JPH06241931A - 半導体圧力センサー - Google Patents
半導体圧力センサーInfo
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- JPH06241931A JPH06241931A JP3295993A JP3295993A JPH06241931A JP H06241931 A JPH06241931 A JP H06241931A JP 3295993 A JP3295993 A JP 3295993A JP 3295993 A JP3295993 A JP 3295993A JP H06241931 A JPH06241931 A JP H06241931A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 16
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 5
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 abstract description 3
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000009313 farming Methods 0.000 abstract 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Polyparaxylylene Polymers 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】圧力印加時及び温度変化時に半導体センサーチ
ップに波及する悪影響を抑制する。 【構成】金属台座１にガラス台座２を接合し、ガラス台
座２に半導体センサーチップ３を接続する半導体圧力セ
ンサーである。金属台座１におけるガラス台座２の接合
箇所１ａを他の箇所であるボディ４への取付け箇所１ｂ
よりも一段高くなるように、金属台座１が略均一厚みの
板材でプレス成形する。
ップに波及する悪影響を抑制する。 【構成】金属台座１にガラス台座２を接合し、ガラス台
座２に半導体センサーチップ３を接続する半導体圧力セ
ンサーである。金属台座１におけるガラス台座２の接合
箇所１ａを他の箇所であるボディ４への取付け箇所１ｂ
よりも一段高くなるように、金属台座１が略均一厚みの
板材でプレス成形する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体圧力センサーに
関し、詳しくは圧力印加時及び温度変化時に半導体セン
サーチップに波及する悪影響を抑制するとともに生産性
を高めかつ小型化を図ろうとする技術に係るものであ
る。
関し、詳しくは圧力印加時及び温度変化時に半導体セン
サーチップに波及する悪影響を抑制するとともに生産性
を高めかつ小型化を図ろうとする技術に係るものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、図５（ａ）に示すように、金属台
座１′にガラス台座２′を接合し、ガラス台座２′に半
導体センサーチップ３′を接続する半導体圧力センサー
Ａ′においては、ボディ４に作用するイの力が金属台座
１′にロの力で伝わり、ガラス台座２′にはハの力で伝
わり、そして、半導体センサーチップ３′にはニの力が
ホの力となって伝えられ、半導体センサーチップ３′に
おける圧力検出の精度を低下するという問題があった。
座１′にガラス台座２′を接合し、ガラス台座２′に半
導体センサーチップ３′を接続する半導体圧力センサー
Ａ′においては、ボディ４に作用するイの力が金属台座
１′にロの力で伝わり、ガラス台座２′にはハの力で伝
わり、そして、半導体センサーチップ３′にはニの力が
ホの力となって伝えられ、半導体センサーチップ３′に
おける圧力検出の精度を低下するという問題があった。
【０００３】そこで、図６に示すように、金属台座１″
に溝ａ″を形成し、この溝ａ″にて半導体センサーチッ
プ３″へのボディ４からのイの力の伝達を抑制して、半
導体センサーチップ３″への悪影響を抑制する技術が提
案されている。
に溝ａ″を形成し、この溝ａ″にて半導体センサーチッ
プ３″へのボディ４からのイの力の伝達を抑制して、半
導体センサーチップ３″への悪影響を抑制する技術が提
案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
図６に示すような構成のものにおいては、図５（ｂ）の
ように、ボディ４″に溝ａ″を形成するが故に、機械加
工を要するともに金属台座１″の厚さも増し、半導体圧
力センサーの生産性を低下させ、かつ小型化し難いなど
という問題があった。
図６に示すような構成のものにおいては、図５（ｂ）の
ように、ボディ４″に溝ａ″を形成するが故に、機械加
工を要するともに金属台座１″の厚さも増し、半導体圧
力センサーの生産性を低下させ、かつ小型化し難いなど
という問題があった。
【０００５】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、半導体センサー
チップに波及する悪影響を抑制するとともに生産性を高
めかつ小型化できる半導体圧力センサーを提供しようと
するにある。
ものであり、その目的とするところは、半導体センサー
チップに波及する悪影響を抑制するとともに生産性を高
めかつ小型化できる半導体圧力センサーを提供しようと
するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属台座１に
ガラス台座２を接合し、ガラス台座２に半導体センサー
チップ３を接続する半導体圧力センサーにおいて、金属
台座１におけるガラス台座２の接合箇所１ａを他の箇所
であるボディ４への取付け箇所１ｂよりも一段高くなる
ように、金属台座１が略均一厚みの板材でプレス成形さ
れて成ることを特徴とするものである。
ガラス台座２を接合し、ガラス台座２に半導体センサー
チップ３を接続する半導体圧力センサーにおいて、金属
台座１におけるガラス台座２の接合箇所１ａを他の箇所
であるボディ４への取付け箇所１ｂよりも一段高くなる
ように、金属台座１が略均一厚みの板材でプレス成形さ
れて成ることを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】溶接などにてボディ４に取付けられている金属
台座１に対してボディ４から金属台座１に引き伸ばそう
とする引張方向或いはその反対方向、つまり圧縮方向の
力が作用しても、接合箇所１ａと取付け箇所１ｂとには
段差部が形成されていて、かかる段差部において引張及
び圧縮方向の力を吸収する。しかして、半導体センサー
チップ３へのボディ４からの力の悪影響を抑制する。し
かも、金属台座１は板状のものをプレス成形してあっ
て、従来のように、溝を形成する構成のものに比べて、
生産性を高める。かつ金属台座１の高さを低くして、半
導体圧力センサーを小型化する。
台座１に対してボディ４から金属台座１に引き伸ばそう
とする引張方向或いはその反対方向、つまり圧縮方向の
力が作用しても、接合箇所１ａと取付け箇所１ｂとには
段差部が形成されていて、かかる段差部において引張及
び圧縮方向の力を吸収する。しかして、半導体センサー
チップ３へのボディ４からの力の悪影響を抑制する。し
かも、金属台座１は板状のものをプレス成形してあっ
て、従来のように、溝を形成する構成のものに比べて、
生産性を高める。かつ金属台座１の高さを低くして、半
導体圧力センサーを小型化する。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて詳述す
る。半導体圧力センサーＡは、図１及び図２に示すよう
に、シリコンダイヤフラム５の上に拡散抵抗７を配して
半導体センサーチップ３としての歪みゲージ６を形成
し、シリコンダイヤフラム５と略等しい熱膨張係数の硼
珪酸ガラス製のガラス台座２に半導体センサーチップ３
を陽極接合法にて接合し、そして、ガラス台座２の反対
側はガラス台座２の硼珪酸ガラスの熱膨張係数と略等し
い熱膨張係数の鉄ーニッケル合金、又は鉄ーニッケルー
コバルト合金の金属台座１を陽極接合法にて接合し、こ
の金属台座１をボディ４に溶接して取付け、ボディ４に
ケース８を付設して構成したものである。図２中９はプ
リント基板、１０はボンディングワイヤーである。
る。半導体圧力センサーＡは、図１及び図２に示すよう
に、シリコンダイヤフラム５の上に拡散抵抗７を配して
半導体センサーチップ３としての歪みゲージ６を形成
し、シリコンダイヤフラム５と略等しい熱膨張係数の硼
珪酸ガラス製のガラス台座２に半導体センサーチップ３
を陽極接合法にて接合し、そして、ガラス台座２の反対
側はガラス台座２の硼珪酸ガラスの熱膨張係数と略等し
い熱膨張係数の鉄ーニッケル合金、又は鉄ーニッケルー
コバルト合金の金属台座１を陽極接合法にて接合し、こ
の金属台座１をボディ４に溶接して取付け、ボディ４に
ケース８を付設して構成したものである。図２中９はプ
リント基板、１０はボンディングワイヤーである。
【０００９】そして、金属台座１におけるガラス台座２
の接合箇所１ａを他の箇所であるボディ４への取付け箇
所１ｂよりも一段高くなるように、金属台座１が略均一
厚みの板材でプレス成形したものである。しかして、図
５（ｃ）に示すように、溶接などにてボディ４に取付け
られている金属台座１に対してボディ４から金属台座１
に引き伸ばそうとする引張方向にイの力が加えられた
時、金属台座１にはロの力が発生するとともにハの力が
発生し、ガラス台座２に生じるニの力は小さく、したが
って半導体センサーチップ３にかかるホの力は更に小さ
くなり、半導体センサーチップ３への悪影響を回避する
のである。しかも、金属台座１は板状のものをプレス成
形したものであり、従来のように、溝を形成する構成の
ものに比べて、生産性を高め、かつ金属台座１の高さを
低くして、半導体圧力センサーＡを小型化している。
の接合箇所１ａを他の箇所であるボディ４への取付け箇
所１ｂよりも一段高くなるように、金属台座１が略均一
厚みの板材でプレス成形したものである。しかして、図
５（ｃ）に示すように、溶接などにてボディ４に取付け
られている金属台座１に対してボディ４から金属台座１
に引き伸ばそうとする引張方向にイの力が加えられた
時、金属台座１にはロの力が発生するとともにハの力が
発生し、ガラス台座２に生じるニの力は小さく、したが
って半導体センサーチップ３にかかるホの力は更に小さ
くなり、半導体センサーチップ３への悪影響を回避する
のである。しかも、金属台座１は板状のものをプレス成
形したものであり、従来のように、溝を形成する構成の
ものに比べて、生産性を高め、かつ金属台座１の高さを
低くして、半導体圧力センサーＡを小型化している。
【００１０】図３はシリコンダイヤフラム５の製造方法
を示していて、シリコンダイヤフラム部５ａ・・を多数
有するシリコンウェハ１１の受圧面に保護用薄膜１２を
同時にコーティングした後、隣接するシリコンダイヤフ
ラム部５ａ，５ａ間の中間を通る線に沿って切断して、
半導体センサーチップ３を得るものである。図４はシリ
コンダイヤフラム５の他の製造方法を示していて、シリ
コンダイヤフラム部５ａ・・を多数有するシリコンウェ
ハ１１と、シリコンダイヤフラム部５ａ・・の位置に相
当する孔１３があき、かつ熱膨張係数が略等しいガラス
台座２とが陽極接合法によって接合された後、シリコン
ダイヤフラム５の受圧面にほぼ同時にコーティングした
後、隣接するシリコンダイヤフラム部５ａ，５ａ間の中
間を通る線に沿って切断して、半導体センサーチップ３
を得るものである。かかる場合、ガラス台座２の孔１３
の内面及びシリコンダイヤフラム５側の面もコーティン
グされている。
を示していて、シリコンダイヤフラム部５ａ・・を多数
有するシリコンウェハ１１の受圧面に保護用薄膜１２を
同時にコーティングした後、隣接するシリコンダイヤフ
ラム部５ａ，５ａ間の中間を通る線に沿って切断して、
半導体センサーチップ３を得るものである。図４はシリ
コンダイヤフラム５の他の製造方法を示していて、シリ
コンダイヤフラム部５ａ・・を多数有するシリコンウェ
ハ１１と、シリコンダイヤフラム部５ａ・・の位置に相
当する孔１３があき、かつ熱膨張係数が略等しいガラス
台座２とが陽極接合法によって接合された後、シリコン
ダイヤフラム５の受圧面にほぼ同時にコーティングした
後、隣接するシリコンダイヤフラム部５ａ，５ａ間の中
間を通る線に沿って切断して、半導体センサーチップ３
を得るものである。かかる場合、ガラス台座２の孔１３
の内面及びシリコンダイヤフラム５側の面もコーティン
グされている。
【００１１】このような製造方法によれば、保護用薄膜
１２のコーティング作業がきわめて容易にかつ正確にお
こなえるとともに、膜厚が０．１μｍから数十μｍまで
均一で均質なコーティングが可能となる。しかも、大量
生産が可能なため、半導体センサーチップ３のコストダ
ウンを図ることができる。そして、保護用薄膜１２は、
米国のＵ．Ｃ．Ｃ社が開発した商品名「パイレン；ＰＡ
ＲＹ・ＬＥＮＥ」と称するポリパラキシリレン樹脂で、
一般樹脂コーティングと違って均一にモノマーが拡散し
基材（コーティング対称物）の鋭角部、複雑な形状のも
の、深くて細い孔などにも均一に付着させることがで
き、ピンホールのない数百μｍ厚のコーティングが可能
となるものである。
１２のコーティング作業がきわめて容易にかつ正確にお
こなえるとともに、膜厚が０．１μｍから数十μｍまで
均一で均質なコーティングが可能となる。しかも、大量
生産が可能なため、半導体センサーチップ３のコストダ
ウンを図ることができる。そして、保護用薄膜１２は、
米国のＵ．Ｃ．Ｃ社が開発した商品名「パイレン；ＰＡ
ＲＹ・ＬＥＮＥ」と称するポリパラキシリレン樹脂で、
一般樹脂コーティングと違って均一にモノマーが拡散し
基材（コーティング対称物）の鋭角部、複雑な形状のも
の、深くて細い孔などにも均一に付着させることがで
き、ピンホールのない数百μｍ厚のコーティングが可能
となるものである。
【００１２】
【発明の効果】本発明は上述のように、金属台座にガラ
ス台座を接合し、ガラス台座に半導体センサーチップを
接続する半導体圧力センサーにおいて、金属台座におけ
るガラス台座の接合箇所を他の箇所であるボディへの取
付け箇所よりも一段高くなるように、金属台座が略均一
厚みの板材でプレス成形されているから、溶接などにて
ボディに取付けられている金属台座に対してボディから
金属台座に引き伸ばそうとする引張方向或いはその反対
方向、つまり圧縮方向の力が作用しても、接合箇所と取
付け箇所とには段差部が形成され、かかる段差部におい
て引張及び圧縮方向の力を吸収でき、半導体センサーチ
ップへのボディからの力の悪影響を抑制でき、しかも、
金属台座は板状のものをプレス成形したものであり、従
来のように、溝を形成する構成のものに比べて、生産性
を高め、かつ金属台座の高さを低くでき、半導体圧力セ
ンサーを小型化できるという利点がある。
ス台座を接合し、ガラス台座に半導体センサーチップを
接続する半導体圧力センサーにおいて、金属台座におけ
るガラス台座の接合箇所を他の箇所であるボディへの取
付け箇所よりも一段高くなるように、金属台座が略均一
厚みの板材でプレス成形されているから、溶接などにて
ボディに取付けられている金属台座に対してボディから
金属台座に引き伸ばそうとする引張方向或いはその反対
方向、つまり圧縮方向の力が作用しても、接合箇所と取
付け箇所とには段差部が形成され、かかる段差部におい
て引張及び圧縮方向の力を吸収でき、半導体センサーチ
ップへのボディからの力の悪影響を抑制でき、しかも、
金属台座は板状のものをプレス成形したものであり、従
来のように、溝を形成する構成のものに比べて、生産性
を高め、かつ金属台座の高さを低くでき、半導体圧力セ
ンサーを小型化できるという利点がある。
【図１】本発明の一実施例の部分断面図である。
【図２】同上の全体断面図である。
【図３】同上のシリコンダイヤフラムの製造工程を示
し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側断面図、（ｃ）は拡大
断面図である。
し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側断面図、（ｃ）は拡大
断面図である。
【図４】同上の他のシリコンダイヤフラムの製造工程を
示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側断面図、（ｃ）は拡
大断面図である。
示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側断面図、（ｃ）は拡
大断面図である。
【図５】（ａ）（ｂ）は従来例の問題点を示す説明図、
（ｃ）は本発明の動作説明図である。
（ｃ）は本発明の動作説明図である。
【図６】従来例の断面図である。
１ 金属台座 ２ ガラス台座 ３ 半導体センサーチップ ４ ボディ
Claims (1)
- 【請求項１】 金属台座にガラス台座を接合し、ガラス
台座に半導体センサーチップを接続する半導体圧力セン
サーにおいて、金属台座におけるガラス台座の接合箇所
を他の箇所であるボディへの取付け箇所よりも一段高く
なるように、金属台座が略均一厚みの板材でプレス成形
されて成ることを特徴とする半導体圧力センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3295993A JPH06241931A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 半導体圧力センサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3295993A JPH06241931A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 半導体圧力センサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06241931A true JPH06241931A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12373464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3295993A Withdrawn JPH06241931A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 半導体圧力センサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06241931A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005227282A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-25 | Robert Bosch Gmbh | 圧力を表す値を検出するためのマイクロメカニックセンサの製作法及び圧力を表す値を検出するためのマイクロメカニックセンサ |
| JP2009250651A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Denso Corp | 圧力センサ |
| JP2012500974A (ja) * | 2008-08-21 | 2012-01-12 | エススリーシー， インコーポレイテッド | センサデバイスパッケージ及び方法 |
| CN103512683A (zh) * | 2012-06-27 | 2014-01-15 | 大陆汽车系统公司 | 用于最小化热噪声的具有阶梯式空腔的压力传感器件 |
| WO2016002448A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 日本精機株式会社 | 圧力検出装置 |
-
1993
- 1993-02-23 JP JP3295993A patent/JPH06241931A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005227282A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-25 | Robert Bosch Gmbh | 圧力を表す値を検出するためのマイクロメカニックセンサの製作法及び圧力を表す値を検出するためのマイクロメカニックセンサ |
| JP2009250651A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Denso Corp | 圧力センサ |
| JP2012500974A (ja) * | 2008-08-21 | 2012-01-12 | エススリーシー， インコーポレイテッド | センサデバイスパッケージ及び方法 |
| CN103512683A (zh) * | 2012-06-27 | 2014-01-15 | 大陆汽车系统公司 | 用于最小化热噪声的具有阶梯式空腔的压力传感器件 |
| WO2016002448A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 日本精機株式会社 | 圧力検出装置 |
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