JPH06244173A - Formation of silicon oxide film - Google Patents
Formation of silicon oxide filmInfo
- Publication number
- JPH06244173A JPH06244173A JP8683693A JP8683693A JPH06244173A JP H06244173 A JPH06244173 A JP H06244173A JP 8683693 A JP8683693 A JP 8683693A JP 8683693 A JP8683693 A JP 8683693A JP H06244173 A JPH06244173 A JP H06244173A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- silicon oxide
- oxidation method
- forming
- dielectric breakdown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 76
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 76
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 55
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 55
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 25
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 37
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 abstract description 18
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- -1 and among them Chemical compound 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板上のシリコン
酸化膜（ＳｉＯ2膜）の形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a silicon oxide film (SiO 2 film) on a semiconductor substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＭＯＳ半導体装置の製造においては、酸
化膜から成るゲート酸化膜を半導体基板上に形成する必
要がある。例えばシリコン酸化膜から成る酸化膜の形成
方法として、乾燥酸化法及び加湿酸化法を挙げることが
できる。乾燥酸化法は、加熱されたシリコン基板に十分
乾燥した酸素を供給することによってシリコン基板表面
にシリコン酸化膜を形成する方法である。また、加湿酸
化法は、水蒸気を含む高温のキャリアガスをシリコン基
板に供給することによってシリコン基板表面にシリコン
酸化膜を形成する方法である。加湿酸化法の一種に、パ
イロジェニック酸化法がある。この方法は、加湿酸化法
の再現性を高め且つ水量の管理を不要とするために、純
粋な水素を燃焼させて水分を作る方法である。2. Description of the Related Art In manufacturing a MOS semiconductor device, it is necessary to form a gate oxide film made of an oxide film on a semiconductor substrate. For example, as a method of forming an oxide film made of a silicon oxide film, a dry oxidation method and a humid oxidation method can be cited. The dry oxidation method is a method of forming a silicon oxide film on the surface of a silicon substrate by supplying sufficiently dried oxygen to a heated silicon substrate. Further, the humidification oxidation method is a method of forming a silicon oxide film on the surface of a silicon substrate by supplying a high temperature carrier gas containing water vapor to the silicon substrate. One of the humidification oxidation methods is a pyrogenic oxidation method. This method is a method of producing water by burning pure hydrogen in order to improve the reproducibility of the humidification oxidation method and eliminate the need to control the amount of water.
【０００３】ＨＣｌ、Ｃｌ2、ＣＣｌ4、Ｃ2ＨＣｌ3、Ｃ
Ｈ2Ｃｌ2、Ｃ2Ｈ3Ｃｌ3等の塩素あるいはその他のハロ
ゲン元素を含有する化合物等を含んだ酸化雰囲気中で乾
燥酸化法によりシリコン酸化膜を形成する場合、以下の
利点が得られることが知られている。尚、このような方
法を、以下、塩酸酸化法と呼ぶ。 （Ａ）シリコン酸化膜中のアルカリ金属不純物の中和あ
るいはゲッタリング （Ｂ）積層欠陥の減少 （Ｃ）短時間に評価される絶縁破壊の指標であるタイム
ゼロ絶縁破壊（Time-Zero Dielectric Breakdown、ＴＺ
ＤＢ）特性の向上 （Ｄ）チャネル移動度の向上HCl, Cl 2 , CCl 4 , C 2 HCl 3 , C
The following advantages can be obtained when the silicon oxide film is formed by the dry oxidation method in an oxidizing atmosphere containing a compound containing chlorine or other halogen element such as H 2 Cl 2 and C 2 H 3 Cl 3. It has been known. In addition, such a method is hereinafter referred to as a hydrochloric acid oxidation method. (A) Neutralization or gettering of alkali metal impurities in the silicon oxide film (B) Reduction of stacking faults (C) Time-Zero Dielectric Breakdown, which is an index of dielectric breakdown evaluated in a short time TZ
DB) Improved characteristics (D) Improved channel mobility
【０００４】一方、形成されたシリコン酸化膜を窒素や
アルゴン等の不活性ガス中で、８００〜１０００゜Ｃで
３０分程度熱処理すると、シリコン酸化膜とシリコン基
板の界面において、以下の点が改善されることが知られ
ている。 （Ｅ）固定電荷の低減 （Ｆ）界面準位密度の低減On the other hand, when the formed silicon oxide film is heat treated in an inert gas such as nitrogen or argon at 800 to 1000 ° C. for about 30 minutes, the following points are improved at the interface between the silicon oxide film and the silicon substrate. It is known to be done. (E) Reduction of fixed charge (F) Reduction of interface state density
【０００５】シリコン酸化膜の長期信頼性の指標とし
て、経時絶縁破壊（Time Dependent Dielectric Breakd
own、ＴＤＤＢ）特性がある。この経時絶縁破壊は、電
流ストレス又は電圧ストレスを印加した瞬間には破壊し
ないが、ストレス印加後ある時間経過してからシリコン
酸化膜に絶縁破壊が生じる現象である。As an index of long-term reliability of a silicon oxide film, Time Dependent Dielectric Breakd
own, TDDB) characteristics. This time-dependent dielectric breakdown is a phenomenon in which the dielectric breakdown does not occur at the moment when the current stress or the voltage stress is applied, but the dielectric breakdown occurs in the silicon oxide film after a certain time has elapsed after the stress application.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】加湿酸化法によって形
成されたシリコン酸化膜は、乾燥酸化法によって形成さ
れたシリコン酸化膜よりも経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ）特
性が優れている。即ち、加湿酸化法によって形成された
シリコン酸化膜の方が長期信頼性が高いといえる。この
理由は、シリコン酸化膜中の−ＯＨや−ＳｉＯＨXが経
時絶縁破壊（ＴＤＤＢ）特性の向上に寄与しているため
であると考えられている。The silicon oxide film formed by the humid oxidation method has a better dielectric breakdown (TDDB) characteristic than the silicon oxide film formed by the dry oxidation method. That is, it can be said that the silicon oxide film formed by the wet oxidation method has higher long-term reliability. The reason for this is considered to be that —OH and —SiOH x in the silicon oxide film contribute to the improvement of the time-dependent dielectric breakdown (TDDB) characteristic.
【０００７】乾燥酸化法の一種である塩酸酸化法はタイ
ムゼロ絶縁破壊（ＴＺＤＢ）特性の向上には寄与するも
のの、経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ）特性を向上させること
ができないという問題がある。また、塩酸酸化法は、装
置や酸化膜形成条件の管理が難しいという問題もある。The hydrochloric acid oxidation method, which is one of the dry oxidation methods, contributes to the improvement of the time zero dielectric breakdown (TZDB) characteristic, but has a problem that the time-dependent dielectric breakdown (TDDB) characteristic cannot be improved. Further, the hydrochloric acid oxidation method has a problem that it is difficult to control the apparatus and the conditions for forming an oxide film.
【０００８】加湿酸化法によって形成されたシリコン酸
化膜は、上述のとおり経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ）特性が
優れている。そして、このようなシリコン酸化膜を窒素
やアルゴン等の不活性ガス中で熱処理した場合、上述の
（Ｅ）、（Ｆ）といった改善は認められるが、タイムゼ
ロ絶縁破壊（ＴＺＤＢ）特性が塩酸酸化法によって形成
されたシリコン酸化膜よりも低いという問題がある。The silicon oxide film formed by the humid oxidation method has excellent TDDB characteristics as described above. When such a silicon oxide film is heat-treated in an inert gas such as nitrogen or argon, the above-mentioned improvements (E) and (F) are recognized, but the time zero dielectric breakdown (TZDB) characteristic is hydrochloric acid oxidation. There is a problem that it is lower than the silicon oxide film formed by the method.
【０００９】絶縁膜を形成した後、例えば塩素を含有す
る反応性ガス雰囲気下で絶縁膜を加熱処理することを特
徴とする絶縁膜形成方法が、例えば特開平３−２１９６
３２号公報に開示されている。この絶縁膜形成方法にお
いては、絶縁膜は赤外線ランプによる急速加熱によって
形成される。即ち、所謂乾燥酸化法により絶縁膜が形成
される。従って、この絶縁膜形成方法によって得られる
シリコン酸化膜の経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ）特性は、加
湿酸化法にて得られるシリコン酸化膜の経時絶縁破壊
（ＴＤＤＢ）特性よりも劣っているという問題がある。
また、この絶縁膜形成方法は、絶縁膜形成中に未結合手
等に起因する膜欠陥を低減することを目的としており、
タイムゼロ絶縁破壊（ＴＺＤＢ）特性や経時絶縁破壊
（ＴＤＤＢ）特性の向上を目的としたものではない。更
に、加熱処理を１０００゜Ｃ×２０秒間の所謂ＲＴＡ法
にて行い、絶縁膜と基板の界面近傍にＳｉＣｌXから成
るドーピング層を形成する。After the insulating film is formed, the insulating film is heat-treated in a reactive gas atmosphere containing chlorine, for example, and an insulating film forming method is disclosed in, for example, JP-A-3-2196.
No. 32 publication. In this insulating film forming method, the insulating film is formed by rapid heating with an infrared lamp. That is, the insulating film is formed by the so-called dry oxidation method. Therefore, there is a problem that the time-dependent dielectric breakdown (TDDB) characteristic of the silicon oxide film obtained by this insulating film forming method is inferior to the time-dependent dielectric breakdown (TDDB) characteristic of the silicon oxide film obtained by the humidification oxidation method. .
In addition, this insulating film forming method aims to reduce film defects caused by dangling bonds during the formation of the insulating film,
It is not intended to improve the time zero dielectric breakdown (TZDB) characteristic or the time-dependent dielectric breakdown (TDDB) characteristic. Further, heat treatment is performed by a so-called RTA method at 1000 ° C. for 20 seconds to form a doping layer made of SiCl x in the vicinity of the interface between the insulating film and the substrate.
【００１０】以上のとおり、従来の乾燥酸化法あるいは
加湿酸化法では、タイムゼロ絶縁破壊（ＴＺＤＢ）特性
及び経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ）特性の両方の特性を満足
し得るシリコン酸化膜を形成することができない。As described above, according to the conventional dry oxidation method or humidification oxidation method, it is possible to form a silicon oxide film capable of satisfying both the characteristics of time zero dielectric breakdown (TZDB) and time-dependent dielectric breakdown (TDDB). Can not.
【００１１】従って、本発明の目的は、タイムゼロ絶縁
破壊（ＴＺＤＢ）特性及び経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ）特
性の優れたシリコン酸化膜の形成方法を提供することに
ある。Therefore, an object of the present invention is to provide a method of forming a silicon oxide film having excellent time zero dielectric breakdown (TZDB) characteristics and time-dependent dielectric breakdown (TDDB) characteristics.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明のシリコン酸化膜の形成方法は、半導体基板
上に加湿酸化法にてシリコン酸化膜を形成した後、ハロ
ゲン元素を含有する不活性ガス雰囲気中で該シリコン酸
化膜を熱処理することを特徴とする。The method of forming a silicon oxide film of the present invention for achieving the above object comprises forming a silicon oxide film on a semiconductor substrate by a humidification oxidation method and then containing a halogen element. It is characterized in that the silicon oxide film is heat-treated in an inert gas atmosphere.
【００１３】加湿酸化法は、パイロジェニック酸化法と
することが望ましい。また、ハロゲン元素として、塩
素、臭素、フッ素を挙げることができるが、なかでも塩
素であることが望ましい。不活性ガス中に含有されるハ
ロゲン元素の形態としては、例えば、ＨＣｌ、ＣＣ
ｌ4、Ｃ2ＨＣｌ3、Ｃｌ2、ＨＢｒ、ＮＦ3を挙げること
ができる。不活性ガス中のハロゲン元素の含有率は、分
子又は化合物の形態を基準として、０．００１〜１０容
量％、好ましくは０．００５〜１０容量％、更に好まし
くは０．０２〜１０容量％である。例えば塩酸ガスを用
いる場合、不活性ガス中の塩酸ガス含有率は０．０２〜
１０容量％であることが望ましい。The humidification oxidation method is preferably a pyrogenic oxidation method. Further, examples of the halogen element include chlorine, bromine, and fluorine, and among them, chlorine is preferable. The form of the halogen element contained in the inert gas is, for example, HCl, CC
Examples include l 4 , C 2 HCl 3 , Cl 2 , HBr, and NF 3 . The content of the halogen element in the inert gas is 0.001 to 10% by volume, preferably 0.005 to 10% by volume, more preferably 0.02 to 10% by volume, based on the form of the molecule or compound. is there. For example, when using hydrochloric acid gas, the content rate of hydrochloric acid gas in the inert gas is 0.02 to
It is preferably 10% by volume.
【００１４】また、熱処理は炉アニール処理であること
が望ましい。熱処理の温度は、８００〜１２００゜Ｃ、
好ましくは８００〜１０００゜Ｃ、更に好ましくは８０
０〜９００゜Ｃである。また、熱処理の時間は、５〜６
０分、好ましくは１０〜４０分、更に好ましくは２０〜
３０分である。不活性ガスとしては、窒素ガス、アルゴ
ンガスを例示することができる。半導体基板とは、シリ
コン基板等の基板そのものだけでなく、基板上にエピタ
キシャル層、多結晶層、あるいは非晶質層が形成された
もの、更には、基板やこれらの層に半導体素子が形成さ
れたもの等、シリコン酸化膜を形成すべき下地を意味す
る。Further, the heat treatment is preferably a furnace annealing treatment. The temperature of heat treatment is 800 to 1200 ° C,
Preferably 800-1000 ° C, more preferably 80
0 to 900 ° C. The heat treatment time is 5 to 6
0 minutes, preferably 10 to 40 minutes, more preferably 20 to
30 minutes. Examples of the inert gas may include nitrogen gas and argon gas. The semiconductor substrate is not only a substrate itself such as a silicon substrate but also a substrate on which an epitaxial layer, a polycrystalline layer, or an amorphous layer is formed, and further, a substrate or a semiconductor element is formed on these layers. It means an underlayer on which a silicon oxide film is to be formed.
【００１５】[0015]
【作用】本発明のシリコン酸化膜の形成方法において
は、シリコン酸化膜は加湿酸化法にて形成されるので、
得られたシリコン酸化膜は経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ）特
性に優れる。また、ハロゲン元素を含有する不活性ガス
雰囲気中でシリコン酸化膜を熱処理するので、得られた
シリコン酸化膜はタイムゼロ絶縁破壊（ＴＺＤＢ）特性
に優れている。In the method of forming a silicon oxide film according to the present invention, the silicon oxide film is formed by the humid oxidation method.
The obtained silicon oxide film has excellent TDDB characteristics over time. Further, since the silicon oxide film is heat-treated in an atmosphere of an inert gas containing a halogen element, the obtained silicon oxide film has excellent time zero breakdown (TZDB) characteristics.
【００１６】[0016]
【実施例】以下、実施例に基づき、図１を参照して本発
明のシリコン酸化膜の形成方法を説明する。EXAMPLES A method of forming a silicon oxide film according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
【００１７】（実施例１）シリコン基板から成る半導体
基板１０の表面に、加湿酸化法の一種である従来のパイ
ロジェニック酸化法によって厚さ１１ｎｍのシリコン酸
化膜１２を形成した（図１の（Ａ）参照）。パイロジェ
ニック酸化法の条件を、例えば以下のとうりとすること
ができる。 基板温度 ： ８５０゜Ｃ 尚、必要に応じて、シリコン酸化膜の形成前に、半導体
基板表面の清浄化（化学薬品や純水を用いた洗浄、還元
ガス雰囲気中での熱処理による自然酸化膜の除去）を行
う。Example 1 A silicon oxide film 12 having a thickness of 11 nm was formed on the surface of a semiconductor substrate 10 made of a silicon substrate by a conventional pyrogenic oxidation method which is a kind of humidification oxidation method (see (A in FIG. 1). )reference). The conditions of the pyrogenic oxidation method can be, for example, as follows. Substrate temperature: 850 ° C If necessary, before forming the silicon oxide film, clean the surface of the semiconductor substrate (cleaning with chemicals or pure water, heat treatment in a reducing gas atmosphere to remove the natural oxide film). Removal).
【００１８】次に、ハロゲン元素を含有する不活性ガス
雰囲気中でシリコン酸化膜を熱処理した（図１の（Ｂ）
参照）。具体的には、塩酸ガスを０．０７容量％含有す
る窒素ガス雰囲気中で、８５０゜Ｃ×３０分間の熱処理
条件にてシリコン酸化膜を熱処理した。熱処理にはファ
ーネス装置を用いた。これによって、シリコン酸化膜の
表面近傍にハロゲン元素を多く含む層が形成されると推
定される。Next, the silicon oxide film was heat-treated in an inert gas atmosphere containing a halogen element ((B) of FIG. 1).
reference). Specifically, the silicon oxide film was heat-treated under a heat treatment condition of 850 ° C. × 30 minutes in a nitrogen gas atmosphere containing 0.07% by volume of hydrochloric acid gas. A furnace was used for the heat treatment. As a result, it is estimated that a layer containing a large amount of halogen element is formed near the surface of the silicon oxide film.
【００１９】その後、公知のＣＶＤ技術、フォトリソグ
ラフィ技術及びドライエッチング技術を用いて、シリコ
ン酸化膜１２の上にリンドープト・ポリシリコンから成
るゲート電極１４を形成した（図１の（Ｃ）参照）。こ
うして、所謂ＭＯＳキャパシタを形成した。After that, the gate electrode 14 made of phosphorus-doped polysilicon was formed on the silicon oxide film 12 by using the known CVD technique, photolithography technique and dry etching technique (see FIG. 1C). Thus, a so-called MOS capacitor was formed.
【００２０】（比較例１）比較例１は、ハロゲン元素を
含有しない不活性ガス雰囲気中でシリコン酸化膜を熱処
理した点が実施例１と異なる。即ち、比較例１において
は、シリコン基板から成る半導体基板の表面に、加湿酸
化法の一種である従来のパイロジェニック酸化法によっ
て厚さ１１ｎｍのシリコン酸化膜を形成し、その後、窒
素ガス雰囲気中でシリコン酸化膜を熱処理した。パイロ
ジェニック酸化の条件及び熱処理条件は実施例１と同様
とした。Comparative Example 1 Comparative Example 1 is different from Example 1 in that the silicon oxide film was heat-treated in an inert gas atmosphere containing no halogen element. That is, in Comparative Example 1, a silicon oxide film having a thickness of 11 nm was formed on the surface of a semiconductor substrate made of a silicon substrate by a conventional pyrogenic oxidation method which is a kind of humidification oxidation method, and then in a nitrogen gas atmosphere. The silicon oxide film was heat-treated. Pyrogenic oxidation conditions and heat treatment conditions were the same as in Example 1.
【００２１】（比較例２）比較例２は、乾燥酸化法の一
種である塩酸酸化法でシリコン酸化膜を形成した点、及
びハロゲン元素を含有しない不活性ガス雰囲気中でシリ
コン酸化膜を熱処理した点が実施例１と異なる。即ち、
比較例２においては、シリコン基板から成る半導体基板
の表面に、乾燥酸化法の一種である従来の塩酸酸化法に
よって厚さ１１ｎｍのシリコン酸化膜を形成し、その
後、窒素ガス雰囲気中でシリコン酸化膜を熱処理した。
熱処理条件は実施例１と同様とした。塩酸酸化の条件
は、乾燥酸素に３．３％ＨＣｌを添加し、酸化温度を８
５０゜Ｃとした。Comparative Example 2 In Comparative Example 2, a silicon oxide film was formed by a hydrochloric acid oxidation method, which is a kind of dry oxidation method, and the silicon oxide film was heat-treated in an inert gas atmosphere containing no halogen element. The point is different from Example 1. That is,
In Comparative Example 2, a silicon oxide film having a thickness of 11 nm was formed on the surface of a semiconductor substrate made of a silicon substrate by a conventional hydrochloric acid oxidation method which is a kind of dry oxidation method, and then the silicon oxide film was formed in a nitrogen gas atmosphere. Was heat treated.
The heat treatment conditions were the same as in Example 1. The condition of hydrochloric acid oxidation is to add 3.3% HCl to dry oxygen and set the oxidation temperature to 8
It was set to 50 ° C.
【００２２】実施例１、比較例１及び比較例２により形
成したＭＯＳキャパシタのタイムゼロ絶縁破壊（ＴＺＤ
Ｂ）特性を図２に、経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ）特性を図
４に示す。Time zero dielectric breakdown (TZD) of the MOS capacitors formed in Example 1, Comparative Example 1 and Comparative Example 2
B) characteristics are shown in FIG. 2, and time-dependent dielectric breakdown (TDDB) characteristics are shown in FIG.
【００２３】タイムゼロ絶縁破壊（ＴＺＤＢ）特性を以
下の方法で評価した。１枚の半導体基板１０に１３１個
のＭＯＳキャパシタを作製した。また、シリコン酸化膜
１２の上に形成したゲート電極の面積を５ｍｍ2とし
た。評価には２枚の半導体基板を使用した。図３に模式
的に図示する回路を作り、ゲート電極に印加する電圧Ｖ
を増加させ、回路を流れる電流Ｉを測定した。電流Ｉが
判定電流ＩJ（＝０．１μＡ）となったときの電圧ＶJを
測定し、ＶJを印加電界に換算する。印加電界が８ＭＶ
／ｃｍを越えるＭＯＳキャパシタの個数を数え（即ち、
所謂Ｃモード合格品の数を数え）、百分率に換算した値
を図２に示す。The time zero breakdown (TZDB) characteristics were evaluated by the following method. 131 MOS capacitors were manufactured on one semiconductor substrate 10. The area of the gate electrode formed on the silicon oxide film 12 was set to 5 mm 2 . Two semiconductor substrates were used for evaluation. The voltage V applied to the gate electrode is created by making the circuit schematically shown in FIG.
Was increased and the current I flowing through the circuit was measured. The voltage V J when the current I becomes the judgment current I J (= 0.1 μA) is measured, and V J is converted into an applied electric field. Applied electric field is 8 MV
Count the number of MOS capacitors exceeding / cm (that is,
The so-called C-mode acceptable products are counted), and the values converted into percentages are shown in FIG.
【００２４】図２から明らかなように、実施例１及び比
較例２においては、全てのＭＯＳキャパシタがＣモード
合格品であったが、比較例１におけるＭＯＳキャパシタ
のＣモード合格品は約９０％であった。As is clear from FIG. 2, in Example 1 and Comparative Example 2, all the MOS capacitors were C-mode acceptable products, but about 90% of the MOS capacitors in Comparative Example 1 were C-mode acceptable products. Met.
【００２５】経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ）特性を以下の方
法で評価した。１枚の半導体基板１０に６０個のＭＯＳ
キャパシタを作製した。また、シリコン酸化膜１２の上
に形成したゲート電極の面積を０．１ｍｍ2とした。評
価には２枚の半導体基板を使用した。図５に模式的に図
示する回路を作り、ゲート電極に定電流（Ｊ＝０．２Ａ
／ｃｍ2）ストレスを印加する定電流ストレス法により
所謂クーロンブレイクダウン（ＱBD）を測定した。ここ
で、ＱBDは、Ｊ（Ａ／ｃｍ2）と、絶縁破壊に至るまで
の時間ｔBDの積で表される。累積不良率５０％における
ＱBDの値を図４の（Ａ）に示す。また、累積不良率Ｐと
ＱBDの関係のワイブル確率分布表示を図４の（Ｂ）に示
す。The time-dependent dielectric breakdown (TDDB) characteristics were evaluated by the following method. 60 MOSs on one semiconductor substrate 10
A capacitor was produced. The area of the gate electrode formed on the silicon oxide film 12 was 0.1 mm 2 . Two semiconductor substrates were used for evaluation. A circuit schematically shown in FIG. 5 was made, and a constant current (J = 0.2 A) was applied to the gate electrode.
/ Cm 2 ) The so-called Coulomb breakdown (Q BD ) was measured by a constant current stress method applying a stress. Here, Q BD is represented by the product of J (A / cm 2 ) and the time t BD until dielectric breakdown. The value of Q BD at a cumulative defective rate of 50% is shown in FIG. Further, FIG. 4B shows a Weibull probability distribution display of the relationship between the cumulative defective rate P and Q BD .
【００２６】図４から明らかなように、実施例１により
形成されたシリコン絶縁膜の経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ）
特性は、比較例１及び比較例２により形成されたシリコ
ン絶縁膜の経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ）特性よりも優れて
いる。As is apparent from FIG. 4, the time-dependent dielectric breakdown (TDDB) of the silicon insulating film formed in Example 1
The characteristics are superior to the time-dependent dielectric breakdown (TDDB) characteristics of the silicon insulating films formed in Comparative Example 1 and Comparative Example 2.
【００２７】（実施例２）実施例２においては、前記ハ
ロゲン元素が塩素であり、しかも塩素は塩酸の形態であ
る場合、不活性ガス中に含有される塩酸の濃度とＱBDの
関係を調べた。Example 2 In Example 2, when the halogen element was chlorine and chlorine was in the form of hydrochloric acid, the relationship between the concentration of hydrochloric acid contained in the inert gas and Q BD was examined. It was
【００２８】シリコン基板から成る半導体基板の表面
に、実施例１と同様の条件で、加湿酸化法の一種である
従来のパイロジェニック酸化法によって厚さ１０ｎｍの
シリコン酸化膜を形成した。次に、含有される塩酸ガス
の濃度を種々変えた窒素ガス雰囲気中で、８５０゜Ｃ×
３０分間の熱処理条件にてシリコン酸化膜を熱処理し
た。熱処理にはファーネス装置を用いた。その後、実施
例１と同様に、かかる半導体基板にＭＯＳキャパシタを
形成した。A silicon oxide film having a thickness of 10 nm was formed on the surface of a semiconductor substrate made of a silicon substrate under the same conditions as in Example 1 by a conventional pyrogenic oxidation method, which is a kind of wet oxidation method. Next, in a nitrogen gas atmosphere in which the concentration of contained hydrochloric acid gas was variously changed, 850 ° C x
The silicon oxide film was heat-treated under the heat treatment condition of 30 minutes. A furnace was used for the heat treatment. Then, as in Example 1, a MOS capacitor was formed on the semiconductor substrate.
【００２９】こうして作製されたＭＯＳキャパシタのＱ
BDを、実施例１と同様の方法で測定した。累積不良率５
０％におけるＱBDの値と、不活性ガス中に含まれる塩酸
ガス濃度（容量％）の関係を、図６に示す。尚、図６
中、黒丸は、塩酸ガス濃度０容量％、即ち、窒素ガスの
みの雰囲気中で８５０゜Ｃ×３０分間の熱処理条件にて
シリコン酸化膜を熱処理した点を除き、実施例２と同様
の方法で作製されたＭＯＳキャパシタの試験結果（ＱBD
＝３１Ｃ／ｃｍ2）である。Q of the MOS capacitor thus manufactured
BD was measured by the same method as in Example 1. Cumulative defective rate 5
FIG. 6 shows the relationship between the value of Q BD at 0% and the concentration of hydrochloric acid gas (volume%) contained in the inert gas. Incidentally, FIG.
In the figure, the black circles are the same as in Example 2 except that the silicon oxide film was heat-treated under a heat treatment condition of 850 ° C. × 30 minutes in an atmosphere containing only hydrochloric acid gas concentration of 0% by volume, that is, nitrogen gas. Test result of fabricated MOS capacitor (Q BD
= 31 C / cm 2 ).
【００３０】図６から明らかなように、窒素ガスに含有
される塩酸ガスの濃度が０．０２〜１０容量％のとき、
塩酸ガス濃度が０容量％の場合と比較して、ＱBDは１〜
２Ｃ／ｃｍ2程度増加する。ここで、１Ｃ／ｃｍ2という
ＱBDの値は、不揮発性メモリーの書き込み・消去回数に
換算すると、実に１０6回分に相当する。尚、不揮発性
メモリーの１回の書き込み・消去に必要な単位面積当た
りの電荷を１．０×１０-6Ｃ／ｃｍ2として計算した。
以上のように、窒素ガスに含有される塩酸ガスの濃度が
０．０２〜１０容量％のとき、経時絶縁破壊（ＴＤＤ
Ｂ）は、飛躍的に向上することが判る。As is apparent from FIG. 6, when the concentration of hydrochloric acid gas contained in nitrogen gas is 0.02 to 10% by volume,
Compared with the case where the hydrochloric acid gas concentration is 0% by volume, Q BD is 1 to
Increase by about 2 C / cm 2 . Here, the value of Q BD of 1 C / cm 2 corresponds to 10 6 times when converted into the number of times of writing and erasing of the nonvolatile memory. The charge per unit area required for one-time writing / erasing of the nonvolatile memory was calculated as 1.0 × 10 −6 C / cm 2 .
As described above, when the concentration of the hydrochloric acid gas contained in the nitrogen gas is 0.02 to 10% by volume, the time-dependent dielectric breakdown (TDD)
It can be seen that B) is dramatically improved.
【００３１】（実施例３）実施例３においては、熱処理
の温度とＱBDの関係を調べた。Example 3 In Example 3, the relationship between the heat treatment temperature and Q BD was investigated.
【００３２】シリコン基板から成る半導体基板の表面
に、実施例１と同様の条件で、加湿酸化法の一種である
従来のパイロジェニック酸化法によって厚さ１０ｎｍの
シリコン酸化膜を形成した。次に、０．１容量％の塩酸
ガスを含有する窒素ガス雰囲気中で、熱処理の温度を７
５０゜Ｃから９５０゜Ｃまで種々変え、処理時間を３０
分一定とした熱処理条件にて、シリコン酸化膜を熱処理
した。熱処理にはファーネス装置を用いた。その後、実
施例１と同様に、かかる半導体基板にＭＯＳキャパシタ
を形成した。A silicon oxide film having a thickness of 10 nm was formed on the surface of a semiconductor substrate made of a silicon substrate under the same conditions as in Example 1 by a conventional pyrogenic oxidation method, which is a kind of humidification oxidation method. Next, in a nitrogen gas atmosphere containing 0.1% by volume of hydrochloric acid gas, the heat treatment temperature is set to 7
The processing time can be changed from 50 ° C to 950 ° C.
The silicon oxide film was heat-treated under the heat-treatment conditions that kept the temperature constant. A furnace was used for the heat treatment. Then, as in Example 1, a MOS capacitor was formed on the semiconductor substrate.
【００３３】こうして作製されたＭＯＳキャパシタのＱ
BDを、実施例１と同様の方法で測定した。熱処理温度が
８００゜Ｃから９００゜Ｃの範囲にあるとき、累積不良
率５０％におけるＱBDの値は最大となった。また、この
ＱBDの値は、塩酸ガス濃度０容量％、即ち、窒素ガスの
みの雰囲気中で同じ処理温度にて３０分間の熱処理を行
った点を除き実施例３と同様の方法で作製されたＭＯＳ
キャパシタの累積不良率５０％におけるＱBDの値より
も、約１Ｃ／ｃｍ2以上高い値であった。Q of the MOS capacitor thus manufactured
BD was measured by the same method as in Example 1. When the heat treatment temperature was in the range of 800 ° C to 900 ° C, the value of Q BD at the cumulative defective rate of 50% became the maximum. The value of Q BD was prepared in the same manner as in Example 3 except that the hydrochloric acid gas concentration was 0% by volume, that is, the heat treatment was performed for 30 minutes at the same treatment temperature in an atmosphere of only nitrogen gas. MOS
The value was about 1 C / cm 2 or more higher than the value of Q BD when the cumulative defective rate of the capacitor was 50%.
【００３４】熱処理温度が９００゜Ｃを越えると、シリ
コン酸化膜は粘性流動を起こし、局所的に薄膜化し、Ｑ
BDが低下する傾向にある。また、熱処理温度が８００゜
Ｃ未満では、パイロジェニック酸化法にて形成されたシ
リコン酸化膜中に電子トラップが多数含まれ、かかるシ
リコン酸化膜が形成された半導体基板からＭＯＳ半導体
装置を作製した場合、リーク電流等の特性が劣化する。
従って、熱処理温度を８００乃至９００゜Ｃで行うこと
が最も望ましい。When the heat treatment temperature exceeds 900 ° C., the silicon oxide film causes viscous flow to locally thin the film, and Q
BD tends to decrease. Further, when the heat treatment temperature is lower than 800 ° C., a large number of electron traps are included in the silicon oxide film formed by the pyrogenic oxidation method, and a MOS semiconductor device is manufactured from the semiconductor substrate on which the silicon oxide film is formed. Characteristics such as leakage current deteriorate.
Therefore, it is most desirable to perform the heat treatment at 800 to 900 ° C.
【００３５】以上、本発明を好適な実施例に基づき説明
したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。加湿酸化法として、酸素、窒素、アルゴン等のキ
ャリアガスに水蒸気を混ぜあるいは乾燥酸素を水バブラ
に通す従来の加湿酸化法を採用することができる。ま
た、パイロジェニック酸化法の条件や熱処理の条件、シ
リコン酸化膜の厚さ、不活性ガスの種類、ハロゲン元素
の種類や形態は例示であり、適宜変更することができ
る。Although the present invention has been described based on the preferred embodiments, the present invention is not limited to these embodiments. As the wet oxidation method, a conventional wet oxidation method in which water vapor is mixed with a carrier gas such as oxygen, nitrogen, or argon or dry oxygen is passed through a water bubbler can be adopted. Further, the conditions of the pyrogenic oxidation method and the heat treatment, the thickness of the silicon oxide film, the type of the inert gas, the type and the form of the halogen element are examples, and can be appropriately changed.
【００３６】シリコン酸化膜は、単層から構成されてい
ても、複数層から構成されていてもよい。シリコン酸化
膜が複数層から構成されている場合、いずれかの層が本
発明のシリコン酸化膜の形成方法によって形成されてい
ればよい。また、残りの層は、塩酸酸化法を含む乾燥酸
化法、加圧酸化法、分圧酸化法、希釈酸化法、低温酸化
法、ＲＴＰ（急速熱処理）による酸化法などの従来の酸
化法から形成することができる。The silicon oxide film may be composed of a single layer or plural layers. When the silicon oxide film is composed of a plurality of layers, any of the layers may be formed by the method for forming a silicon oxide film of the present invention. The remaining layers are formed by conventional oxidation methods such as a dry oxidation method including a hydrochloric acid oxidation method, a pressure oxidation method, a partial pressure oxidation method, a dilution oxidation method, a low temperature oxidation method, and an oxidation method by RTP (rapid thermal processing). can do.
【００３７】[0037]
【発明の効果】本発明のシリコン酸化膜の形成方法によ
って形成されるシリコン酸化膜は、従来の加湿酸化法あ
るいは乾燥酸化法の一種である塩酸酸化法と比較して、
優れたタイムゼロ絶縁破壊（ＴＺＤＢ）特性及び経時絶
縁破壊（ＴＤＤＢ）特性を有している。また、シリコン
酸化膜の形成を従来の加湿酸化法にて行えばよく、酸化
条件の管理を塩酸酸化法よりも容易に行うことができ
る。The silicon oxide film formed by the method for forming a silicon oxide film according to the present invention has a greater effect than the conventional wet oxidation method or dry oxidation method, that is, the hydrochloric acid oxidation method.
It has excellent time-zero dielectric breakdown (TZDB) characteristics and time-dependent dielectric breakdown (TDDB) characteristics. Further, the formation of the silicon oxide film may be carried out by the conventional wet oxidation method, and the management of the oxidation conditions can be performed more easily than the hydrochloric acid oxidation method.
【図１】本発明のシリコン酸化膜の形成方法を説明する
ための、半導体基板等の模式的な一部断面図である。FIG. 1 is a schematic partial cross-sectional view of a semiconductor substrate or the like for explaining a method for forming a silicon oxide film of the present invention.
【図２】実施例及び各比較例の方法で形成されたシリコ
ン酸化膜のタイムゼロ絶縁破壊（ＴＺＤＢ）特性の評価
結果を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing evaluation results of time zero dielectric breakdown (TZDB) characteristics of silicon oxide films formed by the methods of Examples and Comparative Examples.
【図３】タイムゼロ絶縁破壊（ＴＺＤＢ）特性の評価の
ために使用した回路の模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a circuit used for evaluation of Time Zero Breakdown (TZDB) characteristics.
【図４】実施例及び各比較例の方法で形成されたシリコ
ン酸化膜の経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ）特性の評価結果を
示す図である。FIG. 4 is a diagram showing evaluation results of time-dependent dielectric breakdown (TDDB) characteristics of silicon oxide films formed by the methods of Examples and Comparative Examples.
【図５】経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ）特性の評価のために
使用した回路の模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram of a circuit used for evaluation of time-dependent dielectric breakdown (TDDB) characteristics.
【図６】ＱBDの値と不活性ガス中に含まれた塩酸ガス濃
度の関係を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the value of Q BD and the concentration of hydrochloric acid gas contained in an inert gas.
１０ 半導体基板 １２ シリコン酸化膜 １４ ゲート電極 10 semiconductor substrate 12 silicon oxide film 14 gate electrode
Claims (6)
化膜を形成した後、ハロゲン元素を含有する不活性ガス
雰囲気中で該シリコン酸化膜を熱処理することを特徴と
するシリコン酸化膜の形成方法。1. A method for forming a silicon oxide film, comprising forming a silicon oxide film on a semiconductor substrate by a wet oxidation method, and then heat-treating the silicon oxide film in an atmosphere of an inert gas containing a halogen element. Method.
であることを特徴とする請求項１に記載のシリコン酸化
膜の形成方法。2. The method for forming a silicon oxide film according to claim 1, wherein the humidification oxidation method is a pyrogenic oxidation method.
とする請求項１又は請求項２に記載のシリコン酸化膜の
形成方法。3. The method for forming a silicon oxide film according to claim 1, wherein the halogen element is chlorine.
特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３に記載のシ
リコン酸化膜の形成方法。4. The method for forming a silicon oxide film according to claim 1, wherein the heat treatment is a furnace annealing treatment.
中に含有される塩酸の濃度は０．０２乃至１０容量％で
あることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載のシ
リコン酸化膜の形成方法。5. The chlorine according to claim 3 or 4, wherein the chlorine is in the form of hydrochloric acid, and the concentration of hydrochloric acid contained in the inert gas is 0.02 to 10% by volume. Method of forming silicon oxide film.
で行われることを特徴とする請求項１乃至請求項５のい
ずれか１項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。6. The method for forming a silicon oxide film according to claim 1, wherein the heat treatment is performed at a temperature of 800 to 900 ° C.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8683693A JPH06244173A (en) | 1992-12-25 | 1993-03-23 | Formation of silicon oxide film |
| KR1019930029509A KR100287266B1 (en) | 1992-12-25 | 1993-12-24 | Silicon oxide film formation method and gate oxide film of MOS transistor |
| US08/804,957 US5854505A (en) | 1992-12-25 | 1997-02-24 | Process for forming silicon oxide film and gate oxide film for MOS transistors |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-357895 | 1992-12-25 | ||
| JP35789592 | 1992-12-25 | ||
| JP8683693A JPH06244173A (en) | 1992-12-25 | 1993-03-23 | Formation of silicon oxide film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244173A true JPH06244173A (en) | 1994-09-02 |
Family
ID=26427918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8683693A Pending JPH06244173A (en) | 1992-12-25 | 1993-03-23 | Formation of silicon oxide film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244173A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230096133A (en) * | 2019-11-20 | 2023-06-29 | 업사이드 푸즈 인코포레이티드 | Apparatuses and Systems for Preparing a Meat Product |
-
1993
- 1993-03-23 JP JP8683693A patent/JPH06244173A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230096133A (en) * | 2019-11-20 | 2023-06-29 | 업사이드 푸즈 인코포레이티드 | Apparatuses and Systems for Preparing a Meat Product |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07335641A (en) | Method of forming silicon oxide film and oxide film of semiconductor device | |
| JPH11121453A (en) | Method for forming semiconductor device | |
| CN101266929A (en) | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
| US5506178A (en) | Process for forming gate silicon oxide film for MOS transistors | |
| JP2002203914A (en) | Method for manufacturing capacitor of semiconductor memory device by two-stage heat treatment | |
| KR100532409B1 (en) | Method for manufacturing capacitor having improved leakage current characteristic at interface between dielectric layer and upper electrode | |
| JP4095326B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device | |
| JP3593340B2 (en) | Manufacturing method of integrated circuit device | |
| JP4003888B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPH039614B2 (en) | ||
| JP4742867B2 (en) | Semiconductor device provided with MIS field effect transistor | |
| JP2636783B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH06101466B2 (en) | Method for forming an insulating dielectric layer of silicon dioxide on a silicon layer | |
| KR100287266B1 (en) | Silicon oxide film formation method and gate oxide film of MOS transistor | |
| JPH06244173A (en) | Formation of silicon oxide film | |
| JP3681525B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP3247242B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH02135759A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
| JP3439657B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2000164592A (en) | Stacked or composite gate dielectric incorporating nitrogen at the interface | |
| JPH06216377A (en) | Manufacture of mos semiconductor device | |
| JP4031854B2 (en) | Method for manufacturing capacitor insulating film of semiconductor device | |
| JPH07169761A (en) | Formation of silicon oxide film and gate oxide film for mos transistor | |
| JP2834344B2 (en) | Method for manufacturing insulating film of semiconductor device | |
| JPH08130259A (en) | Semiconductor memory element |