縁基板、３…第１の金属層、５…接続パッド部
分、７…第２の金属層、９…第１の金属層３の酸化膜、
１１…第２の金属層の酸化膜、１３…コンタクト部DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulating substrate, 3 ... 1st metal layer, 5 ... Connection pad part, 7 ... 2nd metal layer, 9 ... Oxide film of 1st metal layer 3,
11 ... Oxide film of second metal layer, 13 ... Contact part
Claims (4)
信号配線を形成し該走査配線および該信号配線の交差部
ごとに該走査配線および該信号配線に接続されるスイッ
チング素子を形成し前記スイッチング素子に接続される
画素電極を形成してスイッチング素子アレイ基板を形成
し、前記スイッチング素子アレイ基板に間隙を有して対
向基板を対向配置し、前記スイッチング素子アレイ基板
と前記対向基板との間に液晶組成物を封入して液晶表示
装置を製造するにあたり、 前記走査配線を第１の金属層で形成し、 前記走査配線の少なくとも一部分に前記第１の金属層と
は異なる材料からなる第２の金属層を形成し、 前記第１の金属層の露出した部分および前記第２の金属
層の露出した部分の少なくとも表面を陽極酸化し、 前記第２の金属層の陽極酸化された部分を除去して、第
１の金属層または第２の金属層の陽極酸化されていない
部分を表面に露出させて走査配線のコンタクト部を形成
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。1. A scanning wiring and a signal wiring are formed so as to intersect on a substrate, and a switching element connected to the scanning wiring and the signal wiring is formed at each intersection of the scanning wiring and the signal wiring, and the switching is performed. A pixel electrode connected to an element is formed to form a switching element array substrate, and an opposing substrate is arranged to face the switching element array substrate with a gap between the switching element array substrate and the opposing substrate. In manufacturing a liquid crystal display device by encapsulating a liquid crystal composition, the scan wiring is formed of a first metal layer, and at least a part of the scan wiring is made of a material different from that of the first metal layer. Forming a metal layer, anodizing at least the surface of the exposed portion of the first metal layer and the exposed portion of the second metal layer, the second metal layer A liquid crystal display device, characterized in that the anodized portion is removed to expose the non-anodized portion of the first metal layer or the second metal layer on the surface to form a contact portion of the scanning wiring. Manufacturing method.
信号配線を形成し該走査配線および該信号配線の交差部
ごとに該走査配線および該信号配線に接続されるスイッ
チング素子を形成し前記スイッチング素子に接続される
画素電極を形成してスイッチング素子アレイ基板を形成
し、前記スイッチング素子アレイ基板に間隙を有して対
向基板を対向配置し、前記スイッチング素子アレイ基板
と前記対向基板との間に液晶組成物を封入して液晶表示
装置を製造するにあたり、 前記信号配線を第１の金属層で形成し、 前記信号配線の少なくとも一部分に前記第１の金属層と
は異なる材料からなる第２の金属層を形成し、 前記第１の金属層の露出した部分および前記第２の金属
層の露出した部分の少なくとも表面を陽極酸化し、 前記第２の金属層の陽極酸化された部分を除去して、第
１の金属層または第２の金属層の陽極酸化されていない
部分を表面に露出させて信号配線のコンタクト部を形成
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。2. A switching wiring and a signal wiring are formed so as to intersect with each other on a substrate, and a switching element connected to the scanning wiring and the signal wiring is formed at each intersection of the scanning wiring and the signal wiring. A pixel electrode connected to an element is formed to form a switching element array substrate, and an opposing substrate is arranged to face the switching element array substrate with a gap between the switching element array substrate and the opposing substrate. In manufacturing a liquid crystal display device by encapsulating a liquid crystal composition, the signal wiring is formed of a first metal layer, and at least a part of the signal wiring is made of a material different from that of the first metal layer. Forming a metal layer, anodizing at least the surface of the exposed portion of the first metal layer and the exposed portion of the second metal layer, the second metal layer A liquid crystal display device, characterized in that the anodized portion is removed to expose the non-anodized portion of the first metal layer or the second metal layer on the surface to form a contact portion of the signal wiring. Manufacturing method.
信号配線を形成し該走査配線および該信号配線の交差部
ごとに該走査配線および該信号配線に接続されるスイッ
チング素子を形成し前記スイッチング素子に接続される
画素電極を形成してスイッチング素子アレイ基板を形成
し、前記スイッチング素子アレイ基板に間隙を有して対
向基板を対向配置し、前記スイッチング素子アレイ基板
と前記対向基板との間に液晶組成物を封入して液晶表示
装置を製造するにあたり、 走査配線を形成する第１の金属層とは異なる材料からな
る第２の金属層を前記走査配線によって被覆される位置
に形成し、 前記第２の金属層の上を被覆するように前記第１の金属
層からなる走査配線を形成し、 前記第１の金属層の露出した部分および前記第２の金属
層の露出した部分の少なくとも表面を陽極酸化し、 前記第２の金属層の陽極酸化された部分を除去して、第
２の金属層の陽極酸化されていない部分を表面に露出さ
せて走査配線のコンタクト部を形成することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。3. A switching wiring and a signal wiring are formed so as to intersect on a substrate, and a switching element connected to the scanning wiring and the signal wiring is formed at each intersection of the scanning wiring and the signal wiring, and the switching is performed. A pixel electrode connected to an element is formed to form a switching element array substrate, and an opposing substrate is arranged to face the switching element array substrate with a gap between the switching element array substrate and the opposing substrate. In manufacturing a liquid crystal display device by encapsulating a liquid crystal composition, a second metal layer made of a material different from the first metal layer forming the scanning wiring is formed at a position covered by the scanning wiring, A scan line formed of the first metal layer is formed so as to cover the second metal layer, and the exposed portion of the first metal layer and the second metal layer are formed. At least the surface of the exposed portion is anodized, the anodized portion of the second metal layer is removed, and the non-anodized portion of the second metal layer is exposed on the surface to provide a contact for the scan wiring. A method for manufacturing a liquid crystal display device, which comprises forming a portion.
信号配線を形成し該走査配線および該信号配線の交差部
ごとに該走査配線および該信号配線に接続されるスイッ
チング素子を形成し前記スイッチング素子に接続される
画素電極を形成してスイッチング素子アレイ基板を形成
し、前記スイッチング素子アレイ基板に間隙を有して対
向基板を対向配置し、前記スイッチング素子アレイ基板
と前記対向基板との間に液晶組成物を封入して液晶表示
装置を製造するにあたり、 信号配線を形成する第１の金属層とは異なる材料からな
る第２の金属層を前記信号配線によって被覆される位置
に形成し、 前記第２の金属層の上を被覆するように前記第１の金属
層からなる信号配線を形成し、 前記第１の金属層の露出した部分および前記第２の金属
層の露出した部分の少なくとも表面を陽極酸化し、 前記第２の金属層の陽極酸化された部分を除去して、第
２の金属層の陽極酸化されていない部分を表面に露出さ
せて信号配線のコンタクト部を形成することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。4. A switching wiring and a signal wiring are formed so as to intersect on a substrate, and a switching element connected to the scanning wiring and the signal wiring is formed at each intersection of the scanning wiring and the signal wiring, and the switching is performed. A pixel electrode connected to an element is formed to form a switching element array substrate, and an opposing substrate is arranged to face the switching element array substrate with a gap between the switching element array substrate and the opposing substrate. In manufacturing a liquid crystal display device by encapsulating the liquid crystal composition, a second metal layer made of a material different from the first metal layer forming the signal wiring is formed at a position covered by the signal wiring, A signal wire made of the first metal layer is formed so as to cover the second metal layer, and the exposed portion of the first metal layer and the second metal layer are formed. At least the surface of the exposed portion is anodized, the anodized portion of the second metal layer is removed, and the non-anodized portion of the second metal layer is exposed to the surface to contact the signal wiring. A method for manufacturing a liquid crystal display device, which comprises forming a portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6500793A JPH06273782A (en) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | Production of liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6500793A JPH06273782A (en) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | Production of liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06273782A true JPH06273782A (en) | 1994-09-30 |
Family
ID=13274506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6500793A Withdrawn JPH06273782A (en) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | Production of liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06273782A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5648146A (en) * | 1994-10-24 | 1997-07-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Metallic wiring substrate |
| JP2001085697A (en) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Nec Corp | Method for manufacturing thin-film transistor array substrate |
| US6259495B1 (en) | 1998-01-20 | 2001-07-10 | Nec Corporation | Liquid crystal display panel and method of manufacturing the same, including a structure for, and a method of preparing, terminal or connecting electrodes for connecting liquid crystal display panel to an external drive circuit |
-
1993
- 1993-03-24 JP JP6500793A patent/JPH06273782A/en not_active Withdrawn
Cited By (7)
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| US6356336B2 (en) | 1998-01-20 | 2002-03-12 | Nec Corporation | Liquid crystal display panel and method for manufacturing the same |
| US6362867B2 (en) | 1998-01-20 | 2002-03-26 | Nec Corporation | Method of manufacturing a liquid crystal display panel including preparing terminal or connecting electrodes for connecting liquid crystal display panel to an external drive circuit |
| US6452648B2 (en) | 1998-01-20 | 2002-09-17 | Nec Corporation | Liquid crystal display panel and method for manufacturing the same |
| US6515730B1 (en) | 1998-01-20 | 2003-02-04 | Nec Corporation | Method of manufacturing a liquid crystal display panel including a terminal electrode part thereof |
| JP2001085697A (en) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Nec Corp | Method for manufacturing thin-film transistor array substrate |
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