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JPH06259593A - Information identifier - Google Patents

Information identifier

Info

Publication number
JPH06259593A
JPH06259593A JP4259716A JP25971692A JPH06259593A JP H06259593 A JPH06259593 A JP H06259593A JP 4259716 A JP4259716 A JP 4259716A JP 25971692 A JP25971692 A JP 25971692A JP H06259593 A JPH06259593 A JP H06259593A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
bar code
light emitting
conductive film
emitting layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4259716A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masumi Tanaka
真澄 田中
Yasuo Tsuruoka
恭生 鶴岡
Takeshi Yoshida
健 吉田
Kenzo Susa
憲三 須佐
Toshitaka Suzuki
敏孝 鈴木
Mitsuru Watabe
満 渡部
Tsuneo Izumi
恒雄 和泉
Takashi Sagawa
隆 佐川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NIYUURON KK
Resonac Corp
Original Assignee
NIYUURON KK
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NIYUURON KK, Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical NIYUURON KK
Priority to JP4259716A priority Critical patent/JPH06259593A/en
Publication of JPH06259593A publication Critical patent/JPH06259593A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide an information reader such as a bar code reader, etc., in which light receiving quantity distribution of a light receiving element can be improved so as to be uniformalized and a reading error can be reduced. CONSTITUTION:A bar code 2 is irradiated with light from the light source 1 of a thin film EL element, and the optical path of reflected light from the bar code 2 is changed by a mirror 3, and it is converged on a lens 4, and is received by the light receiving element 5 such as a charge storage element (CCD), and it is converted to an electrical signal, then, information stored in the bar code is read by a decoder circuit. The thin film EL element is as follows. (1) An EL element whose surface confronting with an information display medium is formed in a curved surface with the center formed in recessed shape. (2) An EL element in which the film thickness of an EL element light emitting layer is thickened at both terminal parts of the element. (3) An EL element whose EL element light emitting surface is widened at both terminal parts of the element. (4) An EL element letting EL element light emitting surface be plural number and in which the total area of the light emitting surface is formed larger than a middle part at both terminal parts of the element. (5) An EL element in which lets the density of light emission center included in the EL element light emitting layer be different values at the middle part and both terminal parts of the element.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、バーコード、マ−クシ
−ト、ファクシミリの文字・図形等の情報を読み取る等
識別する情報識別装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information discriminating apparatus for discriminating or reading information such as bar code, mark, facsimile characters and figures.

【0002】[0002]

【従来の技術】図1はバーコードリーダの断面図を示
す。バーコードリーダはバーコードリーダの光源1よ
り、光を白地に黒色のラインをJAN/EAN、UPC
Aなどの規格により配列しているバーコード2に照射
し、白、黒での反射光を、鏡3で光路を変え、レンズ4
で集光し、電荷蓄積素子(CCD)などの受光素子5で
受光し、電気信号に変換し、デコード回路によりバーコ
ードに記憶している情報を読み取るように構成されてい
る。6はバ−コ−ドリ−ダのハウジングである。
2. Description of the Related Art FIG. 1 shows a sectional view of a bar code reader. The bar code reader uses the light source 1 of the bar code reader to output light on a white background with black lines JAN / EAN, UPC.
The barcode 2 arranged according to the standard such as A is irradiated, and the reflected light in white and black is changed by the mirror 3 to change the optical path.
The light-receiving element 5 such as a charge storage element (CCD) receives the light, converts it into an electric signal, and a decoding circuit reads the information stored in the bar code. Reference numeral 6 is a bar coder housing.

【0003】バーコードの配列している長さは長いもの
で40mm程度あり、少なくとも40mmの長さで、均
一にバーコードに光を照射し、高い反射光量が得られる
線光源が必要となる。また受光素子には例えば白地での
反射光を受光する場合、バ−コ−ドの中央部と両端部で
受光量が異なることは好ましくなく、均一な受光量を得
ることができるような光源とすることが望まれる。
The length in which the barcodes are arranged is as long as about 40 mm, and it is necessary to have a linear light source having a length of at least 40 mm and uniformly irradiating the barcode with light to obtain a high reflected light amount. Further, when the light receiving element receives reflected light on a white background, for example, it is not preferable that the central portion and both end portions of the bar code have different light receiving amounts, and a light source capable of obtaining a uniform light receiving amount. It is desired to do.

【0004】バーコードの光源には従来、図2に示すよ
うに発光波長が660nmの赤色発光ダイオード(LE
D)7を複数個一列に配置したものが使用されている。
図2は、図1のバ−コ−ドリ−ダのバ−コ−ド2に面す
る開口部を下方から見た斜視図である。LEDの配列法
として、特公平2−17270号公報のようにLEDに
直列抵抗を付加してバ−コ−ド上の帯状照明の照度とし
て両端部に比して中央部を減少させようとする手法があ
る。
Conventionally, a red light emitting diode (LE) having an emission wavelength of 660 nm has been used as a light source of a bar code as shown in FIG.
D) A plurality of 7 arranged in a line is used.
FIG. 2 is a perspective view of the opening facing the bar code 2 of the bar code reader of FIG. 1 as viewed from below. As an LED arranging method, a series resistance is added to the LEDs as in Japanese Patent Publication No. 2-17270 to try to reduce the central part of the illuminance of the strip-shaped illumination on the bar code as compared with the both ends. There is a technique.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、LED
7を複数個一列に配置した光源は、LEDが点光源であ
るため発光の指向性が高く、直下部での照度が高くなり
なめらかな反射光量分布が得にくく、読み取りエラーに
なる問題があった。この問題の解決策として受光素子の
出力信号に電気的に補正をかけるのが一般的であるが、
この場合には回路部分が高価になるという問題が生じ
る。この不均一性は、LEDをバーコードに近づける程
大きくなる。また、遠ざければ、均一性は良くなるが、
バーコードリーダの大きさが大きくなるという問題があ
った。また、距離の自乗に比例して反射光量が低下する
ため、読み取りエラーが発生し易く、この問題を回避す
るためには光源の光量を増大する必要があり、バ−コ−
ド面の法線方向の反射光量として必要な約60cd/m
2を得るためにLEDの発光量は輝度計で測定して数万
cd/m2を必要としている。そのため消費電力が大き
くなるという問題があった。また、実際に各種製品につ
いているバ−コ−ドの読み取り試験を行ったところバ−
コ−ド面は平面でなく凸状になっている製品が多く、バ
−コ−ドからの反射光量がバ−コ−ド両端部で不足する
場合が多いこたが分かった。本発明は、受光素子の受光
量分布が均一となるように反射光量分布を改善し、読み
取りエラーを低減するバーコードリーダ等の情報識別装
置を提供するものである。
However, the LED
In the light source in which a plurality of 7 are arranged in a line, since the LED is a point light source, the directivity of light emission is high, the illuminance at the lower part is high, and it is difficult to obtain a smooth reflected light amount distribution, which causes a reading error. . As a solution to this problem, it is common to electrically correct the output signal of the light receiving element,
In this case, there is a problem that the circuit part becomes expensive. This non-uniformity increases as the LED is closer to the bar code. In addition, the further the distance, the better the uniformity,
There is a problem that the size of the bar code reader becomes large. Further, since the amount of reflected light decreases in proportion to the square of the distance, a reading error is likely to occur, and it is necessary to increase the amount of light from the light source in order to avoid this problem.
Approximately 60 cd / m required as the amount of reflected light in the direction normal to the surface
In order to obtain 2 , the luminescence amount of the LED needs to be tens of thousands cd / m 2 measured by a luminance meter. Therefore, there is a problem that power consumption increases. In addition, when a bar code reading test was actually performed on various products, the bar code was read.
It was found that in many cases, the code surface was not flat but was convex, and the amount of light reflected from the bar code was often insufficient at both ends of the bar code. The present invention provides an information identification device such as a bar code reader that improves the reflected light amount distribution so that the received light amount distribution of the light receiving element becomes uniform and reduces reading errors.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、情報表示媒体
に光を照射する光源、情報表示媒体からの光を受光する
受光素子、受光素子からの電気信号を処理する情報処理
部からなる情報識別装置に於て、光源を(1)情報表示
媒体に対向した面を中央が凹となる曲面にしたEL素
子、(2)EL素子発光層の膜厚を素子の両端部で厚く
したEL素子、(3)EL素子発光面を素子の両端部で
広くしたEL素子、(4)EL素子発光面を複数にし、
発光面の総面積が素子の両端部で中央部に比べ大となる
ようにしたEL素子、(5)EL素子発光層に含まれる
発光中心の濃度を素子の中央部と両端部で異なった値に
したEL素子、の少なくとも一つとしたことを特徴とす
る情報識別装置である。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention is an information comprising a light source for irradiating an information display medium with light, a light receiving element for receiving light from the information display medium, and an information processing section for processing an electric signal from the light receiving element. In the identification device, the light source is (1) an EL element in which the surface facing the information display medium is a curved surface having a concave center, and (2) an EL element in which the thickness of the EL element light emitting layer is thicker at both ends of the element. , (3) an EL element in which the EL element light emitting surface is widened at both ends of the element, (4) a plurality of EL element light emitting surfaces,
An EL device in which the total area of the light emitting surface is larger at both ends of the device than in the central part. (5) The concentration of the emission center contained in the EL device light emitting layer is different between the central part and both ends of the device. At least one of the EL elements described above is an information identifying device.

【0007】以下、本発明をバーコードリ−ダについて
説明する。図3は、本発明のバーコードリーダの光源と
して使用される薄膜EL素子の第一の例を示すもので、
図3(a)は断面図、図3(b)は平面図である。薄膜
EL素子の基材8としてはガラス板等が使用される。ガ
ラス板は中央が凹となる曲面状となっている。導電膜9
は、SnO2、In23、インジウムスズオキサイド
(ITO)等の透明導電膜が好ましく、アルミニウム、
クロム、金等の非透明金属膜も利用できる。導電膜9は
電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、スパッタリング
法、CVD(Chemical Vapor Depo
sition)法、プラズマCVD法等によって形成さ
れる。
The present invention will be described below with reference to a bar code reader. FIG. 3 shows a first example of a thin film EL element used as a light source of the barcode reader of the present invention.
3A is a sectional view and FIG. 3B is a plan view. A glass plate or the like is used as the base material 8 of the thin film EL element. The glass plate has a curved surface with a concave center. Conductive film 9
Is preferably a transparent conductive film such as SnO 2 , In 2 O 3 , indium tin oxide (ITO), aluminum,
A non-transparent metal film such as chromium or gold can also be used. The conductive film 9 is formed by an electron beam evaporation method, a resistance heating evaporation method, a sputtering method, a CVD (Chemical Vapor Depo) method.
It is formed by a method such as a position) method or a plasma CVD method.

【0008】発光層10は、Mn、Tb等の発光中心を
含むZnS、CaS、SrS、ZnSe等のVI族元素を
含む母体からなる蛍光体からなり、電子ビーム蒸着法、
抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法、MOCVD(Me
tal OrganicCVD)法、ALE(Atom
ic Layer Epitaxy)法等で形成され
る。
The light emitting layer 10 is composed of a phosphor made of a host material containing a Group VI element such as ZnS, CaS, SrS, and ZnSe containing emission centers such as Mn and Tb.
Resistance heating evaporation method, sputtering method, MOCVD (Me
tal Organic CVD) method, ALE (Atom)
ic layer epitaxy) method or the like.

【0009】導電膜11は、アルミニウム、クロム、ニ
ッケル、金、銀等の非透明金属膜、SnO2、In
23、インジウムスズオキサイド(ITO)等の透明導
電膜が使用できる。導電膜11は電子ビーム蒸着法、抵
抗加熱蒸着法、スパッタリング法、CVD(Chemi
cal Vapor Deposition)法、プラ
ズマCVD法等によって形成される。
The conductive film 11 is a non-transparent metal film of aluminum, chromium, nickel, gold, silver or the like, SnO 2 , In.
A transparent conductive film such as 2 O 3 or indium tin oxide (ITO) can be used. The conductive film 11 is formed by an electron beam evaporation method, a resistance heating evaporation method, a sputtering method, a CVD (Chemi) method.
It is formed by a cal vapor deposition method, a plasma CVD method, or the like.

【0010】交流薄膜素子では絶縁層が必要となり、そ
の絶縁層12、13は、TaO5、Y23、SiO2、A
23、Si34、AlN、SrTiO3等からなり、
これらの層を2層以上積層して絶縁層としてもよい。こ
れらの層の形成法は、透明導電膜の形成法と同様、電子
ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法、C
VD(Chemical Vapor Deposit
ion)法、プラズマCVD法等が使用される。絶縁層
12、13は導電膜9と発光層10の間に及び/又は発
光層10と導電膜11の間に積層される。導電膜9と導
電膜11の間に交流電圧を印加することにより発光光を
得る。光の取出しは、導電膜9が透明導電膜を用いる場
合には透明導電膜、ガラス板を介して取出してもよく、
また導電膜9が非透明導電膜を用いる場合には素子の端
面から取り出すこともできる。この場合は端面を曲面と
しておく。14は背面ガラスである。
The AC thin film element requires an insulating layer. The insulating layers 12 and 13 are made of TaO 5 , Y 2 O 3 , SiO 2 and A.
l 2 O 3 , Si 3 N 4 , AlN, SrTiO 3 etc.,
Two or more layers of these layers may be laminated to form an insulating layer. The method of forming these layers is the same as the method of forming the transparent conductive film, such as electron beam evaporation method, resistance heating evaporation method, sputtering method, and C method.
VD (Chemical Vapor Deposition)
ion) method, plasma CVD method and the like. The insulating layers 12 and 13 are laminated between the conductive film 9 and the light emitting layer 10 and / or between the light emitting layer 10 and the conductive film 11. Light emission is obtained by applying an AC voltage between the conductive film 9 and the conductive film 11. When the conductive film 9 is a transparent conductive film, the light may be extracted through the transparent conductive film or the glass plate.
When the conductive film 9 is a non-transparent conductive film, it can be taken out from the end face of the device. In this case, the end face is curved. 14 is a back glass.

【0011】このようにして得られた薄膜EL素子は、
バ−コ−ドに対向した面を中央が凹となる曲面状にする
ことによって発光光量を変化させずにバ−コ−ド面の反
射光量を変化させることができ、受光素子が受け取るバ
−コ−ド面からの反射光量をバ−コ−ドの位置に関係な
く一定にすることができる。透明導電膜9と導電膜13
のパターンにより、自在に発光面の形状を最適化するこ
とができる。よって線状の発光パターンを容易に得るこ
とができる。且つ薄膜で構成されるので、薄型の光源が
達成できる。分散型EL素子でも同様で薄型面光源とな
る。
The thin film EL device thus obtained is
By making the surface facing the bar code a curved surface having a concave center, the reflected light amount of the bar code surface can be changed without changing the emitted light amount, and the bar received by the light receiving element can be changed. The amount of light reflected from the code surface can be made constant regardless of the position of the bar code. Transparent conductive film 9 and conductive film 13
According to the pattern, the shape of the light emitting surface can be freely optimized. Therefore, a linear light emission pattern can be easily obtained. Moreover, since it is composed of a thin film, a thin light source can be achieved. The same applies to the dispersion type EL element, which is a thin surface light source.

【0012】図4は、本発明のバーコードリーダの光源
として使用される薄膜EL素子の第二の例を示すもの
で、図4(a)は断面図、図4(b)は平面図である。
薄膜EL素子の基材15としてはガラス板等が使用され
る。導電膜16は、SnO2、In23、インジウムス
ズオキサイド(ITO)等の透明導電膜が好ましく、ア
ルミニウム、クロム、金等の非透明金属膜も利用でき
る。導電膜16は電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、
スパッタリング法、CVD(Chemical Vap
or Deposition)法、プラズマCVD法等
によって形成される。
FIG. 4 shows a second example of the thin film EL element used as the light source of the bar code reader of the present invention. FIG. 4 (a) is a sectional view and FIG. 4 (b) is a plan view. is there.
A glass plate or the like is used as the base material 15 of the thin film EL element. The conductive film 16 is preferably a transparent conductive film of SnO 2 , In 2 O 3 , indium tin oxide (ITO) or the like, and a non-transparent metal film of aluminum, chromium, gold or the like can also be used. The conductive film 16 is formed by electron beam evaporation, resistance heating evaporation,
Sputtering method, CVD (Chemical Vap)
or Deposition) method, plasma CVD method, or the like.

【0013】発光層17は、Mn、Tb等の発光中心を
含むZnS、CaS、SrS、ZnSe等のVI族元素を
含む母体からなる蛍光体からなり、電子ビーム蒸着法、
抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法、MOCVD(Me
tal OrganicCVD)法、ALE(Atom
ic Layer Epitaxy)法等で形成され
る。この発光層17は素子の両端部で膜厚が厚くなって
いる。
The light emitting layer 17 is made of a phosphor composed of a host material containing a Group VI element such as ZnS, CaS, SrS, ZnSe containing luminescence centers such as Mn and Tb, and the electron beam evaporation method,
Resistance heating evaporation method, sputtering method, MOCVD (Me
tal Organic CVD) method, ALE (Atom)
ic layer epitaxy) method or the like. The light emitting layer 17 has a large thickness at both ends of the device.

【0014】導電膜18は、アルミニウム、クロム、ニ
ッケル、金、銀等の非透明金属膜、SnO2、In
23、インジウムスズオキサイド(ITO)等の透明導
電膜が使用できる。導電膜18は電子ビーム蒸着法、抵
抗加熱蒸着法、スパッタリング法、CVD(Chemi
cal Vapor Deposition)法、プラ
ズマCVD法等によって形成される。
The conductive film 18 is a non-transparent metal film made of aluminum, chromium, nickel, gold, silver or the like, SnO 2 , In.
A transparent conductive film such as 2 O 3 or indium tin oxide (ITO) can be used. The conductive film 18 is formed by an electron beam evaporation method, a resistance heating evaporation method, a sputtering method, a CVD (Chemi) method.
It is formed by a cal vapor deposition method, a plasma CVD method, or the like.

【0015】交流薄膜素子では絶縁層が必要となり、そ
の絶縁層19、20は、TaO5、Y23、SiO2、A
23、Si34、AlN、SrTiO3等からなり、
これらの層を2層以上積層して絶縁層としてもよい。こ
れらの層の形成法は、透明導電膜の形成法と同様、電子
ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法、C
VD(Chemical Vapor Deposit
ion)法、プラズマCVD法等が使用される。絶縁層
19、20は導電膜16と発光層17の間に及び/又は
発光層17と導電膜18の間に積層される。導電膜16
と導電膜18の間に交流電圧を印加することにより発光
光を得る。光の取出しは、導電膜9が透明導電膜を用い
る場合には透明導電膜、ガラス板を介して取出してもよ
く、また導電膜9が非透明導電膜を用いる場合には素子
の端面から取り出すこともできる。14は背面ガラスで
ある。
The AC thin film element requires an insulating layer, and the insulating layers 19 and 20 are made of TaO 5 , Y 2 O 3 , SiO 2 and A.
l 2 O 3 , Si 3 N 4 , AlN, SrTiO 3 etc.,
Two or more layers of these layers may be laminated to form an insulating layer. The method of forming these layers is the same as the method of forming the transparent conductive film, such as electron beam evaporation method, resistance heating evaporation method, sputtering method, and C method.
VD (Chemical Vapor Deposition)
ion) method, plasma CVD method and the like. The insulating layers 19 and 20 are laminated between the conductive film 16 and the light emitting layer 17 and / or between the light emitting layer 17 and the conductive film 18. Conductive film 16
Light emission is obtained by applying an AC voltage between the conductive film 18 and the conductive film 18. Light may be extracted through a transparent conductive film or a glass plate when the conductive film 9 is a transparent conductive film, and may be extracted from an end face of the element when the conductive film 9 is a non-transparent conductive film. You can also 14 is a back glass.

【0016】このようにして得られた薄膜EL素子は、
発光層17の膜厚を素子の両端部を厚くすることによっ
て印加電圧を一定にして素子両端部の発光光量を多くす
ることができる。発光光量を変化させずにバ−コ−ド面
の反射光量を変化させ、受光素子が受け取るバ−コ−ド
面からの反射光量をバ−コ−ドの位置に関係なく一定に
することができる。透明導電膜16と導電膜20のパタ
ーンにより、自在に発光面の形状を最適化することがで
きる。よって線状の発光パターンを容易に得ることがで
きる。且つ薄膜で構成されるので、薄型の光源が達成で
きる。分散型EL素子でも同様で薄型面光源となる。
The thin film EL device thus obtained is
By increasing the thickness of the light emitting layer 17 at both ends of the element, the applied voltage can be kept constant and the amount of light emitted from both ends of the element can be increased. The amount of reflected light from the bar code surface can be changed without changing the amount of emitted light so that the amount of light reflected by the light receiving element from the bar code surface is constant regardless of the position of the bar code. it can. The pattern of the transparent conductive film 16 and the conductive film 20 allows the shape of the light emitting surface to be freely optimized. Therefore, a linear light emission pattern can be easily obtained. Moreover, since it is composed of a thin film, a thin light source can be achieved. The same applies to the dispersion type EL element, which is a thin surface light source.

【0017】図5は、本発明のバーコードリーダの光源
として使用される薄膜EL素子の第三の例を示すもの
で、図5(a)は断面図、図5(b)は平面図である。
薄膜EL素子の基材21としてはガラス板等が使用され
る。導電膜22は、SnO2、In23、インジウムス
ズオキサイド(ITO)等の透明導電膜が好ましく、ア
ルミニウム、クロム、金等の非透明金属膜も利用でき
る。導電膜22は電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、
スパッタリング法、CVD(Chemical Vap
or Deposition)法、プラズマCVD法等
によって形成される。
FIG. 5 shows a third example of the thin film EL element used as the light source of the bar code reader of the present invention. FIG. 5 (a) is a sectional view and FIG. 5 (b) is a plan view. is there.
A glass plate or the like is used as the base material 21 of the thin film EL element. The conductive film 22 is preferably a transparent conductive film of SnO 2 , In 2 O 3 , indium tin oxide (ITO) or the like, and a non-transparent metal film of aluminum, chromium, gold or the like can also be used. The conductive film 22 is formed by an electron beam evaporation method, a resistance heating evaporation method,
Sputtering method, CVD (Chemical Vap)
or Deposition) method, plasma CVD method, or the like.

【0018】発光層23は、Mn、Tb等の発光中心を
含むZnS、CaS、SrS、ZnSe等のVI族元素を
含む母体からなる蛍光体からなり、電子ビーム蒸着法、
抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法、MOCVD(Me
tal OrganicCVD)法、ALE(Atom
ic Layer Epitaxy)法等で形成され
る。
The light emitting layer 23 is made of a phosphor composed of a matrix containing a Group VI element such as ZnS, CaS, SrS and ZnSe containing luminescence centers such as Mn and Tb.
Resistance heating evaporation method, sputtering method, MOCVD (Me
tal Organic CVD) method, ALE (Atom)
ic layer epitaxy) method or the like.

【0019】導電膜24は、アルミニウム、クロム、ニ
ッケル、金、銀等の非透明金属膜、SnO2、In
23、インジウムスズオキサイド(ITO)等の透明導
電膜が使用できる。導電膜24は図5(b)に示すよう
に両端部で面積が広くなるように、電子ビーム蒸着法、
抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法、CVD(Chem
ical Vapor Deposition)法、プ
ラズマCVD法等によって形成される。
The conductive film 24 is a non-transparent metal film made of aluminum, chromium, nickel, gold, silver or the like, SnO 2 , In.
A transparent conductive film such as 2 O 3 or indium tin oxide (ITO) can be used. As shown in FIG. 5B, the conductive film 24 is formed by an electron beam evaporation method so that the area is widened at both ends.
Resistance heating evaporation method, sputtering method, CVD (Chem
It is formed by an ICP method, a plasma CVD method, or the like.

【0020】交流薄膜素子では絶縁層が必要となり、そ
の絶縁層12、13は、TaO5、Y23、SiO2、A
23、Si34、AlN、SrTiO3等からなり、
これらの層を2層以上積層して絶縁層としてもよい。こ
れらの層の形成法は、透明導電膜の形成法と同様、電子
ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法、C
VD(Chemical Vapor Deposit
ion)法、プラズマCVD法等が使用される。絶縁層
25、26は導電膜22と発光層23の間に及び/又は
発光層23と導電膜24の間に積層される。導電膜21
と導電膜24の間に交流電圧を印加することにより発光
光を得る。光の取出しは、導電膜22が透明導電膜を用
いる場合には透明導電膜、ガラス板を介して取出しても
よく、また導電膜9が非透明導電膜を用いる場合には素
子の端面から取り出すこともできる。14は背面ガラス
である。
The AC thin film element needs an insulating layer, and the insulating layers 12 and 13 are made of TaO 5 , Y 2 O 3 , SiO 2 and A.
l 2 O 3 , Si 3 N 4 , AlN, SrTiO 3 etc.,
Two or more layers of these layers may be laminated to form an insulating layer. The method of forming these layers is the same as the method of forming the transparent conductive film, such as electron beam evaporation method, resistance heating evaporation method, sputtering method, and C method.
VD (Chemical Vapor Deposition)
ion) method, plasma CVD method and the like. The insulating layers 25 and 26 are stacked between the conductive film 22 and the light emitting layer 23 and / or between the light emitting layer 23 and the conductive film 24. Conductive film 21
Light emission is obtained by applying an AC voltage between the conductive film 24 and the conductive film 24. Light may be extracted through the transparent conductive film or the glass plate when the conductive film 22 is a transparent conductive film, and may be extracted from the end face of the element when the conductive film 9 is a non-transparent conductive film. You can also 14 is a back glass.

【0021】このようにして得られた薄膜EL素子は、
EL素子発光面を素子の両端部で広くすることによって
印加電圧を一定にして素子両端部の発光光量を多くする
ことができる。このように発光光量を変化させずにバ−
コ−ド面の反射光量を変化させ、受光素子が受け取るバ
−コ−ド面からの反射光量をバ−コ−ドの位置に関係な
く一定にすることができる。透明導電膜22と導電膜2
6のパターンにより、自在に発光面の形状を最適化する
ことができる。よって線状の発光パターンを容易に得る
ことができる。且つ薄膜で構成されるので、薄型の光源
が達成できる。分散型EL素子でも同様で薄型面光源と
なる。
The thin film EL device thus obtained is
By widening the EL element light emitting surface at both ends of the element, the applied voltage can be kept constant and the amount of light emitted from both ends of the element can be increased. In this way, it is possible to change the flash without changing the amount of emitted light.
By changing the amount of reflected light from the code surface, the amount of reflected light received by the light receiving element from the bar code surface can be made constant regardless of the position of the bar code. Transparent conductive film 22 and conductive film 2
The pattern of 6 allows the shape of the light emitting surface to be freely optimized. Therefore, a linear light emission pattern can be easily obtained. Moreover, since it is composed of a thin film, a thin light source can be achieved. The same applies to the dispersion type EL element, which is a thin surface light source.

【0022】図6は、本発明のバーコードリーダの光源
として使用される薄膜EL素子の第四の例を示すもの
で、平面図を示す。第四の例の薄膜EL素子の断面は、
第三の例の薄膜EL素子と本質的には同じである。第四
の例の薄膜EL素子では、導電膜27と、導電膜28と
を図6に示すように形成し、EL素子発光面が複数にな
るようにかつ発光面の総面積が素子の両端部で中央部に
比べ大となるようにする。
FIG. 6 shows a fourth example of a thin film EL element used as a light source of the bar code reader of the present invention, and is a plan view. The cross section of the thin film EL element of the fourth example is
It is essentially the same as the thin film EL device of the third example. In the thin film EL element of the fourth example, a conductive film 27 and a conductive film 28 are formed as shown in FIG. 6 so that the EL element has a plurality of light emitting surfaces and the total area of the light emitting surfaces is at both ends of the element. So that it is larger than the central part.

【0023】このようにして得られた薄膜EL素子は、
導電膜27と、導電膜28とのパタ−ンにより、自在に
発光面の形状や個数を最適化する。このようにするこに
より、印加電圧を一定にして素子両端部の発光光量を多
くすることができる。
The thin film EL element thus obtained is
By the pattern of the conductive film 27 and the conductive film 28, the shape and number of light emitting surfaces can be freely optimized. By doing so, it is possible to increase the amount of light emitted from both ends of the device while keeping the applied voltage constant.

【0024】第五の例の薄膜EL素子の断面は、第三の
例の薄膜EL素子と本質的には同じである。第五の例の
薄膜EL素子では、EL素子発光層に含まれる発光中心
の濃度を素子の中央部と両端部で異なった値となるよう
にする。このEL素子は発光中心の濃度によって発光光
量が変化する。このように印加電圧を一定にして素子両
端部の発光光量を多くすることができる。
The cross section of the thin film EL element of the fifth example is essentially the same as that of the thin film EL element of the third example. In the thin-film EL device of the fifth example, the concentrations of the luminescence centers contained in the EL device luminescent layer are set to have different values in the central part and both ends of the device. In this EL element, the amount of emitted light changes depending on the concentration of the emission center. In this way, the amount of light emitted from both ends of the device can be increased by keeping the applied voltage constant.

【0025】本発明に使用されるEL素子には薄膜EL
素子と分散型EL素子があり、本発明ではどちらでも使
用できる。また電圧印加法としては交流、直流どちらで
も良い。本発明の光源は、(1)〜(5)EL素子の手
法を複数組合せても良い。本発明で情報表示媒体として
は、バ−コ−ドだけでなくマ−クシ−ト、文字・図形等
何でも良い。また本発明の情報識別装置では、受光素子
が受光する情報表示媒体からの光は、情報表示媒体から
の反射光でも良く、情報表示媒体の透過光でも良い。
The EL element used in the present invention is a thin film EL
There are elements and dispersed EL elements, and either of them can be used in the present invention. The voltage application method may be either alternating current or direct current. The light source of the present invention may combine a plurality of methods of (1) to (5) EL elements. In the present invention, the information display medium may be not only a bar code, but also a mark sheet, a character or a figure. Further, in the information identifying apparatus of the present invention, the light received by the light receiving element from the information display medium may be the reflected light from the information display medium or the transmitted light of the information display medium.

【0026】[0026]

【作用】EL素子が平坦、均一なものであると、バ−コ
−ド2上の帯状照明部の照度として両端部とと中央部で
ほぼ同一の照度となる。このEL素子を図7に示すよう
なバ−コ−ドリ−ダに使用した場合、両端部からレンズ
4に入射する光量は中央部からレンズ4に達する光量に
比べ小さくなってしまう。これはバ−コ−ドの両端部で
は両端部からレンズを見込む立体角βが中央部からレン
ズを見込む立体角αに比べ小さくなり一定照度のバ−コ
−ド面からの利用光量が少なくなることによる。従って
受光素子に達する光量もバ−コ−ドの両端部からの方が
中央部からの光量に比べて少なくなる。このため受光素
子の出力信号のベ−スライルがフラットでなくなる。こ
れに対して、本発明のEL素子では、EL素子自体の発
光光量を変化させずに図8に示すようにEL素子からの
バ−コ−ド面の照度をバ−コ−ド両端部で大、バ−コ−
ド中央部で小となるようにして、バ−コ−ド面の反射光
量を変化させ、受光素子が受け取るバ−コ−ド面からの
反射光量をバ−コ−ドの位置に関係なく一定にするよう
にすることができる。
When the EL element is flat and uniform, the illuminance of the strip-shaped illumination section on the bar code 2 is substantially the same at both ends and at the center. When this EL element is used in a bar code reader as shown in FIG. 7, the amount of light incident on the lens 4 from both ends becomes smaller than the amount of light reaching the lens 4 from the central part. This is because at both ends of the bar code, the solid angle .beta. Looking into the lens from both ends is smaller than the solid angle .alpha. Looking into the lens from the central part, and the amount of light used from the bar code surface with constant illuminance is reduced. It depends. Therefore, the amount of light reaching the light receiving element is smaller from both ends of the bar code than in the central part. For this reason, the base rail of the output signal of the light receiving element is not flat. On the other hand, in the EL device of the present invention, the illuminance of the bar code surface from the EL device is not changed at both ends of the bar code, as shown in FIG. Large, bar
The amount of reflected light from the bar code surface is changed so that it becomes small at the center of the board, and the amount of reflected light from the bar code surface received by the light receiving element is constant regardless of the position of the bar code. You can

【0027】[0027]

【実施例】【Example】

実施例1 図3により第一の例の一実施例を説明する。基板8とし
て、巾6mm、長さ70mm、厚さ1.1mmの曲面状
のバリウムホウケイ酸ガラス(コーニング社製、商品名
#7059)を用いた。曲率半径は70mmである。透
明導電膜9としてITOを電子ビ−ム蒸着法により、メ
タルマスクを用いて、図3(b)に示すように巾1.5
mm、長さ片方の端から60mm、厚さ200nmに成
膜した。次にプラズマCVD法によってSi34を20
0nm第一絶縁層12として堆積した。次に発光層10
としてMnを0.8mol%添加したZnSを電子ビ−
ム蒸着法によって600nm堆積し、その後空気中にお
いて500℃1時間の熱処理を行った。次に第2絶縁層
13としてスパッタリング法により、Ta25を400
nm堆積した。次に、背面電極11としてメタルマスク
を用いた電子ビ−ム蒸着法により電極巾1mm、長さを
透明導電膜9とは逆の片側より60mmでアルミニウム
を200nm成膜した。ZnSは湿気に弱いため、次に
防湿封止を行う。巾6mm、長さ60mm、厚さ1.1
mmのバリウムホウケイ酸ガラス(コーニング社製、商
品名#7059)を背面ガラス14としてエポキシ系接
着剤により封着する。次に両端の端子より銀ペーストに
よりリード線を取り出し、バーコードリーダのハウジン
グ6に組み込むことで図1に示すバーコードリーダとす
る。
Example 1 An example of the first example will be described with reference to FIG. As the substrate 8, a curved barium borosilicate glass having a width of 6 mm, a length of 70 mm and a thickness of 1.1 mm (manufactured by Corning, trade name # 7059) was used. The radius of curvature is 70 mm. As the transparent conductive film 9, ITO is formed by an electron beam evaporation method using a metal mask to have a width of 1.5 as shown in FIG.
mm, length 60 mm from one end, and film thickness 200 nm. Then, Si 3 N 4 is added to 20 by plasma CVD method.
It was deposited as a 0 nm first insulating layer 12. Next, the light emitting layer 10
ZnS added with 0.8 mol% of Mn as an electron beam
The film was deposited to a thickness of 600 nm by the vapor deposition method, and then heat-treated in air at 500 ° C. for 1 hour. Next, Ta 2 O 5 of 400 is formed as the second insulating layer 13 by a sputtering method.
nm deposited. Next, 200 nm of aluminum was formed as the back electrode 11 by an electron beam evaporation method using a metal mask, with an electrode width of 1 mm and a length of 60 mm from one side opposite to the transparent conductive film 9. Since ZnS is vulnerable to moisture, moisture-proof sealing is performed next. Width 6 mm, length 60 mm, thickness 1.1
mm glass barium borosilicate glass (trade name: # 7059, manufactured by Corning Incorporated) is used as the rear glass 14 and sealed with an epoxy adhesive. Next, the lead wire is taken out from the terminals at both ends with silver paste, and the lead wire is incorporated into the housing 6 of the bar code reader to obtain the bar code reader shown in FIG.

【0028】実施例2 図4により第二の例の一実施例を説明する。基板15と
して、巾6mm、長さ70mm、厚さ1.1mmの曲面
状のバリウムホウケイ酸ガラス(コーニング社製、商品
名#7059)を用いた。透明導電膜16としてITO
を電子ビ−ム蒸着法により、メタルマスクを用いて、図
4(b)に示すように巾1.5mm、長さ片方の端から
60mm、厚さ200nmに成膜した。次にプラズマC
VD法によってSi34を200nm第一絶縁層19と
して堆積した。次に発光層17としてMnを0.8mo
l%添加したZnSを電子ビ−ム蒸着法によって中央部
に500nm、両端部に900nm堆積し、その後空気
中において500℃1時間の熱処理を行った。次に第2
絶縁層20としてスパッタリング法により、Ta25
400nm堆積した。次に、背面電極18としてメタル
マスクを用いた電子ビ−ム蒸着法により電極巾1mm、
長さを透明導電膜16とは逆の片側より60mmでアル
ミニウムを200nm成膜した。ZnSは湿気に弱いた
め、次に防湿封止を行う。巾6mm、長さ60mm、厚
さ1.1mmのバリウムホウケイ酸ガラス(コーニング
社製、商品名#7059)を背面ガラス14としてエポ
キシ系接着剤により封着する。次に両端の端子より銀ペ
ーストによりリード線を取り出し、バーコードリーダの
ハウジング6に組み込むことで図1に示すバーコードリ
ーダとする。
Embodiment 2 An embodiment of the second example will be described with reference to FIG. As the substrate 15, a curved barium borosilicate glass having a width of 6 mm, a length of 70 mm and a thickness of 1.1 mm (manufactured by Corning, trade name # 7059) was used. ITO as the transparent conductive film 16
Was deposited by an electron beam evaporation method using a metal mask to a width of 1.5 mm, a length of 60 mm from one end, and a thickness of 200 nm as shown in FIG. 4 (b). Next, plasma C
Si 3 N 4 was deposited as a 200 nm first insulating layer 19 by the VD method. Next, Mn is used as the light emitting layer 17 with 0.8mo
ZnS added with 1% was deposited by electron beam evaporation to a thickness of 500 nm at the center and 900 nm at both ends, and then heat-treated in air at 500 ° C. for 1 hour. Second
As the insulating layer 20, Ta 2 O 5 was deposited to 400 nm by the sputtering method. Next, as the back electrode 18, an electrode width of 1 mm was formed by an electron beam evaporation method using a metal mask.
Aluminum was deposited in a thickness of 200 nm with a length of 60 mm from one side opposite to that of the transparent conductive film 16. Since ZnS is vulnerable to moisture, moisture-proof sealing is performed next. Barium borosilicate glass (product name # 7059, manufactured by Corning Incorporated) having a width of 6 mm, a length of 60 mm and a thickness of 1.1 mm is sealed as the rear glass 14 with an epoxy adhesive. Next, the lead wire is taken out from the terminals at both ends with silver paste, and the lead wire is incorporated into the housing 6 of the bar code reader to obtain the bar code reader shown in FIG.

【0029】実施例3 図5により第三の例の一実施例を説明する。基板21と
して、巾6mm、長さ70mm、厚さ1.1mmのバリ
ウムホウケイ酸ガラス(コーニング社製、商品名#70
59)を用いた。透明導電膜22としてITOを電子ビ
−ム蒸着法により、メタルマスクを用いて、図5(b)
に示すように巾1.5mm、長さ片方の端から60m
m、厚さ200nmに成膜した。次にプラズマCVD法
によってSi34を200nm第一絶縁層25として堆
積した。次に発光層23としてMnを0.8mol%添
加したZnSを電子ビ−ム蒸着法によって700nm堆
積し、その後空気中において500℃1時間の熱処理を
行った。次に第2絶縁層25としてスパッタリング法に
より、Ta25を400nm堆積した。次に、背面電極
24として図5(b)に示すようにメタルマスクを用い
た電子ビ−ム蒸着法により中央部は電極巾1mm、両端
部は電極巾5mmとなるように、長さを透明導電膜16
とは逆の片側より60mmでアルミニウムを200nm
成膜した。ZnSは湿気に弱いため、次に防湿封止を行
う。巾6mm、長さ60mm、厚さ1.1mmのバリウ
ムホウケイ酸ガラス(コーニング社製、商品名#705
9)を背面ガラス14としてエポキシ系接着剤により封
着する。次に両端の端子より銀ペーストによりリード線
を取り出し、バーコードリーダのハウジング6に組み込
むことで図1に示すバーコードリーダとする。
Embodiment 3 An embodiment of the third example will be described with reference to FIG. As the substrate 21, a barium borosilicate glass having a width of 6 mm, a length of 70 mm and a thickness of 1.1 mm (made by Corning, trade name # 70
59) was used. As the transparent conductive film 22, ITO is formed by an electron beam evaporation method using a metal mask, as shown in FIG.
As shown in, width is 1.5mm, length is 60m from one end
m and a thickness of 200 nm. Then, Si 3 N 4 was deposited as a 200 nm first insulating layer 25 by plasma CVD. Next, ZnS containing 0.8 mol% of Mn was deposited as the light emitting layer 23 to a thickness of 700 nm by the electron beam evaporation method, and then heat treatment was performed in air at 500 ° C. for 1 hour. Next, Ta 2 O 5 was deposited to 400 nm as the second insulating layer 25 by the sputtering method. Next, as the back electrode 24, as shown in FIG. 5B, the length is transparent so that the central part has an electrode width of 1 mm and both ends have an electrode width of 5 mm by an electron beam evaporation method using a metal mask. Conductive film 16
Aluminum from 200 nm with 60 mm from one side opposite to
A film was formed. Since ZnS is vulnerable to moisture, moisture-proof sealing is performed next. Width 6 mm, length 60 mm, thickness 1.1 mm barium borosilicate glass (product name # 705, manufactured by Corning Incorporated)
9) is used as the back glass 14 and is sealed with an epoxy adhesive. Next, the lead wire is taken out from the terminals at both ends with silver paste, and the lead wire is incorporated into the housing 6 of the bar code reader to obtain the bar code reader shown in FIG.

【0030】実施例4 図6により第四の例の一実施例を説明する。基板とし
て、巾6mm、長さ70mm、厚さ1.1mmのバリウ
ムホウケイ酸ガラス(コーニング社製、商品名#705
9)を用いた。透明導電膜27としてITOを電子ビ−
ム蒸着法により、メタルマスクを用いて、図6に示すよ
うに巾1.5mm、長さ片方の端から60mm、厚さ2
00nmに成膜した。次にプラズマCVD法によってS
34を200nmを第一絶縁層として堆積した。次に
発光層としてMnを0.8mol%添加したZnSを電
子ビ−ム蒸着法によって700nm堆積し、その後空気
中において500℃1時間の熱処理を行った。次に第2
絶縁層としてスパッタリング法により、Ta25を40
0nm堆積した。次に、背面電極28を図6に示す電極
パタ−ンとなるようにメタルマスクを用いた電子ビ−ム
蒸着法により、長さを透明導電膜27とは逆の片側より
60mmでアルミニウムを200nm成膜した。ZnS
は湿気に弱いため、次に防湿封止を行う。巾6mm、長
さ60mm、厚さ1.1mmのバリウムホウケイ酸ガラ
ス(コーニング社製、商品名#7059)を背面ガラス
14としてエポキシ系接着剤により封着する。次に両端
の端子より銀ペーストによりリード線を取り出し、バー
コードリーダのハウジング6に組み込むことで図1に示
すバーコードリーダとする。
Embodiment 4 An embodiment of the fourth example will be described with reference to FIG. As a substrate, a barium borosilicate glass having a width of 6 mm, a length of 70 mm and a thickness of 1.1 mm (manufactured by Corning, trade name # 705)
9) was used. As the transparent conductive film 27, ITO is used as an electronic beam.
As shown in FIG. 6, a width of 1.5 mm, a length of 60 mm from one end, and a thickness of 2 using a metal mask by a vapor deposition method.
The film was formed to a thickness of 00 nm. Next, by the plasma CVD method, S
200 nm of i 3 N 4 was deposited as a first insulating layer. Next, ZnS containing 0.8 mol% of Mn added as a light emitting layer was deposited to 700 nm by an electron beam evaporation method, and then heat treatment was performed in air at 500 ° C. for 1 hour. Second
Ta 2 O 5 was used as an insulating layer by sputtering to 40
0 nm was deposited. Next, the back electrode 28 is formed by an electron beam evaporation method using a metal mask so that the back electrode 28 has the electrode pattern shown in FIG. A film was formed. ZnS
Is vulnerable to moisture, so a moisture-proof sealing is performed next. Barium borosilicate glass (product name # 7059, manufactured by Corning Incorporated) having a width of 6 mm, a length of 60 mm and a thickness of 1.1 mm is sealed as the rear glass 14 with an epoxy adhesive. Next, the lead wire is taken out from the terminals at both ends with silver paste, and the lead wire is incorporated into the housing 6 of the bar code reader to obtain the bar code reader shown in FIG.

【0031】実施例5 基板として、巾6mm、長さ70mm、厚さ1.1mm
の曲面状のバリウムホウケイ酸ガラス(コーニング社
製、商品名#7059)を用いた。透明導電膜としてI
TOを電子ビ−ム蒸着法により、メタルマスクを用い
て、巾1.5mm、長さ片方の端から60mm、厚さ2
00nmに成膜した。次にプラズマCVD法によってS
34を200nmを第一絶縁層として堆積した。次に
発光層の母体であるZnSを電子ビ−ム蒸着法によって
500nm堆積し、その後抵抗加熱蒸着法により素子法
線方向下方からMnを蒸着した。この結果素子中央部の
Mn膜厚が両端部より厚くなった。このMnは500℃
で1時間の熱処理することによってZnS中に拡散させ
た。次に第2絶縁層としてスパッタリング法により、T
25を400nm堆積した。次に、背面電極としてメ
タルマスクを用いた電子ビ−ム蒸着法により電極巾1m
m、長さを透明導電膜とは逆の片側より60mmでアル
ミニウムを200nm成膜した。ZnSは湿気に弱いた
め、次に防湿封止を行う。巾6mm、長さ60mm、厚
さ1.1mmのバリウムホウケイ酸ガラス(コーニング
社製、商品名#7059)を背面ガラス14としてエポ
キシ系接着剤により封着する。次に両端の端子より銀ペ
ーストによりリード線を取り出し、バーコードリーダの
ハウジング6に組み込むことで図1に示すバーコードリ
ーダとする。
Example 5 A substrate having a width of 6 mm, a length of 70 mm and a thickness of 1.1 mm
The curved barium borosilicate glass (trade name: # 7059, manufactured by Corning Incorporated) was used. I as a transparent conductive film
TO was formed by an electron beam evaporation method using a metal mask to have a width of 1.5 mm, a length of 60 mm from one end, and a thickness of 2
The film was formed to a thickness of 00 nm. Next, by the plasma CVD method, S
200 nm of i 3 N 4 was deposited as a first insulating layer. Next, ZnS, which is the base material of the light emitting layer, was deposited to a thickness of 500 nm by an electron beam vapor deposition method, and then Mn was vapor deposited from below the element normal direction by a resistance heating vapor deposition method. As a result, the Mn film thickness in the central part of the device became thicker than that at both ends. This Mn is 500 ° C
It was diffused into ZnS by heat treatment for 1 hour. Then, as a second insulating layer, T is formed by a sputtering method.
400 nm of a 2 O 5 was deposited. Next, the electrode width is 1 m by the electron beam evaporation method using a metal mask as the back electrode.
Aluminum was deposited in a thickness of 200 nm with a length m and a length of 60 mm from one side opposite to the transparent conductive film. Since ZnS is vulnerable to moisture, moisture-proof sealing is performed next. Barium borosilicate glass (product name # 7059, manufactured by Corning Incorporated) having a width of 6 mm, a length of 60 mm and a thickness of 1.1 mm is sealed as the rear glass 14 with an epoxy adhesive. Next, the lead wire is taken out from the terminals at both ends with silver paste, and the lead wire is incorporated into the housing 6 of the bar code reader to obtain the bar code reader shown in FIG.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明の情報識別装置では、光源の発光
光量を部分的に変化させる必要がないため単純に素子全
体を発光させれば良く構造が簡単で安価になる。またこ
のEL素子を使用することによって情報表示媒体からの
反射光、透過光の光量分布が均一な、感度の高いものが
得られ、読み取りエラーを低減することができる。
In the information identifying apparatus of the present invention, since it is not necessary to partially change the amount of light emitted from the light source, it is sufficient to simply make the entire element emit light, and the structure is simple and the cost is low. Further, by using this EL element, it is possible to obtain a highly sensitive one in which the light amount distribution of the reflected light and the transmitted light from the information display medium is uniform, and the reading error can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】バ−コ−ドリ−ダの断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a bar coder.

【図2】バ−コ−ドリ−ダの開口部の下方からの斜視図
である。
FIG. 2 is a perspective view from below of an opening of a bar-co-reader.

【図3】(a)本発明の第一の薄膜EL素子の断面図、
(b)本発明の第一の薄膜EL素子の平面図である。
FIG. 3 (a) is a cross-sectional view of a first thin film EL element of the present invention,
(B) It is a top view of the 1st thin film EL element of this invention.

【図4】(a)本発明の第二の薄膜EL素子の断面図、
(b)本発明の第二の薄膜EL素子の平面図である。
FIG. 4 (a) is a cross-sectional view of a second thin film EL element of the present invention,
(B) It is a top view of the 2nd thin film EL element of this invention.

【図5】(a)本発明の第三の薄膜EL素子の断面図、
(b)本発明の第三の薄膜EL素子の平面図である。
FIG. 5 (a) is a sectional view of a third thin film EL element of the present invention,
(B) It is a top view of the 3rd thin film EL element of this invention.

【図6】本発明の第四の薄膜EL素子の平面図である。FIG. 6 is a plan view of a fourth thin film EL element of the present invention.

【図7】バ−コ−ドからの反射光の状態を説明する簡略
断面図である。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating a state of reflected light from a bar code.

【図8】本発明の薄膜EL素子の照度分布を示すグラフ
である。
FIG. 8 is a graph showing an illuminance distribution of the thin film EL element of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1.光源 2.バ−コ−ド 3.鏡 4.レンズ 5.受光素子 6.ハウジング 8.ガラス基板 9.導電膜 10.発光層 11.導電膜 12.絶縁層 13.絶縁層 1. Light source 2. Bar code 3. Mirror 4. Lens 5. Light receiving element 6. Housing 8. Glass substrate 9. Conductive film 10. Light emitting layer 11. Conductive film 12. Insulation layer 13. Insulation layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 健 茨城県つくば市和台48番 日立化成工業株 式会社筑波開発研究所内 (72)発明者 須佐 憲三 茨城県つくば市和台48番 日立化成工業株 式会社筑波開発研究所内 (72)発明者 鈴木 敏孝 日立市石名坂町1丁目28番32号 (72)発明者 渡部 満 東京都文京区本郷4丁目37番17号 株式会 社ニュ−ロン内 (72)発明者 和泉 恒雄 東京都文京区本郷4丁目37番17号 株式会 社ニュ−ロン内 (72)発明者 佐川 隆 東京都文京区本郷4丁目37番17号 株式会 社ニュ−ロン内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Ken Yoshida 48 Wadai, Tsukuba City, Ibaraki Prefecture, Hitachi Chemical Co., Ltd. Tsukuba Development Laboratory (72) Inventor Kenzo Susa 48 Wadai, Tsukuba City, Ibaraki Prefecture Hitachi Chemical Co., Ltd. Incorporated company Tsukuba R & D Laboratory (72) Inventor Toshitaka Suzuki 1-28-32 Ishinasaka-cho, Hitachi (72) Inventor Mitsuru Watanabe 4-37-17 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 72) Inventor Tsuneo Izumi 4-37-17 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo In stock company Nurong (72) Inventor Takashi Sagawa 4-37-17 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo In stock company Nuron

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】情報表示媒体に光を照射する光源、情報表
示媒体からの光を受光する受光素子、受光素子からの電
気信号を処理する情報処理部からなる情報識別装置に於
て、光源を下記(1)〜(5)のEL素子の少なくとも
一つとしたことを特徴とする情報識別装置。 (1)情報表示媒体に対向した面を中央が凹となる曲面
にしたEL素子。 (2)EL素子発光層の膜厚を素子の両端部で厚くした
EL素子。 (3)EL素子発光面を素子の両端部で広くしたEL素
子。 (4)EL素子発光面を複数にし、発光面の総面積が素
子の両端部で中央部に比べ大となるようにしたEL素
子。 (5)EL素子発光層に含まれる発光中心の濃度を素子
の中央部と両端部で異なった値にしたEL素子。
1. An information identification device comprising a light source for irradiating an information display medium with light, a light receiving element for receiving light from the information display medium, and an information processing section for processing an electrical signal from the light receiving element. An information identification device comprising at least one of the following EL elements (1) to (5). (1) An EL element in which the surface facing the information display medium is a curved surface having a concave center. (2) EL element An EL element in which the thickness of the light emitting layer is increased at both ends of the element. (3) EL element An EL element in which the light emitting surface is widened at both ends of the element. (4) EL element An EL element having a plurality of light emitting surfaces so that the total area of the light emitting surfaces is larger at both end portions of the element than in the central portion. (5) EL element An EL element in which the concentration of the light emission center contained in the light emitting layer has different values in the central portion and both end portions of the element.
【請求項2】情報表示媒体からの光が、情報表示媒体か
らの反射光である請求項1記載の情報識別装置。
2. The information identification device according to claim 1, wherein the light from the information display medium is reflected light from the information display medium.
【請求項3】バーコードに光を照射する光源、バーコー
ドからの反射光を受光する受光素子、受光素子からの電
気信号をデコード処理しバーコードに記録された情報を
処理するデコ−ド回路からなるバーコードリーダに於
て、光源を下記(1)〜(5)のEL素子の少なくとも
一つとしたことを特徴とするバーコードリーダ。 (1)情報表示媒体に対向した面を中央が凹となる曲面
にしたEL素子。 (2)EL素子発光層の膜厚を素子の両端部で厚くした
EL素子。 (3)EL素子発光面を素子の両端部で広くしたEL素
子。 (4)EL素子発光面を複数にし、発光面の総面積が素
子の両端部で中央部に比べ大となるようにしたEL素
子。 (5)EL素子発光層に含まれる発光中心の濃度を素子
の中央部と両端部で異なった値にしたEL素子。
3. A light source for irradiating a bar code with light, a light receiving element for receiving reflected light from the bar code, and a decoding circuit for decoding an electric signal from the light receiving element to process information recorded on the bar code. A bar code reader comprising: a bar code reader, wherein the light source is at least one of the following EL elements (1) to (5). (1) An EL element in which the surface facing the information display medium is a curved surface having a concave center. (2) EL element An EL element in which the thickness of the light emitting layer is increased at both ends of the element. (3) EL element An EL element in which the light emitting surface is widened at both ends of the element. (4) EL element An EL element having a plurality of light emitting surfaces so that the total area of the light emitting surfaces is larger at both end portions of the element than in the central portion. (5) EL element An EL element in which the concentration of the light emission center contained in the light emitting layer has different values in the central portion and both end portions of the element.
【請求項4】EL素子が薄膜EL素子である請求項1〜
3各項記載の情報識別装置又はバーコードリーダ。
4. The EL element is a thin film EL element.
3 The information identification device or bar code reader described in each item.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015164130A (en) * 2001-12-28 2015-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device
WO2019137980A1 (en) * 2018-01-11 2019-07-18 Ventana Medical Systems, Inc. Anti-fogging barcode reader

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