JPH06243721A - 高誘電率誘電体磁器組成物 - Google Patents
高誘電率誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH06243721A JPH06243721A JP3067922A JP6792291A JPH06243721A JP H06243721 A JPH06243721 A JP H06243721A JP 3067922 A JP3067922 A JP 3067922A JP 6792291 A JP6792291 A JP 6792291A JP H06243721 A JPH06243721 A JP H06243721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- composition
- dielectric constant
- sample
- tables
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は高誘電率誘電体磁気組成物に関し、
その組成にビスマスを含有せず、広い温度範囲にわたっ
て静電容量の温度変化率の変動が少なく、誘電体損失の
小さい高誘電率誘電体磁気組成を提供することを目的と
する。 【構成】 主成分としてBaTiO3 を94.0〜99.0
モル%、Nb2 O5 を0.5〜3.0モル%、ZnOを0.5
〜3.0モル%に対して、添加物としてCaZrO3 、S
rZrO3 、BaZrO3 のうち1種類以上を0.2〜
7.0重量%含有するよう構成する。さらに必要に応じて
La2 O3 、Nd2 O3 、Pr6 O11のうち1種類以上
を0.5重量%以下含有する。
その組成にビスマスを含有せず、広い温度範囲にわたっ
て静電容量の温度変化率の変動が少なく、誘電体損失の
小さい高誘電率誘電体磁気組成を提供することを目的と
する。 【構成】 主成分としてBaTiO3 を94.0〜99.0
モル%、Nb2 O5 を0.5〜3.0モル%、ZnOを0.5
〜3.0モル%に対して、添加物としてCaZrO3 、S
rZrO3 、BaZrO3 のうち1種類以上を0.2〜
7.0重量%含有するよう構成する。さらに必要に応じて
La2 O3 、Nd2 O3 、Pr6 O11のうち1種類以上
を0.5重量%以下含有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高誘電率誘電体磁気組成
物に係り、特に広い温度範囲(−55℃〜+150℃)
にわたって誘電率の変化が小さく、かつ誘電体損失の小
さい優れた高誘電率誘電体磁気組成物に関する。
物に係り、特に広い温度範囲(−55℃〜+150℃)
にわたって誘電率の変化が小さく、かつ誘電体損失の小
さい優れた高誘電率誘電体磁気組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】誘電率が高く、その温度変化の小さな誘
電体磁気組成物として、従来、チタン酸バリウム(Ba
TiO3 )にビスマス化合物、例えばBi2 O3 ・Sn
O2 やBi2 O3 ・ZrO2 とTa2 O3 やSm2 O3
等を添加してその温度変化率を小さくしたものが使用さ
れていた。
電体磁気組成物として、従来、チタン酸バリウム(Ba
TiO3 )にビスマス化合物、例えばBi2 O3 ・Sn
O2 やBi2 O3 ・ZrO2 とTa2 O3 やSm2 O3
等を添加してその温度変化率を小さくしたものが使用さ
れていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところがこれらの成分
を含む組成物では誘電率を高くすると、静電容量の変化
率が大きくなり、実用に適さなくなるため、誘電率を大
きくするにはおのずと限界があった。
を含む組成物では誘電率を高くすると、静電容量の変化
率が大きくなり、実用に適さなくなるため、誘電率を大
きくするにはおのずと限界があった。
【0004】このため、これらの組成物をコンデンサに
使用した場合、小型で大容量のコンデンサを得ることは
困難であった。
使用した場合、小型で大容量のコンデンサを得ることは
困難であった。
【0005】また、前記の如くビスマス化合物をその組
成に含むものは、焼成時にビスマス成分が蒸発し、磁気
組成物素体に屈曲を生じたりする問題があった。
成に含むものは、焼成時にビスマス成分が蒸発し、磁気
組成物素体に屈曲を生じたりする問題があった。
【0006】さらにビスマスを含有するチタン酸バリウ
ム積層型磁気コンデンサを作成した場合、内部電極であ
るパラジウム、または銀─パラジウム合金と誘電体の成
分であるビスマスが反応を起こし、電極としての機能を
失ってしまう。そのため内部電極としてビスマスと反応
しない、高価な白金等の貴金属を使用しなければなら
ず、これが積層型磁気コンデンサのコストアップの要因
になっていた。
ム積層型磁気コンデンサを作成した場合、内部電極であ
るパラジウム、または銀─パラジウム合金と誘電体の成
分であるビスマスが反応を起こし、電極としての機能を
失ってしまう。そのため内部電極としてビスマスと反応
しない、高価な白金等の貴金属を使用しなければなら
ず、これが積層型磁気コンデンサのコストアップの要因
になっていた。
【0007】従って本発明の目的はその組成にビスマス
を含有せず広い温度範囲にわたって誘電率の温度変化が
少なく、誘電体損失の小さい優れた特性を有する高誘電
率誘電体磁気組成物を提供するものである。
を含有せず広い温度範囲にわたって誘電率の温度変化が
少なく、誘電体損失の小さい優れた特性を有する高誘電
率誘電体磁気組成物を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明者等は鋭意研究の結果、主成分として BaTiO3 : 94.0〜99.0モル% Nb2 O5 : 0.5〜 3.0モル% ZnO : 0.5〜 3.0モル% に対して、添加物として、CaZrO3 、SrZr
O3 、BaZrO3 のうち一種類以上を0.2〜7.0重量
%含有することにより、キュリー点が高温側へシフトす
ることを見出した。これにより、高温側の誘電率変化率
を抑制することができる。
め、本発明者等は鋭意研究の結果、主成分として BaTiO3 : 94.0〜99.0モル% Nb2 O5 : 0.5〜 3.0モル% ZnO : 0.5〜 3.0モル% に対して、添加物として、CaZrO3 、SrZr
O3 、BaZrO3 のうち一種類以上を0.2〜7.0重量
%含有することにより、キュリー点が高温側へシフトす
ることを見出した。これにより、高温側の誘電率変化率
を抑制することができる。
【0009】また、必要に応じてLa2 O3 、Nd2 O
3 、Pr6 O11のうち一種類以上を0.5重量%以下含有
することにより、焼結性等の特性が優れることを見出し
た。
3 、Pr6 O11のうち一種類以上を0.5重量%以下含有
することにより、焼結性等の特性が優れることを見出し
た。
【0010】さらにこれら組成物にMnOを0〜0.3重
量%、SiO2 を0〜0.3重量%含有することにより焼
結性がよくなり、特性が一層向上するものとなった。
量%、SiO2 を0〜0.3重量%含有することにより焼
結性がよくなり、特性が一層向上するものとなった。
【0011】
【作用】本発明の組成の誘電体磁気組成物を用いること
により、常温での非誘電率が2000〜4700という
高誘電率値を有し、誘電体損失(tan δ)は1.2%以下
という小さい値であり、静電容量の温度変化はEIAJ
(日本電子工業工業会規約)に規定する×7R特性(−
55℃〜+125℃の温度範囲で静電容量の変化率が2
5℃を基準にして±15%以内)を満足し、更に×8R
特性(−55℃〜+150℃の温度範囲で、静電容量の
変化率が25℃を基準にして±15%以内)を満足する
すぐれた特性の高誘電率誘電体磁気組成物を得ることが
できた。
により、常温での非誘電率が2000〜4700という
高誘電率値を有し、誘電体損失(tan δ)は1.2%以下
という小さい値であり、静電容量の温度変化はEIAJ
(日本電子工業工業会規約)に規定する×7R特性(−
55℃〜+125℃の温度範囲で静電容量の変化率が2
5℃を基準にして±15%以内)を満足し、更に×8R
特性(−55℃〜+150℃の温度範囲で、静電容量の
変化率が25℃を基準にして±15%以内)を満足する
すぐれた特性の高誘電率誘電体磁気組成物を得ることが
できた。
【0012】
【実施例】本発明の一実施例を図1〜図3を用いて説明
する。
する。
【0013】図1は本発明の高誘電率磁気組成物の主成
分の三元組成図、図2は本発明の高誘電率磁気組成物の
製造工程図、図3は磁気組成物の静電容量の温度特性カ
ーブを示す。
分の三元組成図、図2は本発明の高誘電率磁気組成物の
製造工程図、図3は磁気組成物の静電容量の温度特性カ
ーブを示す。
【0014】出発原料として、高純度のBaCO3 とT
iO2 を1:1のモル比で調合し、これに脱水乾燥する
(図2参照)。
iO2 を1:1のモル比で調合し、これに脱水乾燥する
(図2参照)。
【0015】次にこの出発原料を1000〜1200℃
で2時間安定にして化学反応を行わしめ、BaTiO3
を形成する仮焼成を行い、得られたBaTiO3 を例え
ばアトマイザー等で微粉砕する(図2参照)。
で2時間安定にして化学反応を行わしめ、BaTiO3
を形成する仮焼成を行い、得られたBaTiO3 を例え
ばアトマイザー等で微粉砕する(図2参照)。
【0016】このようにして得られたBaTiO3 粉
末、または溶液法で調整して得られたBaTiO3 粉末
と、Nb2 O5 、ZnO、CaZrO3 、SrZr
O3 、BaZrO3 、Nd2 O3 、La2 O3 、Pr6
O11、MnO、SiO2 等を焼成後の組成が後掲の表1
〜表3に示すようになるよう秤量し、湿式混合する(図
2参照)。
末、または溶液法で調整して得られたBaTiO3 粉末
と、Nb2 O5 、ZnO、CaZrO3 、SrZr
O3 、BaZrO3 、Nd2 O3 、La2 O3 、Pr6
O11、MnO、SiO2 等を焼成後の組成が後掲の表1
〜表3に示すようになるよう秤量し、湿式混合する(図
2参照)。
【0017】これを脱水・乾燥する(図2参照)。
【0018】この組成物の原料に有機バインダを適当量
加え、約3トン/cm2 の成形圧力で成形し、直径16.5
mm、厚さ約0.6mmの円板状成形物を形成する。この成形
物を1240〜1360℃で2時間安定にして本焼成を
行う(図2参照)。
加え、約3トン/cm2 の成形圧力で成形し、直径16.5
mm、厚さ約0.6mmの円板状成形物を形成する。この成形
物を1240〜1360℃で2時間安定にして本焼成を
行う(図2参照)。
【0019】得られた磁気組成物素体の両端に銀電極を
焼付けてコンデンサとする(図2参照)。
焼付けてコンデンサとする(図2参照)。
【0020】これらのコンデンサの各電気特性のうち、
比誘電率(εs )、誘電体損失(tan δ)については周
波数1KHz、1V、室温20℃の条件で、また絶縁抵
抗(IR)については、D.C500V、室温20℃の
条件で測定した(図2参照)。
比誘電率(εs )、誘電体損失(tan δ)については周
波数1KHz、1V、室温20℃の条件で、また絶縁抵
抗(IR)については、D.C500V、室温20℃の
条件で測定した(図2参照)。
【0021】各測定結果を表1〜表4に示す。なお、表
1は各試料の主成分の組成、表2は表1に対応する試料
の添加物の組成、表3は表1、表2に対応する試料のそ
の他の添加物の組成と各試料の焼成温度と焼結性、表4
は表1〜表3に対応する各試料の電気的特性を示してお
り、表1〜表4の試料No.はすべて共通であり、同一の
試料No.は同一の試料を示す。
1は各試料の主成分の組成、表2は表1に対応する試料
の添加物の組成、表3は表1、表2に対応する試料のそ
の他の添加物の組成と各試料の焼成温度と焼結性、表4
は表1〜表3に対応する各試料の電気的特性を示してお
り、表1〜表4の試料No.はすべて共通であり、同一の
試料No.は同一の試料を示す。
【0022】また、表中の×印を付与した試料No.のも
のは本発明の範囲外のものであり、本発明の実施例のも
のと比較のために提示する。
のは本発明の範囲外のものであり、本発明の実施例のも
のと比較のために提示する。
【0023】
【表1】
【0024】
【表2】
【0025】
【表3】
【0026】
【表4】
【0027】表1〜表4から明らかな如く、本発明の誘
電体磁気組成物は、常温での誘電率が2000〜470
0程度と高誘電率であり、誘電体損失は1.2%以下とい
う小さい値であり、静電容量の温度変化率はEIAJに
規定する×7R特性、×8R特性を満足するすぐれた特
性を有する。
電体磁気組成物は、常温での誘電率が2000〜470
0程度と高誘電率であり、誘電体損失は1.2%以下とい
う小さい値であり、静電容量の温度変化率はEIAJに
規定する×7R特性、×8R特性を満足するすぐれた特
性を有する。
【0028】図1には主成分の組成を示す三元組成図を
示し、図1中の各点の番号は表1〜表4の試料No.と一
致する。なお、図1中の各試料の添加物は主成分の各組
成に対して試料No.3以外は前記の如き条件を満たすも
のとする。
示し、図1中の各点の番号は表1〜表4の試料No.と一
致する。なお、図1中の各試料の添加物は主成分の各組
成に対して試料No.3以外は前記の如き条件を満たすも
のとする。
【0029】次に本発明の組成範囲の限定理由を表1〜
表4を参照しつつ説明する。
表4を参照しつつ説明する。
【0030】BaTiO3 が94.00モル%未満である
と、比誘電率(εs )(以下誘電率という)が低く、実
用に適さない(例えば、表1〜表4の試料No.6参
照)。
と、比誘電率(εs )(以下誘電率という)が低く、実
用に適さない(例えば、表1〜表4の試料No.6参
照)。
【0031】BaTiO3 が99.0モル%を越えると誘
電体損失(tan δ)と静電容量の温度特性変化率(ΔC
/C:25℃)が大きくなり、焼結性も悪化する(例え
ば、表1〜表4の試料No.1参照)。
電体損失(tan δ)と静電容量の温度特性変化率(ΔC
/C:25℃)が大きくなり、焼結性も悪化する(例え
ば、表1〜表4の試料No.1参照)。
【0032】またNb2 O5 が0.50モル%未満である
と、誘電体損失と静電容量の温度変化率(△ c/C :2
5℃)が大きくなり、焼結性も悪化する(例えば、表1
〜表4の試料No.1参照)。
と、誘電体損失と静電容量の温度変化率(△ c/C :2
5℃)が大きくなり、焼結性も悪化する(例えば、表1
〜表4の試料No.1参照)。
【0033】Nb2 O5 が3.0モル%を越えると、誘電
率が低くなったり(例えば表1〜表4の試料No.6参
照)、静電容量の温度変化率(△ c/C :25℃)が大
きくなる(例えば表1〜表4の試料No.8参照)。
率が低くなったり(例えば表1〜表4の試料No.6参
照)、静電容量の温度変化率(△ c/C :25℃)が大
きくなる(例えば表1〜表4の試料No.8参照)。
【0034】ZnOが0.50モル%未満であると、誘電
体損失や静電容量の温度変化率(△c/C :25℃)が
大きくなり、焼結性も悪化する(例えば、表1〜表4の
試料No.1参照)。
体損失や静電容量の温度変化率(△c/C :25℃)が
大きくなり、焼結性も悪化する(例えば、表1〜表4の
試料No.1参照)。
【0035】ZnOが3.0モル%を越えると、誘電率が
低くなったり(例えば、表1〜表4の試料No.6参
照)、静電容量の温度変化率(△ c/C :25℃)が大
きくなったりする(例えば表1〜表4の試料No.10参
照)。
低くなったり(例えば、表1〜表4の試料No.6参
照)、静電容量の温度変化率(△ c/C :25℃)が大
きくなったりする(例えば表1〜表4の試料No.10参
照)。
【0036】また、添加物としてCaZrO3 、SrZ
rO3 、BaZrO3 、のいずれか一種類以上が0.2重
量%未満では、静電容量の温度特性変化率が大きくな
り、×8R特性を満足しなくなる(例えば、表1〜表4
の試料No.3、3−18、3−20参照)。
rO3 、BaZrO3 、のいずれか一種類以上が0.2重
量%未満では、静電容量の温度特性変化率が大きくな
り、×8R特性を満足しなくなる(例えば、表1〜表4
の試料No.3、3−18、3−20参照)。
【0037】さらにこれらの添加物のいずれか一種類以
上が、7.0重量%を越えても、静電容量の温度変化率
(△ c/C :25℃)が大きくなり、×8R特性を満足
しなくなる(例えば表1〜表4の試料No.3−4、3−
19、3−21参照)。
上が、7.0重量%を越えても、静電容量の温度変化率
(△ c/C :25℃)が大きくなり、×8R特性を満足
しなくなる(例えば表1〜表4の試料No.3−4、3−
19、3−21参照)。
【0038】Nd2 O3 、La2 O3 、Pr6 O11のう
ちいずれか一種類以上が上記組成に対して無添加でも、
実用上問題はないが(例えば表1〜表4の試料No.3−
7参照)、0.5重量%までの添加で焼結性がよくなる
(例えば、表1〜表4の試料No.3−8参照)。
ちいずれか一種類以上が上記組成に対して無添加でも、
実用上問題はないが(例えば表1〜表4の試料No.3−
7参照)、0.5重量%までの添加で焼結性がよくなる
(例えば、表1〜表4の試料No.3−8参照)。
【0039】また上記化合物の組成に対して0.5重量%
を越えると、静電容量の温度変化率が大きくなり、×8
R特性をはずれる(例えば表1〜表4の試料No.3−
9、3−22、3−23参照)。
を越えると、静電容量の温度変化率が大きくなり、×8
R特性をはずれる(例えば表1〜表4の試料No.3−
9、3−22、3−23参照)。
【0040】さらにMnOの添加は無添加でも実用上問
題ないが(例えば表1〜表4の試料No.3−12参
照)、0.3重量%までの添加で誘電体の還元防止にな
り、誘電体損失(tan δ)が改善され、焼結性も向上す
る(例えば表1〜表4の試料No.3−13参照)。
題ないが(例えば表1〜表4の試料No.3−12参
照)、0.3重量%までの添加で誘電体の還元防止にな
り、誘電体損失(tan δ)が改善され、焼結性も向上す
る(例えば表1〜表4の試料No.3−13参照)。
【0041】しかし、MnOの添加が0.3重量%を越え
ると、静電容量の温度特性変化率が大きくなり、焼結性
は悪化し、緻密な磁気が得られなくなる(例えば表1〜
表4の試料No.3−14参照)。
ると、静電容量の温度特性変化率が大きくなり、焼結性
は悪化し、緻密な磁気が得られなくなる(例えば表1〜
表4の試料No.3−14参照)。
【0042】また、SiO2 の添加は無添加でも実用上
問題はないが(例えば表1〜表4の試料No.3−15参
照)、0.3重量%までの添加で、焼結性がよくなる。
問題はないが(例えば表1〜表4の試料No.3−15参
照)、0.3重量%までの添加で、焼結性がよくなる。
【0043】しかし、SiO2 の添加が0.3重量%を越
えると、静電容量の温度特性変化率が大きくなり、誘電
体損失(tan δ)も大きくなる(例えば表1〜表4の試
料No.3−17参照)。
えると、静電容量の温度特性変化率が大きくなり、誘電
体損失(tan δ)も大きくなる(例えば表1〜表4の試
料No.3−17参照)。
【0044】また原料中に含まれるアルカリ金属酸化物
または製造工程中に混入する微量の不純物としてのSi
O2 、Al2 O3 は特性を著しく悪化させることはな
い。
または製造工程中に混入する微量の不純物としてのSi
O2 、Al2 O3 は特性を著しく悪化させることはな
い。
【0045】図3に表1〜表4のいくつかの試料につい
て25℃における静電容量に対する温度変化率カーブを
示す。
て25℃における静電容量に対する温度変化率カーブを
示す。
【0046】図3において曲線Aは表1〜表4の試料N
o.1、曲線Bは同試料No.3−1、曲線Cは同試料No.
3−4に対応する。
o.1、曲線Bは同試料No.3−1、曲線Cは同試料No.
3−4に対応する。
【0047】図3から明らかな如く本発明の範囲内の組
成の磁気組成物(曲線B、即ち試料No.3−1)は静電
容量の温度変化率が広い温度範囲で小さく、×7R特
性、×8R特性を満足し、安定している。
成の磁気組成物(曲線B、即ち試料No.3−1)は静電
容量の温度変化率が広い温度範囲で小さく、×7R特
性、×8R特性を満足し、安定している。
【0048】
【発明の効果】本発明の誘電体磁気組成物は誘電率が約
2000〜4700という高い値を示し、誘電体損失
(tan δ)は1.2%以下という小さい値であり、静電容
量の温度変化率(△ c/C :25℃)はEIAJに規定
する×7R特性、×8R特性をも満足する優れた特性を
有し、例えば自動車のエンジンルーム等に使用可能な高
誘電率誘電体磁気組成物を得ることができる。
2000〜4700という高い値を示し、誘電体損失
(tan δ)は1.2%以下という小さい値であり、静電容
量の温度変化率(△ c/C :25℃)はEIAJに規定
する×7R特性、×8R特性をも満足する優れた特性を
有し、例えば自動車のエンジンルーム等に使用可能な高
誘電率誘電体磁気組成物を得ることができる。
【0049】さらに、この誘電体磁気組成物中にパラジ
ウムまたは銀─パラジウムと反応し易いビスマスを含有
しないため、この組成物を誘電体層として積層コンデン
サを製造する場合、内部電極としてパラジウム単独また
は銀─パラジウムの使用が可能となる。
ウムまたは銀─パラジウムと反応し易いビスマスを含有
しないため、この組成物を誘電体層として積層コンデン
サを製造する場合、内部電極としてパラジウム単独また
は銀─パラジウムの使用が可能となる。
【0050】従って、高価な白金または白金─パラジウ
ムを用いる必要がなく、製品の大幅なコストダウンが実
現出来、工業上の利益ははかり知れないものがある。
ムを用いる必要がなく、製品の大幅なコストダウンが実
現出来、工業上の利益ははかり知れないものがある。
【図1】本発明の高誘電率誘電体磁気組成物の主成分の
三元組成図である。
三元組成図である。
【図2】本発明の高誘電率誘電体磁気組成物の製造工程
説明図である。
説明図である。
【図3】高誘電率誘電体磁気組成物の静電容量の温度に
よる変化率特性カーブを示す図である。
よる変化率特性カーブを示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成5年2月24日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 高誘電率誘電体磁器組成物
Claims (4)
- 【請求項1】 主成分として、 BaTiO3 : 94.0〜99.0モル% Nb2 O5 : 0.5〜 3.0モル% ZnO : 0.5〜 3.0モル% に対して、添加物としてCaZrO3 、SrZrO3 、
BaZrO3 のうちいずれか一種類以上を0.2〜7.0重
量%含有することを特徴とする高誘電率誘電体磁気組成
物。 - 【請求項2】 前記組成物にLa2 O3 、Nd2 O3 、
Pr6 O11のうちいずれか一種類以上を0.5重量%以下
含有することを特徴とする請求項1記載の高誘電率誘電
体磁気組成物。 - 【請求項3】 前記組成物にMnOを0.3重量%以下含
有することを特徴とする請求項1、又は請求項2記載の
高誘電率誘電体磁気組成物。 - 【請求項4】 前記組成物にSiO2 を0.3重量%以下
含有することを特徴とする請求項1、又は請求項2、又
は請求項3記載の高誘電率誘電体磁気組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3067922A JPH06243721A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3067922A JPH06243721A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06243721A true JPH06243721A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=13358893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3067922A Pending JPH06243721A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06243721A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5990029A (en) * | 1997-02-25 | 1999-11-23 | Tdk Corporation | High dielectric-constant dielectric ceramic composition, and its fabrication process |
US6226172B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-05-01 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US6403513B1 (en) | 1999-07-27 | 2002-06-11 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US6544916B1 (en) | 1999-10-05 | 2003-04-08 | Tdk Corporation | Manufacture method of dielectric ceramic composition |
US6559084B1 (en) | 1999-07-21 | 2003-05-06 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US6764976B2 (en) | 2000-12-25 | 2004-07-20 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US7262146B2 (en) | 2004-08-30 | 2007-08-28 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US7381464B2 (en) | 2004-11-30 | 2008-06-03 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US7541305B2 (en) | 2004-08-30 | 2009-06-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
CN109437888A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-03-08 | 天津大学 | 一种低损耗巨介电常数x8r型电介质材料的制备方法 |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP3067922A patent/JPH06243721A/ja active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5990029A (en) * | 1997-02-25 | 1999-11-23 | Tdk Corporation | High dielectric-constant dielectric ceramic composition, and its fabrication process |
CN1102918C (zh) * | 1998-07-29 | 2003-03-12 | Tdk株式会社 | 电介质陶瓷组合物及其电子元件 |
US6226172B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-05-01 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US6699809B2 (en) | 1999-07-21 | 2004-03-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US6559084B1 (en) | 1999-07-21 | 2003-05-06 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US6403513B1 (en) | 1999-07-27 | 2002-06-11 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US6544916B1 (en) | 1999-10-05 | 2003-04-08 | Tdk Corporation | Manufacture method of dielectric ceramic composition |
US6764976B2 (en) | 2000-12-25 | 2004-07-20 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US7262146B2 (en) | 2004-08-30 | 2007-08-28 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
EP1916681A1 (en) | 2004-08-30 | 2008-04-30 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US7541305B2 (en) | 2004-08-30 | 2009-06-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US7381464B2 (en) | 2004-11-30 | 2008-06-03 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
EP2003665A1 (en) | 2004-11-30 | 2008-12-17 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition with Core-Shell particles and electronic device |
CN109437888A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-03-08 | 天津大学 | 一种低损耗巨介电常数x8r型电介质材料的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4767732A (en) | High dielectric constant ceramic material and method of manufacturing the same | |
JPH06243721A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
JP2978580B2 (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
JPH05109319A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
JPH04292458A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
JPH04292459A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
JP2958819B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JP2958818B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JPH10297967A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
JPH08151260A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP2001080959A (ja) | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミック部品 | |
JP2001080957A (ja) | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミック部品 | |
KR100415561B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터용 유전체 조성물 및 이를 이용한 유전체의 제조방법 | |
JP2789110B2 (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
JPH0536308A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
JP2869900B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JP2821768B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
KR940004142B1 (ko) | 고유전율계 세라믹 콘덴서용 조성물 | |
JP3071452B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPH0689605A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPH04249809A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
JPH03285209A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
JP3469911B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPH04267006A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
JPH0345557A (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991026 |