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JPH06252122A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JPH06252122A
JPH06252122A JP5056424A JP5642493A JPH06252122A JP H06252122 A JPH06252122 A JP H06252122A JP 5056424 A JP5056424 A JP 5056424A JP 5642493 A JP5642493 A JP 5642493A JP H06252122 A JPH06252122 A JP H06252122A
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Japan
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processing
liquid
concentration
tank
flow rate
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JP5056424A
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Masashi Teramoto
正史 寺本
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron FE Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron FE Ltd
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Publication date
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Priority to KR1019940003148A priority patent/KR100258830B1/ko
Priority to TW083101760A priority patent/TW283796B/zh
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Priority to US08/753,032 priority patent/US5722441A/en
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 処理液の濃度を常に一定に維持でき、処理精
度の向上及び処理能力の向上を図れるようにした処理装
置を提供する。 【構成】 半導体ウエハＷの処理液Ｌを処理槽１内に循
環供給する循環系２に新しい処理液を供給する処理液供
給手段３を接続する。処理液供給手段３の処理液供給側
に供給流量制御弁１４ａ，１４ｂ，１４ｃを設け、この
供給流量制御弁１４ａ，１４ｂ，１４ｃを処理槽１内の
処理液Ｌの濃度に応じて連続的に制御する。これによ
り、処理槽１内の処理液Ｌの濃度を常に一定に維持で
き、処理精度の向上及び処理能力の向上を図ることがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の被処理体を処理液により処理する処理装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、被処理体である半導体ウエハ（以下にウエハとい
う）の表面に付着した被膜やパーティクル等の不純物を
除去するために洗浄処理装置が使用されている。この洗
浄処理装置は、ウエハに対して、例えばアンモニア処
理、水洗処理、フッ酸処理あるいは塩酸処理等の各処理
を順次施してウエハの表面を清浄化するものである。
【０００３】そこで、従来の洗浄処理装置では、アンモ
ニア処理槽、水洗処理槽、フッ酸処理槽等の各処理槽を
配置する複数の処理室を配列し、ウエハを搬送手段にて
載置保持して各処理室内外に搬入・搬出して処理を施し
ている。この場合、各処理室において、処理槽内に収容
された処理液にウエハを浸漬してウエハの表面を洗浄処
理し、順次所定の処理室で処理して最終の洗浄工程後の
ウエハの表面を清浄な状態にしている。
【０００４】ところで、処理槽内に収容される処理液は
その性質の違いにより温度や処理時間等によってその濃
度が変化する。例えばアンモニア処理においては、アン
モニア（ＮＨ4 ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）及び純
水を混合した処理液を例えば６０℃〜８０℃の温度範囲
で使用しているが、このうちアンモニアは、図６に示す
ように、時間の経過と共に濃度が低下する傾向にあり、
このような濃度が低下した状態で処理を行うと、洗浄が
不均一となる。そこで、従来では最適状態で洗浄処理す
るには、例えば１０分後、２０分後に処理槽内の処理液
を全部交換する方法、所定処理回数毎に処理液を全部交
換するか処理液を断続的に一部補充する方法が採られて
いる。。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように所定時間や所定処理回数後に処理槽内の処理液を
全部交換することは、多くの労力及び時間を要するた
め、処理能力の低下を招くという問題があった。しか
も、処理装置の処理液を全部交換することは、大量の処
理液を排出するため、処理液の無駄が生じるばかりか、
大量の処理液を頻繁に排出することは、処理済みの処理
液の廃棄問題をも惹起する虞れもあった。
【０００６】この問題を解決する方法として、所定時間
あるいは所定処理回数後に処理槽内に新しい処理液を補
充する方法が考えられる。この方法によれば、処理液の
交換時期を延ばすことができるが、この方法においては
新しい処理液の補充のタイミングが難しい上、処理液の
濃度を常に一定に維持することは難しいという問題があ
る。
【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、処理液の濃度を常に一定に維持でき、処理精度の向
上及び処理能力の向上を可能にする処理装置を提供する
ことを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の処理装置は、被処理体を処理する
処理液を収容する処理槽と、上記処理槽内に処理液を供
給する処理液供給手段とを具備する処理装置において、
上記処理液供給手段の処理液供給側に供給流量制御機構
を設けると共に、この供給流量制御機構を上記処理槽内
の処理液の濃度に応じて連続的に制御することを特徴と
するものである。
【０００９】また、この発明の第２の処理装置は、被処
理体を処理する処理液を収容すると共に処理液排出路を
接続する処理槽と、上記処理槽内に処理液を供給する処
理液供給手段とを具備する処理装置において、上記処理
液供給手段の処理液供給側に供給流量制御機構を設ける
と共に、この供給流量制御機構を上記処理槽内の処理液
の濃度に応じて連続的に制御し、上記処理液排出路に排
出流量制御機構を設けると共に、この排出流量制御機構
を、処理に供される処理液の汚れを検出する汚れ検出手
段からの検出信号に基いて連続的に制御することを特徴
とするものである。
【００１０】この発明において、上記供給流量制御機構
は処理槽内の処理液の濃度に応じて連続的に制御される
ものであれば、予め実験等により測定された処理液の濃
度測定値のデータに基いて供給流量制御機構を制御して
もよく、あるいは、処理に供される処理液の濃度を濃度
検出手段にて検出し、その検出信号に基いて供給流量制
御機構を制御するものであってもよい。
【００１１】
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段の
処理液供給側に供給流量制御機構を設け、この供給流量
制御機構を処理槽内の処理液の濃度に応じて連続的に制
御することにより、処理槽内の処理液の濃度を常に一定
に維持することができる。したがって、連続的に被処理
体の処理を行うことができ、処理精度の向上及び処理能
力の向上を図ることができる。
【００１２】また、処理槽内に処理液を供給する処理液
供給手段の処理液供給側に供給流量制御機構を設け、こ
の供給流量制御機構を処理槽内の処理液の濃度に応じて
連続的に制御し、処理槽に接続する処理液排出路に排出
流量制御機構を設け、この排出流量制御機構を、処理に
供される処理液の汚れを検出する汚れ検出手段からの検
出信号に基いて連続的に制御することにより、処理液の
濃度の維持の他に処理液の汚れに応じて処理液を交換す
ることができる。したがって、処理槽内の処理液を濃度
及び汚れの２点を監視して常に最適状態で処理に供する
ことができる。
【００１３】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基いて詳
細に説明する。この実施例ではこの発明の処理装置をウ
エハの洗浄処理装置に適用した場合を示す。
【００１４】◎第一実施例 図１はこの発明の処理装置の第一実施例の概略断面図が
示されている。この発明の処理装置は、被処理体である
ウエハＷを浸漬処理する処理液Ｌを収容する処理槽１
と、この処理槽１に処理液Ｌを循環供給する循環系２
と、処理槽１に新しい処理液Ｌを供給する処理液供給手
段３とで主要部が構成されている。
【００１５】上記処理槽１は、図示しないウエハ保持ア
ームによってウエハＷを収容する処理槽本体１ａの底部
に処理液供給口４ａと処理液排出口４ｃを設け、処理槽
本体１ａの上部外周にオーバーフロー槽１ｂを設けると
共に、オーバーフロー槽１ｂの底部の適宜箇所に処理液
回収口４ｂを設けてなる。なお、処理槽本体１ａの下部
には処理液Ｌを均一にウエハＷに当るようにするための
整流板５が配設されている。
【００１６】循環系２は、処理槽１の処理液供給口４ａ
と処理液回収口４ｂに接続する循環管路６のオーバーフ
ロー回収側から順に処理液循環ポンプ７、ダンパー８、
熱交換器９及びフィルタ１０を介設してなる。そして、
処理槽１の上部からオーバーフロー槽１ｂにオーバーフ
ローした処理液Ｌを循環管路６及び処理液循環ポンプ７
によって循環しつつ循環管路６に介設された熱交換器９
で温度制御し、処理液循環ポンプ７による脈動をダンパ
ー８にて軽減した後、フィルタ１０でパーティクルを除
去して処理槽１内に戻し、温調及び清浄化した処理液Ｌ
でウエハＷの洗浄処理を行うように構成されている。
【００１７】上記処理液供給手段３は、新しい処理液
（薬液）、例えばアンモニア水、過酸化水素水及び純水
をそれぞれ収容する処理液供給槽１１ａ，１１ｂ，１１
ｃと、各処理液供給槽１１ａ〜１１ｃと上記循環管路６
とを接続する処理液供給管路１２と、処理液供給管路１
２に介設される処理液供給ポンプ１３とで構成されてい
る。そして、このように構成される処理液供給手段３の
各処理液供給管路１２にそれぞれ供給流量制御機構、例
えば供給流量制御弁１４ａ，１４ｂ，１４ｃが介設され
ている。これら供給流量制御弁１４ａ〜１４ｃは、予め
実験等によって検出された処理液Ｌの濃度変化のデータ
を記憶した制御部１５（例えば中央演算処理装置：ＣＰ
Ｕ）によって操作されるようになっている。
【００１８】上記のように構成される処理装置におい
て、図示しないウエハ搬送アームにより搬送されたウエ
ハＷがウエハ保持アームによって処理槽１内に搬入さ
れ、処理槽１内に循環供給される処理液Ｌに所定時間浸
漬されて洗浄処理が行われる。この洗浄処理中に処理液
Ｌの濃度が低下するので、予め処理液Ｌの濃度の低下の
データを記憶したＣＰＵ１５からの信号によって濃度が
低下した新しい処理液（薬液）の供給流量制御弁例えば
アンモニアの供給流量制御弁１４ａが操作されて濃度が
低下した量の新しい処理液（アンモニア）が補充され
る。したがって、処理槽１内の処理液Ｌは常時濃度が一
定に維持され、ウエハＷを最適状態で洗浄処理すること
ができる。
【００１９】なお、上記説明では濃度が低下した量の新
しい処理液を循環管路６を介して処理槽１内に補充する
場合について述べたが、必ずしもこのような構造とする
必要はなく、別の構造としてもよい。すなわち、図２に
示すように、処理液供給手段３の各処理液供給管路１２
を処理槽１のオーバーフロー槽１ｂの上方へ配管して、
新しい処理液（薬液）をオーバーフロー槽１ｂに供給す
る方式であってもよい。
【００２０】◎第二実施例 図３はこの発明の処理装置の第二実施例の概略断面図が
示されている。第二実施例における処理装置は、処理槽
１内の処理液Ｌの濃度を検出しつつ処理液Ｌの濃度を一
定に維持できるようにした場合である。すなわち、処理
槽１の処理液供給口４ａと処理液回収口４ｂに接続する
循環管路６の一部、例えば処理液循環ポンプ７の吐出側
と吸入側とを接続するバイパス管路１６に濃度検出手段
である濃度検出用分光器１７を介設すると共に、この濃
度検出用分光器１７によって検出された濃度信号をＣＰ
Ｕ１５に伝達し、ＣＰＵ１５からの出力信号によって各
供給流量制御弁１４ａ〜１４ｃを操作するようにした場
合である。この場合、濃度検出用分光器１７による処理
液濃度の測定は、バイパス管路１６内を流れる処理液の
近赤外線透過スペクトルが処理液を構成している成分例
えばアンモニア水、過酸化水素水の濃度によって変化す
るという原理に基くものである。
【００２１】第二実施例において、ウエハＷを処理槽１
内の処理液Ｌに浸漬してウエハＷを洗浄処理を行つてい
る間に、循環管路６を介してバイパス管路１６に流れる
サンプリング用の処理液の濃度が濃度検出用分光器１７
によって検出される。そして、この濃度検出用分光器１
７により検出された濃度信号がＣＰＵ１５に送られ、Ｃ
ＰＵ１５にて所定の情報と比較演算された出力信号に基
いて供給流量制御弁１４ａ〜１４ｃが操作され、濃度の
低下した処理液成分の新しい処理液が処理液供給槽１１
ａ〜１１ｃから処理液供給管路１２を介して循環管路６
に流れ、処理槽１内に補充される。したがって、処理槽
１内の処理液Ｌの濃度は常時一定に維持され、最適状態
でウエハＷの洗浄処理を行うことができる。
【００２２】なお、第二実施例において、その他の部分
は上記第一実施例と同じであるので、同一部分には同一
符号を付してその説明は省略する。
【００２３】◎第三実施例 図４はこの発明の処理装置の第三実施例の概略断面図が
示されている。第三実施例における処理装置は、処理液
の濃度の維持の他に処理液の汚れを検出して処理液の排
出を制御するようにした場合である。
【００２４】すなわち、第三実施例の処理装置は、図４
に示すように、処理槽１の処理槽本体１ａの底部に処理
液供給口４ａとは別に処理液排出口４ｃを設け、この処
理液排出口４ｃに接続される処理液排出管路１８に排出
流量制御機構、例えば排出流量制御弁１９を介設し、ま
た、循環管路６の処理液循環ポンプ７の吐出側と吸入側
とに第２のバイパス管路１６ａを接続すると共に、この
第２のバイパス管路１６ａに処理液の汚れ検出手段であ
る汚れ検出用分光器１７ａを介設してなる。そして、汚
れ検出用分光器１７ａによって検出された汚れ信号をＣ
ＰＵ１５に伝達し、ＣＰＵ１５からの出力信号によって
排出流量制御弁１９を操作するようにした構造となって
いる。また、汚れ信号を受けたＣＰＵ１５からの信号は
供給流量制御弁１４ａ〜１４ｃにも伝達されるようにな
っている。なお、上記汚れ検出用分光器１７ａは上記濃
度検出用分光器１７と同様の原理によって処理液中の汚
れすなわちパーティクルの量を検出することができる。
また、第三実施例において、その他の部分は上記第二実
施例と同じであるので、同一部分には同一符号を付して
その説明は省略する。
【００２５】上記のように構成される第三実施例の処理
装置において、循環管路６を介して第２のバイパス管路
１６ａに流れるサンプリング用の処理液の汚れが汚れ検
出用分光器１７ａによって検出される。そして、この汚
れ検出用分光器１７ａにより検出された汚れ信号がＣＰ
Ｕ１５に送られ、ＣＰＵ１５にて所定の情報と比較演算
された出力信号に基いて排出流量制御弁１９が操作さ
れ、汚れの度合いに応じて処理槽１内の処理液Ｌが処理
液排出管路１８を介して外部に排出される。この場合、
排出される処理液の量が判るので、その排出量に相当す
る量の処理液は、ＣＰＵ１５からの出力信号に基いて供
給流量制御弁１４ａ〜１４ｃを操作することによって補
充することができる。
【００２６】なお、上記実施例では処理排出口４ｃに接
続する処理液排出管路１８に排出流量制御機構である排
出流量制御弁１９を設けた場合について説明したが、必
ずしも排出流量制御弁１９を処理液排出管路１８に設け
る必要はなく、例えば図４に想像線で示すように、オー
バーフロー槽１ｂの処理液回収口４ｂに接続する処理液
排出管路１８ａに排出流量制御弁１９を設けてもよい。
このように形成することにより、処理槽１内の処理液中
のパーティクル等がオーバーフロー槽１ｂに浮き上がる
ので、パーティクル等をオーバーフロー槽１ｂから有効
に排出することができる。
【００２７】上記のように構成される処理装置は具体的
には、洗浄処理装置に組込まれて使用される。この洗浄
処理装置は、例えば図５に示すように、３つの洗浄処理
ユニット２１，２２，２３にて構成されており、搬入側
の洗浄処理ユニット２１にはローダ２４が接続され、搬
出側の洗浄処理ユニット２３にはアンローダ２５が接続
されており、更に洗浄処理ユニット２１，２２間及び洗
浄処理ユニット２２，２３間に、３ユニットのいずれか
に含まれている処理室の一部を構成する水中ローダ２６
が配設されている。
【００２８】搬入側の洗浄処理ユニット２１は、中心位
置に搬送アーム３５を配設する容器３６が位置し、その
周囲で容器３６の左隣及びローダ２４の正面にそれぞれ
アンモニア処理室２７及び水洗処理室２８が配設されて
いる。中央の洗浄処理ユニット２２は、中心位置に搬送
アーム３５を配設する容器３６が位置し、その周囲の左
右両側に水中ローダ２６を配設し、その間の前後位置に
フッ酸処理室２９、水洗オーバーフロー処理室３０を配
設してなる。また、搬出側の洗浄処理ユニット２３は、
中心位置に搬送アーム３５を配設した容器３６が位置
し、この容器３６の周囲でアンローダ２５の正面側には
水洗ファイナルリンス処理室３１を配設し、容器３６の
右隣に乾燥処理室３２を配設してなる。
【００２９】上記のように構成される洗浄処理装置にお
いて、ローダ２４に２５枚ずつウエハＷが載置されたキ
ャリア３３が２つ搬送されてくると、オリフラ合せ機構
３４が動作して、キャリア３３内のウエハＷを整列させ
る。次いで、突き上げ棒（図示せず）が上方に作動し
て、キャリア３３をそのままに、ウエハＷのみを上方に
取り出した後、突き上げ棒が互いに寄合って５０枚のウ
エハＷを等間隔で位置させる。次に、搬送アーム３５が
作動して水平回転し、かつローダ２４方向に伸びて先端
のフォーク３７を突き上げ棒の下側に位置させる。そし
て、突き上げ棒が下降し、フォーク３７上にウエハＷが
載置位置決めされる。次いで、フォーク３７上にウエハ
Ｗが載置された状態で、搬送アーム３５が水平回転し、
かつ伸縮してアンモニア処理室２７の開口部からウエハ
Ｗをアンモニア処理室２７の処理槽１内の処理液に浸漬
して洗浄処理する。この洗浄処理中において、上述した
ように処理液の濃度が一定に維持される。
【００３０】アンモニア処理室２７内での洗浄が終了し
た後、ウエハＷは次の水洗処理室２８内へ搬入されて水
洗処理される。そして、洗浄が終了したウエハＷは搬入
側の洗浄処理ユニット２１と中央の洗浄処理ユニット２
２との間の水中ローダ２６によって中央の洗浄処理ユニ
ット２２に搬送され、中央の洗浄処理ユニット２２の容
器３６内に配設された搬送アーム３５によって上述と同
様に搬送される。そして、ウエハＷは、順次フッ酸処理
室２９内での洗浄処理、オーバーフロー処理室３０内で
の水洗オーバーフロー処理が行われる。上記フッ酸処理
室２９内の洗浄処理においても上述と同様に処理液の濃
度が一定に維持される。
【００３１】中央の洗浄処理ユニット２２での洗浄処理
が行われたウエハＷは、中央の洗浄処理ユニット２２と
搬出側の洗浄処理ユニット２３との間の水中ローダ２６
にて搬出側の洗浄処理ユニット２３に搬送される。そし
て、搬出側の洗浄処理ユニット２３の搬送アーム３５に
よって上述と同様に搬送されて、ファイナルリンスが行
われた後、乾燥処理が行われる。このようにして、搬出
側の洗浄処理ユニット２３にて洗浄処理されたウエハＷ
はアンローダ２５に搬送され、このアンローダ２５にて
ウエハＷの２５枚ずつの分割、オリフラ合せが行われ、
そして、２つのキャリアに載置されて搬出される。
【００３２】なお、上記実施例の洗浄処理装置では、３
つの洗浄処理ユニット２１，２２及び２３を有するタイ
プの場合について説明したが、このタイプの洗浄処理装
置の他に複数の洗浄処理室を直線状に配置したタイプの
洗浄処理装置においてもこの発明の処理装置を適用する
ことができる。
【００３３】また、上記実施例ではこの発明の処理装置
がウエハＷの洗浄処理装置について説明したが、必ずし
もウエハＷの洗浄処理装置に限定するものではなく、そ
の他の例えばＬＣＤガラス基板等の洗浄処理装置や洗浄
以外の処理液を用いて処理する処理装置にも適用できる
ことは勿論である。
【００３４】また、上記実施例では、供給流量制御機構
について、供給流量制御弁を用いて説明したが、必ずし
もこれに限られるものではなく、マスフローコントロー
ラ等の流量を制御できるものであればよいし、マスフロ
ーコントローラに制御用ＣＰＵを搭載した方式であって
もよいことは、いうまでもないことである。
【００３５】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置は上記のように構成されているので、以下のような
効果が得られる。
【００３６】１）請求項１記載の処理装置によれば、処
理槽内に処理液を供給する処理液供給手段の処理液供給
側に供給流量制御機構を設け、この供給流量制御機構を
処理槽内の処理液の濃度に応じて連続的に制御するの
で、処理槽内の処理液の濃度を常に一定にして被処理体
の処理を行うことができる。したがって、処理精度を高
めることができると共に、処理能力の向上を図ることが
できる。
【００３７】２）請求項２記載の処理装置によれば、処
理槽内に処理液を供給する処理液供給手段の処理液供給
側に供給流量制御機構を設け、この供給流量制御機構を
処理槽内の処理液の濃度に応じて連続的に制御し、処理
槽に接続する処理液排出路に排出流量制御機構を設け、
この排出流量制御機構を、処理に供される処理液の汚れ
を検出する汚れ検出手段からの検出信号に基いて連続的
に制御するので、処理液の濃度の維持の他に処理液の汚
れに応じて処理液を交換（排出及び補充）することがで
きる。したがって、処理槽内の処理液を濃度及び汚れの
２点を監視して常に最適状態で処理に供することがで
き、上記１）に加えて処理液の有効利用を図ることがで
きる。
【００３８】３）請求項３記載の処理装置によれば、処
理に供される処理液の濃度を濃度検出手段にて検出し、
その検出信号に基いて供給流量制御機構を連続的に制御
するので、処理液の濃度を更に正確に検出することがで
き、処理液の濃度を更に確実に一定に維持することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の処理装置の第一実施例の概略断面図
である。
【図２】第一実施例の別の構造を示す概略断面図であ
る。
【図３】この発明の処理装置の第二実施例の概略断面図
である。
【図４】この発明の処理装置の第三実施例の概略断面図
である。
【図５】この発明の処理装置を有する洗浄処理装置の全
体を示す断面図である。
【図６】処理液として使用されるアンモニアと過酸化水
素の温度、濃度及び時間の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） Ｌ 処理液 １ 処理槽 ２ 循環系 ３ 処理液供給手段 １１ａ〜１１ｃ 処理液供給槽 １２ 処理液供給管路 １４ａ〜１４ｃ 供給流量制御弁（供給流量制御機構） １５ ＣＰＵ（制御部） １６ バイパス管路 １６ａ 第２のバイパス管路 １７ 濃度検出用分光器（濃度検出手段） １７ａ 汚れ検出用分光器（汚れ検出手段） １８，１８ａ 処理液排出管路 １９ 排出流量制御弁（排出流量制御機構）

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体を処理する処理液を収容する処
    理槽と、上記処理槽内に処理液を供給する処理液供給手
    段とを具備する処理装置において、 上記処理液供給手段の処理液供給側に供給流量制御機構
    を設けると共に、この供給流量制御機構を上記処理槽内
    の処理液の濃度に応じて連続的に制御することを特徴と
    する処理装置。
  2. 【請求項２】 被処理体を処理する処理液を収容すると
    共に処理液排出路を接続する処理槽と、上記処理槽内に
    処理液を供給する処理液供給手段とを具備する処理装置
    において、 上記処理液供給手段の処理液供給側に供給流量制御機構
    を設けると共に、この供給流量制御機構を上記処理槽内
    の処理液の濃度に応じて連続的に制御し、 上記処理液排出路に排出流量制御機構を設けると共に、
    この排出流量制御機構を、処理に供される処理液の汚れ
    を検出する汚れ検出手段からの検出信号に基いて連続的
    に制御することを特徴とする処理装置。
  3. 【請求項３】 処理に供される処理液の濃度を濃度検出
    手段にて検出し、その検出信号に基いて供給流量制御機
    構を連続的に制御することを特徴とする請求項１又は２
    記載の処理装置。
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