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JPH06265605A - Electronic circuit used in radiation environment - Google Patents

Electronic circuit used in radiation environment

Info

Publication number
JPH06265605A
JPH06265605A JP5055397A JP5539793A JPH06265605A JP H06265605 A JPH06265605 A JP H06265605A JP 5055397 A JP5055397 A JP 5055397A JP 5539793 A JP5539793 A JP 5539793A JP H06265605 A JPH06265605 A JP H06265605A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic circuit
output
characteristic deterioration
input
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5055397A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Kamimura
上村  博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP5055397A priority Critical patent/JPH06265605A/en
Publication of JPH06265605A publication Critical patent/JPH06265605A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】電子回路3,5の動作状態検出手段1,電子回
路の入力切り替え手段4,10,11、及び電子回路の
特性劣化を検出する特性劣化検出手段2を設け、動作状
態検出手段は電子回路の出力が使用されていない状態で
あることを検出し、特性劣化検出手段2は試験信号を入
力切り替え手段に出力し、電子回路の出力を検出するこ
とにより電子回路の特性劣化を検出することができる。 【効果】放射線環境下での電子回路の特性劣化を容易
に、かつ、早期に検出することができる。
(57) [Summary] [Construction] An operating state detecting means 1 for electronic circuits 3 and 5, an input switching means 4, 10 and 11 for electronic circuits, and a characteristic deterioration detecting means 2 for detecting characteristic deterioration of electronic circuits are provided. The operating state detecting means detects that the output of the electronic circuit is not in use, the characteristic deterioration detecting means 2 outputs a test signal to the input switching means, and the output of the electronic circuit is detected to detect the output of the electronic circuit. Characteristic deterioration can be detected. [Effect] It is possible to easily and early detect the characteristic deterioration of an electronic circuit under a radiation environment.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は電子回路に係り、特に、
原子力プラント等放射線を被曝する恐れのある環境で使
用するのに好適な電子回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to electronic circuits, and more particularly to
The present invention relates to an electronic circuit suitable for use in an environment such as a nuclear power plant that may be exposed to radiation.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、原子力プラントでは半導体素子を
含む電子回路は放射線に曝される環境である格納容器内
などには設置されていない。しかし、センサや制御装置
の高機能化が進み、今後放射線環境下にも電子回路が設
置されると予想される。また、被曝低減の観点から点検
監視ロボット等が放射線環境下に導入されつつある。こ
れらのロボットは高機能のため、内部にCPUやメモリ
等のLSIやオペレーショナルアンプ(以下OPアン
プ)を用いた制御回路を搭載している。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a nuclear power plant, an electronic circuit including a semiconductor element is not installed in a storage container which is an environment exposed to radiation. However, it is expected that electronic circuits will be installed in the radiation environment in the future as the functions of sensors and control devices become more sophisticated. In addition, inspection and monitoring robots are being introduced in a radiation environment from the viewpoint of reducing radiation exposure. Since these robots are highly functional, a control circuit using an LSI such as a CPU or a memory or an operational amplifier (hereinafter referred to as an OP amplifier) is mounted inside.

【0003】電子回路に用いられる半導体素子は放射線
照射には弱く、特性が劣化することが知られている。こ
のため、電子回路が放射線により動作不良になるのを防
ぐため、電子回路に照射される放射線量を計算で推定し
たり、又は放射線検出器で測定したりして、電子回路に
照射された放射線量が電子回路に劣化を及ぼす線量を越
える前に電子回路を交換するなどの方法が考えられる。
It is known that semiconductor elements used in electronic circuits are vulnerable to radiation irradiation and their characteristics are deteriorated. Therefore, in order to prevent the electronic circuit from malfunctioning due to radiation, the radiation dose to the electronic circuit is estimated by calculating the radiation dose to the electronic circuit or measuring it with a radiation detector. It is conceivable to replace the electronic circuit before the amount exceeds the dose that deteriorates the electronic circuit.

【0004】しかし、半導体素子の特性劣化は放射線の
種類,線量率,環境温度などに依存して大きく変化する
ことが知られている。また、素子の種類や製造プロセス
にも大きく依存する。従って、前述のように放射線量を
モニたするだけでは半導体素子の特性劣化を予測するの
は困難である。
However, it is known that the characteristic deterioration of the semiconductor element greatly changes depending on the type of radiation, the dose rate, the environmental temperature and the like. Further, it largely depends on the type of element and the manufacturing process. Therefore, it is difficult to predict the deterioration of the characteristics of the semiconductor device only by monitoring the radiation dose as described above.

【0005】このため、電子回路の交換基板毎に、搭載
されているICと同じ半導体素子をセンサとして搭載
し、そのセンサの放射線による劣化をモニタとして基板
が動作不良を起こす前に交換できるようにすることも考
えられている。これは半導体素子の増幅度や閾値電圧の
変化を測定して、それらが閾値を越えるとアラームを出
すようにしたものである。
For this reason, the same semiconductor element as the mounted IC is mounted as a sensor on each exchange circuit board of the electronic circuit, and deterioration of the sensor due to radiation can be monitored so that the circuit board can be replaced before the circuit board malfunctions. It is also considered to do. This is to measure changes in the amplification factor and threshold voltage of a semiconductor element and to issue an alarm when they exceed the threshold value.

【0006】しかし、このようなセンサは通常市販され
ておらず、新たに開発する必要がある。また、ICの種
類が多くなると多種類のセンサが必要になり実用的でな
い場合もある。
However, such a sensor is not usually commercially available and needs to be newly developed. Further, as the number of types of IC increases, many types of sensors are required, which may be impractical.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は放射線
環境下で使用される電子回路の放射線による特性劣化を
容易に検出できる手段を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide means for easily detecting the characteristic deterioration of an electronic circuit used in a radiation environment due to radiation.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、前記電子回路の動作状態検出手段,前記
電子回路の入力切り替え手段、及び前記電子回路の特性
劣化を検出する特性劣化検出手段を設けたものである。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention has an operational state detecting means for the electronic circuit, an input switching means for the electronic circuit, and a characteristic deterioration for detecting characteristic deterioration of the electronic circuit. A detection means is provided.

【0009】[0009]

【作用】前記動作状態検出手段は電子回路の出力が使用
されていない状態であることを検出し、電子回路の入力
を切り替え、試験用信号を電子回路の入力端子に印加す
るよう入力切り替え手段を制御し、さらに特性劣化検出
手段を動作させる。特性劣化検出手段は試験信号を入力
切り替え手段に出力し、電子回路の出力を検出すること
により電子回路の特性劣化を検出することができる。
The operating state detecting means detects that the output of the electronic circuit is not in use, switches the input of the electronic circuit, and applies the input switching means to apply the test signal to the input terminal of the electronic circuit. Then, the characteristic deterioration detecting means is operated. The characteristic deterioration detecting means outputs the test signal to the input switching means and detects the output of the electronic circuit, whereby the characteristic deterioration of the electronic circuit can be detected.

【0010】[0010]

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。本発明の
一実施例の回路図を図1に示す。本実施例はプラントか
らのディジタル、およびアナログ信号を取り込むための
ディジタル回路3とアナログ回路5の放射線による特性
劣化を早期に検出するための実施例である。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. A circuit diagram of an embodiment of the present invention is shown in FIG. This embodiment is an embodiment for early detecting characteristic deterioration of the digital circuit 3 and the analog circuit 5 for taking in digital and analog signals from the plant due to radiation.

【0011】まず、装置の構成について簡単に説明す
る。制御装置1はプラントを制御するためのコンピュー
タである。ディジタル回路3とアナログ回路5はプラン
トからの信号を各々、入力端子30,32から取り込み
処理した後、出力端子31,33から出力する。出力端
子31,33からの信号は制御装置1に入力されプラン
トの情報データとして使用されるが、本図では省略して
ある。特性劣化検出装置2は制御装置1がディジタル回
路3やアナログ回路5からのデータを用いていない空時
間を利用して、ディジタル回路3やアナログ回路5の動
作をチェックする。ここで、制御装置1と特性劣化検出
装置2とは放射線にさらされない場所に設置する。
First, the structure of the apparatus will be briefly described. The control device 1 is a computer for controlling the plant. The digital circuit 3 and the analog circuit 5 take in the signals from the plant from the input terminals 30 and 32, respectively, and output the signals from the output terminals 31 and 33. The signals from the output terminals 31 and 33 are input to the control device 1 and used as plant information data, but they are omitted in this figure. The characteristic deterioration detecting device 2 checks the operation of the digital circuit 3 or the analog circuit 5 by utilizing the idle time when the control device 1 does not use the data from the digital circuit 3 or the analog circuit 5. Here, the control device 1 and the characteristic deterioration detection device 2 are installed in a place that is not exposed to radiation.

【0012】以下、本実施例の動作を図1と図2を用い
て説明する。図2は特性劣化検出装置2の動作フローチ
ャートを示す。フローチャートの番号L1からL6の順
に特性劣化検出装置2の動作を説明する。
The operation of this embodiment will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 2 shows an operation flowchart of the characteristic deterioration detecting device 2. The operation of the characteristic deterioration detecting device 2 will be described in the order of numbers L1 to L6 in the flowchart.

【0013】L1:特性劣化検出装置2は制御装置1か
らの動作状態信号20を取り込み、試験可能か否かを判
断する。動作状態信号20が試験可能状態になってい
る、すなわち、制御装置1がディジタル回路3やアナロ
グ回路5の出力を利用してプラントの制御をしていない
場合にはL2に進む。
L1: The characteristic deterioration detecting device 2 takes in the operation state signal 20 from the control device 1 and judges whether or not the test is possible. When the operation state signal 20 is in the testable state, that is, when the control device 1 is not controlling the plant using the outputs of the digital circuit 3 and the analog circuit 5, the process proceeds to L2.

【0014】L2:ディジタル回路3とアナログ回路5
の試験を実施する。各回路の劣化診断を実施する。診断
方法の詳細は後述する。
L2: Digital circuit 3 and analog circuit 5
Conduct the test. Perform deterioration diagnosis of each circuit. Details of the diagnostic method will be described later.

【0015】L3:回路に異常を発見した場合にはL4
へ、正常な場合にはL5へ進む。
L3: L4 when an abnormality is found in the circuit
If normal, proceed to L5.

【0016】L4:回路に異常が発見されたときには異
常検出信号26を制御装置1へ出力する。
L4: An abnormality detection signal 26 is output to the control device 1 when an abnormality is found in the circuit.

【0017】L5:二つの回路の診断を終了するまでL
2からL5を繰り返す。
L5: L until the diagnosis of the two circuits is completed
Repeat 2 to L5.

【0018】L6:制御装置1がシャットダウンする場
合には特性劣化検出装置も動作を終了する。
L6: When the control device 1 shuts down, the characteristic deterioration detecting device also ends its operation.

【0019】次にディジタル回路3とアナログ回路5の
診断方法について図1と図3を用いて説明する。最初
に、ディジタル回路3の診断方法について説明する。本
ディジタル回路は簡単のため、1入力1出力のCMOS
インバータ回路とした、特性劣化検出装置2はリレー制
御信号22をスイッチ4に出力する。これにより、ディ
ジタル回路3の入力はプラントからの入力端子30から
試験信号21に切り替えられ、試験信号を入力できるよ
うになる。
Next, a method of diagnosing the digital circuit 3 and the analog circuit 5 will be described with reference to FIGS. First, a method of diagnosing the digital circuit 3 will be described. For simplicity, this digital circuit is a CMOS with 1 input and 1 output.
The characteristic deterioration detecting device 2, which is an inverter circuit, outputs the relay control signal 22 to the switch 4. As a result, the input of the digital circuit 3 is switched to the test signal 21 from the input terminal 30 from the plant, and the test signal can be input.

【0020】図3はディジタル回路の入出力電圧の関係
を示す。ディジタル回路は通常、論理0または1にそれ
ぞれ対応した0(ローレベル)または5V(ハイレベ
ル)のいずれかの電圧が入力される。出力も同様に、0
または5Vの電圧である。したがって、ディジタル回路
3はインバータであるから、図3に示すように、5Vを
入力すると0Vが出力され、逆に0Vを入力すると5V
が出力される。入力電圧のレベルは実際には許容範囲が
あり、回路が正常に動作している場合には0から1.5
Vはローレベルとして、3.5から5Vはハイレベルと
して認識され、正常な出力が得られる。
FIG. 3 shows the relationship between the input and output voltages of the digital circuit. A digital circuit is normally input with a voltage of 0 (low level) or 5 V (high level) corresponding to logic 0 or 1, respectively. The output is also 0
Or a voltage of 5V. Therefore, since the digital circuit 3 is an inverter, as shown in FIG. 3, when 5V is input, 0V is output, and when 0V is input, 5V is input.
Is output. The input voltage level actually has a permissible range, and 0 to 1.5 when the circuit is operating normally.
V is recognized as a low level and 3.5 to 5V is recognized as a high level, and a normal output is obtained.

【0021】しかし、CMOS回路では放射線照射によ
り内部のMOSFETの閾値電圧が変化すると回路特性
も変化する。すなわち、入力のローレベル範囲とハイレ
ベル範囲が変化し、たとえば、ローレベル電圧の上限値
が低下する。したがって、通常の0と5Vではなく、ロ
ーレベル電圧の上限値1.5V とハイレベル電圧の下限
値3.5V を入力して回路の動作を確認すると、通常の
入力では正常な出力が得られていても、試験入力では異
常な出力になる。したがって、特性劣化検出装置2でデ
ィジタル回路3の出力信号24をモニタしていれば回路
の異常を早期に検出することができる。
However, in the CMOS circuit, when the threshold voltage of the internal MOSFET changes due to radiation irradiation, the circuit characteristics also change. That is, the low level range and the high level range of the input change, and the upper limit value of the low level voltage decreases, for example. Therefore, if the circuit operation is checked by inputting the low level voltage upper limit value of 1.5 V and the high level voltage lower limit value of 3.5 V instead of the normal 0 and 5 V, a normal output can be obtained with normal input. However, the test input gives an abnormal output. Therefore, if the characteristic deterioration detecting device 2 monitors the output signal 24 of the digital circuit 3, the abnormality of the circuit can be detected at an early stage.

【0022】次にアナログ回路5の診断方法について述
べる。アナログ回路5はOPアンプ6を用いた信号増幅
器である。入力抵抗8やフィードバック抵抗7,9は放
射遷移による特性劣化は極めて小さい。このため、アナ
ログ回路5の特性劣化の原因はOPアンプ6の特性劣化
による。
Next, a method of diagnosing the analog circuit 5 will be described. The analog circuit 5 is a signal amplifier using an OP amplifier 6. The characteristic deterioration of the input resistance 8 and the feedback resistances 7 and 9 due to radiative transition is extremely small. Therefore, the characteristic deterioration of the analog circuit 5 is due to the characteristic deterioration of the OP amplifier 6.

【0023】OPアンプ6は入力抵抗8を通して信号を
入力し、増幅する反転増幅器である。増幅度は入力抵抗
8とフィードバック抵抗7とで決定される。すなわち、
増幅度Gは入力抵抗8の抵抗値をR8,フィードバック
抵抗7の抵抗値をR7とすると、次式で求められる。
The OP amplifier 6 is an inverting amplifier for inputting and amplifying a signal through the input resistor 8. The amplification degree is determined by the input resistance 8 and the feedback resistance 7. That is,
When the resistance value of the input resistor 8 is R8 and the resistance value of the feedback resistor 7 is R7, the amplification degree G is calculated by the following equation.

【0024】[0024]

【数1】G=−R7/R8 OPアンプ6の特性が放射線照射により劣化すると、オ
ープンループゲインが低下し、増幅度Gが減少するた
め、一定の入力信号電圧を入力した場合の出力は減少す
る。従って、試験信号入力時の出力変化をモニタしてい
れば、OPアンプ6の特性劣化を知ることができる。し
かし、負帰還増幅器では増幅度の誤差はほぼオープンル
ープゲイン分の1に低減されるため、増幅度Gが小さい
とOPアンプの特性劣化が出力に表れにくい。このた
め、本実施例では診断時にフィードバック抵抗7を高抵
抗のフィードバック抵抗9に切り替えて異常診断を実施
するようにしてある。本実施例では入力抵抗8を1kΩ
に、フィードバック抵抗7を10kΩに設定し、増幅度
−10で使用している。しかし、診断時にはフィードバ
ック抵抗9の1MΩを用い、増幅度を−1000として
特性劣化をより高感度に検出できるようにしてある。
[Equation 1] G = -R7 / R8 When the characteristics of the OP amplifier 6 deteriorate due to radiation irradiation, the open loop gain decreases and the amplification degree G decreases, so the output when a constant input signal voltage is input decreases. To do. Therefore, if the output change when the test signal is input is monitored, the characteristic deterioration of the OP amplifier 6 can be known. However, in the negative feedback amplifier, the error of the amplification degree is reduced to about 1 / open-loop gain. Therefore, when the amplification degree G is small, the characteristic deterioration of the OP amplifier does not easily appear in the output. For this reason, in this embodiment, the feedback resistor 7 is switched to the high-resistance feedback resistor 9 at the time of diagnosis to perform the abnormality diagnosis. In this embodiment, the input resistance 8 is 1 kΩ.
In addition, the feedback resistor 7 is set to 10 kΩ and the amplification degree is -10. However, at the time of diagnosis, 1 MΩ of the feedback resistor 9 is used and the amplification degree is set to −1000 so that characteristic deterioration can be detected with higher sensitivity.

【0025】以下に、アナログ回路5の診断手順を述べ
る。特性劣化検出装置2はリレー制御信号23をスイッ
チ10と11に出力する。これにより、アナログ回路5
の入力はプラントからの入力端子32から試験信号21
に切り替えられ、試験信号を入力できるようになる。同
時にフィードバック抵抗も診断用のフィードバック抵抗
9に切り替えられる。試験信号21は直流電圧1mVを
入力するようになっている。従って、出力信号25には
正常時には1Vが出力される。しかし、放射線照射によ
りOPアンプ6の特性が劣化し、オープンループゲイン
が減少すると出力信号25も減少し、アナログ回路5の
特性が劣化したことを特性劣化検出装置2で早期に検出
できる。
The diagnostic procedure of the analog circuit 5 will be described below. The characteristic deterioration detecting device 2 outputs the relay control signal 23 to the switches 10 and 11. This allows the analog circuit 5
Is the test signal 21 from the input terminal 32 from the plant.
And the test signal can be input. At the same time, the feedback resistance is also switched to the feedback resistance 9 for diagnosis. As the test signal 21, a DC voltage of 1 mV is input. Therefore, 1 V is output to the output signal 25 in the normal state. However, when the characteristics of the OP amplifier 6 deteriorate due to radiation irradiation and the open loop gain decreases, the output signal 25 also decreases, and the deterioration of the characteristics of the analog circuit 5 can be detected early by the characteristic deterioration detecting device 2.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明によれば、放射線環境下で使用さ
れる電子回路の特性劣化を容易に検出する手段を提供で
きる。
According to the present invention, it is possible to provide means for easily detecting characteristic deterioration of an electronic circuit used in a radiation environment.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す回路図。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】特性劣化検出装置の動作フローチャート。FIG. 2 is an operation flowchart of the characteristic deterioration detecting device.

【図3】ディジタル回路の入出力電圧の特性図。FIG. 3 is a characteristic diagram of input / output voltage of a digital circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…制御装置、2…特性劣化検出装置、3…ディジタル
回路、4,10,11…スイッチ、5…アナログ回路、
6…OPアンプ、7,9…フィードバック抵抗、8…入
力抵抗、20…動作状態信号、21…試験信号、22,
23…リレー制御信号、24,25…出力信号、26…
異常検出信号、30,32…入力端子、31,33…出
力端子。
1 ... Control device, 2 ... Characteristic deterioration detection device, 3 ... Digital circuit, 4, 10, 11 ... Switch, 5 ... Analog circuit,
6 ... OP amplifier, 7, 9 ... Feedback resistance, 8 ... Input resistance, 20 ... Operating state signal, 21 ... Test signal, 22,
23 ... Relay control signal, 24, 25 ... Output signal, 26 ...
Abnormality detection signals, 30, 32 ... Input terminals, 31, 33 ... Output terminals.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】放射線環境下で使用される電子回路におい
て、前記電子回路の出力が使用されていない状態である
ことを検出する動作状態検出手段,前記電子回路の入力
を切り替え、試験用信号を前記電子回路の入力端子に印
加する入力切り替え手段、及び前記動作状態検出手段の
指示により前記試験信号を前記入力切り替え手段に出力
し、前記電子回路の出力を検出することにより前記電子
回路の特性劣化を検出する特性劣化検出手段とを設けた
ことを特徴とする放射線環境下で使用される電子回路。
1. In an electronic circuit used in a radiation environment, an operating state detecting means for detecting that the output of the electronic circuit is in an unused state, the input of the electronic circuit is switched, and a test signal is output. Input switching means applied to the input terminal of the electronic circuit, and output of the test signal to the input switching means according to an instruction from the operating state detecting means, and detection of the output of the electronic circuit causes deterioration of characteristics of the electronic circuit. An electronic circuit used in a radiation environment, characterized by being provided with a characteristic deterioration detecting means for detecting.
【請求項2】請求項1において、前記特性劣化検出手段
の出力信号は論理信号のローレベル入力上限電圧とハイ
レベル入力下限電圧とを含む信号で、前記電子回路の論
理回路部分の動作を確認する機能を持つ放射線環境下で
使用される電子回路。
2. The output signal of the characteristic deterioration detecting means according to claim 1, which is a signal including a low level input upper limit voltage and a high level input lower limit voltage of the logic signal, and confirms the operation of the logic circuit portion of the electronic circuit. An electronic circuit used in a radiation environment that has the function of
【請求項3】請求項1において、前記特性劣化検出手段
の出力信号は微小電圧信号で、前記電子回路のアナログ
回路部分の動作を確認する機能を持つ放射線環境下で使
用される電子回路。
3. The electronic circuit according to claim 1, wherein the output signal of the characteristic deterioration detecting means is a minute voltage signal and has a function of confirming the operation of the analog circuit portion of the electronic circuit.
JP5055397A 1993-03-16 1993-03-16 Electronic circuit used in radiation environment Pending JPH06265605A (en)

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JP (1) JPH06265605A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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KR101337170B1 (en) * 2006-08-15 2013-12-05 제너럴 일렉트릭 캄파니 Feedback circuit for radiation resistant transducer
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